JPH1067597A - Method for producing diamond thick film and probe for measuring instrument having contact made of this diamond thick film - Google Patents

Method for producing diamond thick film and probe for measuring instrument having contact made of this diamond thick film

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JPH1067597A
JPH1067597A JP24135396A JP24135396A JPH1067597A JP H1067597 A JPH1067597 A JP H1067597A JP 24135396 A JP24135396 A JP 24135396A JP 24135396 A JP24135396 A JP 24135396A JP H1067597 A JPH1067597 A JP H1067597A
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JP
Japan
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diamond
thick film
substrate
flame
diamond thick
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JP24135396A
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Inventor
Morihiro Okada
守弘 岡田
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐久性・信頼性に優れ、且つ安価なボアゲー
ジの測定プローブを実現する。 【解決手段】 燃焼炎法によってダイヤモンド厚膜を製
造する。燃焼炎における外炎15から内炎14を分離す
る工程と、ダイヤモンド厚膜が形成される凹面を有する
基板11に対して、外炎15から分離された内炎14を
照射する工程と、基板11を自然放冷することにより基
板11上に形成されたダイヤモンド厚膜を自然剥離させ
る工程と、を備える。基板11の凹面は、形成すべきダ
イヤモンド厚膜の表面形状に対して雌型となるように成
形されている。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To realize an inexpensive bore gauge measurement probe having excellent durability and reliability. SOLUTION: A diamond thick film is manufactured by a combustion flame method. A step of separating the internal flame 14 from the external flame 15 in the combustion flame, a step of irradiating the substrate 11 having a concave surface on which the diamond thick film is formed with the internal flame 14 separated from the external flame 15, To allow the diamond thick film formed on the substrate 11 to be spontaneously peeled off by allowing it to cool naturally. The concave surface of the substrate 11 is formed so as to be a female mold with respect to the surface shape of the diamond thick film to be formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、特に超硬合金製の
金型等の測定に好適な耐久性及び信頼性を改善したボア
ゲージ等の測定器用プローブ、及びこのプローブの接触
子に使用するダイヤモンド厚膜の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe for a measuring instrument such as a bore gauge having improved durability and reliability suitable for measurement of a mold or the like made of cemented carbide, and a diamond used for a contact of the probe. The present invention relates to a method for manufacturing a thick film.

【0002】[0002]

【従来の技術】ボアゲージは通常、マイクロメータ又は
内径寸法が既知のリング状ゲージ(孔ゲージ)に寸法を
予め合わせて、その寸法と工作物の孔径とを比較測定す
る際に使用する。例えば10mmの孔径を測定する場
合、先ず目盛を10mmに設定したマイクロメータのス
ピンドル及びアンビル間に図4に示したボアゲージ21
の測定プローブ24の接触子25を挟み、ボアゲージ2
1の目盛りを±0μmに合わせてダイヤル取付ネジ22
を締め付けて初期設定を行う。
2. Description of the Related Art A bore gauge is usually used when a dimension is previously adjusted to a micrometer or a ring gauge (hole gauge) having a known inner diameter, and the dimension is compared with a hole diameter of a workpiece. For example, when measuring a hole diameter of 10 mm, first, the bore gauge 21 shown in FIG.
Between the contact 25 of the measurement probe 24 and the bore gauge 2
Adjust the scale of 1 to ± 0μm and set the dial mounting screw 22
Tighten for initial setting.

【0003】初期設定の際には、握り柄23を手で持
ち、測定プローブ24を指で押しすぼめた後被測定物体
Mの測定孔に静かに挿入する。この場合、測定プローブ
24が捩れないように軽く揺すりながらボアゲージ21
のダイヤルの指針を安定させた後、目盛りの指示値を読
み取るという手順で測定される。ダイヤルゲージの指針
を安定させるために測定プローブ24を揺する際に、接
触子25が測定孔の内壁に残留する塵埃や切粉と摺動す
ることから、接触子25の材料としては耐摩耗性に優れ
た材料であることが要求される。
At the time of initial setting, the grip handle 23 is held by hand, and the measuring probe 24 is pressed and shrunk with a finger, and then gently inserted into the measuring hole of the object M to be measured. In this case, the measurement probe 24 is slightly shaken so as not to be twisted, and the bore gauge 21 is shaken.
After stabilizing the dial pointer, reading is made by reading the indicated value on the scale. When the measurement probe 24 is shaken to stabilize the dial gauge pointer, the contact 25 slides on dust and chips remaining on the inner wall of the measurement hole. It is required to be an excellent material.

【0004】従来ボアゲージの接触子には、工具鋼(J
IS SKS31等)を熱処理してHRC55〜65に硬
化したもの、或いは鋼に硬質クロム鉄金を施したもの等
が用いられている。また特殊品としてHv1400〜1
800の硬度を有する超硬合金のチップをかしめ留めし
たものが用いられてきた。
Conventional bore gauge contacts include tool steel (J
Those cured H RC 55 to 65 by heat-treating IS SKS31 etc.), or the like that has been subjected to hard chromium Tetsukin is used in the steel. Hv1400-1 as a special product
Cemented carbide chips having a hardness of 800 have been used.

【0005】しかしながら、上述のような工具鋼を用い
た接触子にあっては耐摩耗性及び耐食性が低く、早期に
損耗或いは腐食し易い。また、超硬合金を用いたもの
は、高硬度であることから耐摩耗性は僅かに改善される
ものの、超硬金型の計測に使用すると凹凸傷や摩耗傷の
発生が避けられず、結果としてボアゲージの信頼性を低
下させる。そのためにマイロメータのアンビルのように
平坦な測定面をより高硬度(Hv2000〜1000
0)のセラミックスやダイヤモンドとする提案がなされ
ている(例えば特開昭63−65064号公報及び実開
平3−52601号公報等)。ところが、ボアゲージの
接触子は曲面であるため、セラミックスやダイヤモンド
を工業生産においてこの曲面形状に研磨加工することは
実質的に不可能であった。そこで、超硬合金製金型の製
造工程では、超硬合金から成る接触子を有する測定プロ
ーブを短時間で損耗しては新品に交換する等、このよう
に手間をかけてしかも大量に測定プローブを消費してき
た。
[0005] However, the contact using the tool steel as described above has low wear resistance and corrosion resistance, and is easily worn or corroded early. Although the wear resistance of cemented carbide alloys is slightly improved due to its high hardness, unevenness and wear scars are inevitable when used in the measurement of cemented carbide dies. As it reduces the reliability of the bore gauge. For this reason, a flat measurement surface such as an anvil of a myrometer has a higher hardness (Hv 2000 to 1000).
No. 0) has been proposed as a ceramic or diamond (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-65064 and Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 3-52601). However, since the contact of the bore gauge has a curved surface, it has been substantially impossible to grind ceramics or diamond into this curved shape in industrial production. Therefore, in the process of manufacturing a cemented carbide mold, the measurement probe having a contact made of cemented carbide is worn out in a short time and then replaced with a new one. Has been consumed.

【0006】一方、ダイヤモンドは超高圧下で安定な炭
素の同素体であるため、天然では最深度の超高圧・高温
下で生成するものと考えられる。人工法でも5GPa以
上の超高圧下で合成されてきた。これに対して、近年メ
タンガス等の炭化水素ガスを原料として、高周波放電等
の手段で原料ガスを分解励起し、1千分の1気圧から数
気圧程度の範囲の気相中でダイヤモンドを合成すること
が可能な方法が開発されている。
On the other hand, since diamond is an allotrope of carbon that is stable under ultrahigh pressure, it is considered that diamond is naturally formed under the ultrahigh pressure and high temperature of the deepest. It has been synthesized under an ultrahigh pressure of 5 GPa or more even by an artificial method. On the other hand, in recent years, using a hydrocarbon gas such as methane gas as a raw material, the raw material gas is decomposed and excited by means of high-frequency discharge or the like, and diamond is synthesized in a gaseous phase in a range of about 1/1000 to several atmospheres. A possible way is being developed.

【0007】そのような方法として例えば、熱CVD法
(特開昭58−91100号公報)、プラズマCVD法
(特開昭58−135117号、特開昭58−1104
94号各公報)、イオンビーム法、レーザCVD法、燃
焼炎法等が知られている。また特開平4−305279
号公報には、CVDダイヤモンド被覆超音波プローブチ
ップが開示されている。このCVDダイヤモンドは成膜
速度が遅く、しかも基板への付着力が強いため、基板か
ら剥してプローブに接着するのに手間がかかるという問
題点があった。或いは特開昭63−281030号公報
及び特開平2−186203号公報には、ダイヤモンド
薄膜をコーティングしたプローブ或いは接触子が開示さ
れている。ここに開示されているCVD法によるダイヤ
モンド成膜は、熱良導性を有する絶縁被覆膜の厚み相当
(5〜10μm)に対しては有効である。しかしなが
ら、本発明のように機械的な耐摩耗性が要求される厚み
50μm以上の比較的厚く且つ安価なダイヤモンド厚膜
の製造に対しては、成膜速度が遅いために工業的に適し
たものとは言い難い。
As such a method, for example, a thermal CVD method (JP-A-58-91100), a plasma CVD method (JP-A-58-135117, JP-A-58-1104)
No. 94 each publication), an ion beam method, a laser CVD method, a combustion flame method and the like are known. Also, JP-A-4-305279
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-209,199 discloses a CVD diamond-coated ultrasonic probe tip. Since this CVD diamond has a low film-forming rate and a strong adhesive force to a substrate, there is a problem that it takes time to peel off the substrate from the substrate and adhere to the probe. Alternatively, a probe or a contact coated with a diamond thin film is disclosed in JP-A-63-281030 and JP-A-2-186203. The diamond film formation by the CVD method disclosed herein is effective for the thickness (5 to 10 μm) of the insulating coating film having good thermal conductivity. However, for the production of a relatively thick and inexpensive diamond thick film having a thickness of 50 μm or more where mechanical wear resistance is required as in the present invention, it is industrially suitable because the film forming speed is low. Hard to say.

【0008】これに対して、燃焼炎によるダイヤモンド
の合成方法(広瀬洋一、近藤紀明第35回応用物理学関
係連合講演会 講演予稿集 p434、1988年、又
は広瀬洋一 稲村伸一「化学と工業」41巻 9号 p
840、1988年、更に特開平1−282193号公
報等参照)は、大気圧近傍下でのダイヤモンド合成方法
である。これらの方法によれば、ラジカルやイオンの濃
度が高いのでダイヤモンドの高速合成が安価に実現され
る。
On the other hand, a diamond synthesis method using a combustion flame (Yoichi Hirose, Noriaki Kondo, Proceedings of the 35th Federation of Applied Physics Related Lectures, p. Vol. 9 p
840, 1988, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-282193) is a diamond synthesis method near atmospheric pressure. According to these methods, high-speed synthesis of diamond is realized at low cost because the concentration of radicals and ions is high.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】これまでにダイヤモン
ドの曲面板を製造する種々の方法が検討されたが、高コ
スト、粗表面性状、小付着力等の点で問題があり、いず
れも計測工具用途には不向きであった。具体的には特開
昭60−141697号公報、特開平1−138110
号公報及び特開平1−138111号公報等には気相法
によるダイヤモンド自立体の作成方法が開示されている
が、これらの方法では自立体となり得る程の厚みのある
ダイヤモンド厚膜の作成に数日〜数週間という長時間を
要するという欠点がある。
Various methods for producing a curved surface plate of diamond have been studied so far, but there are problems in terms of high cost, rough surface properties, small adhesive force, etc. It was not suitable for use. Specifically, JP-A-60-141697, JP-A-1-138110
And Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-138111 disclose methods of forming a diamond self-solid by a gas phase method. However, these methods are not suitable for forming a diamond thick film thick enough to be self-solid. There is a disadvantage that it takes a long time of several days to several weeks.

【0010】更に熱フィラメント法、高周波法、マイク
ロ波法等のように、これらの公報で提示されているCV
D法で作成されるダイヤモンド膜にあっては、基板への
付着力は工具として用いるには弱い一方で、自立体とし
て基板から分離するには強過ぎるという問題がある。そ
のためにこれらの特許では、基板上に作成したダイヤモ
ンド膜を一度冷却した後再度加熱し直す、或いは強酸に
て金属基板を溶融する等、かなりの手間をかけて分離取
得している。従って、上記の公報で開示されている方法
で得られるダイヤモンド曲面板は、ボアゲージの測定プ
ローブに適用するには特に経済性に乏しく、事実上実現
不可能であった。
Further, CVs disclosed in these publications, such as a hot filament method, a high frequency method, a microwave method, etc.
The diamond film formed by the method D has a problem that the adhesion to the substrate is weak for use as a tool, but too strong to separate from the substrate as a self-solid. Therefore, in these patents, the diamond film formed on the substrate is separated and acquired with considerable labor such as cooling once and heating again, or melting the metal substrate with a strong acid. Therefore, the curved diamond plate obtained by the method disclosed in the above-mentioned publication is not particularly economical when applied to a bore gauge measuring probe, and is practically impossible to realize.

【0011】本発明はかかる実情に鑑み、従来の問題を
根本的に解決すべく耐久性・信頼性に優れ、且つ安価な
ボアゲージの測定プローブを実現し得るダイヤモンド厚
膜の製造方法及びこのダイヤモンド厚膜で成る接触子を
有する測定器用プローブを提供することを目的とする。
In view of the above circumstances, the present invention provides a method for manufacturing a diamond thick film which can realize an inexpensive bore gauge measurement probe which is excellent in durability and reliability in order to fundamentally solve the conventional problems, and this diamond thickness. An object of the present invention is to provide a probe for a measuring instrument having a contact made of a membrane.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明によるダイヤモン
ド厚膜の製造方法は、燃焼炎法によってダイヤモンド厚
膜を製造するための方法であって、燃焼炎における外炎
から内炎を分離する工程と、ダイヤモンド厚膜が形成さ
れる凹面を有する基板に対して、前記外炎から分離され
た前記内炎を照射する工程と、前記基板を自然放冷する
ことにより前記基板上に形成されたダイヤモンド厚膜を
自然剥離させる工程と、を備えたことを特徴とする。
A method for producing a diamond thick film according to the present invention is a method for producing a diamond thick film by a combustion flame method, comprising the steps of separating an internal flame from an external flame in a combustion flame. Irradiating the inner flame separated from the outer flame to a substrate having a concave surface on which a diamond thick film is formed, and the thickness of the diamond formed on the substrate by allowing the substrate to cool naturally. And a step of spontaneously removing the film.

【0013】また、本発明によるダイヤモンド厚膜の製
造方法は、燃焼炎法によってダイヤモンド厚膜を製造す
るための方法であって、燃焼炎における外炎から内炎を
分離する工程と、ダイヤモンド厚膜が形成される凹面を
有する基板に対して、前記外炎から分離された前記内炎
を照射する工程と、前記基板及び前記内炎に対してフロ
ンガスのプラズマを照射する工程と、前記基板を自然放
冷することにより前記基板上に形成されたダイヤモンド
厚膜を自然剥離させる工程と、を備えたことを特徴とす
る。
The method for producing a diamond thick film according to the present invention is a method for producing a diamond thick film by a combustion flame method, comprising the steps of separating an internal flame from an external flame in a combustion flame; Irradiating the inner flame separated from the outer flame to a substrate having a concave surface on which is formed, irradiating the substrate and the inner flame with a plasma of Freon gas; Allowing the diamond thick film formed on the substrate to peel off naturally by allowing it to cool.

【0014】また、本発明によるダイヤモンド厚膜の製
造方法において、前記基板の凹面は、形成すべきダイヤ
モンド厚膜の表面形状に対して雌型となるように成形さ
れていることを特徴とする。
Further, in the method for manufacturing a diamond thick film according to the present invention, the concave surface of the substrate is formed so as to be a female mold with respect to the surface shape of the diamond thick film to be formed.

【0015】また、本発明によるダイヤモンド厚膜の製
造方法において、前記基板は、モリブデン、シリコン、
タングステン、鉄、ニッケル、銅、タンタル、クロム、
チタン、黒鉛、炭化タングステン、窒化チタン、炭化チ
タン、炭化珪素、アルミナ、サイアロン、サーメット或
いはこれらの混合物又は化合物により形成されることを
特徴とする。
In the method for producing a diamond thick film according to the present invention, the substrate may be made of molybdenum, silicon,
Tungsten, iron, nickel, copper, tantalum, chrome,
It is formed of titanium, graphite, tungsten carbide, titanium nitride, titanium carbide, silicon carbide, alumina, sialon, cermet, or a mixture or compound thereof.

【0016】また、本発明によるダイヤモンド厚膜の製
造方法において、前記ダイヤモンド厚膜が形成される凹
面を有する前記基板表面に、ダイヤモンド成膜を阻害す
る不純物をコーティングすることを特徴とする。また、
本発明によるダイヤモンド厚膜の製造方法において、前
記不純物が有機化合物又は、有機化合物と顔料の混合物
であることを特徴とする。また、本発明によるダイヤモ
ンド厚膜の製造方法において、前記有機化合物がシリコ
ーングリス、グリセリン又はベンゼンであり、前記有機
化合物と前記顔料の混合物がマジックインキ、塗料、バ
ター、ロース、ファット、機械油、重油又は灯油である
ことを特徴とする。
Further, in the method of manufacturing a diamond thick film according to the present invention, the substrate surface having the concave surface on which the diamond thick film is formed is coated with an impurity which inhibits diamond film formation. Also,
In the method for producing a thick diamond film according to the present invention, the impurity is an organic compound or a mixture of an organic compound and a pigment. Further, in the method for producing a diamond thick film according to the present invention, the organic compound is silicone grease, glycerin or benzene, and the mixture of the organic compound and the pigment is magic ink, paint, butter, loin, fat, machine oil, heavy oil. Or kerosene.

【0017】また、本発明による測定器用プローブは、
前記いずれかの方法により製造されたダイヤモンド厚膜
で成る接触子を有するものである。
Further, the probe for a measuring instrument according to the present invention comprises:
According to another aspect of the present invention, there is provided a contact having a diamond thick film manufactured by any of the above methods.

【0018】本発明によれば、特に半球状の接触子を有
するボアゲージの測定プローブにおいて、接触子の被測
定物体への接触部分が好適には厚み10μm以上2mm
以下であるダイヤモンド曲面板から成るボアゲージの測
定プローブを得る。このダイヤモンド曲面板は、接触子
の球面に対して雌型となるような凹面を有する基板上
に、外炎を分離した内炎からなる燃焼炎法にて作成され
るダイヤモンド厚膜で成る。燃焼炎法で作成されたダイ
ヤモンド厚膜の曲面板は、燃焼炎法にて作成後、基板を
室温に自然法冷することにより自然剥離させて得られ、
且つ該基板を2個目以降のダイヤモンド厚膜の曲面板の
製造に多数回再利用することができる。
According to the present invention, in particular, in a bore gauge measuring probe having a hemispherical contact, the contact portion of the contact with the object to be measured is preferably 10 μm or more and 2 mm in thickness.
The following measurement probe of a bore gauge made of a diamond curved plate is obtained. The diamond curved surface plate is formed of a diamond thick film formed on a substrate having a concave surface which becomes a female type with respect to the spherical surface of the contactor by a combustion flame method including an internal flame in which an external flame is separated. The curved plate of the diamond thick film created by the combustion flame method is obtained by spontaneously exfoliating the substrate by cooling it naturally to room temperature after it is made by the combustion flame method.
In addition, the substrate can be reused many times in the manufacture of the second and subsequent diamond thick film curved plates.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明によ
るダイヤモンド厚膜の製造方法及びこのダイヤモンド厚
膜で成る接触子を有する測定器用プローブの好適な実施
の形態を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a method for manufacturing a diamond thick film according to the present invention and a measuring instrument probe having a contact made of the diamond thick film according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】この実施形態において、既に説明したボア
ゲージの測定プローブの接触子(図4参照)を形成する
ために本発明方法を適用するものとする。即ちここで
は、図1のように測定プローブ2の外周部に接触子1を
取り付けるが、本発明方法によって製造されたダイヤモ
ンド厚膜をこの接触子1として使用する。
In this embodiment, it is assumed that the method of the present invention is applied to form the contact (see FIG. 4) of the bore gauge measuring probe described above. That is, here, the contact 1 is attached to the outer peripheral portion of the measurement probe 2 as shown in FIG. 1, and the diamond thick film manufactured by the method of the present invention is used as the contact 1.

【0021】本発明方法は、燃焼炎法によってダイヤモ
ンド厚膜を製造するが、その主要工程として燃焼炎にお
ける外炎から内炎を分離する工程と、ダイヤモンド厚膜
が形成される凹面を有する基板に対して、前記外炎から
分離された前記内炎を照射する工程と、前記基板を自然
放冷することにより前記基板上に形成されたダイヤモン
ド厚膜を自然剥離させる工程と、を備えている。
According to the method of the present invention, a diamond thick film is produced by a combustion flame method. The main steps are a step of separating an internal flame from an external flame in a combustion flame, and a method of forming a diamond thick film on a substrate having a concave surface. On the other hand, the method includes a step of irradiating the inner flame separated from the outer flame, and a step of spontaneously removing the diamond thick film formed on the substrate by allowing the substrate to cool naturally.

【0022】本発明の対象とするダイヤモンド厚膜は、
ボアゲージの測定プローブ2の被測定物体に対する接触
部分となるために曲面からなっている。このダイヤモン
ド厚膜の差し渡し直径は0.99mm以上50cm以
下、また曲面の曲率半径は0.99mm以上10m以
下、厚みは10μm以上2mm以下であり、好適には5
0μm以上1mm以下が望ましい範囲である。ダイヤモ
ンド厚膜の膜厚が1μm未満であると、連続したダイヤ
モンド膜とならず、1mm超であるといたずらに経済性
の悪化を招くためである。
The diamond thick film that is the object of the present invention is:
The bore gauge measurement probe 2 has a curved surface so as to be in contact with the object to be measured. The diameter of the diamond thick film is 0.99 mm or more and 50 cm or less, the radius of curvature of the curved surface is 0.99 mm or more and 10 m or less, and the thickness is 10 μm or more and 2 mm or less.
A preferable range is 0 μm or more and 1 mm or less. When the thickness of the diamond thick film is less than 1 μm, the diamond film does not become a continuous diamond film, and when it exceeds 1 mm, the economical efficiency is unnecessarily deteriorated.

【0023】本発明方法では、上述のように燃焼炎法を
使用する。例えば熱CVD法によるダイヤモンド厚膜の
成膜速度が0.数μm/hであるのに対して、燃焼炎法
での成膜速度は数十〜数百μm/hと百倍以上である。
この例のようにボアゲージの測定プローブ2の如き廉価
な用途に対してはダイヤモンド厚膜の作成には燃焼炎法
が最適である。
In the method of the present invention, the combustion flame method is used as described above. For example, the deposition rate of a diamond thick film by thermal CVD is 0. In contrast to several μm / h, the film formation rate by the combustion flame method is several tens to several hundred μm / h, which is 100 times or more.
For inexpensive applications such as the bore gauge measuring probe 2 as in this example, the combustion flame method is most suitable for forming a diamond thick film.

【0024】ここで、ダイヤモンド厚膜を合成するため
の燃焼炎は、外炎から分離した内炎を用いると(特開平
2−196094号公報参照)、燃焼反応が安定するの
で同一規格のダイヤモンド厚膜を再現性良く量産するこ
とができる。更に、アセチレンと比較して燃焼速度の遅
い水素ガスで調質した平坦炎を用いることも炎を安定さ
せるために有効である(combustion and flame,vol 9,
no.3 & 4, p239, 1992年参照)。成膜速度を更に向上さ
せるためには、内炎流を乱して常に活性な化学種を基板
表面に接触せしめること(特開平6−009293号公
報)、或いは成膜雰囲気の圧力を0.1気圧〜20気圧
の範囲にすることが有効である。
Here, when the internal flame separated from the external flame is used as the combustion flame for synthesizing the diamond thick film (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-19694), the combustion reaction is stabilized, so that the diamond flame of the same standard is used. The film can be mass-produced with good reproducibility. It is also effective to stabilize the flame by using a flat flame conditioned with hydrogen gas whose burning rate is lower than that of acetylene (combustion and flame, vol 9,
no.3 & 4, p239, 1992). In order to further improve the film forming speed, the inner flame flow is disturbed to always bring the active species into contact with the substrate surface (Japanese Patent Laid-Open No. 6-002933), or the pressure of the film forming atmosphere is reduced to 0.1. It is effective to set the pressure in a range from atmospheric pressure to 20 atmospheric pressure.

【0025】ところで、ダイヤモンド成長表面では水素
が表面炭素原子の結合手を終端させている。この終端水
素は、内炎中の活性な水素原子に引き抜かれ、このとき
に空いた結合手に内炎中の炭素が結合することを繰り返
しながらダイヤモンドが成長する。ここに、フッ素、塩
素、臭素、沃素のようなハロゲンが適量存在すると終端
水素の引き抜き反応が促進されて、低基板温度でより高
速でダイヤモンドが成長する。このため、これらのハロ
ゲン原子を含むガスを内炎に添加することも高速合成に
有効である。
On the diamond growth surface, hydrogen terminates the bond of the surface carbon atom. The terminal hydrogen is extracted by active hydrogen atoms in the inner flame, and diamond grows while repeating the bonding of carbon in the inner flame to vacant bonds at this time. Here, if an appropriate amount of halogen such as fluorine, chlorine, bromine, and iodine is present, the terminal hydrogen extraction reaction is promoted, and diamond grows at a lower substrate temperature at a higher speed. Therefore, adding a gas containing these halogen atoms to the internal flame is also effective for high-speed synthesis.

【0026】例えば特開平2−208291号公報によ
れば、燃料ガスにハロゲンガスを添加すると火炎の温度
とCラジカルの濃度が上昇して、燃焼炎によるダイヤモ
ンドの成膜速度が向上すると開示されている。この方法
では添加されるハロゲンガスがバーナー内部を腐食して
ダイヤモンド厚膜が形成できる程長時間の火炎照射が持
続不可能であり、且つハロゲン添加の効果は火炎中のガ
ス同士の反応の寄与にあるとしている。実際にはダイヤ
モンド成長面での水素の引き抜き反応の促進にある。本
発明者はこれらの事実を踏まえて鋭意研究を行った結
果、ハロゲン原子は反応性の低い化合物の形態で与え、
燃焼炎近傍で該化合物を分解してハロゲン原子を基板表
面に拡散させる方法が有効であることを新たに見い出し
た。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-208291 discloses that addition of a halogen gas to a fuel gas increases the temperature of the flame and the concentration of C radicals, thereby improving the diamond film formation speed by the combustion flame. I have. In this method, flame irradiation cannot be sustained for a long time so that the added halogen gas corrodes the inside of the burner and a diamond thick film can be formed, and the effect of the halogen addition is to contribute to the reaction between gases in the flame. There is. In fact, it is to promote the hydrogen extraction reaction on the diamond growth surface. The present inventors have conducted intensive studies based on these facts, and as a result, the halogen atom is given in the form of a less reactive compound,
It has been newly found that a method of decomposing the compound in the vicinity of the combustion flame to diffuse halogen atoms to the substrate surface is effective.

【0027】また、本発明方法において、ダイヤモンド
厚膜が形成される凹面を有する基板に対して、外炎から
分離された内炎を照射する。ところで、現在広く使用さ
れているボアゲージの測定プローブの被測定物に対する
接触部分の曲率半径は、数mmから数cmの曲面であ
る。このような曲面を有するダイヤモンドを得るには、
測定プローブの凸面(雄型)に対して雌型となる凹面を
有する基板上に燃焼炎法にてダイヤモンド厚膜を作成す
る。
In the method of the present invention, a substrate having a concave surface on which a diamond thick film is formed is irradiated with an internal flame separated from an external flame. The radius of curvature of a contact portion of a bore gauge measurement probe, which is currently widely used, with an object to be measured is a curved surface of several mm to several cm. To obtain a diamond with such a curved surface,
A thick diamond film is formed by a combustion flame method on a substrate having a concave surface which becomes a female type with respect to a convex surface (male type) of a measurement probe.

【0028】この凹面を有する基板材料としては、モリ
ブデン、シリコン、タングステン、鉄、ニッケル、銅、
タンタル、クロム、チタン、黒鉛、炭化タングステン、
窒化チタン、炭化チタン、炭化珪素、アルミナ、サイア
ロン、サーメット及びそれらの混合物又は化合物等が用
いられる。
As the substrate material having the concave surface, molybdenum, silicon, tungsten, iron, nickel, copper,
Tantalum, chromium, titanium, graphite, tungsten carbide,
Titanium nitride, titanium carbide, silicon carbide, alumina, sialon, cermet, and mixtures or compounds thereof are used.

【0029】本発明者は鋭意研究を行った結果、燃焼炎
法によって基板上に作成したダイヤモンド厚膜は、その
裏面(基板との境界面側)が基板の微小な形状までも良
く転写する。基板が鏡面であればダイヤモンド厚膜の裏
面も鏡面になることを見い出した。
As a result of the inventor's diligent research, the diamond thick film formed on the substrate by the combustion flame method transfers the back surface (boundary surface side with the substrate) even to the minute shape of the substrate. It has been found that if the substrate is a mirror surface, the back surface of the diamond thick film is also a mirror surface.

【0030】更に、本発明方法において、基板を自然放
冷することにより基板上に形成されたダイヤモンド厚膜
を自然剥離させる。これは、基板上に生成されたダイヤ
モンド厚膜は、燃焼炎にて成膜後室温に冷却されると基
板材料との熱膨張率の差異から容易に剥離するほど基板
に対する付着力が弱いこと、そのために同一の基板を用
いて何回でもダイヤモンド厚膜を製作することが可能で
あることを見い出し、本発明を完成した。ダイヤモンド
の線熱膨張率αは約2.3×10-6であり、上述した基
板材料の熱膨張率(3.3×10-6〜33×10-6)よ
りも小さい。また、予め基板表面に、ダイヤモンド成膜
を阻害する不純物を0.1μm〜数十μm厚程度コーテ
ィングしておくと、作成後のダイヤモンド厚膜の剥離が
より容易になる。この不純物としては、例えばシリコー
ングリス、グリセリン、ベンゼン等の有機化合物、有機
化合物と顔料の混合物であるマジックインキ、塗料、そ
の他バター、ロース、ファット、機械油、重油、灯油等
が具体的に挙げられる。
Further, in the method of the present invention, the diamond thick film formed on the substrate is spontaneously peeled off by allowing the substrate to cool naturally. This is because, when the diamond thick film formed on the substrate is cooled to room temperature after being formed by the combustion flame, the adhesive force to the substrate is weak enough to easily peel off from the difference in thermal expansion coefficient with the substrate material, Therefore, they have found that it is possible to produce a diamond thick film any number of times using the same substrate, and have completed the present invention. The coefficient of linear thermal expansion α of diamond is about 2.3 × 10 −6 , which is smaller than the coefficient of thermal expansion of the substrate material described above (3.3 × 10 −6 to 33 × 10 −6 ). In addition, if the substrate surface is coated in advance with an impurity that inhibits diamond film formation to a thickness of about 0.1 μm to several tens μm, peeling of the formed diamond thick film becomes easier. Specific examples of the impurities include organic compounds such as silicone grease, glycerin, and benzene, magic inks that are mixtures of organic compounds and pigments, paints, butter, loin, fat, machine oil, heavy oil, kerosene, and the like. .

【0031】上記工程によって作成されたダイヤモンド
厚膜は成膜時の裏面を表側として、図1に示すようにボ
アゲージの測定プローブ2に装着して使用される。この
装着方法は、かしめ留め、ネジ留め、爪留め、そして鏡
面同士の分子間力接着等のように物理的に固定する方法
や測定プローブ本体とダイヤモンド厚膜との間に中間物
質を介在させて固定する方法がある。
The diamond thick film formed by the above process is used by being attached to a measurement probe 2 of a bore gauge as shown in FIG. This mounting method is a method of physically fixing, such as caulking, screwing, nailing, and intermolecular adhesion between mirror surfaces, or by interposing an intermediate substance between the measurement probe main body and the diamond thick film. There is a way to fix.

【0032】後者の方法における中間物質としてはろ
う、合金ろう、半田、無機接着剤、有機接着剤等が挙げ
られる。合金ろうは、現在公知のあらゆる種類のものが
適用可能であり、なかでも特に高融点ろう付け合金が望
ましい。例えば、TiCuシル(Ti 4.5%、Cu
26.7%、残りAg、融点840〜850℃)を不
活性雰囲気で使用すれば良好なろう付け合金となる。米
国特許第4414178号公報で公開されているPa3
0%、Cr 10%、B3%、残りのNiの合金は、9
80〜1100℃の範囲で良好にろう付けできる。ま
た、米国特許第4527998号公報で公開されている
Au 20%、Ni 10%、Pa 5%Mn 8%、
残りCuの合金組成物は、90〜1000℃の広い温度
範囲で液相線を持っているので使用できる。
Examples of the intermediate material in the latter method include a brazing alloy, a brazing alloy, a solder, an inorganic adhesive, an organic adhesive and the like. As the brazing alloy, any of the currently known brazing alloys can be applied, and among them, a high melting point brazing alloy is particularly desirable. For example, TiCu sill (4.5% Ti, Cu
(26.7%, the remaining Ag, melting point 840-850 ° C.) in an inert atmosphere results in a good brazing alloy. Pa3 published in U.S. Pat. No. 4,414,178
0%, Cr 10%, B 3%, the remaining Ni alloy is 9
Brazing can be performed well in the range of 80 to 1100 ° C. Also, Au 20%, Ni 10%, Pa 5% Mn 8%, which are disclosed in U.S. Pat. No. 4,527,998,
The remaining Cu alloy composition can be used because it has a liquidus in a wide temperature range of 90 to 1000 ° C.

【0033】従来のボアゲージ21の測定プローブ24
の中でも硬度が最も高い超硬接触子の硬度がHv180
0であるのに対して、このダイヤモンド厚膜の曲板が接
着された接触子1の硬度はHv10000となる。更
に、該ダイヤモンド曲板の表面は平滑鏡面である。この
ボアゲージを用いて超硬合金製の金型の測定を行ったと
ころ、接触子の摩耗・損傷は生せず、一方金型を傷つけ
ることもなく、正確な計測を繰り返し行い得た。
Measuring probe 24 of conventional bore gauge 21
Among them, the hardness of the carbide contact having the highest hardness is Hv180.
On the other hand, the hardness of the contact 1 to which the curved plate of the diamond thick film is bonded is Hv10000. Further, the surface of the curved diamond plate is a smooth mirror surface. When a mold made of cemented carbide was measured using this bore gauge, the wear and damage of the contact did not occur, and on the other hand, accurate measurement could be repeated without damaging the mold.

【0034】[0034]

【実施例】次に、本発明方法の具体的な実施例を説明す
る。 (実施例1)図2は実施例1に係るダイヤモンド厚膜の
製造装置の概略構成を示している。図において、基板1
1には、大きさ20mm×20mm、厚み5mmのモリ
ブデン板を用いた。このモリブデン板の中心に、半径2
mmの球が深さ0.8mm陥没するのに相当する窪みを
加工成形し、表面を鏡面に仕上げた。この基板2枚をそ
れぞれ、図2に示すガス溶接器13を2台有する装置内
の水冷箱12に銀ペーストにて接着した。火口径1mm
の2台のガス溶接器13にそれぞれアセチレンガス2.
5リットル/min、酸素ガス2.0リットル/min
の予混合ガスを供給点火し、発生した内炎14をモリブ
デン基板11の中心に接触させた。なお外炎15は装置
外部に排出される。
Next, specific examples of the method of the present invention will be described. (Embodiment 1) FIG. 2 shows a schematic configuration of an apparatus for manufacturing a diamond thick film according to Embodiment 1. In the figure, a substrate 1
For 1, a molybdenum plate having a size of 20 mm × 20 mm and a thickness of 5 mm was used. At the center of this molybdenum plate, a radius of 2
A depression corresponding to a 0.8 mm depth of a 0.8 mm sphere was processed and formed, and the surface was mirror-finished. Each of the two substrates was bonded with a silver paste to a water cooling box 12 in an apparatus having two gas welders 13 shown in FIG. Tinder diameter 1mm
Acetylene gas in each of the two gas welders 13.
5 liter / min, oxygen gas 2.0 liter / min
Was supplied and ignited, and the generated internal flame 14 was brought into contact with the center of the molybdenum substrate 11. The outer flame 15 is discharged outside the apparatus.

【0035】基板表面温度を800〜1000℃に保ち
ながら、大気圧下にて内炎14を照射し続け、0.2m
m厚さの合成ダイヤモンド層が作成された。5時間後に
内炎14の照射を終了し自然放冷させた。その結果、そ
れぞれの基板11の窪みを中心に直径3.5nmのダイ
ヤモンド凹状厚膜が生成し、この辺縁部を紙片にて軽く
押すとモリブデン基板より剥離し、ダイヤモンド厚膜の
自立体が2枚同時に得られた。
While maintaining the substrate surface temperature at 800 to 1000 ° C., the inner flame 14 is continuously irradiated under atmospheric pressure,
An m-thick synthetic diamond layer was created. Five hours later, the irradiation of the internal flame 14 was terminated, and the mixture was allowed to cool naturally. As a result, a diamond concave thick film having a diameter of 3.5 nm is formed around the depression of each substrate 11, and when this peripheral portion is gently pressed with a piece of paper, it is peeled off from the molybdenum substrate, and two autostereoscopic diamond thick films are formed. Obtained at the same time.

【0036】この厚膜の周縁部0.3mmを除去して得
られたダイヤモンド厚膜の曲面板(直径2.9mm、曲
率半径2mm、厚み0.2mm)を、図1に示すように
凸面が表になるようにしてボアゲージの測定プローブ2
にTiCuシルろう付けにて装着した。このボアゲージ
を用いて超硬合金製の金型の測定を行ったところ、接触
子の摩耗・損傷は生ぜず、一方金型を傷つけることもな
く、正確な計測を繰り返し行えた。
A curved plate (diameter: 2.9 mm, radius of curvature: 2 mm, thickness: 0.2 mm) of a diamond thick film obtained by removing the peripheral edge portion of 0.3 mm from the thick film has a convex surface as shown in FIG. Bore gauge measurement probe 2
Was mounted by TiCu-sil brazing. When a mold made of cemented carbide was measured using this bore gauge, the wear and damage of the contact did not occur, and on the other hand, accurate measurement could be repeated without damaging the mold.

【0037】(実施例2)図3は実施例2に係るダイヤ
モンド厚膜の製造装置の概略構成を示している。図にお
いて、基板11には、大きさ20mm×20mm、厚み
5mmの炭化珪素板を用いた。この炭化珪素板の中心
に、半径1.5mmの球が深さ0.6mm陥没するのに
相当する窪みを加工成形し、表面を鏡面に仕上げた。こ
の基板11を、図3に示す装置内の水冷箱12に銀ペー
ストにて接着した。火口径1mmのガス溶接器13にア
セチレンガス2.8リットル/min、酸素ガス2.3
リットル/minの予混合ガスを供給点火し、発生した
内炎14を炭化珪素基板の中心に接触させた。なお外炎
15はバルブ18を介して装置外部に排出される。
(Embodiment 2) FIG. 3 shows a schematic configuration of an apparatus for manufacturing a diamond thick film according to Embodiment 2. In the figure, a silicon carbide plate having a size of 20 mm × 20 mm and a thickness of 5 mm was used for substrate 11. At the center of the silicon carbide plate, a dent corresponding to a sphere having a radius of 1.5 mm and a depth of 0.6 mm was formed by working, and the surface was mirror-finished. This substrate 11 was bonded to a water cooling box 12 in the apparatus shown in FIG. 3 with a silver paste. Acetylene gas 2.8 liter / min, oxygen gas 2.3
The premixed gas at 1 liter / min was supplied and ignited, and the generated internal flame 14 was brought into contact with the center of the silicon carbide substrate. The external flame 15 is discharged to the outside of the apparatus via the valve 18.

【0038】更に、内炎14及び基板11に対して図3
に示すように、フロンプラズマ供給管16より水平方向
からヘリウムガスをキャリアとするフロンガス(CF
4)のプラズマを同時に照射した。フロンプラズマ供給
管16の周囲に高周波コイルを巻回し、電源17(50
kHz,1.5kV)によって高周波を印加するものと
する。この場合、基板11の表面温度を900℃に保ち
ながら2気圧下にて内炎14及びフロンプラズマを照射
し続け、50μm厚さの合成ダイヤモンド層が作成され
た。1時間後に内炎14の照射を終了し自然放冷させ
た。その結果、基板窪みを中心に直径2.4mmのダイ
ヤモンド凹板が生成し、この辺縁部を紙片にて軽く押す
とダイヤモンド凹板は炭化珪素基板より剥離し、ダイヤ
モンド厚膜の自立体が得られた。
Further, the inner flame 14 and the substrate 11 are shown in FIG.
As shown in FIG. 2, a chlorofluorocarbon gas (CF) using helium gas as a carrier from the fluorocarbon plasma supply pipe 16 in the horizontal direction
The plasma of 4) was simultaneously irradiated. A high-frequency coil is wound around the Freon plasma supply pipe 16 and a power supply 17 (50
(kHz, 1.5 kV). In this case, while maintaining the surface temperature of the substrate 11 at 900 ° C., irradiation with the internal flame 14 and Freon plasma was continued at 2 atm, and a synthetic diamond layer having a thickness of 50 μm was formed. One hour later, the irradiation of the internal flame 14 was terminated, and the mixture was allowed to cool naturally. As a result, a diamond concave plate having a diameter of 2.4 mm is formed around the substrate depression, and when this peripheral portion is gently pressed with a piece of paper, the diamond concave plate is peeled off from the silicon carbide substrate, and a self-stereoscopic thick diamond film is obtained. Was.

【0039】以上の操作を2回行い、これらの厚膜の周
縁部0.2mmを除去して得られたダイヤモンド厚膜の
曲面板(直径2.0mm、曲率半径1.5mm、厚み5
0μm)の2枚を、図1に示すように凸面が表になるよ
うにしてボアゲージの測定プローブ2に、有機接着剤を
中間層とする方法で装着した。このボアゲージを用いて
超硬合金製の金型の測定を行ったところ、接触子の摩耗
・損傷は生ぜず、一方金型を傷つけることもなく、正確
な計測を繰り返し行えた。
The above operation was performed twice to remove a 0.2 mm peripheral portion of these thick films, thereby obtaining a diamond thick film curved plate (diameter 2.0 mm, radius of curvature 1.5 mm, thickness 5 mm).
0 μm) were mounted on the measurement probe 2 of the bore gauge in such a manner that the organic adhesive was used as the intermediate layer, with the convex surface facing up as shown in FIG. When a mold made of cemented carbide was measured using this bore gauge, the wear and damage of the contact did not occur, and on the other hand, accurate measurement could be repeated without damaging the mold.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ダ
イヤモンド厚膜で成る曲面板を短時間で簡単に製作でき
るようになった。これにより、ダイヤモンド曲面板が高
速で作成されるのに加えて、凹曲面基板からダイヤモン
ド板を取り外すのに基板を酸で溶かし去ったり、力を加
えてダイヤモンド板を剥がしたりする手間がなくなる。
更に、取り外した該ダイヤモンド曲板の表面は鏡面にな
っているため、別個に研磨する必要がない。従って、曲
面からなるボアゲージの測定プローブに接着可能なダイ
ヤモンド曲面板を、極めて安価に製造することができる
等の利点を有している。
As described above, according to the present invention, a curved plate made of a thick diamond film can be easily manufactured in a short time. Accordingly, in addition to the diamond curved plate being formed at a high speed, there is no need to dissolve the substrate with an acid or to remove the diamond plate by applying force to remove the diamond plate from the concave curved substrate.
Furthermore, since the surface of the removed diamond curved plate is a mirror surface, it is not necessary to separately polish the surface. Accordingly, there is an advantage that a diamond curved plate that can be bonded to a curved bore gauge measurement probe can be manufactured at extremely low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るボアゲージ測定用プローブの先端
部の概略図である。
FIG. 1 is a schematic view of a tip portion of a probe for bore gauge measurement according to the present invention.

【図2】本発明における第1の実施例で使用するダイヤ
モンド合成装置の概略構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a diamond synthesizing apparatus used in a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明における第2の実施例で使用するダイヤ
モンド合成装置の概略構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a diamond synthesizing apparatus used in a second embodiment of the present invention.

【図4】ボアゲージの構成を示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing a configuration of a bore gauge.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 接触子 2 ボアゲージ測定プローブ 11 基板 12 水冷箱 13 ガス溶接器 14 内炎 15 外炎 16 フロンプラズマ供給管 17 交流電源 18 バルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Contact 2 Bore gauge measurement probe 11 Substrate 12 Water cooling box 13 Gas welder 14 Inner flame 15 Outer flame 16 Freon plasma supply pipe 17 AC power supply 18 Valve

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 燃焼炎法によってダイヤモンド厚膜を製
造するための方法であって、 燃焼炎における外炎から内炎を分離する工程と、 ダイヤモンド厚膜が形成される凹面を有する基板に対し
て、前記外炎から分離された前記内炎を照射する工程
と、 前記基板を自然放冷することにより前記基板上に形成さ
れたダイヤモンド厚膜を自然剥離させる工程と、を備え
たことを特徴とするダイヤモンド厚膜の製造方法。
1. A method for producing a diamond thick film by a combustion flame method, comprising the steps of: separating an internal flame from an external flame in a combustion flame; Irradiating the inner flame separated from the outer flame, and naturally spontaneously exfoliating the diamond thick film formed on the substrate by naturally cooling the substrate. Method for producing a thick diamond film.
【請求項2】 燃焼炎法によってダイヤモンド厚膜を製
造するための方法であって、 燃焼炎における外炎から内炎を分離する工程と、 ダイヤモンド厚膜が形成される凹面を有する基板に対し
て、前記外炎から分離された前記内炎を照射する工程
と、 前記基板及び前記内炎に対してフロンガスのプラズマを
照射する工程と、 前記基板を自然放冷することにより前記基板上に形成さ
れたダイヤモンド厚膜を自然剥離させる工程と、を備え
たことを特徴とするダイヤモンド厚膜の製造方法。
2. A method for producing a thick diamond film by a combustion flame method, comprising the steps of: separating an inner flame from an outer flame in a combustion flame; Irradiating the inner flame separated from the outer flame; irradiating the substrate and the inner flame with a plasma of Freon gas; and forming the substrate on the substrate by allowing the substrate to cool naturally. And a step of spontaneously removing the diamond thick film.
【請求項3】 前記基板の凹面は、形成すべきダイヤモ
ンド厚膜の表面形状に対して雌型となるように成形され
ていることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤ
モンド厚膜の製造方法。
3. The diamond thick film according to claim 1, wherein the concave surface of the substrate is formed to have a female shape with respect to the surface shape of the diamond thick film to be formed. Production method.
【請求項4】 前記基板は、モリブデン、シリコン、タ
ングステン、鉄、ニッケル、銅、タンタル、クロム、チ
タン、黒鉛、炭化タングステン、窒化チタン、炭化チタ
ン、炭化珪素、アルミナ、サイアロン、サーメット或い
はこれらの混合物又は化合物により形成されることを特
徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイヤモ
ンド厚膜の製造方法。
4. The substrate is made of molybdenum, silicon, tungsten, iron, nickel, copper, tantalum, chromium, titanium, graphite, tungsten carbide, titanium nitride, titanium carbide, silicon carbide, alumina, sialon, cermet, or a mixture thereof. 4. The method for producing a diamond thick film according to claim 1, wherein the method is formed of a compound. 5.
【請求項5】 前記ダイヤモンド厚膜が形成される凹面
を有する前記基板表面に、ダイヤモンド成膜を阻害する
不純物をコーティングすることを特徴とする請求項1〜
4のいずれか1項に記載のダイヤモンド厚膜の製造方
法。
5. The method according to claim 1, wherein the surface of the substrate having a concave surface on which the diamond thick film is formed is coated with an impurity that inhibits diamond film formation.
5. The method for producing a diamond thick film according to any one of 4.
【請求項6】 前記不純物が有機化合物又は、有機化合
物と顔料の混合物であることを特徴とする請求項5に記
載のダイヤモンド厚膜の製造方法。
6. The method for producing a diamond thick film according to claim 5, wherein the impurity is an organic compound or a mixture of an organic compound and a pigment.
【請求項7】 前記有機化合物がシリコーングリス、グ
リセリン又はベンゼンであり、前記有機化合物と前記顔
料の混合物がマジックインキ、塗料、バター、ロース、
ファット、機械油、重油又は灯油であることを特徴とす
る請求項6に記載のダイヤモンド厚膜の製造方法。
7. The organic compound is silicone grease, glycerin or benzene, and the mixture of the organic compound and the pigment is a magic ink, paint, butter, loin,
7. The method for producing a diamond thick film according to claim 6, wherein the method is fat, machine oil, heavy oil, or kerosene.
【請求項8】 請求項1〜7のいずれか1項に記載の方
法により製造されたダイヤモンド厚膜で成る接触子を有
する測定器用プローブ。
8. A probe for a measuring instrument having a contact made of a diamond thick film manufactured by the method according to claim 1. Description:
JP24135396A 1996-08-23 1996-08-23 Method for producing diamond thick film and probe for measuring instrument having contact made of this diamond thick film Withdrawn JPH1067597A (en)

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