JPH1078516A - 導波型素子およびチャネル形光導波路の製造方法 - Google Patents
導波型素子およびチャネル形光導波路の製造方法Info
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- JPH1078516A JPH1078516A JP8253904A JP25390496A JPH1078516A JP H1078516 A JPH1078516 A JP H1078516A JP 8253904 A JP8253904 A JP 8253904A JP 25390496 A JP25390496 A JP 25390496A JP H1078516 A JPH1078516 A JP H1078516A
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の技術では偏平な近視野像しか得られな
かったＹカット基板であっても、真円に近い良好な近視
野像が得られるチャネル形光導波路を含む導波型素子、
およびチャネル形光導波路を少ない工程数で作成するこ
とができる製造方法を提供する。 【解決手段】 導波型素子を構成するチャネル形光導波
路１６は、強誘電体からなる基板１０上に、特定パター
ンを有する酸化亜鉛の層１４を形成する工程、および前
記酸化亜鉛を熱拡散によって前記基板内に拡散させる工
程、を含む製造方法によって形成することができる。
かったＹカット基板であっても、真円に近い良好な近視
野像が得られるチャネル形光導波路を含む導波型素子、
およびチャネル形光導波路を少ない工程数で作成するこ
とができる製造方法を提供する。 【解決手段】 導波型素子を構成するチャネル形光導波
路１６は、強誘電体からなる基板１０上に、特定パター
ンを有する酸化亜鉛の層１４を形成する工程、および前
記酸化亜鉛を熱拡散によって前記基板内に拡散させる工
程、を含む製造方法によって形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路中を伝搬
する光（導波光）の出射光強度分布（近視野像）が真円
に近い形状を有するチャネル形光導波路を有する導波型
素子およびこの導波型素子を構成するチャネル形光導波
路の製造方法に関する。
する光（導波光）の出射光強度分布（近視野像）が真円
に近い形状を有するチャネル形光導波路を有する導波型
素子およびこの導波型素子を構成するチャネル形光導波
路の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】たとえば光波を位相変調する場合、電気光
学効果を有する光学結晶（バルク部品）に取付けた電極
に外部から電圧を印加することで屈折率を制御し、位相
変調を行っていた。そのような位相変調器は、除振台の
上でレンズ等を組み合わせた光学系で構成され、必要に
応じてレンズを用いて光ファイバと接続した構成を有す
るため、機器を構成するために広いスペースが必要であ
った。
学効果を有する光学結晶（バルク部品）に取付けた電極
に外部から電圧を印加することで屈折率を制御し、位相
変調を行っていた。そのような位相変調器は、除振台の
上でレンズ等を組み合わせた光学系で構成され、必要に
応じてレンズを用いて光ファイバと接続した構成を有す
るため、機器を構成するために広いスペースが必要であ
った。
【０００３】このように、バルク部品を用いた光学機器
は、小型化し難いだけでなく、個別部品の光学軸調整
（アライメント）が面倒であり、またアライメントが温
度や振動などの環境に対して不安定であるなどの問題を
有する。そこで、近年、小型，低コストで、かつ振動に
対して安定な光学機器として、光部品を薄膜化して基板
上に集積化した素子が開発されている。
は、小型化し難いだけでなく、個別部品の光学軸調整
（アライメント）が面倒であり、またアライメントが温
度や振動などの環境に対して不安定であるなどの問題を
有する。そこで、近年、小型，低コストで、かつ振動に
対して安定な光学機器として、光部品を薄膜化して基板
上に集積化した素子が開発されている。
【０００４】従来、このような光集積化した素子には、
光導波路の作製のし易さの点から、Ｚカット・ニオブ酸
リチウム（以下、「Ｚ−ＬＮ」という。）基板が多く用
いられてきた。Ｚ−ＬＮ基板を用いた場合、チタンＴｉ
を熱拡散することで低損失な光導波路が作製される。
光導波路の作製のし易さの点から、Ｚカット・ニオブ酸
リチウム（以下、「Ｚ−ＬＮ」という。）基板が多く用
いられてきた。Ｚ−ＬＮ基板を用いた場合、チタンＴｉ
を熱拡散することで低損失な光導波路が作製される。
【０００５】一方、バルク光学部品では、電気光学効果
を利用した位相変調以外に、音響光学効果を利用した光
波の周波数変調や、光波の偏光角を制御する素子があ
る。たとえば、レーザドップラー流速計等の光ヘテロダ
イン検波用光源としては、光の周波数が僅かに異なる２
つの光波を作る光周波数シフタが用いられている。従来
のバルク光学部品による光周波数シフタは、光学結晶へ
高周波電圧を印加することで超音波を発生させると、入
射光から非回折光と回折光が得られる。非回折光は入射
光と同じ周波数で、回折光は入射光に対して印加した超
音波の周波数分だけシフトして出射される。
を利用した位相変調以外に、音響光学効果を利用した光
波の周波数変調や、光波の偏光角を制御する素子があ
る。たとえば、レーザドップラー流速計等の光ヘテロダ
イン検波用光源としては、光の周波数が僅かに異なる２
つの光波を作る光周波数シフタが用いられている。従来
のバルク光学部品による光周波数シフタは、光学結晶へ
高周波電圧を印加することで超音波を発生させると、入
射光から非回折光と回折光が得られる。非回折光は入射
光と同じ周波数で、回折光は入射光に対して印加した超
音波の周波数分だけシフトして出射される。
【０００６】上記のような光周波数シフタを光集積化素
子で実現するためには、電気エネルギーを機械エネルギ
ー（表面弾性波）に変換する効率（電気−機械結合係
数）が大きい基板材料が好ましく、Ｚ−ＬＮ基板よりも
Ｙカット・ニオブ酸リチウム（Ｙ−ＬＮ）基板の方が優
れていることが知られている。
子で実現するためには、電気エネルギーを機械エネルギ
ー（表面弾性波）に変換する効率（電気−機械結合係
数）が大きい基板材料が好ましく、Ｚ−ＬＮ基板よりも
Ｙカット・ニオブ酸リチウム（Ｙ−ＬＮ）基板の方が優
れていることが知られている。
【０００７】しかしながら、Ｙ−ＬＮ基板を用いる場
合、Ｚ−ＬＮ基板と同様のＴｉの熱拡散による光導波路
の作製方法では、Ｔｉが導波路の幅方向（Ｚ軸方向）に
過剰に拡散され、偏平な近視野像（アスペクト比；２〜
４）のチャネル形導波路になるなど、特性の良い光導波
路が得られていない。
合、Ｚ−ＬＮ基板と同様のＴｉの熱拡散による光導波路
の作製方法では、Ｔｉが導波路の幅方向（Ｚ軸方向）に
過剰に拡散され、偏平な近視野像（アスペクト比；２〜
４）のチャネル形導波路になるなど、特性の良い光導波
路が得られていない。
【０００８】この問題を解決するための方法として、た
とえば、Ｙ−ＬＮ基板にＴｉを熱拡散させた光導波路を
作製した後、光導波路の両サイドから屈折率を下げる効
果のあるＭｇＯを追拡散することで、光導波路の幅方向
の屈折率を制御し、近視野像の丸い光導波路を作製する
ことが提案されていた（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４
９（６）３１５０−３１５４ｐｐ．（１９７８））。し
かし、この方法では、Ｔｉ拡散導波路の作製に加えて、
ＭｇＯ追拡散の工程がさらに必要となり、多数の工程を
要し、実用的ではない。
とえば、Ｙ−ＬＮ基板にＴｉを熱拡散させた光導波路を
作製した後、光導波路の両サイドから屈折率を下げる効
果のあるＭｇＯを追拡散することで、光導波路の幅方向
の屈折率を制御し、近視野像の丸い光導波路を作製する
ことが提案されていた（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４
９（６）３１５０−３１５４ｐｐ．（１９７８））。し
かし、この方法では、Ｔｉ拡散導波路の作製に加えて、
ＭｇＯ追拡散の工程がさらに必要となり、多数の工程を
要し、実用的ではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
用いられているＺカット基板のみらず、従来の技術では
偏平な近視野像しか得られなかったＹカット基板であっ
ても、真円に近い良好な近視野像が得られるチャネル形
光導波路を含む導波型素子、およびチャンネル形光導波
路を少ない工程数で作製することができる製造方法を提
供することにある。
用いられているＺカット基板のみらず、従来の技術では
偏平な近視野像しか得られなかったＹカット基板であっ
ても、真円に近い良好な近視野像が得られるチャネル形
光導波路を含む導波型素子、およびチャンネル形光導波
路を少ない工程数で作製することができる製造方法を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の導波型素子は、
強誘電体からなる基板に酸化亜鉛を熱拡散して形成され
たチャネル形光導波路を含むことを特徴とする。
強誘電体からなる基板に酸化亜鉛を熱拡散して形成され
たチャネル形光導波路を含むことを特徴とする。
【００１１】この導波型素子においては、チャネル形光
導波路を構成する拡散物質として酸化亜鉛を用いること
により、真円あるいは真円に近い、すなわちアスペクト
比が０．８〜１．５程度の出射光強度分布（近視野像）
を有し、かつ単一モード化されたチャネル形光導波路を
構成することができる。このように、近視野像が真円ま
たは真円に近づくことにより、光ファイバとの結合性が
よくなり、接続による挿入損失が低減される。また、光
導波路が単一モード化されることにより、高次のモード
への変換損失がなくなり、従って効率のよい導波が達成
される。
導波路を構成する拡散物質として酸化亜鉛を用いること
により、真円あるいは真円に近い、すなわちアスペクト
比が０．８〜１．５程度の出射光強度分布（近視野像）
を有し、かつ単一モード化されたチャネル形光導波路を
構成することができる。このように、近視野像が真円ま
たは真円に近づくことにより、光ファイバとの結合性が
よくなり、接続による挿入損失が低減される。また、光
導波路が単一モード化されることにより、高次のモード
への変換損失がなくなり、従って効率のよい導波が達成
される。
【００１２】前記強誘電体としては、ニオブ酸リチウム
ＬｉＮｂＯ3またはタンタル酸リチウムＬｉＴａＯ3など
を用いることができ、特にニオブ酸リチウムを好ましく
用いることができる。また、これらの強誘電体からなる
基板は、たとえば光学的特性を向上させるために他の成
分が添加されていてもよく、たとえばＭｇＯ等が固溶さ
れた基板などを用いることができる。
ＬｉＮｂＯ3またはタンタル酸リチウムＬｉＴａＯ3など
を用いることができ、特にニオブ酸リチウムを好ましく
用いることができる。また、これらの強誘電体からなる
基板は、たとえば光学的特性を向上させるために他の成
分が添加されていてもよく、たとえばＭｇＯ等が固溶さ
れた基板などを用いることができる。
【００１３】また、前記基板は、Ｙカット基板であるこ
とが好ましいが、Ｘカット基板あるいはＺカット基板で
も構わない。特に、Ｙカット基板は、電気エネルギーを
機械エネルギーに変換する効率が大きいことから、たと
えば光周波数シフタ，光モード変換器，光偏向器，同調
型光波長フィルタ，光スイッチなどに好適に用いること
ができる。
とが好ましいが、Ｘカット基板あるいはＺカット基板で
も構わない。特に、Ｙカット基板は、電気エネルギーを
機械エネルギーに変換する効率が大きいことから、たと
えば光周波数シフタ，光モード変換器，光偏向器，同調
型光波長フィルタ，光スイッチなどに好適に用いること
ができる。
【００１４】本発明の導波型素子は、チャネル形光導波
路を含むあらゆる光素子、光システムあるいは光集積回
路等に適用することができる。適用例の一部としては、
たとえば、電気光学効果を利用する光位相変調器，光強
度変調器等、音響光学効果を利用する光偏光器，光周波
数シフタ等、あるいは非線形光学効果を利用する周波数
変換器等を挙げることができる。
路を含むあらゆる光素子、光システムあるいは光集積回
路等に適用することができる。適用例の一部としては、
たとえば、電気光学効果を利用する光位相変調器，光強
度変調器等、音響光学効果を利用する光偏光器，光周波
数シフタ等、あるいは非線形光学効果を利用する周波数
変換器等を挙げることができる。
【００１５】本発明の導波型素子を構成するチャネル形
光導波路は、強誘電体からなる基板上に、所定パターン
を有する酸化亜鉛の層を形成する工程、および前記酸化
亜鉛を熱拡散によって前記基板内に拡散させる工程、を
含む製造方法によって好適に形成することができる。
光導波路は、強誘電体からなる基板上に、所定パターン
を有する酸化亜鉛の層を形成する工程、および前記酸化
亜鉛を熱拡散によって前記基板内に拡散させる工程、を
含む製造方法によって好適に形成することができる。
【００１６】本発明の製造方法においては、前記基板に
酸化亜鉛を熱拡散させることにより、簡便なプロセスで
単一モードのチャネル形光導波路を形成することができ
る。その理由としては、拡散物質として従来用いられて
いたチタンの場合に比べ、酸化亜鉛は、拡散時における
横方向への広がりが少ないこと、低い温度で熱拡散が可
能であることから、基板への熱による損傷、たとえば基
板からのリチウムの外拡散を抑制することができるこ
と、などが考えられる。
酸化亜鉛を熱拡散させることにより、簡便なプロセスで
単一モードのチャネル形光導波路を形成することができ
る。その理由としては、拡散物質として従来用いられて
いたチタンの場合に比べ、酸化亜鉛は、拡散時における
横方向への広がりが少ないこと、低い温度で熱拡散が可
能であることから、基板への熱による損傷、たとえば基
板からのリチウムの外拡散を抑制することができるこ
と、などが考えられる。
【００１７】酸化亜鉛の熱拡散により形成される拡散領
域（光導波路）は、拡散源となる酸化亜鉛の層の幅、厚
さ並びに熱拡散時の条件（温度，時間）などに依存す
る。たとえば、熱拡散の条件によって左右されるもの
の、基本的には、前記酸化亜鉛の層の幅は形成される光
導波路の幅に、前記酸化亜鉛の層の厚さは光導波路の深
さに対してそれぞれ支配的なファクターであるといえ
る。これらのファクターは、一義的に規定することはで
きないが、好ましい例をあげると、拡散源となる酸化亜
鉛の層の厚さは１００〜２００ｎｍ、酸化亜鉛の層の幅
は３〜１０μｍ、拡散温度は９００〜９５０℃、拡散時
間は３０〜１２０分である。ただし、シングルモード導
波路となるためには、前記酸化亜鉛の層の幅は入射波長
と他の拡散条件によって異なるので、一概に規定できな
い。
域（光導波路）は、拡散源となる酸化亜鉛の層の幅、厚
さ並びに熱拡散時の条件（温度，時間）などに依存す
る。たとえば、熱拡散の条件によって左右されるもの
の、基本的には、前記酸化亜鉛の層の幅は形成される光
導波路の幅に、前記酸化亜鉛の層の厚さは光導波路の深
さに対してそれぞれ支配的なファクターであるといえ
る。これらのファクターは、一義的に規定することはで
きないが、好ましい例をあげると、拡散源となる酸化亜
鉛の層の厚さは１００〜２００ｎｍ、酸化亜鉛の層の幅
は３〜１０μｍ、拡散温度は９００〜９５０℃、拡散時
間は３０〜１２０分である。ただし、シングルモード導
波路となるためには、前記酸化亜鉛の層の幅は入射波長
と他の拡散条件によって異なるので、一概に規定できな
い。
【００１８】また、前記酸化亜鉛の層の厚さは、熱拡散
後に基板表面に酸化亜鉛の残留物が残らないような値に
設定することが好ましい。あるいはこの方法以外に、酸
化亜鉛の層の厚さを必要な値より大きく設定し、熱拡散
終了後に基板表面を光学研磨することによって残った酸
化亜鉛の層を除去することもできる。
後に基板表面に酸化亜鉛の残留物が残らないような値に
設定することが好ましい。あるいはこの方法以外に、酸
化亜鉛の層の厚さを必要な値より大きく設定し、熱拡散
終了後に基板表面を光学研磨することによって残った酸
化亜鉛の層を除去することもできる。
【００１９】前記酸化亜鉛の層は、例えば高周波スパッ
タリングあるいは電子ビーム蒸着などの方法によって成
膜することができる。また、拡散源となる酸化亜鉛の形
成方法としては、酸化亜鉛の層を基板上に直接形成する
方法だけでなく、まず金属亜鉛を成膜し、拡散炉内で亜
鉛層を徐々に酸化させる方法であってもよい。
タリングあるいは電子ビーム蒸着などの方法によって成
膜することができる。また、拡散源となる酸化亜鉛の形
成方法としては、酸化亜鉛の層を基板上に直接形成する
方法だけでなく、まず金属亜鉛を成膜し、拡散炉内で亜
鉛層を徐々に酸化させる方法であってもよい。
【００２０】
（チャネル形光導波路の製造方法）図１を参照しなが
ら、チャネル形光導波路の製造方法について説明する。
ら、チャネル形光導波路の製造方法について説明する。
【００２１】まず、Ｙ−ＬＮ基板１０を有機溶剤で洗浄
した後、前記Ｙ−ＬＮ基板１０上にフォトリソグラフィ
工程により所定パターンのレジスト層１２を形成する
（図１（Ａ））。次いで、ＺｎＯの焼結体をターゲット
にして、アルゴンと酸素の混合雰囲気（Ａｒ：Ｏ2＝
８：２）中において高周波スパッタリングによりＺｎＯ
層１４ａを厚さ１００〜２００ｎｍで成膜する（図１
（Ｂ））。
した後、前記Ｙ−ＬＮ基板１０上にフォトリソグラフィ
工程により所定パターンのレジスト層１２を形成する
（図１（Ａ））。次いで、ＺｎＯの焼結体をターゲット
にして、アルゴンと酸素の混合雰囲気（Ａｒ：Ｏ2＝
８：２）中において高周波スパッタリングによりＺｎＯ
層１４ａを厚さ１００〜２００ｎｍで成膜する（図１
（Ｂ））。
【００２２】次いで、いわゆるリフトオフによりレジス
ト層１２およびレジスト層１２上のＺｎＯ層１４ａを除
去して、所定のパターンを有するＺｎＯ層１４を形成す
る（図１（Ｃ））。
ト層１２およびレジスト層１２上のＺｎＯ層１４ａを除
去して、所定のパターンを有するＺｎＯ層１４を形成す
る（図１（Ｃ））。
【００２３】次いで、湿度８０％程度の水蒸気を含む酸
素雰囲気中において、ＺｎＯを熱拡散することによりチ
ャネル形光導波路１６を形成する（図１（Ｄ））。拡散
条件は、ＺｎＯ層１４の厚さなどによって異なるが、Ｚ
ｎＯ層が１００〜２００ｎｍの場合には、拡散温度は９
００〜９５０℃、拡散時間は３０〜１２０分に設定され
ることが好ましい。
素雰囲気中において、ＺｎＯを熱拡散することによりチ
ャネル形光導波路１６を形成する（図１（Ｄ））。拡散
条件は、ＺｎＯ層１４の厚さなどによって異なるが、Ｚ
ｎＯ層が１００〜２００ｎｍの場合には、拡散温度は９
００〜９５０℃、拡散時間は３０〜１２０分に設定され
ることが好ましい。
【００２４】例えば、実験の一例を挙げると、ＺｎＯ層
１４の膜厚が１５０ｎｍのとき、拡散温度は９２５℃、
拡散時間は３０分とした。この条件で作製された光導波
路は、波長０．８μｍ帯で、熱拡散前のＺｎＯ層の線幅
が４μｍの時に、半値全幅６μｍ（幅方向）×５μｍ
（深さ方向）程度の近視野像の単一モードのチャネル形
光導波路となっていることが確認された。このチャネル
形光導波路は、直線およびＳ字曲げパターン（曲げ半径
Ｒ＝２０ｍｍ）で、ＥXモードとＥYモード（あるいは、
ＴＥモードとＴＭモード）の両モードとも低損失で導波
が可能であり、導波損失は共に１（ｄＢ／ｃｍ）程度で
あることが確認された。さらに、前記チャネル形光導波
路の近視野像をＣＣＤカメラで観察した結果、アスペク
ト比が１．２の近視野像が得られることを確認した。
１４の膜厚が１５０ｎｍのとき、拡散温度は９２５℃、
拡散時間は３０分とした。この条件で作製された光導波
路は、波長０．８μｍ帯で、熱拡散前のＺｎＯ層の線幅
が４μｍの時に、半値全幅６μｍ（幅方向）×５μｍ
（深さ方向）程度の近視野像の単一モードのチャネル形
光導波路となっていることが確認された。このチャネル
形光導波路は、直線およびＳ字曲げパターン（曲げ半径
Ｒ＝２０ｍｍ）で、ＥXモードとＥYモード（あるいは、
ＴＥモードとＴＭモード）の両モードとも低損失で導波
が可能であり、導波損失は共に１（ｄＢ／ｃｍ）程度で
あることが確認された。さらに、前記チャネル形光導波
路の近視野像をＣＣＤカメラで観察した結果、アスペク
ト比が１．２の近視野像が得られることを確認した。
【００２５】このように、本実施の形態によれば、Ｙ−
ＬＮ基板において従来困難であった横方向の単一モード
化が可能であり、かつ近視野像が真円に近いチャネル形
光導波路を簡便な方法で形成することができる。
ＬＮ基板において従来困難であった横方向の単一モード
化が可能であり、かつ近視野像が真円に近いチャネル形
光導波路を簡便な方法で形成することができる。
【００２６】（導波型素子）次に、本発明の導波型素子
を光周波数シフタに適用した例について、図２を参照し
ながら説明する。
を光周波数シフタに適用した例について、図２を参照し
ながら説明する。
【００２７】図２に示す光周波数シフタ１００は、Ｙ−
ＬＮ基板１０に、上述した製造方法によって酸化亜鉛を
熱拡散させてチャネル形光導波路１６が形成されてい
る。この光導波路１６は、平行に配置された２本の第１
光導波路１６ａおよび第２光導波路１６ｂから構成さ
れ、これらの光導波路１６ａおよび１６ｂは中間でＸ字
状に交差した状態で形成されている。そして、前記光導
波路１６ａ，１６ｂの交差部分に近接して、一対の電極
２０ａおよび２０ｂからなる交差指電極２０が形成さ
れ、これらの電極２０ａおよび２０ｂは高周波電源２４
に接続されている。さらに、Ｙ−ＬＮ基板１０の一端側
において前記第１光導波路１６ａおよび第２光導波路１
６ｂに跨るように、金属膜からなる偏光素子２２が形成
されている。
ＬＮ基板１０に、上述した製造方法によって酸化亜鉛を
熱拡散させてチャネル形光導波路１６が形成されてい
る。この光導波路１６は、平行に配置された２本の第１
光導波路１６ａおよび第２光導波路１６ｂから構成さ
れ、これらの光導波路１６ａおよび１６ｂは中間でＸ字
状に交差した状態で形成されている。そして、前記光導
波路１６ａ，１６ｂの交差部分に近接して、一対の電極
２０ａおよび２０ｂからなる交差指電極２０が形成さ
れ、これらの電極２０ａおよび２０ｂは高周波電源２４
に接続されている。さらに、Ｙ−ＬＮ基板１０の一端側
において前記第１光導波路１６ａおよび第２光導波路１
６ｂに跨るように、金属膜からなる偏光素子２２が形成
されている。
【００２８】この光周波数シフタ１００に入る入射光の
内、ＴＥモードは信号であり、ＴＭモードは除去したい
ノイズである。そして、ノイズ（ＴＭモード）を含んだ
導波光は、交差指電極２０によって発生伝搬された表面
弾性波によって生じる周期的な屈折率変化により周波数
シフトを伴って回折される。その後、偏光素子２２によ
ってノイズ成分（ＴＭモード）が除去され、結果とし
て、表面弾性波の周波数分だけ光周波数がシフトした回
折光（ＴＥモード）と、入射光と同じ周波数の非回折光
（ＴＥモード）が得られる。
内、ＴＥモードは信号であり、ＴＭモードは除去したい
ノイズである。そして、ノイズ（ＴＭモード）を含んだ
導波光は、交差指電極２０によって発生伝搬された表面
弾性波によって生じる周期的な屈折率変化により周波数
シフトを伴って回折される。その後、偏光素子２２によ
ってノイズ成分（ＴＭモード）が除去され、結果とし
て、表面弾性波の周波数分だけ光周波数がシフトした回
折光（ＴＥモード）と、入射光と同じ周波数の非回折光
（ＴＥモード）が得られる。
【００２９】前記光周波数シフタ１００は、例えば、光
ヘテロダイン検波に基づく計測用デバイス、例えばレー
ザドップラ流速計などの光源として好適に用いられる。
ヘテロダイン検波に基づく計測用デバイス、例えばレー
ザドップラ流速計などの光源として好適に用いられる。
【００３０】以上、本発明を適用した例として光周波数
シフタについて述べたが、本発明はこれに限定されず、
前述したような各種の導波型素子に適用することができ
る。
シフタについて述べたが、本発明はこれに限定されず、
前述したような各種の導波型素子に適用することができ
る。
【００３１】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明のチャネル形光導波
路の製造方法を模式的に示す断面図である。
路の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の導波型素子を光周波数シフタに適用し
た構成例を模式的に示す斜視図である。
た構成例を模式的に示す斜視図である。
１０ Ｙ−ＬＮ基板 １２ レジスト層 １４ ＺｎＯ層 １６ チャネル形光導波路 ２０ 交差指電極 ２２ 偏光素子 １００ 光周波数シフタ
Claims (4)
- 【請求項１】 強誘電体からなる基板に酸化亜鉛を熱拡
散して形成されたチャネル形光導波路を含むことを特徴
とする導波型素子。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記強誘電体は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リ
チウムであることを特徴とする導波型素子。 - 【請求項３】 請求項１または２において、 前記基板は、Ｙカット基板であることを特徴とする導波
型素子。 - 【請求項４】 強誘電体からなる基板上に、所定パター
ンを有する酸化亜鉛の層を形成する工程、および前記酸
化亜鉛を熱拡散によって前記基板内に拡散させる工程、 を含むことを特徴とするチャネル形光導波路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8253904A JPH1078516A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 導波型素子およびチャネル形光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8253904A JPH1078516A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 導波型素子およびチャネル形光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1078516A true JPH1078516A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=17257692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8253904A Withdrawn JPH1078516A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 導波型素子およびチャネル形光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1078516A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110133802A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-16 | 天津领芯科技发展有限公司 | 一种新型铌酸锂光学波导晶片及其制备方法 |
| CN110646957A (zh) * | 2019-08-05 | 2020-01-03 | 天津领芯科技发展有限公司 | 基于氧化锌波导的新型铌酸锂电光调制器及其制备方法 |
-
1996
- 1996-09-04 JP JP8253904A patent/JPH1078516A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110133802A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-16 | 天津领芯科技发展有限公司 | 一种新型铌酸锂光学波导晶片及其制备方法 |
| CN110646957A (zh) * | 2019-08-05 | 2020-01-03 | 天津领芯科技发展有限公司 | 基于氧化锌波导的新型铌酸锂电光调制器及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |