JPH1075015A - 半導体レーザ装置及びそれを用いた光学情報記録再生装置、光学式変位計 - Google Patents
半導体レーザ装置及びそれを用いた光学情報記録再生装置、光学式変位計Info
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- JPH1075015A JPH1075015A JP8232077A JP23207796A JPH1075015A JP H1075015 A JPH1075015 A JP H1075015A JP 8232077 A JP8232077 A JP 8232077A JP 23207796 A JP23207796 A JP 23207796A JP H1075015 A JPH1075015 A JP H1075015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の半導体レーザを用いて、装置の構成を増
大することなしに基本波よりも小さな波長のレーザ光を
得ることができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】所定の波長のレーザ光を出力する半導体レ
ーザチップ２と、この半導体レーザチップ２を収納する
半導体レーザパッケージ３と、半導体レーザパッケージ
３のカバーガラス１として用いられ、半導体レーザの基
本波（波長：λ）の第二高調波（波長：λ／２）を発生
可能な非線形光学結晶４とを具備する。
大することなしに基本波よりも小さな波長のレーザ光を
得ることができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】所定の波長のレーザ光を出力する半導体レ
ーザチップ２と、この半導体レーザチップ２を収納する
半導体レーザパッケージ３と、半導体レーザパッケージ
３のカバーガラス１として用いられ、半導体レーザの基
本波（波長：λ）の第二高調波（波長：λ／２）を発生
可能な非線形光学結晶４とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置、
及びそれを用いた光学情報記録再生装置、光学式変位計
に関する。
及びそれを用いた光学情報記録再生装置、光学式変位計
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ（ＬＤ）は、例えば光ディ
スクなどの光学情報記録再生装置において、情報を記録
再生するためのレーザ光を発光する発光素子として用い
られている。
スクなどの光学情報記録再生装置において、情報を記録
再生するためのレーザ光を発光する発光素子として用い
られている。
【０００３】ところで、光ディスクに情報をより多く記
録するための高密度化が進んでいるが、この場合、トラ
ックピッチの微少化に伴ってピット幅を小さくする必要
があるため、対物レンズによってピット上に集束される
スポット寸法も従来と比較して小さくしなければならな
い。
録するための高密度化が進んでいるが、この場合、トラ
ックピッチの微少化に伴ってピット幅を小さくする必要
があるため、対物レンズによってピット上に集束される
スポット寸法も従来と比較して小さくしなければならな
い。
【０００４】一般に、スポット寸法ｒは波長（λ）と、
対物レンズの開口数（ＮＡ）の関数であり、ｒ＝ｋ・λ
／ＮＡ（ｋは定数）の式で表すことができる。ここで対
物レンズの開口数（ＮＡ）には限界（口径、作動距離で
決まる）があるので、スポット寸法ｒを小さくするには
波長（λ）を小さくすることが必要である。
対物レンズの開口数（ＮＡ）の関数であり、ｒ＝ｋ・λ
／ＮＡ（ｋは定数）の式で表すことができる。ここで対
物レンズの開口数（ＮＡ）には限界（口径、作動距離で
決まる）があるので、スポット寸法ｒを小さくするには
波長（λ）を小さくすることが必要である。
【０００５】したがって、今後主流となると見なされて
いるＳＤ(Super Density Disk, トラックピッチ＝０．
７４μｍ）よりもさらに高密度で情報を記録する光ディ
スク装置（光学情報記録再生装置）においては、現状の
ＬＤ（λ：〜６７０ｎｍ）により集束されるスポット寸
法の再生光では信号を再生することができない。そのた
め、ＧａＮ（ガリウムナイトライド）などを用いた青色
光半導体レーザ（λ：〜４１０ｎｍ）の開発が進められ
ている。
いるＳＤ(Super Density Disk, トラックピッチ＝０．
７４μｍ）よりもさらに高密度で情報を記録する光ディ
スク装置（光学情報記録再生装置）においては、現状の
ＬＤ（λ：〜６７０ｎｍ）により集束されるスポット寸
法の再生光では信号を再生することができない。そのた
め、ＧａＮ（ガリウムナイトライド）などを用いた青色
光半導体レーザ（λ：〜４１０ｎｍ）の開発が進められ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た青色光半導体レーザ装置は、室温での波長安定性や寿
命、出力光のパワーなどの点でまだ実用的でなく、パル
ス発振の問題も残されている。
た青色光半導体レーザ装置は、室温での波長安定性や寿
命、出力光のパワーなどの点でまだ実用的でなく、パル
ス発振の問題も残されている。
【０００７】本発明の半導体レーザ装置はこのような課
題に着目してなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、赤色可視光レーザや赤外光レーザなどの従来の半
導体レーザを用いて、かつ装置の構成を増大することな
しに、基本波よりも小さな波長のレーザ光を得ることが
できる半導体レーザ装置を提供することにある。
題に着目してなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、赤色可視光レーザや赤外光レーザなどの従来の半
導体レーザを用いて、かつ装置の構成を増大することな
しに、基本波よりも小さな波長のレーザ光を得ることが
できる半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第１の発明に係る半導体レーザ装置は、所定の波
長のレーザ光を出力する半導体レーザチップと、この半
導体レーザチップを収納する半導体レーザパッケージ
と、この半導体レーザパッケージの一部として設けられ
るか、または、前記半導体レーザパッケージの内部に設
けられ、半導体レーザの基本波（波長：λ）の第二高調
波（波長：λ／２）を発生可能な非線形光学結晶とを具
備する。
めに、第１の発明に係る半導体レーザ装置は、所定の波
長のレーザ光を出力する半導体レーザチップと、この半
導体レーザチップを収納する半導体レーザパッケージ
と、この半導体レーザパッケージの一部として設けられ
るか、または、前記半導体レーザパッケージの内部に設
けられ、半導体レーザの基本波（波長：λ）の第二高調
波（波長：λ／２）を発生可能な非線形光学結晶とを具
備する。
【０００９】また、第２の発明に係る半導体レーザ装置
は、第１の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
非線形光学結晶は、前記半導体レーザの出力光を前記半
導体レーザパッケージの外部に取り出すためのカバーガ
ラスとして用いられる。
は、第１の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
非線形光学結晶は、前記半導体レーザの出力光を前記半
導体レーザパッケージの外部に取り出すためのカバーガ
ラスとして用いられる。
【００１０】また、第３の発明に係る半導体レーザ装置
は、第２の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
カバーガラスの、前記半導体レーザチップに対向する面
には、光学レンズが接触して配置されている。
は、第２の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
カバーガラスの、前記半導体レーザチップに対向する面
には、光学レンズが接触して配置されている。
【００１１】また、第４の発明に係る半導体レーザ装置
は、第２の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
カバーガラスが光学レンズからなり、かつ、この光学レ
ンズが前記半導体レーザチップのレーザ光出力部に接触
して配置されている。
は、第２の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
カバーガラスが光学レンズからなり、かつ、この光学レ
ンズが前記半導体レーザチップのレーザ光出力部に接触
して配置されている。
【００１２】また、第５の発明に係る半導体レーザ装置
は、第１の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
非線形光学結晶の一面が、前記半導体チップのレーザ光
出力部に接触して配置されている。
は、第１の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
非線形光学結晶の一面が、前記半導体チップのレーザ光
出力部に接触して配置されている。
【００１３】また、第６の発明に係る半導体レーザ装置
は、第５の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
非線形光学結晶の一面が、前記半導体チップのレーザ光
出力部に接触して配置されるとともに、前記非線形光学
結晶の他面が、前記半導体レーザの出力光を前記半導体
レーザパッケージの外部に取り出すためのカバーガラス
に接触して配置されている。
は、第５の発明に係る半導体レーザ装置において、前記
非線形光学結晶の一面が、前記半導体チップのレーザ光
出力部に接触して配置されるとともに、前記非線形光学
結晶の他面が、前記半導体レーザの出力光を前記半導体
レーザパッケージの外部に取り出すためのカバーガラス
に接触して配置されている。
【００１４】また、第７の発明に係る光学情報記録再生
装置は、第１乃至第６のいずれか１つに記載の半導体レ
ーザ装置を用いる。また、第８の発明に係る光学式変位
計は、第１乃至第６のいずれか１つに記載の半導体レー
ザ装置を用いる。
装置は、第１乃至第６のいずれか１つに記載の半導体レ
ーザ装置を用いる。また、第８の発明に係る光学式変位
計は、第１乃至第６のいずれか１つに記載の半導体レー
ザ装置を用いる。
【００１５】すなわち、本発明の半導体レーザ装置にお
いては、所定の波長のレーザ光を出力する半導体レーザ
チップが半導体レーザパッケージに収納されるととも
に、半導体レーザの基本波（波長：λ）の第二高調波
（波長：λ／２）を発生可能な非線形光学結晶が、前記
半導体レーザパッケージの一部として設けられるか、ま
たは、前記半導体レーザパッケージの内部に設けられて
いる。
いては、所定の波長のレーザ光を出力する半導体レーザ
チップが半導体レーザパッケージに収納されるととも
に、半導体レーザの基本波（波長：λ）の第二高調波
（波長：λ／２）を発生可能な非線形光学結晶が、前記
半導体レーザパッケージの一部として設けられるか、ま
たは、前記半導体レーザパッケージの内部に設けられて
いる。
【００１６】例えば、前記非線形光学結晶は、前記半導
体レーザの出力光を前記半導体レーザパッケージの外部
に取り出すためのカバーガラスとして用いられるか、ま
たは、さらに、前記カバーガラスが光学レンズからな
り、かつ、この光学レンズが前記半導体レーザチップの
レーザ光出力部に接触して配置されている。また、前記
非線形光学結晶の一面が、前記半導体チップのレーザ光
出力部に接触して配置されるか、または、前記非線形光
学結晶の他面が、さらに、前記半導体レーザの出力光を
前記半導体レーザパッケージの外部に取り出すためのカ
バーガラスに接触して配置されている。また、上記した
半導体レーザ装置は、光学情報記録再生装置か、また
は、光学式変位計に用いられる。
体レーザの出力光を前記半導体レーザパッケージの外部
に取り出すためのカバーガラスとして用いられるか、ま
たは、さらに、前記カバーガラスが光学レンズからな
り、かつ、この光学レンズが前記半導体レーザチップの
レーザ光出力部に接触して配置されている。また、前記
非線形光学結晶の一面が、前記半導体チップのレーザ光
出力部に接触して配置されるか、または、前記非線形光
学結晶の他面が、さらに、前記半導体レーザの出力光を
前記半導体レーザパッケージの外部に取り出すためのカ
バーガラスに接触して配置されている。また、上記した
半導体レーザ装置は、光学情報記録再生装置か、また
は、光学式変位計に用いられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一実施形態の概略
を説明する。本実施形態では、 １）基本波（波長：λ）を出射する半導体レーザとし
て、現在、開発段階にあるＧａＮ（ガリウムナイトライ
ド）などを用いた半導体レーザ（λ：〜４１０ｎｍ）を
用いることなしに、現在市場に流通している赤色可視光
レーザ（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）や、赤外光レーザ
（７５０ｎｍ〜）などを用いる。 ２）半導体レーザの基本波（波長：λ）の第二高調波
（波長：λ／２）を発生可能な結晶として、ＢＢＯ、Ｋ
ＤＰ、ＫＴＰなどの非線形光学結晶を用いる。 ３）前記非線形光学結晶は半導体レーザパッケージの一
部としてのカバーガラスとして用いるか、あるいは、半
導体レーザパッケージの内部で、例えば、半導体チップ
のレーザ光出力部に接触して配置するようにする。
を説明する。本実施形態では、 １）基本波（波長：λ）を出射する半導体レーザとし
て、現在、開発段階にあるＧａＮ（ガリウムナイトライ
ド）などを用いた半導体レーザ（λ：〜４１０ｎｍ）を
用いることなしに、現在市場に流通している赤色可視光
レーザ（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）や、赤外光レーザ
（７５０ｎｍ〜）などを用いる。 ２）半導体レーザの基本波（波長：λ）の第二高調波
（波長：λ／２）を発生可能な結晶として、ＢＢＯ、Ｋ
ＤＰ、ＫＴＰなどの非線形光学結晶を用いる。 ３）前記非線形光学結晶は半導体レーザパッケージの一
部としてのカバーガラスとして用いるか、あるいは、半
導体レーザパッケージの内部で、例えば、半導体チップ
のレーザ光出力部に接触して配置するようにする。
【００１８】上記のような構成を用いることによって、
従来の可視あるいは赤外の半導体レーザを用いて、か
つ、装置の構成を増大することなしに基本波の波長λの
半波長λ／２の連続発振光、例えば青色レーザ光を生成
することができる。したがって、ＳＤ（Super Density
Disk）よりもさらに高密度の光ディスク（光学情報記録
再生装置）の光源として、あるいは、光学式変位計とし
て用いることが可能となる。
従来の可視あるいは赤外の半導体レーザを用いて、か
つ、装置の構成を増大することなしに基本波の波長λの
半波長λ／２の連続発振光、例えば青色レーザ光を生成
することができる。したがって、ＳＤ（Super Density
Disk）よりもさらに高密度の光ディスク（光学情報記録
再生装置）の光源として、あるいは、光学式変位計とし
て用いることが可能となる。
【００１９】図１は本発明の第１実施形態に係る半導体
レーザ装置の構成を示す図である。第１実施形態は、半
導体レーザチップ２から出力される基本波（波長：λ）
の第二高調波（波長：λ／２）を発生可能な非線形光学
結晶４を半導体レーザパッケージ３のカバーガラス１と
して用いたことを特徴とする。ここでは、非線形光学結
晶４として、ＢＢＯ（ベータほう酸バリウム）などを用
いる。
レーザ装置の構成を示す図である。第１実施形態は、半
導体レーザチップ２から出力される基本波（波長：λ）
の第二高調波（波長：λ／２）を発生可能な非線形光学
結晶４を半導体レーザパッケージ３のカバーガラス１と
して用いたことを特徴とする。ここでは、非線形光学結
晶４として、ＢＢＯ（ベータほう酸バリウム）などを用
いる。
【００２０】このような構成によれば、半導体レーザパ
ッケージ３の一部を非線形光学結晶４としたので、非線
型光学結晶４を他の位置に設ける必要がなくなり、装置
全体の構成を増大することなしにλ／２の波長のレーザ
光を得ることができる。
ッケージ３の一部を非線形光学結晶４としたので、非線
型光学結晶４を他の位置に設ける必要がなくなり、装置
全体の構成を増大することなしにλ／２の波長のレーザ
光を得ることができる。
【００２１】図２は本発明の第２実施形態に係る半導体
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
図１の構成に加えて、コリメート用レンズ５を接着剤に
よりカバーガラス１に接着している。したがって、半導
体レーザチップ２からのレーザ光はコリメート用レンズ
５により平行光とされた後、カバーガラス１（非線形光
学結晶４）を通過することによってλ／２の波長のレー
ザ光が得られる。
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
図１の構成に加えて、コリメート用レンズ５を接着剤に
よりカバーガラス１に接着している。したがって、半導
体レーザチップ２からのレーザ光はコリメート用レンズ
５により平行光とされた後、カバーガラス１（非線形光
学結晶４）を通過することによってλ／２の波長のレー
ザ光が得られる。
【００２２】このような構成によれば、半導体レーザパ
ッケージ３の内部にコリメート用レンズ５を配置したの
で、装置全体の構成を増大することなしにλ／２の波長
の平行レーザ光を得ることができる。
ッケージ３の内部にコリメート用レンズ５を配置したの
で、装置全体の構成を増大することなしにλ／２の波長
の平行レーザ光を得ることができる。
【００２３】図３は本発明の第３実施形態に係る半導体
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
非線形光学結晶４によってカバーガラス１′を構成する
とともに、このカバーガラス１′をさらにコリメート用
レンズ５′として用いたことを特徴としており、このコ
リメート用レンズ５′は半導体レーザチップ２のレーザ
光出力部に接触して配置されている。
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
非線形光学結晶４によってカバーガラス１′を構成する
とともに、このカバーガラス１′をさらにコリメート用
レンズ５′として用いたことを特徴としており、このコ
リメート用レンズ５′は半導体レーザチップ２のレーザ
光出力部に接触して配置されている。
【００２４】このような構成によれば、半導体レーザチ
ップ２からのレーザ光はほぼ集束状態でカバーガラス
１′を構成するコリメート用レンズ５′に入射され、λ
／２の波長の平行レーザ光が出力されるので、装置全体
の構成を増大することなしにλ／２の波長の平行レーザ
光を得ることができ、かつ、半導体レーザチップ２から
の出力光のパワー効率を増大することができる。また、
図２の構成のように、コリメート用レンズをカバーガラ
スに接着する必要がなくなる。
ップ２からのレーザ光はほぼ集束状態でカバーガラス
１′を構成するコリメート用レンズ５′に入射され、λ
／２の波長の平行レーザ光が出力されるので、装置全体
の構成を増大することなしにλ／２の波長の平行レーザ
光を得ることができ、かつ、半導体レーザチップ２から
の出力光のパワー効率を増大することができる。また、
図２の構成のように、コリメート用レンズをカバーガラ
スに接着する必要がなくなる。
【００２５】図４は本発明の第４実施形態に係る半導体
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
半導体レーザチップ２から出力される基本波（波長：
λ）の第二高調波（波長：λ／２）を発生可能な非線形
光学結晶４を、半導体レーザパッケージ３内の半導体レ
ーザチップ２のレーザ光出力部に接着剤により接着した
ことを特徴とする。ここでは、非線形光学結晶４とし
て、ＢＢＯ（ベータほう酸バリウム）などを用いる。
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
半導体レーザチップ２から出力される基本波（波長：
λ）の第二高調波（波長：λ／２）を発生可能な非線形
光学結晶４を、半導体レーザパッケージ３内の半導体レ
ーザチップ２のレーザ光出力部に接着剤により接着した
ことを特徴とする。ここでは、非線形光学結晶４とし
て、ＢＢＯ（ベータほう酸バリウム）などを用いる。
【００２６】このような構成によれば、半導体レーザチ
ップ２からのレーザ光はほぼ集束状態で非線形光学結晶
４に入射されるので、半導体レーザチップ２からの出力
光のパワー効率を増大することができる。
ップ２からのレーザ光はほぼ集束状態で非線形光学結晶
４に入射されるので、半導体レーザチップ２からの出力
光のパワー効率を増大することができる。
【００２７】図５は本発明の第５実施形態に係る半導体
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
半導体レーザチップ２から出力される基本波（波長：
λ）の第二高調波（波長：λ／２）を発生可能な非線形
光学結晶４の一面を、半導体レーザパッケージ３内の半
導体レーザチップ２のレーザ光出力部に接触させて配置
するとともに、非線形光学結晶４の他面、すなわち、半
導体レーザチップ２に接触していない方の面をカバーガ
ラス１に接触させて配置している。
レーザ装置の構成を示す図である。この実施形態では、
半導体レーザチップ２から出力される基本波（波長：
λ）の第二高調波（波長：λ／２）を発生可能な非線形
光学結晶４の一面を、半導体レーザパッケージ３内の半
導体レーザチップ２のレーザ光出力部に接触させて配置
するとともに、非線形光学結晶４の他面、すなわち、半
導体レーザチップ２に接触していない方の面をカバーガ
ラス１に接触させて配置している。
【００２８】このような構成によれば、装置全体の構成
を大きくすることなしにλ／２の波長の平行レーザ光を
得ることができ、かつ、半導体レーザチップ２からの出
力光のパワー効率を増大することができる。また、図４
の構成のように、非線形光学結晶を半導体レーザチップ
に接着する必要がない。
を大きくすることなしにλ／２の波長の平行レーザ光を
得ることができ、かつ、半導体レーザチップ２からの出
力光のパワー効率を増大することができる。また、図４
の構成のように、非線形光学結晶を半導体レーザチップ
に接着する必要がない。
【００２９】なお、上記した第１、第２、第４、第５実
施形態では非線形光学結晶４として、平板形状のものを
用いたが、これに限定されず、半導体レーザの出射角度
に応じた曲率を有していれば、図６に示すような形状の
ものも用いることができる。また、前述したように、非
線形光学結晶４として、ＢＢＯ以外にもＫＴＰ（リンチ
タン酸バリウム）等を用いることができる。
施形態では非線形光学結晶４として、平板形状のものを
用いたが、これに限定されず、半導体レーザの出射角度
に応じた曲率を有していれば、図６に示すような形状の
ものも用いることができる。また、前述したように、非
線形光学結晶４として、ＢＢＯ以外にもＫＴＰ（リンチ
タン酸バリウム）等を用いることができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、赤色可視光レーザや赤
外光レーザなどの従来の半導体レーザを用いて、かつ装
置の構成を増大することなしに、基本波よりも小さな波
長のレーザ光を得ることができるようになる。また、こ
れによって、高密度の光ディスクの光源として用いるこ
とが可能となる。
外光レーザなどの従来の半導体レーザを用いて、かつ装
置の構成を増大することなしに、基本波よりも小さな波
長のレーザ光を得ることができるようになる。また、こ
れによって、高密度の光ディスクの光源として用いるこ
とが可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る半導体レーザ装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る半導体レーザ装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係る半導体レーザ装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図６】非線形光学結晶の他の形状を示す図である。
１、１′…カバーガラス、２…半導体レーザチップ、３
…半導体レーザパッケージ、４…非線形光学結晶、５、
５′…コリメート用レンズ。
…半導体レーザパッケージ、４…非線形光学結晶、５、
５′…コリメート用レンズ。
Claims (8)
- 【請求項１】 所定の波長のレーザ光を出力する半導体
レーザチップと、 この半導体レーザチップを収納する半導体レーザパッケ
ージと、 この半導体レーザパッケージの一部として設けられる
か、または、前記半導体レーザパッケージの内部に設け
られ、半導体レーザの基本波（波長：λ）の第二高調波
（波長：λ／２）を発生可能な非線形光学結晶と、 を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記非線形光学結晶は、前記半導体レー
ザの出力光を前記半導体レーザパッケージの外部に取り
出すためのカバーガラスとして用いられることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記カバーガラスの、前記半導体レーザ
チップに対向する面には、光学レンズが接触して配置さ
れていることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ
装置。 - 【請求項４】 前記カバーガラスが光学レンズからな
り、かつ、この光学レンズが前記半導体レーザチップの
レーザ光出力部に接触して配置されていることを特徴と
する請求項２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記非線形光学結晶の一面が、前記半導
体チップのレーザ光出力部に接触して配置されているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記非線形光学結晶の一面が、前記半導
体チップのレーザ光出力部に接触して配置されていると
ともに、前記非線形光学結晶の他面が、前記半導体レー
ザの出力光を前記半導体レーザパッケージの外部に取り
出すためのカバーガラスに接触して配置されていること
を特徴とする請求項５記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置を用いたことを特徴とする光学情報記
録再生装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置を用いたことを特徴とする光学式変位
計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8232077A JPH1075015A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体レーザ装置及びそれを用いた光学情報記録再生装置、光学式変位計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8232077A JPH1075015A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体レーザ装置及びそれを用いた光学情報記録再生装置、光学式変位計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075015A true JPH1075015A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16933640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8232077A Pending JPH1075015A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体レーザ装置及びそれを用いた光学情報記録再生装置、光学式変位計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075015A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056838A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 삼성전기주식회사 | 광 픽업용 광원모듈 |
| JP2006215479A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Olympus Corp | カバーガラス、ペトリ皿、光ディスク、光ディスク装置、光学装置並びに光学系 |
| JP2006278383A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Ricoh Co Ltd | 固体レーザ装置およびレーザ装置システム |
| JP2006322911A (ja) * | 2005-07-06 | 2006-11-30 | Yamatake Corp | 状態検出装置 |
| US10928596B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-02-23 | Nichia Corporation | Light source device and method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-09-02 JP JP8232077A patent/JPH1075015A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056838A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 삼성전기주식회사 | 광 픽업용 광원모듈 |
| JP2006215479A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Olympus Corp | カバーガラス、ペトリ皿、光ディスク、光ディスク装置、光学装置並びに光学系 |
| JP2006278383A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Ricoh Co Ltd | 固体レーザ装置およびレーザ装置システム |
| JP2006322911A (ja) * | 2005-07-06 | 2006-11-30 | Yamatake Corp | 状態検出装置 |
| US10928596B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-02-23 | Nichia Corporation | Light source device and method for manufacturing the same |
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