JPH1068829A - 導波路型光デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐熱性、耐湿性、光透過性に優れ、かつ経済
性、汎用性を改善した高分子導波路型光デバイスを提供
する。 【解決手段】 方向性結合器、又はＹ分岐回路を含む導
波路型光デバイスにおいて、該方向性結合器、又はＹ分
岐回路のコア及びクラッドのいずれか、又は両方がフッ
素化ポリイミドにより形成されている導波路型光デバイ
ス。該デバイスは方向性結合器を２個以上組合せて作製
したマッハツェンダー干渉計を含んでいてもよい。ま
た、通電加熱を行うための抵抗体薄膜からなる熱光学位
相シフタを有していてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素化ポリイミ
ドを用いて形成した導波路型光デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムの高度化、経済化に向け
て、様々な光部品の研究開発が進められている。中で
も、光導波路は高密度光配線、導波路型光デバイス実現
への基本技術として注目されている。一般的に、光導波
路材料には、導波路作製の容易性、屈折率の制御性、耐
熱性等様々な条件が要求される。現在、光導波路材料と
しては石英が最もよく利用されており、石英製光導波路
は波長１．３μｍで０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低光損失を
示す。しかしながら、製造プロセスが複雑、大面積化が
困難などの問題点を有し、経済性、汎用性に優れる導波
路型光デバイスを得にくい。一方、高分子光導波路はス
ピンコート法を用いて形成できるため、石英系光導波路
と比較して、作製、及び大面積化が容易である。更に高
分子材料は石英に比べて１０倍以上大きな熱光学（Ｔ
Ｏ）効果（屈折率の温度依存性）を持つ場合が多く、Ｔ
Ｏ効果を利用した導波路型光デバイスへの応用が特に有
望である。例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）は屈折率の温度依存性が、−１．０×１０^-4／℃と
石英の１×１０^-5／℃以下に比べて１０倍以上大きいた
め、ＰＭＭＡ光導波路をマッハツェンダー型ＴＯスイッ
チへ応用した場合には、スイッチング電力は石英系光導
波路に比べて１／１００程度に大きく低減されることが
知られている〔ヒダ（Hida) ほか、ＩＥＥＥ フォトニ
クス テクノロジー レターズ（IEEE Photonics Techn
ology Letters)、第５巻、第７８２頁（１９９３）〕。
しかしながら、ＰＭＭＡは熱変形温度が１００℃程度と
低いため〔井出文雄著、“オプトエレクトロニクスと高
分子”、第２８頁、共立出版（１９９５）〕、動作時の
加熱・冷却の繰り返しによってスイッチング特性が劣化
する。このため、ＰＭＭＡはＴＯ効果を利用した導波路
型光デバイス形成には適さない。また、ＰＭＭＡは吸湿
性も大きく、屈折率が環境湿度によって大きく変化す
る。例えば、光部品の最も基本的な要素である方向性結
合器をＰＭＭＡを用いて形成した場合には、設置環境に
よって出射光の分岐比は大きく変化してしまう。更に
は、ＰＭＭＡは１．５５μｍ帯の吸収が大きいため〔吉
村ら、“平面型ポリマ光波回路”、電子情報通信学会春
期大会予稿集、ＳＣ−８−３，５−３１９（１９９
４）〕、この波長帯での光通信用部品には使用できない
という欠点もある。このように、導波路型光デバイスの
材料としては、耐熱性、耐湿性、長波長での光透過性の
優れた高分子材料が必要となる。

【０００３】耐熱性の優れた高分子材料としてはポリイ
ミドがよく知られており、半導体部品の層間絶縁膜、フ
レキシブル配線基板などに用いられている。しかしなが
ら、この材料は吸湿性が大きいだけでなく、光通信波長
帯である近赤外域（１．３μｍ、１．５５μｍ）の光透
過性に劣る。更に、基板上においては基板面と平行な方
向の偏光（ＴＥ偏光）と基板面に垂直な方向の偏光（Ｔ
Ｍ偏光）で屈折率は異なる。例えば、汎用的に用いられ
ているポリイミドであるカプトン〔デュポン（Dupon)社
製〕においては、屈折率は波長１．３μｍで、ＴＥ偏光
の時１．６７８１、ＴＭ偏光の時１．６０１３である。
このため、光導波路のコアあるいはクラッド材として用
いた場合、ＴＥ偏光とＴＭ偏光で屈折率差は異なり、光
学特性の偏光依存性が生じる。以上のことから、ポリイ
ミドは導波路型光部品の材料として適さない。

【０００４】これまでに本発明者らは、ポリイミドの耐
熱性に着目し、その光学応用を目指して検討を進めてき
た。その結果、フッ素置換基を導入したフッ素化ポリイ
ミドが、近赤外域で透明であること（特開平３−７２５
２８号）、耐湿性に優れていることを明らかにした。更
にこのフッ素化ポリイミドを共重合体として用い共重合
比を制御することにより、容易に屈折率を変えられるこ
とを特開平４−８７３４号公報で明らかにした。また、
このフッ素化ポリイミドを用いた光導波路の形成法を開
発し、これに関しても特開平４−２３５５０５号、同４
−２３５５０６号各公報に示した。しかしながら、これ
までにフッ素化ポリイミドの方向性結合器、あるいはＹ
分岐回路を含む導波路型光デバイスへの適用例は無い。
更に、フッ素化ポリイミドの熱光学効果は未検討である
ため、熱光学効果を利用した適用例もない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性、耐湿性、光透過性に優れる高分子導波路型光デバイ
スを提供し、その結果として導波路型光デバイスの経済
性、汎用性を改善することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明はフッ素化ポリイミドを用いた導波路型光デバイス
に関する発明であって、第１の発明の導波路型光デバイ
スは、コア及びクラッドのいずれか又は両方がフッ素化
ポリイミドにより形成された方向性結合器を含むことを
特徴としている。第２の発明の導波路型光デバイスは、
第１の発明の方向性結合器を２個以上組合せて作製した
マッハツェンダー干渉計を含むことを特徴とする。第３
の発明の導波路型光デバイスは、Ｙ分岐回路を含む導波
路型光デバイスにおいて、該Ｙ分岐回路のコア及びクラ
ッドのいずれか若しくは両方がフッ素化ポリイミドによ
り形成されることを特徴とする。第４の発明の導波路型
光デバイスは、第１〜第３の発明の導波路型光デバイス
が、通電加熱を行うための抵抗体薄膜からなる熱光学位
相シフタを有することを特徴とする。第５の発明の導波
路型光デバイスは、第１〜第４の発明の導波路型光デバ
イスが、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）とジ
アミンから合成したフッ素化ポリイミド、若しくはこれ
と他のポリイミドの共重合体をクラッド、コア材料のい
ずれかあるいは両方に用いて形成することを特徴とす
る。第６の発明の導波路型光デバイスは、第１〜第４の
発明の導波路型光デバイスが、１，４−ビス（３，４−
ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）テトラフルオロ
ベンゼン二無水物（１０ＦＥＤＡ）とジアミンから合成
したフッ素化ポリイミド、若しくはこれと他のポリイミ
ドの共重合体をクラッド、コア材料のいずれかあるいは
両方に用いて形成することを特徴とする。

【０００７】前記の観点から検討を進めた結果、本発明
者らは、フッ素を含有するポリイミドが方向性結合器等
の導波路型光デバイス作製に必要な加工性を有するこ
と、作製したデバイスが波長１．３μｍ及び１．５５μ
ｍの近赤外域で低損失で、耐熱性、耐湿性にも優れるこ
と、屈折率の温度依存性を示す熱光学定数が−３×１０
^-4／℃（図１）で石英やＰＭＭＡよりも大きいことを見
出し本発明を完成するに至った。なお、図１はフッ素化
ポリイミドの熱光学定数を示す図であり、横軸は温度
（℃）、縦軸は屈折率を示す。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。本発明に適用できるクラッド、コア材料について説
明する。導波路型光デバイスが安定した性能を発揮する
ためには、前述したように、１）導波路材料が近赤外
域、特に波長１．５５μｍ付近で透明であること、２）
クラッド、コア材料が低吸湿で屈折率の環境湿度依存性
が小さいこと、が望まれる。更に、熱光学効果を利用し
た導波路型光デバイスの場合には、クラッド、コア材料
の熱光学定数と耐熱性もまた重要となる。第１〜第４の
発明においては、フッ素化テトラカルボン酸又はその誘
導体とジアミンから製造したフッ素化ポリイミド、テト
ラカルボン酸又はその誘導体とフッ素化ジアミンから製
造したフッ素化ポリイミド、あるいはフッ素化テトラカ
ルボン酸又はその誘導体とフッ素化ジアミンから製造し
たフッ素化ポリイミド、を用いることができる。これら
のフッ素化ポリイミドは、単体だけではなく、フッ素化
ポリイミド共重合体、フッ素化ポリイミド混合物、及び
これらに必要に応じて添加材等を添加したものなどを用
いることができる。

【０００９】テトラカルボン酸あるいはフッ素化テトラ
カルボン酸並びにこれらの誘導体としての酸無水物、酸
塩化物、エステル化物等としては次のようなものが挙げ
られる。ここではテトラカルボン酸あるいはフッ素化テ
トラカルボン酸としての例を挙げる。（トリフルオロメ
チル）ピロメリット酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロ
メリット酸、ジ（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリッ
ト酸、ペンタフルオロエチルピロメリット酸、ビス
｛３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロ
メリット酸、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸、３，３’，４，４’−テトラカルボキシジフ
ェニルエーテル、２，３，３’，４’−テトラカルボキ
シジフェニルエーテル、３，３’，４，４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸、２，３，６，７−テトラカル
ボキシナフタレン、１，４，５，７−テトラカルボキシ
ナフタレン、１，４，５，６−テトラカルボキシナフタ
レン、３，３’，４，４’−テトラカルボキシジフェニ
ルメタン、３，３’，４，４’−テトラカルボキシジフ
ェニルスルホン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、５，５’−ビ
ス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−テト
ラカルボキシビフェニル、２，２’，５，５’−テトラ
キス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−テ
トラカルボキシビフェニル、５，５’−ビス（トリフル
オロメチル）−３，３’，４，４’−テトラカルボキシ
ジフェニルエーテル、５，５’−ビス（トリフルオロメ
チル）−３，３’，４，４’−テトラカルボキシベンゾ
フェノン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ｝ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロ
メチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキ
シフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、
２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、２，２−ビス｛４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカ
ルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオ
ロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ジメチルシラン、１，３−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ）オクタフルオロビフェニルなどである。

【００１０】ジアミンあるいはフッ素化ジアミンとして
は、例えば次のものが挙げられる。ｍ−フェニレンジア
ミン、２，４−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノキ
シレン、２，４−ジアミノデュレン、４−（１Ｈ，１
Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオロウンデカノキシ）−１，
３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ブタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４
−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロ−１−オクタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−ペンタフルオロフェノキシ−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（２，３，５，６−テトラフルオロフェ
ノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（４−フル
オロフェノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ヘキサ
ノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１
Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ドデカノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、ｐ−フェニレンジアミン、
２，５−ジアミノトルエン、２，３，５，６−テトラメ
チル−ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノベン
ゾトリフルオライド、ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニレンジアミン、ジアミノテトラ（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ジアミノ（ペンタフルオロエチル）ベン
ゼン、２，５−ジアミノ（パーフルオロヘキシル）ベン
ゼン、２，５−ジアミノ（パーフルオロブチル）ベンゼ
ン、ベンジジン、２，２’−ジメチルベンジジン、３，
３’−ジメチルベンジジン、３，３’−ジメトキシベン
ジジン、２，２’−ジメトキシベンジジン、３，３’，
５，５’−テトラメチルベンジジン、３，３’−ジアセ
チルベンジジン、２，２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル、オクタフルオロ
ベンジジン、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−
ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、２，２−ビス
（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，
３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４
−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビ
ス（アニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス
（アニリノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２’−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノベンゾ
フェノン、４，４’’−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、
１，４−ビス（ｐ−アミノフェニル）ベンゼン、ｐ−ビ
ス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）
ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）テトラ
キス（トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４’’’−
ジアミノ−ｐ−クオーターフェニル、４，４’−ビス
（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス
｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、
４，４’−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフ
ェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−
ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（２−アミノフ
ェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメ
チルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフル
オロメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、４，
４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノ−３
−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，
４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン、４，４’−ビス（３−ア
ミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニル
スルホン、２，２−ビス｛４−（４−アミノ−３−トリ
フルオロメチルフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）アミノフェノ
キシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフルオロメチル）ア
ミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
ジアミノアントラキノン、１，５−ジアミノナフタレ
ン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス｛２−〔（アミ
ノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロイソプロピ
ル｝ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テトラフルオロ
−４−アミノフェニル）エーテル、ビス（２，３，５，
６−テトラフルオロ−４−アミノフェニル）スルフィ
ド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメ
チルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノフェニル）ジ
エチルシラン、１，３−ジアミノテトラフルオロベンゼ
ン、１，４−ジアミノテトラフルオロベンゼン、４，
４’−ビス（テトラフルオロアミノフェノキシ）オクタ
フルオロビフェニル等がある。

【００１１】高性能の導波路型光デバイスを形成するた
めには、光学特性の偏光面依存性を避ける必要がある。
そこで、第５、第６の発明では光導波路のコア、及びク
ラッド材に、基板面と平行な方向の屈折率（ｎ_TE）と基
板面に垂直な方向の屈折率（ｎ_TM）の差（複屈折）が同
等の２種類のポリイミド、又は複屈折が同等の２種類の
ポリイミド共重合体を用いることとする。この結果、屈
折率差はＴＥ偏光とＴＭ偏光の間で同程度になり、光学
特性の偏光面依存性は解消される。この時、コア、及び
クラッド材の共重合比を変えることにより、ＴＥ偏光と
ＴＭ偏光の屈折率差は自由に制御できる。具体的には、
第５の発明では光導波路のクラッド、コア材料のいずれ
かあるいは両方を２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤ
Ａ）とジアミンから合成したフッ素化ポリイミド若しく
はその共重合体に、また第６の発明では光導波路のクラ
ッド、コア材料のいずれかあるいは両方を１，４−ビス
（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）テト
ラフルオロベンゼン二無水物（１０ＦＥＤＡ）とジアミ
ンから合成したフッ素化ポリイミド若しくはその共重合
体に限定する。例えば、これらの発明のクラッド、コア
材として用いる２種類のポリイミドとしては、６ＦＤＡ
と２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−
ジアミノビフェニル（ＴＦＤＢ）から合成されるポリイ
ミド（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）と、６ＦＤＡと４，４’−
オキシジアニリン（４，４’−ＯＤＡ）から合成される
６ＦＤＡ／４，４’−ＯＤＡがある。更に、これらの共
重合体の共重合比を変えて、クラッド、コア材として用
いることもできる。ここで示した２種類のポリイミドと
それらの共重合体はその共重合比（共重合比が１：０、
及び０：１を含む）によらず複屈折の変動は小さい。こ
のようなフッ素化ポリイミド、あるいはフッ素化ポリイ
ミド共重合体の組合せは下記表１及び表２に示すとおり
である。

【００１２】

【表１】

【００１３】

【表２】

【００１４】次に、本発明の光導波デバイスの一般的な
製造方法を説明する。図２は、フッ素化ポリイミド光導
波路を用いた方向性結合器（マッハツェンダー干渉
計）、あるいはＹ分岐回路の作製工程を示す図である。
最初に、基板１上に下部クラッド層２を形成する。次
に、下部クラッド層２上へ、下部クラッド層２よりも屈
折率の大きなコア層３を形成する。次に、コア層３上へ
フォトリソグラフ法によって方向性結合器、あるいはＹ
分岐回路のマスクパターン４を形成する。マスクパター
ン４が形成されたコア層３に対して、ＲＩＥ法を用いて
エッチングを行い方向性結合器、あるいはＹ分岐回路の
コアパターン５を形成する。マスクを除去した後、方向
性結合器、あるいはＹ分岐回路のコアパターン５上に上
部クラッド層６を形成する。このような方法によって、
フッ素化ポリイミド光導波路による方向性結合器（図
３）、あるいはＹ分岐回路（図４）が形成される。すな
わち、図３は方向性結合器の、図４はＹ分岐回路の各々
模式図である。方向性結合器、あるいはＹ分岐回路は導
波路型光デバイスを構成する要素の中で、最も重要、か
つ基本的なものの一つである。例えば方向性結合器は、
単体では出射光を任意の比率で分岐させる光部品として
用いられ、その分岐比は相互作用長を変えることにより
制御できる。本発明においては、導波路材料として用い
たフッ素化ポリイミドの耐熱性、耐湿性、光損失特性が
優れることを利用して高温条件や高温高湿条件で長時間
使用しても特性変化の小さい方向性結合器、あるいはＹ
分岐回路を容易に作製できるようになり、方向性結合
器、あるいはＹ分岐回路を有する導波路型光デバイスの
耐環境性、経済性、汎用性が大幅に向上した。

【００１５】フッ素化ポリイミド光導波路を用いたマッ
ハツェンダー干渉計の作製工程は、図２を用いて説明し
た方向性結合器の作製工程と基本的に同じであるが、マ
スクパターン４にマッハツェンダー干渉計のマスクパタ
ーンを用いることが異なる。このような方法で、フッ素
化ポリイミドによるマッハツェンダー干渉計（図５）が
形成される。すなわち、図５はマッハツェンダー干渉計
の模式図である。マッハツェンダー干渉計は導波路型光
デバイスを構成する基本光回路であり、位相シフタとの
組合せにより種々の光部品として利用できる。本発明に
おいては、光導波路材料に耐熱性、耐湿性の優れたフッ
素化ポリイミドを用いているため、環境変化に強く、長
期安定性を有するマッハツェンダー干渉計が容易に形成
できるようになった。その結果、マッハツェンダー干渉
計を有する導波路型光デバイスの耐環境性、経済性、汎
用性が大幅に向上した。同様に、図２に示す工程によ
り、フッ素化ポリイミド光導波路を用いたＹ分岐回路の
作製が可能である。最初に、基板１上に下部クラッド層
２を形成する。次に、下部クラッド層２上へ、下部クラ
ッド層２よりも屈折率の大きなコア層３を形成する。次
に、コア層３上へフォトリソグラフ法によってＹ分岐回
路のマスクパターン４を形成する。マスクパターン４が
形成されたコア層３に対して、ＲＩＥ法を用いてエッチ
ングを行いＹ分岐回路のコアパターン５を形成する。マ
スクを除去した後、Ｙ分岐回路のコアパターン５上に上
部クラッド層６を形成する。このような方法によって、
フッ素化ポリイミド光導波路によるＹ分岐回路（図４）
が形成される。Ｙ分岐回路は導波路型光デバイスを構成
する要素の中で、最も重要、かつ基本的なものの一つで
ある。本発明においては、導波路材料として用いたフッ
素化ポリイミドの耐熱性、耐湿性、光損失特性が優れる
ことを利用して高温条件や高温高湿条件で長時間使用し
ても特性変化の小さいＹ分岐回路を容易に作製できるよ
うになり、Ｙ分岐回路を有する導波路型光デバイスの耐
環境性、経済性、汎用性が大幅に向上した。

【００１６】図６は、フッ素化ポリイミド光導波路を用
いて形成したマッハツェンダー干渉計と、抵抗体薄膜に
よる加熱用電極からなるＴＯスイッチの作製工程を示す
図である。図２と同様の方法で作製したマッハツェンダ
ー干渉計の上部クラッド層６上に金属膜７を形成する。
次にこの金属膜７上へフォトリソグラフ法により加熱用
電極（熱光学位相シフタ）のマスクパターン８を形成し
た後、金属膜７のエッチングを行い加熱用電極９を形成
する。このような方法によって、フッ素化ポリイミド光
導波路によるマッハツェンダー型ＴＯスイッチ、あるい
はＹ分岐型ＴＯスイッチが形成される。本発明において
は、光導波路材料に耐熱性、耐湿性の優れたフッ素化ポ
リイミドを用いているため、耐環境性、長期安定性に優
れ、石英系ＴＯスイッチよりも低電力、かつ高速でスイ
ッチングするフッ素化ポリイミドＴＯスイッチが容易に
形成できるようになった。その結果、高分子ＴＯスイッ
チの耐環境性、経済性、汎用性が大幅に向上させること
ができた。なお、本発明では、任意の基板材料を用いる
ことができるが、熱伝導率の大きな基板材料を用いた方
がスイッチング速度は早くなる。また、抵抗体薄膜形成
用の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、金、銀、銅、白
金、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、
及びこれらの混合物が使用できる。またこれらの薄膜の
積層膜であっても良い。

【００１７】

【実施例】以下、図面を用いて本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。なお
本実施例では、基板にシリコン、金属膜にＴｉを用いて
いるが、他の材料を用いても良いことはいうまでもな
い。

【００１８】実施例１ 表１に示した（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）と（６ＦＤＡ／
４，４’−ＯＤＡ）からなる共重合体１（共重合比が
１：０を含む）による方向性結合器の作製工程を、図２
を用いて説明する。最初に、（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：
（６ＦＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）の共重合比が７：３の
フッ素化ポリイミド共重合体の前駆体であるフッ素化ポ
リアミド酸のジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）１５ｗ
ｔ％溶液をシリコン基板１上にスピンコートした後、オ
ーブン中３８０℃で１時間加熱しイミド化を行い下部ク
ラッド層２（屈折率は、波長１．３μｍの時ｎ_TE：１．
５３４、ｎ_TM：１．５２７、１．５５μｍの時ｎ_TE：
１．５３３、ｎ_TM：１．５２４）を形成した。次に、下
部クラッド層２上へ、（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：（６Ｆ
ＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）の共重合比が６：４のフッ素
化ポリイミド共重合体の前駆体であるフッ素化ポリアミ
ド酸のＤＭＡｃ １５ｗｔ％溶液を、加熱イミド化後の
膜厚が８μｍになるようにスピンコートした。その後、
オーブン中で３８０℃で１時間加熱しイミド化を行いコ
ア層３（屈折率は、波長１．３μｍの時ｎ_TE：１．５３
８、ｎ_TM：１．５３１、１．５５μｍの時ｎ_TE：１．５
３８、ｎ_TM：１．５３０）を形成した。次に、コア層３
上へフォトレジストをスピンコートした後、方向性結合
器のＣｒマスクパターンをフォトリソグラフ法によって
レジストに転写させた。次に、フォトレジストの現像を
行うことにより、コア層３上へ方向性結合器のマスクパ
ターン４を形成した。マスクパターン４が形成されたコ
ア層３に対して、ＲＩＥ法を用いてエッチングを行い方
向性結合器のコアパターン５を形成した。最後に、方向
性結合器のコアパターン５上に、下部クラッド層２と同
じ（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：（６ＦＤＡ／４，４’−Ｏ
ＤＡ）の共重合比が７：３のフッ素化ポリイミド共重合
体の前駆体であるフッ素化ポリアミド酸のＤＭＡｃ １
５ｗｔ％溶液をスピンコートした後、オーブン中３８０
℃で１時間加熱しイミド化を行い、下部クラッド層２と
同じ屈折率を持つ上部クラッド層６を形成した。このよ
うな方法によって、波長１．３μｍ、１．５５μｍの
時、コアとクラッドの間の屈折率差ΔがＴＥ偏光、ＴＭ
偏光の時、共に０．３％と同じ値であるフッ素化ポリイ
ミド光導波路による方向性結合器（図３）が形成され
た。この方向性結合器は、波長１．３μｍの時、ＴＥ偏
光及びＴＭ偏光共に結合率９７％以上、接続損失を含む
挿入損失２ｄＢ、３ｄＢカップラーの過剰損失０．２ｄ
Ｂと優れた光学特性を示した。更に、波長１．５５μｍ
においても、ＴＥ偏光及びＴＭ偏光共に結合率９７％以
上、接続損失を含む挿入損失２ｄＢ、３ｄＢカップラー
の過剰損失０．２ｄＢと優れた光学特性を示した。作製
した方向性結合器は１００℃熱処理後、及び水中、高温
高湿（８５℃、８５ＲＨ）雰囲気中やアセトン中に浸漬
後も初期と同等の特性を有しており、耐環境性、長期安
定性に優れたものであった。この結果、方向性結合器を
有する導波路型光デバイスの耐環境性、経済性、汎用性
は大幅に向上した。

【００１９】実施例２ 表１に示した１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリ
フルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン二無水物
（１０ＦＥＤＡ）とテトラフルオロ−ｍ−フェニレンジ
アミン（４ＦＭＰＤ）から合成したフッ素化ポリイミド
（１０ＦＥＤＡ／４ＦＭＰＤ）と（６ＦＤＡ／４，４’
−ＯＤＡ）からなる共重合体２（共重合比が１：０を含
む）を用いて方向性結合器を形成した。下部、上部クラ
ッドの材料として（１０ＦＥＤＡ／４ＦＭＰＤ）からな
るフッ素化ポリイミド（屈折率は、波長１．３μｍの時
ｎ_TE：１．５２７、ｎ_TM：１．５１９、１．５５μｍの
時ｎ_TE：１．５２７、ｎ_TM：１．５１８）の前駆体であ
るポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液を用い、また
コア材料としては（１０ＦＥＤＡ／４ＦＭＰＤ）と（６
ＦＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）の共重合比が８：２のフッ
素化ポリイミド共重合体（屈折率は、波長１．３μｍの
時ｎ_TE：１．５３５、ｎ_TM：１．５２７、１．５５μｍ
の時ｎ_TE：１．５３５、ｎ_TM：１．５２６）の前駆体で
あるポリアミド酸のＤＭＡｃ １５ｗｔ％溶液を用い
て、実施例１と同様の操作を行いフッ素化ポリイミド光
導波路による方向性結合器を形成した。この方向性結合
器は、波長１．３μｍの時、ＴＥ偏光及びＴＭ偏光共に
結合率９７％以上、接続損失を含む挿入損失２ｄＢ、３
ｄＢカップラーの過剰損失０．２ｄＢと優れた光学特性
を示した。更に、波長１．５５μｍにおいても、ＴＥ偏
光及びＴＭ偏光共に結合率９７％以上、接続損失を含む
挿入損失２ｄＢ、３ｄＢカップラーの過剰損失０．２ｄ
Ｂと優れた光学特性を示した。作製した方向性結合器は
１００℃熱処理後、及び水中、高温高湿（８５℃、８５
ＲＨ）雰囲気中やアセトン中に浸漬後も初期と同等の特
性を有しており、耐環境性、長期安定性に優れたもので
あった。この結果、方向性結合器を有する導波路型光デ
バイスの耐環境性、経済性、汎用性は大幅に向上した。

【００２０】実施例３〜３８ 表１及び表２に示した共重合体３〜共重合体３８（共重
合比が１：０を含む）の前駆体であるポリアミド酸溶液
を用いて、実施例１と同じ操作を行うことによりフッ素
化ポリイミド光導波路による方向性結合器を形成した。
これらの方向性結合器においては、ＴＥ偏光及びＴＭ偏
光による光学特性の変化は観測されなかった。波長１．
３μｍ、１．５５μｍの時の光学特性を表３及び表４に
まとめて示す。

【００２１】

【表３】

【００２２】

【表４】

【００２３】表１〜表４の記号の説明 ６ＦＤＡ ： ２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物 １０ＦＥＤＡ： １，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン二無
水物 ＯＤＰＡ ： ４，４’−オキシジフタル酸無水物 ＢＴＤＡ ： ３，３’，４，４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物 ＴＦＤＢ ： ２，２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル ４ＦＭＰＤ ： テトラフルオロ−ｍ−フェニレンジア
ミン ８ＦＯＤＡ ： ビス（２，３，５，６−テトラフルオ
ロ−４−アミノフェニル）エーテル ４，４’−ＯＤＡ： ４，４’−オキシジアニリン ３，４’−ＯＤＡ： ３，４’−オキシジアニリン ２，４’−ＯＤＡ： ２，４’−オキシジアニリン ３ＦＤＡＭ ： １，１−ビス（４−アミノフェニル）
−１−フェニル−２，２，２−トリフルオロエタン ３ＦＥＤＡＭ： 〔１，１−ビス｛４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル｝−１−フェニル−２，２，２−ト
リフルオロエタン〕 ３，３’−ＤＤＳＯ２： ３，３’−ジアミノジフェニ
ルスルホン ４，４’−ＤＤＳＯ２： ４，４’−ジアミノジフェニ
ルスルホン ４，４’−ＭＤＡ ： ４，４’−メチレンジアニリ
ン ４−ＢＤＡＦ： ２，２−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン ＡＰＨＦ３３： ２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン ４，４’−６Ｆ： ２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン

【００２４】実施例３９ 実施例１における方向性結合器のＣｒマスクパターンを
マッハツェンダーのＣｒマスクパターンに変更して同様
の操作を行い、（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）と（６ＦＤＡ／
４，４’−ＯＤＡ）からなるフッ素化ポリイミド共重合
体を用いたマッハツェンダー干渉計（図４）が形成され
た。作製したマッハツェンダー干渉計は１００℃熱処理
後、及び水中、高温高湿（８５℃、８５ＲＨ）雰囲気中
やアセトン中に浸漬後も初期と同等の特性を有してお
り、耐環境性、長期安定性に優れたものであった。この
結果、マッハツェンダー干渉計を有する導波路型光デバ
イスの耐環境性、経済性、汎用性は大幅に向上した。

【００２５】実施例４０ 図６はマッハツェンダー型ＴＯスイッチの作製工程を示
す図である。実施例３９と同様の方法で作製したマッハ
ツェンダー型干渉計の上部クラッド層６上に加熱用電極
（熱光学位相シフタ）とするＴｉ金属膜７を真空蒸着に
より形成した。このＴｉ金属膜７へフォトレジストをス
ピンコートした後、電極のマスクパターン８をフォトリ
ソグラフ法によってレジストに転写させた。最後に、フ
ォトレジストをマスクとし、Ｔｉのエッチングを行い電
極９を形成した。このような方法によって形成した、図
７に模式図として示すフッ素化ポリイミド光導波路によ
るマッハエンダー型ＴＯスイッチの特性測定を行った結
果、スイッチング時間は４ｍＳ、スイッチング電力は１
０ｍＷであった。（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）と（６ＦＤＡ
／４，４’−ＯＤＡ）からなるフッ素化ポリイミド共重
合体が有する石英の１０倍以上の大きな熱光学定数〔−
３×１０^-4／℃（図１）〕の効果によりスイッチング電
力は石英製の１／５０以下であり、作製したフッ素化ポ
リイミドＴＯスイッチが低電力、高速光スイッチとして
動作することがわかった。また、作製したＴＯスイッチ
は１００℃熱処理後、及び水中、高温高湿（８５℃、８
５ＲＨ）雰囲気中やアセトン中に浸漬後も初期と同等の
特性を有しており、耐環境性、長期安定性に優れたもの
であった。この結果、高分子ＴＯスイッチの耐環境性、
経済性、汎用性を大幅に向上させることができた。

【００２６】実施例４１ 表１に示した（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）と（６ＦＤＡ／
４，４’−ＯＤＡ）からなる共重合体１（共重合比が
１：０を含む）によるＹ分岐回路の作製工程を、図２を
用いて説明する。最初に、（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：
（６ＦＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）の共重合比が７：３の
フッ素化ポリイミド共重合体の前駆体であるフッ素化ポ
リアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液をシリコン基板１
上にスピンコートした後、オーブン中３８０℃で１時間
加熱しイミド化を行い下部クラッド層２（屈折率は、波
長１．３μｍの時ｎ_TE：１．５３４、ｎ_TM：１．５２
７、１．５５μｍの時ｎ_TE：１．５３３、ｎ_TM：１．５
２４）を形成した。次に、下部クラッド層２上へ、（６
ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：（６ＦＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）
の共重合比が６：４のフッ素化ポリイミド共重合体の前
駆体であるフッ素化ポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％
溶液を、加熱イミド化後の膜厚が８μｍになるようにス
ピンコートした。その後、オーブン中で３８０℃で１時
間加熱しイミド化を行いコア層３（屈折率は、波長１．
３μｍの時ｎ_TE：１．５３８、ｎ_TM：１．５３１、１．
５５μｍの時ｎ_TE：１．５３８、ｎ_TM：１．５３０）を
形成した。次に、コア層３上へフォトレジストをスピン
コートした後、Ｙ分岐回路のＣｒマスクパターンをフォ
トリソグラフ法によってレジストに転写させた。次に、
フォトレジストの現像を行うことにより、コア層３上へ
Ｙ分岐回路のマスクパターン４を形成した。マスクパタ
ーン４が形成されたコア層３に対して、ＲＩＥ法を用い
てエッチングを行いＹ分岐回路のコアパターン５を形成
した。

【００２７】最後に、Ｙ分岐回路のコアパターン５上
に、下部クラッド層２と同じ（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：
（６ＦＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）の共重合比が６：４の
フッ素化ポリイミド共重合体の前駆体であるフッ素化ポ
リアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液をスピンコートし
た後、オーブン中３８０℃で１時間加熱しイミド化を行
い、下部クラッド層２と同じ屈折率を持つ上部クラッド
層６を形成した。このような方法によって、波長１．３
μｍ、１．５５μｍの時、コアとクラッドの間の屈折率
差△がＴＥ偏光、ＴＭ偏光の時共に０．３％と同じであ
るフッ素化ポリイミド光導波路によるＹ分岐回路（図
４）が形成された。このＹ分岐回路は、波長１．３μｍ
の時、ＴＥ偏光及びＴＭ偏光共に挿入損失２ｄＢ以下で
あり、光損失の偏波依存（ＴＥ偏光とＴＭ偏光の光損失
の差：ＰＤＬ）も０．２ｄＢと優れた光学特性を示し
た。更に、波長１．５５μｍにおいても、ＴＥ偏光及び
ＴＭ偏光共に挿入損失２ｄＢ以下、ＰＤＬ０．２ｄＢと
優れた光学特性を示した。作製したＹ分岐回路は１００
℃熱処理後、及び水中、高温高湿（８５℃、８５ＲＨ）
雰囲気中やアセトン中に浸漬後も初期と同等の特性を有
しており、耐環境性、長期安定性に優れたものであっ
た。この結果、Ｙ分岐回路を有する導波路型光デバイス
の耐環境性、経済性、汎用性は大幅に向上した。

【００２８】実施例４２ 表１に示した１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリ
フルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン二無水物
（１０ＦＥＤＡ）とテトラフルオロ−ｍ−フェニレンジ
アミン（４ＦＭＰＤ）から合成したフッ素化ポリイミド
（１０ＦＥＤＡ／４ＦＭＰＤ）と（６ＦＤＡ／４，４’
−ＯＤＡ）からなる共重合体２（共重合比が１：０を含
む）を用いてＹ分岐回路を形成した。下部、上部クラッ
ドの材料として（１０ＦＥＤＡ／４ＦＭＰＤ）からなる
フッ素化ポリイミド（屈折率は、波長１．３μｍの時ｎ
_TE：１．５２７、ｎ_TM：１．５１９、１．５５μｍの時
ｎ_TE：１．５２７、ｎ_TM：１．５１８）の前駆体である
ポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液を用い、またコ
ア材料としては（１０ＦＥＤＡ／４ＦＭＰＤ）と（６Ｆ
ＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）の共重合比が８：２のフッ素
化ポリイミド共重合体（屈折率は、波長１．３μｍの時
ｎ_TE：１．５３５、ｎ_TM：１．５２７、１．５５μｍの
時ｎ_TE：１．５３５、ｎ_TM：１．５２６）の前駆体であ
るポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液を用いて、実
施例１と同様の操作を行いフッ素化ポリイミド光導波路
によるＹ分岐回路を形成した。このＹ分岐回路は、波長
１．３μｍの時、ＴＥ偏光及びＴＭ偏光共に挿入損失２
ｄＢ以下、ＰＤＬ０．２ｄＢと優れた光学特性を示し
た。更に、波長１．５５μｍのにおいても、ＴＥ偏光及
びＴＭ偏光共に挿入損失２ｄＢ以下、ＰＤＬ０．２ｄＢ
と優れた光学特性を示した。作製したＹ分岐回路は１０
０℃熱処理後、及び水中、高温高湿（８５℃、８５Ｒ
Ｈ）雰囲気中やアセトン中に浸漬後も初期と同等の特性
を有しており、耐環境性、長期安定性に優れたものであ
った。この結果、Ｙ分岐回路を有する導波路型光デバイ
スの耐環境性、経済性、汎用性は大幅に向上した。

【００２９】実施例４３〜７８ 表１及び表２に示した共重合体３〜共重合体３８（共重
合比が１：０を含む）の前駆体であるポリアミド酸溶液
を用いて、実施例１と同じ操作を行うことによりフッ素
化ポリイミド光導波路によるＹ分岐回路を形成した。こ
れらのＹ分岐回路においては、ＴＥ偏光及びＴＭ偏光に
よる光学特性の変化は観測されなかった。波長１．３μ
ｍ、１．５５μｍの時の光学特性を、表５及び表６にま
とめて示す。なお表５及び表６に記載の記号の意味は、
既述の表１〜表４の記号の説明と同一である。

【００３０】

【表５】

【００３１】

【表６】

【００３２】実施例７９ 図５はＹ分岐型ＴＯスイッチの作製工程にも適用でき
る。実施例４１と同様の方法で作製したＹ分岐回路の上
部クラッド層６上に加熱用電極（熱光学位相シフタ）と
するＴｉ金属膜７を真空蒸着により形成した。このＴｉ
金属膜７へフォトレジストをスピンコートした後、電極
のマスクパターン８をフォトリソグラフ法によってレジ
ストに転写させた。最後に、フォトレジストをマスクと
し、Ｔｉのエッチングを行い電極９を形成した。このよ
うな方法によって形成したフッ素化ポリイミド光導波路
によるＹ分岐型ＴＯスイッチ（図８）の特性測定を行っ
た結果、スイッチング時間は４ｍＳ、スイッチング電力
は１０ｍＷであった。（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）と（６Ｆ
ＤＡ／４，４’−ＯＤＡ）からなるフッ素化ポリイミド
共重合体が有する石英の１０倍以上の大きな熱光学定数
〔−３×１０^-4／℃（図１）〕の効果によりスイッチン
グ電力は石英製の１／５０以下であり、作製したフッ素
化ポリイミドＴＯスイッチが低電力、高速光スイッチと
して動作することがわかった。また、作製したＴＯスイ
ッチは１００℃熱処理後、及び水中、高温高湿（８５
℃、８５ＲＨ）雰囲気中やアセトン中に浸漬後も初期と
同等の特性を有しており、耐環境性、長期安定性に優れ
たものであった。この結果、高分子ＴＯスイッチの耐環
境性、経済性、汎用性を大幅に向上させることができ
た。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、導波路材料として使用
したフッ素化ポリイミドの耐熱性、耐湿性、高光透過性
の特徴により、耐熱性、耐湿性、光損失特性に優れる高
分子導波路型光デバイスを提供できる。また、その結果
として経済性、汎用性に優れる導波路型光デバイスが製
造できるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】フッ素化ポリイミドの熱光学定数を示す図であ
る。

【図２】フッ素化ポリイミドによる方向性結合器（マッ
ハツェンダー干渉計）、あるいはＹ分岐回路の作製工程
を示す図である。

【図３】方向性結合器の模式図である。

【図４】Ｙ分岐回路の模式図である。

【図５】マッハツェンダー干渉計の模式図である。

【図６】フッ素化ポリイミドによるＴＯスイッチの作製
工程を示す図である。

【図７】フッ素化ポリイミドによる方向性結合器型ＴＯ
スイッチの模式図である。

【図８】フッ素化ポリイミドによるＹ分岐型ＴＯスイッ
チの模式図である。

【符号の説明】

１：基板、２：下部クラッド層、３：コア層、４：マス
クパターン、５：コアパターン、６：上部クラッド層、
７：金属膜、８：電極のマスクパターン、９：電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 重邦 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 方向性結合器を含む導波路型光デバイス
   において、該方向性結合器のコア及びクラッドのいずれ
   か若しくは両方がフッ素化ポリイミドにより形成されて
   いることを特徴とする導波路型光デバイス。
2. 【請求項２】 方向性結合器を２個以上組合せて作製し
   たマッハツェンダー干渉計を含むことを特徴とする請求
   項１に記載の導波路型光デバイス。
3. 【請求項３】 Ｙ分岐回路を含む導波路型光デバイスに
   おいて、該Ｙ分岐回路のコア及びクラッドのいずれか若
   しくは両方がフッ素化ポリイミドにより形成されること
   を特徴とする導波路型光デバイス。
4. 【請求項４】 通電加熱を行うための抵抗体薄膜からな
   る熱光学位相シフタを有することを特徴とする請求項１
   〜３のいずれか１項に記載の導波路型光デバイス。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の導
   波路型光デバイスにおいて、該導波路型光デバイスのコ
   ア及びクラッドのいずれか若しくは両方が、２，２−ビ
   ス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
   ロパン二無水物とジアミンを反応させて得たフッ素化ポ
   リイミドを含有することを特徴とする請求項１〜４のい
   ずれか１項に記載の導波路型光デバイス。
6. 【請求項６】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の導
   波路型光デバイスにおいて、該導波路型光デバイスのコ
   ア及びクラッドのいずれか若しくは両方が、１，４−ビ
   ス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）テ
   トラフルオロベンゼン二無水物とジアミンを反応させて
   得たフッ素化ポリイミドを含有することを特徴とする請
   求項１〜４のいずれか１項に記載の導波路型光デバイ
   ス。