JPH1073746A

JPH1073746A - 光送受信モジュール

Info

Publication number: JPH1073746A
Application number: JP23108796A
Authority: JP
Inventors: Takenao Ishihara; 武尚石原; Masaki Kondo; 正樹近藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-08-30
Filing date: 1996-08-30
Publication date: 1998-03-17

Abstract

(57)【要約】【課題】発光素子と受光素子の間隔を大きく取れて、
受信信号光の集光点に受光素子を配置することができ、
しかも高速通信化を可能にする。【解決手段】発光素子１と受光素子３とを内部に気密
封止したカンパッケージ１０を備え、カンパッケージ１
０の窓部には光分岐素子８が取付けられている。この光
分岐素子８は、平板部８ａと三角プリズム部８ｂとから
なり、三角プリズム部８ｂの厚肉側を平板部８ａ側に配
した構造である。発光素子１からの信号光は光分岐素子
９の平板部８ａを透過して光ファイバ１７に光結合す
る。一方、光ファイバ１７からの信号光は光分岐素子９
の三角プリズム部８ｂを経て受光素子１へ入射する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、１本の光ファイバ
を共有して送受信を行う光通信システムに用いられる光
送受信モジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信用デバイスは、これまで幹線系シ
ステムの大容量化および長距離化とともに発展してき
た。現在、光加入者システムの普及に向けて、各種伝送
方式やそれに対応した光デバイスの研究開発が進められ
ており、加入者系の光通信化を促進するためには、光デ
バイスを経済的なものにすることが大きな課題となって
いる。

【０００３】そこで、経済的なシステムの構築を可能に
するＰＤＳ（ＰａｓｓｉｖｅＤｏｕｂｌｅＳｔａ
ｒ）システムが提案されている（ＨＰＤｅｓｉｇｎ
Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ’９５ｐ１３−１〜１３−２２参
照）。このＰＤＳシステムは、図３３に示すように、局
側装置（ＯＳＵ：ＯｐｔｉｃａｌＳｕｂｓｃｒｉｂｅ
ｒＵｎｉｔ）１００と、複数の加入者装置（ＯＮＵ：
ＯｐｔｉｃａｌＮｅｔｗｏｒｋＵｎｉｔ）１０２と
の間を、光スターカプラ（ＳＣ：ＳｔａｒＣｏｕｐｌ
ｅｒ）１０１を用いて１対多数の通信を行う形態を採
り、光信号の合分岐にパッシブデバイスである光スター
カプラ（ＳＣ）１０１を用いて高信頼化を図っている。
さらに、１本の光ファイバ１０３を送受兼用（双方向）
として、双方向の通信を行うＴＣＭ（ＴｉｍｅＣｏｍ
ｐｒｅｓｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ）を採用してい
る。

【０００４】前記局側装置（ＯＳＵ）１００において
は、各加入者装置（ＯＮＵ）１０２への信号をＴＤＭ
（ＴｉｍｅＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ）と
し、さらにＴＣＭバースト光信号に変換する。変換され
た光信号は、下り信号として局側装置１００から送出さ
れ、光スターカプラ１０１によって各加入者装置１０２
に分岐される。逆に、各加入者装置１０２から局側装置
１００へ送出する信号は互いに別時間に割り付けられた
ＴＣＭ−ＴＤＭＡ（ＴｉｍｅＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌ
ｔｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓ）光信号に変換され、上り信
号として光スターカプラ１０１および光ファイバ１０３
を介して加入者装置１０２に送信される。そして、局側
装置１００と加入者装置１０２とにおける電気信号から
光信号への変換および光信号から電気信号への変換部分
は、どちらも共通の光送受信モジュール１１０を採用し
ている。

【０００５】この光送受信モジュール１１０の従来例と
して、次の従来例１と従来例２の２つのものが知られて
いる。

【０００６】従来例１としては、光分岐素子にホログラ
フィック回折格子を用い、小型化・低価格化を図る光送
受信モジュールが提案されている（特開平７−１０４１
５４）。この従来例１の光送受信モジュール１２０は、
図３４に示す構成となっている。

【０００７】すなわち、ステム１２１にサブマウント１
２２を介して取付けられた発光素子１２３から出射した
送信信号光は、パッケージ１２４に取り付けられたカバ
ーガラス１２５を透過し、ホログラフィック回折格子１
２６にて、０次光と＋１次光に２分された後、レンズ１
２７により集光されて０次光のみが光ファイバ１２８へ
入射する。一方、光ファイバ１２８を出射した受信信号
光は、レンズ１２７により集光された後、前記ホログラ
フィック回折格子１２６に入射し、０次光と＋１次光に
２分されてカバーガラス１２５を透過し、＋１次光のみ
が前記サブマウント１２２に取付けられた受光素子１２
９へ入射するように構成されている。なお、図３４中の
１３０はレンズ１２７等を支持するためのホルダーであ
り、１３１はモニター用受光素子である。

【０００８】従来例２としては、光分岐素子にフーコー
プリズムを用い、小型化・低価格化を図る光送受信モジ
ュールが提案されている（特開平７−２４８２４９）。
この従来例２の光送受信モジュールは、図３５（ａ）に
示すように、発光素子１４１（１４１ａ、１４１ｂ）を
出射した送信信号光は、図示しないパッケージに取り付
けられたカバーガラス１４９を透過し、フーコープリズ
ム１４３にて、２分された後、レンズ１４４により集光
され、片方のみがロッドレンズ１４５を介して光ファイ
バ１４６へ入射する。一方、光ファイバ１４６を出射し
た受信信号光は、レンズ１４４により集光された後、前
記フーコープリズム１４３に入射し、ここで２分されて
カバーガラス１４９を透過し、片方のみが受光素子１４
２へ入射するように構成されている。なお、図３５
（ａ）中において、１４５ａは光ファイバ１４６の端
面、１４７はコアであり、１４８は筒状ホルダーであ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例１と２の光送受信モジュールでは、各々以下に
述べるような問題が発生する。

【００１０】従来例１の光送受信モジュールでは、ホロ
グラフィック回折格子１２６に入射する光の波長が変化
すると、受光素子１２９へ入射する光の集光位置が変化
し、また入射光の受光素子１２９上でのサイズが大きく
なるため、以下の〜の問題が発生する。

【００１１】光源である発光素子１２３の温度による
波長の変化やばらつきにより、受光素子１２９の受光感
度が減少する。

【００１２】受光素子１２９から光が外れないように
受光素子１２９を大きくすると、受光素子１２９の静電
容量が素子面積に比例するため、受光素子１２９の動作
速度が遅くなり、高速通信ができなくなる。また、受光
素子１２９の大型化はウエハからの取り数減少につなが
り低価格化を阻害する。

【００１３】光源である発光素子１２３に波長変動の
少ないＤＦＢレーザー素子を用いる場合は、ＤＦＢレー
ザー素子は高価なため、光送受信モジュールの低価格化
を阻害する。

【００１４】一方、従来例２の光送受信モジュールで
は、以下の〜の問題が発生する。

【００１５】図３５（ｂ）に示すようにフーコープリ
ズム１４３の頂角θが２〜３°と小さく、また図３５
（ａ）に示すように発光素子１４１と受光素子１４２と
が近接するため、受光素子１４２を受信信号光の集光点
から離して実装せざるを得ない。従って、受光素子１４
２は広がった受信信号光を検出するために大きくなり、
受光素子１４２の静電容量が大きくなって高速通信がで
きない。また、受光素子１４２の大型化は、ウエハから
の取り数減少につながり低価格化を阻害する。なお、図
３５（ｃ）は、フーコープリズム１４３を示す斜視図で
ある。

【００１６】発光素子１４１からの送信信号光がフー
コープリズム１４３を通過すると波面収差が発生するた
め、非球面のレンズ１４４にて収差を補正しているが、
前記フーコープリズム１４３の頂角θを大きくしても、
レンズ１４４では収差を補正しきれないため、光ファイ
バ１４６への結合効率が低下する。

【００１７】カバーガラス１４９を必要として部品点
数が多くなり、低価格化が阻害される。

【００１８】発光素子１４１として半導体レーザー素
子を用いる場合は、その出射光束のエネルギー密度の高
い中央部がフーコープリズム１４３により２分されるた
め、光利用効率が低下する。

【００１９】発光素子１４１がレンズ１４４の光軸上
に無く、また、フーコープリズム１４３から一定距離Ｌ
だけ離して配置されているため（図３５（ａ）参照）、
温度が変化すると熱膨張のために前記距離が変化する。
従って、送信信号光は光ファイバ１４６の端面１４５ａ
の中心、即ちコア１４７の中心から離れるため、光ファ
イバ１４６への結合効率が大きく低下する。

【００２０】受光素子１４２の受光領域について何等
の記述も無く、最適化が図られていない。従って、受光
素子１４２のサイズを大きくする必要があり、受光素子
１４２の静電容量が大きくなって高速通信ができない。
また、受光素子１４２の大型化はウエハからの取り数減
少につながり低価格化を阻害する。

【００２１】ＰＤＳシステムの局側装置（ＯＳＵ）に
は複数の加入者装置（ＯＮＵ）からの送信信号光が入射
するが、各加入者装置までの距離が異なるため、その入
射光量は距離に応じて大きさがまちまちである。また、
大きな信号の入った後に小さな信号が入るとき、受光素
子に斜めに光が入射するために拡散電流が発生してお
り、小さな信号を読み取れなくなる。

【００２２】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、発光素子と受光素子の間
隔を大きく取れて、受信信号光の集光点に受光素子を配
置することができ、しかも高速通信化が可能な光送受信
モジュールを提供することを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明の光送受信モジュ
ールは、信号光を発光する発光素子及び信号光を受光す
る受光素子を有し、１本の光ファイバにより双方向通信
を行う光送受信モジュールに於いて、偏向作用を持つ三
角プリズム部と偏向作用を持たない平板部とを合わせて
成る光分岐素子を備え、該発光素子からの信号光を該光
分岐素子の平板部を透過させて該光ファイバに光結合さ
せ、該光ファイバからの信号光を該光分岐素子の三角プ
リズム部を経て該受光素子へ入射させる構成となってお
り、そのことにより上記目的が達成される。

【００２４】本発明の光送受信モジュールにおいて、前
記発光素子と前記受光素子とが１つのパッケージに内蔵
されると共に該パッケージに設けられた前記信号光を通
すための窓部が前記光分岐素子にて封止され、該パッケ
ージの内部が気密封止されている構成とすることができ
る。

【００２５】本発明の光送受信モジュールにおいて、前
記受光素子が、前記光分岐素子と前記光ファイバの光軸
との交点である分岐点から該発光素子までの光学距離
と、該分岐点から該受光素子までの光学距離とを等しく
して設けられている構成とすることができる。

【００２６】本発明の光送受信モジュールにおいて、前
記発光素子が、前記光ファイバへの光結合効率を最大に
するように、前記光分岐素子と前記光ファイバとの間に
設けられたレンズの光軸に対して傾斜させて配置されて
いる構成とすることができる。

【００２７】本発明の光送受信モジュールにおいて、前
記発光素子および前記光ファイバが、前記光分岐素子と
該光ファイバとの間に設けられたレンズの光軸上に、該
発光素子の発光点および該光ファイバの端面中心が位置
するように配置されている構成とすることができる。

【００２８】本発明の光送受信モジュールにおいて、前
記受光素子が、その受光領域を三角形にした構成となる
ようにすることができる。

【００２９】本発明の光送受信モジュールにおいて、前
記受光素子が、バースト伝送方式による双方向通信を行
うに際し、拡散電流を吸収する構造を持つよう構成され
ているようにすることができる。

【００３０】以下、本発明の作用について説明する。

【００３１】本発明にあっては、光分岐素子における三
角プリズム部の頂角を大きくしても、発光素子の光ファ
イバへの光結合効率は変化しないので、発光素子と受光
素子との間隔を大きく取れ、受信信号光の集光点に受光
素子を配置することができる。また、実装が容易にな
る。発光素子からの送信信号光は光分岐素子の平板部を
透過するため波面収差の劣化は少ない。従って、光送受
信モジュールの組立が容易になる。

【００３２】また、受光素子上の受信信号光の光束が小
さくなり、その分受光素子を小さくでき、高速通信化が
可能となる。また、ウエハからの取り数が増し低価格化
が可能となる。

【００３３】また、発光素子と受光素子とを内蔵するパ
ッケージの封止に、カバーガラスを使用しなくて済むの
で、その分、低価格化が可能となる。

【００３４】また、発光素子がレンズの光軸に対して傾
斜して設けてあるので、発光素子として半導体レーザー
素子を用いても、その出射光束のエネルギー密度の低い
周辺部が光分岐素子により２分されるため、光利用効率
が増加する。従って、発光素子の消費電力を同じとする
と、伝送距離が延びる。また、伝送距離を同じとする
と、発光素子の消費電力を削減できる。

【００３５】また、温度が変化しても、発光素子と光フ
ァイバとはレンズの光軸上にあるため、光ファイバへの
結合効率は大きく低下しない。

【００３６】また、受光素子の受光領域が、受光素子上
の受信信号光束と同じ三角形であるので、円形の受光領
域を持つ受光素子に比べて、多くの光を検出することが
できる。

【００３７】また、受光素子が拡散電流防止構造を備え
るので、空乏層外で発生した光生成キャリアを拡散電流
防止構造により吸収することができ、拡散電流を除去で
きる。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を具体的
に説明する。

【００３９】図１は本実施形態に係る光送受信モジュー
ルの構造を示す正面断面図である。この光送受信モジュ
ールは、発光素子１と受光素子３とを内部に気密封止し
たカンパッケージ１０を備え、カンパッケージ１０の窓
部には光分岐素子８が取付けられている。この光分岐素
子８は、平板部８ａと三角プリズム部８ｂとからなり、
三角プリズム部８ｂの厚肉側を平板部８ａ側に配した構
造である。三角プリズム部８ｂは、その断面が三角形で
ある必要は必ずしもなく、一つの角部が欠落した台形と
なっていてもよい。光分岐素子８の材料としては、ガラ
スの他にアクリル等の透光性樹脂が使用できるが、温度
変化に対する信頼性の点でガラスを用いるのが望まし
い。ここでは、ガラスの「ＢＫ７」を使用した。

【００４０】このカンパッケージ１０は筒状をしたカン
ホルダー１５の一端側の内部に支持されており、カンホ
ルダー１５の他端側の内部にはレンズ１１が固定されて
おり、このレンズ１１はカンホルダー１５の他端側で固
定されているレンズ鏡筒１２と、このレンズ鏡筒１２の
内部に設けられた非球面レンズ１３とからなる。カンホ
ルダー１５にはレセプタクルホルダー１６が固定され、
更に、このレセプタクルホルダー１６にはレセプタクル
１４が固定されている。レセプタクル１４のスリーブ１
９には、図示しないプラグ（光ファイバ）が装着され
る。図１中の２はモニター用受光素子であり、６はリー
ドである。

【００４１】このように構成された光送受信モジュール
の組立手順を以下に述べる。

【００４２】まず、カンパッケージ１０をカンホルダー
１５にビス止めや溶接、または接着剤により固定する。

【００４３】次に、レンズ１１をカンホルダー１５内に
配置した後、所望の位置で固定する。この固定につき、
より詳細に説明すると、発光素子１を点灯させてレンズ
１１により集光する集光ビームの形状を図示しないカメ
ラなどにより検出しながら、レンズ１１を光軸方向（図
１のＺ方向）に摺動調整し、集光ビームサイズが最も小
さくなる位置で溶接または接着にて固定する。

【００４４】次に、前記カンパッケージ１０とレンズ１
１とを固定したカンホルダー１５を、レセプタクル１４
をビス止めや溶接または接着にて固定したレセプタクル
ホルダー１６に固定する。この固定は、レセプタクルホ
ルダー１６にカンホルダー１５を接触させ、レセプタク
ル１４に挿入した図示しないプラグ（光ファイバ）に入
射する光出力をモニターしながら、前記カンホルダー１
５を前記光軸方向と垂直な方向（図１のＸＹ方向）に摺
動調整し、光出力が最大になる位置で、それらを溶接ま
たは接着にて固定する。以上のようにして、本実施形態
の光送受信モジュールが製造される。

【００４５】次に、本実施形態の光送受信モジュールに
おける送信の場合の動作を、図２および図３に基づいて
説明する。図２は、レセプタクル１４に光ファイバ１７
を、フェルール１８を介して挿入した状態を示す正面断
面図である。一方、図３は、この光送受信モジュールの
カンパッケージ１０部分における送信状態を拡大して示
す正面断面図である。図３中の９は低融点ガラスであ
り、２０はボンディングワイヤーである。

【００４６】発光素子１を出射した送信信号光２３は、
発散しつつ光分岐素子８に入射する。光分岐素子８に入
射した送信信号光２３の内、平板部８ａを透過した光２
４はレンズ１１の集光作用にて収束しつつ、レセプタク
ル１４内部の光ファイバ１７のコアに入射し、光ファイ
バ１７内を伝搬する。一方、光分岐素子８の三角プリズ
ム部８ｂを透過した光２５は、偏向されてレンズ１１に
入射するため、１点には集光せず光ファイバ１７へ入射
しない。

【００４７】このように動作する本実施形態の光送受信
モジュールにおいて、光分岐素子８の平板部８ａと三角
プリズム部８ｂとの稜線をレンズ１１の光軸に合わせる
と、光の分岐比は１：１となる。光ファイバ１７に入射
した信号光は４％程が反射され、上述した光路を逆に進
んで発光素子１へ戻ってくる。通信方式、例えばアナロ
グ伝送方式によっては、上述した戻り光は送信光へのノ
イズの原因となるが、図４に示すＡＲコートをファイバ
端面に施した光ファイバや、図５に示す斜め研磨を端面
に施した光ファイバを用いれば、その問題は容易に解決
でき、ＰＤＳシステムに関しては、上述した戻り光は問
題を起こさなかった。

【００４８】次に、本実施形態の光送受信モジュールに
おける受信の場合の動作を、図６に基づいて説明する。
図６は、レセプタクル１４に光ファイバ１７を挿入した
状態を示すと共に、この光送受信モジュールのカンパッ
ケージ１０部分における受信状態を拡大して示す正面断
面図である。

【００４９】光ファイバ１７を出射した受信信号光２６
は、発散しつつレンズ１１に入射し、レンズ１１の集光
作用にて収束光となり、光分岐素子８に入射する。図７
に示すように、光分岐素子８の三角プリズム部８ｂを透
過した光２７は偏向されて受光素子３へ入射し、受信信
号電流に変換される。

【００５０】前記三角プリズム部８ｂを透過して偏向さ
れた光２７は、近軸光学によれば、分岐点、つまり光分
岐素子８と光ファイバ１７の光軸との交点から発光素子
１までの光学距離を、前記分岐点から、その偏向方向に
進んだ位置に集光する。従って、その位置に受光素子３
を配置すれば受光素子３上の集光光束径が最も小さくな
るため、受光素子３の受光領域を小さくできる。実際の
光学系は収差を持ち、近軸光学に従わないので、先の位
置から僅かに前後するが、その正確な位置については、
光線追跡シミュレーションを行えば容易に求められる。

【００５１】次に、本実施形態に係る光送受信モジュー
ルの構成部品について以下に詳細を説明する。

【００５２】レセプタクル１４の構造は、ＪＩＳＣ５
９７３「ＦＣＯ４型単心光ファイバコネクタ」のアダプ
タに詳細が記述されている。機能としては、プラグ内の
フェルール１８の内部に設けられる光ファイバ１７の端
面を特定の位置に保持するものである。プラグとして
は、ＪＩＳＣ５９７３「ＦＣＯ４型単心光ファイバコ
ネクタ」のプラグに詳細が記述されている。

【００５３】光送受信モジュールとしてレセプタクルを
持つ構成はレセプタクル型と呼ばれ、前述の従来例１の
ように光ファイバが光送受信モジュールから直接出てい
る構成はピグテール型と呼ばれている。本実施形態では
レセプタクル型を示しているが、本発明はピグテール型
でも適用可能なのは言うまでもない。

【００５４】レンズ１１は、ガラスプレスにより形成さ
れた非球面レンズ１３を備え、プレス時に金属製のレン
ズ鏡筒１２と一体成形されて製造される。なお、本実施
形態では非球面レンズ１３を用いているが、他のレン
ズ、例えばセルフォックレンズや球レンズ、または、そ
れらの組合せレンズから構成されても良い。

【００５５】カンパッケージ１０は、図３や図７に示し
た断面となっており、その上面図（図３や図７の右方か
ら見た図）を図８に、また、側面図を図９に、底面図を
図１０に示す。

【００５６】カンパッケージ１０はステム２８を備え
る。ステム２８は、軟銅製アイレット５と、６本のコバ
ール製リード６（電極）とから成り、その内の５本のリ
ード６はアイレット５に対してガラスにて電気的絶縁が
なされ、アイレット５上面に端面が出る様に固定されて
いる。残りの１本のリード６はアイレット５に電気的な
接続ができる様に溶接固定されている。

【００５７】また、アイレット５の斜面には発光素子１
がロウ付け固定される。アイレット５の上面にはセラミ
ックス製のサブマウント４がロウ付け固定されている。
セラミックスは本来ロウ付け固定が出来ないため、サブ
マウント４の接合面に金属膜、例えば金、チタンまたは
白金等の膜をスパッタリング等により形成した後、ロウ
付け固定される。２つあるサブマウント４の一方の上面
には受光素子３が、他方の上面にはモニター受光素子２
がロウ付け固定されている。

【００５８】半導体チップ、つまり発光素子１、受光素
子３およびモニター受光素子２は、リード６との間の電
気的接続が、例えば金線やアルミ線等のボンディングワ
イヤー２０にてなされる。リード６の本数は、半導体チ
ップの数が３ヶで、各々の半導体チップが２極の電極を
持つため６本必要となる。本実施形態のアイレット５に
溶接されているリード６は、電気的シールドを確保すべ
く、カンパッケージ１０を電気的グランドに接続する作
用も合わせ持つ。また、受光素子３に接続する増幅器
（図示せず）は半導体チップとし、同じカンパッケージ
１０内に実装する方がノイズに強くなり良い。この場合
は、必要なリード６の本数が増加する。

【００５９】上記アイレット５の上には、発光素子１、
受光素子３およびモニター受光素子２を覆ってキャップ
２９が設けられている。

【００６０】図１１は、前記キャップ２９を外したステ
ム２８の上面図であり、図１２は半導体チップの固定さ
れた部分の上面図、図１３は半導体チップの固定された
部分の側面図である。

【００６１】キャップ２９は、コバール製のアイレット
７と光分岐素子８とから成り、光分岐素子８は低融点ガ
ラス９によりアイレット７に固定されている。ステム２
８とキャップ２９との最適位置は、発光素子１を点灯さ
せ、光分岐素子８を通過した光を図示しないレンズやカ
メラで検出するか、または、図示しないレンズから出射
する収束光を光分岐素子８を通過させて受光素子３で検
出することにより行われ、これによりステム２８とキャ
ップ２９とを最適位置に調整支持することができる。ま
た、窒素雰囲気下でそれらをシーム溶接する事により、
カンパッケージ１０が製造される。なお、本実施形態で
はカンパッケージにより気密密閉を行ったが、セラミッ
クパッケージ他でも良い。

【００６２】次に、発光素子を傾斜させることにつき、
以下に詳細を説明する。

【００６３】図１４は送信光学系を模式的に示す正面図
である。例えば、光ファイバとしてシングルモードファ
イバを用い、発光素子として半導体レーザー素子を用い
る場合、それらの間にレンズを挿入し、ファイバへの結
合効率を高めることが行われている。この図示例のよう
に、例えば、ファイバのＮＡを０．１、半導体レーザー
素子のＮＡを０．４７とすると、横倍率４．７（＝０．
４７／０．１）のレンズが必要となる。

【００６４】この光学系を、本発明や従来例２の光送受
信モジュールで用いる場合は、光分岐素子８で半分の光
は蹴られることから、Ａ方向のＮＡ０〜０．４７、Ｂ方
向のＮＡ−０．４７〜０．４７までの光束が光ファイバ
へ入射することになる。

【００６５】一般に、半導体レーザー素子の出射光束の
強度分布はガウス分布であるから、横軸をＡ方向とし、
縦軸を光強度とした２次元グラフで、ファイバへ結合す
る光束を図示すると、半導体レーザー素子をレンズの光
軸（またはファイバの光軸）に対して傾けない場合は図
１５の斜線部分となり、傾ける場合は図１６の斜線部分
となる。このことより、傾けた方が斜線部分の面積を大
きくでき、光エネルギーの利用効率を高くできることが
判る。

【００６６】図１７は、実際に３次元での発光素子の傾
斜角と光利用効率との関係を算出した図である。この図
より理解されるように、傾斜角度１４°で光利用効率が
１５％以上改善される。これは、消費電力を同じとすれ
ば、伝送距離が１５％以上延びることを意味し、また伝
送距離を同じとすれば、半導体レーザー素子の消費電力
を１５％以上減らせることを意味する。

【００６７】次に、発光素子の発光点や光ファイバ端面
の中心を、レンズの光軸上に配置することを以下に説明
する。

【００６８】通常、レンズの光軸に、発光素子の発光点
や光ファイバの端面の中心を配置しない場合は、レンズ
の収差（軸外収差）が発生し、ファイバへの結合効率が
低下する。その意味において、従来例１の光送受信モジ
ュールでは、レンズの光軸に、発光素子の発光点や光フ
ァイバの端面の中心を配置しており、従来例２も設計温
度ではそれを満たす配置となっている。

【００６９】ここで、発光素子やレンズ、および光ファ
イバなどの部品を支持する支持部材の熱膨張係数をα、
各部品のレンズ光軸からの距離を各々Ｌ１、０、Ｌ３と
すると、温度変化△ｔにより、各部品は各々光軸から、
Ｌ１α△ｔ、０、Ｌ３α△ｔだけ離れるため、Ｌ１＝Ｌ
３＝０としなければ熱膨張により、部品に位置ズレが生
じ、結合効率が低下する。このことを、より詳細に説明
する。

【００７０】例えば、光ファイバにシングルモードファ
イバを使うと、光軸に直交する方向では各部品に０．５
μｍの取付精度が必要となるが、支持部材を銅とする
と、熱膨張係数α＝１６．５Ｅ−６、Ｌ１＝５００μ
ｍ、光送受信モジュールの使用温度範囲を−２０〜８０
℃とすれば、使用温度範囲の上限下限で、０．４１μｍ
（＝１６．５Ｅ−６×５００×５０）の位置ズレが生
じ、結合効率が非常に悪くなる。

【００７１】次に、受光素子の受光領域につき説明す
る。

【００７２】図１８に受光素子３の上面図を、図１９に
受信信号光の集光位置での光線追跡シミュレーション結
果を示す。

【００７３】図１９に示すように、従来の受光素子の受
光領域である円形よりも、その円形と同一面積の三角形
状の受光領域の方が、光を多く検出できる。よって、本
実施形態では、受光素子の受光領域は三角形状としてい
る。

【００７４】光送受信モジュールに用いられる受光素子
は、高速応答特性が要求されることからフォトダイオー
ドが多く用いられている。中でもＰＮ接合の間に抵抗の
大きいｉ層（低不純物濃度層）を入れる構造とすること
により、空乏層幅Ｗを大きくし、接合容量を小さくし
て、高感度にしたｐｉｎ型受光素子（ｐｉｎ−ＰＤ）が
一般的に用いられている。

【００７５】図２０は、拡散電流防止構造（ガードリン
グ）を持つｐｉｎ−ＰＤの構造を示す上面図であり、図
２１は図２０のＡ−Ａ断面図である。また、図２２は拡
散電流防止構造を持たない通常のｐｉｎ−ＰＤの構造を
示す上面図であり、図２３は図２２のＢ−Ｂ断面図であ
る。ここでは、光伝送でよく用いられる波長帯１．３μ
ｍ、１．５５μｍを受光感度領域内に持つＩｎＧａＡｓ
系ｐｉｎ−ＰＤの例を示す。

【００７６】図２０および２１に示す、拡散電流防止構
造（ガードリング）を持つｐｉｎ−ＰＤは、ｎ⁺−Ｉｎ
Ｐ基板２０１の上に、ｎ^-−ＩｎＰバッファ層２０２、
ｎ^-−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（Ｉ層）２０３、ｎ^-−Ｉｎ
Ｐ窓層２０４、および表面保護膜２０９が形成されてい
る。表面保護膜２０９は、例えばシリコン窒化膜等の絶
縁膜により形成され、一般的に光を透過する。

【００７７】ｎ^-−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（Ｉ層）２０
３およびｎ^-−ＩｎＰ窓層２０４には、Ｚｎ拡散等の不
純物拡散によって導電型を反転させたｐ⁺領域２０５お
よび拡散電流防止構造（ガードリング）として形成され
たリング状ｐ⁺領域２０６が形成されている。ｐ⁺領域２
０５の周囲には受光領域を形成するための空乏層２１１
が設けられ、リング状ｐ⁺領域２０６の周囲には拡散電
流防止構造を形成するためのガードリング空乏層２１２
が設けられる。また、ｐ⁺領域２０５の表面上にはｐ型
電極（アノード）２０７および反射防止膜（受光面）２
０８が形成されている。また、ｎ⁺−ＩｎＰ基板２０１
の下には、ｎ型電極（カソード）２１０が形成されてい
る。

【００７８】一方、図２２および図２３に示す拡散電流
防止構造を持たない通常のｐｉｎ−ＰＤは、図２０およ
び図２１に示す構造のｐｉｎ−ＰＤから、ガードリング
２１６及びガードリング空乏層２１２を除いた構造であ
る。

【００７９】なお、図２１および図２３は、矢印方向に
進む入射光２１３が光吸収層２０３内で吸収され、電子
２１４、正孔２１５のペアが生成され、受光素子の光電
流に寄与する様子を概念的に示したものである。また、
図中の２１３’は矢印方向に進む入射光を示す。

【００８０】本発明のバースト伝送方式による双方向通
信を行う光送受信モジュールにおける受光素子の使用条
件としては、以下の３つの特徴がある。

【００８１】（Ａ）高速応答特性を要することから、Ｒ
Ｃ時定数τＲＣを小さくするためには接合容量Ｃｊを小
さくしたものが必要であり、また、その受光素子の構造
としては、ＣｊがＳ／Ｗ（Ｓ：接合面積、Ｗ：空乏層
幅）に比例するという関係があることから、接合面積Ｓ
を小さくするために、受光領域を形成するｐ⁺領域２０
５や空乏層２１１の面積は小さくなければならない。な
お、光伝送用ｐｉｎ−ＰＤは、一般的に、受光面２０８
の受光径が１００μｍ以下のものが使用されている。

【００８２】（Ｂ）本発明において、入射光はｐｉｎ−
ＰＤ表面に対して斜め入射となる。

【００８３】（Ｃ）ＰＤＳシステムにおいて、信号レベ
ルの異なるバースト信号を受信する。

【００８４】ところで、光送受信モジュールにおいて
は、光ファイバから出射した光を受光素子の受光面２０
８に入射するように集光させているが、前記特徴（Ａ）
から受光面積を小さくした場合には、一部の光が空乏層
２１１外の光吸収層２０３で吸収され、光生成キャリア
である電子２１４ｂ、正孔２１５ｂが生成されて、拡散
電流成分の割合が増え、ｐｉｎ−ＰＤの応答特性が劣化
する。

【００８５】この拡散電流成分の発生及び応答特性への
影響を、図２２、２３に示す拡散電流防止構造を持たな
い通常のｐｉｎ−ＰＤ構造図を用いて以下に説明し、ま
た、拡散電流防止構造（ガードリング）２０８の役割
を、図２０、２１のガードリング付ｐｉｎ−ＰＤ構造図
を用いて以下に説明する。

【００８６】図２３で示すように、空乏層２１１内で生
成した電子２１４ａおよび正孔２１５ａは、空乏層２１
１内の電界によるドリフト電流として外部回路へ流出
し、光電流となる。また、空乏層２１１外の光吸収層２
０３内において電子２１４ｂおよび正孔２１５ｂのペア
が生成した場合、この生成キャリアである電子２１４ｂ
および正孔２１５ｂが空乏層２１１まで拡散により達し
たものが光電流に寄与する。ただし、このうち正孔２１
５ｂは拡散が遅いため、空乏層２１１内及びその近傍で
生成したキャリアである電子２１４ａおよび正孔２１５
ａと比較して光電流への寄与が遅くなる。このような空
乏層外で生成したキャリアによる光電流成分が拡散電流
である。この拡散電流成分は、フォトダイオードの応答
速度の支配要因として上げられる２項目、つまりＲＣ
時定数τＲＣ（フォトダイオードの接合容量Ｃｊ、ダイ
オードパッケージの端子容量Ｃｔ、負荷抵抗ＲＬ）と、
空乏層外生成キャリアが空乏層端まで拡散する時間τ
ｄｉｆｆとのうち、後者のに関連する。なお、応答速
度を速くするためには、τＲＣ、τｄｉｆｆのそれぞれ
を小さくすることが必要である。

【００８７】よって、ｐｉｎ−ＰＤの応答特性及び受光
感度を高めるためには、拡散電流の割合を小さくする必
要があり、また、空乏層２１１から遠い領域での生成キ
ャリアの光電流への寄与を無くしてのτｄｉｆｆを小
さくする必要がある。

【００８８】一方、拡散電流防止構造（ガードリング）
２０６の役割としては、図２０、２１のガードリング付
ｐｉｎ−ＰＤ構造図で示すように、空乏層２１１外で生
成したキャリアである電子２１４ｂおよび正孔２１５ｂ
の拡散は、拡散電流防止構造（ガードリング）２０６に
よって形成されるガードリング空乏層２１２にて吸収さ
れるため、キャリアが空乏層２１１に達することがな
い。このため、光電流に寄与する拡散電流成分を除外す
ることができる。特に、空乏層２１１から遠いガードリ
ング２０６外側の拡散電流成分が除外できるため、τｄ
ｉｆｆを小さくすることができる。

【００８９】また、上述した使用条件の特徴（Ｂ）の入
射光がｐｉｎ−ＰＤ表面に対して斜め入射となることに
対する拡散電流防止構造付のｐｉｎ−ＰＤの優位性を以
下に説明する。ここで、図２４および図２５は拡散電流
防止構造付のｐｉｎ−ＰＤの構造図を示し、入射光２１
３が斜め方向より入射する場合である。比較として、図
２６および図２７に拡散電流防止構造無しのｐｉｎ−Ｐ
Ｄの構造図を示す。図２６は入射光２１３が垂直より入
射する場合であり、図２７は入射光２１３が斜めより入
射する場合である。

【００９０】図２６で示すように、ｐ型電極２０７を受
光面２０８以外の領域を覆うように形成した場合、垂直
入射光２１３に対しては、ｐ型電極２０７が遮光膜とな
るため拡散電流成分の除去が行える。この場合、表面保
護膜２０９には絶縁膜を使用している。しかし、図２７
で示すように、斜め入射光２１３の場合は、受光面２０
８から入射した光が空乏層２１１外で吸収され、キャリ
アである電子２１４ｂおよび正孔２１５ｂが発生するた
め、受光素子表面に遮光膜を設ける方法では、斜め入射
光２１３に対する拡散電流除去の効果は不十分である。

【００９１】一方、図２４および図２５で示すように、
拡散電流防止構造付のｐｉｎ−ＰＤの場合は、受光素子
表面に遮光膜を設ける設けないに関わらず、斜め入射光
による空乏層２１１外で生成したキャリアである電子２
１４ｂおよび正孔２１５ｂの拡散に対して吸収効果があ
り、拡散電流除去に役立つ。

【００９２】更に、本発明のバースト伝送方式による双
方向通信を行う光送受信モジュールにおいて、受光素子
の使用条件の特徴（Ｃ）から、拡散電流防止構造付のｐ
ｉｎ−ＰＤを採用したことの優位性を説明する。

【００９３】図２８（ａ）に示すように入射光波形がパ
ルス状の場合、そのｐｉｎ−ＰＤの光電流波形は、τＲ
Ｃ》τｄｉｆｆのときには図２８（ｂ）に示すようにな
り、τＲＣ《τｄｉｆｆのときには図２８（ｃ）に示す
ようになる。したがって、空乏層２１１から遠い空乏層
外で生成したキャリアの光電流への寄与が多い場合はτ
ｄｉｆｆが大きくなり、図２８（ｃ）で示すように光電
流波形はパルス頭部の傾斜及び裾引きが発生する。この
ような裾引きは、符号間干渉を招き、符号誤り率を増大
させることになる。

【００９４】また、光送受信モジュールにおける受光素
子の使用条件の特徴（Ｃ）のように、ＰＤＳシステムに
おいて信号レベルの異なるバースト信号を受信すること
から、図２９に示すような信号レベルの異なるバースト
信号、つまり信号レベルの高いバースト信号２１７と信
号レベルの低いバースト信号２１８との連続した信号を
受信した場合、その出力信号波形（τＲＣ《τｄｉｆ
ｆ）は、図に示すように、信号レベルの高い出力信号２
１７の裾引き部分の強度が、信号レベルの低い出力信号
２１８のパルス符号の強度と同等となる。よって、信号
レベルの異なるバースト信号を受信する場合のｐｉｎ−
ＰＤの出力信号波形の裾引き発生は、信号伝送の誤り率
の増大の原因となる。

【００９５】以上のようにτＲＣ《τｄｉｆｆにおける
裾引き発生は、高速応答特性が要求される光伝送におい
て、中でも、光送受信モジュールにおける信号レベルの
異なるバースト伝送方式の光伝送に悪影響を与える。よ
って、本発明の光送受信モジュールにおいては、拡散電
流成分を除去することによってτｄｉｆｆを小さくする
ことのできる拡散電流防止構造（ガードリング）を有す
るｐｉｎ−ＰＤを、受光素子に採用する。

【００９６】図３０〜図３２は、拡散電流防止構造（ガ
ードリング）を有するｐｉｎ−ＰＤの他の構造例を示
す。なお、図３０〜図３２の（ａ）は、そのｐｉｎ−Ｐ
Ｄの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図で
ある。

【００９７】図３０は、図２０においてリング状に設け
た拡散電流防止構造（ガードリング）２０６をＰＤチッ
プ全面に設けた場合である。つまり、図２０に示すよう
に、ガードリングの幅は拡散電流を吸収するだけの幅が
あれば良いが、図３０に示すようにＰＤチップ全面に設
けてもよい。

【００９８】図３１は、拡散電流防止構造（ガードリン
グ）２０６がｐ⁺領域２０５よりも深く形成した場合で
ある。つまり、ガードリング２０６の深さは、ｐ⁺領域
２０５よりも深く形成しても良い。

【００９９】図３２は、拡散電流防止構造（ガードリン
グ）２０６上にｐ型電極２１６を形成し、ガードリング
空乏層２１２の幅（図面上は深さ方向への広がり）を受
光領域の空乏層２１１の幅よりも広くした場合である。
つまり、ガードリング２０６上にｐ型電極２１６を形成
し、これに逆バイアス電圧を印加することによって、ガ
ードリング空乏層２１２の幅を受光領域の空乏層２１１
の幅よりも広くしても良い。

【０１００】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
は、偏向作用を持つ三角プリズム部と偏向作用を持たな
い平板部を合わせて成る光分岐素子を備え、発光素子か
らの信号光を光分岐素子の平板部を透過させて光ファイ
バに光結合させ、光ファイバからの信号光を光分岐素子
の三角プリズム部を経て受光素子へ入射させるので、三
角プリズム部の頂角を大きくしても、発光素子の光ファ
イバへの結合効率は変化しないため、発光素子と受光素
子の間隔を大きく取れ、受信信号光の集光点に受光素子
を配置することができる。また、発光素子や受光素子の
実装が容易になる。更に、発光素子からの送信信号光は
光分岐素子の平板部を透過するため波面収差の劣化は少
ないため、光送受信モジュールの組立が容易になる。

【０１０１】また、本発明において、光分岐素子がカバ
ーガラスとしての機能を兼ねようにした場合は、カバー
ガラスを使用しなくて済み、その分、低価格化が可能と
なる。

【０１０２】また、本発明において、受光素子を、光分
岐素子と光ファイバの光軸との交点である分岐点から発
光素子までの光学距離と、分岐点から受光素子までの光
学距離とを等しくして配置した場合は、受光素子上の受
信信号光の光束が小さくなり、その分受光素子を小さく
でき、高速化が可能となる。また、受光素子上の受信信
号光の光束が小さくなり、その分受光素子を小さくで
き、ウエハからの取り数が増し低価格化が可能となる。

【０１０３】また、本発明において、発光素子を光ファ
イバへの光結合効率が最大になるように、レンズの光軸
に対して傾斜させた場合には、発光素子として半導体レ
ーザー素子を用いても、その出射光束のエネルギー密度
の低い周辺部が、光分岐素子により２分されるため、光
利用効率が増加する。従って、発光素子の消費電力を同
じとすると伝送距離を延ばす事が可能となり、伝送距離
を同じとすると発光素子の消費電力を削減できる。

【０１０４】また、本発明において、発光素子の発光点
およびファイバ端面の中心をレンズの光軸上に配置した
場合は、温度が変化しても、発光素子と光ファイバはレ
ンズの光軸上にあるため、光ファイバへの結合効率は大
きく低下しない。

【０１０５】また、本発明において、受光素子の受光領
域を三角形にする場合には、受光素子上の受信信号光束
は概ね三角形であるため、円形の受光領域に比べて、多
くの光を検出することができる。

【０１０６】また、本発明において、受光素子に拡散電
流防止構造（ガードリング）を持つｐｉｎ−ＰＤを用い
る場合は、空乏層外で発生した光生成キャリアを拡散電
流防止構造により吸収することが可能となり、拡散電流
を除去できる。従って、大きな信号の入った後で小さな
信号が入るときに、受光素子に斜めに光が入射するため
拡散電流が発生し小さな信号を読み取れなくなるという
問題を解決できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る光送受信モジュールの
構造を示す正面断面図である。

【図２】本発明の実施形態に係る光送受信モジュールに
光ファイバを挿入した状態を示す正面断面図である。

【図３】本発明の実施形態に係る光送受信モジュールに
おける送信状態を示す正面断面図である。

【図４】本発明に使用されるフェルールを示す断面図で
ある。

【図５】本発明に使用される他のフェルールを示す断面
図である。

【図６】本発明の実施形態に係る光送受信モジュールに
おける受信状態を示す正面断面図である。

【図７】本発明の実施形態に係る光送受信モジュールに
おけるカンパッケージの受信状態を示す正面断面図であ
る。

【図８】本発明の実施形態に係る光送受信モジュールに
おけるカンパッケージの外観図（上面図）である。

【図９】本発明の実施形態に係る光送受信モジュールに
おけるカンパッケージの外観図（側面図）である。

【図１０】本発明の実施形態に係る光送受信モジュール
におけるカンパッケージの外観図（底面図）である。

【図１１】本発明の実施形態に係る光送受信モジュール
におけるカンパッケージのステム上面図である。

【図１２】本発明の実施形態に係る光送受信モジュール
における半導体チップ固定部の詳細図（上面図）であ
る。

【図１３】本発明の実施形態に係る光送受信モジュール
における半導体チップ固定部の詳細図（側面図）であ
る。

【図１４】本発明の実施形態に係る光送受信モジュール
における送信光学系を模式的に示す正面図である。

【図１５】比較例の場合であり、発光素子（半導体レー
ザー素子）をレンズの光軸に対して傾けないときの光フ
ァイバへ結合する光束を示す図である。

【図１６】本実施形態の場合であり、発光素子（半導体
レーザー素子）をレンズの光軸に対して傾斜させたとき
の光ファイバへ結合する光束を示す図である。

【図１７】本発明の実施形態において、発光素子（半導
体レーザー素子）をレンズの光軸に対して傾斜させたと
きの傾斜角と光利用効率との関係を示す図であり、横軸
に発光素子の傾斜角度（゜）をとり、縦軸に光利用効率
（％）をとって示している。

【図１８】本発明の実施形態における受光素子の上面図
を示す。

【図１９】本発明の実施形態における受光素子に関して
受信信号光の集光位置での光線追跡シミュレーション結
果を示す。

【図２０】本発明の実施形態の場合であり、拡散電流防
止構造（ガードリング）を持つｐｉｎ−ＰＤの構造を示
す上面図である。

【図２１】図２０のＡ−Ａ断面図である。

【図２２】比較例の場合であり、拡散電流防止構造を持
たない通常のｐｉｎ−ＰＤの構造を示す上面図である。

【図２３】図２２のＢ−Ｂ断面図である。

【図２４】本発明の実施形態の場合であり、拡散電流防
止構造付のｐｉｎ−ＰＤの構造図を示し、入射光が斜め
方向より入射する場合である。

【図２５】本発明の実施形態の場合であり、拡散電流防
止構造付のｐｉｎ−ＰＤの構造図を示し、入射光が斜め
方向より入射する場合である。

【図２６】比較例の場合であり、拡散電流防止構造無し
のｐｉｎ−ＰＤの構造図を示し、入射光が垂直より入射
する場合である。

【図２７】比較例の場合であり、拡散電流防止構造無し
のｐｉｎ−ＰＤの構造図を示し、入射光が斜めより入射
する場合である。

【図２８】本発明のバースト伝送方式による双方向通信
を行う光送受信モジュールにおいて、拡散電流防止構造
付のｐｉｎ−ＰＤを採用したことの優位性を説明する図
であり、（ａ）は入射光波形を示し、（ｂ）はτＲＣ》
τｄｉｆｆのときのｐｉｎ−ＰＤの光電流波形を示し、
（ｃ）はτＲＣ《τｄｉｆｆのときのｐｉｎ−ＰＤの光
電流波形を示す。

【図２９】信号レベルの異なるバースト信号を受信する
場合のｐｉｎ−ＰＤの出力信号波形の裾引き発生が、信
号伝送の誤り率の増大の原因となることを説明する図で
ある。

【図３０】（ａ）は拡散電流防止構造（ガードリング）
を有するｐｉｎ−ＰＤの他の構造例を示す平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。

【図３１】（ａ）は拡散電流防止構造（ガードリング）
を有するｐｉｎ−ＰＤの更に他の構造例を示す平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。

【図３２】（ａ）は拡散電流防止構造（ガードリング）
を有するｐｉｎ−ＰＤの更に他の構造例を示す平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。

【図３３】本発明の適用されるＰＤＳシステムを示す構
成図である。

【図３４】従来の光送受信モジュールの構造を示す正面
断面図である。

【図３５】従来の他の光送受信モジュールの構造を示す
正面断面図である。

【符号の説明】

１発光素子２モニター用受光素子３受光素子４サブマウント５、７アイレット６リード８光分岐素子８ａ平板部８ｂ三角プリズム部９低融点ガラス１０カンパッケージ１１レンズ１２レンズ鏡筒１３非球面レンズ１４レセプタクル１５カンホルダー１６レセプタクルホルダー１７光ファイバ１８フェルール２０ボンディングワイヤー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】信号光を発光する発光素子及び信号光を
受光する受光素子を有し、１本の光ファイバにより双方
向通信を行う光送受信モジュールに於いて、偏向作用を持つ三角プリズム部と偏向作用を持たない平
板部とを合わせて成る光分岐素子を備え、該発光素子か
らの信号光を該光分岐素子の平板部を透過させて該光フ
ァイバに光結合させ、該光ファイバからの信号光を該光
分岐素子の三角プリズム部を経て該受光素子へ入射させ
る構成となっている光送受信モジュール。
【請求項２】前記発光素子と前記受光素子とが１つの
パッケージに内蔵されると共に該パッケージに設けられ
た前記信号光を通すための窓部が前記光分岐素子にて封
止され、該パッケージの内部が気密封止されている請求
項１に記載の光送受信モジュール。
【請求項３】前記受光素子が、前記光分岐素子と前記
光ファイバの光軸との交点である分岐点から該発光素子
までの光学距離と、該分岐点から該受光素子までの光学
距離とを等しくして設けられている請求項１に記載の光
送受信モジュール。
【請求項４】前記発光素子が、前記光ファイバへの光
結合効率を最大にするように、前記光分岐素子と前記光
ファイバとの間に設けられたレンズの光軸に対して傾斜
させて配置されている請求項１に記載の光送受信モジュ
ール。
【請求項５】前記発光素子および前記光ファイバが、
前記光分岐素子と該光ファイバとの間に設けられたレン
ズの光軸上に、該発光素子の発光点および該光ファイバ
の端面中心が位置するように配置されている請求項１に
記載の光送受信モジュール。
【請求項６】前記受光素子が、その受光領域を三角形
にした構成となっている請求項１に記載の光送受信モジ
ュール。
【請求項７】前記受光素子が、バースト伝送方式によ
る双方向通信を行うに際し、拡散電流を吸収する構造を
持つよう構成されている請求項１に記載の光送受信モジ
ュール。