JPH1074889A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1074889A JPH1074889A JP8231630A JP23163096A JPH1074889A JP H1074889 A JPH1074889 A JP H1074889A JP 8231630 A JP8231630 A JP 8231630A JP 23163096 A JP23163096 A JP 23163096A JP H1074889 A JPH1074889 A JP H1074889A
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- Japan
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- terminals
- diode module
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- power module
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スイッチングパワーモジュールとダイオードモ
ジュールを組合せてインバータ装置を構築する場合に、
単純な直線状の配線バーを用いて直流端子間の配線が行
えるようにダイオードモジュールの直流端子の配列を改
良する。 【解決手段】インテリジェントパワーモジュール（ＩＰ
Ｍ）１とダイオードモジュール２を組合せてインバータ
装置を構築する場合に、ダイオードモジュールのパッケ
ージ２ａの上面には左右一列に並ぶ交流入力端子８と、
極性配列を揃えてパッケージ上面の左右両端部に振り分
けて配置した２組の直流出力端子９を設け、接続相手で
あるＩＰＭのパッケージ上面に引出した直流入力端子の
配列に合わせてＰ，Ｎの同極同士が向かい合うようにモ
ジュール１，２を並置した上で、そのＰ−Ｐ極，Ｎ−Ｎ
極の間を配線バー１２を用いて直線的に相互接続する。
また、ＩＰＭの端子配列が逆である場合には、ダイオー
ドモジュールのパッケージを１８０°反転して端子配列
をＩＰＭのそれに合わせる。
ジュールを組合せてインバータ装置を構築する場合に、
単純な直線状の配線バーを用いて直流端子間の配線が行
えるようにダイオードモジュールの直流端子の配列を改
良する。 【解決手段】インテリジェントパワーモジュール（ＩＰ
Ｍ）１とダイオードモジュール２を組合せてインバータ
装置を構築する場合に、ダイオードモジュールのパッケ
ージ２ａの上面には左右一列に並ぶ交流入力端子８と、
極性配列を揃えてパッケージ上面の左右両端部に振り分
けて配置した２組の直流出力端子９を設け、接続相手で
あるＩＰＭのパッケージ上面に引出した直流入力端子の
配列に合わせてＰ，Ｎの同極同士が向かい合うようにモ
ジュール１，２を並置した上で、そのＰ−Ｐ極，Ｎ−Ｎ
極の間を配線バー１２を用いて直線的に相互接続する。
また、ＩＰＭの端子配列が逆である場合には、ダイオー
ドモジュールのパッケージを１８０°反転して端子配列
をＩＰＭのそれに合わせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチングパワ
ーモジュールとダイオードモジュールとを組合せて構築
したインバータなどの電力変換装置を対象とする半導体
装置、詳しくはダイオードモジュールのパッケージ上面
に引出した直流出力端子の配列構造に関する。
ーモジュールとダイオードモジュールとを組合せて構築
したインバータなどの電力変換装置を対象とする半導体
装置、詳しくはダイオードモジュールのパッケージ上面
に引出した直流出力端子の配列構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、スイッチングパッケージモジュー
ルとしてインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）
を採用し、これにダイオードモジュールを組合せて構築
したインバータ装置（３相回路）の従来構成を図３〜図
６に示す。図３はインバータ装置の等価回路図であり、
１はインバータ部のインテリジェントパワーモジュー
ル、２はコンバータ部のダイオードモジュール、３は、
制御対象の電動機である。ここで、インテリジェントパ
ワーモジュール１は、例えば６個のＩＧＢＴ(Insulated
Gate Bipolar Transister) を内蔵して３相ブリッジ回
路を構成したもので、図４で示すように外形が方形状で
あるパッケージ１ａの上面周縁に外部導出端子として直
流入力端子（Ｐ，Ｎ）４，交流出力端子（Ｕ，Ｖ，Ｗ）
５，および制御端子６，ブレーキ端子（Ｂ）７を配列し
た構成になる。一方、ダイオードモジュール２は６個の
ダイオードを内蔵して３相ブリッジ回路を構成したもの
で、図５に示すように外形が方形状であるパッケージ２
ａの上面には外部導出端子として左右一列に並ぶ交流入
力端子（Ｕ．Ｖ，Ｗ）８，およびその側方位置で前後の
向きに並ぶ直流出力端子（Ｐ，Ｎ）９が配列された構成
になる。
ルとしてインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）
を採用し、これにダイオードモジュールを組合せて構築
したインバータ装置（３相回路）の従来構成を図３〜図
６に示す。図３はインバータ装置の等価回路図であり、
１はインバータ部のインテリジェントパワーモジュー
ル、２はコンバータ部のダイオードモジュール、３は、
制御対象の電動機である。ここで、インテリジェントパ
ワーモジュール１は、例えば６個のＩＧＢＴ(Insulated
Gate Bipolar Transister) を内蔵して３相ブリッジ回
路を構成したもので、図４で示すように外形が方形状で
あるパッケージ１ａの上面周縁に外部導出端子として直
流入力端子（Ｐ，Ｎ）４，交流出力端子（Ｕ，Ｖ，Ｗ）
５，および制御端子６，ブレーキ端子（Ｂ）７を配列し
た構成になる。一方、ダイオードモジュール２は６個の
ダイオードを内蔵して３相ブリッジ回路を構成したもの
で、図５に示すように外形が方形状であるパッケージ２
ａの上面には外部導出端子として左右一列に並ぶ交流入
力端子（Ｕ．Ｖ，Ｗ）８，およびその側方位置で前後の
向きに並ぶ直流出力端子（Ｐ，Ｎ）９が配列された構成
になる。
【０００３】そして、インバータ装置を構築する際に
は、図６で表すようにインテリジェントパワーモジュー
ル１，ダイオードモジュール２，端子台１０を図示のよ
うに並べて設置した上で、端子台１０の入力側端子とダ
イオードモジュール２の交流入力端子Ｕ．Ｖ，Ｗとの
間、ダイオードモジュール２の直流出力端子Ｐ，Ｎとイ
ンテリジェントパワーモジュール１の直流入力端子Ｐ，
Ｎとの間、およびインテリジェントパワーモジュール１
の交流出力端子Ｕ．Ｖ，Ｗと端子台１０の出力側端子と
の間をそれぞれ外部配線バー１１，１２，１３で相互接
続している。
は、図６で表すようにインテリジェントパワーモジュー
ル１，ダイオードモジュール２，端子台１０を図示のよ
うに並べて設置した上で、端子台１０の入力側端子とダ
イオードモジュール２の交流入力端子Ｕ．Ｖ，Ｗとの
間、ダイオードモジュール２の直流出力端子Ｐ，Ｎとイ
ンテリジェントパワーモジュール１の直流入力端子Ｐ，
Ｎとの間、およびインテリジェントパワーモジュール１
の交流出力端子Ｕ．Ｖ，Ｗと端子台１０の出力側端子と
の間をそれぞれ外部配線バー１１，１２，１３で相互接
続している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示し
たインテリジェントパワーモジュール製品の直流入力端
子４のＰ，Ｎ極配列と、図５に示したダイオードモジュ
ール製品の直流出力端子９のＰ，Ｎ極配列が逆である
と、図６で表すようにインテリジェントパワーモジュー
ル１とダイオードモジュール２を並置した場合に、直流
端子の間でＰ，Ｎ極の異極同士が対向し合うようにな
る。このために、組立作業者が極性をうっかり間違えて
直線状の配線バーで異極同士の間を渡り配線するおそれ
がある。また、正規の配線状態でも図示のようにＰ（正
極）極，およびＮ（負極）極同士を配線するバー１２が
配線経路の途中でクロスするため、バーの途中箇所を立
体的に屈曲加工した特殊形状の配線バー１２を用意する
必要があるなど、外部配線が複雑化する。
たインテリジェントパワーモジュール製品の直流入力端
子４のＰ，Ｎ極配列と、図５に示したダイオードモジュ
ール製品の直流出力端子９のＰ，Ｎ極配列が逆である
と、図６で表すようにインテリジェントパワーモジュー
ル１とダイオードモジュール２を並置した場合に、直流
端子の間でＰ，Ｎ極の異極同士が対向し合うようにな
る。このために、組立作業者が極性をうっかり間違えて
直線状の配線バーで異極同士の間を渡り配線するおそれ
がある。また、正規の配線状態でも図示のようにＰ（正
極）極，およびＮ（負極）極同士を配線するバー１２が
配線経路の途中でクロスするため、バーの途中箇所を立
体的に屈曲加工した特殊形状の配線バー１２を用意する
必要があるなど、外部配線が複雑化する。
【０００５】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解決し、スイッチングパ
ワーモジュールとダイオードモジュールを組合せてイン
バータ装置などを構築する場合に、単純な直線状の配線
バーで配線ミスなしに相互配線が行えるようにした半導
体装置を提供することにある。
であり、その目的は前記課題を解決し、スイッチングパ
ワーモジュールとダイオードモジュールを組合せてイン
バータ装置などを構築する場合に、単純な直線状の配線
バーで配線ミスなしに相互配線が行えるようにした半導
体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、スイッチングパワーモジュールと
ダイオードモジュールとを組合せてなるインバータ装置
などを対象とする半導体装置であり、ダイオードモジュ
ールのパッケージ上面に左右一列に並ぶ交流入力端子，
およびその側方端部に前後に並ぶ直流出力端子を備え、
該直流出力端子とスイッチングパワーモジュールのパッ
ケージ上面に引出した直流入力端子とが向かい合うよう
にモジュールを並置してその直流端子間を外部配線バー
で相互接続したものにおいて、次記のように構成するも
のとする。
に、本発明によれば、スイッチングパワーモジュールと
ダイオードモジュールとを組合せてなるインバータ装置
などを対象とする半導体装置であり、ダイオードモジュ
ールのパッケージ上面に左右一列に並ぶ交流入力端子，
およびその側方端部に前後に並ぶ直流出力端子を備え、
該直流出力端子とスイッチングパワーモジュールのパッ
ケージ上面に引出した直流入力端子とが向かい合うよう
にモジュールを並置してその直流端子間を外部配線バー
で相互接続したものにおいて、次記のように構成するも
のとする。
【０００７】１）ダイオードモジュールに対し、極性配
列を揃えて２組の直流出力端子をパッケージ上面の左右
両端部に振り分けて配置する。この構成によれば、イン
バータ装置を構築する際の接続相手であるスイッチング
パワーモジュールの隣りにダイオードモジュールを並置
した状態で、直流端子のＰ，Ｎ極の配列が逆になった場
合でも、ダイオードモジュールのパッケージの向きを１
８０°反転することにより、インテリジェントパワーモ
ジュールの直流入力端子と同極同士が向き合うような
る。これにより、スイッチングパワーモジュールとダイ
オードモジュールの間で直流端子の同極同士を単純な配
線バーで直線的に相互接続することができる。
列を揃えて２組の直流出力端子をパッケージ上面の左右
両端部に振り分けて配置する。この構成によれば、イン
バータ装置を構築する際の接続相手であるスイッチング
パワーモジュールの隣りにダイオードモジュールを並置
した状態で、直流端子のＰ，Ｎ極の配列が逆になった場
合でも、ダイオードモジュールのパッケージの向きを１
８０°反転することにより、インテリジェントパワーモ
ジュールの直流入力端子と同極同士が向き合うような
る。これにより、スイッチングパワーモジュールとダイ
オードモジュールの間で直流端子の同極同士を単純な配
線バーで直線的に相互接続することができる。
【０００８】２）ダイオードモジュールのパッケージ上
面に引出した直流出力端子の極性配列を、当該ダイオー
ドモジュールと組合せるスイッチングパワーモジュール
の直流入力端子の極性配列に合わせて正極の端子同士，
負極の端子同士が向かい合うような配列に設定して構成
する。つまり、ダイオードモジュールとして、直流出力
端子の極性配列を変えた２種類の製品を系列化してお
き、インバータ装置を構築する場合に接続相手であるス
イッチングパワーモジュールの直流入力端子の極性配列
に対応したダイオードモジュールを選択して使用するこ
とで、スイッチングパワーモジュールとダイオードモジ
ュールの間で直流端子の同極同士を単純な配線バーで直
線的に相互接続することができる。
面に引出した直流出力端子の極性配列を、当該ダイオー
ドモジュールと組合せるスイッチングパワーモジュール
の直流入力端子の極性配列に合わせて正極の端子同士，
負極の端子同士が向かい合うような配列に設定して構成
する。つまり、ダイオードモジュールとして、直流出力
端子の極性配列を変えた２種類の製品を系列化してお
き、インバータ装置を構築する場合に接続相手であるス
イッチングパワーモジュールの直流入力端子の極性配列
に対応したダイオードモジュールを選択して使用するこ
とで、スイッチングパワーモジュールとダイオードモジ
ュールの間で直流端子の同極同士を単純な配線バーで直
線的に相互接続することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。なお、各実施例の図中で図図５，図６
に対応する同一部材には同じ符号が付してある。 〔実施例１〕図１(a) 〜(c) は本発明の請求項１に対応
する実施例を示すものである。この実施例においては、
ダイオードモジュール２に対して、(a) 図で示すように
パッケージ２ａの上面には、２組の直流出力端子（Ｐ，
Ｎ）８が端子極性を揃えてパッケージの左右両端部に振
り分けて前後の向きに設置されている。
づいて説明する。なお、各実施例の図中で図図５，図６
に対応する同一部材には同じ符号が付してある。 〔実施例１〕図１(a) 〜(c) は本発明の請求項１に対応
する実施例を示すものである。この実施例においては、
ダイオードモジュール２に対して、(a) 図で示すように
パッケージ２ａの上面には、２組の直流出力端子（Ｐ，
Ｎ）８が端子極性を揃えてパッケージの左右両端部に振
り分けて前後の向きに設置されている。
【００１０】そして、前記のダイオードモジュール２を
インテリジェントパワーモジュール（スイッチングパワ
ーモジュール）２，端子台１０と組合せてインバータ装
置を構築する際には、(b) 図のようにインテリジェント
パワーモジュール１の側方にダイオードモジュール２を
並置した状態で、インテリジェントパワーモジュール１
のパッケージ上面に引出した直流入力端子４のＰ，Ｎ極
とダイオードモジュール２のパッケージ上面側端部に引
出した直流出力端子９のＰ，Ｎ極とがそれぞれ同極同士
が向かい合うように向きに合わせて並置し、この状態で
直流端子のＰ極同士，およびＮ極同士の間を直線状の配
線バー１２で相互接続する。
インテリジェントパワーモジュール（スイッチングパワ
ーモジュール）２，端子台１０と組合せてインバータ装
置を構築する際には、(b) 図のようにインテリジェント
パワーモジュール１の側方にダイオードモジュール２を
並置した状態で、インテリジェントパワーモジュール１
のパッケージ上面に引出した直流入力端子４のＰ，Ｎ極
とダイオードモジュール２のパッケージ上面側端部に引
出した直流出力端子９のＰ，Ｎ極とがそれぞれ同極同士
が向かい合うように向きに合わせて並置し、この状態で
直流端子のＰ極同士，およびＮ極同士の間を直線状の配
線バー１２で相互接続する。
【００１１】また、接続相手であるインテリジェントパ
ワーモジュール１の直流入力端子のＰ，Ｎ極の配列が
(b) 図と逆である場合には、(c) 図で表すようにダイオ
ードモジュール２のパッケージ２ａを(b) 図の向きから
１８０°反転する。これにより、インテリジェントパワ
ーモジュール１の直流入力端子４のＰ，Ｎ極とダイオー
ドモジュール２の直流出力端子９のＰ，Ｎ極とがそれぞ
れ同極同士で向かい合うようになる。したがって、(b)
図と同様に直流端子Ｐ，Ｎの同極同士の間を直線状の配
線バー１２で相互接続することができる。
ワーモジュール１の直流入力端子のＰ，Ｎ極の配列が
(b) 図と逆である場合には、(c) 図で表すようにダイオ
ードモジュール２のパッケージ２ａを(b) 図の向きから
１８０°反転する。これにより、インテリジェントパワ
ーモジュール１の直流入力端子４のＰ，Ｎ極とダイオー
ドモジュール２の直流出力端子９のＰ，Ｎ極とがそれぞ
れ同極同士で向かい合うようになる。したがって、(b)
図と同様に直流端子Ｐ，Ｎの同極同士の間を直線状の配
線バー１２で相互接続することができる。
【００１２】〔実施例２〕図２(a),(b) は本発明の請求
項２に対応する実施例を示すものである。この実施例で
は、ダイオードモジュール２のパッケージ上面に引出し
た直流出力端子９について、そのＰ，Ｎ極の配列が図５
に示した従来製品と比べて逆配列となるように設定して
構成されている。これにより、ダイオードモジュール２
とインテリジェントパワーモジュール１を組合せてイン
バータ装置を構築する際に、接続相手であるインテリジ
ェントパワーモジュール１の直流入力端子４のＰ，Ｎ極
が図示のような配列である場合でも、ダイオードモジュ
ール２の直流出力端子９との間で同極同士を直線状の配
線バー１２で相互接続することができる。なお、インテ
リジェントパワーモジュール１における直流入力端子４
のＰ，Ｎ極が図１(c)のような配列である場合には、図
５のような端子配列に設定して構成したダイオードモジ
ュールの系列製品を採用することで、前記と同様に直流
端子間を直線状の配線バー１２で相互接続することがで
きる。
項２に対応する実施例を示すものである。この実施例で
は、ダイオードモジュール２のパッケージ上面に引出し
た直流出力端子９について、そのＰ，Ｎ極の配列が図５
に示した従来製品と比べて逆配列となるように設定して
構成されている。これにより、ダイオードモジュール２
とインテリジェントパワーモジュール１を組合せてイン
バータ装置を構築する際に、接続相手であるインテリジ
ェントパワーモジュール１の直流入力端子４のＰ，Ｎ極
が図示のような配列である場合でも、ダイオードモジュ
ール２の直流出力端子９との間で同極同士を直線状の配
線バー１２で相互接続することができる。なお、インテ
リジェントパワーモジュール１における直流入力端子４
のＰ，Ｎ極が図１(c)のような配列である場合には、図
５のような端子配列に設定して構成したダイオードモジ
ュールの系列製品を採用することで、前記と同様に直流
端子間を直線状の配線バー１２で相互接続することがで
きる。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば、スイッチングパワーモジュールとダイオードモジュ
ールを並置してインバータ装置を構築する際に、スイッ
チングパワーモジュールのパッケージ上面に配列した直
流入力端子とダイオードモジュールのパッケージ上面に
配列した直流出力端子との間で同極同士を単純な直線状
の配線バーを用いて正しく相互接続することができ、こ
れによりモジュール間の配線作業が簡単，かつ間違えな
し行える。
ば、スイッチングパワーモジュールとダイオードモジュ
ールを並置してインバータ装置を構築する際に、スイッ
チングパワーモジュールのパッケージ上面に配列した直
流入力端子とダイオードモジュールのパッケージ上面に
配列した直流出力端子との間で同極同士を単純な直線状
の配線バーを用いて正しく相互接続することができ、こ
れによりモジュール間の配線作業が簡単，かつ間違えな
し行える。
【図１】本発明の実施例１に対応する半導体装置の構成
図であり、(a) はダイオードモジュールの外観斜視図、
(b),(c) はそれぞれ直流入力端子の配列が異なるインテ
リジェントパワーモジュールと(a) 図のダイオードモジ
ュールを組合せて相互接続したインバータ装置の平面配
置図
図であり、(a) はダイオードモジュールの外観斜視図、
(b),(c) はそれぞれ直流入力端子の配列が異なるインテ
リジェントパワーモジュールと(a) 図のダイオードモジ
ュールを組合せて相互接続したインバータ装置の平面配
置図
【図２】本発明の実施例２に対応する半導体装置の構成
図であり、(a) はダイオードモジュールの外観斜視図、
(b) はインテリジェントパワーモジュールと(a) 図のダ
イオードモジュールを組合せて相互接続したインバータ
装置の平面配置図
図であり、(a) はダイオードモジュールの外観斜視図、
(b) はインテリジェントパワーモジュールと(a) 図のダ
イオードモジュールを組合せて相互接続したインバータ
装置の平面配置図
【図３】インバータ装置の等価回路図
【図４】図３におけるスイッチングパワーモジュールに
採用したインテリジェントパワーモジュールのパッケー
ジの外観図
採用したインテリジェントパワーモジュールのパッケー
ジの外観図
【図５】図３におけるダイオードモジュールの従来構造
を示すパッケージの外観図
を示すパッケージの外観図
【図６】図４のインテリジェントパワーモジュールと図
５のダイオードモジュールを組合せて相互接続したイン
バータ装置の平面配置図
５のダイオードモジュールを組合せて相互接続したイン
バータ装置の平面配置図
１ インテリジェントパワーモジュール １ａ パッケージ ２ ダイオードモジュール ２ａ パッケージ ４ インテリジェントパワーモジュールの直流入力端
子 ５ インテリジェントパワーモジュールの交流出力端
子 ８ ダイオードモジュールの交流入力端子 ９ ダイオードモジュールの直流出力端子 １０ 端子台 １１，１２，１３ 配線バー
子 ５ インテリジェントパワーモジュールの交流出力端
子 ８ ダイオードモジュールの交流入力端子 ９ ダイオードモジュールの直流出力端子 １０ 端子台 １１，１２，１３ 配線バー
Claims (2)
- 【請求項１】スイッチングパワーモジュールとダイオー
ドモジュールとを組合せてなるインバータ装置などを対
象とする半導体装置であり、ダイオードモジュールのパ
ッケージ上面に左右一列に並ぶ交流入力端子，およびそ
の側方端部に前後に並ぶ直流出力端子を備え、該直流出
力端子とスイッチングパワーモジュールのパッケージ上
面に引出した直流入力端子とが向かい合うようにモジュ
ールを並置してその直流端子間を外部配線バーで相互接
続したものにおいて、前記ダイオードモジュールに対
し、極性配列を揃えて２組の直流出力端子をパッケージ
上面の左右両端部に振り分けて配置したことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】スイッチングパワーモジュールとダイオー
ドモジュールとを組合せてなるインバータ装置などを対
象とする半導体装置であり、ダイオードモジュールのパ
ッケージ上面に左右一列に並ぶ交流入力端子，およびそ
の側方端部に前後に並ぶ直流出力端子を備え、該直流出
力端子とスイッチングパワーモジュールのパッケージ上
面に引出した直流入力端子とが向かい合うようにモジュ
ールを並置してその直流端子間を外部配線バーで相互接
続したものにおいて、ダイオードモジュールのパッケー
ジ上面に引出した直流出力端子の極性配列を、当該ダイ
オードモジュールと組合せるスイッチングパワーモジュ
ールの直流入力端子の極性配列に合わせて正極の端子同
士，負極の端子同士が向かい合うような配列に定めて構
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231630A JPH1074889A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231630A JPH1074889A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074889A true JPH1074889A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16926526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8231630A Pending JPH1074889A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074889A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000308364A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体電力変換回路 |
| JP2022103562A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2024150356A1 (ja) * | 2023-01-12 | 2024-07-18 |
-
1996
- 1996-09-02 JP JP8231630A patent/JPH1074889A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000308364A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体電力変換回路 |
| JP2022103562A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2024150356A1 (ja) * | 2023-01-12 | 2024-07-18 |
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