JPH1067594A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
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- JPH1067594A JPH1067594A JP22401396A JP22401396A JPH1067594A JP H1067594 A JPH1067594 A JP H1067594A JP 22401396 A JP22401396 A JP 22401396A JP 22401396 A JP22401396 A JP 22401396A JP H1067594 A JPH1067594 A JP H1067594A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体有機金属原料の微粒子や霧が密閉槽の外
部に出る前に捕集し、配管の汚損を防止する。 【解決手段】 有機金属ガス供給源６０を具備する有機
金属気相成長装置において、有機金属ガス供給源６０に
は、密閉槽１０内に、気密的に分離された第１の領域１
と、第２の領域２とが形成され、第１の領域１は、固体
有機金属原料３１の収容領域とし、第２の領域２は、第
１の領域１から、吹き上げられた微粒子や霧の蓄積領域
とする。
部に出る前に捕集し、配管の汚損を防止する。 【解決手段】 有機金属ガス供給源６０を具備する有機
金属気相成長装置において、有機金属ガス供給源６０に
は、密閉槽１０内に、気密的に分離された第１の領域１
と、第２の領域２とが形成され、第１の領域１は、固体
有機金属原料３１の収容領域とし、第２の領域２は、第
１の領域１から、吹き上げられた微粒子や霧の蓄積領域
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属気相成長
装置（ＭＯＣＶＤ装置）、すなわち有機金属ガス供給源
を有する有機金属気相成長装置に係わるものである。
装置（ＭＯＣＶＤ装置）、すなわち有機金属ガス供給源
を有する有機金属気相成長装置に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diod
e）、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor
）を始めとする種々の半導体デバイスの装置における
化合物半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長におい
ては、正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有
機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や、分子線エピタキ
シャル法（ＭＢＥ）が適している。さらにこれらの方法
は、非平衡状態での結晶成長を特徴としており、液相成
長法（ＬＰＥ）では困難な多元系化合物半導体混晶を得
ることができる。特に、ＭＯＣＶＤ装置では、その規模
を大きくすることが容易で、化合物半導体層の育成を効
率良く、容易に行うことができる。
e）、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor
）を始めとする種々の半導体デバイスの装置における
化合物半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長におい
ては、正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有
機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や、分子線エピタキ
シャル法（ＭＢＥ）が適している。さらにこれらの方法
は、非平衡状態での結晶成長を特徴としており、液相成
長法（ＬＰＥ）では困難な多元系化合物半導体混晶を得
ることができる。特に、ＭＯＣＶＤ装置では、その規模
を大きくすることが容易で、化合物半導体層の育成を効
率良く、容易に行うことができる。
【０００３】図２に、一般的なＭＯＣＶＤ装置の概略構
成図を示す。例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａ
ＡｓＰ、ＧａＩｎＰ等の化合物半導層のＭＯＣＶＤ法に
よるエピタキシーは、III族原料として、トリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属
ガスを得る有機金属ガス供給源６０（図２においては、
１つの有機金属ガス供給源のみを示している。）が設け
られ、Ｖ族原料供給源３２としては、アルシン（ＡｓＨ
3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が設けられ
る。
成図を示す。例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａ
ＡｓＰ、ＧａＩｎＰ等の化合物半導層のＭＯＣＶＤ法に
よるエピタキシーは、III族原料として、トリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属
ガスを得る有機金属ガス供給源６０（図２においては、
１つの有機金属ガス供給源のみを示している。）が設け
られ、Ｖ族原料供給源３２としては、アルシン（ＡｓＨ
3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が設けられ
る。
【０００４】有機金属ガス供給源６０において、ＴＭＩ
ｎ等の固体原料が用いられる場合、その供給源は、図３
に示すように、密閉槽１１内に上述の例えばＴＭＩｎが
表面に被着された直径５ｍｍ〜１０ｍｍ程度の球状粒に
よる固体有機金属原料３１が収容され、これに、純化装
置（図示せず）により高純度化された図２に示す水素キ
ャリアガス供給源１２からのキャリアガスをマスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）１７を通じて流量制御して、キ
ャリアガス供給管５１から、所定の流量をもって、吹き
込み、このキャリアガスとともに、これによって気化さ
れた有機金属原料ガスを有機金属原料ガス取り出し管５
２から取り出し、図２に示す目的とする気相成長を行う
反応室１３に導く。
ｎ等の固体原料が用いられる場合、その供給源は、図３
に示すように、密閉槽１１内に上述の例えばＴＭＩｎが
表面に被着された直径５ｍｍ〜１０ｍｍ程度の球状粒に
よる固体有機金属原料３１が収容され、これに、純化装
置（図示せず）により高純度化された図２に示す水素キ
ャリアガス供給源１２からのキャリアガスをマスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）１７を通じて流量制御して、キ
ャリアガス供給管５１から、所定の流量をもって、吹き
込み、このキャリアガスとともに、これによって気化さ
れた有機金属原料ガスを有機金属原料ガス取り出し管５
２から取り出し、図２に示す目的とする気相成長を行う
反応室１３に導く。
【０００５】このようにして反応室１３に送り込まれた
有機金属原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段１４に
よって、一定温度に保たれたサセプタ１５上の被気相成
長基板１６に送り込み、そこで、熱分解を起こして基板
１６上に目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成
長を行う。
有機金属原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段１４に
よって、一定温度に保たれたサセプタ１５上の被気相成
長基板１６に送り込み、そこで、熱分解を起こして基板
１６上に目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成
長を行う。
【０００６】一方、エピタキシャル成長を停止する時に
は、例えば、有機金属原料ガス供給源６０に対するキャ
リアガスの供給、従って反応室１３に対する有機金属原
料ガスの供給を停止すればよい。このような装置により
III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長を行う。
は、例えば、有機金属原料ガス供給源６０に対するキャ
リアガスの供給、従って反応室１３に対する有機金属原
料ガスの供給を停止すればよい。このような装置により
III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この場合、密閉槽１１
内の固体有機金属原料３１には、その球状粒表面からの
剥離物による微粒子（パーティクル）や霧（ミスト）存
在したり、更にこの状態で、キャリアガス供給管５１か
ら水素キャリアガスが吹き込まれることによって、球状
粒表面からＴＭＩｎ等が剥離して生じた微粒子や霧が、
吹き上げられ、気化（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと
共に、水素キャリアガスに乗って有機金属原料ガス取り
出し管５２から、搬送されてしまう場合がある。
内の固体有機金属原料３１には、その球状粒表面からの
剥離物による微粒子（パーティクル）や霧（ミスト）存
在したり、更にこの状態で、キャリアガス供給管５１か
ら水素キャリアガスが吹き込まれることによって、球状
粒表面からＴＭＩｎ等が剥離して生じた微粒子や霧が、
吹き上げられ、気化（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと
共に、水素キャリアガスに乗って有機金属原料ガス取り
出し管５２から、搬送されてしまう場合がある。
【０００８】このように、不本意に搬送された微粒子や
霧は、図２中の反応室１３に通じる配管内に付着し、こ
れが積層するため、気体有機金属原料ガスおよび水素キ
ャリアガスの通過を妨げる。また、この結果、気体の流
れが悪くなるため、密閉槽１１内の総圧力が上昇する。
霧は、図２中の反応室１３に通じる配管内に付着し、こ
れが積層するため、気体有機金属原料ガスおよび水素キ
ャリアガスの通過を妨げる。また、この結果、気体の流
れが悪くなるため、密閉槽１１内の総圧力が上昇する。
【０００９】密閉槽１１内における有機金属原料３１の
蒸気圧は、例えばトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）に
おいては、温度により所定の値になるため、結果的に密
閉槽１１内における気体有機金属原料のモル濃度は減少
する。
蒸気圧は、例えばトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）に
おいては、温度により所定の値になるため、結果的に密
閉槽１１内における気体有機金属原料のモル濃度は減少
する。
【００１０】密閉槽１１内における気体有機金属原料ガ
スのモル濃度が変化すると、基板１６上に気相成長され
る化合物半導体結晶の組成に変化が生じ、目的とする化
合物半導体が得られない。
スのモル濃度が変化すると、基板１６上に気相成長され
る化合物半導体結晶の組成に変化が生じ、目的とする化
合物半導体が得られない。
【００１１】上述の場合には、配管等に付着した有機金
属原料を排除すなわち洗浄するとか、あるいは配管等を
交換する必要が生じるが、その有機金属原料の排除すな
わち洗浄、配管の交換作業は、著しく面倒であり、コス
ト高を招来する。また、その交換の際に、多量に付着し
た有機金属原料が空気に触れると発火する恐れもあり、
取扱上、極めて危険である。
属原料を排除すなわち洗浄するとか、あるいは配管等を
交換する必要が生じるが、その有機金属原料の排除すな
わち洗浄、配管の交換作業は、著しく面倒であり、コス
ト高を招来する。また、その交換の際に、多量に付着し
た有機金属原料が空気に触れると発火する恐れもあり、
取扱上、極めて危険である。
【００１２】そこで、本発明は、上述した微粒子や霧
が、キャリアガスと共に吹き上げられた場合であって
も、これらが、密閉槽１１の外部に搬送されることがな
いようにする。
が、キャリアガスと共に吹き上げられた場合であって
も、これらが、密閉槽１１の外部に搬送されることがな
いようにする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機金属ガス
供給源を具備する有機金属気相成長装置において、有機
金属ガス供給源は、密閉槽内に、気密的に分離された第
１の領域と、第２の領域とが形成され、第１の領域が、
固体有機金属原料の収容領域とされ、第２の領域が、第
１の領域から吹き上げられた微粒子や霧の蓄積領域とす
る。
供給源を具備する有機金属気相成長装置において、有機
金属ガス供給源は、密閉槽内に、気密的に分離された第
１の領域と、第２の領域とが形成され、第１の領域が、
固体有機金属原料の収容領域とされ、第２の領域が、第
１の領域から吹き上げられた微粒子や霧の蓄積領域とす
る。
【００１４】本発明によれば、第２の領域によって第１
の領域から、吹き上げられた微粒子や霧を蓄積するよう
にしたので、これらを密閉槽の外部に出る前に捕集する
ことができる。これにより、密閉槽の外部の配管を固体
有機金属原料によって、汚損することを防止することが
できる。また、これにより、密閉槽内における有機金属
原料ガスの蒸気圧を所定の値に保持することができ、質
の良い化合物半導体結晶を成長させることができる。
の領域から、吹き上げられた微粒子や霧を蓄積するよう
にしたので、これらを密閉槽の外部に出る前に捕集する
ことができる。これにより、密閉槽の外部の配管を固体
有機金属原料によって、汚損することを防止することが
できる。また、これにより、密閉槽内における有機金属
原料ガスの蒸気圧を所定の値に保持することができ、質
の良い化合物半導体結晶を成長させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の有機金属気相成
長装置（ＭＯＣＶＤ装置）の一実施の形態を説明する。
以下、その一実施例を説明する。この例においても、図
２で説明したと同様の構成とする。
長装置（ＭＯＣＶＤ装置）の一実施の形態を説明する。
以下、その一実施例を説明する。この例においても、図
２で説明したと同様の構成とする。
【００１６】例えば、ＧａＩｎＰ等の化合物半導体層の
ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシーは、III族原料の供給
源として、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチ
ルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属ガスを得る有機
金属ガス供給源６０が設けられ、Ｖ族原料供給源３２と
しては、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が設けられ
る。
ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシーは、III族原料の供給
源として、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチ
ルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属ガスを得る有機
金属ガス供給源６０が設けられ、Ｖ族原料供給源３２と
しては、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が設けられ
る。
【００１７】本発明においては、有機金属ガス供給源６
０のうち、特に固体有機金属原料が用いられ、例えばト
リメチルインジウム（ＴＭＩｎ）の供給源６０として、
図１に示すように第１の領域１と第２の領域２を有する
密閉槽１０を設ける。この第１の領域１に固体有機金属
原料３１が収容され、これに、純化装置（図示せず）に
より高純度化された水素キャリアガス供給源１２からの
キャリアガスを、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１
７を通じて、流量制御して、キャリアガス供給管５１か
ら吹き込む。
０のうち、特に固体有機金属原料が用いられ、例えばト
リメチルインジウム（ＴＭＩｎ）の供給源６０として、
図１に示すように第１の領域１と第２の領域２を有する
密閉槽１０を設ける。この第１の領域１に固体有機金属
原料３１が収容され、これに、純化装置（図示せず）に
より高純度化された水素キャリアガス供給源１２からの
キャリアガスを、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１
７を通じて、流量制御して、キャリアガス供給管５１か
ら吹き込む。
【００１８】固体有機金属原料３１は、例えばＴＭＩｎ
が表面に被着された直径５ｍｍ〜１０ｍｍ程度の球状粒
からなり、この固体有機金属原料３１にキャリアガスを
吹き込むと、固体有機金属原料３１はその球状粒の表面
からＴＭＩｎが気化（昇華）する。
が表面に被着された直径５ｍｍ〜１０ｍｍ程度の球状粒
からなり、この固体有機金属原料３１にキャリアガスを
吹き込むと、固体有機金属原料３１はその球状粒の表面
からＴＭＩｎが気化（昇華）する。
【００１９】キャリアガスとともに有機金属原料、例え
ばＴＭＩｎのガスは、有機金属原料ガス送出管５３から
第２の領域２に送り出され、最終的に有機金属原料ガス
取り出し管５２から、図２の反応室１３に導かれる。
ばＴＭＩｎのガスは、有機金属原料ガス送出管５３から
第２の領域２に送り出され、最終的に有機金属原料ガス
取り出し管５２から、図２の反応室１３に導かれる。
【００２０】このようにして反応室１３に送り込まれた
有機金属原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段１４に
よって、一定温度に保たれたサセプタ１５上の基板１６
に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板１６上に目
的とする化合物半導体のエピタキシャル成長を行う。
有機金属原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段１４に
よって、一定温度に保たれたサセプタ１５上の基板１６
に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板１６上に目
的とする化合物半導体のエピタキシャル成長を行う。
【００２１】上述の本発明装置における有機金属ガス供
給源６０の密閉槽１０は、図１に示すように、固体有機
金属原料３１の収容領域とされており、キャリアガスが
供給される第１の領域１と、第１の領域から吹き上げら
れた固体有機金属原料の微粒子や霧の蓄積領域とする第
２の領域２とが仕切り４０によって区分される。この仕
切り４０は、密閉槽１０を構成する材料と同様の材料、
例えばステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ）によって構成され
る。
給源６０の密閉槽１０は、図１に示すように、固体有機
金属原料３１の収容領域とされており、キャリアガスが
供給される第１の領域１と、第１の領域から吹き上げら
れた固体有機金属原料の微粒子や霧の蓄積領域とする第
２の領域２とが仕切り４０によって区分される。この仕
切り４０は、密閉槽１０を構成する材料と同様の材料、
例えばステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ）によって構成され
る。
【００２２】キャリアガスを密閉槽１０内に供給するキ
ャリアガス供給管５１は、第１の領域１に連通するよう
になされている。さらに、固体有機金属原料３１が配置
された第１の領域１と、第２の領域２とは、有機金属原
料ガスをキャリアガスとともに第２の領域２に送り出す
有機金属原料ガス送出管５３によって連通されている。
そして、第２の領域２から、密閉槽１０外部に有機金属
原料ガス取り出し管５２が連通するように設けられてい
る。この有機金属原料ガス取り出し管５２と、有機金属
原料ガス送出管５３との配置位置は、互いに一致しない
位置、すなわち一直線上にないように設けられている。
ャリアガス供給管５１は、第１の領域１に連通するよう
になされている。さらに、固体有機金属原料３１が配置
された第１の領域１と、第２の領域２とは、有機金属原
料ガスをキャリアガスとともに第２の領域２に送り出す
有機金属原料ガス送出管５３によって連通されている。
そして、第２の領域２から、密閉槽１０外部に有機金属
原料ガス取り出し管５２が連通するように設けられてい
る。この有機金属原料ガス取り出し管５２と、有機金属
原料ガス送出管５３との配置位置は、互いに一致しない
位置、すなわち一直線上にないように設けられている。
【００２３】ＭＯＣＶＤを行うに当たっては、先ず、キ
ャリアガス供給管５１から、キャリアガスを固体有機金
属原料３１が配置された第１の領域１内に供給し、固体
有機金属原料３１の表面から、気化（昇華）した有機金
属原料を、キャリアガスとともに有機金属原料ガス送出
管５３によって第２の領域２に送り出す。
ャリアガス供給管５１から、キャリアガスを固体有機金
属原料３１が配置された第１の領域１内に供給し、固体
有機金属原料３１の表面から、気化（昇華）した有機金
属原料を、キャリアガスとともに有機金属原料ガス送出
管５３によって第２の領域２に送り出す。
【００２４】しかし、密閉槽１０内の固体有機金属原料
３１には、その球状粒表面からの剥離物による微粒子
（パーティクル）や霧（ミスト）存在したり、更にこの
状態で、キャリアガス供給管５１から水素キャリアガス
が吹き込まれることによって、球状粒表面からＴＭＩｎ
等が剥離して生じた微粒子や霧が、吹き上げられ、気化
（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと共に、水素キャリア
ガスに乗って有機金属原料ガス取り出し管５２から、搬
送されてしまう場合がある。
３１には、その球状粒表面からの剥離物による微粒子
（パーティクル）や霧（ミスト）存在したり、更にこの
状態で、キャリアガス供給管５１から水素キャリアガス
が吹き込まれることによって、球状粒表面からＴＭＩｎ
等が剥離して生じた微粒子や霧が、吹き上げられ、気化
（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと共に、水素キャリア
ガスに乗って有機金属原料ガス取り出し管５２から、搬
送されてしまう場合がある。
【００２５】この固体有機金属原料の微粒子や霧は、第
２の領域２に到達すると、ガスの流速が落ちることよ
り、自重により仕切り４０上に沈下し、蓄積する。
２の領域２に到達すると、ガスの流速が落ちることよ
り、自重により仕切り４０上に沈下し、蓄積する。
【００２６】固体有機金属原料の微粒子や霧が除去され
た有機金属原料ガスは、キャリアガスとともに有機金属
原料ガス取り出し管５２を介して、密閉槽１０の外部へ
と送り出され、図２の目的とするＭＯＣＶＤを行う反応
室１３へと送られ、基板１６上に気相成長を行う。上述
したように、本発明装置によれば、固体有機金属原料ガ
ス以外の微粒子や霧が、第２の領域２に沈下し、蓄積さ
れることにより密閉槽１０の外部へと搬送されることを
防止することができる。すなわち、固体有機金属原料の
微粒子や霧を除去せしめたことにより、この装置が固体
有機金属原料の微粒子や霧により汚損されることから、
効果的に回避することができ、装置および配管の洗浄、
交換等を省略することができるため、装置の連続使用が
可能となった。
た有機金属原料ガスは、キャリアガスとともに有機金属
原料ガス取り出し管５２を介して、密閉槽１０の外部へ
と送り出され、図２の目的とするＭＯＣＶＤを行う反応
室１３へと送られ、基板１６上に気相成長を行う。上述
したように、本発明装置によれば、固体有機金属原料ガ
ス以外の微粒子や霧が、第２の領域２に沈下し、蓄積さ
れることにより密閉槽１０の外部へと搬送されることを
防止することができる。すなわち、固体有機金属原料の
微粒子や霧を除去せしめたことにより、この装置が固体
有機金属原料の微粒子や霧により汚損されることから、
効果的に回避することができ、装置および配管の洗浄、
交換等を省略することができるため、装置の連続使用が
可能となった。
【００２７】上述したように、本発明によれば、有機金
属ガス供給源６０を具備する気相成長装置において、有
機金属ガス供給源６０を、密閉槽１０内に、気密的に分
離された第１の領域１と、第２の領域２とで形成し、第
１の領域１を、固体有機金属原料３１の収容領域とし、
第２の領域２を、第１の領域１から、吹き上げられた微
粒子や霧の蓄積領域とし、第２の領域２を介して第１の
領域１に、キャリアガス供給管５１が連結し、第１の領
域１中の固体有機金属原料３１から、第２の領域２に有
機金属原料ガス取り出し管５２を設け、第２の領域２か
ら、密閉槽１０外に連通する有機金属原料ガス送出管５
３が設けた装置により気相成長を行ったことにより、固
体有機金属原料３１の球状粒表面からＴＭＩｎ等が剥離
して生じた微粒子や霧が、キャリアガスにより吹き上げ
られ、気化（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと共に、水
素キャリアガスに乗って有機金属原料ガス取り出し管５
２を介して密閉槽１０の外に搬送されることを効果的に
防止することができた。これにより、密閉槽１０の外部
の配管を固体有機金属原料の微粒子や霧によって、汚損
し、ガスの流れを妨げることを防止することができた。
また、これにより、密閉槽１０内における有機金属原料
ガスの蒸気圧を所定の値に保持することができ、質の良
い化合物半導体結晶を成長させることができた。
属ガス供給源６０を具備する気相成長装置において、有
機金属ガス供給源６０を、密閉槽１０内に、気密的に分
離された第１の領域１と、第２の領域２とで形成し、第
１の領域１を、固体有機金属原料３１の収容領域とし、
第２の領域２を、第１の領域１から、吹き上げられた微
粒子や霧の蓄積領域とし、第２の領域２を介して第１の
領域１に、キャリアガス供給管５１が連結し、第１の領
域１中の固体有機金属原料３１から、第２の領域２に有
機金属原料ガス取り出し管５２を設け、第２の領域２か
ら、密閉槽１０外に連通する有機金属原料ガス送出管５
３が設けた装置により気相成長を行ったことにより、固
体有機金属原料３１の球状粒表面からＴＭＩｎ等が剥離
して生じた微粒子や霧が、キャリアガスにより吹き上げ
られ、気化（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと共に、水
素キャリアガスに乗って有機金属原料ガス取り出し管５
２を介して密閉槽１０の外に搬送されることを効果的に
防止することができた。これにより、密閉槽１０の外部
の配管を固体有機金属原料の微粒子や霧によって、汚損
し、ガスの流れを妨げることを防止することができた。
また、これにより、密閉槽１０内における有機金属原料
ガスの蒸気圧を所定の値に保持することができ、質の良
い化合物半導体結晶を成長させることができた。
【００２８】また、ＭＯＣＶＤ装置の汚損を防止するこ
とができたため、装置の連続使用が可能となり、ＭＯＣ
ＶＤ装置の耐久性を向上させることができ、また、ＭＯ
ＣＶＤ装置の整備が極めて簡潔にすることができ、装置
のメンテナンスの点からも極めて有効であることがわか
った。
とができたため、装置の連続使用が可能となり、ＭＯＣ
ＶＤ装置の耐久性を向上させることができ、また、ＭＯ
ＣＶＤ装置の整備が極めて簡潔にすることができ、装置
のメンテナンスの点からも極めて有効であることがわか
った。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、第２の領域２によって
第１の領域１から吹き上げられた微粒子や霧を蓄積する
ようにしたので、これらを密閉槽１０の外部に出る前に
捕集することができた。これにより、密閉槽１０の外部
の配管を固体有機金属原料の微粒子や霧によって、汚損
することを防止することができた。また、これにより、
密閉槽１０内における有機金属原料ガスの蒸気圧を所定
の値に保持することができ、質の良い化合物半導体結晶
を成長させることができた。
第１の領域１から吹き上げられた微粒子や霧を蓄積する
ようにしたので、これらを密閉槽１０の外部に出る前に
捕集することができた。これにより、密閉槽１０の外部
の配管を固体有機金属原料の微粒子や霧によって、汚損
することを防止することができた。また、これにより、
密閉槽１０内における有機金属原料ガスの蒸気圧を所定
の値に保持することができ、質の良い化合物半導体結晶
を成長させることができた。
【００３０】また、ＭＯＣＶＤ装置の汚損を防止するこ
とができたため、装置の連続使用が可能となり、ＭＯＣ
ＶＤ装置の耐久性を向上させることができ、また、ＭＯ
ＣＶＤ装置の整備が極めて簡潔にすることができ、装置
のメンテナンスの点からも極めて有効であることがわか
った。
とができたため、装置の連続使用が可能となり、ＭＯＣ
ＶＤ装置の耐久性を向上させることができ、また、ＭＯ
ＣＶＤ装置の整備が極めて簡潔にすることができ、装置
のメンテナンスの点からも極めて有効であることがわか
った。
【図１】本発明の有機金属気相成長装置に使用する一例
の密閉槽を示す。
の密閉槽を示す。
【図２】有機金属気相成長装置の一例の概略図を示す。
【図３】従来の有機金属気相成長装置に使用する一例の
密閉槽を示す。
密閉槽を示す。
１ 第１の領域、２ 第２の領域、１０、１１ 密閉
槽、１２ キャリアガス供給源、１３ 反応室、１４
温度調節器、１５ サセプタ、１６ 基板、１７マスフ
ローコントーラ、３１ 固体有機金属原料、３２ Ｖ族
原料供給源、４０仕切り、５１ キャリアガス供給管、
５２ 有機金属原料ガス取り出し管、５３ 有機金属原
料ガス送出管、６０ 有機金属ガス供給源
槽、１２ キャリアガス供給源、１３ 反応室、１４
温度調節器、１５ サセプタ、１６ 基板、１７マスフ
ローコントーラ、３１ 固体有機金属原料、３２ Ｖ族
原料供給源、４０仕切り、５１ キャリアガス供給管、
５２ 有機金属原料ガス取り出し管、５３ 有機金属原
料ガス送出管、６０ 有機金属ガス供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 有機金属ガス供給源を具備する有機金属
気相成長装置において、 上記有機金属ガス供給源は、密閉槽内に、気密的に分離
された第１の領域と、第２の領域とが形成され、 上記第１の領域が、固体有機金属原料の収容領域とさ
れ、 上記第２の領域が、上記第１の領域から、吹き上げられ
た微粒子や霧の蓄積領域とされた有機金属気相成長装
置。 - 【請求項２】 上記第２の領域を介して第１の領域に、
キャリアガス供給管が連結され、 上記第１の領域中の固体有機金属原料上から、上記第２
の領域に有機金属原料ガス取り出し管が設けられ、 上記第２の領域から、上記密閉槽外に連通する有機金属
原料ガス送出管が設けられてなることを特徴とする請求
項１に記載の有機金属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22401396A JPH1067594A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22401396A JPH1067594A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067594A true JPH1067594A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16807227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22401396A Pending JPH1067594A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1067594A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083777A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-03-22 | Shipley Co Llc | バブラー |
| JP2007053186A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機金属化合物供給容器 |
| JP2008214762A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-18 | Denso Corp | 薄膜の形成方法 |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP22401396A patent/JPH1067594A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083777A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-03-22 | Shipley Co Llc | バブラー |
| JP2007053186A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機金属化合物供給容器 |
| JP2008214762A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-18 | Denso Corp | 薄膜の形成方法 |
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