JPH1077474A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子及びその製造方法Info
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- JPH1077474A JPH1077474A JP9187789A JP18778997A JPH1077474A JP H1077474 A JPH1077474 A JP H1077474A JP 9187789 A JP9187789 A JP 9187789A JP 18778997 A JP18778997 A JP 18778997A JP H1077474 A JPH1077474 A JP H1077474A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はラビング工程を省略し、セル内にネ
マチック多重ドメインを形成し、光を遮断させ得る液晶
表示素子に関する。 【解決手段】 本発明の液晶表示素子は、光透過性両基
板間に所定の間隔を維持しつつ、前記の両基板間に形成
された液晶分子の配列を制御する電極が両基板上に形成
された液晶表示素子において、前記の液晶表示素子の液
晶は、高分子網状のネマチック液晶であることを特徴と
する。
マチック多重ドメインを形成し、光を遮断させ得る液晶
表示素子に関する。 【解決手段】 本発明の液晶表示素子は、光透過性両基
板間に所定の間隔を維持しつつ、前記の両基板間に形成
された液晶分子の配列を制御する電極が両基板上に形成
された液晶表示素子において、前記の液晶表示素子の液
晶は、高分子網状のネマチック液晶であることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の製
造方法に関するもので、特にセル内にネマチック多重ド
メインを形成して光を遮断することができる、液晶表示
素子及びその製造方法に関する。
造方法に関するもので、特にセル内にネマチック多重ド
メインを形成して光を遮断することができる、液晶表示
素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ（Ｔ
Ｎ）モード液晶は、低電圧、低消費電力、長寿命等の特
徴を有する液晶表示素子を製作することができるので、
最も広く利用されているが、このようなＴＮモード液晶
を配向するため、上、下板を９０度ラビングする場合、
静電気や欠点等が発生され、画素を破壊する問題があ
る。このような問題を解決するため、高分子の中にネマ
チック液晶玉(droplet) を分散させて液晶表示素子に応
用するＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)
が、特開昭５８−５０１６３２号と、米国特許４，４３
５，０４７号に提案されている。
Ｎ）モード液晶は、低電圧、低消費電力、長寿命等の特
徴を有する液晶表示素子を製作することができるので、
最も広く利用されているが、このようなＴＮモード液晶
を配向するため、上、下板を９０度ラビングする場合、
静電気や欠点等が発生され、画素を破壊する問題があ
る。このような問題を解決するため、高分子の中にネマ
チック液晶玉(droplet) を分散させて液晶表示素子に応
用するＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)
が、特開昭５８−５０１６３２号と、米国特許４，４３
５，０４７号に提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法は、製造工
程時に液晶玉の大きさを制御するのが難しい。また、最
近は、高分子コレステリック液晶を安定化するＰＳＣＴ
(Polymer Stabilized Cholesteric Texture)も開発され
たが、白黒化の像を表示するのに問題がある。従って、
本発明の目的は、液晶セル内の高分子網(network) を形
成し、ネマチック多重ドメインを形成することによっ
て、配向膜及び偏光板を必要としない液晶表示素子を提
供することにある。本発明のまた他の目的は、ラビング
工程を必要としない液晶表示素子の製造方法を提供する
ことにある。
程時に液晶玉の大きさを制御するのが難しい。また、最
近は、高分子コレステリック液晶を安定化するＰＳＣＴ
(Polymer Stabilized Cholesteric Texture)も開発され
たが、白黒化の像を表示するのに問題がある。従って、
本発明の目的は、液晶セル内の高分子網(network) を形
成し、ネマチック多重ドメインを形成することによっ
て、配向膜及び偏光板を必要としない液晶表示素子を提
供することにある。本発明のまた他の目的は、ラビング
工程を必要としない液晶表示素子の製造方法を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、光透過性の両
基板間に所定の間隔を維持しつつ、前記の両基板間に形
成された液晶分子の配列を制御する電極が、両基板上に
形成された液晶表示素子において、前記液晶表示素子の
液晶は、高分子網(network) 上のネマチック液晶である
ことを特徴とする、本発明による液晶表示素子の製造方
法は、常温でネマチック液晶と下記式の高分子モノマー
単量体とを、所定の比率で混合する段階；前記の混合物
に所定量の光重合開始剤を混合する段階；所定のセルギ
ャップを維持しつつ設けられた、上下光透過性基板間の
空間に前記の混合物を注入する段階；及び所定の温度
で、前記の生成物に紫外線を照射する段階とから成る。
基板間に所定の間隔を維持しつつ、前記の両基板間に形
成された液晶分子の配列を制御する電極が、両基板上に
形成された液晶表示素子において、前記液晶表示素子の
液晶は、高分子網(network) 上のネマチック液晶である
ことを特徴とする、本発明による液晶表示素子の製造方
法は、常温でネマチック液晶と下記式の高分子モノマー
単量体とを、所定の比率で混合する段階；前記の混合物
に所定量の光重合開始剤を混合する段階；所定のセルギ
ャップを維持しつつ設けられた、上下光透過性基板間の
空間に前記の混合物を注入する段階；及び所定の温度
で、前記の生成物に紫外線を照射する段階とから成る。
【０００５】
【作用】前記の本発明によると、液晶表示素子は液晶セ
ル内に高分子網(network) を形成し、ネマチック多重ド
メインを形成することによって、配向膜及び偏光板を必
要としないで製造工程の中で一番問題になっているラビ
ング工程が省略できる。
ル内に高分子網(network) を形成し、ネマチック多重ド
メインを形成することによって、配向膜及び偏光板を必
要としないで製造工程の中で一番問題になっているラビ
ング工程が省略できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、これらの実施例に限定
されない。以下、添付図面を参照して、本発明の好まし
い実施例を説明する。図１及び２は、本発明の実施例に
よる、高分子網状構造の多重ドメインを有する液晶素子
を概略的に示した断面図で、図２は液晶表示素子に電圧
を印加しない状態で、光がドメインの境界で反射される
ことを示しており、図２は液晶表示素子に電圧を印加
し、光が透過されることを示す。前記の図面において、
１と２は下部ガラス基板、３と４は、透明電極、５は網
状の高分子液晶である。本発明では、セル内に高分子網
を形成し、ネマチック多重ドメインを形成する。図１の
ように電圧を印加しない場合光が散乱するので、液晶は
不透明な状態となり、図２のように電圧を印加する場
合、電圧の印加時は光が透過され、透明な状態となる。
このような液晶表示素子は、従来のＴＮ液晶表示素子と
は異なって、配向膜が必要なく、偏向板も使用しない。
されない。以下、添付図面を参照して、本発明の好まし
い実施例を説明する。図１及び２は、本発明の実施例に
よる、高分子網状構造の多重ドメインを有する液晶素子
を概略的に示した断面図で、図２は液晶表示素子に電圧
を印加しない状態で、光がドメインの境界で反射される
ことを示しており、図２は液晶表示素子に電圧を印加
し、光が透過されることを示す。前記の図面において、
１と２は下部ガラス基板、３と４は、透明電極、５は網
状の高分子液晶である。本発明では、セル内に高分子網
を形成し、ネマチック多重ドメインを形成する。図１の
ように電圧を印加しない場合光が散乱するので、液晶は
不透明な状態となり、図２のように電圧を印加する場
合、電圧の印加時は光が透過され、透明な状態となる。
このような液晶表示素子は、従来のＴＮ液晶表示素子と
は異なって、配向膜が必要なく、偏向板も使用しない。
【０００７】前記網状構造の液晶セルを形成するための
過程は、下記のとおりである。まず、常温で紫外線照射
により高分子となり得る高分子単量体とネマチック液晶
を適当な比率で混ぜた後、少量の光重合開始剤を混ぜ
る。その後、１〜１００μｍのセルギャップを有するセ
ルに、前記の混合物を注入し紫外線を照射すると、図１
のとおり、セル内の高分子網が形成され、ネマチック多
重ドメインが形成される。本発明の第１実施例に、ネマ
チック液晶Ｅ７と、図３に表示したベンゼンリングコア
のない高分子単量体を、９７対３の重量比率（ｗｔ％）
で混ぜた後、０．３ｗｔ％の光重合開始剤を混合する。
その後、１５μｍのセルギャップを有するセルに注入し
てから注入口を封じ、セルの温度を８５〜９５℃、好ま
しくは９０℃に上昇させた後、紫外線を照射する。図３
は、前記のように製造された高分子網状の多重ドメイン
を有する液晶表示素子に、印加された電圧による透過率
の変化を示す。図３の図示のとおり、電圧を印加しない
場合は、透過率が１０％未満で光が液晶を透過できない
が、２５Ｖ以上が印加される場合は、透過率がほぼ９０
％に達することが分かる。
過程は、下記のとおりである。まず、常温で紫外線照射
により高分子となり得る高分子単量体とネマチック液晶
を適当な比率で混ぜた後、少量の光重合開始剤を混ぜ
る。その後、１〜１００μｍのセルギャップを有するセ
ルに、前記の混合物を注入し紫外線を照射すると、図１
のとおり、セル内の高分子網が形成され、ネマチック多
重ドメインが形成される。本発明の第１実施例に、ネマ
チック液晶Ｅ７と、図３に表示したベンゼンリングコア
のない高分子単量体を、９７対３の重量比率（ｗｔ％）
で混ぜた後、０．３ｗｔ％の光重合開始剤を混合する。
その後、１５μｍのセルギャップを有するセルに注入し
てから注入口を封じ、セルの温度を８５〜９５℃、好ま
しくは９０℃に上昇させた後、紫外線を照射する。図３
は、前記のように製造された高分子網状の多重ドメイン
を有する液晶表示素子に、印加された電圧による透過率
の変化を示す。図３の図示のとおり、電圧を印加しない
場合は、透過率が１０％未満で光が液晶を透過できない
が、２５Ｖ以上が印加される場合は、透過率がほぼ９０
％に達することが分かる。
【０００８】本発明の第２実施例に、ネマチック液晶Ｅ
７とアクリル系統の高分子単量体、ＵＶ１０を９０対１
０の重量比率（ｗｔ％）で混ぜた後、０．５ｗｔ％の光
重合開始剤を混ぜる。この溶液をセルギャップが１５μ
ｍのセルに注入した後注入口を封じ、セルの温度を８５
〜９５℃、好ましくは９０℃に上昇させた後、紫外線を
照射する。図４は、前記のように製造された液晶表示素
子に電圧を印加し、透過率の変化を示したグラフであ
る。前記のように製造された液晶表示素子は、印加電圧
がほぼ４０Ｖに至って、透過率が８０％に達することが
分かる。従って、図３及び図４の電圧−透過率曲線で示
したとおり、本発明の液晶表示素子は、印加電圧による
透過率の変化が明らかである。従って、表示素子及び光
遮断機としての応用が可能である。
７とアクリル系統の高分子単量体、ＵＶ１０を９０対１
０の重量比率（ｗｔ％）で混ぜた後、０．５ｗｔ％の光
重合開始剤を混ぜる。この溶液をセルギャップが１５μ
ｍのセルに注入した後注入口を封じ、セルの温度を８５
〜９５℃、好ましくは９０℃に上昇させた後、紫外線を
照射する。図４は、前記のように製造された液晶表示素
子に電圧を印加し、透過率の変化を示したグラフであ
る。前記のように製造された液晶表示素子は、印加電圧
がほぼ４０Ｖに至って、透過率が８０％に達することが
分かる。従って、図３及び図４の電圧−透過率曲線で示
したとおり、本発明の液晶表示素子は、印加電圧による
透過率の変化が明らかである。従って、表示素子及び光
遮断機としての応用が可能である。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明のとおり、本発明による液晶
表示素子は、液晶工程中の最大の問題点となるラビング
工程を省略でき、また偏向板を付着しないので、製品の
量産が容易で単価が軽減される効果がある。
表示素子は、液晶工程中の最大の問題点となるラビング
工程を省略でき、また偏向板を付着しないので、製品の
量産が容易で単価が軽減される効果がある。
【図１】本発明の実施例による、高分子網状構造の多重
ドメインを有する液晶素子を概略的に示した断面図で、
液晶表示素子に電圧を印加しない状態を示す図である。
ドメインを有する液晶素子を概略的に示した断面図で、
液晶表示素子に電圧を印加しない状態を示す図である。
【図２】電圧を印加した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施例による液晶表示素子の印加
電圧による、透過率の変化を示すグラフである。
電圧による、透過率の変化を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施例による液晶表示素子の印加
電圧による、透過率の変化を示すグラフである。
電圧による、透過率の変化を示すグラフである。
１、２ 下部ガラス基板 ３、４ 透明電極 ５ 高分子液晶
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年９月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】前記網状構造の液晶セルを形成するための
過程は、下記のとおりである。まず、常温で紫外線照射
により高分子となり得る高分子単量体とネマチック液晶
を適当な比率で混ぜた後、少量の光重合開始剤を混ぜ
る。その後、１〜１００μｍのセルギャップを有するセ
ルに、前記の混合物を注入し紫外線を照射すると、図１
のとおり、セル内の高分子網が形成され、ネマチック多
重ドメインが形成される。本発明の第１実施例に、ネマ
チック液晶Ｅ７と、ベンゼンリングコアのない高分子単
量体を、９７対３の重量比率（ｗｔ％）で混ぜた後、
０．３ｗｔ％の光重合開始剤を混合する。その後、１５
μｍのセルギャップを有するセルに注入してから注入口
を封じ、セルの温度を８５〜９５℃、好ましくは９０℃
に上昇させた後、紫外線を照射する。図３は、前記のよ
うに製造された高分子網状の多重ドメインを有する液晶
表示素子に、印加された電圧による透過率の変化を示
す。図３の図示のとおり、電圧を印加しない場合は、透
過率が１０％未満で光が液晶を透過できないが、２５Ｖ
以上が印加される場合は、透過率がほぼ９０％に達する
ことが分かる。
過程は、下記のとおりである。まず、常温で紫外線照射
により高分子となり得る高分子単量体とネマチック液晶
を適当な比率で混ぜた後、少量の光重合開始剤を混ぜ
る。その後、１〜１００μｍのセルギャップを有するセ
ルに、前記の混合物を注入し紫外線を照射すると、図１
のとおり、セル内の高分子網が形成され、ネマチック多
重ドメインが形成される。本発明の第１実施例に、ネマ
チック液晶Ｅ７と、ベンゼンリングコアのない高分子単
量体を、９７対３の重量比率（ｗｔ％）で混ぜた後、
０．３ｗｔ％の光重合開始剤を混合する。その後、１５
μｍのセルギャップを有するセルに注入してから注入口
を封じ、セルの温度を８５〜９５℃、好ましくは９０℃
に上昇させた後、紫外線を照射する。図３は、前記のよ
うに製造された高分子網状の多重ドメインを有する液晶
表示素子に、印加された電圧による透過率の変化を示
す。図３の図示のとおり、電圧を印加しない場合は、透
過率が１０％未満で光が液晶を透過できないが、２５Ｖ
以上が印加される場合は、透過率がほぼ９０％に達する
ことが分かる。
Claims (16)
- 【請求項１】 光透過性の両基板間に所定の間隔を維持
しつつ、前記の両基板間に形成された液晶分子の配列を
制御する電極が、両基板上に形成された液晶表示素子に
おいて、前記液晶表示素子の液晶は、高分子網上(netwo
rk) のネマチック液晶であることを特徴とする液晶表示
素子。 - 【請求項２】 前記の高分子網状のネマチック液晶の単
量体(monomer) は、ベンゼンリングコアのない分子式を
有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記高分子網状のネマチック液晶の単量
体は、下記の分子式を有することを特徴とする請求項２
記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記高分子網状のネマチック液晶の単量
体は、アクリル系統の誘導体のモノマーであることを特
徴とする請求項２記載の液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記光透過性の両基板間の間隔は、１乃
至１００μｍであることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示素子。 - 【請求項６】 常温でネマチック液晶と高分子単量体を
所定の比率で混合する段階；前記の混合物に少量の光開
始剤(photo initiator) を混合する段階；所定のセルギ
ャップを維持しつつ合着された、上下光透過性基板間の
空間に、前記の混合物を注入する段階；及び、 所定の温度で前記の生成．物に紫外線を照射する段階と
から成ることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記の高分子単量体は、下記の分子式を
有することを特徴とする請求項６記載の液晶表示素子の
製造方法。 - 【請求項８】 前記のネマチック液晶と高分子単量体の
混合重量比は、９７対３であることを特徴とする請求項
６記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記光重合開始剤の混合重量の比率は、
０．３ｗｔ％であることを特徴とする請求項６記載の液
晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記所定のセルギャップは１５μｍで
あることを特徴とする請求項６記載の液晶表示素子の製
造方法。 - 【請求項１１】 前記紫外線照射時のセル温度は、８５
℃乃至９５℃であることを特徴とする請求項６記載の液
晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１２】 前記の高分子単量体は、アクリル系統
の誘導体のモノマーであることを特徴とする請求項６記
載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記ネマチック液晶と高分子単量体の
混合重量比は９０対１０であることを特徴とする請求項
１又は６記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記光重合開始剤の混合重量比率は、
０．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１又は６記
載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１５】 前記所定のセルギャップは１５μｍで
あることを特徴とする、請求項１又は６記載の液晶表示
素子の製造方法。 - 【請求項１６】 前記紫外線照射時のセル温度は、８５
℃乃至９５℃であることを特徴とする、請求項１又は６
記載の液晶表示素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996P25020 | 1996-06-28 | ||
| KR1019960025020A KR980003678A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 액정표시소자 및 그이 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1077474A true JPH1077474A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=19464224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187789A Pending JPH1077474A (ja) | 1996-06-28 | 1997-06-27 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1077474A (ja) |
| KR (1) | KR980003678A (ja) |
| CN (1) | CN1091524C (ja) |
| TW (1) | TW460729B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679918B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 광시야각을 갖는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960025020A patent/KR980003678A/ko not_active Ceased
-
1997
- 1997-06-14 TW TW086108265A patent/TW460729B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-06-27 JP JP9187789A patent/JPH1077474A/ja active Pending
- 1997-06-28 CN CN97113589A patent/CN1091524C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679918B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 광시야각을 갖는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW460729B (en) | 2001-10-21 |
| CN1091524C (zh) | 2002-09-25 |
| KR980003678A (ko) | 1998-03-30 |
| CN1169545A (zh) | 1998-01-07 |
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