JPH1072437A - トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイソスター及びその製造方法 - Google Patents
トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイソスター及びその製造方法Info
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- JPH1072437A JPH1072437A JP8249215A JP24921596A JPH1072437A JP H1072437 A JPH1072437 A JP H1072437A JP 8249215 A JP8249215 A JP 8249215A JP 24921596 A JP24921596 A JP 24921596A JP H1072437 A JPH1072437 A JP H1072437A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 新規化合物であるトリプトファン含有トラン
ス型アルケンジペプチドイソスター及びその立体制御さ
れた製造方法を提供する。また、前記化合物を製造する
ための新規な中間体化合物を提供する。 【解決手段】 一般式(I) 〜(II)のいずれかで示され
る、トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチド
イソスター。 【化１】 【化２】 （一般式(I) 及び(II)において、Ｘは水素原子又はアミ
ノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基の
保護基を表し、Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表
し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール基又はアル
カリ金属原子を表す。）
ス型アルケンジペプチドイソスター及びその立体制御さ
れた製造方法を提供する。また、前記化合物を製造する
ための新規な中間体化合物を提供する。 【解決手段】 一般式(I) 〜(II)のいずれかで示され
る、トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチド
イソスター。 【化１】 【化２】 （一般式(I) 及び(II)において、Ｘは水素原子又はアミ
ノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基の
保護基を表し、Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表
し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール基又はアル
カリ金属原子を表す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トリプトファン含
有トランス型アルケンジペプチドイソスター (Isostere
s)及びその製造方法に関する。また、本発明は、トリプ
トファン含有トランス型アルケンジペプチドイソスター
を製造するための中間体化合物にも関する。
有トランス型アルケンジペプチドイソスター (Isostere
s)及びその製造方法に関する。また、本発明は、トリプ
トファン含有トランス型アルケンジペプチドイソスター
を製造するための中間体化合物にも関する。
【０００２】本発明のトリプトファン含有トランス型ア
ルケンジペプチドイソスターは、創薬産業、タンパク質
及びペプチド関係の基礎研究分野において有用な化合物
である。
ルケンジペプチドイソスターは、創薬産業、タンパク質
及びペプチド関係の基礎研究分野において有用な化合物
である。
【０００３】すなわち、トランス型アルケンジペプチド
イソスターはペプチド結合をトランスアルケン型に変換
したもので、ペプチド結合とほぼ同一の三次元構造を有
し、化学的又はペプチターゼによる酵素的加水分解を受
けない。従って、トランスアルケンジペプチドイソスタ
ーを持つペプチド類似体は三次元構造は類似している
が、イソスター部分の水素結合能力を失っているため、
酵素活性を示すコンホメーション（立体配位）を解明す
るためのリガンドとして、又は酵素阻害剤としてペプチ
ド化学の分野で有用である。特に、トリプトファンとバ
リンのトランスアルケンジペプチドイソスターは、エン
ドセリン（血管を収縮させ、高血圧症を起こす）が、プ
ロエンドセリン（ＢｉｇＥｔ−１）のトリプトファンと
バリンのペプチド結合をエンドセリン変換酵素（ＥＣ
Ｅ）によって切断されて、生成することが知られている
ので、ＥＣＥの酵素阻害剤として機能する可能性があ
る。
イソスターはペプチド結合をトランスアルケン型に変換
したもので、ペプチド結合とほぼ同一の三次元構造を有
し、化学的又はペプチターゼによる酵素的加水分解を受
けない。従って、トランスアルケンジペプチドイソスタ
ーを持つペプチド類似体は三次元構造は類似している
が、イソスター部分の水素結合能力を失っているため、
酵素活性を示すコンホメーション（立体配位）を解明す
るためのリガンドとして、又は酵素阻害剤としてペプチ
ド化学の分野で有用である。特に、トリプトファンとバ
リンのトランスアルケンジペプチドイソスターは、エン
ドセリン（血管を収縮させ、高血圧症を起こす）が、プ
ロエンドセリン（ＢｉｇＥｔ−１）のトリプトファンと
バリンのペプチド結合をエンドセリン変換酵素（ＥＣ
Ｅ）によって切断されて、生成することが知られている
ので、ＥＣＥの酵素阻害剤として機能する可能性があ
る。
【０００４】従って、本発明のトランス型アルケンジペ
プチドイソスターは、タンパク質化学やペプチド化学の
研究分野で、それらの分子レベルでの作用解明にペプチ
ド類似体として使用することができる。また、創薬産業
において、ペプチド性医薬品の原料として用いることが
できる。
プチドイソスターは、タンパク質化学やペプチド化学の
研究分野で、それらの分子レベルでの作用解明にペプチ
ド類似体として使用することができる。また、創薬産業
において、ペプチド性医薬品の原料として用いることが
できる。
【０００５】
【従来の技術】従来よりトランス型アルケンジペプチド
イソスターは知られているが、トリプトファンを含有す
るトランス型アルケンジペプチドイソスターは知られて
いない。
イソスターは知られているが、トリプトファンを含有す
るトランス型アルケンジペプチドイソスターは知られて
いない。
【０００６】また、トランス型アルケンジペプチドイソ
スターの合成法の観点からは、従来、α位、δ位の置換
基を立体特異的に収率良く合成し得る方法が見い出され
ていなかった。いくつかの合成法が報告されているが、
効率が悪く、生成物のうち目的とする立体異性体の光学
純度は満足できるものではなかった。例えば、J.C.S.Pe
rkin I 1992, 307 、CHIRALITY 1: 89-91 (1989) 等で
ある。
スターの合成法の観点からは、従来、α位、δ位の置換
基を立体特異的に収率良く合成し得る方法が見い出され
ていなかった。いくつかの合成法が報告されているが、
効率が悪く、生成物のうち目的とする立体異性体の光学
純度は満足できるものではなかった。例えば、J.C.S.Pe
rkin I 1992, 307 、CHIRALITY 1: 89-91 (1989) 等で
ある。
【０００７】近年になって、δ−アミノ−γ−メシルオ
キシ−α，β−不飽和エステルの立体特異的１，３−キ
ラリティー転移反応（次の化学式参照）が井深らによっ
て見出だされ、α位、δ位の置換基を立体特異的に効率
良く合成できるようになった。この合成法は、例えば、
J.Am.Chem.Soc., 111, 4864-4872 (1989) 、J.Org.Che
m., 54, 4055-4061 (1989) 、J.Org.Chem., 56, 4370-4
382 (1991) 等に開示されている。
キシ−α，β−不飽和エステルの立体特異的１，３−キ
ラリティー転移反応（次の化学式参照）が井深らによっ
て見出だされ、α位、δ位の置換基を立体特異的に効率
良く合成できるようになった。この合成法は、例えば、
J.Am.Chem.Soc., 111, 4864-4872 (1989) 、J.Org.Che
m., 54, 4055-4061 (1989) 、J.Org.Chem., 56, 4370-4
382 (1991) 等に開示されている。
【０００８】
【化１９】
【０００９】しかしながら、この井深らの方法によれ
ば、上記γ−ヒドロキシ体を得るにあたり、末端ビニル
基をオゾン酸化してアルデヒド体に変換し、アルデヒド
体にWittig反応を行なってγ−ヒドロキシ体に変換して
いる（次の化学式参照）。
ば、上記γ−ヒドロキシ体を得るにあたり、末端ビニル
基をオゾン酸化してアルデヒド体に変換し、アルデヒド
体にWittig反応を行なってγ−ヒドロキシ体に変換して
いる（次の化学式参照）。
【００１０】
【化２０】
【００１１】従って、アラニン等のアミノ酸含有トラン
ス型アルケンジペプチドイソスターの合成には適してい
るものの、トリプトファンのようにインドール環を含む
場合には、オゾン酸化によってインドール環が開裂して
しまうので、不適当であった。
ス型アルケンジペプチドイソスターの合成には適してい
るものの、トリプトファンのようにインドール環を含む
場合には、オゾン酸化によってインドール環が開裂して
しまうので、不適当であった。
【００１２】このため、トリプトファンを含有するトラ
ンス型アルケンジペプチドイソスターは、従来知られて
おらず、また合成することもできなかった。
ンス型アルケンジペプチドイソスターは、従来知られて
おらず、また合成することもできなかった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、新規化合物であるトリプトファン含有トランス型ア
ルケンジペプチドイソスター及びその立体制御された製
造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、
トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイソ
スターを製造するための新規な中間体化合物を提供する
ことにもある。
は、新規化合物であるトリプトファン含有トランス型ア
ルケンジペプチドイソスター及びその立体制御された製
造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、
トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイソ
スターを製造するための新規な中間体化合物を提供する
ことにもある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、トリプトファン含有トランス型アルケンジペプ
チドイソスターを合成するにあたり、オゾン酸化によっ
て末端ビニル基をアルデヒド体に変換する方法に代え
て、四酸化オスミウムを用いてシスジオール体を経由し
てアルデヒド体に変換する緩和な酸化方法によって、イ
ンドール環が酸化開裂することなくγ−ヒドロキシ体が
得られることを見出だし、本発明を完成するに至った。
た結果、トリプトファン含有トランス型アルケンジペプ
チドイソスターを合成するにあたり、オゾン酸化によっ
て末端ビニル基をアルデヒド体に変換する方法に代え
て、四酸化オスミウムを用いてシスジオール体を経由し
てアルデヒド体に変換する緩和な酸化方法によって、イ
ンドール環が酸化開裂することなくγ−ヒドロキシ体が
得られることを見出だし、本発明を完成するに至った。
【００１５】本発明のトリプトファン含有トランス型ア
ルケンジペプチドイソスターは、下記一般式(I) で示さ
れる。なお、一般式(I) において、トリプトファンはＬ
−体、Ｄ−体のいずれであっても良い。以下同様に、本
明細書において、特に断りのない限り、トリプトファン
はＬ−体、Ｄ−体のいずれであっても良い。
ルケンジペプチドイソスターは、下記一般式(I) で示さ
れる。なお、一般式(I) において、トリプトファンはＬ
−体、Ｄ−体のいずれであっても良い。以下同様に、本
明細書において、特に断りのない限り、トリプトファン
はＬ−体、Ｄ−体のいずれであっても良い。
【００１６】
【化２１】
【００１７】一般式(I) において、Ｘは水素原子又はア
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表
し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール基、アルカ
リ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表す。
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表
し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール基、アルカ
リ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表す。
【００１８】また、本発明のトリプトファン含有トラン
ス型アルケンジペプチドイソスターは、下記一般式(II)
で示される。
ス型アルケンジペプチドイソスターは、下記一般式(II)
で示される。
【００１９】
【化２２】
【００２０】一般式(II)において、Ｘは水素原子又はア
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｒ1 はアルキル基又は置換または無置
換のアリール基を表し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、
アリール基、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原
子を表す。
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｒ1 はアルキル基又は置換または無置
換のアリール基を表し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、
アリール基、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原
子を表す。
【００２１】一般式(I) 、(II)において、Ｘが表すアミ
ノ基の保護基としては、tert- ブトキシカルボニル（Ｂ
ｏｃ）基、９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍ
ｏｃ）基等、トリフルオロ酢酸等の弱酸で容易に開裂す
る保護基、又はピペリジン等の塩基で容易に開裂する保
護基であれば良い。これらのうち、Ｂｏｃ基、Ｆｍｏｃ
基が、緩和な酸、塩基で脱保護される点で好ましい。
ノ基の保護基としては、tert- ブトキシカルボニル（Ｂ
ｏｃ）基、９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍ
ｏｃ）基等、トリフルオロ酢酸等の弱酸で容易に開裂す
る保護基、又はピペリジン等の塩基で容易に開裂する保
護基であれば良い。これらのうち、Ｂｏｃ基、Ｆｍｏｃ
基が、緩和な酸、塩基で脱保護される点で好ましい。
【００２２】Ｙが表す第２アミン基の保護基としては、
２−メシチレンスルホニル（Ｍｔｓ）基、ｐ−トルエン
スルホニル（Ｔｏｓ）基、４−メトキシ−2,3,6 −トリ
メチルベンゼンスルホニル（Ｍｔｒ）基、４−メトキシ
−2,6 −ジメチルベンゼンスルホニル（Ｍｄｓ）基等の
アリールスルホニル系保護基、トリチル（Ｔｒｔ）基、
tert- ブトキシカルボニル（Ｂｏｃ）基等が挙げられる
が、これらに限定されることはなく、トリフルオロ酢酸
等の弱酸で容易に開裂する保護基であれば良い。これら
のうち、Ｍｔｓ基、Ｂｏｃ基が、トリフルオロ酢酸で容
易に保護基を除去できる点で好ましい。
２−メシチレンスルホニル（Ｍｔｓ）基、ｐ−トルエン
スルホニル（Ｔｏｓ）基、４−メトキシ−2,3,6 −トリ
メチルベンゼンスルホニル（Ｍｔｒ）基、４−メトキシ
−2,6 −ジメチルベンゼンスルホニル（Ｍｄｓ）基等の
アリールスルホニル系保護基、トリチル（Ｔｒｔ）基、
tert- ブトキシカルボニル（Ｂｏｃ）基等が挙げられる
が、これらに限定されることはなく、トリフルオロ酢酸
等の弱酸で容易に開裂する保護基であれば良い。これら
のうち、Ｍｔｓ基、Ｂｏｃ基が、トリフルオロ酢酸で容
易に保護基を除去できる点で好ましい。
【００２３】Ｒ1 が表すアルキル基は、置換基を有して
いても良く、一般に炭素数１〜１８個のアルキル基が挙
げられる。具体的には例えば、メチル、エチル、n-プロ
ピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert- ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデ
シル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ベ
ンジル、メチルチオエチル基等が挙げられるが、これら
に限定されることはない。つまり、後述するように、対
応するグリニャール試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機リチウム試
薬Ｒ1 Ｌｉが合成入手可能なものであれば良い。これら
のうち、メチル、イソプロピル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert- ブチル、ベンジル、メチルチオエチル基がタ
ンパク質化学やペプチド化学の研究に有用である。
いても良く、一般に炭素数１〜１８個のアルキル基が挙
げられる。具体的には例えば、メチル、エチル、n-プロ
ピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert- ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデ
シル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ベ
ンジル、メチルチオエチル基等が挙げられるが、これら
に限定されることはない。つまり、後述するように、対
応するグリニャール試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機リチウム試
薬Ｒ1 Ｌｉが合成入手可能なものであれば良い。これら
のうち、メチル、イソプロピル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert- ブチル、ベンジル、メチルチオエチル基がタ
ンパク質化学やペプチド化学の研究に有用である。
【００２４】また、Ｒ1 が表すアリール基は、置換基を
有していても良く、具体的には例えば、フェニル、ｐ−
メトキシフェニル、ｐ−メチルフェニル、ｐ−エチルフ
ェニル、ｐ−エトキシフェニル基等が挙げられるが、こ
れらに限定されることはない。つまり、対応するグリニ
ャール試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉ
（Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表す）が合成入手
可能なものであれば良い。これらのうち、フェニル基が
好ましい。
有していても良く、具体的には例えば、フェニル、ｐ−
メトキシフェニル、ｐ−メチルフェニル、ｐ−エチルフ
ェニル、ｐ−エトキシフェニル基等が挙げられるが、こ
れらに限定されることはない。つまり、対応するグリニ
ャール試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉ
（Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表す）が合成入手
可能なものであれば良い。これらのうち、フェニル基が
好ましい。
【００２５】Ｒ2 が表すアルキル基は、置換基を有して
いても良く、一般に炭素数１〜１０個のアルキル基が挙
げられる。具体的には例えば、メチル、エチル、n-プロ
ピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert- ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ベンジ
ル基等が挙げられるが、これらに限定されることはな
い。これらのうち、メチル基が好ましい。
いても良く、一般に炭素数１〜１０個のアルキル基が挙
げられる。具体的には例えば、メチル、エチル、n-プロ
ピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert- ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ベンジ
ル基等が挙げられるが、これらに限定されることはな
い。これらのうち、メチル基が好ましい。
【００２６】また、Ｒ2 が表すアリール基は、置換基を
有していても良く、具体的には例えば、フェニル、ｐ−
メトキシフェニル、ｐ−メチルフェニル、ｐ−エチルフ
ェニル、ｐ−エトキシフェニル基等が挙げられるが、こ
れらに限定されることはない。これらのうち、フェニル
基が好ましい。
有していても良く、具体的には例えば、フェニル、ｐ−
メトキシフェニル、ｐ−メチルフェニル、ｐ−エチルフ
ェニル、ｐ−エトキシフェニル基等が挙げられるが、こ
れらに限定されることはない。これらのうち、フェニル
基が好ましい。
【００２７】また、Ｒ2 が表すアルカリ金属原子として
は、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。Ｒ2 が表す
アルカリ土類金属原子としては、カルシウム等が挙げら
れる。アルカリ土類金属原子の場合には、一般式(I) 又
は(II)で示される化合物は二量体となる。
は、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。Ｒ2 が表す
アルカリ土類金属原子としては、カルシウム等が挙げら
れる。アルカリ土類金属原子の場合には、一般式(I) 又
は(II)で示される化合物は二量体となる。
【００２８】Ｒ2 は、トランス型アルケンジペプチドイ
ソスターの使用目的に応じて、種々変更することができ
る。
ソスターの使用目的に応じて、種々変更することができ
る。
【００２９】次に、一般式(III) 又は一般式(IV)で示さ
れる本発明のインドール誘導体について説明する。これ
らインドール誘導体は、上記一般式(I) 又は一般式(II)
で示されるトリプトファン含有トランス型アルケンジペ
プチドイソスターの合成中間体である。
れる本発明のインドール誘導体について説明する。これ
らインドール誘導体は、上記一般式(I) 又は一般式(II)
で示されるトリプトファン含有トランス型アルケンジペ
プチドイソスターの合成中間体である。
【００３０】本発明のインドール誘導体は、下記一般式
(III) で示される。
(III) で示される。
【００３１】
【化２３】
【００３２】一般式(III) において、Ｘは水素原子又は
アミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン
基の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の
保護基を表し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール
基、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表
す。
アミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン
基の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の
保護基を表し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール
基、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表
す。
【００３３】また、本発明のインドール誘導体は、下記
一般式(IV)で示される。
一般式(IV)で示される。
【００３４】
【化２４】
【００３５】一般式(IV)において、Ｘは水素原子又はア
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保
護基を表し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール
基、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表
す。
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保
護基を表し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール
基、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表
す。
【００３６】一般式(III) 、(IV)において、Ｘが表すア
ミノ基の保護基、Ｙが表す第２アミン基の保護基、及び
Ｒ2 が表すアルキル基、アリール基、アルカリ金属原子
の具体例としては、それぞれ、一般式(I) 、(II)におけ
るものと同様のものが挙げられる。
ミノ基の保護基、Ｙが表す第２アミン基の保護基、及び
Ｒ2 が表すアルキル基、アリール基、アルカリ金属原子
の具体例としては、それぞれ、一般式(I) 、(II)におけ
るものと同様のものが挙げられる。
【００３７】Ｚが表すヒドロキシル基の保護基として
は、テトラヒドロピラニル基、アセチル基、tert- ブチ
ル基、メタンスルホニル（Ｍｅｓ）基、ｐ−トルエンス
ルホニル（Ｔｏｓ）基、トリメチルシリル（ＴＭＳ）
基、tert- ブチルジメチルシリル（ＴＢＤＳ）基、トリ
フェニルシリル基等が挙げられるが、これらに限定され
ることはなく、酢酸、トリフルオロ酢酸等の弱酸で容易
に開裂する保護基、テトラブチルアンモニウムフルオラ
イド水溶液で容易に開裂する保護基やメタンスルホニル
（Ｍｅｓ）基、ｐ−トルエンスルホニル（Ｔｏｓ）基等
の電子吸引性基であれば良い。これらの保護基は、後述
するように各合成ステップに応じて適宜選択することが
できる。
は、テトラヒドロピラニル基、アセチル基、tert- ブチ
ル基、メタンスルホニル（Ｍｅｓ）基、ｐ−トルエンス
ルホニル（Ｔｏｓ）基、トリメチルシリル（ＴＭＳ）
基、tert- ブチルジメチルシリル（ＴＢＤＳ）基、トリ
フェニルシリル基等が挙げられるが、これらに限定され
ることはなく、酢酸、トリフルオロ酢酸等の弱酸で容易
に開裂する保護基、テトラブチルアンモニウムフルオラ
イド水溶液で容易に開裂する保護基やメタンスルホニル
（Ｍｅｓ）基、ｐ−トルエンスルホニル（Ｔｏｓ）基等
の電子吸引性基であれば良い。これらの保護基は、後述
するように各合成ステップに応じて適宜選択することが
できる。
【００３８】次に、一般式(V) 又は一般式(VI)で示され
る本発明のインドール誘導体について説明する。これら
インドール誘導体は、上記一般式(III) 又は一般式(IV)
で示されるインドール誘導体の合成中間体である。
る本発明のインドール誘導体について説明する。これら
インドール誘導体は、上記一般式(III) 又は一般式(IV)
で示されるインドール誘導体の合成中間体である。
【００３９】本発明のインドール誘導体は、下記一般式
(V) で示される。
(V) で示される。
【００４０】
【化２５】
【００４１】一般式(V) において、Ｘは水素原子又はア
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保
護基を表す。
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保
護基を表す。
【００４２】また、本発明のインドール誘導体は、下記
一般式(VI)で示される。
一般式(VI)で示される。
【００４３】
【化２６】
【００４４】一般式(VI)において、Ｘは水素原子又はア
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保
護基を表す。
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保
護基を表す。
【００４５】一般式(V) 、(VI)において、Ｘが表すアミ
ノ基の保護基、及びＹが表す第２アミン基の保護基具体
例としては、それぞれ、一般式(I) 、(II)におけるもの
と同様のものが挙げられる。
ノ基の保護基、及びＹが表す第２アミン基の保護基具体
例としては、それぞれ、一般式(I) 、(II)におけるもの
と同様のものが挙げられる。
【００４６】また、Ｚが表すヒドロキシル基の保護基の
具体例としては、テトラヒドロピラニル基、アセチル
基、tert- ブチル基等が挙げられるが、後述するように
末端ビニル基の酸化ステップで脱保護されないことが必
要である。
具体例としては、テトラヒドロピラニル基、アセチル
基、tert- ブチル基等が挙げられるが、後述するように
末端ビニル基の酸化ステップで脱保護されないことが必
要である。
【００４７】次に、本発明の化合物の製造方法について
説明する。本発明の化合物（前記一般式(I) 、(II)、(I
II) 、(IV)、(V) 及び(VI)のいずれかで示される化合
物）は、次式に示すように、トリプトァンを出発原料と
して、下記一般式(VII) 、(VIII)で示されるインドール
誘導体を経由して立体特異的に合成することができる。
説明する。本発明の化合物（前記一般式(I) 、(II)、(I
II) 、(IV)、(V) 及び(VI)のいずれかで示される化合
物）は、次式に示すように、トリプトァンを出発原料と
して、下記一般式(VII) 、(VIII)で示されるインドール
誘導体を経由して立体特異的に合成することができる。
【００４８】
【化２７】
【００４９】一般式(VII) 、(VIII)において、Ｘp はア
ミノ基の保護基を表し、具体的には一般式(I) 〜(VI)に
おけるＸが表すアミノ基の保護基と同様のものが挙げら
れる。Ｙp は第２アミン基の保護基を表し、具体的には
一般式(I) 〜(VI)におけるＹが表す第２アミン基の保護
基と同様のものが挙げられる。Ｚp はヒドロキシル基の
保護基を表し、具体的には一般式(V) 及び(VI)における
Ｚが表すヒドロキシル基の保護基と同様のものが挙げら
れる。
ミノ基の保護基を表し、具体的には一般式(I) 〜(VI)に
おけるＸが表すアミノ基の保護基と同様のものが挙げら
れる。Ｙp は第２アミン基の保護基を表し、具体的には
一般式(I) 〜(VI)におけるＹが表す第２アミン基の保護
基と同様のものが挙げられる。Ｚp はヒドロキシル基の
保護基を表し、具体的には一般式(V) 及び(VI)における
Ｚが表すヒドロキシル基の保護基と同様のものが挙げら
れる。
【００５０】一般式(VII) 、(VIII)のインドール誘導体
は、トリプトファンを出発原料として、例えばＸp がＢ
ｏｃ基でＹp がＭｔｓ基の場合、次式スキーム(Scheme
I)に従って合成することができる。このスキームでは、
Ｌ−トリプトファンを用いた例を示すが、Ｄ−トリプト
ファンについても同様の反応を行うことができる。
は、トリプトファンを出発原料として、例えばＸp がＢ
ｏｃ基でＹp がＭｔｓ基の場合、次式スキーム(Scheme
I)に従って合成することができる。このスキームでは、
Ｌ−トリプトファンを用いた例を示すが、Ｄ−トリプト
ファンについても同様の反応を行うことができる。
【００５１】
【化２８】
【００５２】Ｂｏｃ基でアミノ基が保護されたトリプト
ファン(1) に、Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキシルアミン塩
酸塩を作用させてヒドロキサム酸エステル体(2) に変換
し、インドール環の第２アミン基をＭｔｓ基で保護する
(3) 。化合物(3) のヒドロキサム酸エステルを、ジイソ
ブチルアルミニウムハイドライド（ＤＩＢＡＬ）で還元
してアルデヒド体(4) に変換する。アルデヒド体(4)
に、ビニルマグネシウムクロライドを反応させて、互い
にジアステレオマーの関係にある末端ビニル体(5a)と(5
b)の混合物を得る。(5a)と(5b)の混合物を、カラムクロ
マトグラフィー等で分離して純粋な(5a)及び(5b)を得
る。化合物(5a)又は(5b)のヒドロキシル基を常法により
Ｚp 基で保護すれば、一般式(VII) 、(VIII)で示される
インドール誘導体を得ることができる。
ファン(1) に、Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキシルアミン塩
酸塩を作用させてヒドロキサム酸エステル体(2) に変換
し、インドール環の第２アミン基をＭｔｓ基で保護する
(3) 。化合物(3) のヒドロキサム酸エステルを、ジイソ
ブチルアルミニウムハイドライド（ＤＩＢＡＬ）で還元
してアルデヒド体(4) に変換する。アルデヒド体(4)
に、ビニルマグネシウムクロライドを反応させて、互い
にジアステレオマーの関係にある末端ビニル体(5a)と(5
b)の混合物を得る。(5a)と(5b)の混合物を、カラムクロ
マトグラフィー等で分離して純粋な(5a)及び(5b)を得
る。化合物(5a)又は(5b)のヒドロキシル基を常法により
Ｚp 基で保護すれば、一般式(VII) 、(VIII)で示される
インドール誘導体を得ることができる。
【００５３】次に、化合物(VII) →(Vp)→(IIIp)→(Ip)
の変換反応について、次式スキーム(Scheme II) を参照
して説明する。出発原料として化合物(VIII)を用いた場
合には、同様に、(VIII)→(VIp) →(IVp) →(IIp) の変
換反応を行うことができる(Scheme III)。
の変換反応について、次式スキーム(Scheme II) を参照
して説明する。出発原料として化合物(VIII)を用いた場
合には、同様に、(VIII)→(VIp) →(IVp) →(IIp) の変
換反応を行うことができる(Scheme III)。
【００５４】
【化２９】
【００５５】このスキーム（Scheme II 及びScheme II
I）中の一般式(Ip)、(IIp) 、(IIIp)、(IVp) 、(Vp)、
(VIp) 、(IX)、(X) において、Ｘp はアミノ基の保護基
を表し、具体的には一般式(I) 〜(VI)におけるＸが表す
アミノ基の保護基と同様のものが挙げられる。Ｙp は第
２アミン基の保護基を表し、具体的には、一般式(I) 〜
(VI)におけるＹが表す第２アミン基の保護基と同様のも
のが挙げられる。Ｚp はヒドロキシル基の保護基を表
し、具体的には一般式(III) 〜(VI)におけるＺが表すヒ
ドロキシル基の保護基と同様のものが挙げられる。ま
た、Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表し、具体的に
は一般式(I) 〜(IV)におけるＲ1 が表すアルキル基又は
アリール基と同様のものが挙げられる。Ｒ2'はアルキル
基又はアリール基を表し、具体的には一般式(I) 〜(IV)
におけるＲ2 が表すアルキル基又はアリール基と同様の
ものが挙げられる。
I）中の一般式(Ip)、(IIp) 、(IIIp)、(IVp) 、(Vp)、
(VIp) 、(IX)、(X) において、Ｘp はアミノ基の保護基
を表し、具体的には一般式(I) 〜(VI)におけるＸが表す
アミノ基の保護基と同様のものが挙げられる。Ｙp は第
２アミン基の保護基を表し、具体的には、一般式(I) 〜
(VI)におけるＹが表す第２アミン基の保護基と同様のも
のが挙げられる。Ｚp はヒドロキシル基の保護基を表
し、具体的には一般式(III) 〜(VI)におけるＺが表すヒ
ドロキシル基の保護基と同様のものが挙げられる。ま
た、Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表し、具体的に
は一般式(I) 〜(IV)におけるＲ1 が表すアルキル基又は
アリール基と同様のものが挙げられる。Ｒ2'はアルキル
基又はアリール基を表し、具体的には一般式(I) 〜(IV)
におけるＲ2 が表すアルキル基又はアリール基と同様の
ものが挙げられる。
【００５６】化合物(VII) →(Vp)の変換反応について説
明する：一般式(VII) のインドール−末端ビニル誘導体
に、四酸化オスミウム、過マンガン酸塩、過酸化水素、
有機過酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化
試薬を反応させて、末端ビニルをジオール化して、一般
式(IX)のジオール体とする。これらの試薬のうち、四酸
化オスミウムを触媒量使用し、三級ブチルヒドロキシパ
ーオキサイド（（ＣＨ3 ）3 ＣＯＯＨ）を併用すること
が好ましい。例えば、四酸化オスミウムを触媒量使用す
る場合には、四酸化オスミウムを末端ビニル誘導体(VI
I) の１．０〜１．５％モル程度使用し、７０％三級ブ
チルヒドロキシパーオキサイドを５当量使用する。ま
た、反応溶媒としては、tert- ＢｕＯＨ、ＭｅＯＨ、ア
セトン、水等の混合溶媒が挙げられる。また、反応温度
は通常０℃〜室温であり、反応時間は通常数時間〜数日
程度である。また、この変換反応において化合物(VII)
の保護基Ｚp としては、テトラヒドロピラニル基、アセ
チル基等が好ましい。
明する：一般式(VII) のインドール−末端ビニル誘導体
に、四酸化オスミウム、過マンガン酸塩、過酸化水素、
有機過酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化
試薬を反応させて、末端ビニルをジオール化して、一般
式(IX)のジオール体とする。これらの試薬のうち、四酸
化オスミウムを触媒量使用し、三級ブチルヒドロキシパ
ーオキサイド（（ＣＨ3 ）3 ＣＯＯＨ）を併用すること
が好ましい。例えば、四酸化オスミウムを触媒量使用す
る場合には、四酸化オスミウムを末端ビニル誘導体(VI
I) の１．０〜１．５％モル程度使用し、７０％三級ブ
チルヒドロキシパーオキサイドを５当量使用する。ま
た、反応溶媒としては、tert- ＢｕＯＨ、ＭｅＯＨ、ア
セトン、水等の混合溶媒が挙げられる。また、反応温度
は通常０℃〜室温であり、反応時間は通常数時間〜数日
程度である。また、この変換反応において化合物(VII)
の保護基Ｚp としては、テトラヒドロピラニル基、アセ
チル基等が好ましい。
【００５７】次に、得られたジオール体(IX)に、過ヨウ
素酸ナトリウム、四酢酸鉛、二酸化マンガンからなる群
から選ばれる少なくとも１種の酸化試薬を反応させて、
一般式(Vp)で示されるアルデヒド体に変換する。これら
の試薬のうち、過ヨウ素酸ナトリウムが緩和な酸化試薬
であり、アルデヒド体を収率良く生成するので好まし
い。過ヨウ素酸ナトリウム等の使用量は、ジオール体(I
X)の１．０〜１．２モル程度が一般的である。また、反
応溶媒としては、一般的には水が用いられるが、水−メ
タノール溶媒等、水−アルコール系混合溶媒も使用でき
る。また、反応温度は通常０℃〜室温であり、反応時間
は通常１〜数時間程度である。
素酸ナトリウム、四酢酸鉛、二酸化マンガンからなる群
から選ばれる少なくとも１種の酸化試薬を反応させて、
一般式(Vp)で示されるアルデヒド体に変換する。これら
の試薬のうち、過ヨウ素酸ナトリウムが緩和な酸化試薬
であり、アルデヒド体を収率良く生成するので好まし
い。過ヨウ素酸ナトリウム等の使用量は、ジオール体(I
X)の１．０〜１．２モル程度が一般的である。また、反
応溶媒としては、一般的には水が用いられるが、水−メ
タノール溶媒等、水−アルコール系混合溶媒も使用でき
る。また、反応温度は通常０℃〜室温であり、反応時間
は通常１〜数時間程度である。
【００５８】このようにして化合物(VII) から、ジオー
ル体(IX)を経てアルデヒド体(Vp)を合成することができ
る。この変換反応において、トリプトファンのアミノ基
−ＮＨＸp 基及びヒドロキシル基−ＯＺp 基の立体配置
は影響を受けず、光学純度の高いアルデヒド体(Vp)が得
られる。この酸化ステップによると、温和な酸化条件で
あるので、オゾン酸化の場合のようにインドール環の酸
化開裂が起こらない。化合物(VIII)について同様の反応
を行なうと、Scheme IIIに示すように、(VIII)→(X) →
(VIp) の変換を行うことができる。
ル体(IX)を経てアルデヒド体(Vp)を合成することができ
る。この変換反応において、トリプトファンのアミノ基
−ＮＨＸp 基及びヒドロキシル基−ＯＺp 基の立体配置
は影響を受けず、光学純度の高いアルデヒド体(Vp)が得
られる。この酸化ステップによると、温和な酸化条件で
あるので、オゾン酸化の場合のようにインドール環の酸
化開裂が起こらない。化合物(VIII)について同様の反応
を行なうと、Scheme IIIに示すように、(VIII)→(X) →
(VIp) の変換を行うことができる。
【００５９】化合物(Vp)→(IIIp)の変換反応について説
明する：一般式(Vp)のアルデヒド体に、ウィッティヒ試
薬（Ｃ6 Ｈ5 ）3 Ｐ＝ＣＨＣＯＯＲ2'（Ｒ2'はアルキル
基又はアリール基を表す）を反応させて、一般式(IIIp)
のインドール誘導体に変換する。これは通常のウィッテ
ィヒ反応であり、Ｒ2'としては、試薬入手の容易さ、反
応性等からメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピ
ル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert- ブチル
基等のアルキル基が好ましい。これら以外のＲ2'の導入
は、一旦合成された化合物(IIIp)のエステル交換によっ
ても行うことができる。ウィッティヒ試薬の使用量は、
アルデヒド体(Vp)の２〜３モル程度が一般的である。ま
た、反応溶媒としては、メチレンクロライド、テトラヒ
ドロフラン、エーテル、ベンゼン等が挙げられる。ま
た、反応温度は通常０℃〜室温であり、反応時間は通常
１〜数時間程度である。また、この変換反応において化
合物(Vp)の保護基Ｚp としては、テトラヒドロピラニル
基が好ましい。
明する：一般式(Vp)のアルデヒド体に、ウィッティヒ試
薬（Ｃ6 Ｈ5 ）3 Ｐ＝ＣＨＣＯＯＲ2'（Ｒ2'はアルキル
基又はアリール基を表す）を反応させて、一般式(IIIp)
のインドール誘導体に変換する。これは通常のウィッテ
ィヒ反応であり、Ｒ2'としては、試薬入手の容易さ、反
応性等からメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピ
ル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert- ブチル
基等のアルキル基が好ましい。これら以外のＲ2'の導入
は、一旦合成された化合物(IIIp)のエステル交換によっ
ても行うことができる。ウィッティヒ試薬の使用量は、
アルデヒド体(Vp)の２〜３モル程度が一般的である。ま
た、反応溶媒としては、メチレンクロライド、テトラヒ
ドロフラン、エーテル、ベンゼン等が挙げられる。ま
た、反応温度は通常０℃〜室温であり、反応時間は通常
１〜数時間程度である。また、この変換反応において化
合物(Vp)の保護基Ｚp としては、テトラヒドロピラニル
基が好ましい。
【００６０】このようにして化合物(Vp)から、化合物(I
IIp)を合成することができる。この変換反応において、
トリプトファンのアミノ基−ＮＨＸp 基及びヒドロキシ
ル基−ＯＺp 基の立体配置は影響を受けず、光学純度の
高い化合物(IIIp)が得られる。化合物(VIp) について同
様の反応を行なうと、Scheme IIIに示すように、(VIp)
→(IVp) の変換を行うことができる。
IIp)を合成することができる。この変換反応において、
トリプトファンのアミノ基−ＮＨＸp 基及びヒドロキシ
ル基−ＯＺp 基の立体配置は影響を受けず、光学純度の
高い化合物(IIIp)が得られる。化合物(VIp) について同
様の反応を行なうと、Scheme IIIに示すように、(VIp)
→(IVp) の変換を行うことができる。
【００６１】化合物(IIIp)→(Ip)の変換反応について説
明する：一般式(IIIp)のインドール誘導体に、グリニャ
ール試薬Ｒ1 ＭｇＸ（Ｒ1 はアルキル基又はアリール基
を表し、Ｘはハロゲン原子、一般には塩素原子を表す）
又は有機リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉ（Ｒ1 はアルキル基又は
アリール基を表す）を反応させて、立体特異的に一般式
(Ip)のトリプトファン含有トランス型アルケンジペプチ
ドイソスターに変換する。Ｒ1 は、グリニャール試薬又
は有機リチウム試薬が入手可能なアルキル基又はアリー
ル基である。
明する：一般式(IIIp)のインドール誘導体に、グリニャ
ール試薬Ｒ1 ＭｇＸ（Ｒ1 はアルキル基又はアリール基
を表し、Ｘはハロゲン原子、一般には塩素原子を表す）
又は有機リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉ（Ｒ1 はアルキル基又は
アリール基を表す）を反応させて、立体特異的に一般式
(Ip)のトリプトファン含有トランス型アルケンジペプチ
ドイソスターに変換する。Ｒ1 は、グリニャール試薬又
は有機リチウム試薬が入手可能なアルキル基又はアリー
ル基である。
【００６２】この変換反応は、有機第一銅触媒の存在下
で進行しやすい。このような有機第一銅触媒としては、
ＣｕＣＮ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＣｕＣｌ等が挙げられ
る。反応系中において、有機第一銅触媒とグリニャール
試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉとが、Ｒ
1 Ｃｕ（ＣＮ）ＭｇＸ・ＢＦ3 又はＲ1 Ｃｕ（ＣＮ）Ｌ
ｉ・ＢＦ3 型の反応試剤を形成するものと考えられる。
有機第一銅触媒の使用量は、化合物(IIIp)の２〜４モル
程度が好ましい。
で進行しやすい。このような有機第一銅触媒としては、
ＣｕＣＮ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＣｕＣｌ等が挙げられ
る。反応系中において、有機第一銅触媒とグリニャール
試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉとが、Ｒ
1 Ｃｕ（ＣＮ）ＭｇＸ・ＢＦ3 又はＲ1 Ｃｕ（ＣＮ）Ｌ
ｉ・ＢＦ3 型の反応試剤を形成するものと考えられる。
有機第一銅触媒の使用量は、化合物(IIIp)の２〜４モル
程度が好ましい。
【００６３】また、この変換反応における化合物(IIIp)
の保護基Ｚp としては、水酸基の脱離性を良くするため
に、メシル基、トシル基等の電子吸引性基が好ましい。
の保護基Ｚp としては、水酸基の脱離性を良くするため
に、メシル基、トシル基等の電子吸引性基が好ましい。
【００６４】この反応の溶媒としては、テトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）、エーテル等が挙げられる。また、反応
温度は通常−７８℃程度であり、反応時間は通常３０分
〜１時間程度である。
ラン（ＴＨＦ）、エーテル等が挙げられる。また、反応
温度は通常−７８℃程度であり、反応時間は通常３０分
〜１時間程度である。
【００６５】このようにして化合物(IIIp)から、立体特
異的にトリプトファン含有トランス型アルケンジペプチ
ドイソスター(Ip)を合成することができる。この変換反
応において、トリプトファンのアミノ基−ＮＨＸp 基の
立体配置は影響を受けず、化合物(Ip)の光学純度は高
い。化合物(IVp) について同様の反応を行なうと、Sche
me IIIに示すように、(IVp) →(IIp) の立体特異的変換
を行うことができる。
異的にトリプトファン含有トランス型アルケンジペプチ
ドイソスター(Ip)を合成することができる。この変換反
応において、トリプトファンのアミノ基−ＮＨＸp 基の
立体配置は影響を受けず、化合物(Ip)の光学純度は高
い。化合物(IVp) について同様の反応を行なうと、Sche
me IIIに示すように、(IVp) →(IIp) の立体特異的変換
を行うことができる。
【００６６】以上のようにして合成される一般式(Ip)、
(IIp) 、(IIIp)、(IVp) 、(Vp)、(VIp) の各化合物の保
護基の脱保護、あるいは他の保護基による保護は、常法
によって容易に行うことができる。
(IIp) 、(IIIp)、(IVp) 、(Vp)、(VIp) の各化合物の保
護基の脱保護、あるいは他の保護基による保護は、常法
によって容易に行うことができる。
【００６７】以上のように本発明の製造方法によれば、
インドール誘導体(VII) 又は(VIII)からのインドール誘
導体(Vp)又は(VIp) の合成において、温和な酸化条件を
用いているのでインドール環の酸化開裂は起こることが
なく、また、トリプトファンのアミノ基−ＮＨＸp 基及
びヒドロキシル基−ＯＺp 基の立体配置は影響を受け
ず、光学純度の高いインドール誘導体(Vp)又は(VIp) が
得られる。
インドール誘導体(VII) 又は(VIII)からのインドール誘
導体(Vp)又は(VIp) の合成において、温和な酸化条件を
用いているのでインドール環の酸化開裂は起こることが
なく、また、トリプトファンのアミノ基−ＮＨＸp 基及
びヒドロキシル基−ＯＺp 基の立体配置は影響を受け
ず、光学純度の高いインドール誘導体(Vp)又は(VIp) が
得られる。
【００６８】また、インドール誘導体(Vp)又は(VIp) か
らのインドール誘導体(IIIp)又は(IVp) の合成におい
て、同様に−ＮＨＸp 基及び−ＯＺp 基の立体配置は影
響を受けず、光学純度の高いインドール誘導体(IIIp)又
は(IVp) が得られる。
らのインドール誘導体(IIIp)又は(IVp) の合成におい
て、同様に−ＮＨＸp 基及び−ＯＺp 基の立体配置は影
響を受けず、光学純度の高いインドール誘導体(IIIp)又
は(IVp) が得られる。
【００６９】さらに、インドール誘導体(IIIp)又は(IV
p) からのトランス型アルケンジペプチドイソスター(I
p)又は(IIp) の合成において、同様に−ＮＨＸp 基の立
体配置は影響を受けず、１，３−キラリティー転移反応
によってＲ1 基が立体特異的に導入され、光学純度の高
いトランス型アルケンジペプチドイソスター(Ip)又は(I
Ip) が得られる。グリニャール試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機
リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉの変更により、種々のＲ1 を有す
るトリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイ
ソスターを高光学純度で合成することが可能である。
p) からのトランス型アルケンジペプチドイソスター(I
p)又は(IIp) の合成において、同様に−ＮＨＸp 基の立
体配置は影響を受けず、１，３−キラリティー転移反応
によってＲ1 基が立体特異的に導入され、光学純度の高
いトランス型アルケンジペプチドイソスター(Ip)又は(I
Ip) が得られる。グリニャール試薬Ｒ1 ＭｇＸ又は有機
リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉの変更により、種々のＲ1 を有す
るトリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイ
ソスターを高光学純度で合成することが可能である。
【００７０】このように種々の目的に応じた置換基
（Ｘ、Ｙ、Ｒ1 及びＲ2 ）を有する一般式(I) 又は(II)
で示されるトリプトファン含有トランス型アルケンジペ
プチドイソスターを得ることができる。
（Ｘ、Ｙ、Ｒ1 及びＲ2 ）を有する一般式(I) 又は(II)
で示されるトリプトファン含有トランス型アルケンジペ
プチドイソスターを得ることができる。
【００７１】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００７２】［参考例］前記のScheme I を再び参照し
て、Ｂｏｃ−Ｌ−トリプトファン（１）からのインドー
ル誘導体（５ａ）及び（５ｂ）の合成例を述べる。
て、Ｂｏｃ−Ｌ−トリプトファン（１）からのインドー
ル誘導体（５ａ）及び（５ｂ）の合成例を述べる。
【００７３】（合成例１） tert- ブチルオキシカルボニル−Ｌ−トリプトファン
Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキサメート（２）の合成例 Ｂｏｃ−Ｌ−Ｔｒｐ（１）（１０．０８ｇ、３３ｍｍｏ
ｌ）を、Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩
（３．５５２ｇ、３６ｍｍｏｌ）及びジメチルアミノピ
リジン（ＤＭＡＰ）（０．３２４ｇ、２．７ｍｍｏｌ）
のＣＨ2 Ｃｌ2 （３００ｍｌ）溶液に加えた。この溶液
を−３０℃に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン（Ｄ
ＩＥＡ）（６．３４ｍｌ、３６ｍｍｏｌ）を加え、反応
液を−３０〜−２０℃に保ち、２時間攪拌した。さら
に、室温で１６時間攪拌した。析出物を濾去し、濾液を
減圧下に留去した。この残渣をシリカゲル（３００ｇ）
カラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エチル−ヘキサ
ン １：１→２：１）、生成物（２）１０．８８ｇ（収
率：９５％）を得た。ｍｐ：１３７〜１３８℃（酢酸エ
チル−ヘキサン）であった。
Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキサメート（２）の合成例 Ｂｏｃ−Ｌ−Ｔｒｐ（１）（１０．０８ｇ、３３ｍｍｏ
ｌ）を、Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩
（３．５５２ｇ、３６ｍｍｏｌ）及びジメチルアミノピ
リジン（ＤＭＡＰ）（０．３２４ｇ、２．７ｍｍｏｌ）
のＣＨ2 Ｃｌ2 （３００ｍｌ）溶液に加えた。この溶液
を−３０℃に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン（Ｄ
ＩＥＡ）（６．３４ｍｌ、３６ｍｍｏｌ）を加え、反応
液を−３０〜−２０℃に保ち、２時間攪拌した。さら
に、室温で１６時間攪拌した。析出物を濾去し、濾液を
減圧下に留去した。この残渣をシリカゲル（３００ｇ）
カラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エチル−ヘキサ
ン １：１→２：１）、生成物（２）１０．８８ｇ（収
率：９５％）を得た。ｍｐ：１３７〜１３８℃（酢酸エ
チル−ヘキサン）であった。
【００７４】（合成例２） Ｎ−メシチレン−２−スルホニル−（tert- ブチルオキ
シカルボニル）−Ｌ−トリプトファン Ｎ，Ｏ−ジメチ
ルヒドロキサメート（３）の合成例 化合物（２）（１５．１７ｇ、４３．７ｍｍｏｌ）のＤ
ＭＦ（８０ｍｌ）溶液に、０℃、窒素雰囲気下、ＮａＨ
（１．８９ｇ、４７．２５ｍｍｏｌ）を加え、反応液を
０℃で２時間攪拌した。反応液にメシチレン−２−スル
ホニルクロライド（１１．４６ｇ、５２．４５ｍｍｏ
ｌ）を加え、０℃で３時間、室温で１５時間攪拌した。
反応液を氷水にあけ、水層を酢酸エチルで抽出した。有
機層を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲル
（３００ｇ）カラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エ
チル−ヘキサン １：１）、生成物（３）１９．８４ｇ
（収率：８５％）を得た。ｍｐ：１２９〜１３０℃（酢
酸エチル−ヘキサン）であった。
シカルボニル）−Ｌ−トリプトファン Ｎ，Ｏ−ジメチ
ルヒドロキサメート（３）の合成例 化合物（２）（１５．１７ｇ、４３．７ｍｍｏｌ）のＤ
ＭＦ（８０ｍｌ）溶液に、０℃、窒素雰囲気下、ＮａＨ
（１．８９ｇ、４７．２５ｍｍｏｌ）を加え、反応液を
０℃で２時間攪拌した。反応液にメシチレン−２−スル
ホニルクロライド（１１．４６ｇ、５２．４５ｍｍｏ
ｌ）を加え、０℃で３時間、室温で１５時間攪拌した。
反応液を氷水にあけ、水層を酢酸エチルで抽出した。有
機層を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲル
（３００ｇ）カラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エ
チル−ヘキサン １：１）、生成物（３）１９．８４ｇ
（収率：８５％）を得た。ｍｐ：１２９〜１３０℃（酢
酸エチル−ヘキサン）であった。
【００７５】（合成例３） （３Ｓ，４Ｓ）−４−tert- ブチルオキシカルボニルア
ミノ−３−ヒドロキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレン−
２−スルホニル）インドイル｝−１−ペンテン（５ａ）
及び（３Ｒ，４Ｓ）−４−tert- ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−３−ヒドロキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレ
ン−２−スルホニル）インドイル｝−１−ペンテン（５
ｂ）の合成例 化合物（３）（１３．２２５ｇ、２５ｍｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ（４０ｍｌ）溶液を−７８℃に冷却し、これにアルゴ
ン雰囲気下、１Ｍ−ジイソブチルアルミニウムハイドラ
イド（ＤＩＢＡＬ）トルエン溶液（７５ｍｌ、７５ｍｍ
ｏｌ）を滴下した。反応液を−７８℃で１．５時間攪拌
した。酢酸エチル（９ｍｌ）及びＭｅＯＨ（９ｍｌ）を
反応液に加え、さらに−７８℃で３０分間攪拌した。反
応液に水（７０ｍｌ）を加え０℃に昇温し、反応液を２
０分間攪拌した。反応液をセライトを用いてグラスフィ
ルターで濾過した。エーテルでセライトを洗浄し、濾液
を集め、エーテル層を分離した。また、水層をエーテル
で抽出し、これらのエーテル層を合わせて、飽和食塩水
で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去
し、生成物（４）を得た。
ミノ−３−ヒドロキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレン−
２−スルホニル）インドイル｝−１−ペンテン（５ａ）
及び（３Ｒ，４Ｓ）−４−tert- ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−３−ヒドロキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレ
ン−２−スルホニル）インドイル｝−１−ペンテン（５
ｂ）の合成例 化合物（３）（１３．２２５ｇ、２５ｍｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ（４０ｍｌ）溶液を−７８℃に冷却し、これにアルゴ
ン雰囲気下、１Ｍ−ジイソブチルアルミニウムハイドラ
イド（ＤＩＢＡＬ）トルエン溶液（７５ｍｌ、７５ｍｍ
ｏｌ）を滴下した。反応液を−７８℃で１．５時間攪拌
した。酢酸エチル（９ｍｌ）及びＭｅＯＨ（９ｍｌ）を
反応液に加え、さらに−７８℃で３０分間攪拌した。反
応液に水（７０ｍｌ）を加え０℃に昇温し、反応液を２
０分間攪拌した。反応液をセライトを用いてグラスフィ
ルターで濾過した。エーテルでセライトを洗浄し、濾液
を集め、エーテル層を分離した。また、水層をエーテル
で抽出し、これらのエーテル層を合わせて、飽和食塩水
で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去
し、生成物（４）を得た。
【００７６】得られた生成物（４）をＴＨＦ（１５０ｍ
ｌ）に溶解し、２．２Ｍビニルマグネシウムクロライド
（３９．８ｍｌ、８７．５ｍｍｏｌ）を０℃、アルゴン
雰囲気下に滴下した。反応液を０℃で２０時間攪拌し
た。反応液に飽和ＮａＨＣＯ3（５０ｍｌ）を滴下する
ことによって、反応をクエンチし、酢酸エチルを加え有
機層を分離した。水層を酢酸エチルで抽出し、有機層を
合わせて、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリ
カゲル（５００ｇ）カラムクロマトグラフィーに付し
（酢酸エチル−ヘキサン １：３→１：１）、生成物
（５ａ）の５．２４４ｇ（収率：４２％）及び生成物
（５ｂ）の３．６１０ｇ（収率：２９％）をそれぞれ得
た。
ｌ）に溶解し、２．２Ｍビニルマグネシウムクロライド
（３９．８ｍｌ、８７．５ｍｍｏｌ）を０℃、アルゴン
雰囲気下に滴下した。反応液を０℃で２０時間攪拌し
た。反応液に飽和ＮａＨＣＯ3（５０ｍｌ）を滴下する
ことによって、反応をクエンチし、酢酸エチルを加え有
機層を分離した。水層を酢酸エチルで抽出し、有機層を
合わせて、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリ
カゲル（５００ｇ）カラムクロマトグラフィーに付し
（酢酸エチル−ヘキサン １：３→１：１）、生成物
（５ａ）の５．２４４ｇ（収率：４２％）及び生成物
（５ｂ）の３．６１０ｇ（収率：２９％）をそれぞれ得
た。
【００７７】（５ａ） ｍｐ：５７〜５８℃，［α］21
D −２６．８°1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.41（9H, s,tert- Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.96-3.09 （2H, m,ＣＨ2 ）、3.89-3.93（1H,
m,4-Ｈ）、4.16-4.21 （1H, m,3-Ｈ）、4.91（1H,br.d,
J=8Hz,ＮＨ）、5.19（1H,d.d, J=10.6Hz, J=1.2Hz ）、
5.27（1H,d.d, J=17.8Hz, J=1.2Hz ）、5.90（1H,d.d.
d, J=17.8Hz, J=10.6Hz, J=5.4Hz,2-Ｈ）、6.94（2H,
s, Ar-Ｈ）、7.14-7.45 （3H, m, indole-Ｈ）、7.47
（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.51-7.70 （1H, m, indole-
7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ27Ｈ34Ｎ2 Ｏ5 Ｓ：４９８．２
１８８、Found ：４９８．２１９４
D −２６．８°1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.41（9H, s,tert- Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.96-3.09 （2H, m,ＣＨ2 ）、3.89-3.93（1H,
m,4-Ｈ）、4.16-4.21 （1H, m,3-Ｈ）、4.91（1H,br.d,
J=8Hz,ＮＨ）、5.19（1H,d.d, J=10.6Hz, J=1.2Hz ）、
5.27（1H,d.d, J=17.8Hz, J=1.2Hz ）、5.90（1H,d.d.
d, J=17.8Hz, J=10.6Hz, J=5.4Hz,2-Ｈ）、6.94（2H,
s, Ar-Ｈ）、7.14-7.45 （3H, m, indole-Ｈ）、7.47
（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.51-7.70 （1H, m, indole-
7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ27Ｈ34Ｎ2 Ｏ5 Ｓ：４９８．２
１８８、Found ：４９８．２１９４
【００７８】（５ｂ） ｍｐ：５５〜５７℃，［α］21
D −１９．４°1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.38（9H, s,tert- Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.85-3.02 （2H, m,ＣＨ2 ）、4.01-4.07（1H,
m,4-Ｈ）、4.26-4.28 （1H, m,3-Ｈ）、4.66（1H,br.d,
J=8Hz,ＮＨ）、5.19（1H,d.d, J=10.6Hz, J=1.2Hz ）、
5.27（1H,d.d, J=17.8Hz, J=1.2Hz ）、5.90（1H,d.d.
d, J=17.8Hz, J=10.6Hz, J=5.4Hz,2-Ｈ）、6.94（2H,
s, Ar-Ｈ）、7.17-7.35 （3H, m, indole-Ｈ）、7.45
（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.54-7.58 （1H, m, indole-
7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ27Ｈ34Ｎ2 Ｏ5 Ｓ：４９８．２
１８８、Found ：４９８．２２００
D −１９．４°1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.38（9H, s,tert- Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.85-3.02 （2H, m,ＣＨ2 ）、4.01-4.07（1H,
m,4-Ｈ）、4.26-4.28 （1H, m,3-Ｈ）、4.66（1H,br.d,
J=8Hz,ＮＨ）、5.19（1H,d.d, J=10.6Hz, J=1.2Hz ）、
5.27（1H,d.d, J=17.8Hz, J=1.2Hz ）、5.90（1H,d.d.
d, J=17.8Hz, J=10.6Hz, J=5.4Hz,2-Ｈ）、6.94（2H,
s, Ar-Ｈ）、7.17-7.35 （3H, m, indole-Ｈ）、7.45
（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.54-7.58 （1H, m, indole-
7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ27Ｈ34Ｎ2 Ｏ5 Ｓ：４９８．２
１８８、Found ：４９８．２２００
【００７９】インドール誘導体（５ａ）及び（５ｂ）の
立体構造確認について述べる。Scheme IV 及びScheme V
に示すように、（５ａ）及び（５ｂ）をそれぞれ（７
ａ）及び（７ｂ）に誘導し、そのＮＭＲスペクトルから
立体構造の確認を行なった。（７ａ）及び（７ｂ）の５
位炭素のプロトンのカップリング定数は、（７ａ）では
Ｊ4,5 ＝６．０Ｈｚであり、（７ｂ）ではＪ4,5 ＝７．
８Ｈｚである。従って、（７ｂ）の５位炭素のプロトン
はシス配位であり、（７ａ）の５位炭素のプロトンはト
ランス配位である。このことから、（５ａ）及び（５
ｂ）の水酸基の立体配位は、（５ａ）ではβ位、（５
ｂ）ではα位と言える。このように、インドール誘導体
（５ａ）及び（５ｂ）の立体構造を確認した。
立体構造確認について述べる。Scheme IV 及びScheme V
に示すように、（５ａ）及び（５ｂ）をそれぞれ（７
ａ）及び（７ｂ）に誘導し、そのＮＭＲスペクトルから
立体構造の確認を行なった。（７ａ）及び（７ｂ）の５
位炭素のプロトンのカップリング定数は、（７ａ）では
Ｊ4,5 ＝６．０Ｈｚであり、（７ｂ）ではＪ4,5 ＝７．
８Ｈｚである。従って、（７ｂ）の５位炭素のプロトン
はシス配位であり、（７ａ）の５位炭素のプロトンはト
ランス配位である。このことから、（５ａ）及び（５
ｂ）の水酸基の立体配位は、（５ａ）ではβ位、（５
ｂ）ではα位と言える。このように、インドール誘導体
（５ａ）及び（５ｂ）の立体構造を確認した。
【００８０】以下に、立体構造確認のために誘導体（７
ａ）及び（７ｂ）の合成例を記述する。
ａ）及び（７ｂ）の合成例を記述する。
【００８１】（合成例４） （４Ｓ，５Ｒ）−４−｛3'−（Ｎ−メシチレン−２−ス
ルホニル）インドイル｝メチル−５−ビニル−２−オキ
サゾリジノン（７ａ）の合成例
ルホニル）インドイル｝メチル−５−ビニル−２−オキ
サゾリジノン（７ａ）の合成例
【化３０】
【００８２】化合物（５ａ）（０．１２ｇ、０．２４ｍ
ｍｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （４ｍｌ）溶液にＣＦ3 ＣＯＯ
Ｈ（１ｍｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応液を
減圧留去し、残渣を酢酸エチルに溶解した。この溶液を
５％ＮａＨＣＯ3 、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生成物（６ａ）を得
た。
ｍｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （４ｍｌ）溶液にＣＦ3 ＣＯＯ
Ｈ（１ｍｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応液を
減圧留去し、残渣を酢酸エチルに溶解した。この溶液を
５％ＮａＨＣＯ3 、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生成物（６ａ）を得
た。
【００８３】得られた（６ａ）をＴＨＦ（３ｍｌ）に溶
解し、０℃冷却下にトリエチルアミン（０．０４９ｇ、
０．４９ｍｍｏｌ）及びトリホスゲン（０．０２４ｇ、
０．０８ｍｍｏｌ）を加え、反応液を１時間攪拌した。
析出物を濾去し、濾液を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エチル−ヘキ
サン １：３→１：１）、生成物（７ａ）０．０４８ｇ
（収率：４８％）を得た。
解し、０℃冷却下にトリエチルアミン（０．０４９ｇ、
０．４９ｍｍｏｌ）及びトリホスゲン（０．０２４ｇ、
０．０８ｍｍｏｌ）を加え、反応液を１時間攪拌した。
析出物を濾去し、濾液を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エチル−ヘキ
サン １：３→１：１）、生成物（７ａ）０．０４８ｇ
（収率：４８％）を得た。
【００８４】（７ａ） ｍｐ：１６６〜１６７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：2.30（3H, s,Ｃ
Ｈ3 ）、2.53（6H, s,ＣＨ3×２）、2.96（1H, d.d, J=
7.7Hz, J=14.5Hz, ＣＨ2 ）、3.03（1H, d.d, J=5.6Hz,
J=14.5Hz, ＣＨ2 ）、3.86（1H, d.d.d, J=7.7Hz, J=
5.6Hz, J=6.0Hz, 4-Ｈ）、4.70（1H, d.d, J=6.7Hz, J=
6.0Hz, 5- Ｈ）、5.19（1H, br.s, ＮＨ）、5.30（1H,
d.t,J=10.4Hz,J=0.9Hz ）、5.37（1H,d.t, J=17.0Hz, J
=0.9Hz ）、5.86（1H,d.d.d, J=6.7Hz, J=10.4Hz J=17.
0Hz）、6.97（2H, s, Ar-Ｈ）、7.22-7.26 （2H, m, in
dole-Ｈ）、7.36-7.40 （1H, m, indole-4-Ｈ）、7.45
（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.47-7.50 （1H, m, indole-
7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ23Ｈ24Ｎ2 Ｏ4 Ｓ：４２４．１
４５７、Found ：４２４．１４１７
Ｈ3 ）、2.53（6H, s,ＣＨ3×２）、2.96（1H, d.d, J=
7.7Hz, J=14.5Hz, ＣＨ2 ）、3.03（1H, d.d, J=5.6Hz,
J=14.5Hz, ＣＨ2 ）、3.86（1H, d.d.d, J=7.7Hz, J=
5.6Hz, J=6.0Hz, 4-Ｈ）、4.70（1H, d.d, J=6.7Hz, J=
6.0Hz, 5- Ｈ）、5.19（1H, br.s, ＮＨ）、5.30（1H,
d.t,J=10.4Hz,J=0.9Hz ）、5.37（1H,d.t, J=17.0Hz, J
=0.9Hz ）、5.86（1H,d.d.d, J=6.7Hz, J=10.4Hz J=17.
0Hz）、6.97（2H, s, Ar-Ｈ）、7.22-7.26 （2H, m, in
dole-Ｈ）、7.36-7.40 （1H, m, indole-4-Ｈ）、7.45
（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.47-7.50 （1H, m, indole-
7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ23Ｈ24Ｎ2 Ｏ4 Ｓ：４２４．１
４５７、Found ：４２４．１４１７
【００８５】（合成例５） （４Ｓ，５Ｓ）−４−｛3'−（Ｎ−メシチレン−２−ス
ルホニル）インドイル｝メチル−５−ビニル−２−オキ
サゾリジノン（７ｂ）の合成例
ルホニル）インドイル｝メチル−５−ビニル−２−オキ
サゾリジノン（７ｂ）の合成例
【化３１】
【００８６】化合物（５ｂ）（０．１ｇ、０．２ｍｍｏ
ｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （４ｍｌ）溶液にＣＦ3 ＣＯＯＨ
（１ｍｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応液を上
記と同様に処理し、粗生成物（６ｂ）を得た。
ｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （４ｍｌ）溶液にＣＦ3 ＣＯＯＨ
（１ｍｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応液を上
記と同様に処理し、粗生成物（６ｂ）を得た。
【００８７】得られた（６ｂ）をＴＨＦ（３ｍｌ）に溶
解し、０℃冷却下にトリエチルアミン（０．０４ｇ、
０．４ｍｍｏｌ）及びトリホスゲン（０．０２ｇ、０．
０６７ｍｍｏｌ）を加え、反応液を１時間攪拌した。上
記と同様に処理し、生成物（７ｂ）０．０４２ｇ（収
率：５０％）を得た。
解し、０℃冷却下にトリエチルアミン（０．０４ｇ、
０．４ｍｍｏｌ）及びトリホスゲン（０．０２ｇ、０．
０６７ｍｍｏｌ）を加え、反応液を１時間攪拌した。上
記と同様に処理し、生成物（７ｂ）０．０４２ｇ（収
率：５０％）を得た。
【００８８】（７ｂ） ｍｐ：９０〜９２℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：2.30（3H, s,Ｃ
Ｈ3 ）、2.53（6H, s,ＣＨ3×２）、2.78（1H, d.d, J=
10.4Hz, J=14.4Hz,ＣＨ2 ）、2.91（1H, d.d, J=3.9Hz,
J=14.4Hz, ＣＨ2 ）、4.24（1H, d.d.d, J=7.7Hz, J=
5.6Hz, J=7.8Hz, 4-Ｈ）、5.18（1H, d.d, J=7.8Hz, J=
6.7Hz, 5- Ｈ）、5.48（1H, d.t, J=10.5Hz, J=1.1H
z）、5.58（1H,d.t, J=10.5Hz, J=1.1Hz ）、5.58（1H,
d.t, J=17.7Hz, J=1.1Hz）、6.01（1H, d.d.d, J=6.7H
z, J=10.5Hz, J=17.2Hz）、6.97（2H, s, Ar-Ｈ）、7.2
2-7.26 （2H, m, indole-Ｈ）、7.36-7.41 （1H, m, in
dole-4-Ｈ）、7.42（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.47-7.50
（1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ23Ｈ24Ｎ2 Ｏ4 Ｓ：４２４．１
４５７、Found ：４２４．１４７４
Ｈ3 ）、2.53（6H, s,ＣＨ3×２）、2.78（1H, d.d, J=
10.4Hz, J=14.4Hz,ＣＨ2 ）、2.91（1H, d.d, J=3.9Hz,
J=14.4Hz, ＣＨ2 ）、4.24（1H, d.d.d, J=7.7Hz, J=
5.6Hz, J=7.8Hz, 4-Ｈ）、5.18（1H, d.d, J=7.8Hz, J=
6.7Hz, 5- Ｈ）、5.48（1H, d.t, J=10.5Hz, J=1.1H
z）、5.58（1H,d.t, J=10.5Hz, J=1.1Hz ）、5.58（1H,
d.t, J=17.7Hz, J=1.1Hz）、6.01（1H, d.d.d, J=6.7H
z, J=10.5Hz, J=17.2Hz）、6.97（2H, s, Ar-Ｈ）、7.2
2-7.26 （2H, m, indole-Ｈ）、7.36-7.41 （1H, m, in
dole-4-Ｈ）、7.42（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.47-7.50
（1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ23Ｈ24Ｎ2 Ｏ4 Ｓ：４２４．１
４５７、Found ：４２４．１４７４
【００８９】次に、インドール誘導体（５ａ）又は（５
ｂ）を用いた実施例を、Scheme VI、Scheme VII、Schem
e VIII 及びScheme IX を参照して述べる。
ｂ）を用いた実施例を、Scheme VI、Scheme VII、Schem
e VIII 及びScheme IX を参照して述べる。
【００９０】［実施例１］ （３Ｓ，４Ｓ）−４−tert- ブチルオキシカルボニルア
ミノ−３−テトラヒドロピラニルオキシ−５−｛3'−
（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−１
−ペンテン（８ａ）の合成例 化合物（５ａ）（５．１８ｇ、１０．４ｍｍｏｌ）及び
３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（４．３７ｇ、５２ｍ
ｍｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （６０ｍｌ）溶液に、０℃冷却
下、ｐ−トルエンスルホン酸（ＰＴＳ）（０．１ｇ、
０．５２ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を室温で１６時間
攪拌した後、ＣＨ2 Ｃｌ2 を加え希釈した。反応液を飽
和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：５）
で精製し、生成物（８ａ）４．８９ｇ（収率：８４％）
を得た。
ミノ−３−テトラヒドロピラニルオキシ−５−｛3'−
（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−１
−ペンテン（８ａ）の合成例 化合物（５ａ）（５．１８ｇ、１０．４ｍｍｏｌ）及び
３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（４．３７ｇ、５２ｍ
ｍｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （６０ｍｌ）溶液に、０℃冷却
下、ｐ−トルエンスルホン酸（ＰＴＳ）（０．１ｇ、
０．５２ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を室温で１６時間
攪拌した後、ＣＨ2 Ｃｌ2 を加え希釈した。反応液を飽
和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：５）
で精製し、生成物（８ａ）４．８９ｇ（収率：８４％）
を得た。
【００９１】（８ａ） ［α］21 D −２５．７°（Ｃ＝
１．０５７，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.41及び1.42（9H, s,
ＣＨ3 ×３，tert- Ｂｕ）、1.30-1.96 （6H, m,ＣＨ2
×３）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.80-3.16 （2H, m, 5- ＣＨ2 ）、3.40-3.62
（2H, m,−ＯＣＨ2 −）、3.86-4.24 及び4.52-4.66
（3H, m,3-Ｈ，4-Ｈ，−ＯＣＨＯ−）、4.81-5.00 （1
H, m,ＮＨ）、5.11-5.27 （2H, m,1-Ｈ）、5.70-5.94
（1H, m,2-Ｈ）、6.94（1H, s, Ar-Ｈ）、7.11-7.41
（3H, m, indole-Ｈ）、7.42及び7.57（1H, s, indole-
2-Ｈ）、7.59-7.77 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：５８２．２
７６３、Found ：５８２．２７７８
１．０５７，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.41及び1.42（9H, s,
ＣＨ3 ×３，tert- Ｂｕ）、1.30-1.96 （6H, m,ＣＨ2
×３）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.80-3.16 （2H, m, 5- ＣＨ2 ）、3.40-3.62
（2H, m,−ＯＣＨ2 −）、3.86-4.24 及び4.52-4.66
（3H, m,3-Ｈ，4-Ｈ，−ＯＣＨＯ−）、4.81-5.00 （1
H, m,ＮＨ）、5.11-5.27 （2H, m,1-Ｈ）、5.70-5.94
（1H, m,2-Ｈ）、6.94（1H, s, Ar-Ｈ）、7.11-7.41
（3H, m, indole-Ｈ）、7.42及び7.57（1H, s, indole-
2-Ｈ）、7.59-7.77 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：５８２．２
７６３、Found ：５８２．２７７８
【００９２】［実施例２］ （３Ｒ，４Ｓ）−４−tert- ブチルオキシカルボニルア
ミノ−３−テトラヒドロピラニルオキシ−５−｛3'−
（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−１
−ペンテン（８ｂ）の合成例 化合物（５ｂ）（４．２７５ｇ、８．５８ｍｍｏｌ）及
びテトラヒドロピランＴＨＰ（３．６１ｇ、４２．９ｍ
ｍｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （５０ｍｌ）溶液に、０℃冷却
下、ＰＴＳ（０．０８２ｇ、０．４３ｍｍｏｌ）を加え
た。反応液を室温で２時間攪拌した後、上記と同様に処
理し、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−ヘキサン １：５→１：３）で精製し、
生成物（８ｂ）３．９９ｇ（収率：８５％）を得た。
ミノ−３−テトラヒドロピラニルオキシ−５−｛3'−
（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−１
−ペンテン（８ｂ）の合成例 化合物（５ｂ）（４．２７５ｇ、８．５８ｍｍｏｌ）及
びテトラヒドロピランＴＨＰ（３．６１ｇ、４２．９ｍ
ｍｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （５０ｍｌ）溶液に、０℃冷却
下、ＰＴＳ（０．０８２ｇ、０．４３ｍｍｏｌ）を加え
た。反応液を室温で２時間攪拌した後、上記と同様に処
理し、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−ヘキサン １：５→１：３）で精製し、
生成物（８ｂ）３．９９ｇ（収率：８５％）を得た。
【００９３】（８ｂ） ［α］21 D −３５．７°（Ｃ＝
０．８５，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.35（9H, br.s, tert-
Ｂｕ）、1.17-1.90（6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.27（3H,
s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×２）、2.84-3.15
（2H, m, 5- Ｈ）、3.35-3.55 （1H, m,−ＯＣＨ
2 −）、3.80-4.15 （2H, m, 4- Ｈ，−ＯＣＨ2 −）、
4.21-4.32 （1H, m,3-Ｈ）、4.55-4.72 （1H,m,−ＯＣ
ＨＯ−）、4.80-4.92 （1H, m,ＮＨ）、5.29及び5.30
（1H, d,J=10.2Hz）、5.40及び5.41（1H, d, J=17.0Hz
）、 5.78 及び5.97（1H, d.d.d, J=6.0Hz, J=10.2Hz,
J=17.0Hz）、6.93（1H, s, Ar-Ｈ）、7.11-7.38 （3H,
m, indole-Ｈ）、7.45及び 7.51 （1H, s, indole-2-
Ｈ）、7.47-7.62 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：５８２．２
７６３、Found ：５８２．２７５１
０．８５，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.35（9H, br.s, tert-
Ｂｕ）、1.17-1.90（6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.27（3H,
s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×２）、2.84-3.15
（2H, m, 5- Ｈ）、3.35-3.55 （1H, m,−ＯＣＨ
2 −）、3.80-4.15 （2H, m, 4- Ｈ，−ＯＣＨ2 −）、
4.21-4.32 （1H, m,3-Ｈ）、4.55-4.72 （1H,m,−ＯＣ
ＨＯ−）、4.80-4.92 （1H, m,ＮＨ）、5.29及び5.30
（1H, d,J=10.2Hz）、5.40及び5.41（1H, d, J=17.0Hz
）、 5.78 及び5.97（1H, d.d.d, J=6.0Hz, J=10.2Hz,
J=17.0Hz）、6.93（1H, s, Ar-Ｈ）、7.11-7.38 （3H,
m, indole-Ｈ）、7.45及び 7.51 （1H, s, indole-2-
Ｈ）、7.47-7.62 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：５８２．２
７６３、Found ：５８２．２７５１
【００９４】［実施例３］ （３Ｓ，４Ｓ）−４−tert- ブチルオキシカルボニルア
ミノ−１，２−ジヒドロキシ−３−テトラヒドロピラニ
ルオキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレン−２−スルホニ
ル）インドイル｝ペンタン（９ａ）の合成例 テトラエチルアンモニウムクロライド（０．２２７ｇ、
１．３７ｍｍｏｌ）及び酢酸ナトリウム（０．２２４
ｇ、２．７４ｍｍｏｌ）のアセトン（３０ｍｌ）溶液を
室温で１時間攪拌した。この溶液にアルゴン雰囲気下、
化合物（８ａ）（３．１８４ｇ、５．４７ｍｍｏｌ）の
アセトン（４０ｍｌ）溶液及び７０％tert- ブチルヒド
ロキシパーオキサイド（ＴＢＨＰ）の水溶液（３．７５
ｍｌ、２７．３５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃
に冷却し、ＯｓＯ4 のtert- ＢｕＯＨ溶液（５ｍｇのＯ
ｓＯ4 ／１ｍｌのtert- ＢｕＯＨ溶液、２．０８ｍｌ、
０．０４１ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃で２時
間攪拌し、さらに室温で４日間攪拌した。溶媒を留去
し、残渣を水に溶解し、この水溶液を酢酸エチルで抽出
した。酢酸エチル溶液を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生成物を得た。粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−ヘキサン １：３→２：１）で精製し、生成物（９
ａ）２．８０ｇ（収率：８３％）を得た。
ミノ−１，２−ジヒドロキシ−３−テトラヒドロピラニ
ルオキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレン−２−スルホニ
ル）インドイル｝ペンタン（９ａ）の合成例 テトラエチルアンモニウムクロライド（０．２２７ｇ、
１．３７ｍｍｏｌ）及び酢酸ナトリウム（０．２２４
ｇ、２．７４ｍｍｏｌ）のアセトン（３０ｍｌ）溶液を
室温で１時間攪拌した。この溶液にアルゴン雰囲気下、
化合物（８ａ）（３．１８４ｇ、５．４７ｍｍｏｌ）の
アセトン（４０ｍｌ）溶液及び７０％tert- ブチルヒド
ロキシパーオキサイド（ＴＢＨＰ）の水溶液（３．７５
ｍｌ、２７．３５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃
に冷却し、ＯｓＯ4 のtert- ＢｕＯＨ溶液（５ｍｇのＯ
ｓＯ4 ／１ｍｌのtert- ＢｕＯＨ溶液、２．０８ｍｌ、
０．０４１ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃で２時
間攪拌し、さらに室温で４日間攪拌した。溶媒を留去
し、残渣を水に溶解し、この水溶液を酢酸エチルで抽出
した。酢酸エチル溶液を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生成物を得た。粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−ヘキサン １：３→２：１）で精製し、生成物（９
ａ）２．８０ｇ（収率：８３％）を得た。
【００９５】（９ａ） ｍｐ：６２〜６４℃，［α］21
D −１３．９°（Ｃ＝１．５７，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.39及び1.41（9H, s,
tert-Ｂｕ）、1.40-1.94 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.28
（3H, s,ＣＨ3 ）、2.51（6H, s,ＣＨ3 ×２）、2.90-
3.20 （2H, m, 5- Ｈ）、3.40-4.10 （7H, m,1-Ｈ，2-
Ｈ，3-Ｈ，4-Ｈ，−ＯＣＨ2 −）、4.28-4.55 （1H, m,
−ＯＣＨＯ−）、4.85-4.90 （1H, m,ＮＨ）、6.93及び
6.94（2H, s, Ar-Ｈ）、7.15-7.35 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.44及び7.49（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.51-7.6
3 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６１６．２
８１８、Found ：６１６．２８２７
D −１３．９°（Ｃ＝１．５７，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.39及び1.41（9H, s,
tert-Ｂｕ）、1.40-1.94 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.28
（3H, s,ＣＨ3 ）、2.51（6H, s,ＣＨ3 ×２）、2.90-
3.20 （2H, m, 5- Ｈ）、3.40-4.10 （7H, m,1-Ｈ，2-
Ｈ，3-Ｈ，4-Ｈ，−ＯＣＨ2 −）、4.28-4.55 （1H, m,
−ＯＣＨＯ−）、4.85-4.90 （1H, m,ＮＨ）、6.93及び
6.94（2H, s, Ar-Ｈ）、7.15-7.35 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.44及び7.49（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.51-7.6
3 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６１６．２
８１８、Found ：６１６．２８２７
【００９６】［実施例４］ （３Ｒ，４Ｓ）−４−tert- ブチルオキシカルボニルア
ミノ−１，２−ジヒドロキシ−３−テトラヒドロピラニ
ルオキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレン−２−スルホニ
ル）インドイル｝ペンタン（９ｂ）の合成例 テトラエチルアンモニウムクロライド（０．２３５ｇ、
１．４２ｍｍｏｌ）及び酢酸ナトリウム（０．２３３
ｇ、２．８４ｍｍｏｌ）のアセトン（３０ｍｌ）溶液を
室温で１時間攪拌した。この溶液にアルゴン雰囲気下、
化合物（８ｂ）（３．３ｇ、５．６７ｍｍｏｌ）のアセ
トン（４０ｍｌ）溶液及び７０％ＴＢＨＰ水溶液（３．
８８ｍｌ、２８．３５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を
０℃に冷却し、ＯｓＯ4 のtert- ＢｕＯＨ溶液（１ｍｇ
のＯｓＯ4 ／１ｍｌのtert- ＢｕＯＨ溶液、２．１６ｍ
ｌ、０．０８５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を室温で
５日間攪拌した。この反応液を上記と同様に処理し、生
成物（９ｂ）２．６６３ｇ（収率：７６％）を得た。
ミノ−１，２−ジヒドロキシ−３−テトラヒドロピラニ
ルオキシ−５−｛3'−（Ｎ−メシチレン−２−スルホニ
ル）インドイル｝ペンタン（９ｂ）の合成例 テトラエチルアンモニウムクロライド（０．２３５ｇ、
１．４２ｍｍｏｌ）及び酢酸ナトリウム（０．２３３
ｇ、２．８４ｍｍｏｌ）のアセトン（３０ｍｌ）溶液を
室温で１時間攪拌した。この溶液にアルゴン雰囲気下、
化合物（８ｂ）（３．３ｇ、５．６７ｍｍｏｌ）のアセ
トン（４０ｍｌ）溶液及び７０％ＴＢＨＰ水溶液（３．
８８ｍｌ、２８．３５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を
０℃に冷却し、ＯｓＯ4 のtert- ＢｕＯＨ溶液（１ｍｇ
のＯｓＯ4 ／１ｍｌのtert- ＢｕＯＨ溶液、２．１６ｍ
ｌ、０．０８５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を室温で
５日間攪拌した。この反応液を上記と同様に処理し、生
成物（９ｂ）２．６６３ｇ（収率：７６％）を得た。
【００９７】（９ｂ） ｍｐ：７２〜７４℃，［α］21
D −１７．４°（Ｃ＝０．７８４，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.33及び1.35（9H, s,
tert-Ｂｕ）、1.40-1.93 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.26
及び2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.57-3.20 （4H, m,ＣＨ2 ×２）、3.43-3.60
（2H, m,ＣＨ2 ）、3.60-4.19 （3H, m, 2- Ｈ，3-Ｈ，
4-Ｈ）、4.43-4.51 （1H, m,−ＯＣＨＯ−）、4.60及び
5.81（1H, br.d, J=8Hz,ＮＨ）、6.91及び6.93（2H, s,
Ar-Ｈ）、7.29-7.35 （3H, m, indole-Ｈ）、7.45及び
7.51（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.52-7.68 （1H, m, ind
ole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６１６．２
８１８、Found ：６１６．２８０５
D −１７．４°（Ｃ＝０．７８４，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.33及び1.35（9H, s,
tert-Ｂｕ）、1.40-1.93 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.26
及び2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.57-3.20 （4H, m,ＣＨ2 ×２）、3.43-3.60
（2H, m,ＣＨ2 ）、3.60-4.19 （3H, m, 2- Ｈ，3-Ｈ，
4-Ｈ）、4.43-4.51 （1H, m,−ＯＣＨＯ−）、4.60及び
5.81（1H, br.d, J=8Hz,ＮＨ）、6.91及び6.93（2H, s,
Ar-Ｈ）、7.29-7.35 （3H, m, indole-Ｈ）、7.45及び
7.51（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.52-7.68 （1H, m, ind
ole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ32Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６１６．２
８１８、Found ：６１６．２８０５
【００９８】［実施例５］ （４Ｓ，５Ｓ）−５−tert- ブチルオキシカルボニルア
ミノ−４−テトラヒドロピラニルオキシ−６−｛3'−
（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−２
−ヘキセン酸メチル（１１，１２）の合成例 化合物（９ａ）（４．２７ｇ、６．９３ｍｍｏｌ）の水
−メタノール（５００ｍｌ−２００ｍｌ）溶液に、０℃
でＮａＩＯ4 （１．７８ｇ、８．２２ｍｍｏｌ）の水溶
液（５０ｍｌ）を滴下し、０℃で５時間攪拌した。溶媒
を容量約２００ｍｌになるまで濃縮した。水溶液をＣＨ
2 Ｃｌ2 で抽出し、ＣＨ2 Ｃｌ2 層を飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生
成物（１０ａ）を得た。
ミノ−４−テトラヒドロピラニルオキシ−６−｛3'−
（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−２
−ヘキセン酸メチル（１１，１２）の合成例 化合物（９ａ）（４．２７ｇ、６．９３ｍｍｏｌ）の水
−メタノール（５００ｍｌ−２００ｍｌ）溶液に、０℃
でＮａＩＯ4 （１．７８ｇ、８．２２ｍｍｏｌ）の水溶
液（５０ｍｌ）を滴下し、０℃で５時間攪拌した。溶媒
を容量約２００ｍｌになるまで濃縮した。水溶液をＣＨ
2 Ｃｌ2 で抽出し、ＣＨ2 Ｃｌ2 層を飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生
成物（１０ａ）を得た。
【００９９】この（１０ａ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （２０ｍ
ｌ）溶液に、０℃でカルボメトキシメチレントリフェニ
ルホスホラン（６．９５ｇ、２０．７９ｍｍｏｌ）を加
え、０℃で３時間、室温で１６時間攪拌した。溶媒を留
去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢
酸エチル−ヘキサン １：５→１：１）で精製し、Ｅ体
（１１）とＺ体（１２）の混合物３．３８ｇ（収率：７
６％）を得た。
ｌ）溶液に、０℃でカルボメトキシメチレントリフェニ
ルホスホラン（６．９５ｇ、２０．７９ｍｍｏｌ）を加
え、０℃で３時間、室温で１６時間攪拌した。溶媒を留
去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢
酸エチル−ヘキサン １：５→１：１）で精製し、Ｅ体
（１１）とＺ体（１２）の混合物３．３８ｇ（収率：７
６％）を得た。
【０１００】Ｅ体（１１）とＺ体（１２）は、４位のテ
トラヒドロピラニルオキシ基のピラニル環の２位の炭素
が不斉炭素であるので、それぞれジアステレオマー（Ｅ
体：１１ａ，１１ｂ、Ｚ体：１２ａ，１２ｂ）が存在す
る。上で得られたＥ体（１１）とＺ体（１２）の混合物
（０．１４７ｇ）をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（酢酸エチル−ヘキサン １：４）で精製したとこ
ろ、Ｅ体とＺ体のそれぞれ一方のジアステレオマー同士
の混合物（Ｅ体１１ａとＺ体１２ａの混合物、０．０５
２ｇ）（Ｅ体１１ｂとＺ体１２ｂの混合物、０．０４７
ｇ）を得た。
トラヒドロピラニルオキシ基のピラニル環の２位の炭素
が不斉炭素であるので、それぞれジアステレオマー（Ｅ
体：１１ａ，１１ｂ、Ｚ体：１２ａ，１２ｂ）が存在す
る。上で得られたＥ体（１１）とＺ体（１２）の混合物
（０．１４７ｇ）をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（酢酸エチル−ヘキサン １：４）で精製したとこ
ろ、Ｅ体とＺ体のそれぞれ一方のジアステレオマー同士
の混合物（Ｅ体１１ａとＺ体１２ａの混合物、０．０５
２ｇ）（Ｅ体１１ｂとＺ体１２ｂの混合物、０．０４７
ｇ）を得た。
【０１０１】（Ｅ体１１ａとＺ体１２ａの混合物）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.39及び1.42（9H, s,
tert-Ｂｕ）、1.40-1.98 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.27
（3H, s,ＣＨ3 ）、2.51及び2.54（6H, ＣＨ3×２）、
2.92-3.16 （2H, m, 6- Ｈ）、3.19（1.4H, s ）、 3.7
1 （1.6H, s ）、3.41-3.54 （1H, m,−ＯＣＨ2 −）、
3.94-4.22 （2H, m,4-Ｈ，5-Ｈ）、4.43-4.56 （1H, m,
−ＯＣＨ2 −）、4.96-5.05 （1H, m,ＮＨ）、5.33（1
H, d, J=8.4Hz, −ＯＣＨＯ−）、5.93（0.53H, d, J=1
6Hz）、5.84（0.47H, d, J=12Hz）、6.17（0.47H, d.d,
J=12Hz, J=8Hz ）、 6.77 （0.53H, d.d, J=5.2Hz, J=
16Hz ）、6.93（2H, s, Ar-Ｈ）、7.12-7.34 （3H, m,
indole-Ｈ）、7.57及び7.62（1H, s, indole-2-Ｈ）、
7.63-7.78 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ｅ体（１１ａ）：Ｚ体（１２ａ）＝１０：９ ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６４０．２
８１８、Found ：６４０．２８２９
tert-Ｂｕ）、1.40-1.98 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.27
（3H, s,ＣＨ3 ）、2.51及び2.54（6H, ＣＨ3×２）、
2.92-3.16 （2H, m, 6- Ｈ）、3.19（1.4H, s ）、 3.7
1 （1.6H, s ）、3.41-3.54 （1H, m,−ＯＣＨ2 −）、
3.94-4.22 （2H, m,4-Ｈ，5-Ｈ）、4.43-4.56 （1H, m,
−ＯＣＨ2 −）、4.96-5.05 （1H, m,ＮＨ）、5.33（1
H, d, J=8.4Hz, −ＯＣＨＯ−）、5.93（0.53H, d, J=1
6Hz）、5.84（0.47H, d, J=12Hz）、6.17（0.47H, d.d,
J=12Hz, J=8Hz ）、 6.77 （0.53H, d.d, J=5.2Hz, J=
16Hz ）、6.93（2H, s, Ar-Ｈ）、7.12-7.34 （3H, m,
indole-Ｈ）、7.57及び7.62（1H, s, indole-2-Ｈ）、
7.63-7.78 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ｅ体（１１ａ）：Ｚ体（１２ａ）＝１０：９ ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６４０．２
８１８、Found ：６４０．２８２９
【０１０２】（Ｅ体１１ｂとＺ体１２ｂの混合物）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.38及び1.41（9H, s,
tert-Ｂｕ）、1.45-1.96 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.28
（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52及び2.54（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.94-3.07 （2H, m, 6- Ｈ）、3.32（0.6H, s
）、3.39-3.52 （2H,m,−ＯＣＨ2 −）、 3.72 （0.3
×3H）、3.80-3.98 （1H, m,5-Ｈ）、4.29-4.67 （1H,
m,4-Ｈ）、4.96-5.07 （1H, m,ＮＨ）、5.17（1H, d,J=
8.4Hz,−ＯＣＨＯ−）、5.75（0.2H, d,J=11.8Hz）、6.
05（0.3H, d.d, J=16Hz,J=1.2Hz ）、6.38（0.2H, d.d,
J=12Hz,J=8Hz）、 6.94 （2H, s, Ar-Ｈ）、6.95（1H,
d.d, J=16Hz,J=5.2Hz ）、7.14-7.39 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.41及び7.48（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.57-7.6
9 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ｅ体（１１ｂ）：Ｚ体（１２ｂ）＝３：２ ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６４０．２
８１８、Found ：６４０．２８４８
tert-Ｂｕ）、1.45-1.96 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.28
（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52及び2.54（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.94-3.07 （2H, m, 6- Ｈ）、3.32（0.6H, s
）、3.39-3.52 （2H,m,−ＯＣＨ2 −）、 3.72 （0.3
×3H）、3.80-3.98 （1H, m,5-Ｈ）、4.29-4.67 （1H,
m,4-Ｈ）、4.96-5.07 （1H, m,ＮＨ）、5.17（1H, d,J=
8.4Hz,−ＯＣＨＯ−）、5.75（0.2H, d,J=11.8Hz）、6.
05（0.3H, d.d, J=16Hz,J=1.2Hz ）、6.38（0.2H, d.d,
J=12Hz,J=8Hz）、 6.94 （2H, s, Ar-Ｈ）、6.95（1H,
d.d, J=16Hz,J=5.2Hz ）、7.14-7.39 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.41及び7.48（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.57-7.6
9 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ｅ体（１１ｂ）：Ｚ体（１２ｂ）＝３：２ ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６４０．２
８１８、Found ：６４０．２８４８
【０１０３】［実施例６］ （Ｅ，４Ｒ，５Ｓ）−５−tert- ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−４−テトラヒドロピラニルオキシ−６−｛3'
−（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−
２−ヘキセン酸メチル（１３）の合成例 化合物（９ｂ）（２．５６ｇ、４．１６ｍｍｏｌ）の水
−メタノール（１５０ｍｌ−２５０ｍｌ）溶液に、０℃
でＮａＩＯ4 （１．０７ｇ、４．９９ｍｍｏｌ）の水溶
液（５０ｍｌ）を滴下し、０℃で５時間攪拌した。溶媒
を容量約２００ｍｌになるまで濃縮した。水溶液をＣＨ
2 Ｃｌ2 で抽出し、ＣＨ2 Ｃｌ2 層を飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生
成物（１０ｂ）を得た。
ルアミノ−４−テトラヒドロピラニルオキシ−６−｛3'
−（Ｎ−メシチレン−２−スルホニル）インドイル｝−
２−ヘキセン酸メチル（１３）の合成例 化合物（９ｂ）（２．５６ｇ、４．１６ｍｍｏｌ）の水
−メタノール（１５０ｍｌ−２５０ｍｌ）溶液に、０℃
でＮａＩＯ4 （１．０７ｇ、４．９９ｍｍｏｌ）の水溶
液（５０ｍｌ）を滴下し、０℃で５時間攪拌した。溶媒
を容量約２００ｍｌになるまで濃縮した。水溶液をＣＨ
2 Ｃｌ2 で抽出し、ＣＨ2 Ｃｌ2 層を飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生
成物（１０ｂ）を得た。
【０１０４】この（１０ｂ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （２０ｍ
ｌ）溶液に、０℃でカルボメトキシメチレントリフェニ
ルホスホラン（４．１７ｇ、１２．４８ｍｍｏｌ）を加
え、０℃で３時間、室温で１６時間攪拌した。溶媒を留
去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢
酸エチル−ヘキサン １：４→１：３）で精製し、Ｅ体
生成物（１３）２．２５ｇ（収率：８４％）を得た。
ｌ）溶液に、０℃でカルボメトキシメチレントリフェニ
ルホスホラン（４．１７ｇ、１２．４８ｍｍｏｌ）を加
え、０℃で３時間、室温で１６時間攪拌した。溶媒を留
去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢
酸エチル−ヘキサン １：４→１：３）で精製し、Ｅ体
生成物（１３）２．２５ｇ（収率：８４％）を得た。
【０１０５】（１３） ｍｐ：６０〜６２℃、［α］21
D −３２．１°（Ｃ＝０．６０６，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.36（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、1.49-1.86 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.27（3H, s,
ＣＨ3 ）、2.51及び2.52（6H, s,ＣＨ3 ×２）、2.89-
2.98 （2H, m, 6- Ｈ）、3.47-3.71 （1H, m,−ＯＣＨ
2 −）、3.73及び3.75（3H s, ＯＣＨ3 ））、3.80-4.1
7 （2H, m,−ＯＣＨ2 −, 5-Ｈ）、4.52-4.73 （2H, m,
−ＯＣＨＯ−, 4-Ｈ）、6.04（0.5H, d.d, J=15.8Hz, J
=1.6Hz, 3-Ｈ）、6.21（0.5H, d.d, J=15.8Hz, J=1.6H
z, 3-Ｈ）、 6.93 （2H, s, Ar-Ｈ）、6.87（0.5H, d.
d, J=15.8Hz, J=5.6Hz, 2-Ｈ）、7.04（0.5H, d.d, J=1
5.8Hz,J=5.4Hz, 2-Ｈ）、7.15-7.35 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.45及び7.50（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.48-7.5
3 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６４０．２
８１８、Found ：６４０．２８２４ Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：Ｃ,63.73;
Ｈ,6.92;Ｎ,4.37 、Found ：Ｃ,63.72; Ｈ,7.20;Ｎ,4.1
5.
D −３２．１°（Ｃ＝０．６０６，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.36（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、1.49-1.86 （6H, m,ＣＨ2 ×３）、2.27（3H, s,
ＣＨ3 ）、2.51及び2.52（6H, s,ＣＨ3 ×２）、2.89-
2.98 （2H, m, 6- Ｈ）、3.47-3.71 （1H, m,−ＯＣＨ
2 −）、3.73及び3.75（3H s, ＯＣＨ3 ））、3.80-4.1
7 （2H, m,−ＯＣＨ2 −, 5-Ｈ）、4.52-4.73 （2H, m,
−ＯＣＨＯ−, 4-Ｈ）、6.04（0.5H, d.d, J=15.8Hz, J
=1.6Hz, 3-Ｈ）、6.21（0.5H, d.d, J=15.8Hz, J=1.6H
z, 3-Ｈ）、 6.93 （2H, s, Ar-Ｈ）、6.87（0.5H, d.
d, J=15.8Hz, J=5.6Hz, 2-Ｈ）、7.04（0.5H, d.d, J=1
5.8Hz,J=5.4Hz, 2-Ｈ）、7.15-7.35 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.45及び7.50（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.48-7.5
3 （1H, m, indole-7-Ｈ） ＨＲＭＳ Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：６４０．２
８１８、Found ：６４０．２８２４ Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ34Ｈ44Ｎ2 Ｏ8 Ｓ：Ｃ,63.73;
Ｈ,6.92;Ｎ,4.37 、Found ：Ｃ,63.72; Ｈ,7.20;Ｎ,4.1
5.
【０１０６】［実施例７］ （Ｅ，４Ｓ，５Ｓ）−５−tert- ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−４−ヒドロキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチレ
ン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸メ
チル（１４ａ）の合成例 化合物（１１）と（１２）の混合物（３．２３ｇ、５ｍ
ｍｏｌ）をＡｃＯＨ−ＴＨＦ−Ｈ2 Ｏ（３：１：１，６
０ｍｌ）に溶解し、溶液を窒素雰囲気下、室温で３日間
攪拌した後、溶媒を留去した。残渣をトルエンに溶解
し、溶媒を留去した（この操作を３回繰り返した）。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル
−ヘキサン １：３→１：２）で精製し、生成物（１４
ａ）０．９１ｇ（収率：３３％）と、（１５）１．１１
ｇ（収率：４２％）とを得た。
ルアミノ−４−ヒドロキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチレ
ン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸メ
チル（１４ａ）の合成例 化合物（１１）と（１２）の混合物（３．２３ｇ、５ｍ
ｍｏｌ）をＡｃＯＨ−ＴＨＦ−Ｈ2 Ｏ（３：１：１，６
０ｍｌ）に溶解し、溶液を窒素雰囲気下、室温で３日間
攪拌した後、溶媒を留去した。残渣をトルエンに溶解
し、溶媒を留去した（この操作を３回繰り返した）。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル
−ヘキサン １：３→１：２）で精製し、生成物（１４
ａ）０．９１ｇ（収率：３３％）と、（１５）１．１１
ｇ（収率：４２％）とを得た。
【０１０７】（１４ａ） ｍｐ：７３〜７７℃，［α］
21 D −４１．５°（Ｃ＝０．６７８，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.40（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、3.07（2H, d, J=7.4Hz, ＣＨ2 ）、3.72（3H, s,
ＣＨ3 ）、3.80-4.12 （1H, m, 5- Ｈ）、4.39（1H, b
r.s, 4-Ｈ）、4.91-4.95 （1H, m,ＮＨ）、6.09（1H,
d.d, J=15.8Hz, J=2Hz, 3-Ｈ）、6.93（1H,d.d, J=15.8
Hz, J=4.2Hz）、 6.94 （1H, s, Ar-Ｈ）、7.18-7.36
（3H, m, indole-Ｈ）、7.47（1H, s, indole-2-Ｈ）、
7.61-7.65 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ29Ｈ36Ｎ2 Ｏ7 Ｓ：Ｃ,62.57;
Ｈ,6.52;Ｎ,5.23 、Found ：Ｃ,62.64; Ｈ,6.70;Ｎ,5.2
3. ＭＳ ｍ／ｚ：５５６（Ｍ＋）
21 D −４１．５°（Ｃ＝０．６７８，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.40（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、3.07（2H, d, J=7.4Hz, ＣＨ2 ）、3.72（3H, s,
ＣＨ3 ）、3.80-4.12 （1H, m, 5- Ｈ）、4.39（1H, b
r.s, 4-Ｈ）、4.91-4.95 （1H, m,ＮＨ）、6.09（1H,
d.d, J=15.8Hz, J=2Hz, 3-Ｈ）、6.93（1H,d.d, J=15.8
Hz, J=4.2Hz）、 6.94 （1H, s, Ar-Ｈ）、7.18-7.36
（3H, m, indole-Ｈ）、7.47（1H, s, indole-2-Ｈ）、
7.61-7.65 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ29Ｈ36Ｎ2 Ｏ7 Ｓ：Ｃ,62.57;
Ｈ,6.52;Ｎ,5.23 、Found ：Ｃ,62.64; Ｈ,6.70;Ｎ,5.2
3. ＭＳ ｍ／ｚ：５５６（Ｍ＋）
【０１０８】（１５） ｍｐ：８２〜８３℃，［α］21
D −１０６．７°（Ｃ＝１．０４４，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.37（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、3.09（2H, d, J=8.2Hz, ＣＨ2 ）、4.33（1H d.
d, J=8.2Hz, J=9.6Hz, 5-Ｈ）、4.58（1H, d, J=9.6Hz,
4-Ｈ）、5.03（1H, s,ＮＨ）、6.08（1H, d, J=3.8Hz,
3-Ｈ）、6.95（2H, s, Ar-Ｈ）、7.21-7.44 （4H, m,
indole-Ｈ, 2-Ｈ）、7.51（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.6
2-7.66 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ28Ｈ32Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：Ｃ,64.10;
Ｈ,6.15;Ｎ,5.34 、Found ：Ｃ,64.30; Ｈ,6.43;Ｎ,5.0
9. ＭＳ ｍ／ｚ：５４２（Ｍ＋）
D −１０６．７°（Ｃ＝１．０４４，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.37（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、3.09（2H, d, J=8.2Hz, ＣＨ2 ）、4.33（1H d.
d, J=8.2Hz, J=9.6Hz, 5-Ｈ）、4.58（1H, d, J=9.6Hz,
4-Ｈ）、5.03（1H, s,ＮＨ）、6.08（1H, d, J=3.8Hz,
3-Ｈ）、6.95（2H, s, Ar-Ｈ）、7.21-7.44 （4H, m,
indole-Ｈ, 2-Ｈ）、7.51（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.6
2-7.66 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ28Ｈ32Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：Ｃ,64.10;
Ｈ,6.15;Ｎ,5.34 、Found ：Ｃ,64.30; Ｈ,6.43;Ｎ,5.0
9. ＭＳ ｍ／ｚ：５４２（Ｍ＋）
【０１０９】［実施例８］ （Ｅ，４Ｒ，５Ｓ）−５−tert- ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−４−ヒドロキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチレ
ン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸メ
チル（１４ｂ）の合成例 化合物（１３）（２．２１５ｇ、３．４６ｍｍｏｌ）を
ＡｃＯＨ−ＴＨＦ−Ｈ2 Ｏ（３：１：１，７０ｍｌ）に
溶解し、溶液を窒素雰囲気下、室温で３日間攪拌した
後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：３→１：１）
で精製し、生成物（１４ｂ）１．６３７ｇ（収率：８５
％）を得た。
ルアミノ−４−ヒドロキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチレ
ン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸メ
チル（１４ｂ）の合成例 化合物（１３）（２．２１５ｇ、３．４６ｍｍｏｌ）を
ＡｃＯＨ−ＴＨＦ−Ｈ2 Ｏ（３：１：１，７０ｍｌ）に
溶解し、溶液を窒素雰囲気下、室温で３日間攪拌した
後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：３→１：１）
で精製し、生成物（１４ｂ）１．６３７ｇ（収率：８５
％）を得た。
【０１１０】（１４ｂ） ｍｐ：５８〜６０℃，［α］
21 D ２．１°（Ｃ＝０．７９，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.39（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.92（2H, d, J=7Hz, ＣＨ2 ）、3.76（3H, s,Ｏ
ＣＨ3 ）、4.06-4.18 （1H, m, 5- Ｈ）、4.52（1H, b
r.s, 4-Ｈ）、4.68（1H, br.d, J=8Hz,ＮＨ）、6.21（1
H, d.d, J=15.6Hz, J=1.8Hz, 3-Ｈ）、6.95（2H, s, Ar
-Ｈ）、7.03（1H, d.d, J=15.6Hz, J=4.4Hz,2- Ｈ）、
7.18-7.36 （3H, m, indole-Ｈ）、7.45（1H, s, indol
e-2-Ｈ）、7.50-7.55 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ29Ｈ36Ｎ2 Ｏ7 Ｓ：Ｃ,62.57;
Ｈ,6.52;Ｎ,5.23 、Found ：Ｃ,62.41; Ｈ,6.62;Ｎ,5.0
3. ＭＳ ｍ／ｚ：５５６（Ｍ＋）
21 D ２．１°（Ｃ＝０．７９，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.39（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.92（2H, d, J=7Hz, ＣＨ2 ）、3.76（3H, s,Ｏ
ＣＨ3 ）、4.06-4.18 （1H, m, 5- Ｈ）、4.52（1H, b
r.s, 4-Ｈ）、4.68（1H, br.d, J=8Hz,ＮＨ）、6.21（1
H, d.d, J=15.6Hz, J=1.8Hz, 3-Ｈ）、6.95（2H, s, Ar
-Ｈ）、7.03（1H, d.d, J=15.6Hz, J=4.4Hz,2- Ｈ）、
7.18-7.36 （3H, m, indole-Ｈ）、7.45（1H, s, indol
e-2-Ｈ）、7.50-7.55 （1H, m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ29Ｈ36Ｎ2 Ｏ7 Ｓ：Ｃ,62.57;
Ｈ,6.52;Ｎ,5.23 、Found ：Ｃ,62.41; Ｈ,6.62;Ｎ,5.0
3. ＭＳ ｍ／ｚ：５５６（Ｍ＋）
【０１１１】［実施例９］ （Ｅ，４Ｓ，５Ｓ）−５−tert- ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−４−メシルオキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチ
レン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸
メチル（１６ａ）の合成例 化合物（１４ａ）（０．８３９ｇ、１．５ｍｍｏｌ）及
びトリエチルアミン（１．０６ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）
のＣＨ2 Ｃｌ2 （１０ｍｌ）溶液に、０℃でメシルクロ
ライド（０．６０５ｇ、５．２８ｍｍｏｌ）を滴下し、
０℃で３時間攪拌した後、水を反応液に加えた。ＣＨ2
Ｃｌ2 層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：３）で精
製し、生成物（１６ａ）０．６７１ｇ（収率：７１％）
を得た。
ルアミノ−４−メシルオキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチ
レン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸
メチル（１６ａ）の合成例 化合物（１４ａ）（０．８３９ｇ、１．５ｍｍｏｌ）及
びトリエチルアミン（１．０６ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）
のＣＨ2 Ｃｌ2 （１０ｍｌ）溶液に、０℃でメシルクロ
ライド（０．６０５ｇ、５．２８ｍｍｏｌ）を滴下し、
０℃で３時間攪拌した後、水を反応液に加えた。ＣＨ2
Ｃｌ2 層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：３）で精
製し、生成物（１６ａ）０．６７１ｇ（収率：７１％）
を得た。
【０１１２】（１６ａ） ［α］21 D −３２．７°（Ｃ
＝０．７６，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.39（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.94-3.13 （2H, m,ＣＨ2 ）、3.07（3H,s,ＣＨ
3 ）、3.74（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.17-4.31 （1H, m, 5
- Ｈ）、4.75（1H, d, J=8Hz, ＮＨ）、5.31（1H, br.
d, J=4.8Hz, 4- Ｈ）、6.11（1H, d, J=16Hz, 3-
Ｈ）、6.90（1H, d.d, J=16Hz, J=5.8Hz, 2-Ｈ）、6.94
（2H, s, Ar-Ｈ）、7.19-7.39 （3H, m, indole-Ｈ）、
7.53（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.62-7.65（1H, m, indo
le-7-Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ：４８２（Ｍ＋−ＳＯ3 ＣＨ3 ，−t-Ｂ
ｕ）
＝０．７６，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.39（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.94-3.13 （2H, m,ＣＨ2 ）、3.07（3H,s,ＣＨ
3 ）、3.74（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.17-4.31 （1H, m, 5
- Ｈ）、4.75（1H, d, J=8Hz, ＮＨ）、5.31（1H, br.
d, J=4.8Hz, 4- Ｈ）、6.11（1H, d, J=16Hz, 3-
Ｈ）、6.90（1H, d.d, J=16Hz, J=5.8Hz, 2-Ｈ）、6.94
（2H, s, Ar-Ｈ）、7.19-7.39 （3H, m, indole-Ｈ）、
7.53（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.62-7.65（1H, m, indo
le-7-Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ：４８２（Ｍ＋−ＳＯ3 ＣＨ3 ，−t-Ｂ
ｕ）
【０１１３】［実施例１０］ （Ｅ，４Ｒ，５Ｓ）−５−tert- ブチルオキシカルボニ
ルアミノ−４−メシルオキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチ
レン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸
メチル（１６ｂ）の合成例 化合物（１４ｂ）（１．５３７ｇ、２．７６ｍｍｏｌ）
及びトリエチルアミン（１．６７４ｇ、１６．５６ｍｍ
ｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （１５ｍｌ）溶液に、０℃でメシ
ルクロライド（０．９４８ｇ、８．２８ｍｍｏｌ）を滴
下し、０℃で２時間攪拌した後、水を反応液に加えた。
ＣＨ2 Ｃｌ2 層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：
３）で精製し、生成物（１６ｂ）１．４９７ｇ（収率：
８６％）を得た。
ルアミノ−４−メシルオキシ−６−｛3'−（Ｎ−メシチ
レン−２−スルホニル）インドイル｝−２−ヘキセン酸
メチル（１６ｂ）の合成例 化合物（１４ｂ）（１．５３７ｇ、２．７６ｍｍｏｌ）
及びトリエチルアミン（１．６７４ｇ、１６．５６ｍｍ
ｏｌ）のＣＨ2 Ｃｌ2 （１５ｍｌ）溶液に、０℃でメシ
ルクロライド（０．９４８ｇ、８．２８ｍｍｏｌ）を滴
下し、０℃で２時間攪拌した後、水を反応液に加えた。
ＣＨ2 Ｃｌ2 層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：
３）で精製し、生成物（１６ｂ）１．４９７ｇ（収率：
８６％）を得た。
【０１１４】（１６ｂ） ［α］21 D −２２．２°（Ｃ
＝１．０５２，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.37（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.88-3.05 （2H, m,ＣＨ2 ）、3.07（3H,s,ＣＨ
3 ）、3.77（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.18-4.24 （1H, m, 5
- Ｈ）、4.73（1H, d, J=8Hz, ＮＨ）、5.53-5.54 （1
H, br.s, 4-Ｈ）、6.21（1H, d.d, J=15.8Hz, J=1.6Hz,
3-Ｈ）、6.95（2H, s, Ar-Ｈ）、6.95（1H, d.d, J=1
5.8Hz, J=5.4Hz, 2-Ｈ）、7.18-7.46 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.47（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.41-7.52 （1H,
m, indole-7-Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ：４８２（Ｍ＋−ＳＯ3 ＣＨ3 ，−t-Ｂ
ｕ）
＝１．０５２，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：1.37（9H, s, tert-Ｂ
ｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×
２）、2.88-3.05 （2H, m,ＣＨ2 ）、3.07（3H,s,ＣＨ
3 ）、3.77（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.18-4.24 （1H, m, 5
- Ｈ）、4.73（1H, d, J=8Hz, ＮＨ）、5.53-5.54 （1
H, br.s, 4-Ｈ）、6.21（1H, d.d, J=15.8Hz, J=1.6Hz,
3-Ｈ）、6.95（2H, s, Ar-Ｈ）、6.95（1H, d.d, J=1
5.8Hz, J=5.4Hz, 2-Ｈ）、7.18-7.46 （3H, m, indole-
Ｈ）、7.47（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.41-7.52 （1H,
m, indole-7-Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ：４８２（Ｍ＋−ＳＯ3 ＣＨ3 ，−t-Ｂ
ｕ）
【０１１５】［実施例１１］ Ｂｏｃ−（Ｎ-Mts）Ｔｒｐ−ψ（Ｅ−ＣＨ＝ＣＨ）−Ｄ
−Ｖａｌ メチルエステル（１７ａ）の合成例 ＴＨＦ（１０ｍｌ）にＣｕＣＮ（０．３８２ｇ、４．２
４ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃、アルゴン雰囲気下、
１．０ＭイソプロピルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶
液（４．２４ｍｌ、４．２４ｍｍｏｌ）を滴下した。反
応液を０℃に昇温し、２０分間攪拌した。反応液を再び
−７８℃に冷却し、ＢＦ3 ・Ｅｔ2 Ｏ（０．５２２ｍ
ｌ、４．２４ｍｍｏｌ）を滴下し、１０分間攪拌した。
これに化合物（１６ａ）（０．６７ｇ、１．０６ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液を滴下し、−７８℃で３
０分間攪拌した。反応液に、２８％アンモニア水（５ｍ
ｌ）及び飽和ＮＨ4 Ｃｌ水（５ｍｌ）を加え反応をクエ
ンチした。反応液をＣＨ2 Ｃｌ2 −エーテル（１：４）
で抽出し、溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を
留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：３）で精製
し、生成物（１７ａ）０．４４３ｇ（収率：７２％）を
得た。
−Ｖａｌ メチルエステル（１７ａ）の合成例 ＴＨＦ（１０ｍｌ）にＣｕＣＮ（０．３８２ｇ、４．２
４ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃、アルゴン雰囲気下、
１．０ＭイソプロピルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶
液（４．２４ｍｌ、４．２４ｍｍｏｌ）を滴下した。反
応液を０℃に昇温し、２０分間攪拌した。反応液を再び
−７８℃に冷却し、ＢＦ3 ・Ｅｔ2 Ｏ（０．５２２ｍ
ｌ、４．２４ｍｍｏｌ）を滴下し、１０分間攪拌した。
これに化合物（１６ａ）（０．６７ｇ、１．０６ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液を滴下し、−７８℃で３
０分間攪拌した。反応液に、２８％アンモニア水（５ｍ
ｌ）及び飽和ＮＨ4 Ｃｌ水（５ｍｌ）を加え反応をクエ
ンチした。反応液をＣＨ2 Ｃｌ2 −エーテル（１：４）
で抽出し、溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を
留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン １：３）で精製
し、生成物（１７ａ）０．４４３ｇ（収率：７２％）を
得た。
【０１１６】（１７ａ） ｍｐ：４９〜５１℃，［α］
21 D ３．９８°（Ｃ＝１．０４８，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：0.75（3H, d, J=6.9Hz,
ＣＨ3 ）、0.84（3H, d, J=6.9Hz, ＣＨ3 ）、1.42（9
H, s, tert-Ｂｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、1.89（1H,
d.q, J=6.6Hz, ＣＨ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×２）、
2.63（1H, t, J=8.4Hz, 2-Ｈ）、2.90（1H, d.d, J=14.
2Hz,, J=6.6Hz, 6- Ｈ）、3.00（1H, d.d, J=14.2Hz, J
=4.9Hz, 6-Ｈ）、3.63（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.51（2H,
br.s, ＮＨ及び5-Ｈ）、5.51（1H, d.d.d, J=15.5Hz, J
=5.0Hz, J=2.9Hz, 4- Ｈ）、5.58（1H, d.d, J=15.5Hz,
J=8.4Hz, 4-Ｈ）、6.94（2H, s, Ar-Ｈ）、7.16-7.21
（2H, m, indole-Ｈ）、7.31-7.34 （1H, m, indole-4-
Ｈ）、7.40（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.55-7.57 （1H,
m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：Ｃ,65.95;
Ｈ,7.26;Ｎ,4.81 、Found ：Ｃ,65.95; Ｈ,7.56;Ｎ,4.8
3. ＭＳ ｍ／ｚ：５８２（Ｍ＋）
21 D ３．９８°（Ｃ＝１．０４８，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：0.75（3H, d, J=6.9Hz,
ＣＨ3 ）、0.84（3H, d, J=6.9Hz, ＣＨ3 ）、1.42（9
H, s, tert-Ｂｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、1.89（1H,
d.q, J=6.6Hz, ＣＨ）、2.52（6H, s,ＣＨ3 ×２）、
2.63（1H, t, J=8.4Hz, 2-Ｈ）、2.90（1H, d.d, J=14.
2Hz,, J=6.6Hz, 6- Ｈ）、3.00（1H, d.d, J=14.2Hz, J
=4.9Hz, 6-Ｈ）、3.63（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.51（2H,
br.s, ＮＨ及び5-Ｈ）、5.51（1H, d.d.d, J=15.5Hz, J
=5.0Hz, J=2.9Hz, 4- Ｈ）、5.58（1H, d.d, J=15.5Hz,
J=8.4Hz, 4-Ｈ）、6.94（2H, s, Ar-Ｈ）、7.16-7.21
（2H, m, indole-Ｈ）、7.31-7.34 （1H, m, indole-4-
Ｈ）、7.40（1H, s, indole-2-Ｈ）、7.55-7.57 （1H,
m, indole-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：Ｃ,65.95;
Ｈ,7.26;Ｎ,4.81 、Found ：Ｃ,65.95; Ｈ,7.56;Ｎ,4.8
3. ＭＳ ｍ／ｚ：５８２（Ｍ＋）
【０１１７】［実施例１２］ Ｂｏｃ−（Ｎ-Mts）Ｔｒｐ−ψ（Ｅ−ＣＨ＝ＣＨ）−Ｌ
−Ｖａｌ メチルエステル（１７ｂ）の合成例 ＴＨＦ（１５ｍｌ）にＣｕＣＮ（０．７９２ｇ、８．８
ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃、アルゴン雰囲気下、１．
０ＭイソプロピルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶液
（８．８ｍｌ、８．８ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を
０℃に昇温し、２０分間攪拌した。反応液を再び−７８
℃に冷却し、ＢＦ3 ・Ｅｔ2 Ｏ（１．０８ｍｌ、８．８
ｍｍｏｌ）を滴下し、１０分間攪拌した。これに化合物
（１６ｂ）（１．４ｇ、２．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２
０ｍｌ）溶液を滴下し、−７８℃で３０分間攪拌した。
反応液に、２８％アンモニア水（１０ｍｌ）及び飽和Ｎ
Ｈ4Ｃｌ水（１０ｍｌ）を加え反応をクエンチした。反
応液をＣＨ2 Ｃｌ2 −エーテル（１：４）で抽出し、溶
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−ヘキサン １：５）で精製し、生成物
（１７ｂ）０．９５４ｇ（収率：７５％）を得た。
−Ｖａｌ メチルエステル（１７ｂ）の合成例 ＴＨＦ（１５ｍｌ）にＣｕＣＮ（０．７９２ｇ、８．８
ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃、アルゴン雰囲気下、１．
０ＭイソプロピルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶液
（８．８ｍｌ、８．８ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を
０℃に昇温し、２０分間攪拌した。反応液を再び−７８
℃に冷却し、ＢＦ3 ・Ｅｔ2 Ｏ（１．０８ｍｌ、８．８
ｍｍｏｌ）を滴下し、１０分間攪拌した。これに化合物
（１６ｂ）（１．４ｇ、２．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２
０ｍｌ）溶液を滴下し、−７８℃で３０分間攪拌した。
反応液に、２８％アンモニア水（１０ｍｌ）及び飽和Ｎ
Ｈ4Ｃｌ水（１０ｍｌ）を加え反応をクエンチした。反
応液をＣＨ2 Ｃｌ2 −エーテル（１：４）で抽出し、溶
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−ヘキサン １：５）で精製し、生成物
（１７ｂ）０．９５４ｇ（収率：７５％）を得た。
【０１１８】（１７ｂ） ｍｐ：３８〜４０℃、［α］
21 D −３２．９°（Ｃ＝１．１７２，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：0.79（3H, d, J=6.6Hz,
ＣＨ3 ）、0.86（3H, d, J=6.6Hz, ＣＨ3 ）、1.42（9
H, s, tert-Ｂｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.51（6H,
s,ＣＨ3 ×２）、2.96（2H, d, J=5.4Hz, 6-Ｈ）、3.6
2（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.50（2H, br.s, ＮＨ及び5-
Ｈ）、5.48（1H, d.d, J=4.8Hz, J=15.4Hz, 3- Ｈ）、
5.61（1H, d.d, J=8.8Hz, J=15.4Hz, 4-Ｈ）、6.94（1
H, s, Ar-Ｈ）、7.13-7.24 （3H, m, indole-Ｈ）、7.2
6（1H, s, indole-2-Ｈ）、 7.29-7.57（1H, m, indole
-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：Ｃ,65.95;
Ｈ,7.26;Ｎ,4.81 、Found ：Ｃ,65.65; Ｈ,7.38;Ｎ,4.5
9. ＭＳ ｍ／ｚ：５８２（Ｍ＋）
21 D −３２．９°（Ｃ＝１．１７２，ＭｅＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：0.79（3H, d, J=6.6Hz,
ＣＨ3 ）、0.86（3H, d, J=6.6Hz, ＣＨ3 ）、1.42（9
H, s, tert-Ｂｕ）、2.28（3H, s,ＣＨ3 ）、2.51（6H,
s,ＣＨ3 ×２）、2.96（2H, d, J=5.4Hz, 6-Ｈ）、3.6
2（3H, s,ＯＣＨ3 ）、4.50（2H, br.s, ＮＨ及び5-
Ｈ）、5.48（1H, d.d, J=4.8Hz, J=15.4Hz, 3- Ｈ）、
5.61（1H, d.d, J=8.8Hz, J=15.4Hz, 4-Ｈ）、6.94（1
H, s, Ar-Ｈ）、7.13-7.24 （3H, m, indole-Ｈ）、7.2
6（1H, s, indole-2-Ｈ）、 7.29-7.57（1H, m, indole
-7-Ｈ） Ａｎａｌ．Calcd for Ｃ32Ｈ42Ｎ2 Ｏ6 Ｓ：Ｃ,65.95;
Ｈ,7.26;Ｎ,4.81 、Found ：Ｃ,65.65; Ｈ,7.38;Ｎ,4.5
9. ＭＳ ｍ／ｚ：５８２（Ｍ＋）
【０１１９】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、上述のよう
に、インドール−アルデヒド誘導体(Vp)又は(VIp) の合
成ステップにおいて、温和な酸化条件を用いているので
インドール環の酸化開裂を起こすことなく、安定に新規
なインドール−アルデヒド誘導体(Vp)又は(VIp) を合成
することができる。そして、この重要中間体(Vp)又は(V
Ip) から、新規中間体(IIIp)又は(IVp) を経由して、新
規な種々のトリプトファン含有トランス型アルケンジペ
プチドイソスター誘導体(Ip)又は(IIp) を高光学純度で
合成することができる。
に、インドール−アルデヒド誘導体(Vp)又は(VIp) の合
成ステップにおいて、温和な酸化条件を用いているので
インドール環の酸化開裂を起こすことなく、安定に新規
なインドール−アルデヒド誘導体(Vp)又は(VIp) を合成
することができる。そして、この重要中間体(Vp)又は(V
Ip) から、新規中間体(IIIp)又は(IVp) を経由して、新
規な種々のトリプトファン含有トランス型アルケンジペ
プチドイソスター誘導体(Ip)又は(IIp) を高光学純度で
合成することができる。
【０１２０】本発明の方法によって合成される一般式(I
p)、(IIp) 、(IIIp)、(IVp) 、(Vp)、(VIp) の各化合物
の保護基の脱保護、あるいは他の保護基による保護は、
常法によって容易に行うことができ、種々の目的化合物
を得ることができる。
p)、(IIp) 、(IIIp)、(IVp) 、(Vp)、(VIp) の各化合物
の保護基の脱保護、あるいは他の保護基による保護は、
常法によって容易に行うことができ、種々の目的化合物
を得ることができる。
【０１２１】本発明の新規なトリプトファン含有トラン
ス型アルケンジペプチドイソスターは、創薬産業、タン
パク質及びペプチド関係の基礎研究分野において有用な
化合物である。
ス型アルケンジペプチドイソスターは、創薬産業、タン
パク質及びペプチド関係の基礎研究分野において有用な
化合物である。
【０１２２】
【化３２】
【０１２３】
【化３３】
【０１２４】
【化３４】
【０１２５】
【化３５】
Claims (6)
- 【請求項１】 下記一般式(I) 〜(II)のいずれかで示さ
れる、トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチ
ドイソスター。 【化１】 【化２】 （一般式(I) 及び(II)において、Ｘは水素原子又はアミ
ノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基の
保護基を表し、Ｒ1 はアルキル基又はアリール基を表
し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール基、アルカ
リ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表す。） - 【請求項２】 下記一般式(III) 〜(IV)のいずれかで示
される、インドール誘導体。 【化３】 【化４】 （一般式(III) 及び(IV)において、Ｘは水素原子又はア
ミノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基
の保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保
護基を表し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基、アリール
基、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表
す。） - 【請求項３】 下記一般式(V) 〜(VI)のいずれかで示さ
れる、インドール誘導体。 【化５】 【化６】 （一般式(V) 及び(VI)において、Ｘは水素原子又はアミ
ノ基の保護基を表し、Ｙは水素原子又は第２アミン基の
保護基を表し、Ｚは水素原子又はヒドロキシル基の保護
基を表す。） - 【請求項４】 下記一般式(VII) で示されるインドール
誘導体又は一般式(VIII)で示されるインドール誘導体を
原料として、これに、四酸化オスミウム、過マンガン酸
塩、過酸化水素、有機過酸からなる群から選ばれる少な
くとも１種の酸化試薬を反応させて、末端ビニルをジオ
ール化して、 次に、得られたジオール体に、過ヨウ素酸ナトリウム、
四酢酸鉛、二酸化マンガンからなる群から選ばれる少な
くとも１種の酸化試薬を反応させて、一般式(VII) のイ
ンドール誘導体を用いた場合には、下記一般式(Vp)で示
されるアルデヒド体に変換し、又は一般式(VIII)のイン
ドール誘導体を用いた場合には、下記一般式(VIp) で示
されるアルデヒド体に変換することを特徴とする、一般
式(V)又は一般式(VI)で示されるインドール誘導体の製
造方法。 【化７】 【化８】 （一般式(VII) 及び一般式(VIII)において、Ｘp はアミ
ノ基の保護基を表し、Ｙp は第２アミン基の保護基を表
し、Ｚp はヒドロキシル基の保護基を表す。） 【化９】 【化１０】 （一般式(Vp)及び一般式(VIp) において、Ｘp 、Ｙp 及
びＺp は前記と同義である。） - 【請求項５】 下記一般式(Vp)で示されるインドール誘
導体又は一般式(VIp) で示されるインドール誘導体を原
料として、これに、ウィッティヒ試薬（Ｃ6Ｈ5 ）3 Ｐ
＝ＣＨＣＯＯＲ2'（Ｒ2'はアルキル基又はアリール基を
表す）を反応させて、一般式(Vp)のインドール誘導体を
用いた場合には、下記一般式(IIIp)で示される化合物に
変換し、又は一般式(VIp) のインドール誘導体を用いた
場合には、下記一般式(IVp) で示される化合物に変換す
ることを特徴とする、一般式(III) 又は一般式(IV)で示
されるインドール誘導体の製造方法。 【化１１】 【化１２】 （一般式(Vp)及び一般式(VIp) において、Ｘp はアミノ
基の保護基を表し、Ｙpは第２アミン基の保護基を表
し、Ｚp はヒドロキシル基の保護基を表す。） 【化１３】 【化１４】 （一般式(IIIp)及び一般式(IVp) において、Ｒ2'、Ｘp
、Ｙp 及びＺp は前記と同義である。） - 【請求項６】 下記一般式(IIIp)で示されるインドール
誘導体又は一般式(IVp) で示されるインドール誘導体を
原料として、これに、グリニャール試薬Ｒ1 ＭｇＸ（Ｒ
1 はアルキル基又はアリール基を表し、Ｘはハロゲン原
子を表す）又は有機リチウム試薬Ｒ1 Ｌｉ（Ｒ1 はアル
キル基又はアリール基を表す）を反応させて、一般式(I
IIp)のインドール誘導体を用いた場合には、下記一般式
(Ip)で示されるインドール誘導体に立体特異的に変換
し、又は一般式(IVp) のインドール誘導体を用いた場合
には、下記一般式(IIp) で示されるインドール誘導体に
立体特異的に変換することを特徴とする、一般式(I) 又
は一般式(II)で示されるトリプトファン含有トランス型
アルケンジペプチドイソスターの製造方法。 【化１５】 【化１６】 （一般式(IIIp)及び一般式(IVp) において、Ｒ2'はアル
キル基又はアリール基を表し、Ｘp はアミノ基の保護基
を表し、Ｙp は第２アミン基の保護基を表し、Ｚp はヒ
ドロキシル基の保護基を表す。） 【化１７】 【化１８】 （一般式(Ip)及び一般式(IIp) において、Ｒ1 はアルキ
ル基又はアリール基を表し、Ｒ2'はアルキル基又はアリ
ール基を表し、Ｘp はアミノ基の保護基を表し、Ｙp は
第２アミン基の保護基を表し、Ｚp はヒドロキシル基の
保護基を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249215A JPH1072437A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイソスター及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249215A JPH1072437A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイソスター及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1072437A true JPH1072437A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17189637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8249215A Withdrawn JPH1072437A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | トリプトファン含有トランス型アルケンジペプチドイソスター及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1072437A (ja) |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8249215A patent/JPH1072437A/ja not_active Withdrawn
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040629 |