JPH107598A - アルケニルシクロヘキサン誘導体、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

アルケニルシクロヘキサン誘導体、液晶組成物および液晶表示素子

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JPH107598A
JPH107598A JP8177322A JP17732296A JPH107598A JP H107598 A JPH107598 A JP H107598A JP 8177322 A JP8177322 A JP 8177322A JP 17732296 A JP17732296 A JP 17732296A JP H107598 A JPH107598 A JP H107598A
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秋一 松井
Yasuyuki Koizumi
靖幸 小泉
Takashi Kato
孝 加藤
Kazutoshi Miyazawa
和利 宮沢
Norihisa Hachitani
典久 蜂谷
Etsuo Nakagawa
悦男 中川
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 低粘性で大弾性定数比を有し比較的広温度範
囲でネマチック相を示し、他の液晶性化合物との相溶
性、特に低温相溶性に優れた新規な液晶性化合物、これ
を含有する液晶組成物およびそれらを使用した液晶表示
素子を提供する。 【解決手段】 一般式１ （Ｒ1とＲ2はＣ１〜１５のアルキル基又はＣ２〜１５の
アルケニル基で、Ｒ1とＲ2の一方か両方がアルケニル基
であり、これらの基の1個又は隣接しない２個以上の−
ＣＨ2−は酸素、硫黄又は− Ｃ≡Ｃ−基で置換されても
よく、環Ａ1、環Ａ2、環Ａ3は独立して環上の１個 以上
のＣＨ2基が酸素又は硫黄で置換されうる１，４−シク
ロヘキ シレン基、又は環上の１個以上のＣＨ2基が窒素
で置換されうる１．４ −フェニレン基を、Ｚ1、Ｚ2は
独立して−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、
−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を、Ｚ3は−
（ＣＨ2）4−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ2
−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2−又は−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ
−を、ｍ、ｎ、ｉは０又は１を示す）のアルケニルシク
ロヘキサン誘導体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は主としてＴＮ用およ
びＳＴＮ用液晶組成物において好適な諸物性を発現せし
める新規液晶性化合物、および上述の新規液晶性化合物
を用いた好適な諸物性を有する液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は液晶物質が有する光学異
方性および誘電率異方性を利用するもので、時計をはじ
めとして電卓、ワープロ、テレビ等に広く利用され、そ
の需要も年々増加傾向にある。液晶相は固体相と液体相
の中間に位置し、ネマチック相、スメクチック相および
コレステリック相に大別される。中でもネマチック相を
利用した表示素子が現在最も広く使用されている。一
方、表示方式はこれまで多数の方式が考案されてきた
が、現在はツイストネマチック（ＴＮ）型、スーパーツ
イストネマチック（ＳＴＮ）型および薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）型の３種類が主流となっている。中でもスー
パーツイストネマチック（ＳＴＮ）型は単純マトリック
ス駆動の液晶表示素子としては表示容量、応答速度、視
野角、階調性等といった多くの特性面で総合的に優れた
方式である。また、カラーディスプレイにおいてもＴＦ
Ｔ型より安価に生産できる経済的特徴からＳＴＮ型は広
く市場に普及してきた。これら種々の方式の液晶表示素
子に必要とされる液晶性化合物の性質はその用途に応じ
て異なるが、いずれの液晶物質も水分、空気、熱、光等
外的環境因子に対して安定であること、また、室温を中
心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘
性でありかつ駆動電圧が低いことが共通して要求され
る。しかし、これらの条件を同時に満たす単一の液晶物
質は見いだされていない。液晶表示素子に用いられる液
晶物質は、誘電率異方性値（△ε）、屈折率異方性値
（△ｎ）、粘度および弾性定数比Ｋ３３／Ｋ１１（Ｋ３
３：ベンド弾性定数、Ｋ１１：スプレイ弾性定数）の値
等の諸物性値を個々の表示素子に要求される最適な値に
調整するために、数種類から数十種類の液晶性化合物お
よび必要によりさらに数種類の非液晶性化合物を混合し
た液晶組成物として表示素子に使用している。このため
他の液晶化合物との相溶性、特に最近では種々の環境下
での使用への要求から低温相溶性に関しても良好である
ことが要求される。
【０００３】近年、ディスプレイのカラー化や使用環境
の多様化が進み、液晶性化合物には低粘性、大きな弾性
定数比Ｋ３３／Ｋ１１、ネマチック相の広範囲な温度領
域および他の液晶性化合物への相溶性が特に要求される
ようになった。低粘性の液晶性化合物の使用は液晶表示
素子の高速応答を可能とし、また大きな弾性定数比Ｋ３
３／Ｋ１１はしきい値電圧付近での透過率の変化を急峻
とし、高いコントラストの液晶表示素子を可能とする。
さらにネマチック相を示す温度範囲が広いことおよび相
溶性が良いことは温度変化の著しい環境下での液晶表示
素子の使用を可能とする。これらの特性を重視した化合
物の開発が盛んに行われ、下記（ａ）〜（ｄ）の化合物
が合成された。
【０００４】
【化４】
【０００５】（式中、ＲおよびＲ’はアルキル基を示
す。） 化合物（ａ）（特開昭６１−８３１３６号）および
（ｂ）（特開平１−３０８２３９号）はその側鎖にアル
ケニルあるいは１，１−ジフルオロビニル基を有し、比
較的大きな弾性定数比を有する。しかしそのビシクロヘ
キサン骨格からスメクチック性が強く、他の液晶性化合
物との相溶性、特に低温相溶性に関しては十分ではな
い。また化合物（ｂ）は末端のフッソ原子により粘度は
化合物（ａ）と比較し高く、高速応答を目的とする液晶
組成物には使用できない。一方シクロヘキサン環とベン
ゼン環とを、ブタン−１，４−ジイルで架橋した構造を
有する化合物（ｃ）（特開平３−６６６３２号）あるい
はブテン−１，４−ジイル基で架橋した構造を有する
（ｄ）（特開平４−３３００１９号）はいずれも比較的
大きな弾性定数比を有するが、明細書に記載のデータに
よればスメクチック性が著しく強く、これを用いた液晶
組成物は低温においてスメクチック相を発現させ易い。
このように上述の要望を満たす液晶化合物は見いだされ
ていないのが現状であり、改善された特性を有する化合
物が待望されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は低粘性
で大きな弾性定数比を有すると共に他の既知の液晶性化
合物との相溶性、特に低温相溶性に優れた新規な液晶性
化合物およびこれを含有する液晶組成物、さらにそれら
を使用した液晶表示素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明者らは上述した課題
を解決すべく鋭意検討した結果、従来の技術の項に示し
た化合物（ｃ）および（ｄ）において結合基として挿入
したブタン−１，４−ジイルあるいはブテン−１，４−
ジイル基の挿入効果が十分発現していないと考察し、２
つのシクロヘキサン環をブタン−１，４−ジイルあるい
はブテン−１，４−ジイル基で架橋した骨格構造を有
し、さらにシクロヘキサン環上の置換基としてアルケニ
ル基を有する化合物を考案し、その物性を検討したとこ
ろ、比較的広い温度範囲でネマチック相を示すばかり
か、当初の予想よりも極めて低粘性であり、かつ大きな
弾性定数比を有し、さらに他の液晶化合物との相溶性、
特に低温相溶性に優れた化合物であることを見いだし、
本発明に至った。本発明は以下の構成を有する。 （１） 一般式（１）
【０００８】
【化５】
【０００９】（式中Ｒ1およびＲ2は直鎖もしくは分岐
の、炭素数１〜１５のアルキル基または炭素数２〜１５
のアルケニル基を示し、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方
がアルケニル基であり、これらの基において１個または
隣接しない２個以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は 酸素
原子、硫黄原子または−Ｃ≡Ｃ−基で置換されていても
よく、環Ａ1、環 Ａ2および環Ａ3は相互に独立して環上
の１個以上のＣＨ2基が酸素原子あるいは 硫黄原子で置
換されていてもよい１，４−シクロヘキシレン基、また
は環上の１個以上のＣＨ基が窒素原子で置換されていて
もよい１，４−フェニレン基を示し、Ｚ1、Ｚ2は相互に
独立して−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、
−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合を示し、Ｚ3
は−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）2−、−Ｃ
Ｈ2−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝
ＣＨ−を示し、ｍ、ｎおよびｉは相互に独立して０また
は１である）で表されるアルケニルシクロヘキサン誘導
体。
【００１０】（２） 一般式（１）において、ｍ＝ｎ＝
ｉ＝０である上記（１）項に記載の化合物。 （３） 一般式（１）においてＲ1がアルキル基、Ｒ2が
アルケニル基であり、Ｚ3が−（ＣＨ2）4−である上記
（２）項に記載の化合物。 （４） 一般式 （１）においてＲ1がアルキル基、Ｒ2
がアルケニル基であり、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）
2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−である上記
（２）項に記載の化合物。 （５） 一般式（１）においてｍ＝１、ｎ＝ｉ＝０であ
る上記（１）項に記載の化合物。 （６） 一般式（１）においてＲ1がアルキル基、Ｒ2が
アルケニル基であり、Ｚ3が−（ＣＨ2）4−である上記
（５）項に記載の化合物。 （７） 一般式 （１）においてＲ1がアルキル基、Ｒ2
がアルケニル基で表され、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ
2）2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−である上記
（５）項に記載の化合物。 （８） 一般式（１）においてｍ＝ｎ＝１、ｉ＝０であ
る上記（１）項に記載の化合物。 （９） 一般式（１）においてＲ1がアルキル基、Ｒ2が
アルケニル基であり、Ｚ3が−（ＣＨ2）4−である上記
（８）項に記載の化合物。 （１０） 一般式（１）においてＲ1がアルキル基、Ｒ2
がアルケニル基であり、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）
2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−である上記
（８）項に記載の化合物
【００１１】（１１） 一般式（１）で表される化合物
を少なくとも１種類以上含有することを特徴とする、少
なくとも２成分以上からなる液晶組成物。 （１２） 第一成分として上記（１）〜（１０）項のい
ずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少な
くとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、
（３）および（４）
【００１２】
【化６】
【００１３】（式中、Ｒ3は炭素数１〜１０のアルキル
基を示し、Ｘ1はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ、ＣＦ
3、ＣＦ2ＨまたはＣＦＨ2を示し、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、およ
びＬ4は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｚ４および
Ｚ５は相互に独立して−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−
または単結合を示し、ａは１または２を示す。）からな
る群から選択される化合物を少なくとも１種類含有する
ことを特徴とする液晶組成物。 （１３） 第一成分として、上記（１）〜（１０）項の
いずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少
なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式
（５）、（６）、（７）、（８）および（９）
【００１４】
【化７】
【００１５】（式中、Ｒ4はＦ、炭素数１〜１０のアル
キル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、こ
れらの基において１個又は隣接しない２個以上のメチレ
ン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換
されていてもよく、環Ａはトランス−１，４−シクロヘ
キシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，
５−ジイル基または１，３−ジオキサン−２，５−ジイ
ル基を示し、環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレ
ン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５
−ジイル基を示し、環Ｃはトランス−１，４−シクロヘ
キシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ6は
−（ＣＨ2）2−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、Ｌ5
およびＬ6は相互に独立してＨまたはＦを示し、ｂおよ
びｃは相互に独立して０また は１を示し、Ｒ5は炭素数
１〜１０のアルキル基を示し、Ｌ7はＨまたはＦを示
し、ｄは０または１を示し、Ｒ6は炭素数１〜１０のア
ルキル基を示し、環Ｄおよび環Ｅは相互に独立してトラ
ンス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェ
ニレン基を示し、Ｚ 7およびＺ8は相互に独立して−ＣＯ
Ｏ−または単結合を示し、Ｚ9はＣＯＯ−または−Ｃ≡
Ｃ−を示し、Ｌ8およびＬ9は相互に独立してＨまたはＦ
を示し、Ｘ2はＦ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ、ＣＦ3、ＣＦ2
ＨまたはＣＦＨ2を示すが、Ｘ2がＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ、
ＣＦ3、ＣＦ2ＨまたはＣＦＨ2を示す場合はＬ8およびＬ
9は共にＨを示し、ｅ、ｆおよびｇは相互に独立して０
または１を示し、Ｒ7およびＲ8は相互に独立して炭素数
１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニ
ル基を示し、これらの基において１個または隣接しない
２個以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ
−）によって置換されていてもよく、環Ｇはトランス−
１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基ま
たはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｈはトラ
ンス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェ
ニレン基を示し、Ｚ10は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−
（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−または単結合を
示し、Ｚ11は−ＣＯＯ−または単結合を示し、Ｒ9およ
びＲ10は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキル基ま
たは炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、これらの基
において１個または隣接しない２個以上の任意のメチレ
ン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換
されていてもよく、環Ｉはトランス−１，４−シクロヘ
キシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−
２，５−ジイル基を示し、環Ｊはトランス−１，４−シ
クロヘキシレン基、環上の１つ以上の水素原子がＦで置
換されていてもよい１，４−フェニレン基またはピリミ
ジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｋはトランス−１，
４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を
示し、Ｚ12およびＺ14は相互に独立して−ＣＯＯ−、−
（ＣＨ2）2−または単結合を示し、Ｚ13は−ＣＨ＝ＣＨ
−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、ｈは
０または１を示す。）からなる群から選択される化合物
を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成
物。
【００１６】（１４） 第一成分として、上記（１）〜
（１０）項のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサ
ン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分の一部分
として、一般式（２）、（３）および（４）からなる群
から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第二
成分の他の部分として、一般式（５）、（６）、
（７）、（８）および（９）からなる群から選択される
化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液
晶組成物。 （１５） 上記（１１）〜（１４）項のいずれかに記載
の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【００１７】本発明の第一において一般式（１）で表さ
れるアルケニルシクロヘキサン誘導体の好ましい態様
は、次の（１-ａ）〜（１-ｏ）の一般式群により表され
る化合物である。
【００１８】
【化８】
【００１９】（式中環Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｒ1およびＺ3は
前記と同一であり、Ｒ11は水素原子または炭素数１〜１
３の直鎖あるいは分岐のアルキル基を示し、ｌは０〜６
の整数を示す。） なお、上記一般式群（１-ａ）〜（１-ｏ）により表され
る化合物において、一般式（１）におけるＲ2に相当す
るアルケニル基としては、１Ｅ−アルケニル、２Ｚ−ア
ルケニル、３Ｅ−アルケニル、４−アルケニル基が好ま
しく、さらに具体的には１−エテニル、１Ｅ−プロペニ
ル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセ
ニル、２Ｚ−プロペニル、２−プロペニル、２Ｚ−ブテ
ニル、２Ｚ−ペンテニル、２Ｚ−ヘキセニル、３−ブテ
ニル、３Ｅ−ペンテニル、３Ｅ−ヘキセニル基が好まし
い。
【００２０】上記一般式群（１−ａ）〜（１−ｏ）で表
される化合物はいずれも非常に低粘性であり、かつ大き
な弾性定数比（Ｋ３３／Ｋ１１）を示す。中でも一般式
（１−ａ）〜（１−ｅ）で表される２環系および３環系
化合物は非常に低粘性であり、この化合物を液晶組成物
の成分として添加した場合、液晶組成物の透明点を低下
させずに粘度だけを著しく低下させることができる。ま
た、一般式（１−ｆ）〜（１−ｏ）で表される４環系化
合物は広いネマチック相温度範囲を有し、この化合物を
液晶組成物の成分として添加した場合、粘度を増加させ
ずに透明点のみを上昇させることができる。また、上記
一般式群（１-ａ）〜（１-ｏ）で表される化合物におい
て、Ｒ1がアルケニル基であり、Ｚ3がブテン１、４−ジ
イル基である化合物はいずれも非常に大きな弾性定数比
（Ｋ３３／Ｋ１１）を示し、同じ骨格を有する飽和型の
化合物と比較し、著しく低粘性でありかつ高い透明点を
示す特徴を有する。上述のように本発明化合物は優れた
特徴を有し、本発明化合物の使用により改善された特性
を有する液晶組成物および液晶表示素子の提供が可能で
ある。一般式群（１-ａ）〜（１-ｏ）で表されるアルケ
ニルシクロヘキサン誘導体の具体例として以下の化合物
Ｎｏ．１〜５１６で示す化合物を掲げることができる。
【００２１】
【化９】
【００２２】
【化１０】
【００２３】
【化１１】
【００２４】
【化１２】
【００２５】
【化１３】
【００２６】
【化１４】
【００２７】
【化１５】
【００２８】
【化１６】
【００２９】
【化１７】
【００３０】
【化１８】
【００３１】
【化１９】
【００３２】
【化２０】
【００３３】
【化２１】
【００３４】
【化２２】
【００３５】
【化２３】
【００３６】
【化２４】
【００３７】
【化２５】
【００３８】
【化２６】
【００３９】
【化２７】
【００４０】
【化２８】
【００４１】
【化２９】
【００４２】
【化３０】
【００４３】
【化３１】
【００４４】
【化３２】
【００４５】本発明により提供される液晶組成物は、一
般式（１）で表される液晶性化合物を少なくとも１種類
含む組成物である。一般式（１）で表される液晶性化合
物に加える他の成分として、前記一般式（２）、（３）
および（４）からなる群から選ばれる少なくとも１種類
の化合物（以下第二Ａ成分と称する）および／または一
般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）から
なる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物（以下第
二Ｂ成分と称する）を使用することが好ましく、さら
に、しきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性値、
誘電率異方性値および粘度等を調整する目的で、公知の
他の液晶性化合物を第三成分として混合することもでき
る。上記第二Ａ成分のうち、一般式（２）、（３）およ
び（４）で表される化合物の好適な例として、それぞれ
式（２−１）〜（２−１５）、（３−１）〜（３−４
８）および（４−１）〜（４−５５）で表される化合物
を挙げることができる。
【００４６】
【化３３】
【００４７】
【化３４】
【００４８】
【化３５】
【００４９】
【化３６】
【００５０】
【化３７】
【００５１】
【化３８】
【００５２】
【化３９】
【００５３】
【化４０】
【００５４】
【化４１】
【００５５】これら一般式（２）〜（４）で表される化
合物は、正の誘電率異方性値を有し、熱安定性や化学的
安定性が非常に優れている。これらの化合物は、液晶組
成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲で使用され
るが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４
０〜９５重量％である。前記第二Ｂ成分のうち、一般式
（５）、（６）および（７）で表される化合物の好適例
として、それぞれ式（５−１）〜（５−２４）、（６−
１）〜（６−３）および式（７−１）〜（７−１７）で
表される化合物を挙げることができる。
【００５６】
【化４２】
【００５７】
【化４３】
【００５８】
【化４４】
【００５９】
【化４５】
【００６０】
【化４６】
【００６１】これら一般式（５）〜（７）で表される化
合物は、大きな正の誘電率異方性値を有し、液晶組成物
の成分として特にしきい値電圧を小さくする目的で使用
される。また、粘度の調整、屈折率異方性値の調整およ
び液晶相温度範囲を広げる等の目的や、さらに、急峻性
を改良する目的にも使用される。また第二Ｂ成分のう
ち、一般式（８）および（９）で表される化合物の好適
な例として、それぞれ式（８−１）〜（８−８）および
式（９−１）〜（９−１６）で表される化合物を挙げる
ことができる。
【００６２】
【化４７】
【００６３】
【化４８】
【００６４】本発明に従い使用される液晶組成物は、そ
れ自体慣用な方法で調製される。一般には、種々の成分
を高い温度で互いに溶解させる方法がとられている。ま
た、本発明の液晶組成物は、意図する用途に応じて適当
な添加物によって改良がなされ、最適化される。このよ
うな添加物は当業者に良く知られており、文献等に詳細
に記載されている。例えば、液晶のらせん構造を誘起し
て必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（ｒｅｖｅｒｓｅ
−ｔｗｉｓｔ）を防ぐためには通常キラルドープ材（ｃ
ｈｉｒａｌ ｄｏｐａｎｔ）を添加すること、あるい
は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン
系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系お
よびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホス
ト（ＧＨ）モード用の液晶組成物として使用すること、
等がある。さらに、ネマチック液晶をマイクロカプセル
化して作成したＮＣＡＰや液晶中に三次元編み目状高分
子を作成したポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮ
ＬＣＤ）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子（Ｐ
ＤＬＣＤ）用の液晶組成物としても使用することや、複
屈折制御（ＥＣＢ）モードや動的散乱（ＤＳ）モード用
の液晶組成物として使用することもできる。本発明の化
合物を含有するネマチック液晶組成物として以下に示す
ような組成例（組成例１〜１５）を示すことができる。
【００６５】
【化４９】
【００６６】
【化５０】
【００６７】
【化５１】
【００６８】
【化５２】
【００６９】
【化５３】
【００７０】
【化５４】
【００７１】
【化５５】
【００７２】
【化５６】
【００７３】
【化５７】
【００７４】
【化５８】
【００７５】
【化５９】
【００７６】
【化６０】
【００７７】
【化６１】
【００７８】
【化６２】
【００７９】
【化６３】
【００８０】本発明の化合物の製造方法について説明す
る。 好ましい化合物として例示した一般式（１−ａ）で示さ
れる化合物：ORGANIC REACTION VOL.14, Chapter 3 記
載の方法により、ハロゲ化アルキルより調製したウイッ
ティヒ試薬（１１）に、テトラヒドロフラン（以下ＴＨ
Ｆと略す）中ナトリウムアルコキシドあるいはアルキル
リチウム等の塩基を作用させてイリドを調製し、これに
アルデヒド誘導体（１０）を反応させる。次に、生成す
るＥ、Ｚ−のオレフィン混合物（１２）を、特公平４−
３０３８２号記載の方法に従い、ベンゼンスルフィン酸
あるいはｐ−トルエンスルフィン酸を作用させて異性化
を行、Ｅ体を分離精製することで（１−ａ）を製造する
ことができる。あるいは、Ｅ、Ｚ−のオレフィン混合物
（２）を、特公平６−６２４６２号記載の方法に従い、
ｍ−クロロ過安息香酸と反応させオキシラン誘導体（１
３）とした後、ジブロモトリフェニルホスホランを作用
させジブロモ体（１４）を製造する。ジブロモ体（１
４）は再結晶にてエリスロ体のみを精製後、金属亜鉛粉
末にて還元することで（１−ａ）を製造することができ
る。
【００８１】
【化６４】
【００８２】（式中Ｒ1は炭素数１〜１５の直鎖あるい
は分岐のアルキル基を示し、Ｒ11は水素原子または炭素
数１〜１３の直鎖あるいは分岐のアルキル基を示し、Ｚ
3は−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）2−、−
ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ
＝ＣＨ−を示し、ｌは０〜６の整数を示す。） 上記の操作で原料として用いたアルデヒド誘導体（１
０）は以下の操作で製造できる。 Ｚ3が−（ＣＨ2）4−であるもの：ＴＨＦ中でメトキシ
メチルトリフェニルホスホニウムクロリドにナトリウム
アルコキシドあるいはアルキルリチウム等の塩基を作用
させてイリドを調製し、これに特開平５−３１０６０５
号に記載のシクロヘキサノン誘導体（１５）を反応させ
ることで、化合物（１６）を製造する。化合物（１６）
に塩酸、硫酸等の鉱酸あるいはぎ酸、酢酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸等の有機酸を作用させることでｌ＝０のア
ルデヒド誘導体（１０−１）を製造できる。
【００８３】また、ジエチルホスフィノ酢酸エチルにナ
トリウムアルコキシドあるいはアルキルリチウム等の塩
基を作用させてイリドを調製し、これにシクロヘキサノ
ン誘導体（１５）を反応させることで化合物（１７）を
製造する。化合物（１７）をパラジウム炭素触媒の存在
下に水素還元して化合物（１８）とした後、水素化ジイ
ソブチルアルミニウムで還元することでｌ＝１のアルデ
ヒド誘導体（１０−２）を製造できる。さらに、［２−
（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチル］トリフェ
ニルホスホニウムブロミドにナトリウムアルコキシドあ
るいはアルキルリチウム等の塩基を作用させ調製したイ
リドにシクロヘキサノン誘導体（１５）を反応させるこ
とで化合物（１９）を製造する。化合物（１９）をパラ
ジウム炭素触媒の存在下に水素還元して化合物（２０）
とした後、塩酸、硫酸等の鉱酸あるいはぎ酸、酢酸、ｐ
−トルエンスルホン酸等の有機酸を作用させることでｌ
＝２のアルデヒド誘導体（１０−３）を製造できる。ｌ
＝３〜６のアルデヒド誘導体は、アルデヒド誘導体（１
０−１）〜（１０−３）を合成原料として用い、これに
上記３種類の増炭反応操作の繰り返し、あるいは組み合
わせて操作することにより製造できる。
【００８４】
【化６５】
【００８５】（式中Ｒ1は前記と同一である。） Ｚ3が−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−であるもの：特開平
６−４０９６８号記載の合成操作に準じて合成したウイ
ッティヒ試薬（２３）にナトリウムアルコキシドあるい
はアルキルリチウム等の塩基を作用させて調製したイリ
ドに、特公平４−３０３８２号に記載の合成操作に従い
１，４−シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール
（２１）から製造した４−ホルミルシクロヘキサノン
（２２）を反応させてブテニルシクロヘキサノン誘導体
（２４）を製造する。ブテニルシクロヘキサノン誘導体
（２４）は前記特公平４−３０３８２号あるいは特公平
６−６２４６２号記載の方法に従い異性化を行いＥ−ブ
テニル誘導体のみを精製する。次に、Ｅ−ブテニル誘導
体のみに精製した（２４）に、前記シクロヘキサノン誘
導体（１５）からアルデヒド誘導体（１０−１）へ導い
たのと同様の増炭反応操作を施すことによりアルデヒド
誘導体（１０−４）が製造できる。
【００８６】Ｚ3が−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2−であ
るもの：ジエチルホスフィノ酢酸エチルにナトリウムア
ルコキシドあるいはアルキルリチウム等の塩基を作用さ
せて調製したイリドに、１，４−シクロヘキサンジオン
モノエチレンケタール（２１）を反応させ化合物（２
５）を製造する。化合物（２５）をパラジウム炭素触媒
の存在下に水素還元し、続いて水素化ジイソプロピルア
ルミニウムにて還元することにより化合物（２６）を製
造する。化合物（２６）に、特開平６−４０９６８号記
載の合成操作に準じて合成したウイッティヒ試薬（２
７）にナトリウムアルコキシドあるいはアルキルリチウ
ム等の塩基を作用させて調製したイリドを反応させ化合
物（２８）を製造する。化合物（２８）に塩酸、硫酸等
の鉱酸あるいはぎ酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等
の有機酸を作用させることでブテニルシクロヘキサノン
誘導体（２９）を製造する。次に、ブテニルシクロヘキ
サノン誘導体（２９）に、前記シクロヘキサノン誘導体
（１５）からアルデヒド誘導体（１０−１）へ導いたの
と同様の増炭反応操作を施すことによりアルデヒド誘導
体（１０−５）が製造できる。
【００８７】Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）2−である
もの：［２−（１、３−ジオキソラン−２−イル）エチ
ル］トリフェニルホスホニウムブロミドにナトリウムア
ルコキシドあるいはアルキルリチウム等の塩基を作用さ
せ調製したイリドに、１，４−シクロヘキサンジオンモ
ノエチレンケタール（２１）を反応させ化合物（３０）
を製造する。化合物（３０）をパラジウム炭素触媒の存
在下に水素還元し、続いて塩酸、硫酸等の鉱酸あるいは
ぎ酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸を作用
させることでシクロヘキサノン誘導体（３１）を製造す
る。シクロヘキサノン誘導体（３１）に、特開平６−４
０９６８号記載の合成操作に準じて合成したウイッティ
ヒ試薬（３２）にナトリウムアルコキシドあるいはアル
キルリチウム等の塩基を作用させて調製したイリドを反
応させ化合物（３３）に誘導した後、前記特公平４−３
０３８２号あるいは特公平６−６２４６２号記載の方法
に従い異性化を行いＺ−ブテニル誘導体とする。次にＺ
−ブテニル誘導体のみからなる化合物（３３）に、前記
シクロヘキサノン誘導体（１５）からアルデヒド誘導体
（１０−１）へ導いたのと同様の増炭反応操作を施すこ
とによりアルデヒド誘導体（１０−６）が製造できる。
【００８８】
【化６６】
【００８９】（式中Ｒ1およびｌは前記と同一であ
る。） 一般式（１−ａ）で表される化合物においてＲ1がアル
ケニル基である（１−ａ−ａ）は以下の操作にて製造す
ることができる。４−メトキシシクロヘキサンカルボン
酸（３４）を水素化リチウムアルミニウムでアルコール
体まで還元した後、P.J.Kocienski等の公知の方法（J.
Org. Chem., 42, 353(1977)）に従い、四臭化炭素−ト
リフェニルホスフィン、あるいは臭化水素酸により臭素
化し、臭化物（３５）を製造する。臭化物（３５）はOR
GANIC REACTION VOL.14, Chapter 3 記載の方法に従い
トリフェニルホスフィンと反応させてウイッティヒ試薬
（３６）とした後、ナトリウムアルコキシドあるいはア
ルキルリチウム等の塩基を作用させてイリドを調製し、
このイリドに化合物（３１ａ）を反応させることにより
化合物（３７）を製造する。さらに、化合物（３７）
に、前記シクロヘキサノン誘導体（１５）からアルデヒ
ド誘導体（１０−１）へ導いたのと同様の増炭反応操作
を施した後、化合物（１-ａ）製造の場合と同様の異性
化操作を施すことにより化合物（３８）が製造できる。
次に化合物（３８）にジクロロメタン中で三臭化ほう素
を作用させて脱メチル化した後、次亜塩素酸ナトリウム
等適当な酸化剤で処理することにより化合物（３９）へ
誘導し、ついで、前記シクロヘキサノン誘導体（１５）
からアルデヒド誘導体（１０−１）へ導いたのと同様の
増炭反応により化合物（４０）を製造する。さらに、化
合物（４０）に、化合物（１−ａ）製造の場合と同様の
合成操作を施すことにより化合物（１−ａ−ａ）を製造
することができる。Ｚ3が−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−
あるいは−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2−であるものも上
記反応における出発物質を適当に選択することにより製
造することができる。
【００９０】
【化６７】
【００９１】（式中Ｒ11およびＲ12は水素原子または炭
素数１〜１３の直鎖あるいは分岐のアルキル基を示し、
ｌおよびｏは相互に独立して０〜６の整数を示す。） 式（１−ａ）で表される化合物においてＲ1がアルキニ
ル基である式（１−ａ−ｂ）の化合物は以下の操作にて
製造することができる。特公平４−３０３８２号記載の
方法に従い前記化合物（４０）の場合と同様の操作で製
造した化合物（４１）に、ブロモメチルトリフェニルホ
スフィンブロミドと適当な塩基から調製したイリドを反
応させ化合物（４２）に誘導した後、カリウム−ｔ−ブ
トキシドを作用させ化合物（４３）を製造する。化合物
（４３）をｎ−ブチルリチウムで処理し、次いで臭化ア
ルキルを反応させることにより化合物（１−ａ−ｂ）を
製造することができる。
【００９２】
【化６８】
【００９３】（式中Ｒ11およびＲ12は水素原子または炭
素数１〜１３の直鎖あるいは分岐のアルキル基を示し、
ｌおよびｏは相互に独立して０〜６の整数を示す。） 式（１−ａ）で表される化合物においてＲ1がアルコキ
シアルキル基、アルコキシ基である式（１−ａ−ｃ）お
よび式（１−ａ−ｄ）の化合物は以下の操作で製造する
ことができる。前記化合物（４１）を水素化リチウムア
ルミニウムで還元してアルコール体（４４）とした後、
ジメチルホルムアミド中水素化ナトリウムを作用させ、
次いでアルキルブロミドを反応させることにより化合物
（１−ａ−ｃ）を製造することができる。また、化合物
（１−ａ−ｄ）も化合物（４１−ａ）を合成原料にして
上記同様の操作で製造することができる。
【００９４】
【化６９】
【００９５】（式中Ｒ11およびＲ12は水素原子または炭
素数１〜１３の直鎖あるいは分岐のアルキル基を示し、
ｌおよびｏは相互に独立して０〜６の整数を示す。） 好ましい化合物として例示した一般式（１−ｂ）で表さ
れる化合物は以下の方法で製造することができる。シク
ロヘキサノン誘導体（４５）に対して、前記化合物（２
１）から化合物（２４）、化合物（２９）および化合物
（３３）を導いたのと同様の操作を施すことにより化合
物（４６）を製造し、さらに化合物（４６）に対して前
記シクロヘキサノン誘導体（１５）からアルデヒド誘導
体（１０−１）へ導いたのと同様の増炭反応操作を施す
ことによりアルデヒド誘導体（４７）が製造できる。次
にアルデヒド誘導体（４７）を、化合物（１−ａ）の製
造の場合と同様に、アルキルトリフェニルホスフィンハ
ライドとウイッティヒ反応を行わせて化合物（１−ｂ）
が製造できる。
【００９６】
【化７０】
【００９７】（式中Ｒ1、環Ａ1およびＺ3は前記と同一
であり、Ｒ11は水素原子または炭素数１〜１３の直鎖あ
るいは分岐のアルキル基を示し、ｌおよびｏは相互に独
立して０〜６の整数を示す。） 環Ａ1が１、３−ジオキサン−２、５−ジイル基である
化合物：ｐ−トルエンスルホン酸あるいはアンバーリス
ト等の非水酸性イオン交換樹脂を触媒とし、ジオール誘
導体（４８）に対しアルデヒド誘導体（２２）を、ある
いはジオール誘導体（５０）に対しアルデヒド誘導体
（４９）をそれぞれ反応させることにより化合物（４５
−ａ）および化合物（４５−ｂ）を製造する。
【００９８】
【化７１】
【００９９】（式中Ｒ1は前記と同一である。） 好ましい化合物として例示した一般式（１−ｃ）で表さ
れる化合物は以下の方法で製造することができる。アル
キルブロモベンゼン（５１）から常法に従い調製したグ
リニャール試薬に鉄（III）アセチルアセトネートを触
媒に酸クロリド誘導体（５２）を反応させて化合物（５
３）を製造する。化合物（５３）をＴＨＦ中で無水塩化
アルミニウムを触媒とし水素化リチウムアルミニウムに
て還元し化合物（５４）に導き、さらにジクロロメタン
中で三臭化ほう素により脱メチル化した後、次亜塩素酸
ナトリウム等の酸化剤にて処理することにより化合物
（５５）が製造できる。また、化合物（５５）を白金系
あるいはロジウム系触媒の存在下で水素還元することで
化合物（５６）が製造できる。さらに化合物（５５）お
よび化合物（５６）を原料とし、シクロヘキサノン誘導
体（４５）から化合物（１−ｂ）を製造したのと同様の
操作を施すことにより化合物（１−ｃ）が製造できる。
【０１００】
【化７２】
【０１０１】（式中Ｒ1、Ｒ11、環Ａ1、Ｚ3およびｌは
前記と同一である。） 好ましい化合物として示した一般式（１−ｄ）で示され
る化合物は以下の方法にて製造することができる。式
（５７）で表されるウイッティヒ試薬にナトリウムアル
コキシドあるいはアルキルリチウム等の塩基を作用させ
て調製したイリドにアルデヒド誘導体（２２）を反応さ
せてＥ、Ｚ−オレフィン混合物（５８）を製造する。混
合物（５８）は前記特公平４−３０３８２号あるいは特
公平６−６２４６２号に記載の方法に従い異性化を行い
Ｅ−エテニル誘導体のみを取り出した後、前記シクロヘ
キサノン誘導体（４５）から化合物（１−ｂ）を製造し
たのと同様の操作を施すことにより化合物（１−ｄ）が
製造できる。
【０１０２】
【化７３】
【０１０３】（式中Ｒ1、Ｒ11、環Ａ1、Ｚ3およびｌは
前記と同一である。） 好ましい化合物として示した一般式（１−ｅ）で表され
る化合物は以下の方法にて製造することができる。特公
平４−３０３８２号記載の方法に従い、前記化合物（４
１）と同様にして製造した化合物（５９）にブロモメチ
ルトリフェニルホスフィンブロミドと適当な塩基から調
製したイリドを反応させ化合物（６０）に誘導した後、
カリウム−ｔ−ブトキシドを作用させ化合物（６１）を
製造する。化合物（６１）をｎ−ブチルリチウムで処
理、次いで化合物（６２）を反応させることにより化合
物（１−ｅ）を製造することができる。
【０１０４】
【化７４】
【０１０５】（式中Ｒ1、Ｒ11、環Ａ1、Ｚ3およびｌは
前記と同一である。） 好ましい化合物として示した一般式群（１−ｆ）〜（１
−ｎ）で表される化合物は適当な出発物質を選択し、前
記一般式群（１−ａ）〜（１−ｅ）の化合物を製造した
場合に示した反応、あるいはこれに公知の反応を組み合
わせることにより製造できる。さらに上記に掲げなかっ
た一般式（１）に含まれるその他の化合物についても同
様に適当な出発物質を選択し、前記反応の組み合わせや
公知の反応を使用することにより製造できる。
【０１０６】
【発明の効果】本発明の化合物は極めて低粘性であり、
かつ大きな弾性定数比を有する。また、本発明の化合物
は他の多くの液晶性化合物、すなわちエステル系、シッ
フ塩基系 、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン
系、ビシクロヘキサン系、複素環系、フッソ系の既存の
液晶化合物との相溶性が非常に良く、特に低温に於ける
相溶性に優れた特性を有する。さらに本発明の化合物を
液晶組成物の成分として加えることにより、ネマチック
液晶相温度範囲の低下を抑制しつつ粘度のみを著しく低
下させることができる。
【０１０７】
【実施例】以下、実施例により本発明の化合物の製造法
および使用例についてさらに詳細に説明するが、本発明
はこれらの実施例になんら制限されるものではない。な
お、各実施例中においてＣｒは結晶を、Ｎはネマチック
相を、Ｓはスメクチック相を、またＩｓｏは等方性液体
を示し、相転移温度の単位は全て℃である。 実施例１ １−エテニル−４−（４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（化合物Ｎｏ．
５） （一般式（１）においてｍ＝ｎ＝ｉ＝０、Ｒ1＝Ｃ5Ｈ1
1、Ｚ3＝−（ＣＨ2）4−、Ｒ2がエテニル基であるも
の）の製造：攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメト
キシメチルトリフェニルクロリド２９．１ｇ（８４．８
ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、アセトン−ド
ライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリウ
ム−ｔ−ブトキシド９．９ｇ（８９．０ｍｍｏｌ）を添
加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次い
で特開平５−３１０６０５号に記載の（４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサ
ノン２０ｇ（６５．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍｌに溶
解した溶液を、同温度を保ちながら２０分を要して滴下
した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに４時
間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加して
反応を終了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）で２回抽
出した。トルエン層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄し、
さらに無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒
を留去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒とし
たシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、黄褐色結
晶１９．８ｇを得た。
【０１０８】冷却管を備えた５００ｍｌのナス型フラス
コで、上記操作で得られた黄褐色結晶物１９．８ｇをト
ルエン１００ｍｌに溶解し、９９％ぎ酸１６．５ｇ（３
５５．８ｍｍｏｌ）を添加し２時間加熱還流した。反応
溶液を室温まで冷却した後、水１００ｍｌを添加し、有
機層を分離した。さらに水層をトルエン１００ｍｌで抽
出し、有機層に合せた。有機層を水（１００ｍｌ）で２
回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）で１
回、さらに水（１００ｍｌ）で２回洗浄した後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮して
黄褐色結晶１８．１ｇを得た。これが（４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシ
ルカルバルデヒドである。１Ｈ−ＮＭＲの測定結果は本
化合物の構造を強く支持した。 δｐｐｍ ２．８６（３Ｈ、ｓ、ＯＣＨ3）、５．７
３、（１Ｈ、ｂｓ）
【０１０９】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメチ
ルトリフェニルホスホニウムクロリド２９．６ｇ（７
３．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、アセト
ン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、
カリウム−ｔ−ブトキシド８．６ｇ（７６．９ｍｍｏ
ｌ）を添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌し
た。次いで（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ブチル）シクロヘキシルカルバルデヒド１８．１
ｇ（５６．３ｍｍｏｌ）を５０ｍｌのＴＨＦに溶解した
溶液を同温度を保ちながら２０分を要して滴下した後、
１時間を要して室温まで昇温させ、さらに４時間室温で
攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加して反応を終
了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）で２回抽出した。
トルエン層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄し、さらに無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去、
濃縮した。濃縮残査をヘプタンを展開溶媒としたシリカ
ゲルクロマトグラフィーにて精製し、無色結晶１５．９
ｇを得た。得られた結晶物はヘプタンから再結晶により
精製し、１−エテニル−４−（４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン７．２
ｇを得た。 − Ｓ５３．３−５４．１Ｉｓｏ −1Ｈ−
ＮＭＲおよびＧＣ−ＭＳの測定結果は本化合物の構造を
強く支持した。1 Ｈ−ＮＭＲ：δｐｐｍ ４．７９−５．０５（２Ｈ，
ｍ）５．７８（１Ｈ，ｍ）ＧＣ−ＭＳ： Ｍ+３１８
【０１１０】上記の製造方法で用いた（４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサ
ノンに代えてアルキル基の鎖長の異なる（４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキ
サノンを用い、以下上記の製造方法に準じて操作するこ
とにより、以下に示す各番号の化合物が製造できる。 １−エテニル−４−（４−（トランス−４−メチルシク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１） １−エテニル−４−（４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２）
Ｃｒ ３４．２ − ３５．０ Ｉｓｏ １−エテニル−４−（４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３）
SB 44.5-45.1 Iso １−エテニル−４−（４−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.４） １−エテニル−４−（４−（トランス−４−ヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン １−エテニル−４−（４−（トランス−４−ヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.６） １−エテニル−４−（４−（トランス−４−オクチルシ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン １−エテニル−４−（４−（トランス−４−ノニルシク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン １−エテニル−４−（４−（トランス−４−デシルシク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン
【０１１１】また上記製造方法に準じて以下の化合物を
製造することができる。 （Ｅ）−１−プロペニル−４−（４−（トランス−４−
エチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.８） （Ｅ）−１−プロペニル−４−（４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.９） （Ｅ）−１−プロペニル−４−（４−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン （Ｅ）−１−プロペニル−４−（４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.１０） （Ｅ）−１−ブテニル−４−（４−（トランス−４−エ
チルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.
１３） （Ｅ）−１−ブテニル−４−（４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.１４） （Ｅ）−１−ブテニル−４−（４−（トランス−４−ブ
チルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン （Ｅ）−１−ブテニル−４−（４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.１５）
【０１１２】３−ブテニル−４−（４−（トランス−４
−エチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２３） ３−ブテニル−４−（４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２４） ３−ブテニル−４−（４−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン ３−ブテニル−４−（４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２５）
【０１１３】（Ｅ）−１−ペンテニル−４−（４−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘ
キサン（Ｎｏ.１８） （Ｅ）−１−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.１９） （Ｅ）−１−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン （Ｅ）−１−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２０） （Ｅ）−３−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
エチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２８） （Ｅ）−３−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２９） （Ｅ）−３−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン （Ｅ）−３−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.３０）
【０１１４】実施例２ １−エテニル−４−（４−（トランス−４−（（Ｅ）−
３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキ
サン（化合物Ｎｏ.１２７）（一般式（１）においてｍ
＝ｎ＝ｉ＝０、Ｒ1が（Ｅ）−３−ペンテニル基、Ｚ3が
−（ＣＨ2）4−、Ｒ2がエテニル基であるもの）の製
造：攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた１リット
ルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下に１，３−ジオ
キソラン−２−イル）エチル］トリフェニルホスホニウ
ムクロリド１６５．９ｇ（０．４２ｍｏｌ）をＴＨＦ５
００ｍｌに懸濁させ、アセトン−ドライアイス冷媒で−
３０℃以下まで冷却した後、カリウム−ｔ−ブトキシド
４８．７ｇ（０．４３ｍｏｌ）を添加し、−３０℃以下
を保ちながら２時間攪拌した。次いで１，４−シクロヘ
キサンジオンモノエチレンケタール５０．０ｇ（０．３
２ｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解した溶液を同温度
を保ちながら４０分を要して滴下した後、１時間を要し
て室温まで昇温させ、さらに４時間室温で攪拌した。反
応溶液に水３００ｍｌを添加して反応を終了させた後、
トルエン（３００ｍｌ）で３回抽出した。トルエン層を
水（３００ｍｌ）で３回洗浄し、さらに無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃
縮残査をトルエン／酢酸エチル＝２／１混合溶媒を展開
溶媒としたシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、
黄褐色結晶７１．５ｇを得た。
【０１１５】攪拌機を備えた１リットルの三つ口フラス
コ中で、上記操作で得た黄褐色結晶物７１．５ｇをトル
エン／エタノール＝１／１混合溶媒２５０ｍｌに溶解
し、５％−パラジウム炭素触媒５．７ｇを添加し、室温
下水素圧５〜１０ｋｇ／ｃｍ2で５時間接触水素還元を
行った。触媒をろ別した反応溶液から減圧下溶媒を留
去、濃縮した。濃縮残査を冷却管を備えた５００ｍｌの
ナス型フラスコ中でトルエン３００ｍｌに溶解し、９９
％ぎ酸８２．８ｇ（１．７８ｍｏｌ）を添加し、２時間
加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水３０
０ｍｌを添加し、有機層を分取した。さらに水層をトル
エン３００ｍｌで抽出し、有機層に合せた。有機層を水
（３００ｍｌ）で２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
（１００ｍｌ）で１回、さらに水（３００ｍｌ）で２回
順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下溶媒を留去、濃縮して黄褐色結晶４１．２ｇを得た。
これが４−（２−ホルミルエタン−１−イル）シクロヘ
キサノンである。攪拌機、温度計および窒素導入管を備
えた１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下に
（４−メトキシシクロヘキシル）メチルトリフェニルホ
スフィンヨージド１７５．６ｇ（０．３４ｍｏｌ）をＴ
ＨＦ５００ｍｌに懸濁させ、アセトン−ドライアイス冷
媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリウム−ｔ−ブト
キシド４０．１ｇ（（０．３６ｍｏｌ）を添加し、−３
０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次いで上記操作
で得た４−（２−ホルミルエタン−１−イル）シクロヘ
キサノン４１．２ｇ（０．２７ｍｏｌ）をＴＨＦ１５０
ｍｌに溶解した溶液を同温度を保ちながら４０分を要し
て滴下した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さら
に４時間室温で攪拌した。反応溶液に水３００ｍｌを添
加して反応を終了させた後、トルエン（３００ｍｌ）で
３回抽出した。トルエン層を水（３００ｍｌ）で３回洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒
を留去、濃縮した。濃縮残査をトルエン／酢酸エチル＝
２／１混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルクロマトグ
ラフィーにて精製し、黄褐色結晶６５．０ｇを得た。こ
れが（４−（トランス−４−メトキシシクロヘキシル）
−（Ｅ、Ｚ）−３−ブテニル）シクロヘキサノンであ
る。
【０１１６】攪拌機を備えた１リットルの三つ口フラス
コ中で、上記操作で得た（４−（トランス−４−メトキ
シシクロヘキシル）−（Ｅ、Ｚ）−３−ブテニル）シク
ロヘキサノン６５．０ｇをトルエン／エタノール＝１／
１混合溶媒２５０ｍｌに溶解し、５％−パラジウム炭素
触媒５．４ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０ｋｇ／ｃ
ｍ2で４時間接触水素還元を行った。触媒をろ別した反
応溶液から減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮残査をト
ルエン／酢酸エチル＝４／１混合溶媒を展開溶媒とした
シリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、さらに、ヘ
プタンから再結晶して無色結晶５５．５ｇを得た。これ
が（４−（トランス−４−メトキシシクロヘキシル）ブ
チル）シクロヘキサノンである。
【０１１７】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下に１，
３−ジオキソラン−２−イル）エチル］トリフェニルホ
スホニウムクロリド１１７．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）を
ＴＨＦ５００ｍｌに懸濁させ、アセトン−ドライアイス
冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリウム−ｔ−ブ
トキシド４０．１ｇ（０．３６ｍｏｌ）を添加し、−３
０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次いで、前記操
作で得た（４−（トランス−４−メトキシシクロヘキシ
ル）ブチル）シクロヘキサノン５５．５ｇ（０．２１ｍ
ｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解した溶液を同温度を保
ちながら４０分を要して滴下した後、１時間を要して室
温まで昇温させ、さらに４時間室温で攪拌した。反応溶
液に水３００ｍｌを添加して反応を終了させた後、トル
エン（３００ｍｌ）で３回抽出した。トルエン層を水
（３００ｍｌ）で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮残査を
攪拌機を備えた１リットルの三つ口フラスコ中でトルエ
ン／エタノール＝１／１混合溶媒２５０ｍｌに溶解し、
５％−パラジウム炭素触媒４．５ｇを添加し、室温下水
素圧５〜１０ｋｇ／ｃｍ2で５時間接触水素還元を行っ
た。触媒をろ別した反応溶液から減圧下溶媒を留去、濃
縮した。濃縮残査（６６．９ｇ）を冷却管を備えた５０
０ｍｌのナス型フラスコ中でトルエン３００ｍｌに溶解
し、９９％ぎ酸５３．０ｇ（１．１４ｍｏｌ）を添加
し、２時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した
後、水３００ｍｌを添加し、有機層を分離した。さらに
水層をトルエン３００ｍｌで抽出し、有機層に合わせ
た。有機層を水（３００ｍｌ）で２回、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液（１００ｍｌ）で１回、さらに水（３０
０ｍｌ）で２回順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮して黄褐色結晶５
５．１ｇ得た。これが（４−（トランス−４−メトキシ
シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシルプロピルアル
デヒドである。
【０１１８】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にエチ
ルトリフェニルホスフィンブロミド８６．４ｇ（０．２
３ｍｏｌ）をＴＨＦ４００ｍｌに溶解し、アセトン−ド
ライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリウ
ム−ｔ−ブトキシド２７．５ｇ（０．２５ｍｏｌ）を添
加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次い
で（４−（トランス−４−メトキシシクロヘキシル）ブ
チル）シクロヘキシルプロピルアルデヒド５５．１ｇ
（０．１８ｍｏｌ）を２００ｍｌのＴＨＦに溶解した溶
液を同温度を保ちながら３０分を要して滴下した後、１
時間を要して室温まで昇温させ、さらに４時間室温で攪
拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加して反応を終了
させた後、トルエン（２００ｍｌ）で２回抽出した。ト
ルエン層を水（２００ｍｌ）で３回洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去、濃縮し
た。濃縮残査をトルエンを展開溶媒としたシリカゲルク
ロマトグラフィーにて精製し、黄褐色結晶４８．７ｇを
得た。これがトランス−（（Ｅ、Ｚ）−３−ペンテニ
ル）−４−（４−（トランス−４−メトキシシクロヘキ
シル）ブチル）シクロヘキサンである。この化合物に以
下の異性化操作を行った。すなわち、冷却管を備えた１
リットルのナス型フラスコ中で、トランス−（（Ｅ、
Ｚ）−３−ペンテニル）−４−（４−（トランス−４−
メトキシシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン４
８．７ｇ（０．１５ｍｏｌ）をトルエン／エタノールの
１／１混合溶媒２００ｍｌに溶解し、ベンゼンスルフィ
ン酸ナトリウム３７．４ｇ（０．２３ｍｏｌ）および６
規定塩酸３８ｍｌを添加して、１０時間加熱還流を行っ
た。室温まで冷却した後、水２００ｍｌを添加して反応
を終了させた後、トルエン（２００ｍｌ）で２回抽出し
た。トルエン層を水（２００ｍｌ）で２回、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）で１回、さらに水
（２００ｍｌ）で２回順次洗浄した後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮残
査をトルエンを展開溶媒としたシリカゲルクロマトグラ
フィーにて精製した後、さらにヘプタンから再結晶して
無色結晶３４，０ｇを得た。これがトランス−（（Ｅ）
−３−ペンテニル）−４−（４−（トランス−４−メト
キシシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサンである。
【０１１９】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にジク
ロロメタンをアセトン−ドライアイス冷媒で−５０℃以
下まで冷却した後、三臭化ほう素４５．２ｇ（０．１８
ｍｏｌ）を添加し、さらにトランス−（（Ｅ）−３−ペ
ンテニル）−４−（４−（トランス−４−メトキシシク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン３４．０ｇ（０．
１１ｍｏｌ）を１００ｍｌのジクロロメタンに溶解した
溶液を−５０℃以下を保ちながら１時間を要して滴下し
た。滴下終了後、２時間を要して徐々に室温まで昇温さ
せ、さらに室温で８時間攪拌した。反応溶液を氷水５０
０ｍｌ中に注ぎ込んだ後、ジエチルエーテル（３００ｍ
ｌ）で２回抽出した。抽出層を水（２５０ｍｌ）で４回
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留
去、濃縮した。得られた濃縮残査（２６．３ｇ）を、攪
拌機、温度計および窒素導入管を備えた５００ｍｌの三
つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にジクロロメタン２０
０ｍｌに溶解し、氷酢酸１２．４ｇ（０．２１ｍｏｌ）
を添加した後、水浴で冷却しながら内温を１０〜１５℃
に保ちつつ、１２％次亜塩素酸水溶液６９．３ｇを５０
分を要して滴下した。滴下終了後さらに室温で３時間攪
拌した後、反応溶液に水１５０ｍｌを添加して反応を終
了させた。反応溶液からジクロロメタン層を分取し、水
（２００ｍｌ）で２回、、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液（１５０ｍｌ）で１回、さらに水（２００ｍｌ）で２
回順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減
圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開
溶媒としたシリカゲルクロマトグラフィーにて精製した
後、さらにヘプタンから再結晶して無色結晶２３．５ｇ
を得た。これが４−（４−（トランス−４−（（Ｅ）−
３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキ
サノンである。
【０１２０】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下メトキ
シメチルトリフェニルホスホニウムクロリド３４．４ｇ
（１００．５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、
アセトン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却し
た後、カリウム−ｔ−ブトキシド１１．８ｇ（１０５．
５ｍｍｏｌ）を添加し−３０℃以下を保ちながら２時間
攪拌した。次いで４−（４−（トランス−４−（（Ｅ）
−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘ
キサノン２３．５ｇ（７７．３ｍｍｏｌ）をＴＨＦ７０
ｍｌ溶解した溶液を同温度を保ちながら２０分を要して
滴下した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに
４時間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加
して反応を終了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）で２
回抽出した。トルエン層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄
し、さらに無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下
溶媒を留去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒
としたシリカゲルクロマトグラフィーにて精製して、黄
褐色結晶２３．０ｇを得た。
【０１２１】冷却管を備えた５００ｍｌのナス型フラス
コ中で、上記の操作で得られた黄褐色結晶物２３．０ｇ
をトルエン１００ｍｌに溶解し、９９％ぎ酸１９．８ｇ
（４３．０ｍｍｏｌ）を添加し２時間加熱還流した。反
応溶液を室温まで冷却した後、水１００ｍｌを添加し、
有機層を分取した。さらに水層をトルエン１００ｍｌで
抽出して有機層に合せた。有機層を水（１００ｍｌ）で
２回、、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）で
１回、さらに水（１００ｍｌ）で２回順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去、濃
縮して黄褐色結晶２２．１ｇを得た。これが４−（４−
（トランス−４−（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘ
キシル）ブチル）シクロヘキサンカルバルデヒドであ
る。
【０１２２】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメチ
ルトリフェニルホスホニウムヨージド３６．６ｇ（９
０．４４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、アセ
トン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した
後、カリウム−ｔ−ブトキシド１０．７ｇ（９４．９ｍ
ｍｏｌ）添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌
した。次いで４−（４−（トランス−４−（（Ｅ）−３
−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサ
ンカルバルデヒド２２．１ｇ（６９．６ｍｍｏｌ）を７
０ｍｌのＴＨＦに溶解した溶液を同温度を保ちながら２
０分を要して滴下した後、１時間を要して室温まで昇温
させ、さらに４時間室温で攪拌した。反応溶液に水２０
０ｍｌを添加して反応を終了させた後、トルエン（１５
０ｍｌ）で２回抽出した。トルエン層を水（１００ｍ
ｌ）で３回洗浄し、さらに無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮残査をヘプ
タンを展開溶媒としたシリカゲルクロマトグラフィーに
て精製し、無色結晶１８．７ｇを得た。得られた結晶を
ヘプタンから再結晶して精製し、標題化合物である１−
エテニル−４−（４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−
ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン
６．５ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲおよびＧＣ−ＭＳの測定
結果は本化合物の構造を強く支持した。 ＧＣ−ＭＳ： Ｍ+３１６
【０１２３】出発物質あるいは反応試薬を種々選択する
ことにより、上記製造方法に準じて操作して以下の化合
物が製造できる。 （Ｅ）−１−プロペニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.１３２） ２−プロペニル−４−（４−（トランス−４−（（Ｅ）
−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘ
キサン （Ｅ）−１−ブテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.１３６） （Ｚ）−２−ブテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン ３−ブテニル−４−（４−（トランス−４−（（Ｅ）−
３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキ
サン（Ｎｏ.１４１） （Ｅ）−１−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.１３９） （Ｚ）−２−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン （Ｅ）−３−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.１４２）
【０１２４】１−エテニル−４−（４−（トランス−４
−（１−エテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘ
キサン（Ｎｏ.１２２） （Ｅ）−１−プロペニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−１−プロペニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.１２８） ２−プロペニル−４−（４−（トランス−４−（２−プ
ロペニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン （Ｅ）−１−ブテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−１−ブテニル）シクロヘキシル）ブチル）シ
クロヘキサン（Ｎｏ.１３３） （Ｚ）−２−ブテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｚ）−２−ブテニル）シクロヘキシル）ブチル）シ
クロヘキサン （Ｅ）−２−ブテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｚ）−２−ブテニル）シクロヘキシル）ブチル）シ
クロヘキサン （Ｅ）−２−ブテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−２−ブテニル）シクロヘキシル）ブチル）シ
クロヘキサン
【０１２５】３−ブテニル−４−（４−（トランス−４
−（３−ブテニル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘ
キサン（Ｎｏ.１４０） （Ｅ）−１−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−１−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.１３７） （Ｚ）−２−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｚ）−２−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン （Ｅ）−２−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｚ）−２−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン （Ｅ）−２−ペンテニル−４−（４−（トランス−４−
（（Ｅ）−２−ペンテニル）シクロヘキシル）ブチル）
シクロヘキサン
【０１２６】実施例３ トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（化合物Ｎｏ.９４） （一般式（Ｉ）においてｍ＝ｎ＝ｉ＝０、Ｒ1がｎ−プ
ロピル基、Ｚ3が−（ＣＨ−2）2ＣＨ＝ＣＨ−、Ｒ2がエ
テニル基であるもの）の製造：攪拌機、温度計および窒
素導入管を備えた１リットルの三つ口フラスコ中で、窒
素雰囲気下に（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−３−ブロモプロパン５０ｇ（０．２０ｍｏｌ）、
トリフェニルホスフィン６９．１ｇ（０．２６ｍｏｌ）
およびキシレン３０ｍｌの混合物を内温を１３０℃に保
ちながら６０時間加熱攪拌した。次に反応混合物を３０
０ｍｌのＴＨＦに懸濁させ、アセトン−ドライアイス冷
媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリウム−ｔ−ブト
キシド２３．８ｇ（０．２１ｍｏｌ）を添加し、−３０
℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次いで４−ホルミ
ルシクロヘキサノン３３．１ｇ（０．２６ｍｏｌ）をＴ
ＨＦ１５０ｍｌに溶解した溶液を同温度を保ちながら４
０分を要して滴下した後、１時間を要して室温まで昇温
させ、さらに４時間室温で攪拌した。反応溶液に水３０
０ｍｌを添加して反応を終了させた後、トルエン（３０
０ｍｌ）で３回抽出した。トルエン層を水（３００ｍ
ｌ）で３回洗浄し、さらに無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮残査をトル
エンを展開溶媒としたシリカゲルクロマトグラフィーに
て精製し、黄褐色結晶３６．２ｇを得た。
【０１２７】冷却管を備えた１リットルのナス型フラス
コ中で、上記操作で得た反応混合物３６．２ｇをトルエ
ン／エタノールの１／１混合溶媒２００ｍｌに溶解し、
ベンゼンスルフィン酸ナトリウム３２．３ｇおよび６規
定塩酸３２．８ｍｌを添加して１０時間加熱環流を行っ
た。室温まで冷却した後、水２００ｍｌを添加して反応
を終了させた。反応溶液をトルエン（２５０ｍｌ）で２
回抽出した。トルエン層を水（２００ｍｌ）で２回、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）で１回さら
に水（２００ｍｌ）で２回順次洗浄した後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃
縮残査をトルエンを展開溶媒としたシリカゲルクロマト
グラフィーにて精製した後、ヘプタンから再結晶して無
色結晶１６．３ｇを得た。これが４−（（Ｅ）−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−ブテ
ニル）シクロヘキサノンである。
【０１２８】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメト
キシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド２６．３
ｇ（７６．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解し、
アセトン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却し
た後、カリウム−ｔ−ブトキシド９．０ｇ（８０．５ｍ
ｍｏｌ）を添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪
拌した。次いで４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ノン１６．３ｇ（５９．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ７０ｍｌ
に溶解した溶液を同温度を保ちながら２０分を要して滴
下し、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに４時間
室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加し反応
を終了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）で２回抽出し
た。トルエン層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃
縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒としたシリカゲ
ルクロマトグラフィーにて精製し、黄褐色結晶１５．３
ｇを得た。
【０１２９】冷却管を備えた５００ｍｌのナス型フラス
コ中で、上記操作で得られた黄褐色結晶物１５．３ｇを
トルエン１００ｍｌに溶解し、９９％ぎ酸１２．２ｇ
（２６３．０ｍｍｏｌ）を添加し、２時間加熱還流し
た。反応溶液を室温まで冷却した後、水１００ｍｌを添
加し、有機層を分取した。さらに水層をトルエン１００
ｍｌで抽出し、有機層に合せた。有機層を水（１００ｍ
ｌ）で２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍ
ｌ）で１回、さらに水（１００ｍｌ）で２回順次洗浄し
た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留
去、濃縮して黄褐色結晶１３．９ｇを得た。これが４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−１−ブテニル）シクロヘキサンカルバルデヒドで
ある。
【０１３０】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメチ
ルトリフェニルホスホニウムヨージド２５．１ｇ（６
２．１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解し、アセト
ン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、
カリウム−ｔ−ブトキシド７．３ｇ（６５．２ｍｍｏ
ｌ）を添加、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌し
た。次いで４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサンカ
ルバルデヒド１３．９ｇ（４７．８ｍｍｏｌ）を５０ｍ
ｌのＴＨＦに溶解した溶液を同温度を保ちながら２０分
を要して滴下後、１時間を要して室温まで昇温させ、さ
らに４時間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを
添加して反応を終了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）
で２回抽出した。トルエン層を水（１００ｍｌ）で３回
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶
媒を留去、濃縮した。濃縮残査をヘプタンを展開溶媒と
したシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、無色結
晶１２．３ｇを得た。得られた結晶をヘプタンから再結
晶して精製し、標題化合物であるトランス−（１−エテ
ニル）−４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン３．
７ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲおよびＧＣ−ＭＳの測定結果
は本化合物の構造を強く支持した。 ＧＣ−ＭＳ： Ｍ+２８８
【０１３１】上記の製造方法で用いた（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−３−ブロモプロパンに代え
てアルキル基の鎖長の異なる（トランス−４−アルキル
シクロヘキシル）−３−ブロモプロパンを用い、上記製
造方法に準じて操作することにより、以下の化合物が製
造できる。 トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−メチルシクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.９２） トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.９３） トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−ブチルシクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.９５） トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.９６） トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−オクチルシクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−ノニルシクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン トランス−（１−エテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−デシルシクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン
【０１３２】出発物質あるいは反応試薬を種々選択する
ことにより、上記製造方法に準じて操作して以下の化合
物が製造できる。 トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−１−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.９８） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−１−ブ
テニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１０３） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−１−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１０８） トランス−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.１１３） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−１−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１１８） トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.９９） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１０４） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１０９）
【０１３３】トランス−（３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１１４） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１１９） トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１００） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１０５） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１１０） トランス−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１１５） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１２０）
【０１３４】トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−
４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）−３−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３８） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−３−ブ
テニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.４３） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−３−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.４８） トランス−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）−３−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.５３） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−３−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.５８） トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３９） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.４４） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.４９）
【０１３５】トランス−（３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−３−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.５４） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.５９） トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.４０） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.４５） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.５０） トランス−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.５５） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｅ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.６０）
【０１３６】トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−
４−（（Ｚ）−４−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）−２−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.６８） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｚ）−
４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−２−ブ
テニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.７３） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−２−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.７８） トランス−（３−ブテニル）−４−（（Ｚ）−４−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）−２−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.８３） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−２−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.８８） トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.６９） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｚ）−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.７４） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.７９）
【０１３７】トランス−（３−ブテニル）−４−
（（Ｚ）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−２−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.８４） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.８９） トランス−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.７０） トランス−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−（（Ｚ）−
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.７５） トランス−（（Ｅ）−１−ペンテニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.８０） トランス−（３−ブテニル）−４−（（Ｚ）−４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.８５） トランス−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（（Ｚ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２
−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.９０）
【０１３８】実施例４ トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−エテニルシクロヘキシル）−１−ブテニル）シ
クロヘキサン（化合物Ｎｏ.１４３） （一般式（Ｉ）においてｍ＝ｎ＝ｉ＝０、Ｒ1がエテニ
ル基、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）2−、Ｒ2がエテニ
ル基であるもの）の製造：攪拌機、温度計および窒素導
入管を備えた１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰
囲気下にメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロ
リド５９．１ｇ（１７２．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２００
ｍｌに溶解し、アセトン−ドライアイス冷媒で−３０℃
以下まで冷却した後、カリウム−ｔ−ブトキシド２０．
３ｇ（１８１．０ｍｍｏｌ）を添加し、−３０℃以下を
保ちながら２時間攪拌した。次いで実施例２に記載の操
作で製造した４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−メト
キシシクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサノ
ン３５．０ｇ（１３３．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍ
ｌに溶解した溶液を同温度を保ちながら４０分を要して
滴下した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに
４時間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加
して反応を終了させた後、トルエン（２００ｍｌ）で２
回抽出した。トルエン層を水（２００ｍｌ）で２回洗浄
した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を
留去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒とした
シリカゲルクロマトグラフィーにて精製して、黄褐色結
晶３３．１ｇを得た。
【０１３９】冷却管を備えた５００ｍｌのナス型フラス
コ中で、上記の操作で得られた黄褐色結晶物３３．１ｇ
をトルエン１００ｍｌに溶解し、９９％ぎ酸２７．２ｇ
（５９０．０ｍｍｏｌ）を添加して、２時間加熱還流し
た。反応溶液を室温まで冷却した後、水１００ｍｌを添
加し、有機層を分離した。さらに水層をトルエン２００
ｍｌで抽出し、有機層に合せた。有機層を水（１５０ｍ
ｌ）で２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍ
ｌ）で１回、さらに水（１５０ｍｌ）で２回順次洗浄し
た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留
去、濃縮して黄褐色結晶２９．５ｇを得た。これが４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−メトキシシクロヘキシ
ル）−３−ブテニル）シクロヘキサンカルバルデヒドで
ある。
【０１４０】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメチ
ルトリフェニルホスホニウムヨージド５５．７ｇ（１３
８．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２５０ｍｌに溶解し、アセト
ン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、
カリウム−ｔ−ブトキシド１６．３ｇ（１４５．０ｍｍ
ｏｌ）を添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌
した。次いで４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−メト
キシシクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン
カルバルデヒド２９．５ｇ（１０６．０ｍｍｏｌ）をＴ
ＨＦ９０ｍｌに溶解した溶液を同温度を保ちながら３０
分を要して滴下した後、１時間を要して室温まで昇温
し、さらに４時間室温で攪拌した。反応溶液に水２００
ｍｌを添加して反応を終了させた後、トルエン（１５０
ｍｌ）で２回抽出した。トルエン層を水（１００ｍｌ）
で３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減
圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮残査をヘプタンを展開
溶媒としたシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、
無色結晶物２４．９ｇを得た。得られた結晶物はヘプタ
ンから再結晶して、無色結晶１５．４ｇを得た。これが
１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−メ
トキシシクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサ
ンである。
【０１４１】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にジク
ロロメタン２５０ｍｌをアセトン−ドライアイス冷媒で
−５０℃以下まで冷却した後、三臭化ほう素２０．９ｇ
（８３．９ｍｍｏｌ）を添加し、さらに１−エテニル−
４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−メトキシシクロヘ
キシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン１５．４ｇ
（５５．９ｍｍｏｌ）を１００ｍｌのジクロロメタンに
溶解した溶液を−５０℃以下を保ちながら１時間を要し
て滴下した。滴下終了後、２時間を要して徐々に室温ま
で昇温させた後、さらに室温で８時間攪拌した。反応溶
液を氷水５００ｍｌ中に注ぎ込んだ後、ジエチルエーテ
ル（３００ｍｌ）で２回抽出した。抽出層を水（２５０
ｍｌ）で４回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去、濃縮した。得られた濃縮残査（１１．
１ｇ）を、攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた５
００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にジクロ
ロメタン２００ｍｌに溶解し、氷酢酸６．１ｇ（１０
１．９ｍｍｏｌ）を添加した後、水浴で冷却して内温を
１０〜１５℃に保ちつつ、１２％次亜塩素酸水溶液３
４．３ｇ（５５．２ｍｍｏｌ）を30分を要して滴下し
た。滴下終了後，室温でさらに３時間攪拌した後、反応
溶液に水１５０ｍｌを添加して反応を終了させた。反応
溶液からジクロロメタン層を分取し、水（２００ｍｌ）
で２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）
で１回、さらに水（２００ｍｌ）で２回順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留
去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒としたシ
リカゲルクロマトグラフィーにて精製した後、ヘプタン
から再結晶して無色結晶８．０ｇを得た。これが４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシ
ル）−１−ブテニル）シクロヘキサノンである。
【０１４２】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメト
キシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド１３．７
ｇ（４０．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍｌに溶解し、
アセトン−ドライアイス冷媒下−３０℃以下まで冷却し
た後、カリウム−ｔ−ブトキシド４．７ｇ（４２．１ｍ
ｍｏｌ）を添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪
拌した。次いで４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−エ
テニルシクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ノン８．０ｇ（３０．８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに
溶解した溶液を同温度を保ちながら２０分を要して滴下
した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに４時
間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加し反
応を終了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）で２回抽出
した。トルエン層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留
去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒としたシ
リカゲルクロマトグラフィーにて精製し、黄褐色結晶
７．５ｇを得た。
【０１４３】冷却管を備えた３００ｍｌのナス型フラス
コ中で、上記の操作で得られた黄褐色結晶７．５ｇをト
ルエン５０ｍｌに溶解し、９９％酸６．３ｇ（１３５．
０ｍｍｏｌ）を添加した後、２時間加熱還流した。反応
溶液を室温まで冷却した後、水１００ｍｌを添加し、有
機層を分取した。さらに水層をトルエン１００ｍｌで抽
出して有機層に合せた。有機層を水（１００ｍｌ）で２
回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）で１
回、さらに水（１００ｍｌ）で２回順次洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮
して黄褐色結晶６．９ｇを得た。これが４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）−１−
ブテニル）シクロヘキシルカルバルデヒドある。
【０１４４】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
５００ｍｌの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメチ
ルトリフェニルホスホニウムヨージド１３．４ｇ（３
３．１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ６０ｍｌに溶解し、アセトン
−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カ
リウム−ｔ−ブトキシド３．９ｇ（３４．８ｍｍｏｌ）
を添加し，−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。
次いで４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−エテニルシ
クロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキシルカルバ
ルデヒド６．９ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）を３０ｍｌのＴ
ＨＦに溶解した溶液を同温度を保ちながら２０分を要し
て滴下した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さら
に４時間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添
加して反応を終了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）で
２回抽出した。トルエン層を水（１００ｍｌ）で３回洗
浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒
を留去、濃縮した。濃縮残査をヘプタンを展開溶媒とし
たシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、無色結晶
６．２ｇを得た。得られた結晶はヘプタンから再結晶し
て精製し、標題化合物であるトランス−１−エテニル−
４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−エテニルシクロヘ
キシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン２．８ｇを得
た。1Ｈ−ＮＭＲおよびＧＣ−ＭＳの測定結果は本化合
物の構造を強く支持した。 ＧＣ−ＭＳ Ｍ+２７２
【０１４５】出発物質あるいは反応試薬を種々選択する
ことにより、上記製造方法に準じて操作して以下の化合
物が製造できる。 トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（（Ｅ）−１−プロペニル）シクロヘキシル）
−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１４４） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（（Ｅ）−１−ブテニル）シクロヘキシル）−
１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１４５） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（（Ｅ）−１−ペンテニル）シクロヘキシル）
−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１４６） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（（Ｚ）−２−プロペニル）シクロヘキシル）
−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（（Ｚ）−２−ブテニル）シクロヘキシル）−
１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（（Ｅ）−３−ブテニル）シクロヘキシル）−
１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１４７） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）
−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.１４８）
【０１４６】トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニ
ル）−４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−
１−プロペニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シ
クロヘキサン（Ｎｏ.１４９） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−１−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン
（Ｎｏ.１５０） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−１−ペンテ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.１５１） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｚ）−２−プロペ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｚ）−２−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン
（Ｎｏ.１５２） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ペンテ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.１５３）
【０１４７】トランス−１−（（Ｅ）−３−ブテニル）
−４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−１−
プロペニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロ
ヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−１−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−１−ペンテ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン トランス−１−（（Ｅ）−３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｚ）−２−プロペ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン トランス−１−（（Ｅ）−３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｚ）−２−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン
（Ｎｏ.１６１） トランス−１−（（Ｅ）−３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ペンテ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.１６２）
【０１４８】トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニ
ル）−４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−
１−プロペニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シ
クロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−１−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−１−ペンテ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｚ）−２−プロペ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｚ）−２−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ブテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ペンテ
ニル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.１６３）
【０１４９】実施例５ トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（化合物Ｎｏ.
２１３） （一般式（Ｉ）においてｍ＝１、ｎ＝ｉ＝０、環Ａ1が
１、４−シクロヘキシレン基、Ｚ1が単結合、Ｒ1がｎ−
プロピル基、Ｚ3が−（ＣＨ2）4−、Ｒ2が３−ブテニル
基であるもの）の製造：攪拌機、温度計および窒素導入
管を備えた１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲
気下１、３−ジオキソラン−２−イル）エチル］トリフ
ェニルホスホニウムブロミド３２．０ｇ（７２．２ｍｍ
ｏｌ）をＴＨＦ３００ｍｌに懸濁させ、アセトン−ドラ
イアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリウム
−ｔ−ブトキシド８．５ｇ（７５．８ｍｍｏｌ）を添加
し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次いで
４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキ
サノン２０．０ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍ
ｌに溶解した溶液を同温度を保ちながら２０分を要して
滴下した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに
４時間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加
して反応を終了させた後、トルエン（１５０ｍｌ）で３
回抽出した。トルエン層を水（１００ｍｌ）で３か洗浄
した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を
留去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒とした
シリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、黄褐色結晶
２０．７ｇを得た。
【０１５０】攪拌機を備えた１リットルの三つ口フラス
コ中で、上記の操作で得た黄褐色結晶２０．７ｇをトル
エン／エタノール＝１／１混合溶媒１５０ｍｌに溶解
し、５％−パラジウム炭素触媒１．９ｇを添加し、室温
下水素圧５〜１０ｋｇ／ｃｍ2で接触水素還元を５時間
行った。触媒をろ別した反応溶液から減圧下溶媒を留
去、濃縮した。濃縮残査を冷却管を備えた３００ｍｌの
ナス型フラスコ中でトルエン２００ｍｌに溶解し、９９
％ぎ酸１０．７ｇ（２３．０ｍｍｏｌ）を添加し２時間
加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水１０
０ｍｌを添加し、有機層を分離した。さらに水層をトル
エン２００ｍｌで抽出し、有機層に合せた。有機層を水
（１００ｍｌ）で２回）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液（５０ｍｌ）で１回、さらに水（１００ｍｌ）で２回
順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下溶媒を留去、濃縮して黄褐色結晶１５．２ｇを得た。
これが４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）シク
ロヘキシルプロパン−３−アルである。
【０１５１】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメチ
ルトリフェニルホスフィンヨージド１９．９ｇ（４９．
１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ６０ｍｌに懸濁させ、アセトン−
ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリ
ウム−ｔ−ブトキシド５．８ｇ（５１．６ｍｍｏｌ）を
添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次
いで上記操作で得た４−（４−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）
ブチル）シクロヘキシルプロパン−３−アル１５．２ｇ
（５１．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍｌに溶解した溶液
を同温度を保ちながら１５分を要して滴下した後、１時
間を要して室温まで昇温させ、さらに４時間室温で攪拌
した。反応溶液に水１００を添加して反応を終了させた
後、トルエン（１００ｍｌ）)で３回抽出した。トルエ
ン層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃
縮残査をヘプタンを展開溶媒としたシリカゲルクロマト
グラフィーにて精製し、さらにヘプタンより再結晶して
精製することで無色結晶物５．５ｇを得た。これが標題
化合物トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−
（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサンであ
る。1Ｈ−ＮＭＲおよびＧＣ−ＭＳの測定結果は本化合
物の構造を強く支持した。 ＧＣ−ＭＳ： Ｍ+２７２
【０１５２】上記製造方法における４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサノンに代えてアル
キル基の鎖長の異なるを４−（４−（トランス−４−
（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル）ブチル）シクロヘキサノン用い、上記製造方法に
準じて操作することにより以下の化合物が製造できる。 トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２１２） トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２１
４） トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−オクチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ノニルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（４−（トラン
ス−４−（トランス−４−デシルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン
【０１５３】トランス−１−エテニル−４−（４−（ト
ランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２０
０） トランス−１−エテニル−４−（４−（トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２０１） トランス−１−エテニル−４−（４−（トランス−４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２０２） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（４
−（トランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２０３） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（４
−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２０４） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−（４
−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２０５） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（４
−（トランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２１５） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（４
−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２１６） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−（４
−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２１７）
【０１５４】実施例６ トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン（化合
物Ｎｏ.２３７） （一般式（Ｉ）においてｍ＝１、ｎ＝ｉ＝０、環Ａ1が
１、４−シクロヘキシレン基、Ｚ1が単結合、Ｒ1がｎ−
プロピル基、Ｚ3が−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−、Ｒ2が
エテニル基であるもの）の製造:攪拌機、温度計および
窒素導入管を備えた２リットルの三つ口フラスコ中で、
窒素雰囲気下に１−（トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピルト
リフェニルホスフィンヨージド１６４．６ｇ（２５８．
０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５００ｍｌに懸濁させ、アセトン
−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カ
リウム−ｔ−ブトキシド３０．４ｇ（２７１．０ｍｍｏ
ｌ）を添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌し
た。次いで４−ホルミルシクロヘキサノン２５．０ｇ
（１９８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍｌに溶解した溶液
を同温度を保ちながら５０分を要して滴下した後、１時
間を要して室温まで昇温させ、さらに４時間室温で攪拌
した。反応溶液に水５００ｍｌを添加して反応を終了さ
せた後、トルエン（３００ｍｌ）で３抽出した。トルエ
ン層を水（５００ｍｌ）で３回洗浄した後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃
縮残査をそのままトルエンを展開溶媒としたシリカゲル
クロマトグラフィーにて精製し、黄褐色結晶６３．１ｇ
を得た。
【０１５５】冷却管を備えた１リットルのナス型フラス
コ中で、上記操作で得た黄褐色結晶６３．１ｇをトルエ
ン／エタノールの１／１混合溶媒４００ｍｌに溶解し、
ベンゼンスルフィン酸ナトリウム４３．３ｇおよび６規
定塩酸４４．０ｍｌを添加した後、１０時間加熱環流を
行った。反応液を室温まで冷却した後、水３００ｍｌを
添加し反応を終了した。反応溶液はトルエン（３００ｍ
ｌ）で２回抽出した。トルエン層を水（２００ｍｌ）で
２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（２５０ｍｌ）で
１回液、さらに水（３００ｍｌ）で２回順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留
去、濃縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒としたシ
リカゲルクロマトグラフィーにて精製した後、ヘプタン
から再結晶して無色結晶４３．５ｇを得た。これが４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサノンである。
【０１５６】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメト
キシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド５３．９
ｇ（１５７．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解
し、アセトン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷
却した後、カリウム−ｔ−ブトキシド１８．５ｇ（１６
５．０ｍｍｏｌ）を添加し、−３０℃以下を保ちながら
２時間攪拌した。次いで４−（（Ｅ）−４−（トランス
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサノン４３．
５ｇ（１２１．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解
した溶液を同温度を保ちながら５０分を要して滴下した
後、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに４時間室
温で攪拌した。反応溶液に水３００ｍｌを添加し反応を
終了させた後、トルエン（２５０ｍｌ）で２回抽出し
た。トルエン層を水（２００ｍｌ）で３回洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃
縮した。濃縮残査をトルエンを展開溶媒としたシリカゲ
ルクロマトグラフィーにて精製して、黄褐色結晶４０．
３ｇを得た。
【０１５７】冷却管を備えた１リットルのナス型フラス
コ中で、上記操作で得られた黄褐色結晶４０．３ｇをト
ルエン３００ｍｌに溶解し、９９％ぎ酸２４．６ｇ（５
３５．０っもｌ）を添加し２時間加熱還流した。反応溶
液を室温まで冷却した後、水２００ｍｌを添加し、有機
層を分取した。さらに水層をトルエン３００ｍｌで抽出
し、有機層に合せた。有機相を水（２００ｍｌ）で２
回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）で１
回液、さらに水（２００ｍｌ）で２回順次洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃
縮して黄褐色結晶３５．８ｇを得た。これが４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキシルカルバルデヒドである。
【０１５８】攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた
１リットルの三つ口フラスコ中で、窒素雰囲気下にメチ
ルトリフェニルホスホニウムヨージド５０．６ｇ（１２
５．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、アセト
ン−ドライアイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、
カリウム−ｔ−ブトキシド１４．７ｇ（１３１．０ｍｍ
ｏｌ）を添加し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌
した。次いで４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル）−１−ブテニル）シクロヘキシルカルバルデヒド３
５．８ｇ（９６．３ｍｍｏｌ）をのＴＨＦ１００ｍｌに
溶解した溶液を同温度を保ちながら３０分を要して滴下
した後、１時間を要して室温まで昇温させ、さらに４時
間室温で攪拌した。反応溶液に水２００ｍｌを添加して
反応を終了させた後、トルエン（２５０ｍｌ）で２回抽
出した。トルエン層を水（２００ｍｌ）で３回洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留
去、濃縮した。濃縮残査をヘプタンを展開溶媒としたシ
リカゲルクロマトグラフィーにて精製し、無色結晶３
１．７ｇを得た。得られた結晶をヘプタンから再結晶に
より精製し、標題化合物であるトランス−１−エテニル
−４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブ
テニル）シクロヘキサンを得た。1Ｈ−ＮＭＲおよびＧ
Ｃ−ＭＳの測定結果は本化合物の構造を強く支持した。 ＧＣ−ＭＳ： Ｍ+３７０
【０１５９】上記製造方法で用いた１−（トランス−４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル）プロピルトリフェニルホスフィンヨージドに代
えてアルキル基の鎖長の異なる１−（トランス−４−
（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル）プロピルトリフェニルホスフィンヨージドを用
い、上記製造方法に準じて操作することにより以下の化
合物が製造できる。 トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.
２３６） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２３８） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−オクチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ノニルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−デシルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン
【０１６０】上記製造方法における出発物質あるいは反
応試薬を種々選択し、上記製造方法に準じて操作するこ
とにより以下の化合物が製造できる。 トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.２３９） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２４０） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２４１） トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.２４２） トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２４３） トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２４４）
【０１６１】トランス−１−（３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.２４８） トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.２４９） トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.２５０） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.２５１） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２５２） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２５３）
【０１６２】トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−
４−（トランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキ
サン（Ｎｏ.２１８） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２１９） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（トラン
ス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎ
ｏ.２２０）
【０１６３】トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニ
ル）−４−（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス
−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２２１） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２２２） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２２３） トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.２２４） トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２２５） トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２２６）
【０１６４】トランス−１−（３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.２３０） トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.２３１） トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサ
ン（Ｎｏ.２３２） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニル）
シクロヘキサン（Ｎｏ.２３３） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２３４） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.２３５）
【０１６５】実施例７ トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（化合物Ｎｏ.３０７） （一般式（Ｉ）においてｍ＝１、ｎ＝ｉ＝０、環Ａ1が
１，４−シクロヘキシレン基、Ｚ1が−ＣＨ＝ＣＨ−、
Ｒ1がｎ−プロピル基、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ2）2
−、Ｒ2がエテニル基であるもの）の製造：攪拌機、温
度計および窒素導入管を備えた１リットルの三つ口フラ
スコ中で、窒素雰囲気下にトランス−４−プロピルシク
ロヘキシルメチルヨージド３７．６ｇ（７１．２ｍｍｏ
ｌ）をＴＨＦ２００ｍｌに懸濁させ、アセトン−ドライ
アイス冷媒で−３０℃以下まで冷却した後、カリウム−
ｔ−ブトキシド８．４ｇ（７４．７ｍｍｏｌ）を添加
し、−３０℃以下を保ちながら２時間攪拌した。次いで
実施例４記載の方法にて製造した４−（（Ｅ）−４−
（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）−１−ブテ
ニル）シクロヘキシルカルバルデヒド１５．０ｇ（５
４．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ６０ｍｌに溶解した溶液を同
温度を保ちながら１５分を要して滴下した後、３０分を
要して室温まで昇温させ、さらに４時間室温で攪拌し
た。反応溶液に水１００ｍｌを添加し反応を終了させた
後、トルエン（１５０ｍｌ）で３回抽出した。トルエン
層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮した。濃縮
残査をヘプタンを展開溶媒としたシリカゲルクロマトグ
ラフィーにて精製し、無色結晶１３．７ｇを得た。
【０１６６】冷却管を備えた５００ｍｌのナス型フラス
コ中で、上記操作で得た無色結晶１３．７ｇをトルエン
／エタノールの１／１混合溶媒１００ｍｌに溶解し、ベ
ンゼンスルフィン酸ナトリウム８．５ｇおよび６規定塩
酸８．６ｍｌを添加し、１０時間加熱環流を行った。反
応液を室温まで冷却した後、水１００ｍｌを添加して反
応を終了させた。反応溶液はトルエン（１００ｍｌ）で
２回抽出した。トルエン層を水（１００ｍｌ）で２回、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）で１回、さ
らに水（１００ｍｌ）で２回順次洗浄した後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去、濃縮した。
濃縮残査をヘプタンを展開溶媒としたシリカゲルクロマ
トグラフィーにて精製した後、ヘプタンから再結晶を繰
り返して無色結晶状の標題化合物であるトランス−１−
エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トラン
ス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エ
テニル）シクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキ
サン２．１ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲおよびＧＣ−ＭＳの
測定結果は本化合物の構造を強く支持した。 ＧＣ−ＭＳ： Ｍ+３９６
【０１６７】上記製造方法で用いたトランス−４−プロ
ピルシクロヘキシルメチルヨージドに代えてアルキル基
の鎖長の異なるトランス−４−アルキルシクロヘキシル
メチルヨージドを用い、上記製造方法に準じて操作する
ことにより以下の化合物が製造できる。 トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−メチルシクロ
ヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−エチルシクロ
ヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３０６） トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−ブチルシクロ
ヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−ヘキシルシク
ロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン
【０１６８】トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−
４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）
−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−オクチルシク
ロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−ノニルシクロ
ヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−デシルシクロ
ヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−ブテニ
ル）シクロヘキサン
【０１６９】上記製造方法における出発物質あるいは反
応試薬を種々選択し、上記製造方法に準じて操作するこ
とにより以下の化合物が製造できる。 トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−エチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘ
キシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−エチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘ
キシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン
【０１７０】トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）
−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）
シクロヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３−
ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−３
−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−エチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘ
キシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−３−ブテニル）シクロヘキサン
【０１７１】トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−
４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トランス−４−
エチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−
１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−１−エテニル−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−１−ブテニ
ル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−エチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘ
キシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３０
８） トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３
０９）
【０１７２】トランス−１−（（Ｅ）−１−プロペニ
ル）−４−（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニ
ル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−エチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘ
キシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−１−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−１−
ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３１０）
【０１７３】トランス−１−（３−ブテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（３−ブテニル）−４−（（Ｅ）−４−
（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）−１
−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−エチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘ
キシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン（Ｎｏ.３
１１） トランス−１−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−４−
（（Ｅ）−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）シクロ
ヘキシル）−１−ブテニル）シクロヘキサン
【０１７４】 実施例８（使用例１） ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２４％（重 量、以下同じ） ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３６％ ４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２５％ ４−（４ープロピルフェニル）ベンゾニトリル １５％ なる組成のネマチック液晶組成物の透明点（Ｃｐ）は７
２．４℃である。この液晶組成物をセル厚９μｍのＴＮ
セル（ねじれネマチックセル）に封入したものの動作し
きい値電圧（Ｖth）は１．７８Ｖ、誘電率異方性値（△
ε）は＋１１．０、屈折率異方性値（△ｎ）は０．１３
７、また２０℃における粘度（η20）は２７．０ｍＰａ
・ｓであった。この液晶組成物を母液晶（以下母液晶Ａ
と略す）とし、その８５重量部に実施例１に示した１−
エテニル−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（化合物Ｎｏ．５）
１５重量部を混合した。この混合物の物性値を測定した
結果、Ｃｐ：７１．５℃、Ｖth：１．７８Ｖ、△ε：
９．４、△ｎ：０．１２０、η20：２０．１ｍＰａ・ｓ
であった。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに
４０日間放置したが結晶の析出は認められなかった。
【０１７５】実施例９（使用例２） 実施例８に示した母液晶Ａの８５重量部と実施例１に示
した１−エテニル−４−（４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサン（化合物Ｎ
ｏ．３）１５重量部とを混合した。この混合物の物性値
を測定した結果、Ｃｐ：６５．７℃、Ｖth：１．７６
Ｖ、△ε：９．３、△ｎ：０．１２１、η20：１９．８
ｍＰａ・ｓであった。また、この組成物を−２０℃のフ
リーザーに４０日間放置したが結晶の析出は認められな
かった。
【０１７６】比較例 本発明の化合物と比較する化合物として、従来の技術の
項に示した特開昭６１−８３１３６号公報に記載の化合
物であるトランス−４−（トランス−４−（３（Ｅ）−
ペンテニル）シクロヘキシル）プロピルシクロヘキサン
（ａ−１）およびトランス−４−（トランス−４−（１
（Ｅ）−ペンテニル）シクロヘキシル）エチルシクロヘ
キサン（ａ−２）を同公報に記載された方法にしたがっ
て合成した。
【０１７７】
【化７５】
【０１７８】前記母液晶Ａを８５重量部と上記化合物
（ａ−１）および（ａ−２）の１５重量部とを混合した
液晶組成物をそれぞれ調製し、物性値を測定した。また
相溶性を判断する目的で、調製したそれぞれの液晶組成
物を−２０℃のフリーザー中に放置し、放置開始から液
晶組成物中に結晶（固体）が析出するまでの時間を測定
した。実施例９の測定結果と合わせて物性値を表１に示
す。
【０１７９】
【表１】
【０１８０】表１から判るように本発明の化合物（Ｎ
ｏ．３）を用いた組成物は透明点が高いわりには粘性が
非常に小さく、母液晶に対し１５％の添加で母液晶Ａよ
り粘度を約３割程度も低下させており、化合物（Ｎｏ．
３）は減粘剤として非常に優れた化合物であることが判
る。また、弾性定数比においても化合物（ａ−１）およ
び（ａ−２）を用いた組成物と比較し若干大きな値を有
する。さらに相溶性については、化合物（ａ−１）及び
（ａ−２）から調製した液晶組成物では−２０℃のフリ
ーザー中では３週間以内に結晶（固体）の析出が認めら
れたのに対し、本発明の化合物より調製した液晶組成物
では４０日以上にわたって結晶の析出は認められず、本
発明の化合物が非常に良好な低温相溶性を示すことが判
る。従来の技術の項にも記載したように、液晶性化合物
は通常液晶組成物として使用されるので、その相溶性は
重要な特性であるが、中でも低温における相溶性は温度
変化の著しい航空機用、車載用等に使用される液晶表示
素子においては最も重要視される特性である。上記比較
試験から判るように、本発明の化合物は著しく優れた低
温相溶性を有すると共に大きな弾性定数比を示し、かつ
非常に低粘性であるこという、類似構造の他の化合物に
は見られない特徴を有する。
【０１８１】本発明の化合物の使用例（使用例３〜２
２）を以下に示す。尚、下記使用例中の化合物は次表に
示す取り決めに従い略号で示した。また、使用例中に記
載のＴNIはネマチック−等方性液体転移温度（℃）、η
は粘度（ｍＰａ・ｓ）、△ｎは屈折率異方性値、△εは
誘電率異方性値、Ｖｔｈはしきい値電圧（Ｖ）を示す。
【０１８２】
【表２】
【０１８３】使用例３ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ５．０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３−ＨＢ−Ｃ ２５．０％ １−ＢＴＢ−３ ５．０％ ２−ＢＴＢ−１ １０．０％ ３−ＨＨ−４ ６．０％ ３−ＨＨＢ−１ １１．０％ ３−ＨＨＢ−３ ９．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６．０％ ＴNI＝８７．８（℃） η＝１５．０（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１６１ Δε＝７．１ Ｖth＝２．１０（Ｖ）
【０１８４】使用例４ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ４．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ４．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−５（化合物Ｎｏ.５） ２．０％ Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １２．０％ １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １２．０％ ３−ＨＢ−Ｃ ２４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ２−ＢＴＢ−１ ２．０％ ３−ＨＨ−４ ４．０％ ２−ＨＨＢ−Ｃ ３．０％ ３−ＨＨＢ−Ｃ ６．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ８．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４．０％ ＴNI＝８５．２（℃） η＝１８．２（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１５２ Δε＝８．６ Ｖth＝２．００（Ｖ）
【０１８５】使用例５ Ｖ−Ｈ４Ｈ−５（化合物Ｎｏ.５） ３．０％ ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １５．０％ ４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １３．０％ ５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １３．０％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ １５．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ １５．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ ４．０％ ３−ＨＨＢ−１ ５．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４．０％ ＴNI＝８９．０（℃） η＝８６．０（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１４７ Δε＝３０．８ Ｖth＝０．８６（Ｖ）
【０１８６】使用例６ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ５．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ５．０％ ５−ＰｙＢ−Ｆ ４．０％ ３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ ４．０％ ２−ＢＢ−Ｃ ５．０％ ４−ＢＢ−Ｃ ４．０％ ５−ＢＢ−Ｃ ５．０％ ２−ＰｙＢ−２ ２．０％ ３−ＰｙＢ−２ ２．０％ ４−ＰｙＢ−２ ２．０％ ６−ＰｙＢ−Ｏ５ ３．０％ ６−ＰｙＢ−Ｏ６ ３．０％ ３−ＰｙＢＢ−Ｆ ６．０％ ４−ＰｙＢＢ−Ｆ ６．０％ ５−ＰｙＢＢ−Ｆ ６．０％ ３−ＨＨＢ−１ ６．０％ ３−ＨＨＢ−３ ４．０％ ２−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％ ２−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４．０％ ２−Ｈ２ＢＴＢ−４ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ５．０％ ＴNI＝８７．６（℃） η＝３０．２（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１９２ Δε＝６．０ Ｖth＝２．３５（Ｖ）
【０１８７】使用例７ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ４．０％ ３−ＤＢ−Ｃ １０．０％ ４−ＤＢ−Ｃ １０．０％ ２−ＢＥＢ−Ｃ １２．０％ ３−ＢＥＢ−Ｃ ４．０％ ３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＥＢ−Ｏ４ ４．０％ ４−ＨＥＢ−Ｏ２ ６．０％ ５−ＨＥＢ−Ｏ１ ６．０％ ３−ＨＥＢ−Ｏ２ ５．０％ ５−ＨＥＢ−Ｏ２ ４．０％ ５−ＨＥＢ−５ ５．０％ ４−ＨＥＢ−５ ５．０％ １Ｏ−ＢＥＢ−２ ４．０％ ３−ＨＨＢ−１ ６．０％ ３−ＨＨＥＢＢ−Ｃ ３．０％ ３−ＨＢＥＢＢ−Ｃ ３．０％ ５−ＨＢＥＢＢ−Ｃ ３．０％ ＴNI＝６８．４（℃） η＝３７．９（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１１９ Δε＝１１．４ Ｖth＝１．３１（Ｖ）
【０１８８】使用例８ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ５．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−５（化合物Ｎｏ.５） ２．０％ ３−ＨＢ−Ｃ １８．０％ ７−ＨＢ−Ｃ ３．０％ １Ｏ１−ＨＢ−Ｃ １０．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ １０．０％ ２−ＰｙＢ−２ ２．０％ ３−ＰｙＢ−２ ２．０％ ４−ＰｙＢ−２ ２．０％ １Ｏ１−ＨＨ−３ ３．０％ ２−ＢＴＢ−Ｏ１ ７．０％ ３−ＨＨＢ−１ ７．０％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ４．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４．０％ ３−ＨＨＢ−３ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ３．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ３．０％ ２−ＰｙＢＨ−３ ４．０％ ３−ＰｙＢＨ−３ ３．０％ ３−ＰｙＢＢ−２ ３．０％ ＴNI＝７６．２（℃） η＝１６．９（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１３７ Δε＝７．９ Ｖth＝１．７７（Ｖ）
【０１８９】使用例９ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ５．０％ ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １２．０％ ５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４．０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０．０％ ３−ＨＨ−ＥＭｅ ５．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ １５．０％ ７−ＨＥＢ−Ｆ ３．０％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ３．０％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ３．０％ ３−ＨＢＥＢ−Ｆ ４．０％ ２Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ２．０％ ３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４．０％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ４．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４．０％ ３−ＨＨＢ−３ １３．０％ ３−ＨＥＢＥＢ−Ｆ ２．０％ ３−ＨＥＢＥＢ−１ ２．０％ ＴNI＝７３．９（℃） η＝３４．１（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１０７ Δε＝２３．４ Ｖth＝０．９９（Ｖ）
【０１９０】使用例１０ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ４．０％ ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １２．０％ ５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４．０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １６．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ６．０％ ３−ＨＨ−４ ３．０％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ３．０％ ３−ＨＨＢ−１ ８．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４．０％ ３−ＨＢＥＢ−Ｆ ４．０％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７．０％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ７．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５．０％ ＴNI＝９０．１（℃） η＝４０．６（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１４２ Δε＝２８．１ Ｖth＝１．００（Ｖ）
【０１９１】使用例１１ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ５．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ４．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−５（化合物Ｎｏ.５） ３．０％ ２−ＢＥＢ−Ｃ １２．０％ ３−ＢＥＢ−Ｃ ４．０％ ４−ＢＥＢ−Ｃ ６．０％ ３−ＨＢ−Ｃ ２８．０％ ３−ＨＥＢ−Ｏ４ ５．０％ ４−ＨＥＢ−Ｏ２ ４．０％ ５−ＨＥＢ−Ｏ１ ４．０％ ３−ＨＥＢ−Ｏ２ ６．０％ ５−ＨＥＢ−Ｏ２ ５．０％ ３−ＨＨＢ−１ １０．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４．０％ ＴNI＝６１．２（℃） η＝２２．７（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１０８ Δε＝９．８ Ｖth＝１．３６（Ｖ）
【０１９２】使用例１２ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ５．０％ ２−ＢＥＢ−Ｃ １０．０％ ５−ＢＢ−Ｃ １２．０％ ７−ＢＢ−Ｃ ７．０％ １−ＢＴＢ−３ ７．０％ ２−ＢＴＢ−１ １０．０％ １Ｏ−ＢＥＢ−２ ５．０％ １Ｏ−ＢＥＢ−５ １２．０％ ２−ＨＨＢ−１ ４．０％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ４．０％ ３−ＨＨＢ−１ ７．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４．０％ ３−ＨＨＢ−３ １３．０％ ＴNI＝６６．９（℃） η＝１７．８（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１５６ Δε＝５．９ Ｖth＝１．８７（Ｖ）
【０１９３】使用例１３ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １０．０％ Ｖ−ＨＢ−Ｃ １０．０％ １Ｖ−ＨＢ−Ｃ １０．０％ ２−ＢＴＢ−Ｏ１ ８．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ８．０％ Ｖ２−ＨＨ−３ ５．０％ Ｖ−ＨＨ−４ ５．０％ Ｖ−ＨＨＢ−１ １０．０％ １Ｖ２−ＨＢＢ−２ １０．０％ ３−ＨＨＢ−１ １０．０％ ＴNI＝６５．３（℃） η＝１７．２（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１２６ Δε＝９．４ Ｖth＝１．４７（Ｖ）
【０１９４】使用例１４ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ５．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ５．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−５（化合物Ｎｏ.５） ３．０％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％ ５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％ ２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ８．８％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４．４％ ５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ８．８％ ２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ＴNI＝８９．４（℃） η＝２１．３（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．０８３ Δε＝４．４ Ｖth＝２．３７（Ｖ）
【０１９５】使用例１５ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ６．０％ ７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＨ−４ ２．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ７．０％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ３．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ３．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＨＢ−１ ８．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５．０％ ３−ＨＨＢ−３ ４．０％ ＴNI＝８６．３（℃） η＝１８．９（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．０９１ Δε＝３．２ Ｖth＝２．６９（Ｖ）
【０１９６】使用例１６ Ｖ−Ｈ４Ｈ−５（化合物Ｎｏ.５） ３．０％ ７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ４．０％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １６．０％ ２−ＨＢＢ−Ｆ ４．０％ ３−ＨＢＢ−Ｆ ４．０％ ５−ＨＢＢ−Ｆ ３．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ＴNI＝８５．８（℃） η＝２５．１（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１１５ Δε＝５．６ Ｖth＝２．０３（Ｖ）
【０１９７】使用例１７ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ５．０％ ７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２．０％ ４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５．０％ ５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２．０％ ＴNI＝７０．９（℃） η＝２５．７（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．０８３ Δε＝８．１ Ｖth＝１．６３（Ｖ）
【０１９８】使用例１８ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ３．０％ ３−ＨＢ−ＣＬ １０．０％ ５−ＨＢ−ＣＬ ４．０％ ７−ＨＢ−ＣＬ ４．０％ １Ｏ１−ＨＨ−５ ２．０％ ２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ８．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ８．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １４．０％ ４−ＨＨＢ−ＣＬ ８．０％ ５−ＨＨＢ−ＣＬ ８．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ ４．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２ ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３ ４．０％ ＴNI＝９０．８（℃） η＝２０．５（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１２９ Δε＝４．９ Ｖth＝２．３２（Ｖ）
【０１９９】使用例１９ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ４．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％ ４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％ ５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２１．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２０．０％ ３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％ ５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ２．０％ ３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ２．０％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４．０％ ＴNI＝９１．６（℃） η＝３３．２（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１１２ Δε＝８．７ Ｖth＝１．７９（Ｖ）
【０２００】使用例２０ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ５．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ５．０％ ５−ＨＢ−Ｆ ５．０％ ６−ＨＢ−Ｆ ６．０％ ７−ＨＢ−Ｆ ７．０％ ２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７．０％ ３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ １１．０％ ４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７．０％ ５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ５．０％ ３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４．０％ ５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ ５．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ３．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ ３．０％ ５−ＨＢＢＨ−３ ３．０％ ＴNI＝９１．２（℃） η＝１５．８（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．０９３ Δε＝４．４ Ｖth＝２．４３（Ｖ）
【０２０１】使用例２１ Ｖ−Ｈ４Ｈ−３（化合物Ｎｏ.３） ３．０％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％ ５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％ ２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％ ３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２５．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １９．０％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ２．０％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ５．０％ ＴNI＝８９．７（℃） η＝３２．８（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．１３２ Δε＝７．２ Ｖth＝１．９２（Ｖ）
【０２０２】使用例２２ Ｖ−Ｈ４Ｈ−２（化合物Ｎｏ.２） ２．０％ Ｖ−Ｈ４Ｈ−５（化合物Ｎｏ.５） ２．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％ ４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２０．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２３．０％ ３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４．０％ ４−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２．０％ ５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２．０％ ３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５．０％ ４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４．０％ ５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ＴNI＝７３．２（℃） η＝３２．４（ｍＰａ・s） Δｎ＝０．０９７ Δε＝１１．１ Ｖth＝１．３５（Ｖ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/42 Ｃ０９Ｋ 19/42 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 蜂谷 典久 千葉県市原市青葉台２丁目５番地 (72)発明者 中川 悦男 千葉県市原市五井8890番地

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中Ｒ1およびＲ2は直鎖もしくは分岐の、炭素数１〜
    １５のアルキル基または炭素数２〜１５のアルケニル基
    を示し、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方がアルケニル基
    であり、これらの基において１個または隣接しない２個
    以上のＣＨ2基を酸素原子、硫黄原子または−Ｃ≡Ｃ−
    基で置換されていてもよく、環Ａ1、環 Ａ2および環Ａ3
    は相互に独立して環上の１個以上のＣＨ2基が酸素原子
    あるいは 硫黄原子で置換されていてもよい１，４−シ
    クロヘキシレン基、または環上の１個以上のＣＨ基が窒
    素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を
    示し、Ｚ1、Ｚ2は相互に独立して−ＣＨ2ＣＨ2−、−Ｃ
    Ｈ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−ま
    たは単結合を示し、Ｚ3は−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ＝ Ｃ
    Ｈ−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2−また
    は−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−を示し、ｍ、ｎおよびｉ
    は相互に独立して０または１である）で表されるアルケ
    ニルシクロヘキサン誘導体。
  2. 【請求項２】 一般式（１）において、ｍ＝ｎ＝ｉ＝０
    である請求項１に記載の化合物。
  3. 【請求項３】 一般式（１）においてＲ1がアルキル
    基、Ｒ2がアルケニル基であり、Ｚ3が−（ＣＨ2）4−で
    ある請求項２に記載の化合物。
  4. 【請求項４】 一般式 （１）においてＲ1がアルキル
    基、Ｒ2がアルケニル基であり、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−
    （ＣＨ2）2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−である
    請求項２に記載の化合物。
  5. 【請求項５】 一般式（１）においてｍ＝１、ｎ＝ｉ＝
    ０である請求項１に記載の化合物。
  6. 【請求項６】 一般式（１）においてＲ1がアルキル
    基、Ｒ2がアルケニル基であり、Ｚ3が−（ＣＨ2）4−で
    ある請求項５に記載の化合物。
  7. 【請求項７】 一般式 （１）においてＲ1がアルキル
    基、Ｒ2がアルケニル基を示し、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−
    （ＣＨ2）2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−である
    請求項５に記載の化合物。
  8. 【請求項８】 一般式（１）においてｍ＝ｎ＝１、ｉ＝
    ０である請求項１に記載の化合物。
  9. 【請求項９】 一般式（１）においてＲ1がアルキル
    基、Ｒ2がアルケニル基を示し、Ｚ3が−（ＣＨ2）4−で
    ある請求項８に記載の化合物。
  10. 【請求項１０】 一般式（１）においてＲ1がアルキル
    基、Ｒ2がアルケニル基を示し、Ｚ3が−ＣＨ＝ＣＨ−
    （ＣＨ2）2−または−（ＣＨ2）2−ＣＨ＝ＣＨ−である
    請求項８に記載の化合物
  11. 【請求項１１】一般式（１）で表される化合物を少なく
    とも１種類以上含有することを特徴とする、少なくとも
    ２成分以上からなる液晶組成物。
  12. 【請求項１２】第一成分として請求項１〜１０のいずれ
    かに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくと
    も１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、
    （３）および（４） 【化２】 （式中、Ｒ3は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｘ1
    はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ、ＣＦ3、ＣＦ2Ｈまた
    はＣＦＨ2を示し、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、およびＬ4は相互に
    独立してＨまたはＦを示し、Ｚ４およびＺ５は相互に独
    立して−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を
    示し、ａは１または２を示す。）からなる群から選択さ
    れる化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とす
    る液晶組成物。
  13. 【請求項１３】第一成分として、請求項１〜１０のいず
    れかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なく
    とも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）、
    （６）、（７）、（８）および（９） 【化３】 （式中、Ｒ4はＦ、炭素数１〜１０のアルキル基または
    炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、これらの基にお
    いて１個または隣接しない２個以上のメチレン基（−Ｃ
    Ｈ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていて
    もよく、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン
    基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイ
    ル基または１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を示
    し、環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、
    １，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイ
    ル基を示し、環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレ
    ン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ6は−（Ｃ
    Ｈ2）2−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、Ｌ5および
    Ｌ6は相互に独立してＨまたはＦを示し、ｂおよびｃは
    相互に独立して０または １を示し、 Ｒ5は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｌ7はＨまた
    はＦを示し、ｄは０または１を示し、 Ｒ6は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、環Ｄおよび
    環Ｅは相互に独立してトランス−１，４−シクロヘキシ
    レン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ7および
    Ｚ8は相互に独立して−ＣＯＯ−または単結合を示し、
    Ｚ9は−ＣＯＯ−または−Ｃ≡Ｃ−を示し、Ｌ8およびＬ
    9は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｘ2はＦ、ＯＣＦ
    3、ＯＣＦ2Ｈ、ＣＦ3、ＣＦ2ＨまたはＣＦＨ2を示す
    が、Ｘ2がＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ、ＣＦ3、ＣＦ2Ｈまたは
    ＣＦＨ2を示す場合はＬ8およびＬ9は共にＨを示し、
    ｅ、ｆおよびｇは相互に独立して０または１を示し、 Ｒ7およびＲ8は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキ
    ル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、これ
    らの基において１個または隣接しない２個以上のメチレ
    ン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換
    されていてもよく、環Ｇはトランス−１，４−シクロヘ
    キシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−
    ２，５−ジイル基を示し、環Ｈはトランス−１，４−シ
    クロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、
    Ｚ10は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ
    Ｈ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−または単結合を示し、Ｚ11は−ＣＯ
    Ｏ−または単結合を示し、 Ｒ9およびＲ10は相互に独立して炭素数１〜１０のアル
    キル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、こ
    れらの基において１個または隣接しない２個以上のメチ
    レン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置
    換されていてもよく、環Ｉはトランス−１，４−シクロ
    ヘキシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン
    −２，５−ジイル基を示し、環Ｊはトランス−１，４−
    シクロヘキシレン基、環上の１つ以上の水素原子がＦで
    置換されていてもよい１，４−フェニレン基またはピリ
    ミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｋはトランス−
    １，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン
    基を示し、Ｚ12およびＺ14は相互に独立して−ＣＯＯ
    −、−（ＣＨ2）2−または単結合を示し、Ｚ13は−ＣＨ
    ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−または単結合を示
    し、ｈは０または１を示す。）からなる群から選択され
    る化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする
    液晶組成物。
  14. 【請求項１４】 第一成分として、請求項１〜１０のい
    ずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少な
    くとも１種類含有し、第二成分の一部分として、一般式
    （２）、（３）および（４）からなる群から選択される
    化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分の他の部分
    として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）および
    （９）からなる群から選択される化合物を少なくとも１
    種類含有することを特徴とする液晶組成物。
  15. 【請求項１５】 請求項（１１）から（１４）のいずれ
    かに記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子
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