JPH1070102A - 半導体基板のエッチング方法及び装置 - Google Patents
半導体基板のエッチング方法及び装置Info
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- JPH1070102A JPH1070102A JP9151585A JP15158597A JPH1070102A JP H1070102 A JPH1070102 A JP H1070102A JP 9151585 A JP9151585 A JP 9151585A JP 15158597 A JP15158597 A JP 15158597A JP H1070102 A JPH1070102 A JP H1070102A
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- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H10P72/0424—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板１１の表面１２にレジストを塗布
しない場合に半導体基板の裏面１３上の厚い膜もエッチ
ングすることのできるエッチング装置を提供する。 【解決手段】 エッチング液１５は微細な液滴の形で半
導体基板１１の裏面１３上に吹付けられ、半導体基板１
１は１００℃以下に加熱される。
しない場合に半導体基板の裏面１３上の厚い膜もエッチ
ングすることのできるエッチング装置を提供する。 【解決手段】 エッチング液１５は微細な液滴の形で半
導体基板１１の裏面１３上に吹付けられ、半導体基板１
１は１００℃以下に加熱される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面にレジストを
塗布しない半導体基板の裏面のエッチング方法ならびに
このエッチング方法に好適なエッチング装置に関する。
塗布しない半導体基板の裏面のエッチング方法ならびに
このエッチング方法に好適なエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５
０２７７７号公報により、半導体基板の裏面上の除去す
べき膜を、フッ素含有化合物を使用してマイクロ波法又
はＲＦ励起式ケミカルダウンストリーム（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ−Ｄｏｗｎ−Ｓｔｒｅａｍ）法によってエッチング
する方法及び装置が既に知られている。この方法の場
合、エッチング速度が低すぎるために厚い熱酸化膜を除
去することができないという欠点がある。
０２７７７号公報により、半導体基板の裏面上の除去す
べき膜を、フッ素含有化合物を使用してマイクロ波法又
はＲＦ励起式ケミカルダウンストリーム（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ−Ｄｏｗｎ−Ｓｔｒｅａｍ）法によってエッチング
する方法及び装置が既に知られている。この方法の場
合、エッチング速度が低すぎるために厚い熱酸化膜を除
去することができないという欠点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、厚い
膜、特に厚い熱酸化膜も除去できるように冒頭で述べた
種類のエッチング方法ならびにエッチング装置を改良す
ることにある。
膜、特に厚い熱酸化膜も除去できるように冒頭で述べた
種類のエッチング方法ならびにエッチング装置を改良す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば、表面にレジストを塗布しない半導体基板の裏面の
エッチング方法であって、 ａ）半導体基板を処理室内に導入し、 ｂ）半導体基板の表面上に保護ガスを導き、 ｃ）半導体基板の裏面上にエッチング液を吹付け、エッ
チング生成物及び過剰のエッチング液成分を排出するよ
うにした半導体基板のエッチング方法によって解決され
る。
れば、表面にレジストを塗布しない半導体基板の裏面の
エッチング方法であって、 ａ）半導体基板を処理室内に導入し、 ｂ）半導体基板の表面上に保護ガスを導き、 ｃ）半導体基板の裏面上にエッチング液を吹付け、エッ
チング生成物及び過剰のエッチング液成分を排出するよ
うにした半導体基板のエッチング方法によって解決され
る。
【０００５】このような“準ドライ”法を採用すること
によって、厚い膜も経済的に除去することができる。
によって、厚い膜も経済的に除去することができる。
【０００６】本発明による方法においては、半導体基板
及び／又は処理室が１００℃以下の温度に加熱されると
好適である。これによって、エッチング液は半導体基板
の裏面上の除去すべき膜と化学的に良好に反応すること
ができ、エッチング液の液滴が半導体基板もしくは処理
室の壁上に生じないことが保証される。半導体基板及び
処理室を引き続いて洗浄することは省略することができ
る。
及び／又は処理室が１００℃以下の温度に加熱されると
好適である。これによって、エッチング液は半導体基板
の裏面上の除去すべき膜と化学的に良好に反応すること
ができ、エッチング液の液滴が半導体基板もしくは処理
室の壁上に生じないことが保証される。半導体基板及び
処理室を引き続いて洗浄することは省略することができ
る。
【０００７】表面にレジストを塗布しない半導体基板の
裏面をエッチングするための本発明によるエッチング装
置は、 α）導入された半導体基板によって、半導体基板の表面
を含む第１の処理室部と半導体基板の裏面を含む第２の
処理室部とに分割される処理室と、 β）第１の処理室部の領域に配置され、レジストを塗布
しない半導体基板の表面をエッチング作用から保護する
ために保護ガスをこの半導体基板表面上に導入する保護
ガス流入口と、 γ）第２の処理室部の領域に配置され、エッチング液を
半導体基板の裏面上に吹付けるエッチング液噴霧器とか
ら構成される。
裏面をエッチングするための本発明によるエッチング装
置は、 α）導入された半導体基板によって、半導体基板の表面
を含む第１の処理室部と半導体基板の裏面を含む第２の
処理室部とに分割される処理室と、 β）第１の処理室部の領域に配置され、レジストを塗布
しない半導体基板の表面をエッチング作用から保護する
ために保護ガスをこの半導体基板表面上に導入する保護
ガス流入口と、 γ）第２の処理室部の領域に配置され、エッチング液を
半導体基板の裏面上に吹付けるエッチング液噴霧器とか
ら構成される。
【０００８】さらに、本発明によるエッチング装置にお
いては、半導体基板及び／又は処理室を加熱するための
加熱手段を設けることができる。このような加熱手段は
例えば加熱ランプである。
いては、半導体基板及び／又は処理室を加熱するための
加熱手段を設けることができる。このような加熱手段は
例えば加熱ランプである。
【０００９】また半導体基板の加熱は半導体基板上への
保護ガスによる熱伝達によっても行うことができる。そ
のためには約１００℃の温度が特に好適であることが判
明している。というのは、過剰なもしくは半導体基板の
横側に到達したエッチング液滴が直ちに蒸発し、従って
半導体基板及び処理室がエッチングの終了後直ちに再び
乾燥するからである。
保護ガスによる熱伝達によっても行うことができる。そ
のためには約１００℃の温度が特に好適であることが判
明している。というのは、過剰なもしくは半導体基板の
横側に到達したエッチング液滴が直ちに蒸発し、従って
半導体基板及び処理室がエッチングの終了後直ちに再び
乾燥するからである。
【００１０】さらに、半導体基板の周縁部の領域に設け
られた環状空所を介して処理室に排気装置又は吸引装置
を接続することができる。これによって、エッチング生
成物及び過剰なエッチング液は直接発生したところから
排出される。
られた環状空所を介して処理室に排気装置又は吸引装置
を接続することができる。これによって、エッチング生
成物及び過剰なエッチング液は直接発生したところから
排出される。
【００１１】優れた一実施態様においては、第２の処理
室部の領域に少なくとも３本のピンが設けられ、このピ
ン上に半導体基板の裏面が載せられる。第１の処理室部
の領域には半導体基板の表面の上方の中央に位置する少
なくとも１つの中心開口部を備えた上板を設けると好適
である。ピンを設けること及び上板を設けることによっ
て、一方では、エッチングすべき半導体基板の裏面の多
くの部分を覆うことなく、半導体基板を処理室内に良好
に設置することが保証され、他方では半導体基板の表面
に保護ガスを充分に溢流させることが保証される。
室部の領域に少なくとも３本のピンが設けられ、このピ
ン上に半導体基板の裏面が載せられる。第１の処理室部
の領域には半導体基板の表面の上方の中央に位置する少
なくとも１つの中心開口部を備えた上板を設けると好適
である。ピンを設けること及び上板を設けることによっ
て、一方では、エッチングすべき半導体基板の裏面の多
くの部分を覆うことなく、半導体基板を処理室内に良好
に設置することが保証され、他方では半導体基板の表面
に保護ガスを充分に溢流させることが保証される。
【００１２】本発明によるエッチング装置がいわゆるマ
ルチチャンバ装置に組込まれ、エッチングすべき半導体
基板の搬入及び搬出が完全に自動的に行われ、このマル
チチャンバ装置内で他のもしくは上述のプロセスの工程
を直接行うことができるようにすると好適である。
ルチチャンバ装置に組込まれ、エッチングすべき半導体
基板の搬入及び搬出が完全に自動的に行われ、このマル
チチャンバ装置内で他のもしくは上述のプロセスの工程
を直接行うことができるようにすると好適である。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。図１は本発明による装置の概略図を示す。
説明する。図１は本発明による装置の概略図を示す。
【００１４】図１によれば、本発明によるエッチング装
置１は処理室２に接続された排気室（図示されていな
い）を有している。
置１は処理室２に接続された排気室（図示されていな
い）を有している。
【００１５】処理室２内には、裏面１３及びレジストを
塗布しない表面１２を有する半導体基板１１が導入され
ている。
塗布しない表面１２を有する半導体基板１１が導入され
ている。
【００１６】この実施例においては、レジストを塗布し
ない半導体基板１１の表面１２はその面が上方へ向けら
れている、すなわちその半導体基板１１の表面１２は加
工されていない状態で処理室内へ導入されている。
ない半導体基板１１の表面１２はその面が上方へ向けら
れている、すなわちその半導体基板１１の表面１２は加
工されていない状態で処理室内へ導入されている。
【００１７】導入された半導体基板１１によって、処理
室２は半導体基板の表面１２を含む第１の処理室部３と
半導体基板の裏面１３を含む第２の処理室部４とに分割
される。
室２は半導体基板の表面１２を含む第１の処理室部３と
半導体基板の裏面１３を含む第２の処理室部４とに分割
される。
【００１８】第２の処理室部４内には３本のピン８から
構成された保持装置が設けられており、この保持装置上
に半導体基板の裏面１３が載せられている。
構成された保持装置が設けられており、この保持装置上
に半導体基板の裏面１３が載せられている。
【００１９】第１の処理室部３の領域には、半導体基板
の表面１２の上方の中央に位置する中心開口部１０を備
えた上板９が配置されている。
の表面１２の上方の中央に位置する中心開口部１０を備
えた上板９が配置されている。
【００２０】この開口部１０を通って、第１の処理室部
３の領域に配置された入口５から流入する保護ガス１６
がレジストを塗布しない半導体基板の表面１２上に流
れ、この表面１２をエッチング作用から保護する。
３の領域に配置された入口５から流入する保護ガス１６
がレジストを塗布しない半導体基板の表面１２上に流
れ、この表面１２をエッチング作用から保護する。
【００２１】第２の処理室部４の領域にはエッチング液
噴霧器６が配置されており、このエッチング液噴霧器６
によってエッチング液１５が半導体基板の裏面１３上に
微細な液滴の形態で吹付けられる。
噴霧器６が配置されており、このエッチング液噴霧器６
によってエッチング液１５が半導体基板の裏面１３上に
微細な液滴の形態で吹付けられる。
【００２２】本来のエッチング工程で生成されたエッチ
ング生成物ならびに過剰なエッチング液は、半導体基板
の周縁部１４と同じ高さで処理室２に設けられた環状空
所７を介して処理室２に接続された排気装置によって吸
引される。
ング生成物ならびに過剰なエッチング液は、半導体基板
の周縁部１４と同じ高さで処理室２に設けられた環状空
所７を介して処理室２に接続された排気装置によって吸
引される。
【００２３】半導体基板１１は保護ガスによる熱伝達に
よって約１００℃の温度に加熱される。この場合、半導
体基板の裏面１３上の除去すべき膜は厚い熱ＳｉＯ2 膜
であり、使用されたエッチング液１５はその主成分が約
５０重量％のフッ化水素酸（ＨＦ）を含む水溶液であ
る。このＳｉＯ2 膜のエッチング中、エッチング液１５
は下方から微細な液滴の形で加熱された半導体基板１１
上に吹付けられる。そこでその液滴は半導体基板の裏面
１３上のＳｉＯ2 と反応し、両者すなわちエッチング生
成物及び水と過剰なフッ化水素酸は加熱された半導体基
板１１上で蒸発し、その後環状空所７を介して吸引され
る。
よって約１００℃の温度に加熱される。この場合、半導
体基板の裏面１３上の除去すべき膜は厚い熱ＳｉＯ2 膜
であり、使用されたエッチング液１５はその主成分が約
５０重量％のフッ化水素酸（ＨＦ）を含む水溶液であ
る。このＳｉＯ2 膜のエッチング中、エッチング液１５
は下方から微細な液滴の形で加熱された半導体基板１１
上に吹付けられる。そこでその液滴は半導体基板の裏面
１３上のＳｉＯ2 と反応し、両者すなわちエッチング生
成物及び水と過剰なフッ化水素酸は加熱された半導体基
板１１上で蒸発し、その後環状空所７を介して吸引され
る。
【００２４】この場合保護ガス１６として窒素が使用さ
れる。しかしまたアルゴン又は他の不活性ガスを使用し
てもよい。本来のエッチング反応は比較的高い温度で行
われるので、エッチングはとりわけエッチング液にアル
コールを添加すると残滓が残らない。
れる。しかしまたアルゴン又は他の不活性ガスを使用し
てもよい。本来のエッチング反応は比較的高い温度で行
われるので、エッチングはとりわけエッチング液にアル
コールを添加すると残滓が残らない。
【図１】本発明によるエッチング装置の概略断面図。
１ エッチング装置 ２ 処理室 ３ 第１の処理室部 ４ 第２の処理室部 ５ 保護ガス流入口 ６ エッチング液噴霧器 ７ 環状空所 ８ ピン ９ 上板 １０ 開口部 １１ 半導体基板 １２ 半導体基板の表面 １３ 半導体基板の裏面 １４ 半導体基板の周縁部 １５ エッチング液 １６ 保護ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨーゼフ マツーニ ドイツ連邦共和国 81737 ミユンヘン シユターデマンシユトラーセ 37 (72)発明者 アレクサンダー グシユワントナー ドイツ連邦共和国 80687 ミユンヘン エルゼンハイマーシユトラーセ 18
Claims (9)
- 【請求項１】 表面（１２）にレジストを塗布しない半
導体基板（１１）の裏面（１３）のエッチング方法であ
って、 ａ）半導体基板（１１）を処理室（２）内に導入し、 ｂ）半導体基板の表面（１２）上に保護ガス（１６）を
導き、 ｃ）半導体基板の裏面（１３）上にエッチング液（１
５）を吹付け、エッチング生成物及び過剰なエッチング
液成分を排出することを特徴とする半導体基板のエッチ
ング方法。 - 【請求項２】 半導体基板（１１）は１００℃以下の温
度に加熱されることを特徴とする請求項１記載のエッチ
ング方法。 - 【請求項３】 表面（１２）にレジストを塗布しない半
導体基板（１１）の裏面（１３）のエッチング装置であ
って、 α）導入された半導体基板（１１）によって、半導体基
板の表面（１２）を含む第１の処理室部（３）と半導体
基板の裏面（１３）を含む第２の処理室部（４）とに分
割される処理室（２）と、 β）第１の処理室部（３）の領域に配置され、レジスト
を塗布しない半導体基板の表面（１２）をエッチング作
用から保護するために保護ガス（１６）をこの半導体基
板の表面（１２）上に導入する保護ガス流入口（５）
と、 γ）第２の処理室部（４）の領域に配置され、エッチン
グ液（１５）を半導体基板の裏面（１３）上に吹付ける
エッチング液噴霧器（６）とから構成されることを特徴
とする半導体基板のエッチング装置。 - 【請求項４】 半導体基板及び／又は処理室を加熱する
ための加熱手段が設けられていることを特徴とする請求
項３記載のエッチング装置。 - 【請求項５】 半導体基板（１１）の周縁部（１４）の
領域に設けられた環状空所（７）を介して処理室（２）
に吸引装置が接続されていることを特徴とする請求項３
又は４記載のエッチング装置。 - 【請求項６】 第２の処理室部（４）の領域に少なくと
も３本のピン（８）が設けられており、このピン（８）
上に半導体基板（１１）の裏面（１３）が載せられるこ
とを特徴とする請求項３乃至５の１つに記載のエッチン
グ装置。 - 【請求項７】 第１の処理室部（３）の領域に半導体基
板（１１）の表面（１２）の上方の中央に位置する少な
くとも１つの中心開口部（１０）を備えた上板（９）が
設けられており、その中心開口部（１０）を通って保護
ガス（１６）が流入することを特徴とする請求項３乃至
６の１つに記載のエッチング装置。 - 【請求項８】 エッチング装置はマルチチャンバ装置の
構成要素であることを特徴とする請求項３乃至７の１つ
に記載のエッチング装置。 - 【請求項９】 表面（１２）にレジストを塗布しない半
導体基板（１１）の裏面（１３）上の熱酸化膜をエッチ
ングするために、５０重量％以下のフッ化水素を含むエ
ッチング水溶液を使用することを特徴とする半導体基板
のエッチング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19621399.1 | 1996-05-28 | ||
| DE19621399A DE19621399A1 (de) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | Verfahren zum Ätzen eines Halbleitersubstrats sowie Ätzanlage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070102A true JPH1070102A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3161996B2 JP3161996B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=7795505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15158597A Expired - Fee Related JP3161996B2 (ja) | 1996-05-28 | 1997-05-26 | 半導体基板のエッチング方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5874366A (ja) |
| EP (1) | EP0810642A3 (ja) |
| JP (1) | JP3161996B2 (ja) |
| KR (1) | KR970077289A (ja) |
| DE (1) | DE19621399A1 (ja) |
| TW (1) | TW373260B (ja) |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
| US5993681A (en) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Lucent Technology, Inc. | Method and apparatus for aiming a spray etcher nozzle |
| US6147004A (en) * | 1998-07-21 | 2000-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Jet vapor reduction of the thickness of process layers |
| US5939336A (en) * | 1998-08-21 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aqueous solutions of ammonium fluoride in propylene glycol and their use in the removal of etch residues from silicon substrates |
| KR100292075B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2001-07-12 | 윤종용 | 반도체소자제조용웨이퍼처리장치 |
| TW511172B (en) * | 1999-07-19 | 2002-11-21 | Winbond Electronics Corp | Machine for etching wafer edge and its etching method |
| TWI270116B (en) * | 2002-03-06 | 2007-01-01 | Winbond Electronics Corp | Method for removing Si-needle of deep trench |
| US7288465B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-10-30 | International Business Machines Corpoartion | Semiconductor wafer front side protection |
| KR100580062B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2006-05-12 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 화학기상성장장치 및 막 성장방법 |
| CN112864013B (zh) * | 2021-01-18 | 2023-10-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体器件处理方法 |
| WO2025173152A1 (en) * | 2024-02-15 | 2025-08-21 | Hitachi High-Tech Corporation | An etching processing method, a processing method and a semiconductor manufacturing system |
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|---|---|---|---|---|
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| US4600463A (en) * | 1985-01-04 | 1986-07-15 | Seiichiro Aigo | Treatment basin for semiconductor material |
| AT389959B (de) * | 1987-11-09 | 1990-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben |
| DE3811068C2 (de) * | 1988-03-31 | 1995-07-20 | Telefunken Microelectron | Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben |
| US4857142A (en) * | 1988-09-22 | 1989-08-15 | Fsi International, Inc. | Method and apparatus for controlling simultaneous etching of front and back sides of wafers |
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| JPH07307335A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-11-21 | Siemens Ag | 半導体基板上における高密度集積回路の製造方法 |
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-
1996
- 1996-05-28 DE DE19621399A patent/DE19621399A1/de not_active Ceased
-
1997
- 1997-05-22 EP EP97108338A patent/EP0810642A3/de not_active Withdrawn
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