JPH1071483A - 脆性材料の割断方法 - Google Patents
脆性材料の割断方法Info
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- JPH1071483A JPH1071483A JP8228855A JP22885596A JPH1071483A JP H1071483 A JPH1071483 A JP H1071483A JP 8228855 A JP8228855 A JP 8228855A JP 22885596 A JP22885596 A JP 22885596A JP H1071483 A JPH1071483 A JP H1071483A
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Links
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Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザビームの照射による熱応力を利用して脆
性材料を割断するに際して、予め割断予定線沿った溝を
形成する等の新たな工程を必要とせずに、確実に亀裂を
誘導することが可能な脆性材料の割断方法を提供する。 【解決手段】曲げ応力付加用治具１５ａ，１５ｂにより
割断予定線Ｓで最大となる曲げ応力を付与し、その状態
を保ちながら割断予定線Ｓにレーザビーム１０を照射す
る。これにより、曲げ応力にレーザビーム１０の照射に
よる熱応力が合成され、割断予定線Ｓの方向に沿って確
実に亀裂が進展する。また、割断予定線Ｓに沿って引張
り応力を付与してもよい。
性材料を割断するに際して、予め割断予定線沿った溝を
形成する等の新たな工程を必要とせずに、確実に亀裂を
誘導することが可能な脆性材料の割断方法を提供する。 【解決手段】曲げ応力付加用治具１５ａ，１５ｂにより
割断予定線Ｓで最大となる曲げ応力を付与し、その状態
を保ちながら割断予定線Ｓにレーザビーム１０を照射す
る。これにより、曲げ応力にレーザビーム１０の照射に
よる熱応力が合成され、割断予定線Ｓの方向に沿って確
実に亀裂が進展する。また、割断予定線Ｓに沿って引張
り応力を付与してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ用の
ウェハ、ガラス、石英、あるいはセラミック等の脆性材
料を、レーザビームの照射による熱応力を利用して割断
加工する脆性材料の割断方法に関する。
ウェハ、ガラス、石英、あるいはセラミック等の脆性材
料を、レーザビームの照射による熱応力を利用して割断
加工する脆性材料の割断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップ用のウェハ、ガラス、石
英、あるいはセラミック等の脆性材料から製品を切り出
す方法として、レーザビーム照射による熱応力を利用し
たものが特開平１−１０８００６号公報に開示されてい
る。この従来技術では、最初に亀裂を入れておき、レー
ザビームをその亀裂部分に照射し、そのレーザビームの
照射位置を次々に移動させ、亀裂を次々に誘導、進展さ
せることにより割断を行う。
英、あるいはセラミック等の脆性材料から製品を切り出
す方法として、レーザビーム照射による熱応力を利用し
たものが特開平１−１０８００６号公報に開示されてい
る。この従来技術では、最初に亀裂を入れておき、レー
ザビームをその亀裂部分に照射し、そのレーザビームの
照射位置を次々に移動させ、亀裂を次々に誘導、進展さ
せることにより割断を行う。
【０００３】この割断方法は、それ以前の切断方法に比
べて切断屑の発生による汚染の問題を生じることがな
い。また、一般には切断にはある程度の切断幅が必要で
あるが、上記従来技術ではその切断幅もほとんど不要で
あり、材料を有効利用することが可能である。しかし、
その反面で、上記従来技術では割断の方向制御が困難で
あり、割断予定線から外れた方向の亀裂が進んでしまう
可能性もあって、不良品が発生し易いという点もあっ
た。
べて切断屑の発生による汚染の問題を生じることがな
い。また、一般には切断にはある程度の切断幅が必要で
あるが、上記従来技術ではその切断幅もほとんど不要で
あり、材料を有効利用することが可能である。しかし、
その反面で、上記従来技術では割断の方向制御が困難で
あり、割断予定線から外れた方向の亀裂が進んでしまう
可能性もあって、不良品が発生し易いという点もあっ
た。
【０００４】これに対し、特開平４−１１８１９０号公
報では、被加工材料の割断予定線に沿って予め微細な溝
を設けておく方式が提案されており、上記特開平１−１
０８００６号公報における方向制御が困難であるという
点を補うことが可能である。
報では、被加工材料の割断予定線に沿って予め微細な溝
を設けておく方式が提案されており、上記特開平１−１
０８００６号公報における方向制御が困難であるという
点を補うことが可能である。
【０００５】例えば、図４に示すように、エッチング、
スパッタリング、ＣＶＤもしくはＰＶＤの加工技術を用
いて、半導体チップ用のウェハ１０１上にレーザビーム
径よりも小さい幅の溝１０２を、割断予定線Ｌに沿って
形成しておく。その後、ウェハ１０１端縁の溝１０２近
傍位置にレーザビームを照射し、次いでウェハ１０１と
レーザ光源との相対的に移動により、上記レーザビーム
照射位置を上記割断予定線Ｌ上に沿って移動させる。
スパッタリング、ＣＶＤもしくはＰＶＤの加工技術を用
いて、半導体チップ用のウェハ１０１上にレーザビーム
径よりも小さい幅の溝１０２を、割断予定線Ｌに沿って
形成しておく。その後、ウェハ１０１端縁の溝１０２近
傍位置にレーザビームを照射し、次いでウェハ１０１と
レーザ光源との相対的に移動により、上記レーザビーム
照射位置を上記割断予定線Ｌ上に沿って移動させる。
【０００６】ウェハ１０１に形成した溝１０２の位置に
レーザビームを照射すると、その照射位置の中心部には
周辺から圧縮応力が作用し、かつその周辺部には引張り
応力が作用する。これにより、レーザビームの照射位置
から亀裂が溝１０２に沿って発生し、その亀裂の一部は
ウェハ１０１の端縁まで達する。そして、レーザビーム
の照射位置を各割断予定線Ｌに沿って移動させること
で、そのレーザビームによる熱応力によりウェハ１０１
端縁から割断予定線Ｌに沿って亀裂を進展させることが
できる。
レーザビームを照射すると、その照射位置の中心部には
周辺から圧縮応力が作用し、かつその周辺部には引張り
応力が作用する。これにより、レーザビームの照射位置
から亀裂が溝１０２に沿って発生し、その亀裂の一部は
ウェハ１０１の端縁まで達する。そして、レーザビーム
の照射位置を各割断予定線Ｌに沿って移動させること
で、そのレーザビームによる熱応力によりウェハ１０１
端縁から割断予定線Ｌに沿って亀裂を進展させることが
できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平４−１１８
１９０号公報に記載の従来技術によれば、亀裂の進展の
制御を確実に行うことができ、割断作業時における不良
品の発生を避けることができる。ところが、上記溝１０
２を予め形成するためには、具体的にはフォトリソグラ
フィやケミカルドライエッチング等を採用し、溝１０２
の幅を２〜３μｍ程度と微細にしなければならなず、一
連の半導体装置の製造工程に新たな工程を設ける必要が
生じる。
１９０号公報に記載の従来技術によれば、亀裂の進展の
制御を確実に行うことができ、割断作業時における不良
品の発生を避けることができる。ところが、上記溝１０
２を予め形成するためには、具体的にはフォトリソグラ
フィやケミカルドライエッチング等を採用し、溝１０２
の幅を２〜３μｍ程度と微細にしなければならなず、一
連の半導体装置の製造工程に新たな工程を設ける必要が
生じる。
【０００８】本発明の目的は、レーザビームの照射によ
る熱応力を利用して脆性材料を割断するに際して、予め
割断予定線沿った溝を形成する等の新たな工程を必要と
せずに、確実に亀裂を誘導することが可能な脆性材料の
割断方法を提供することである。
る熱応力を利用して脆性材料を割断するに際して、予め
割断予定線沿った溝を形成する等の新たな工程を必要と
せずに、確実に亀裂を誘導することが可能な脆性材料の
割断方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、レーザビームの照射による熱応力
を利用した脆性材料の割断方法において、割断予定線に
沿って応力を付与した状態でその割断予定線にレーザビ
ームを照射し、前記割断予定線に沿う応力とレーザビー
ム照射による熱応力とによって脆性材料を割断すること
を特徴とする脆性材料の割断方法が提供される。
め、本発明によれば、レーザビームの照射による熱応力
を利用した脆性材料の割断方法において、割断予定線に
沿って応力を付与した状態でその割断予定線にレーザビ
ームを照射し、前記割断予定線に沿う応力とレーザビー
ム照射による熱応力とによって脆性材料を割断すること
を特徴とする脆性材料の割断方法が提供される。
【００１０】上記のように構成した本発明においては、
割断予定線に沿って応力を付与しておき、その状態を保
ちながらその割断予定線にレーザビームを照射すること
により、予め付与しておいた応力に、レーザビーム照射
による熱応力が合成され、割断予定線の方向に沿って確
実に亀裂が進展して行く。従って、特開平４−１１８１
９０号公報に記載の従来技術のように、予め割断予定線
沿った溝を形成する等の新たな工程を必要とせず、確実
に亀裂を誘導することが可能となる。
割断予定線に沿って応力を付与しておき、その状態を保
ちながらその割断予定線にレーザビームを照射すること
により、予め付与しておいた応力に、レーザビーム照射
による熱応力が合成され、割断予定線の方向に沿って確
実に亀裂が進展して行く。従って、特開平４−１１８１
９０号公報に記載の従来技術のように、予め割断予定線
沿った溝を形成する等の新たな工程を必要とせず、確実
に亀裂を誘導することが可能となる。
【００１１】この時のレーザビームのエネルギーは、溶
断に至らない程度で、短時間に熱応力を加えられる程度
であればよい。脆性材料としては、例えば半導体チップ
用のウェハ、ガラス、石英、あるいはセラミック等が適
用可能である。
断に至らない程度で、短時間に熱応力を加えられる程度
であればよい。脆性材料としては、例えば半導体チップ
用のウェハ、ガラス、石英、あるいはセラミック等が適
用可能である。
【００１２】ここで、割断予定線に沿って付与する応力
は、レーザビームの入射側の割断予定線で最大となる曲
げ応力とすることが好ましい。これにより、曲げ応力が
最大となっている割断予定線の方向に、レーザビーム照
射による熱応力が与えられて、確実に亀裂が進展する。
は、レーザビームの入射側の割断予定線で最大となる曲
げ応力とすることが好ましい。これにより、曲げ応力が
最大となっている割断予定線の方向に、レーザビーム照
射による熱応力が与えられて、確実に亀裂が進展する。
【００１３】また、割断予定線に沿って付与する応力
は、割断予定線に垂直な方向に付与される引張り応力と
することが好ましい。この場合も上記と同様に、引張り
応力が加えられた状態でレーザビーム照射による熱応力
が与えられて、確実に亀裂が進展するが、その引張り応
力が加わっている範囲ではその引張り応力値はほぼ均一
であり、その範囲内であれば割断予定線を任意に設定可
能である。
は、割断予定線に垂直な方向に付与される引張り応力と
することが好ましい。この場合も上記と同様に、引張り
応力が加えられた状態でレーザビーム照射による熱応力
が与えられて、確実に亀裂が進展するが、その引張り応
力が加わっている範囲ではその引張り応力値はほぼ均一
であり、その範囲内であれば割断予定線を任意に設定可
能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態につい
て、図１および図２を参照しながら説明する。但し本実
施形態では、脆性材料として半導体チップ用のウェハを
使用した場合について説明する。図１は本実施形態の概
要を示す図である。ウェハ１２は、図１（ａ）に示すよ
うに上面（レーザビーム１０の入射側）および下面（レ
ーザビーム１０の反入射側）から、それぞれ曲げ応力付
加用治具１５ａ，１５ｂにより支持され、図１（ｂ）に
示すように上側の曲げ応力付加用治具１５ａと下側の曲
げ応力付加用治具１５ｂと間に外力Ｆ1，Ｆ2が付与され
る。この時、２つの上側の曲げ応力付加用治具１５ａに
与える外力Ｆ1は等しく、かつ下側の曲げ応力付加用治
具１５ｂに与える外力Ｆ2の１／２となるようにする。
また、上記曲げ応力は、２つの上側の曲げ応力付加用治
具１５ａの丁度中央に下側の曲げ応力付加用治具１５ｂ
が位置するようにしておき、割断予定線Ｓが下側の曲げ
応力付加用治具１５ｂの位置に来るようにそれぞれの位
置関係を設定しておけば、曲げ応力はレーザビーム１０
の入射側の割断予定線Ｓで最大となる。なお、図１にお
ける割断予定線Ｓは紙面に垂直な方向となっている。
て、図１および図２を参照しながら説明する。但し本実
施形態では、脆性材料として半導体チップ用のウェハを
使用した場合について説明する。図１は本実施形態の概
要を示す図である。ウェハ１２は、図１（ａ）に示すよ
うに上面（レーザビーム１０の入射側）および下面（レ
ーザビーム１０の反入射側）から、それぞれ曲げ応力付
加用治具１５ａ，１５ｂにより支持され、図１（ｂ）に
示すように上側の曲げ応力付加用治具１５ａと下側の曲
げ応力付加用治具１５ｂと間に外力Ｆ1，Ｆ2が付与され
る。この時、２つの上側の曲げ応力付加用治具１５ａに
与える外力Ｆ1は等しく、かつ下側の曲げ応力付加用治
具１５ｂに与える外力Ｆ2の１／２となるようにする。
また、上記曲げ応力は、２つの上側の曲げ応力付加用治
具１５ａの丁度中央に下側の曲げ応力付加用治具１５ｂ
が位置するようにしておき、割断予定線Ｓが下側の曲げ
応力付加用治具１５ｂの位置に来るようにそれぞれの位
置関係を設定しておけば、曲げ応力はレーザビーム１０
の入射側の割断予定線Ｓで最大となる。なお、図１にお
ける割断予定線Ｓは紙面に垂直な方向となっている。
【００１５】この時の曲げ応力は、ウェハ１２が曲げ破
壊しない程度に設定される。従って、実際には図１
（ｂ）に示す程までにはウェハ１２は変形することはな
く、図ではかなり誇張して示してある。
壊しない程度に設定される。従って、実際には図１
（ｂ）に示す程までにはウェハ１２は変形することはな
く、図ではかなり誇張して示してある。
【００１６】レーザビーム１０は図１（ｂ）に示すよう
に集光レンズ１１により集光され、半導体チップ用のウ
エハ（以下、単にウェハという）１２の割断予定線Ｓに
照射される。ここで使用するレーザビーム１０として
は、例えばＹＡＧレーザ発振器から発振されるものと
し、さらにそのレーザ発振器もしくは加工対象であるウ
ェハ１２のうちいずれか一方をウェハ１２の平面内（Ｘ
−Ｙ平面内）で移動させ、レーザビーム１０をウエハ１
２に対して相対的に走査させるＸＹテーブル等の移動手
段を備えることとする。
に集光レンズ１１により集光され、半導体チップ用のウ
エハ（以下、単にウェハという）１２の割断予定線Ｓに
照射される。ここで使用するレーザビーム１０として
は、例えばＹＡＧレーザ発振器から発振されるものと
し、さらにそのレーザ発振器もしくは加工対象であるウ
ェハ１２のうちいずれか一方をウェハ１２の平面内（Ｘ
−Ｙ平面内）で移動させ、レーザビーム１０をウエハ１
２に対して相対的に走査させるＸＹテーブル等の移動手
段を備えることとする。
【００１７】上記のようなレーザビーム１０の照射によ
り熱応力が生じ、曲げ応力付加用治具１５ａ，１５ｂに
より予め付与しておいた曲げ応力と合成され、曲げ応力
が最大となっている割断予定線Ｓの方向に沿って亀裂が
進展して行く。
り熱応力が生じ、曲げ応力付加用治具１５ａ，１５ｂに
より予め付与しておいた曲げ応力と合成され、曲げ応力
が最大となっている割断予定線Ｓの方向に沿って亀裂が
進展して行く。
【００１８】図２は、本実施形態の加工対象であるウェ
ハ１２を示す図である。ウェハ１２には複数の半導体チ
ップが行列状に形成されており、この行列状に並んだウ
ェハ１２から半導体装置の元となる半導体チップが切り
出される。この半導体チップの切り出し時における境界
が割断予定線Ｓであり、この場合は互いに直交する格子
状（Ｘ方向及びＹ方向）となる。
ハ１２を示す図である。ウェハ１２には複数の半導体チ
ップが行列状に形成されており、この行列状に並んだウ
ェハ１２から半導体装置の元となる半導体チップが切り
出される。この半導体チップの切り出し時における境界
が割断予定線Ｓであり、この場合は互いに直交する格子
状（Ｘ方向及びＹ方向）となる。
【００１９】このようなウェハ１２を、図１で示した曲
げ応力付加用治具１５ａ，１５ｂで把持し、曲げ応力を
付与した状態で割断予定線Ｓにレーザビーム１０を集光
しながら照射し、レーザビーム１０の照射位置を割断予
定線Ｓに沿って移動させる。これによって、前述のよう
に曲げ応力が最大となる割断予定線Ｓに沿って亀裂が誘
導され、進展し、１ラインの割断が完了する。そして、
この１ラインの操作と同様の操作をＸ方向及びＹ方向に
おける全ての割断予定線Ｓについて行う。この時、１ラ
イン分の割断が終了する毎に、曲げ応力付加用治具１５
ａ，１５ｂの保持位置は次のラインに沿った位置に変更
する。これによって全ての割断が終了し、半導体チップ
を得ることができる。但し、曲げ応力付加用治具１５
ａ，１５ｂの位置を上記のように１ライン分の割断終了
毎に変更する方式ではなく、予め複数のラインに沿った
形状の治具を使用する方式としてもよい。
げ応力付加用治具１５ａ，１５ｂで把持し、曲げ応力を
付与した状態で割断予定線Ｓにレーザビーム１０を集光
しながら照射し、レーザビーム１０の照射位置を割断予
定線Ｓに沿って移動させる。これによって、前述のよう
に曲げ応力が最大となる割断予定線Ｓに沿って亀裂が誘
導され、進展し、１ラインの割断が完了する。そして、
この１ラインの操作と同様の操作をＸ方向及びＹ方向に
おける全ての割断予定線Ｓについて行う。この時、１ラ
イン分の割断が終了する毎に、曲げ応力付加用治具１５
ａ，１５ｂの保持位置は次のラインに沿った位置に変更
する。これによって全ての割断が終了し、半導体チップ
を得ることができる。但し、曲げ応力付加用治具１５
ａ，１５ｂの位置を上記のように１ライン分の割断終了
毎に変更する方式ではなく、予め複数のラインに沿った
形状の治具を使用する方式としてもよい。
【００２０】以上のような本実施形態によれば、曲げ応
力付加用治具１５ａ，１５ｂにより割断予定線Ｓで最大
となる曲げ応力を付与し、その状態を保ちながら割断予
定線Ｓにレーザビーム１０を照射するので、曲げ応力に
レーザビーム１０の照射による熱応力が合成され、割断
予定線Ｓの方向に沿って確実に亀裂が進展する。従っ
て、予め割断予定線沿った溝を形成する等の新たな工程
を必要とせず、確実に亀裂を誘導することができる。
力付加用治具１５ａ，１５ｂにより割断予定線Ｓで最大
となる曲げ応力を付与し、その状態を保ちながら割断予
定線Ｓにレーザビーム１０を照射するので、曲げ応力に
レーザビーム１０の照射による熱応力が合成され、割断
予定線Ｓの方向に沿って確実に亀裂が進展する。従っ
て、予め割断予定線沿った溝を形成する等の新たな工程
を必要とせず、確実に亀裂を誘導することができる。
【００２１】次に、本発明の第２の実施形態について図
３により説明する。但し、図３において図１と同等の部
材には同じ符号を付してある。ウェハ１２は、図３に示
すように、上面（レーザビーム１０の入射側）および下
面（レーザビーム１０の反入射側）から、それぞれ引張
り応力付加用治具１６ａ，１６ｂにより把持され、それ
ぞれの引張り曲げ応力付加用治具１６ａ，１６ｂにより
引張り力（外力）Ｆ3が付与される。この時、ウエハ１
２に加わる引張り力は２Ｆ3となるが、この力２Ｆ3は、
それによってウェハ１２ないに生じる引張り応力がウエ
ハ１２を破壊しない程度に設定される。そして、この引
張り応力を付与した状態で前述の実施形態と同様にレー
ザビーム１０を照射する。
３により説明する。但し、図３において図１と同等の部
材には同じ符号を付してある。ウェハ１２は、図３に示
すように、上面（レーザビーム１０の入射側）および下
面（レーザビーム１０の反入射側）から、それぞれ引張
り応力付加用治具１６ａ，１６ｂにより把持され、それ
ぞれの引張り曲げ応力付加用治具１６ａ，１６ｂにより
引張り力（外力）Ｆ3が付与される。この時、ウエハ１
２に加わる引張り力は２Ｆ3となるが、この力２Ｆ3は、
それによってウェハ１２ないに生じる引張り応力がウエ
ハ１２を破壊しない程度に設定される。そして、この引
張り応力を付与した状態で前述の実施形態と同様にレー
ザビーム１０を照射する。
【００２２】この場合には、引張り応力が加わっている
範囲ではその引張り応力値はほぼ均一であり、割断予定
線Ｓに沿う部分が必ずしも前述の実施形態のように最大
応力とはならないが、この時発生する亀裂は上記一様な
引張り応力場に垂直な方向、即ち図３の紙面に垂直な方
向に発生すると考えられるので、レーザビーム１０の照
射位置を割断予定線Ｓに沿って移動させれば、亀裂を確
実に割断予定線Ｓに沿って誘導することができる。割断
予定線Ｓは、引張り応力が均一な範囲内でを任意に設定
可能であり、レーザビーム１０の照射位置をその割断予
定線Ｓに合わせればよい。
範囲ではその引張り応力値はほぼ均一であり、割断予定
線Ｓに沿う部分が必ずしも前述の実施形態のように最大
応力とはならないが、この時発生する亀裂は上記一様な
引張り応力場に垂直な方向、即ち図３の紙面に垂直な方
向に発生すると考えられるので、レーザビーム１０の照
射位置を割断予定線Ｓに沿って移動させれば、亀裂を確
実に割断予定線Ｓに沿って誘導することができる。割断
予定線Ｓは、引張り応力が均一な範囲内でを任意に設定
可能であり、レーザビーム１０の照射位置をその割断予
定線Ｓに合わせればよい。
【００２３】以上のような本実施形態によっても、前述
の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００２４】なお、上記では、レーザビーム１０の照射
位置を亀裂の進展に合わせて移動させることとしたが、
レーザビームの照射位置をスキャナ等を用いて高速に割
断予定線Ｓに沿って走査させる特開平６−３９５７２号
公報に記載の技術を利用することも可能である。この場
合は、ＸＹテーブル等の移動手段によりレーザビーム１
０をウエハ１２に対して相対的に走査させつつ亀裂を進
展させるのではなく、曲げ応力が最大となる割断予定線
Ｓに沿ってレーザビームを高速で走査させることで一気
に割断が完了し、高速な加工が可能である。
位置を亀裂の進展に合わせて移動させることとしたが、
レーザビームの照射位置をスキャナ等を用いて高速に割
断予定線Ｓに沿って走査させる特開平６−３９５７２号
公報に記載の技術を利用することも可能である。この場
合は、ＸＹテーブル等の移動手段によりレーザビーム１
０をウエハ１２に対して相対的に走査させつつ亀裂を進
展させるのではなく、曲げ応力が最大となる割断予定線
Ｓに沿ってレーザビームを高速で走査させることで一気
に割断が完了し、高速な加工が可能である。
【００２５】また、レーザビームを走査させるのではな
く、断面が線状のレーザビームを照射することにより割
断してもよい。断面が線状のレーザビームは、例えばシ
リンドリカルレンズ等によってを得ることができる。こ
の場合には、高いパワー密度を必要とするものの、一回
のレーザビーム照射で短時間に割断を完了することがで
き、能率よく加工できる。
く、断面が線状のレーザビームを照射することにより割
断してもよい。断面が線状のレーザビームは、例えばシ
リンドリカルレンズ等によってを得ることができる。こ
の場合には、高いパワー密度を必要とするものの、一回
のレーザビーム照射で短時間に割断を完了することがで
き、能率よく加工できる。
【００２６】また、前述の曲げ応力付与の方式や、引張
り応力付与の方式は第１および第２の実施形態で説明し
た方式に限定されるものではない。さらに、上記では、
脆性材料として半導体チップ用のウェハを使用した場合
について説明したが、それ以外の脆性材料、例えばガラ
ス、石英、あるいはセラミック等にも広く応用が可能で
ある。
り応力付与の方式は第１および第２の実施形態で説明し
た方式に限定されるものではない。さらに、上記では、
脆性材料として半導体チップ用のウェハを使用した場合
について説明したが、それ以外の脆性材料、例えばガラ
ス、石英、あるいはセラミック等にも広く応用が可能で
ある。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、割断予定線に沿って応
力を付与しておき、その状態を保ちながらその割断予定
線にレーザビームを照射するので、予め付与しておいた
応力に、レーザビーム照射による熱応力が合成され、割
断予定線の方向に沿って確実に亀裂が進展する。従っ
て、予め割断予定線沿った溝を形成する等の新たな工程
を必要とせず、確実に亀裂を誘導することができる。
力を付与しておき、その状態を保ちながらその割断予定
線にレーザビームを照射するので、予め付与しておいた
応力に、レーザビーム照射による熱応力が合成され、割
断予定線の方向に沿って確実に亀裂が進展する。従っ
て、予め割断予定線沿った溝を形成する等の新たな工程
を必要とせず、確実に亀裂を誘導することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態による脆性材料の割断
方法の概要を示す図である。
方法の概要を示す図である。
【図２】加工対象であるウェハを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による脆性材料の割断
方法の概要を示す図である。
方法の概要を示す図である。
【図４】ウェハ上の割断予定線に沿って予め溝を形成し
ておき、その後レーザビームを照射して割断する従来技
術を説明する図である。
ておき、その後レーザビームを照射して割断する従来技
術を説明する図である。
１０ レーザビーム １１ 集光レンズ １２ ウェハ １５ａ，１５ｂ 曲げ応力付加用治具 １６ａ，１６ｂ 引張り応力付加用治具 Ｓ 割断予定線 Ｆ1，Ｆ2 外力 Ｆ3 引張り力（外力）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３１１Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザビームの照射による熱応力を利用
した脆性材料の割断方法において、割断予定線に沿って
応力を付与した状態で前記割断予定線に前記レーザビー
ムを照射し、前記割断予定線に沿う応力と前記レーザビ
ーム照射による熱応力とによって前記脆性材料を割断す
ることを特徴とする脆性材料の割断方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の脆性材料の割断方法にお
いて、前記割断予定線に沿って付与する応力は、前記レ
ーザビームの入射側の前記割断予定線で最大となる曲げ
応力であることを特徴とする脆性材料の割断方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の脆性材料の割断方法にお
いて、前記割断予定線に沿って付与する応力は、前記割
断予定線に垂直な方向に付与される引張り応力であるこ
とを特徴とする脆性材料の割断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8228855A JPH1071483A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 脆性材料の割断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8228855A JPH1071483A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 脆性材料の割断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1071483A true JPH1071483A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16882943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8228855A Pending JPH1071483A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 脆性材料の割断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1071483A (ja) |
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| KR100693934B1 (ko) | 2006-03-24 | 2007-03-12 | 케이 이엔지(주) | 벤딩부가 장착된 유리절단 장치 및 이를 이용한 유리의절단방법 |
| KR100693947B1 (ko) | 2006-05-17 | 2007-03-12 | 케이 이엔지(주) | 레이저를 이용한 대형 유리의 절단 방법 |
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| CN106630558A (zh) * | 2011-08-18 | 2017-05-10 | 康宁股份有限公司 | 切断玻璃带的方法 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP8228855A patent/JPH1071483A/ja active Pending
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| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
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