JPH1069961A - surge absorber - Google Patents

surge absorber

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Publication number
JPH1069961A
JPH1069961A JP8225599A JP22559996A JPH1069961A JP H1069961 A JPH1069961 A JP H1069961A JP 8225599 A JP8225599 A JP 8225599A JP 22559996 A JP22559996 A JP 22559996A JP H1069961 A JPH1069961 A JP H1069961A
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JP
Japan
Prior art keywords
electrode
conductive film
substrate
surge absorber
capacitor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP8225599A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Nakamura
雅彦 中村
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
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Publication of JPH1069961A publication Critical patent/JPH1069961A/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電子機器に印加されるサージ電圧
を吸収するサージアブソーバに関し、表面実装が容易で
あって、繰り返し放電に対する信頼性が高く、かつ低コ
スト化が図られたコンデンサ内蔵のサージアブソーバを
提供する。 【解決手段】 第1の電極2と、マイクロギャップ3を
有する導電膜5と、第2の電極3を、平板状の絶縁性基
板1上に同心円状に形成し、基板1の内部に多層基板の
技術を使ってコンデンサを構成する導体膜13,14を
配置する。
(57) Abstract: The present invention relates to a surge absorber that absorbs a surge voltage applied to an electronic device, which can be easily mounted on a surface, has high reliability against repeated discharge, and has a low cost. Provide a surge absorber with a built-in capacitor. SOLUTION: A first electrode 2, a conductive film 5 having a micro gap 3, and a second electrode 3 are formed concentrically on a flat insulating substrate 1, and a multilayer substrate is formed inside the substrate 1. The conductor films 13 and 14 constituting the capacitor are arranged by using the technique described above.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器に印加さ
れるサージ電圧を吸収するサージアブソーバに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surge absorber for absorbing a surge voltage applied to an electronic device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、電子機器の保護のために用い
られる、電子機器に印加されるサージ電圧を吸収するサ
ージアブソーバが知られている。例えば、特公昭63−
57918号公報には、円柱形の絶縁材の表面に導電性
セラミックス薄膜が形成されその導電性セラミックス薄
膜を分断するように円周方向にマイクロギャップが形成
され、その全体を、内部にガスが充填された状態に円筒
ガラスに密封した構造のサージアブソーバが開示されて
いる。また、特公平7−107867号公報、実開昭4
9−80351号公報には、平板の絶縁性基板上にマイ
クロギャップに向かって先が尖った尖塔形の電極が形成
されたサージアブソーバが提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a surge absorber which is used for protecting an electronic device and absorbs a surge voltage applied to the electronic device. For example,
In Japanese Patent No. 57918, a conductive ceramic thin film is formed on the surface of a cylindrical insulating material, and a microgap is formed in a circumferential direction so as to divide the conductive ceramic thin film. A surge absorber having a structure sealed in a cylindrical glass in a closed state is disclosed. Also, Japanese Patent Publication No. 7-107867, Shokai 4
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-80351 proposes a surge absorber in which a spire electrode having a pointed tip toward a microgap is formed on a flat insulating substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来提
案されたサージアブソーバのうち、円筒ガラスに密封し
た構造のものは、外形が円筒形であってその円筒の両端
からリード線が延びているため、表面実装や自動実装が
困難であるという問題がある。また、この構造のもの
は、外形が円筒形であるためガラス以外の材料を気密被
覆材として使用することは困難である。
However, among the surge absorbers proposed in the prior art, those having a structure sealed in a cylindrical glass have a cylindrical outer shape and lead wires extend from both ends of the cylinder. There is a problem that surface mounting and automatic mounting are difficult. In addition, since this structure has a cylindrical outer shape, it is difficult to use a material other than glass as an airtight covering material.

【0004】また、従来提案されたサージアブソーバの
うち、平板上に電極およびマイクロギャップを形成する
構造のものは、マイクロギャップ部分の電極の形状が尖
塔形であるため、サージ吸収のための放電によりその尖
塔形電極の先端が欠損しやすく、繰り返し放電に対する
寿命が短かいという問題がある。また、この種のサージ
アブソーバでは、電圧が小さく、周波数の高い高周波ノ
イズを除去することはできず、高周波ノイズを除去する
必要があるときはサージアブソーバに高周波除去用コン
デンサが組み合わせて使用され、その場合、サージアブ
ソーバとは別にコンデンサを実装する必要があり、実装
面積の増大、実装コストの増大などの問題が生じてい
た。これを解決するために、コンデンサを内蔵したサー
ジアブソーバも提案されているが(特開平8−8367
0号公報、特開平8−83671号公報、特開平8−1
02355号公報参照)、これらのサージアブソーバ
は、コンデンサを内蔵するか否かに拘わらずもともとの
構造が複雑であって、コンデンサを内蔵することによっ
てさらに高コスト化を招き、低コスト化の要請を満足す
るものではない。
[0004] Among the conventionally proposed surge absorbers, those having a structure in which an electrode and a microgap are formed on a flat plate have a spire shape in the electrode in the microgap portion. There is a problem that the tip of the spire electrode is easily damaged, and the life to repeated discharge is short. In addition, this type of surge absorber cannot remove high-frequency noise having a small voltage and high frequency.When it is necessary to remove high-frequency noise, a surge absorber is used in combination with a high-frequency removal capacitor. In this case, it is necessary to mount a capacitor separately from the surge absorber, which causes problems such as an increase in mounting area and mounting cost. In order to solve this problem, a surge absorber having a built-in capacitor has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 8-8367).
0, JP-A-8-83691, JP-A-8-1
No. 02355), these surge absorbers have an original structure that is complicated regardless of whether a capacitor is incorporated or not, and further increasing the cost by incorporating the capacitor leads to a demand for cost reduction. Not satisfied.

【0005】本発明は、上記事情に鑑み、表面実装が容
易であって、繰り返し放電に対する信頼性が高く、かつ
低コスト化が図られたコンデンサ内蔵のサージアブソー
バを提供することを目的とする。
In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a surge absorber with a built-in capacitor which can be easily mounted on a surface, has high reliability against repetitive discharges, and is reduced in cost.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のサージアブソーバは、 (1)平板状の絶縁性基板 (2)絶縁性基板上に、円環状のギャップを有しそのギ
ャップと同心の円板状に形成された導電膜 (3)上記導電膜の中心部に配置された第1の電極 (4)上記導電膜の周縁部に配置された、上記ギャップ
と同心円をなす円環状の第2の電極 (5)絶縁性基板と協同して、上記導電膜、第1の電極
および第2の電極を、内部に所定のガスが充填された状
態に密封する気密性被冠材 (6)気密性被冠材の外部に配置された、第1の電極に
電気的に接続されてなる第1の端子 (7)気密性被冠材の外部に配置された、第2の電極に
電気的に接続されてなる第2の端子 (8)互いに平行に広がるとともに少なくとも一枚が上
記絶縁性基板の内部に広がる複数枚の導体膜からなる、
第1の端子と第2の端子との間に形成されたコンデンサ を備えたことを特徴とする。
A surge absorber according to the present invention that achieves the above object has the following features. (1) A flat insulating substrate (2) An annular gap is formed on an insulating substrate and is concentric with the gap. (3) a first electrode disposed at the center of the conductive film; and (4) an annular ring disposed at the periphery of the conductive film and concentric with the gap. Second electrode (5) In cooperation with the insulating substrate, an airtight covering material (6) that seals the conductive film, the first electrode, and the second electrode in a state where a predetermined gas is filled therein. A) a first terminal disposed outside the hermetic crown material and electrically connected to the first electrode; and (7) a second terminal disposed outside the hermetic crown material is electrically connected to the first electrode. (8) Spread parallel to each other and at least one of the second terminals has the insulating property. Composed of a plurality of conductive films extending in the interior of the plate,
A capacitor is provided between the first terminal and the second terminal.

【0007】ここで、本発明のサージアブソーバにおい
て、コンデンサを構成する複数枚の導体膜が重なり合う
部分の面積、及びそれらの導体膜どうしの間隔は、除去
すべきノイズに適した容量が得られるように選択され
る。大きな容量が必要な場合は、コンデンサを構成する
導体膜層を増やすことによって容量を増加させることが
出来る。
Here, in the surge absorber of the present invention, the area of a portion where a plurality of conductive films constituting the capacitor overlap and the interval between the conductive films are determined so that a capacitance suitable for noise to be removed can be obtained. Is selected. When a large capacitance is required, the capacitance can be increased by increasing the number of conductive film layers constituting the capacitor.

【0008】内部に導体膜が形成された多層基板の材料
としては、低温焼成が可能なガラスセラミックスが望ま
しく、その誘電率は、どれだけの容量のコンデンサを必
要とするかという観点から決定される。本発明のサージ
アブソーバは、第1の電極、第2の電極、導電膜および
マイクロギャップの全てが、平板状の絶縁性基板上の同
一平面状に配置されているため、外形を容易に平板状に
することができ、表面実装が容易である。
As a material of the multilayer substrate having a conductor film formed therein, a glass ceramic which can be fired at a low temperature is desirable, and its dielectric constant is determined from the viewpoint of how much capacitor is required. . In the surge absorber of the present invention, since the first electrode, the second electrode, the conductive film, and the micro gap are all disposed on the same plane on the flat insulating substrate, the outer shape can be easily formed into a flat plate. And surface mounting is easy.

【0009】また、外形を容易に平板状にすることがで
きるため、気密性被冠材の材料としてアルミナ等のセラ
ミックス材料を使用することができる。さらに、本発明
のサージアブソーバは、第1の電極、第2の電極、導電
膜およびマイクロギャップの全てが、同一平面上であっ
て、しかも同心円状に形成されているため、マイクロギ
ャップの全域で放電が均一に起こり、また放電によって
導電膜の一部が欠損しても放電開始電圧が変化しにく
く、繰り返し放電に対する信頼性が高い。
Further, since the outer shape can be easily made into a flat plate shape, a ceramic material such as alumina can be used as the material of the hermetic capping material. Furthermore, in the surge absorber according to the present invention, the first electrode, the second electrode, the conductive film, and the micro gap are all formed on the same plane and are formed concentrically. Discharge occurs uniformly, and even if a part of the conductive film is lost due to the discharge, the discharge starting voltage is hardly changed, and the reliability for repeated discharge is high.

【0010】また、本発明サージアブソーバは、コンデ
ンサが内蔵されているため、電圧が小さく周波数が高い
高周波ノイズも除去することができる。この高周波ノイ
ズ除去用のコンデンサを構成する導体膜は、絶縁基板の
内部もしくは裏面に形成されるため、サージアブソーバ
に高周波ノイズ除去用のコンデンサを取り付けることに
よる素子の大型化、実装面積の増大などの問題は生じな
い。この高周波ノイズ除去用のコンデンサは、従来の多
層基板の製造方法を用いて形成することができ、低コス
ト化が可能である。
In addition, since the surge absorber of the present invention has a built-in capacitor, high frequency noise having a small voltage and a high frequency can be removed. The conductor film that forms the capacitor for removing high-frequency noise is formed inside or on the back of the insulating substrate, so mounting the capacitor for removing high-frequency noise on the surge absorber increases the size of the element and increases the mounting area. No problem. This capacitor for removing high-frequency noise can be formed by using a conventional method for manufacturing a multilayer substrate, and cost can be reduced.

【0011】尚、本発明のサージアブソーバの基本構
造、原理は前掲の特公昭63−57918号公報に開示
されたものと同じであるため、本発明のサージアブソー
バは、そこに開示されたサージアブソーバが有している
優れたサージ吸収特性や高い信頼性がそのまま踏襲され
ている。
Since the basic structure and principle of the surge absorber of the present invention are the same as those disclosed in Japanese Patent Publication No. 63-57918, the surge absorber of the present invention is disclosed in The excellent surge absorption characteristics and high reliability possessed by the same are directly followed.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図1〜図3は、本発明のサージアブソーバの
第1実施形態を示す、それぞれ、キャップを一部破断し
て内部構造を示す斜視図、キャップを透視して示す平面
図、および図1、図2に矢印A−Aで示す方向に見た断
面図である。
Embodiments of the present invention will be described below. FIGS. 1 to 3 show a first embodiment of a surge absorber according to the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing the internal structure of a cap with a part of the cap broken away, FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view as viewed in a direction indicated by an arrow AA in FIG.

【0013】ここでは絶縁性基板として、従来公知の技
術により製造された、図3に示すように、内部に導体膜
13,14、スルーホール11が形成された多層基板1
を用い、基板1の表面および裏面にそれぞれ導体膜1
0,12を形成し、基板1の側面に第1および第2の端
子8,9を形成し、基板1の表面に導電膜5としてTi
Nをスパッタリングによって付着させた後、フォトエッ
チングによって幅約50μmの円形マイクロギャップ3
を形成するとともに、導電膜5を所望の円形状に成形
し、第1の電極2及び第2の電極4を、マイクロギャッ
プ3と同心円状に導電膜5と接するように取りつける。
As shown in FIG. 3, a multi-layer substrate 1 having conductor films 13, 14 and through holes 11 formed therein as shown in FIG.
And a conductor film 1 on the front and back surfaces of the substrate 1, respectively.
0, 12 are formed, first and second terminals 8, 9 are formed on the side surface of the substrate 1, and Ti is formed as a conductive film 5 on the surface of the substrate 1.
After N is deposited by sputtering, a circular microgap 3 having a width of about 50 μm is formed by photoetching.
Is formed, the conductive film 5 is formed into a desired circular shape, and the first electrode 2 and the second electrode 4 are mounted concentrically with the micro gap 3 so as to be in contact with the conductive film 5.

【0014】さらに、アルミナセラミック製のキャップ
6をフリットガラス7にて溶着することによりマイクロ
ギャップ3をArガス中に封じ込める。第1の電極2と
基板1内部の導体膜14は、基板1に設けられたスルー
ホール11によって互いに接続され、さらに基板1の裏
面の導体膜12によって第1の端子8に接続されてい
る。
Further, the micro gap 3 is sealed in Ar gas by welding a cap 6 made of alumina ceramic with frit glass 7. The first electrode 2 and the conductor film 14 inside the substrate 1 are connected to each other by a through hole 11 provided in the substrate 1, and further connected to the first terminal 8 by a conductor film 12 on the back surface of the substrate 1.

【0015】また、基板1内部に形成された導体膜13
はスルーホール11が貫通する部分に穴が開いており、
また一部が第2の端子9側の基板端面に露出することに
よって第2の端子9と接続しており、このことと導体膜
10とによって第2の電極4と接続している。これによ
り、外形が平板状であって表面実装に適し、かつ繰り返
し放電に対する信頼性が高く、しかも高周波ノイズも吸
収するサージアブソーバが実現する。
The conductor film 13 formed inside the substrate 1
Has a hole in the part where the through hole 11 penetrates,
Further, a portion is exposed to the end face of the substrate on the side of the second terminal 9 to be connected to the second terminal 9, and this and the conductive film 10 are connected to the second electrode 4. This realizes a surge absorber that has a flat outer shape, is suitable for surface mounting, has high reliability against repeated discharges, and absorbs high-frequency noise.

【0016】図4は、本発明のサージアブソーバの第2
実施形態の断面図である。ここでは、絶縁性基板とし
て、従来公知の技術により製造された、内部に導体膜1
7,18、ビアホール16が形成された多層基板15を
用い、上述の第1実施形態と同様に、基板15の表面お
よび裏面にそれぞれ導体膜10および導体膜12を形成
し、基板1の側面に第1および第2の端子8,9を形成
し、基板1上に導電膜5としてTiNをスパッタリング
によって付着させた後、フォトエッチングによって幅約
50μmの円形マイクロギャップ3を形成するとともに
導電膜5を所望の円形状に成形し、第1の電極2及び第
2の電極4をマイクロギャップ3と同心円状に導電膜5
に取りつける。
FIG. 4 shows a second embodiment of the surge absorber of the present invention.
It is a sectional view of an embodiment. Here, as the insulating substrate, a conductive film 1 is formed inside by a conventionally known technique.
7 and 18, a conductive film 10 and a conductive film 12 are formed on the front and back surfaces of the substrate 15, respectively, and the side surfaces of the substrate 1 are formed in the same manner as in the first embodiment. After forming the first and second terminals 8 and 9 and depositing TiN as a conductive film 5 on the substrate 1 by sputtering, a circular microgap 3 having a width of about 50 μm is formed by photoetching and the conductive film 5 is formed. The first electrode 2 and the second electrode 4 are formed in a desired circular shape, and the conductive film 5 is formed concentrically with the micro gap 3.
Attach to

【0017】さらに、アルミナセラミック製のキャップ
6をフリットガラス7にて溶着することにより、マイク
ロギャップ3をArガス中に封じ込める。第1の電極2
と基板1内部の導体膜18は、基板1に設けられたビア
ホール16によって互いに接続され、さらに導体膜18
の一部が第1の端子8側の基板端面に露出することによ
って第1の端子8に接続されている。
Further, the cap 6 made of alumina ceramic is welded with frit glass 7 to seal the micro gap 3 in Ar gas. First electrode 2
The conductive film 18 inside the substrate 1 is connected to each other by a via hole 16 provided in the substrate 1.
Is connected to the first terminal 8 by exposing a part of the substrate to the end face of the substrate on the first terminal 8 side.

【0018】また、基板1内部に形成された導体膜17
は一部が第2の端子9側の基板端面に露出することによ
って第2の端子9に接続しており、これと導体膜10と
によって第2の電極4と接続している。このように、こ
の第2実施形態においても、第1実施形態と同様、外形
が平板状であって表面実装に適し、かつ繰り返し放電に
対する信頼性が高く、しかも高周波ノイズも吸収するサ
ージアブソーバが実現する。
The conductor film 17 formed inside the substrate 1
Is connected to the second terminal 9 by being partially exposed to the end face of the substrate on the side of the second terminal 9, and is connected to the second electrode 4 by this and the conductor film 10. As described above, also in the second embodiment, as in the first embodiment, a surge absorber that has a flat outer shape, is suitable for surface mounting, has high reliability against repeated discharge, and also absorbs high-frequency noise is realized. I do.

【0019】尚、上述の各実施形態は、いずれも、コン
デンサを構成する2枚の導体膜が基板内部に形成されて
いるが、それら2枚のうちの1枚は基板の裏面に形成さ
れていてもよい。また、上述の各実施形態は、コンデン
サを構成する導体膜はいずれも2枚であるが、大きな容
量のコンデンサを必要とするときは、3枚以上の導体膜
でコンデンサを構成してもよい。
In each of the above embodiments, two conductor films constituting the capacitor are formed inside the substrate, but one of those two films is formed on the back surface of the substrate. You may. Further, in each of the above-described embodiments, the capacitor has two conductive films, but when a large-capacity capacitor is required, the capacitor may be configured with three or more conductive films.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
平板状の外形を実現し表面実装が容易であって、かつ同
心円状に配置したことによって繰り返し放電に対する信
頼性の高いサージアブソーバが実現する。また本発明に
よれば、少なくとも1枚が基板内部に形成された複数枚
の導体膜からなるコンデンサが内蔵されており、高周波
ノイズも除去される。このコンデンサは、従来の多層基
板の製法により形成することができ、低コストが図られ
る。
As described above, according to the present invention,
A surge absorber with a flat outer shape, easy surface mounting, and a concentric arrangement achieves a highly reliable surge absorber against repeated discharges. Further, according to the present invention, at least one capacitor including a plurality of conductive films formed inside the substrate is built in, and high-frequency noise is also removed. This capacitor can be formed by a conventional method of manufacturing a multilayer substrate, and low cost is achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のサージアブソーバの第1実施形態にお
ける、キャップを一部破断して内部構造を示す斜視図で
ある。
FIG. 1 is a perspective view showing an internal structure of a surge absorber according to a first embodiment of the present invention with a cap partially cut away.

【図2】本発明のサージアブソーバの第1実施形態にお
ける、キャップを透視して示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the surge absorber according to the first embodiment of the present invention as seen through a cap.

【図3】本発明のサージアブソーバの第1実施形態にお
ける、図1、図2に矢印A−Aで示す方向に見た断面図
である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the surge absorber according to the first embodiment of the present invention, as viewed in a direction indicated by arrows AA in FIGS. 1 and 2;

【図4】本発明のサージアブソーバの第2実施形態の断
面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a second embodiment of the surge absorber according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 第1の電極 3 マイクロギャップ 4 第2の電極 5 導電膜 6 キャップ 7 フリットガラス 8 第1の端子 9 第2の端子 10 導体膜 11 スルーホール 12,13,14 導体膜 15 多層基板 16 ビアホール 17,18 導体膜 Reference Signs List 1 substrate 2 first electrode 3 micro gap 4 second electrode 5 conductive film 6 cap 7 frit glass 8 first terminal 9 second terminal 10 conductive film 11 through hole 12, 13, 14 conductive film 15 multilayer substrate 16 Via holes 17, 18 Conductive film

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────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成8年9月30日[Submission date] September 30, 1996

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0016】図4は、本発明のサージアブソーバの第2
実施形態の断面図である。ここでは、絶縁性基板とし
て、従来公知の技術により製造された、内部に導体膜1
7,18、ビアホール16が形成された多層基板15を
用い、上述の第1実施形態と同様に、基板15の表面お
よび裏面にそれぞれ導体膜10および導体膜12を形成
し、基板15の側面に第1および第2の端子8,9を形
成し、基板15上に導電膜5としてTiNをスパッタリ
ングによって付着させた後、フォトエッチングによって
幅約50μmの円形マイクロギャップ3を形成するとと
もに導電膜5を所望の円形状に成形し、第1の電極2及
び第2の電極4をマイクロギャップ3と同心円状に導電
膜5に取りつける。
FIG. 4 shows a second embodiment of the surge absorber of the present invention.
It is a sectional view of an embodiment. Here, as the insulating substrate, a conductive film 1 is formed inside by a conventionally known technique.
7, 18, using a multi-layer substrate 15 via hole 16 is formed, similarly to the first embodiment described above, respectively to form a conductive film 10 and the conductor film 12 on the front and back surfaces of the substrate 15, the side surface of the substrate 15 After forming the first and second terminals 8 and 9 and depositing TiN as a conductive film 5 on the substrate 15 by sputtering, a circular microgap 3 having a width of about 50 μm is formed by photoetching and the conductive film 5 is formed. The first electrode 2 and the second electrode 4 are formed in a desired circular shape, and are attached to the conductive film 5 concentrically with the micro gap 3.

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0017[Correction target item name] 0017

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0017】さらに、アルミナセラミック製のキャップ
6をフリットガラス7にて溶着することにより、マイク
ロギャップ3をArガス中に封じ込める。第1の電極2
と基板15内部の導体膜18は、基板15に設けられた
ビアホール16によって互いに接続され、さらに導体膜
18の一部が第1の端子8側の基板端面に露出すること
によって第1の端子8に接続されている。
Further, the cap 6 made of alumina ceramic is welded with frit glass 7 to seal the micro gap 3 in Ar gas. First electrode 2
A substrate 15 inside the conductive film 18 are connected to each other by via holes 16 provided in the substrate 15, the first terminal 8 by further part of the conductor film 18 is exposed to the substrate end face of the first terminal 8 side It is connected to the.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0018[Correction target item name] 0018

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0018】また、基板15内部に形成された導体膜1
7は一部が第2の端子9側の基板端面に露出することに
よって第2の端子9に接続しており、これと導体膜10
とによって第2の電極4と接続している。このように、
この第2実施形態においても、第1実施形態と同様、外
形が平板状であって表面実装に適し、かつ繰り返し放電
に対する信頼性が高く、しかも高周波ノイズも吸収する
サージアブソーバが実現する。
The conductor film 1 formed inside the substrate 15
7 is connected to the second terminal 9 by being partially exposed to the end face of the substrate on the side of the second terminal 9.
Are connected to the second electrode 4. in this way,
In the second embodiment, as in the first embodiment, a surge absorber that has a flat outer shape, is suitable for surface mounting, has high reliability against repeated discharge, and absorbs high-frequency noise is also realized.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 平板状の絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に、円環状のギャップを有し該ギャッ
プと同心の円板状に形成された導電膜と、 前記導電膜の中心部に配置された第1の電極と、 前記導電膜の周縁部に配置された、前記ギャップと同心
円をなす円環状の第2の電極と、 前記絶縁性基板と協同して、前記導電膜、前記第1の電
極および前記第2の電極を、内部に所定のガスが充填さ
れた状態に密封する気密性被冠材と、 前記気密性被冠材の外部に配置された、前記第1の電極
に電気的に接続されてなる第1の端子と、 前記気密性被冠材の外部に配置された、前記第2の電極
に電気的に接続されてなる第2の端子と、 少なくとも1枚が前記絶縁性基板の内部に広がるととも
に互いに平行に広がる複数枚の導体膜からなる、前記第
1の端子と前記第2の端子との間に形成されたコンデン
サとを備えたことを特徴とするサージアブソーバ。
1. A flat insulating substrate, a conductive film having a circular gap formed on the insulating substrate and formed concentrically with the gap, and a central portion of the conductive film A first electrode disposed; an annular second electrode disposed at a peripheral portion of the conductive film and forming a concentric circle with the gap; and cooperating with the insulating substrate, the conductive film, A hermetic capping member for sealing the first electrode and the second electrode in a state in which a predetermined gas is filled therein; and a first electrode disposed outside the hermetic capping material. A first terminal electrically connected; a second terminal disposed outside the hermetic capping material and electrically connected to the second electrode; A first conductive film extending in the insulating substrate and extending in parallel with each other; Surge absorber, characterized in that a capacitor formed between the child second terminal.
JP8225599A 1996-08-27 1996-08-27 surge absorber Withdrawn JPH1069961A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828669B2 (en) * 2000-01-13 2004-12-07 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Interconnection substrate having metal columns covered by a resin film, and manufacturing method thereof
WO2009136535A1 (en) * 2008-05-08 2009-11-12 株式会社 村田製作所 Substrate incorporating esd protection function

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