JPH1070301A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
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- JPH1070301A JPH1070301A JP8226771A JP22677196A JPH1070301A JP H1070301 A JPH1070301 A JP H1070301A JP 8226771 A JP8226771 A JP 8226771A JP 22677196 A JP22677196 A JP 22677196A JP H1070301 A JPH1070301 A JP H1070301A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速性、高光感度性を保ち、電磁シールド効
果を有する、光センサーに好適な受光素子を提供する。 【解決手段】 抵抗値が５００Ωｃｍ以上の低不純物濃
度を有したＰ型導電性の半導体基板を用い、その裏面に
Ｐ型高濃度層を設ける。表面側の略中央部に受光部を形
成し、その受光部の更に表面に受光部より広い面積で設
けられたシート抵抗が２０ＫΩ／ロ以下のＰ型高濃度薄
層と、それを囲繞するＰ型高濃度層とを設ける。またそ
の周辺を覆う導電体の中にその素子を配置し、導電体と
高濃度薄層をグランド電位に接続する。
果を有する、光センサーに好適な受光素子を提供する。 【解決手段】 抵抗値が５００Ωｃｍ以上の低不純物濃
度を有したＰ型導電性の半導体基板を用い、その裏面に
Ｐ型高濃度層を設ける。表面側の略中央部に受光部を形
成し、その受光部の更に表面に受光部より広い面積で設
けられたシート抵抗が２０ＫΩ／ロ以下のＰ型高濃度薄
層と、それを囲繞するＰ型高濃度層とを設ける。またそ
の周辺を覆う導電体の中にその素子を配置し、導電体と
高濃度薄層をグランド電位に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光センサーに好適な
電磁シールド効果を有した受光素子に関する。
電磁シールド効果を有した受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より赤外線リモコンや短距離光通信
の受信部を構成する光センサーに用いられる受光素子に
おいては、例えば実公平５−３６１８１号公報に示され
るように、素子の前方に金属メッシュや導電性フィルム
を配置してグランド電位に接続し、あるいは素子の表面
に透明電極等で電磁シールドを施して、金属ケースに収
納したり樹脂モールドを行っていた。
の受信部を構成する光センサーに用いられる受光素子に
おいては、例えば実公平５−３６１８１号公報に示され
るように、素子の前方に金属メッシュや導電性フィルム
を配置してグランド電位に接続し、あるいは素子の表面
に透明電極等で電磁シールドを施して、金属ケースに収
納したり樹脂モールドを行っていた。
【０００３】一方、受光素子と受光信号処理回路をモノ
リシックに組み込む場合、特公平７−１２０７６１号公
報などに示されるように、受光信号処理回路のゲートや
ソースを形成するときに同時に受光素子の表面に高濃度
層を形成し、この高濃度層で配線と同時にシールドをさ
せようとするものがある。
リシックに組み込む場合、特公平７−１２０７６１号公
報などに示されるように、受光信号処理回路のゲートや
ソースを形成するときに同時に受光素子の表面に高濃度
層を形成し、この高濃度層で配線と同時にシールドをさ
せようとするものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、受光素
子組立て体の中に電磁シールドを埋め込むものはメッシ
ュやフィルムの位置ずれ防止や配線などが煩雑であり、
素子表面に透明電極等を設けるとそのシールド用電極と
素子表面の間でコンデンサーを形成してしまい、電気容
量の増大となって、受信感度が低下し、光通信にあって
は通信可能到達距離が著しく短くなるという不都合があ
る。
子組立て体の中に電磁シールドを埋め込むものはメッシ
ュやフィルムの位置ずれ防止や配線などが煩雑であり、
素子表面に透明電極等を設けるとそのシールド用電極と
素子表面の間でコンデンサーを形成してしまい、電気容
量の増大となって、受信感度が低下し、光通信にあって
は通信可能到達距離が著しく短くなるという不都合があ
る。
【０００５】一方、受光素子と受光信号処理回路をモノ
リシックに組み込む場合、受光素子に求められる光電気
特性に対応する層の深さや不純物濃度と、回路部分に求
められるドーパントや不純物濃度が異なり、あるいはこ
れら受光素子と回路部分の間のマッチングが取れなくな
るので、理論的にはシールド層を配線に利用することは
可能であるが、光信号の減衰やＳ／Ｎ比低下を生じるこ
ととなった。更にこのようなモノリシック受光素子は、
製造プロセスが回路部分に制約されるので、受光素子の
応答性が悪くなっていた。
リシックに組み込む場合、受光素子に求められる光電気
特性に対応する層の深さや不純物濃度と、回路部分に求
められるドーパントや不純物濃度が異なり、あるいはこ
れら受光素子と回路部分の間のマッチングが取れなくな
るので、理論的にはシールド層を配線に利用することは
可能であるが、光信号の減衰やＳ／Ｎ比低下を生じるこ
ととなった。更にこのようなモノリシック受光素子は、
製造プロセスが回路部分に制約されるので、受光素子の
応答性が悪くなっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点を考慮
してなされたもので、低不純物濃度を有したＰ型導電性
の半導体基板を用い、その半導体基板の裏面に設けられ
たＰ型高濃度層と、その半導体基板の表面側の略中央部
に受光部として設けられたＮ型高濃度層と、そのＮ型高
濃度層の更に表面にそのＮ型高濃度層より広い面積で設
けられたシート抵抗が低いＰ型高濃度薄層と、半導体基
板の表面においてＰ型高濃度薄層の周囲を囲繞するＰ型
高濃度層とを設けたもので、受光部表面のＰ型高濃度薄
層がシールド効果を有するＰＩＮ受光素子が得られ、さ
らに、この様な素子の周辺をその受光部表面のＰ型高濃
度薄層と等電位に接続された導電性材料で覆う（包囲す
る）とより好ましい。
してなされたもので、低不純物濃度を有したＰ型導電性
の半導体基板を用い、その半導体基板の裏面に設けられ
たＰ型高濃度層と、その半導体基板の表面側の略中央部
に受光部として設けられたＮ型高濃度層と、そのＮ型高
濃度層の更に表面にそのＮ型高濃度層より広い面積で設
けられたシート抵抗が低いＰ型高濃度薄層と、半導体基
板の表面においてＰ型高濃度薄層の周囲を囲繞するＰ型
高濃度層とを設けたもので、受光部表面のＰ型高濃度薄
層がシールド効果を有するＰＩＮ受光素子が得られ、さ
らに、この様な素子の周辺をその受光部表面のＰ型高濃
度薄層と等電位に接続された導電性材料で覆う（包囲す
る）とより好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明実施例の受光素子の
載置状態の側面模式図、図２はその受光素子の平面図で
ある。これらの図において、１は、抵抗値が５００Ωｃ
ｍ以上の低不純物濃度の半導体基板で、厚さ１８０乃至
４００μｍのＰ型Ｓｉからなる素子基板である。この半
導体基板１の抵抗値は、バイアス電圧を印加したときに
空乏層が層の厚み全体に広がって受信感度を良好に保つ
のに有効な値で、好ましくは８００〜１２００Ωｃｍで
ある。２は、半導体基板１の表面側の略中央部に受光部
として設けられたＮ型高濃度層で、図の例では略正方形
に設けられている。この受光部であるＮ型高濃度層２
は、その表面の一部からＮ型オーミック電極２１が接続
されており、例えば燐（Ｐ）を深さ１〜５μｍに拡散す
ることにより不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3程度に設け
られたものである。
載置状態の側面模式図、図２はその受光素子の平面図で
ある。これらの図において、１は、抵抗値が５００Ωｃ
ｍ以上の低不純物濃度の半導体基板で、厚さ１８０乃至
４００μｍのＰ型Ｓｉからなる素子基板である。この半
導体基板１の抵抗値は、バイアス電圧を印加したときに
空乏層が層の厚み全体に広がって受信感度を良好に保つ
のに有効な値で、好ましくは８００〜１２００Ωｃｍで
ある。２は、半導体基板１の表面側の略中央部に受光部
として設けられたＮ型高濃度層で、図の例では略正方形
に設けられている。この受光部であるＮ型高濃度層２
は、その表面の一部からＮ型オーミック電極２１が接続
されており、例えば燐（Ｐ）を深さ１〜５μｍに拡散す
ることにより不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3程度に設け
られたものである。
【０００８】３は、半導体基板１の裏面に設けられたＰ
型高濃度層で、Ｐ型オーミック電極４を設ける場合に必
要なもので、ホウ素（Ｂ）を拡散し、不純物濃度が略１
×１０20ｃｍ-3となるように設けられている。従って、
Ｐ型電極を表面側から取り出す場合などにはこのＰ型高
濃度層３は不要である。
型高濃度層で、Ｐ型オーミック電極４を設ける場合に必
要なもので、ホウ素（Ｂ）を拡散し、不純物濃度が略１
×１０20ｃｍ-3となるように設けられている。従って、
Ｐ型電極を表面側から取り出す場合などにはこのＰ型高
濃度層３は不要である。
【０００９】５は、Ｎ型高濃度層２の更に表面に設けら
れたＰ型高濃度薄層で、Ｎ型高濃度層２の表面側の大部
分を覆うようにＮ型高濃度層２より広い面積で設けら
れ、深さはＮ型高濃度層２より浅く、例えば０．５〜２
μｍである。このようなＰ型高濃度薄層５は、ホウ素
（Ｂ）を拡散して得られるが、導電性を得るために例え
ば表面抵抗が３０Ω／ロとなっている。好ましくは、シ
ート抵抗が２０ＫΩ／ロ以下となるように構成されてい
る。そしてＰ型高濃度薄層５はシールド電極５１にオー
ミック接触している。
れたＰ型高濃度薄層で、Ｎ型高濃度層２の表面側の大部
分を覆うようにＮ型高濃度層２より広い面積で設けら
れ、深さはＮ型高濃度層２より浅く、例えば０．５〜２
μｍである。このようなＰ型高濃度薄層５は、ホウ素
（Ｂ）を拡散して得られるが、導電性を得るために例え
ば表面抵抗が３０Ω／ロとなっている。好ましくは、シ
ート抵抗が２０ＫΩ／ロ以下となるように構成されてい
る。そしてＰ型高濃度薄層５はシールド電極５１にオー
ミック接触している。
【００１０】６は半導体基板１の表面においてＰ型高濃
度薄層５の周囲を囲繞するＰ型高濃度層で、受光部表面
のＰ型高濃度薄層５と分離され、不純物濃度が略１×１
０20ｃｍ-3で深さが１〜７μｍとＰ型高濃度薄層５より
も深いほうが好ましい。そしてその囲繞Ｐ型高濃度層６
の上方において、Ｐ型高濃度層６を覆うように、前述の
シールド電極５１を口字状に配置してある。なお表面に
は、表面保護及び不所望の反射防止のために、二酸化シ
リコンとか窒化シリコンからなる絶縁膜１１が設けてあ
り、電極２１、５１がオーミックを取る部分においては
フォトリソグラフィ技術などを用いて透孔が設けてあ
る。
度薄層５の周囲を囲繞するＰ型高濃度層で、受光部表面
のＰ型高濃度薄層５と分離され、不純物濃度が略１×１
０20ｃｍ-3で深さが１〜７μｍとＰ型高濃度薄層５より
も深いほうが好ましい。そしてその囲繞Ｐ型高濃度層６
の上方において、Ｐ型高濃度層６を覆うように、前述の
シールド電極５１を口字状に配置してある。なお表面に
は、表面保護及び不所望の反射防止のために、二酸化シ
リコンとか窒化シリコンからなる絶縁膜１１が設けてあ
り、電極２１、５１がオーミックを取る部分においては
フォトリソグラフィ技術などを用いて透孔が設けてあ
る。
【００１１】この様な受光素子は、導電接着剤７を用い
てフレーム８に固着されるが、素子の側面から入射する
ノイズを対策するために、金属フレームなどの導電性材
料９で素子の側面を包囲するのが好ましく、受光部表面
のＰ型高濃度薄層５のシールド電極５１と導電性材料９
をワイヤボンド線等で接続して等電位面とするのが最も
好ましい。
てフレーム８に固着されるが、素子の側面から入射する
ノイズを対策するために、金属フレームなどの導電性材
料９で素子の側面を包囲するのが好ましく、受光部表面
のＰ型高濃度薄層５のシールド電極５１と導電性材料９
をワイヤボンド線等で接続して等電位面とするのが最も
好ましい。
【００１２】かかる構成において、受光素子はいわゆる
ＰＩＮフォトダイオードを形成し、受光感度が高く取れ
る構成となっており、しかも効果的な電磁シールド効果
をもたらすことができる。図３は、この受光部表面のＰ
型高濃度薄層６の表面抵抗値と、この受光素子を赤外線
受光モジュールに組み込んだときの信号到達距離の相関
図であり、受光部表面のＰ型高濃度薄層６の表面抵抗値
が１０ＫΩ／ロ以下で特に優れた効果があることを示し
ている。また、テレビ受像機とインバータ螢光灯をノイ
ズ源として配置してノイズ耐性を調べた。その結果、本
発明の受光素子をそのまま使用した場合、ロット平均で
ノイズ源から１６ｍｍはなれた場所で受光モジュールの
出力にノイズの影響が現れたが、受光素子の周囲に導電
性材料９を設けた場合、受光モジュールをノイズ源ケー
ス（外箱）に当接させても、その出力にノイズの影響は
現れなかった。
ＰＩＮフォトダイオードを形成し、受光感度が高く取れ
る構成となっており、しかも効果的な電磁シールド効果
をもたらすことができる。図３は、この受光部表面のＰ
型高濃度薄層６の表面抵抗値と、この受光素子を赤外線
受光モジュールに組み込んだときの信号到達距離の相関
図であり、受光部表面のＰ型高濃度薄層６の表面抵抗値
が１０ＫΩ／ロ以下で特に優れた効果があることを示し
ている。また、テレビ受像機とインバータ螢光灯をノイ
ズ源として配置してノイズ耐性を調べた。その結果、本
発明の受光素子をそのまま使用した場合、ロット平均で
ノイズ源から１６ｍｍはなれた場所で受光モジュールの
出力にノイズの影響が現れたが、受光素子の周囲に導電
性材料９を設けた場合、受光モジュールをノイズ源ケー
ス（外箱）に当接させても、その出力にノイズの影響は
現れなかった。
【００１３】
【発明の効果】以上の如く、本発明はＰＩＮフォトダイ
オードとしての高感度な受光素子特性を保ち、しかも、
表面に電磁ーシールド層、電磁シールドリング電極、対
向リング層等々を有し、組立てに支障を与えないで効率
良く電磁シールドを行うことができた。
オードとしての高感度な受光素子特性を保ち、しかも、
表面に電磁ーシールド層、電磁シールドリング電極、対
向リング層等々を有し、組立てに支障を与えないで効率
良く電磁シールドを行うことができた。
【図１】本発明実施例の受光素子の載置状態の側面模式
図である。
図である。
【図２】本発明実施例の受光素子の平面図である。
【図３】Ｐ型高濃度薄層６の表面抵抗値と信号到達距離
の相関図である。
の相関図である。
１ 半導体基板 ２ Ｎ型高濃度層（受光部） ３ Ｐ型高濃度層 ４ Ｐ型オーミック電極 ５ Ｐ型高濃度薄層 ６ Ｐ型高濃度層 ７ 導電接着剤 ８ フレーム ９ 導電性材料
Claims (1)
- 【請求項１】 低不純物濃度を有したＰ型導電性の半導
体基板を用い、その半導体基板の裏面に設けられたＰ型
高濃度層と、その半導体基板の表面側の略中央部に受光
部として設けられたＮ型高濃度層と、そのＮ型高濃度層
の更に表面に該Ｎ型高濃度層より広い面積で設けられた
シート抵抗が低いＰ型高濃度薄層と、半導体基板の表面
においてＰ型高濃度薄層の周囲を囲繞するＰ型高濃度層
とを具備したことを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1996226771A JP3594418B6 (ja) | 1996-08-28 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1996226771A JP3594418B6 (ja) | 1996-08-28 | 受光素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070301A true JPH1070301A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3594418B2 JP3594418B2 (ja) | 2004-12-02 |
| JP3594418B6 JP3594418B6 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158569A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
| JP2015041746A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社豊田中央研究所 | シングルフォトンアバランシェダイオード |
| JP2017005276A (ja) * | 2016-09-30 | 2017-01-05 | 株式会社豊田中央研究所 | シングルフォトンアバランシェダイオード |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158569A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
| JP2015041746A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社豊田中央研究所 | シングルフォトンアバランシェダイオード |
| JP2017005276A (ja) * | 2016-09-30 | 2017-01-05 | 株式会社豊田中央研究所 | シングルフォトンアバランシェダイオード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3594418B2 (ja) | 2004-12-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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