JPH1073734A - サポート内に組み込まれた光ガイドを基準とする、サポート上の光電子構成要素の垂直方向位置決め - Google Patents
サポート内に組み込まれた光ガイドを基準とする、サポート上の光電子構成要素の垂直方向位置決めInfo
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- JPH1073734A JPH1073734A JP9162103A JP16210397A JPH1073734A JP H1073734 A JPH1073734 A JP H1073734A JP 9162103 A JP9162103 A JP 9162103A JP 16210397 A JP16210397 A JP 16210397A JP H1073734 A JPH1073734 A JP H1073734A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 先行技術の諸問題を解決するために、光ガイ
ドのコアあるいはコアに近い面において設定された機械
的基準を使用して垂直方向心合せを実施する。 【解決手段】 少なくとも１つの組み込み光ガイド（１
２４、１２６）を含み、下側封止層（１０１）と、案内
コア層（１０２）と、上側封止層（１２０）とを作製す
るために適当な材料を基板上に堆積することにより光ガ
イドが作製される基板（１００）を使用して構成され、
光ガイドが、サポート上に取り付けられた光電子構成要
素（１３０）に光学的に接続されるよう設計された、ハ
イブリッド光電子構成要素の分野において使用するサポ
ートであって、構成要素と光ガイド（１２４、１２６）
との光学的心合せを保証するために前記構成要素（１３
０）の位置決めを行う手段を含むサポート。本サポート
は、構成要素の垂直方向の位置決めを行うために、コア
層レベルに位置するか、コア層を基準として封止層内に
定義される衝合部を含む。本発明は、前記サポートを作
製する方法にも関する。
ドのコアあるいはコアに近い面において設定された機械
的基準を使用して垂直方向心合せを実施する。 【解決手段】 少なくとも１つの組み込み光ガイド（１
２４、１２６）を含み、下側封止層（１０１）と、案内
コア層（１０２）と、上側封止層（１２０）とを作製す
るために適当な材料を基板上に堆積することにより光ガ
イドが作製される基板（１００）を使用して構成され、
光ガイドが、サポート上に取り付けられた光電子構成要
素（１３０）に光学的に接続されるよう設計された、ハ
イブリッド光電子構成要素の分野において使用するサポ
ートであって、構成要素と光ガイド（１２４、１２６）
との光学的心合せを保証するために前記構成要素（１３
０）の位置決めを行う手段を含むサポート。本サポート
は、構成要素の垂直方向の位置決めを行うために、コア
層レベルに位置するか、コア層を基準として封止層内に
定義される衝合部を含む。本発明は、前記サポートを作
製する方法にも関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サポート内に組み
込まれた光ガイドと光学的に接触させる、サポート上の
光電子構成要素の垂直方向位置決めに関する。
込まれた光ガイドと光学的に接触させる、サポート上の
光電子構成要素の垂直方向位置決めに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積光学の発達と光電子構成要素の小型
化により、サポート上またはサポート内に組み込まれた
受動構成要素（例えば光ガイド）に光学的に接続できる
サポートに（通常レーザ・ダイオード、変調器、光検出
器などの能動型の）構成要素が実装されたハイブリッド
装置が誕生した。このようなサポートは、複数の光ガイ
ドを作り出すためシリカが堆積されるシリコン基板で構
成することができる。
化により、サポート上またはサポート内に組み込まれた
受動構成要素（例えば光ガイド）に光学的に接続できる
サポートに（通常レーザ・ダイオード、変調器、光検出
器などの能動型の）構成要素が実装されたハイブリッド
装置が誕生した。このようなサポートは、複数の光ガイ
ドを作り出すためシリカが堆積されるシリコン基板で構
成することができる。
【０００３】ハイブリッド光電子回路を作製するために
多くの仕事が費やされた。この仕事の大部分は、取り付
けられた構成要素と光ガイドとの間の光学的心合せが簡
単である構成におけるものであった。その典型的なもの
は、光ガイドが伝播する光線によってオンする光検出器
である。この仕事の一部は、取り付けられた構成要素と
光ガイドとの間の光学的心合せが、例えばレーザ光源と
光ガイドとの間の心合せのように高い精度が要求される
光学カップリングとなる構成に関する。この例では、最
大の効率をもたらすためには心合せが最良でなければな
らないことを理解されたい。
多くの仕事が費やされた。この仕事の大部分は、取り付
けられた構成要素と光ガイドとの間の光学的心合せが簡
単である構成におけるものであった。その典型的なもの
は、光ガイドが伝播する光線によってオンする光検出器
である。この仕事の一部は、取り付けられた構成要素と
光ガイドとの間の光学的心合せが、例えばレーザ光源と
光ガイドとの間の心合せのように高い精度が要求される
光学カップリングとなる構成に関する。この例では、最
大の効率をもたらすためには心合せが最良でなければな
らないことを理解されたい。
【０００４】組み込んだ光ガイドに接続すべきサポート
上に接続するよう設計したレーザ・ダイオードは、サポ
ートの表面上に取り付けた光ガイドに光学的に接続する
ために、送信片が構成要素の１つの表面の近くに位置し
ている構成要素である。従ってレーザ・ダイオードは、
定位置にある時は上下が逆になっている。
上に接続するよう設計したレーザ・ダイオードは、サポ
ートの表面上に取り付けた光ガイドに光学的に接続する
ために、送信片が構成要素の１つの表面の近くに位置し
ている構成要素である。従ってレーザ・ダイオードは、
定位置にある時は上下が逆になっている。
【０００５】３つの空間面内すべてにおいて心合せが行
われる。平らなサポートの場合、先行技術における既知
の種々の方法を用いて（例えばメカニカル・ストップ、
ミクロンショット等を使用して）、サポートの２つの面
内の心合せをうまく行うことができる。しかしながら垂
直方向の心合せは、光ガイドを作り出す使われるプロセ
スのため実行が難しい。シリコン光ガイドの上のシリカ
（例えば単モード１．３μｍ／１．５５μｍ）は通常、 − シリコン・サポートとの光学的絶縁を保証し、厚さ
が１２μｍを超える、下側封止層として知られているシ
リカ層と、 − 屈折率を増加させるためにドープされたシリカから
成る厚さが４ないし６ｍｍの薄い案内コア、この層は、
平面型ガイドが必要かチャンネル型ガイドが必要かによ
ってエッチングされる場合とされない場合があると、 − 周囲の空気からコアを隔離する、厚さが１０μｍを
超える、上側封止層として知られているシリカ層とを重
ね合せることによって製造される。
われる。平らなサポートの場合、先行技術における既知
の種々の方法を用いて（例えばメカニカル・ストップ、
ミクロンショット等を使用して）、サポートの２つの面
内の心合せをうまく行うことができる。しかしながら垂
直方向の心合せは、光ガイドを作り出す使われるプロセ
スのため実行が難しい。シリコン光ガイドの上のシリカ
（例えば単モード１．３μｍ／１．５５μｍ）は通常、 − シリコン・サポートとの光学的絶縁を保証し、厚さ
が１２μｍを超える、下側封止層として知られているシ
リカ層と、 − 屈折率を増加させるためにドープされたシリカから
成る厚さが４ないし６ｍｍの薄い案内コア、この層は、
平面型ガイドが必要かチャンネル型ガイドが必要かによ
ってエッチングされる場合とされない場合があると、 − 周囲の空気からコアを隔離する、厚さが１０μｍを
超える、上側封止層として知られているシリカ層とを重
ね合せることによって製造される。
【０００６】この種の光ガイドのシリカ層はたとえば、
ＰＥＣＶＤ（プラズマ気相成長法）技術を使用して堆積
することができる。これらの層の厚さは判定することが
非常にむずかしく、通常、上側封止層の場合１０％すな
わち±１μｍまで、下側封止層の場合３％すなわち±
０．４μｍまでというように、相対的誤差が非常に大き
くなることがある。垂直方向の心合せは、通常たとえば
シリカ層を堆積させたシリコン・サポートの表面など、
上側封止層の上面を基準として決められる。このような
機械的基準は、取り付け構成要素に対して光ガイドを正
しく光学的に心合せする場合（レーザ・ダイオード構造
の場合、通常±０．２５μｍ）には全く不適当である。
ＰＥＣＶＤ（プラズマ気相成長法）技術を使用して堆積
することができる。これらの層の厚さは判定することが
非常にむずかしく、通常、上側封止層の場合１０％すな
わち±１μｍまで、下側封止層の場合３％すなわち±
０．４μｍまでというように、相対的誤差が非常に大き
くなることがある。垂直方向の心合せは、通常たとえば
シリカ層を堆積させたシリコン・サポートの表面など、
上側封止層の上面を基準として決められる。このような
機械的基準は、取り付け構成要素に対して光ガイドを正
しく光学的に心合せする場合（レーザ・ダイオード構造
の場合、通常±０．２５μｍ）には全く不適当である。
【０００７】本発明の分野に関する先行技術の文書のう
ち以下の文書を挙げることができよう。 − "Film-Level Hybrid Integration of AlGaAs Laser
Diode with Glass Waveguide on Si substrate"、Yana
gisawa et al., "IEEE Photonics TechnologyLetters,
Vol. 4, No. 1, January 1992, pages 21-23 に掲載
（引例１） − "Silica-based Optical Waveguide on Terraced Si
licon Substrate as Hybrid Integration Platform", Y
amada et al., "Electronics Letters", Vol.29, No.
5, pages 444-446に掲載（引例２） − "A High-Density, Four-Channel OEIC Transceiver
Module Utilizing Planar-Processed Optical Wavegui
des and Flip-Chip, Solder-Bump Technology", K.P. J
ackson et al., "Journal of Lightwave Technology",
Vol. 12, No. 7, July 1994, pages 1185-1191に掲載
（引例３） − "Hybrid Integration of Semiconductor Lasers wi
th Si-based Single-Mode Ridge Waveguides", E.E.L.
Friedrich et al., "Journal of Lightwave Technolog
y", Vol. 10, No. 3, March 1992, pages 336-340に掲
載（引例４） − 合衆国特許Ａ５３２１７８６号の同等特許である、
フランス原子力委員会が出願したフランス特許Ａ−２６
９４８４１号（引例５）
ち以下の文書を挙げることができよう。 − "Film-Level Hybrid Integration of AlGaAs Laser
Diode with Glass Waveguide on Si substrate"、Yana
gisawa et al., "IEEE Photonics TechnologyLetters,
Vol. 4, No. 1, January 1992, pages 21-23 に掲載
（引例１） − "Silica-based Optical Waveguide on Terraced Si
licon Substrate as Hybrid Integration Platform", Y
amada et al., "Electronics Letters", Vol.29, No.
5, pages 444-446に掲載（引例２） − "A High-Density, Four-Channel OEIC Transceiver
Module Utilizing Planar-Processed Optical Wavegui
des and Flip-Chip, Solder-Bump Technology", K.P. J
ackson et al., "Journal of Lightwave Technology",
Vol. 12, No. 7, July 1994, pages 1185-1191に掲載
（引例３） − "Hybrid Integration of Semiconductor Lasers wi
th Si-based Single-Mode Ridge Waveguides", E.E.L.
Friedrich et al., "Journal of Lightwave Technolog
y", Vol. 10, No. 3, March 1992, pages 336-340に掲
載（引例４） − 合衆国特許Ａ５３２１７８６号の同等特許である、
フランス原子力委員会が出願したフランス特許Ａ−２６
９４８４１号（引例５）
【０００８】引例１では、シリコン・サポートは、構成
要素すなわちレーザ・ダイオードを取り付けるための垂
直方向の機械的基準となっている。構成要素は、シリコ
ン・サポートを基準として位置決めするように設計され
た構成要素の表面にエピタキシによって成長した新しい
層を堆積することによって、下側封止層の厚さに調節さ
れる。
要素すなわちレーザ・ダイオードを取り付けるための垂
直方向の機械的基準となっている。構成要素は、シリコ
ン・サポートを基準として位置決めするように設計され
た構成要素の表面にエピタキシによって成長した新しい
層を堆積することによって、下側封止層の厚さに調節さ
れる。
【０００９】引例２でも、シリコン・サポートは、構成
要素を取り付けるための垂直方向の機械的基準となって
いる。この構成では、たとえば、シリコン・サポートに
よって形成された機械的基準に近いところなど、必要な
レベルに近いところに光ガイドを持って行くために、シ
リコン下側封止レベルが使われる。
要素を取り付けるための垂直方向の機械的基準となって
いる。この構成では、たとえば、シリコン・サポートに
よって形成された機械的基準に近いところなど、必要な
レベルに近いところに光ガイドを持って行くために、シ
リコン下側封止レベルが使われる。
【００１０】引例３では、上側封止層の上面が機械的基
準の役割を果たす。また、マイクロショット溶接技術も
使われる。
準の役割を果たす。また、マイクロショット溶接技術も
使われる。
【００１１】引例４および５では、機械的基準は上側封
止層の上面からエッチングすることによって得られる。
この技術では２つの不確定要素が付加される。１つは堆
積に関し、もう１つはエッチングに関する。
止層の上面からエッチングすることによって得られる。
この技術では２つの不確定要素が付加される。１つは堆
積に関し、もう１つはエッチングに関する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この問題を解決するた
めに、本発明は、光ガイドのコアあるいはコアに近い面
において設定した機械的基準を使用する垂直方向心合せ
を実施することを提案する。光ガイドのコアを形成する
層の下端、光ガイドの上面、下端と上面の間、あるいは
コアの下側（下側封止層のコアに近いところ）に設定す
ることができるこの機械的基準は、上側封止層の上面あ
るいは下側封止層の下端のような一般に使われる機械的
基準よりもはるかに正確である。事実、光学的基準（す
なわち光導波路の光学軸）は、この機械的基準から２な
いし３μｍ離れているだけである。また、この層の垂直
位置の誤差は絶対値±０. １μｍを超えない。
めに、本発明は、光ガイドのコアあるいはコアに近い面
において設定した機械的基準を使用する垂直方向心合せ
を実施することを提案する。光ガイドのコアを形成する
層の下端、光ガイドの上面、下端と上面の間、あるいは
コアの下側（下側封止層のコアに近いところ）に設定す
ることができるこの機械的基準は、上側封止層の上面あ
るいは下側封止層の下端のような一般に使われる機械的
基準よりもはるかに正確である。事実、光学的基準（す
なわち光導波路の光学軸）は、この機械的基準から２な
いし３μｍ離れているだけである。また、この層の垂直
位置の誤差は絶対値±０. １μｍを超えない。
【００１３】
【課題を解決するための手段】従って本発明は、少なく
とも１つの組み込み光ガイドを含み、下側封止層と、案
内コア層と、上側封止層とを作製するために適当な材料
を基板上に堆積することにより光ガイドが作製される基
板を使用して構成され、光ガイドが、サポート上に取り
付けられた光電子構成要素に光学的に接続されるよう設
計される、ハイブリッド光電子用に設計されたサポート
であって、構成要素と光ガイドとの光学的心合せを保証
するために構成要素の位置決めを行う手段を含み、前記
位置決め手段が、構成要素の垂直方向の位置決めを行う
ために構成要素用衝合部を含み、コア層の上面、コア層
の下端と上面の間の中間層、下側封止層の上面、下側封
止層内の中間層のうちから選択されたレベルに前記衝合
部が位置することを特徴とするサポートに関する。
とも１つの組み込み光ガイドを含み、下側封止層と、案
内コア層と、上側封止層とを作製するために適当な材料
を基板上に堆積することにより光ガイドが作製される基
板を使用して構成され、光ガイドが、サポート上に取り
付けられた光電子構成要素に光学的に接続されるよう設
計される、ハイブリッド光電子用に設計されたサポート
であって、構成要素と光ガイドとの光学的心合せを保証
するために構成要素の位置決めを行う手段を含み、前記
位置決め手段が、構成要素の垂直方向の位置決めを行う
ために構成要素用衝合部を含み、コア層の上面、コア層
の下端と上面の間の中間層、下側封止層の上面、下側封
止層内の中間層のうちから選択されたレベルに前記衝合
部が位置することを特徴とするサポートに関する。
【００１４】本発明はまた、このようなサポートを作製
する方法にも関する。この方法では、光ガイドおよび接
合部は、プロセスのうちの同じ段階においても、あるい
は別の段階においても作製することができる。
する方法にも関する。この方法では、光ガイドおよび接
合部は、プロセスのうちの同じ段階においても、あるい
は別の段階においても作製することができる。
【００１５】第１の方法では、コア層の上面に位置する
衝合部を作製する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − コア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 光ガイドのブランクを作製するためにコア層および
下側封止層のエッチングを行うが、前記衝合部となるよ
うに設計されたコア層の領域はそのままにしておく段階
と、 − 犠牲バリア層を前に堆積した層上に堆積する段階
と、 − 犠牲バリア層のエッチングを行うが、前記衝合部上
ではそのままにしておく段階と、 − 上側封止層を前に堆積した層上に堆積する段階と、 − 必要ならば光ガイドの仕上げを行い、さらに犠牲バ
リア層の保護領域を露出させるために、上側封止層のエ
ッチングを行う段階と、 − 衝合部を露出させるために、犠牲バリア層の保護領
域を除去する段階とから成る。
衝合部を作製する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − コア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 光ガイドのブランクを作製するためにコア層および
下側封止層のエッチングを行うが、前記衝合部となるよ
うに設計されたコア層の領域はそのままにしておく段階
と、 − 犠牲バリア層を前に堆積した層上に堆積する段階
と、 − 犠牲バリア層のエッチングを行うが、前記衝合部上
ではそのままにしておく段階と、 − 上側封止層を前に堆積した層上に堆積する段階と、 − 必要ならば光ガイドの仕上げを行い、さらに犠牲バ
リア層の保護領域を露出させるために、上側封止層のエ
ッチングを行う段階と、 − 衝合部を露出させるために、犠牲バリア層の保護領
域を除去する段階とから成る。
【００１６】この方法では、コア層および下側封止層
は、単一の段階内で同時にエッチングすることも、ある
いは別々の段階で相前後してエッチングすることもでき
る。
は、単一の段階内で同時にエッチングすることも、ある
いは別々の段階で相前後してエッチングすることもでき
る。
【００１７】第２の方法では、コア層の下端に位置する
衝合部を作製する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − 場合によっては光ガイドのブランクを含む下側封止
層のエッチングを行うが、コア層の下面に位置し前記衝
合部となるように設計された領域はそのままにしておく
段階と、 − 犠牲バリア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 犠牲バリア層のエッチングを行うが、前記衝合部上
ではそのままにしておく段階と、 − コア層を前に堆積した層上に堆積し、場合によって
は、ガイドを作製するためにコア層のエッチングを行う
段階と、 − 上側封止層をコア層に堆積する段階と、 − 必要ならば光ガイドの仕上げを行い、さらに犠牲バ
リア層の保護領域を露出させるために、上側封止層およ
びコア層のエッチングを行う段階と、 − 衝合部を露出させるために、犠牲バリア層の保護領
域を除去する段階とから成る。
衝合部を作製する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − 場合によっては光ガイドのブランクを含む下側封止
層のエッチングを行うが、コア層の下面に位置し前記衝
合部となるように設計された領域はそのままにしておく
段階と、 − 犠牲バリア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 犠牲バリア層のエッチングを行うが、前記衝合部上
ではそのままにしておく段階と、 − コア層を前に堆積した層上に堆積し、場合によって
は、ガイドを作製するためにコア層のエッチングを行う
段階と、 − 上側封止層をコア層に堆積する段階と、 − 必要ならば光ガイドの仕上げを行い、さらに犠牲バ
リア層の保護領域を露出させるために、上側封止層およ
びコア層のエッチングを行う段階と、 − 衝合部を露出させるために、犠牲バリア層の保護領
域を除去する段階とから成る。
【００１８】第３の方法では、コア層の下端と上面の間
の中間層内に位置する衝合部を作製する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − コア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 光ガイドのブランクを作製するためにコア層と下側
封止層のエッチングを行うが、前記衝合部となるように
設計されたコア層の領域はそのままにしておく段階と、 − コア層の適当な領域のエッチングを行うことにより
衝合部を作製する段階と、 − 犠牲バリア層を前に堆積した層上に堆積する段階
と、 − バリア層のエッチングを行うが、前記衝合部上では
そのままにしておく段階と、 − 上側封止層を前に堆積した層上に堆積する段階と、 − 必要ならば光ガイドを作製し、さらにバリア層の保
護領域を露出させるために、上側封止層のエッチングを
行う段階と、 − 衝合部を露出させるために、バリア層の保護領域を
除去する段階とから成る。
の中間層内に位置する衝合部を作製する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − コア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 光ガイドのブランクを作製するためにコア層と下側
封止層のエッチングを行うが、前記衝合部となるように
設計されたコア層の領域はそのままにしておく段階と、 − コア層の適当な領域のエッチングを行うことにより
衝合部を作製する段階と、 − 犠牲バリア層を前に堆積した層上に堆積する段階
と、 − バリア層のエッチングを行うが、前記衝合部上では
そのままにしておく段階と、 − 上側封止層を前に堆積した層上に堆積する段階と、 − 必要ならば光ガイドを作製し、さらにバリア層の保
護領域を露出させるために、上側封止層のエッチングを
行う段階と、 − 衝合部を露出させるために、バリア層の保護領域を
除去する段階とから成る。
【００１９】この方法では、コア層および下側封止層
は、単一の段階内で同時にエッチングすることも、ある
いは別々の段階で相前後してエッチングすることもでき
る。
は、単一の段階内で同時にエッチングすることも、ある
いは別々の段階で相前後してエッチングすることもでき
る。
【００２０】第４の方法では、コア層の上面に位置する
衝合部を作製するために「リフト・オフ」として知られ
ている技術を使用する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − コア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 光ガイドのブランクを作製するためにコア層および
下側封止層のエッチングを行うが、前記衝合部となるよ
うに設計されたコア層の領域はそのままにしておく段階
と、 − 樹脂層を前に堆積した層上に堆積する段階と、 − 後に光ガイドが置かれる部域を除く樹脂層全体にわ
たり保護層を堆積する段階と、 − 樹脂層の非保護領域を除去する段階と、 − 上側封止層を、衝合部および前に堆積した層上に堆
積する段階と、 − 「リフト・オフ」技術を使用して、残った樹脂を除
去し、光ガイドおよび（衝合部）を露出させる段階とか
ら成る。
衝合部を作製するために「リフト・オフ」として知られ
ている技術を使用する。この方法は、 − 下側封止層を基板上に堆積する段階と、 − コア層を下側封止層上に堆積する段階と、 − 光ガイドのブランクを作製するためにコア層および
下側封止層のエッチングを行うが、前記衝合部となるよ
うに設計されたコア層の領域はそのままにしておく段階
と、 − 樹脂層を前に堆積した層上に堆積する段階と、 − 後に光ガイドが置かれる部域を除く樹脂層全体にわ
たり保護層を堆積する段階と、 − 樹脂層の非保護領域を除去する段階と、 − 上側封止層を、衝合部および前に堆積した層上に堆
積する段階と、 − 「リフト・オフ」技術を使用して、残った樹脂を除
去し、光ガイドおよび（衝合部）を露出させる段階とか
ら成る。
【００２１】この方法では、コア層および下側封止層
は、単一の段階内で同時にエッチングすることも、ある
いは別々の段階で相前後してエッチングすることもでき
る。
は、単一の段階内で同時にエッチングすることも、ある
いは別々の段階で相前後してエッチングすることもでき
る。
【００２２】下記説明を参照することにより本発明はよ
りよく理解され、別の長所および特徴が明らかになろ
う。記述は説明の目的で示した例に関するものであっ
て、なんら限定を意図するものではない。説明は添付の
図面を参照して行う。
りよく理解され、別の長所および特徴が明らかになろ
う。記述は説明の目的で示した例に関するものであっ
て、なんら限定を意図するものではない。説明は添付の
図面を参照して行う。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下の本説明では、例として使わ
れるサポートは、光ガイドを作製するためにシリカ堆積
層が塗布されたシリコンから成る。他の２つの面内での
水平方向位置決めは既知の技術を用いて実行することが
できるので、ここでは垂直方向の位置決めのみを記述す
る。
れるサポートは、光ガイドを作製するためにシリカ堆積
層が塗布されたシリコンから成る。他の２つの面内での
水平方向位置決めは既知の技術を用いて実行することが
できるので、ここでは垂直方向の位置決めのみを記述す
る。
【００２４】第１の方法 本発明によるサポートを作製する第１の方法では、まず
シリカ下側封止層１０１を堆積し、次に、適切にドープ
したシリカから成るコア層１０２をシリコン基板１００
の表面上に堆積する。これを図１Ａに示す。
シリカ下側封止層１０１を堆積し、次に、適切にドープ
したシリカから成るコア層１０２をシリコン基板１００
の表面上に堆積する。これを図１Ａに示す。
【００２５】次に、図１Ｂに示すように、層１０１およ
び１０２のエッチングを行う。層１０２はその全厚みが
エッチングされるが、層１０１はある深さまでしかエッ
チングされない。マスキング技術により２つの光ガイド
のブランク１０３および１０４が形成され、これらのブ
ランクの端部１０５および１０６はそれぞれ、サポート
上に取り付けた光電子構成要素の光学チャネルに接続さ
れるよう設計される。またマスキングにより、ガイドブ
ランク１０３および１０４のグループの両側に側面１０
７および１０８が形成される。これらの側面はガイドブ
ランク１０３および１０４に平行に一列に並べられ、取
り付けた構成要素を取り囲むために端部１０５および１
０６を超えて延長する。
び１０２のエッチングを行う。層１０２はその全厚みが
エッチングされるが、層１０１はある深さまでしかエッ
チングされない。マスキング技術により２つの光ガイド
のブランク１０３および１０４が形成され、これらのブ
ランクの端部１０５および１０６はそれぞれ、サポート
上に取り付けた光電子構成要素の光学チャネルに接続さ
れるよう設計される。またマスキングにより、ガイドブ
ランク１０３および１０４のグループの両側に側面１０
７および１０８が形成される。これらの側面はガイドブ
ランク１０３および１０４に平行に一列に並べられ、取
り付けた構成要素を取り囲むために端部１０５および１
０６を超えて延長する。
【００２６】次に、犠牲バリア層と呼ばれる層をエッチ
ングが施された層１０１および１０２上に堆積する。バ
リア層は、その後堆積する上側封止層の例えば反応性イ
オン・エッチングなどの化学的浸食に耐えるものでなけ
ればならないが、反対に、シリカのみを浸食する別の方
法によって取り除くことができる。バリア層は例えばア
ルミニウムなどの金属であってもよい。バリア層は、例
えばオルトリン酸Ｈ3ＰＯ4 を使用して化学的にエッチ
ングすることができる。
ングが施された層１０１および１０２上に堆積する。バ
リア層は、その後堆積する上側封止層の例えば反応性イ
オン・エッチングなどの化学的浸食に耐えるものでなけ
ればならないが、反対に、シリカのみを浸食する別の方
法によって取り除くことができる。バリア層は例えばア
ルミニウムなどの金属であってもよい。バリア層は、例
えばオルトリン酸Ｈ3ＰＯ4 を使用して化学的にエッチ
ングすることができる。
【００２７】図１Ｃおよび図１Ｄはエッチング後のこの
バリア層を示す図である。図１Ｃは図１Ｄの軸ＣＣによ
る断面図である。図１Ｄは図１Ｃの軸ＤＤによる断面図
である。エッチングが施された領域１１１および１１２
は、光電子構成要素を支えるよう設計されたサポートの
領域において側面１０７および１０８を覆うことに留意
されたい。また、これらの領域は、取り付けた構成要素
の下にある側面１０７および１０８の間に位置する層１
０１の非加工領域を覆うが、これは必須ではない。
バリア層を示す図である。図１Ｃは図１Ｄの軸ＣＣによ
る断面図である。図１Ｄは図１Ｃの軸ＤＤによる断面図
である。エッチングが施された領域１１１および１１２
は、光電子構成要素を支えるよう設計されたサポートの
領域において側面１０７および１０８を覆うことに留意
されたい。また、これらの領域は、取り付けた構成要素
の下にある側面１０７および１０８の間に位置する層１
０１の非加工領域を覆うが、これは必須ではない。
【００２８】また図１Ｃおよび図１Ｄは、新たに堆積し
たシリカ上側封止層１２０も示す。
たシリカ上側封止層１２０も示す。
【００２９】次に、光ガイドを仕上げるのに必要な材料
から離れた層全体を破壊するマスクを使用して上側封止
層１２０のエッチングを行う。これを図１Ｅおよび図１
Ｆに示す。ここで図１Ｅは図１Ｆの軸ＥＥによる断面図
であり、図１Ｆは図１Ｅの軸ＦＦによる断面図である。
バリア層の露出した非加工領域は除去されてしまってい
る。
から離れた層全体を破壊するマスクを使用して上側封止
層１２０のエッチングを行う。これを図１Ｅおよび図１
Ｆに示す。ここで図１Ｅは図１Ｆの軸ＥＥによる断面図
であり、図１Ｆは図１Ｅの軸ＦＦによる断面図である。
バリア層の露出した非加工領域は除去されてしまってい
る。
【００３０】図１Ｅおよび図１Ｆの一点鎖線は、サポー
ト上に取り付けた光電子構成要素１３０を示す。その側
面の縁はコア層１０２の上面に載り、サポート上の光ガ
イド１２４および１２６と光学的に結合する。
ト上に取り付けた光電子構成要素１３０を示す。その側
面の縁はコア層１０２の上面に載り、サポート上の光ガ
イド１２４および１２６と光学的に結合する。
【００３１】第２の方法 本発明によるサポートを作製する第２の方法では、図２
Ａおよび図２Ｂに示すように、まずシリコン基板２００
上にシリカ下側封止層１０１を堆積する。図２Ａは図２
Ｂの軸ＡＡによる断面図であり、図２Ｂは図２Ａの軸Ｂ
Ｂによる断面図である。
Ａおよび図２Ｂに示すように、まずシリコン基板２００
上にシリカ下側封止層１０１を堆積する。図２Ａは図２
Ｂの軸ＡＡによる断面図であり、図２Ｂは図２Ａの軸Ｂ
Ｂによる断面図である。
【００３２】次に、図２Ｃおよび図２Ｄに示すように、
ある深さまで層２０１のエッチングを行う。図２Ｃは図
２Ｄの軸ＣＣによる断面図であり、図２Ｄは図２Ｃの軸
ＤＤによる断面図である。エッチングにより、前記第１
の方法で下側封止層内にエッチングが施された形状に類
似した形状、すなわち光ガイド２０３および２０４のブ
ランクならびに側面２０７および２０８が作製される。
ある深さまで層２０１のエッチングを行う。図２Ｃは図
２Ｄの軸ＣＣによる断面図であり、図２Ｄは図２Ｃの軸
ＤＤによる断面図である。エッチングにより、前記第１
の方法で下側封止層内にエッチングが施された形状に類
似した形状、すなわち光ガイド２０３および２０４のブ
ランクならびに側面２０７および２０８が作製される。
【００３３】第１の方法の場合と同様、エッチングが施
された下側封止層２０１上に犠牲バリア層２１０を堆積
する。バリア層は、第１の方法で使われる形状に類似し
た形状にエッチングされる。図２Ｆで、エッチングが施
された領域２１１および２１２はとくに側面２０７およ
び２０８を覆うことに留意されたい。図２Ｅは図２Ｆの
軸ＥＥによる断面図であり、図２Ｆは図２Ｅの軸ＦＦに
よる断面図である。
された下側封止層２０１上に犠牲バリア層２１０を堆積
する。バリア層は、第１の方法で使われる形状に類似し
た形状にエッチングされる。図２Ｆで、エッチングが施
された領域２１１および２１２はとくに側面２０７およ
び２０８を覆うことに留意されたい。図２Ｅは図２Ｆの
軸ＥＥによる断面図であり、図２Ｆは図２Ｅの軸ＦＦに
よる断面図である。
【００３４】次にコア層２０２を堆積し、その次に上側
封止層２２０を堆積する。（図２Ｅおよび図２Ｆを参照
のこと）
封止層２２０を堆積する。（図２Ｅおよび図２Ｆを参照
のこと）
【００３５】光ガイドを仕上げ、その後除去されるバリ
ア層の保護領域を露出させるために、コア層２０２およ
び上側封止層２２０を連続してエッチングする。
ア層の保護領域を露出させるために、コア層２０２およ
び上側封止層２２０を連続してエッチングする。
【００３６】図２Ｇおよび図２Ｈにおいて、図２Ｇは図
２Ｈの軸ＧＧによる断面図であり、図２Ｈは図２Ｇの軸
ＨＨによる断面図である。この図２Ｇおよび図２Ｈの一
点鎖線は、サポート上に取り付けた光電子構成要素２３
０を示す。その側面の縁はコア層２０２の下面に載り、
サポート上の光ガイド２２４および２２６と光学的に結
合する。
２Ｈの軸ＧＧによる断面図であり、図２Ｈは図２Ｇの軸
ＨＨによる断面図である。この図２Ｇおよび図２Ｈの一
点鎖線は、サポート上に取り付けた光電子構成要素２３
０を示す。その側面の縁はコア層２０２の下面に載り、
サポート上の光ガイド２２４および２２６と光学的に結
合する。
【００３７】第３の方法 この方法は図３Ａないし図３Ｊに示してある。ここで図
３Ａ、図３Ｃ、図３Ｅ、図３Ｇおよび図３Ｉはそれぞれ
図３Ｂ、図３Ｄ、図３Ｆ、図３Ｈ、図３Ｊの断面図であ
り、図３Ｂ、図３Ｄ、図３Ｆ、図３Ｈ、図３Ｊはそれぞ
れ図３Ａ、図３Ｃ、図３Ｅ、図３Ｇおよび図３Ｉの断面
図である。
３Ａ、図３Ｃ、図３Ｅ、図３Ｇおよび図３Ｉはそれぞれ
図３Ｂ、図３Ｄ、図３Ｆ、図３Ｈ、図３Ｊの断面図であ
り、図３Ｂ、図３Ｄ、図３Ｆ、図３Ｈ、図３Ｊはそれぞ
れ図３Ａ、図３Ｃ、図３Ｅ、図３Ｇおよび図３Ｉの断面
図である。
【００３８】この方法の開始時は、第１の方法と同じ作
業を行う。まずシリコン基板３００上に下側封止層３０
１を堆積する。次にコア層３０２を堆積する。光ガイド
のブランク３０３および３０４、ならびに側面３０７お
よび３０８を作製するために、これら２つの層のエッチ
ングを行う。
業を行う。まずシリコン基板３００上に下側封止層３０
１を堆積する。次にコア層３０２を堆積する。光ガイド
のブランク３０３および３０４、ならびに側面３０７お
よび３０８を作製するために、これら２つの層のエッチ
ングを行う。
【００３９】次に、側面３０７上に衝合部３１７、また
側面３０８上に衝合部３１８を作製するために、側面の
内側の縁の上で中間の局所的なエッチング・プロセスを
実行する。
側面３０８上に衝合部３１８を作製するために、側面の
内側の縁の上で中間の局所的なエッチング・プロセスを
実行する。
【００４０】前記の方法と同様、衝合部を保護するため
に、バリア層３１０も堆積しエッチングする。次に、前
に堆積した層の上面に上側封止層３２０を堆積する。
に、バリア層３１０も堆積しエッチングする。次に、前
に堆積した層の上面に上側封止層３２０を堆積する。
【００４１】次に、光ガイド３２４および３２６を仕上
げ、バリア層３１０の保護領域を露出させるために、上
側封止層３２０のエッチングを行う。次に、衝合部３１
７および３１８を露出させるためにこれらの層を除去す
る。
げ、バリア層３１０の保護領域を露出させるために、上
側封止層３２０のエッチングを行う。次に、衝合部３１
７および３１８を露出させるためにこれらの層を除去す
る。
【００４２】図３Ｉおよび図３Ｊの一点鎖線は、サポー
ト上に取り付けた光電子構成要素３３０を示す。その側
面の縁はコア層３０２の中間衝合部３１７および３１８
上に載り、サポート上の光ガイド３２４および３２６と
光学的に結合する。
ト上に取り付けた光電子構成要素３３０を示す。その側
面の縁はコア層３０２の中間衝合部３１７および３１８
上に載り、サポート上の光ガイド３２４および３２６と
光学的に結合する。
【００４３】第４の方法 コア層の上面または下面で衝合部を露出させるために、
前記の方法のようにバリア層を堆積する代わりに、「リ
フト・オフ」プロセスとして知られる技術を使用する。
コア層の上面に形成される衝合部を示す図４Ａないし図
４Ｈに、この方法を示す。
前記の方法のようにバリア層を堆積する代わりに、「リ
フト・オフ」プロセスとして知られる技術を使用する。
コア層の上面に形成される衝合部を示す図４Ａないし図
４Ｈに、この方法を示す。
【００４４】まず下側封止層４０１を基板４００上に堆
積し、次にコア層４０２を堆積する。（図４Ａおよび図
４Ｂを参照のこと）光ガイド４０３および４０４のブラ
ンク、ならびに側面４０７および４０８を作製するため
に、これら２つの層のエッチングを行う。（図４Ｃおよ
び図４Ｄを参照のこと）
積し、次にコア層４０２を堆積する。（図４Ａおよび図
４Ｂを参照のこと）光ガイド４０３および４０４のブラ
ンク、ならびに側面４０７および４０８を作製するため
に、これら２つの層のエッチングを行う。（図４Ｃおよ
び図４Ｄを参照のこと）
【００４５】次に、前に堆積した層上に樹脂層を堆積す
る。次に、後に光ガイドが置かれる領域を除く樹脂層全
体など、保護すべき樹脂の領域に保護層を堆積する。図
４Ｅおよび図４Ｆに、露出したガイドブランク４０３お
よび４０４をともなう樹脂層４５０および保護層４５１
が示してあるが、エッチングによりこれらの図のような
結果が得られる。
る。次に、後に光ガイドが置かれる領域を除く樹脂層全
体など、保護すべき樹脂の領域に保護層を堆積する。図
４Ｅおよび図４Ｆに、露出したガイドブランク４０３お
よび４０４をともなう樹脂層４５０および保護層４５１
が示してあるが、エッチングによりこれらの図のような
結果が得られる。
【００４６】次に、前に堆積した層上に封止層を堆積す
る。次に、そのまま残っている樹脂を「リフト・オフ」
技術を使用して除去する。図４Ｇおよび図４Ｈでは、上
側封止層４２０が光ガイド４２４および４２６を覆う領
域まで薄くされるが、この除去によりこれらの図に示す
構造が形成される。一点鎖線はサポート上に取り付けた
光電子構成要素４３０を示す。その側面の縁はコア層に
載り、光ガイド４２４および４２６と光学的に結合す
る。
る。次に、そのまま残っている樹脂を「リフト・オフ」
技術を使用して除去する。図４Ｇおよび図４Ｈでは、上
側封止層４２０が光ガイド４２４および４２６を覆う領
域まで薄くされるが、この除去によりこれらの図に示す
構造が形成される。一点鎖線はサポート上に取り付けた
光電子構成要素４３０を示す。その側面の縁はコア層に
載り、光ガイド４２４および４２６と光学的に結合す
る。
【００４７】本発明によるサポート上に取り付けること
ができる構成要素のうち、以下のものを例としてあげる
ことができよう。 − 縁を通して発信する半導体レーザ発信源；これは単
体発信源であっても、単寸法バンクであっても、一連の
発信源であってもよい。 − 半導体増幅器；これも単体構成要素であっても、一
連の構成要素であってもよい。 − ＬｉＮｂＯ3 集積光変調器、 − ドープ・ガラス集積光変調器、 − 小型機械型サポート内に収納された単数または複数
の光ファイバ；これも単体構成要素であっても、シリコ
ン内へのＶ字形エッチングにより形成された一連の構成
要素であってもよい。
ができる構成要素のうち、以下のものを例としてあげる
ことができよう。 − 縁を通して発信する半導体レーザ発信源；これは単
体発信源であっても、単寸法バンクであっても、一連の
発信源であってもよい。 − 半導体増幅器；これも単体構成要素であっても、一
連の構成要素であってもよい。 − ＬｉＮｂＯ3 集積光変調器、 − ドープ・ガラス集積光変調器、 − 小型機械型サポート内に収納された単数または複数
の光ファイバ；これも単体構成要素であっても、シリコ
ン内へのＶ字形エッチングにより形成された一連の構成
要素であってもよい。
【００４８】本発明に従って形成される衝合部は必ずし
も側面になくてもよい。衝合部は、取り付けるべき構成
要素に従い、異なる位置に置くことができる。
も側面になくてもよい。衝合部は、取り付けるべき構成
要素に従い、異なる位置に置くことができる。
【図１Ａ】本発明によるサポートを作製する第１の方法
を示す部分図であり、サポートの斜視図である。
を示す部分図であり、サポートの斜視図である。
【図１Ｂ】本発明によるサポートを作製する第１の方法
を示す部分図であり、サポートの斜視図である。
を示す部分図であり、サポートの斜視図である。
【図１Ｃ】本発明によるサポートを作製する第１の方法
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｌにおけるサポ
ートの縦断面図である。
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｌにおけるサポ
ートの縦断面図である。
【図１Ｄ】本発明によるサポートを作製する第１の方法
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｔにおけるサポ
ートの横断面図である。
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｔにおけるサポ
ートの横断面図である。
【図１Ｅ】本発明によるサポートを作製する第１の方法
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｌにおけるサポ
ートの縦断面図である。
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｌにおけるサポ
ートの縦断面図である。
【図１Ｆ】本発明によるサポートを作製する第１の方法
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｔにおけるサポ
ートの横断面図である。
を示す部分図であり、図１Ｂに示す方向Ｔにおけるサポ
ートの横断面図である。
【図２Ａ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図２Ｂ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図２Ｃ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図２Ｄ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図２Ｅ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図２Ｆ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図２Ｇ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図２Ｈ】本発明によるサポートを作製する第２の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図３Ａ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図３Ｂ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図３Ｃ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図３Ｄ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図３Ｅ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図３Ｆ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図３Ｇ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図３Ｈ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図３Ｉ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図３Ｊ】本発明によるサポートを作製する第３の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図４Ａ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図４Ｂ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図４Ｃ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図４Ｄ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図４Ｅ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図４Ｆ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
【図４Ｇ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
を示す部分図であり、サポートの縦断面図である。
【図４Ｈ】本発明によるサポートを作製する第４の方法
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
を示す部分図であり、サポートの横断面図である。
１００ 基板 １０１ 下側封止層 １０２ コア層 １０３ 光ガイドのブランク １０４ 光ガイドのブランク １０５ ブランク端部 １０６ ブランク端部 １０７ 側面 １０８ 側面 １１０ 犠牲バリア層 １１１ エッチングが施された領域 １２０ 上側封止層 １２４ 光ガイド １３０ 光電子構成要素
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも１つの組み込み光ガイド（１
２４、１２６）を含み、下側封止層（１０１）と、案内
コア層（１０２）と、上側封止層（１０２）とを作製す
るために適当な材料を基板上に堆積することにより光ガ
イドが作製される基板を使用して構成され、光ガイド
が、サポート上に取り付けられた光電子構成要素（１３
０）に光学的に接続されるよう設計された、ハイブリッ
ド光電子構成要素の分野において使用するサポートであ
って、構成要素と光ガイド（１２４、１２６）との光学
的心合せを保証するために構成要素（１３０）の位置決
めを行う手段を含み、前記位置決め手段が、構成要素の
垂直方向の位置決めを行うために構成要素用衝合部を含
み、コア層の上面、コア層の下端と上面の間の中間層、
下側封止層の上面、下側封止層内の中間層のうちから選
択されたレベルに前記衝合部が位置することを特徴とす
るサポート。 - 【請求項２】 基板がシリコンで作製され、光ガイドが
シリカで作製されることを特徴とする請求項１に記載の
サポート。 - 【請求項３】 − 下側封止層（１０１）を基板（１０
０）上に堆積する段階と、 − コア層（１０２）を下側封止層（１０１）上に堆積
する段階と、 − 光ガイド（１０３、１０４）のブランクを作製する
ためにコア層（１０２）および下側封止層（１０１）の
エッチングを行うが、前記衝合部となるように設計され
たコア層の領域はそのままにしておく段階と、 − 犠牲バリア層（１１０）を前に堆積した層上に堆積
する段階と、 − 犠牲バリア層（１１０）のエッチングを行うが、衝
合部の領域では犠牲バリア層を保護する段階と、 − 上側封止層（１２０）を前に堆積した層上に堆積す
る段階と、 − 必要ならば光ガイド（１２４、１２６）の仕上げを
行い、さらにバリア層（１１０）の保護領域を露出させ
るために、上側封止層（１２０）のエッチングを行う段
階と、 − 衝合部を露出させるために、犠牲バリア層（１１
０）の保護領域を除去する段階とを含むことを特徴とす
る請求項１または２に記載のサポートを作製する方法。 - 【請求項４】 − 下側封止層（２０１）を基板（２０
０）上に堆積する段階と、 − 光ガイド（２０３、２０４）のブランクを作製する
ために下側封止層（２０１）のエッチングを行うが、コ
ア層の下面に位置し前記衝合部となるように設計された
下側封止層領域はそのままにしておく段階と、 − 犠牲バリア層（２１０）を下側封止層（２０１）上
に堆積する段階と、 − 犠牲バリア層（２１０）のエッチングを行うが、前
記衝合部領域上ではそのままにしておく段階と、 − コア層（２０２）を前に堆積した層上に堆積し、場
合によっては、ガイドを作製するためにコア層のエッチ
ングを行う段階と、 − 上側封止層（２２０）をコア層（２０２）に堆積す
る段階と、 − 必要なら光ガイド（２２４、２２６）の仕上げを行
い、さらに犠牲バリア層の保護領域を露出させるため
に、上側封止層（２２０）およびコア層（２０２）のエ
ッチングを行う段階と、 − 衝合部を露出させるために、バリア層の保護領域を
除去する段階とを含むことを特徴とする請求項１または
２に記載のサポートを作製する方法。 - 【請求項５】 − 下側封止層（３０１）を基板（３０
０）上に堆積する段階と、 − コア層（３０２）を下側封止層（３０１）上に堆積
する段階と、 − 光ガイドのブランク（３０３、３０４）を露出させ
るためにコア層（３０２）および下側封止層（３０１）
のエッチングを行うが、前記衝合部となるように設計さ
れたコア層の領域はそのままにしておく段階と、 − コア層の適当な領域のエッチングを行うことにより
前記衝合部（３１７、３１８）を作製する段階と、 − 犠牲バリア層（３１０）を前に堆積した層上に堆積
する段階と、 − バリア層（３１０）のエッチングを行うが、衝合部
の領域内ではそのままにしておく段階と、 − 上側封止層（３２０）を前に堆積した層上に堆積す
る段階と、 − 必要ならば光ガイド（３２４、３２６）の仕上げを
行い、さらにバリア層（３１０）の保護領域を露出させ
るために、上側封止層（３２０）のエッチングを行う段
階と、 − 衝合部（３１７、３１８）を露出させるために、バ
リア層の保護領域を除去する段階とを含むことを特徴と
する請求項１または２に記載のサポートを作製する方
法。 - 【請求項６】 − 下側封止層（４０１）を基板（４０
０）上に堆積する段階と、 − コア層（４０２）を下側封止層（４０１）上に堆積
する段階と、 − 光ガイドのブランク（４０３、４０４）を露出させ
るためにコア層（４０２）および下側封止層（４０１）
のエッチングを行うが、前記衝合部となるように設計さ
れたコア層の領域はそのままにしておく段階と、 − 樹脂層（４５０）を前に堆積した層上に堆積する段
階と、 − 後に光ガイドが置かれる領域を除く樹脂層（４５
０）に保護層（４５１）を堆積する段階と、 − 樹脂層（４５０）の非保護領域を除去する段階と、 − 上側封止層（４２０）を前に堆積した層上に堆積す
る段階と、 − 光ガイド（４２４、４２６）および衝合部を露出さ
せるために、「リフト・オフ」技術を使用して残った樹
脂を除去する段階とを含むことを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のサポートを作製する方法。
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|---|---|---|---|
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| FR9606999 | 1996-06-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073734A true JPH1073734A (ja) | 1998-03-17 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0811863B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1073734A (ja) |
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| FR (1) | FR2749672B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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-
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- 1997-06-04 DE DE69738279T patent/DE69738279T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-05 JP JP9162103A patent/JPH1073734A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |