JPH1079146A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH1079146A JPH1079146A JP23113896A JP23113896A JPH1079146A JP H1079146 A JPH1079146 A JP H1079146A JP 23113896 A JP23113896 A JP 23113896A JP 23113896 A JP23113896 A JP 23113896A JP H1079146 A JPH1079146 A JP H1079146A
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- Japan
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- magnetic layer
- layer
- magneto
- recording
- curie temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生時の光ビーム照射による記録マークの消
滅を防止する。 【解決手段】 ガラス製の基板１上に下地層２、再生層
としての第１磁性層３、中間層としての第２磁性層４、
記録層としての第３磁性層５、保護層６がこの順に積層
されている。第１磁性層３は遷移金属磁化優勢組成であ
り、第２磁性層４は希土類金属磁化優勢組成であり、希
土類−遷移金属合金の第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃ
は、275 ℃≦Ｔｃ≦400 ℃を満たす。このような光磁気
ディスクでは、ＭＳＲ再生可能な光ビームの再生パワー
マージンが高パワー側に広くなる。
滅を防止する。 【解決手段】 ガラス製の基板１上に下地層２、再生層
としての第１磁性層３、中間層としての第２磁性層４、
記録層としての第３磁性層５、保護層６がこの順に積層
されている。第１磁性層３は遷移金属磁化優勢組成であ
り、第２磁性層４は希土類金属磁化優勢組成であり、希
土類−遷移金属合金の第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃ
は、275 ℃≦Ｔｃ≦400 ℃を満たす。このような光磁気
ディスクでは、ＭＳＲ再生可能な光ビームの再生パワー
マージンが高パワー側に広くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の磁性層を積
層して構成された光磁気記録媒体に関する。
層して構成された光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度記録媒体として知られる光磁気デ
ィスクは、近年の情報量の増大に伴い更なる高密度化が
要望されている。高密度化は記録マーク（ビット）の間
隔を縮小することによって実現できるが、その記録マー
クの記録，再生は、ディスクに照射される光ビームの大
きさ（ビームスポット）によって制限される。ビーム径
以下の寸法及びビーム径以下の記録ピッチを有する微細
な記録マークを再生するためには、ビームスポットを小
さく絞れば良いが、光源の波長λ及び対物レンズの開口
数ＮＡによって、再生できる記録マークの寸法に限界が
あった。
ィスクは、近年の情報量の増大に伴い更なる高密度化が
要望されている。高密度化は記録マーク（ビット）の間
隔を縮小することによって実現できるが、その記録マー
クの記録，再生は、ディスクに照射される光ビームの大
きさ（ビームスポット）によって制限される。ビーム径
以下の寸法及びビーム径以下の記録ピッチを有する微細
な記録マークを再生するためには、ビームスポットを小
さく絞れば良いが、光源の波長λ及び対物レンズの開口
数ＮＡによって、再生できる記録マークの寸法に限界が
あった。
【０００３】そこで、ビームスポット内の温度分布を利
用し、光源の波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡによっ
て制約を受けず、微細な記録マークを再生できる磁気超
解像（ＭＳＲ，Magnetically Induced Super Resolutio
n ）再生が提案されている。この再生技術は、磁気的に
結合する複数の磁性層を基板上に積層した光磁気ディス
クにビーム光を照射し、ビームスポット内に形成された
特定の温度領域から記録マークを読出すものである。ビ
ームスポット内に形成される温度分布の形態により、い
くつかの種類のＭＳＲ再生が提案されている。
用し、光源の波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡによっ
て制約を受けず、微細な記録マークを再生できる磁気超
解像（ＭＳＲ，Magnetically Induced Super Resolutio
n ）再生が提案されている。この再生技術は、磁気的に
結合する複数の磁性層を基板上に積層した光磁気ディス
クにビーム光を照射し、ビームスポット内に形成された
特定の温度領域から記録マークを読出すものである。ビ
ームスポット内に形成される温度分布の形態により、い
くつかの種類のＭＳＲ再生が提案されている。
【０００４】このＭＳＲ再生の一つにダブルマスクＲＡ
Ｄ（Rear Aperture Detection ）がある。以下に、本願
出願人が特開平７−244877号公報にて提案しているＭＳ
Ｒ媒体について一例を挙げて説明する。基板上にＧｄＦ
ｅＣｏからなる再生層が積層されており、再生層上には
ＧｄＦｅからなる中間層が、該中間層上にはＴｂＦｅＣ
ｏからなる記録層が積層されている。再生層はキュリー
温度300 ℃，ＲＥリッチ（希土類金属磁化優勢）組成を
有し、中間層はキュリー温度190 ℃，ＲＥリッチ組成を
有し、記録層はキュリー温度220 ℃，ＴＭリッチ（遷移
金属磁化優勢）組成を有している。記録層に記録マーク
が形成され、再生時には再生磁界が印加され、光ビーム
が基板側から照射されて、各磁性層間の交換結合力によ
り記録層から再生層に転写された記録マークが読出され
るようになっている。
Ｄ（Rear Aperture Detection ）がある。以下に、本願
出願人が特開平７−244877号公報にて提案しているＭＳ
Ｒ媒体について一例を挙げて説明する。基板上にＧｄＦ
ｅＣｏからなる再生層が積層されており、再生層上には
ＧｄＦｅからなる中間層が、該中間層上にはＴｂＦｅＣ
ｏからなる記録層が積層されている。再生層はキュリー
温度300 ℃，ＲＥリッチ（希土類金属磁化優勢）組成を
有し、中間層はキュリー温度190 ℃，ＲＥリッチ組成を
有し、記録層はキュリー温度220 ℃，ＴＭリッチ（遷移
金属磁化優勢）組成を有している。記録層に記録マーク
が形成され、再生時には再生磁界が印加され、光ビーム
が基板側から照射されて、各磁性層間の交換結合力によ
り記録層から再生層に転写された記録マークが読出され
るようになっている。
【０００５】このとき、ビームスポット内に低温領域，
中間温度領域，高温領域がディスク回転方向後方側から
順に形成される。低温領域では再生層が面内磁化である
ことにより記録層の記録マークを磁気的にマスクし、高
温領域では再生層が再生磁界に揃うことにより記録層の
記録マークを磁気的にマスクする。これらの領域の間に
形成された中間温度領域では、記録層に形成された記録
マークが再生層に転写され、これが読み出される。
中間温度領域，高温領域がディスク回転方向後方側から
順に形成される。低温領域では再生層が面内磁化である
ことにより記録層の記録マークを磁気的にマスクし、高
温領域では再生層が再生磁界に揃うことにより記録層の
記録マークを磁気的にマスクする。これらの領域の間に
形成された中間温度領域では、記録層に形成された記録
マークが再生層に転写され、これが読み出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＭＳＲ再生
技術により、高密度記録されたビーム径以下の記録マー
クを再生することが可能となる。しかしながら、ビーム
スポット内に、前述した低温領域，中間温度領域，高温
領域のような温度分布を形成するためには、再生時に、
通常の光磁気再生の場合よりも高パワーの光ビームを光
磁気ディスクに照射する必要がある。このために、光磁
気ディスクの高温領域において、記録マークが形成され
た記録層の磁化が消滅する虞がある。このことが、ＭＳ
Ｒ再生を可能にする光ビームの再生パワーマージンを狭
めているという問題があった。
技術により、高密度記録されたビーム径以下の記録マー
クを再生することが可能となる。しかしながら、ビーム
スポット内に、前述した低温領域，中間温度領域，高温
領域のような温度分布を形成するためには、再生時に、
通常の光磁気再生の場合よりも高パワーの光ビームを光
磁気ディスクに照射する必要がある。このために、光磁
気ディスクの高温領域において、記録マークが形成され
た記録層の磁化が消滅する虞がある。このことが、ＭＳ
Ｒ再生を可能にする光ビームの再生パワーマージンを狭
めているという問題があった。
【０００７】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、光磁気記録媒体の複数の磁性層のうち、記録
マークを形成する磁性層のキュリー温度を高い特定の範
囲内とすることにより、再生時の高パワーの光ビーム照
射の際に記録マークの消滅を防止できる光磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
のであり、光磁気記録媒体の複数の磁性層のうち、記録
マークを形成する磁性層のキュリー温度を高い特定の範
囲内とすることにより、再生時の高パワーの光ビーム照
射の際に記録マークの消滅を防止できる光磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁気記録
媒体は、基板上に第１磁性層と第２磁性層と希土類−遷
移金属合金からなる第３磁性層とがこの順に積層され、
各磁性層が相互に交換結合力を有する光磁気記録媒体に
おいて、前記第３磁性層が２４０℃以上のキュリー温度
を有することを特徴とする。
媒体は、基板上に第１磁性層と第２磁性層と希土類−遷
移金属合金からなる第３磁性層とがこの順に積層され、
各磁性層が相互に交換結合力を有する光磁気記録媒体に
おいて、前記第３磁性層が２４０℃以上のキュリー温度
を有することを特徴とする。
【０００９】本発明にあっては、光磁気記録媒体が、再
生層として第１磁性層を、記録層として第３磁性層を、
これらの間の交換結合力を制御する中間層として第２磁
性層を備え、ＭＳＲ再生方式により記録マークが再生さ
れる場合に、光ビームの再生可能なパワー範囲である再
生パワーマージンの最小パワー値が例えば略2.2 ｍＷで
あるときに、第３磁性層のキュリー温度が２４０℃を有
することにより再生パワーマージンの最大パワー値が略
2.9 ｍＷ以上となり、実機への適用の目安となる１２％
の再生パワーマージンを確保することができる。最小パ
ワー値は主に第１磁性層の組成で決まり、最大パワー値
は第３磁性層の組成で決まる。第３磁性層のキュリー温
度が高くなるほど、記録マーク消滅パワー値即ち最大パ
ワー値が高くなるので、第３磁性層のキュリー温度が２
４０℃以上であることにより、再生パワーマージン１２
％以上となり、高パワー側に広くなる。
生層として第１磁性層を、記録層として第３磁性層を、
これらの間の交換結合力を制御する中間層として第２磁
性層を備え、ＭＳＲ再生方式により記録マークが再生さ
れる場合に、光ビームの再生可能なパワー範囲である再
生パワーマージンの最小パワー値が例えば略2.2 ｍＷで
あるときに、第３磁性層のキュリー温度が２４０℃を有
することにより再生パワーマージンの最大パワー値が略
2.9 ｍＷ以上となり、実機への適用の目安となる１２％
の再生パワーマージンを確保することができる。最小パ
ワー値は主に第１磁性層の組成で決まり、最大パワー値
は第３磁性層の組成で決まる。第３磁性層のキュリー温
度が高くなるほど、記録マーク消滅パワー値即ち最大パ
ワー値が高くなるので、第３磁性層のキュリー温度が２
４０℃以上であることにより、再生パワーマージン１２
％以上となり、高パワー側に広くなる。
【００１０】また、光磁気記録媒体がＭＳＲ再生方式に
より記録マークが再生される場合に、再生パワーマージ
ンの最小パワー値が例えば2.4 ｍＷであるときは、第３
磁性層のキュリー温度が２７５℃を有することにより再
生パワーマージンの最大パワー値が3.1 ｍＷとなり、実
機への適用の目安である１２％の再生パワーマージンを
確保することができる。そして、第３磁性層のキュリー
温度が高くなるほど最大パワー値が高くなり、再生パワ
ーマージンが高パワー側に広くなるが、現状で使用され
ているビーム光源を用いた場合は、特に高周速での記録
感度の観点から、第３磁性層のキュリー温度は４００℃
が限界である。
より記録マークが再生される場合に、再生パワーマージ
ンの最小パワー値が例えば2.4 ｍＷであるときは、第３
磁性層のキュリー温度が２７５℃を有することにより再
生パワーマージンの最大パワー値が3.1 ｍＷとなり、実
機への適用の目安である１２％の再生パワーマージンを
確保することができる。そして、第３磁性層のキュリー
温度が高くなるほど最大パワー値が高くなり、再生パワ
ーマージンが高パワー側に広くなるが、現状で使用され
ているビーム光源を用いた場合は、特に高周速での記録
感度の観点から、第３磁性層のキュリー温度は４００℃
が限界である。
【００１１】さらに、希土類−遷移金属合金からなる第
３磁性層は、遷移金属組成量を増加させるに従ってキュ
リー温度が上昇する。第３磁性層であるＴｂＦｅＣｏ膜
のキュリー温度が２７５℃〜４００℃となる場合のＣｏ
組成は略17％〜26％である。
３磁性層は、遷移金属組成量を増加させるに従ってキュ
リー温度が上昇する。第３磁性層であるＴｂＦｅＣｏ膜
のキュリー温度が２７５℃〜４００℃となる場合のＣｏ
組成は略17％〜26％である。
【００１２】さらにまた、希土類−遷移金属合金からな
る第３磁性層は、希土類金属組成量を増加させるに伴っ
てキュリー温度が下降する。第３磁性層であるＴｂＦｅ
Ｃｏ膜のキュリー温度が２７５℃〜４００℃となる場合
のＴｂ組成は略20％〜28％である。
る第３磁性層は、希土類金属組成量を増加させるに伴っ
てキュリー温度が下降する。第３磁性層であるＴｂＦｅ
Ｃｏ膜のキュリー温度が２７５℃〜４００℃となる場合
のＴｂ組成は略20％〜28％である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 第１の実施の形態 図１は、第１の実施の形態の光磁気ディスクの膜構成を
示す図である。図中、１はガラス製又はポリカーボネー
ト製の透明な基板であり、基板１上にＳｉＮからなる下
地層２、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層としての第１磁性
層３、ＧｄＦｅからなる中間層としての第２磁性層４、
ＴｂＦｅＣｏからなる記録層としての第３磁性層５、Ｓ
ｉＮからなる保護層６が夫々この順に積層されている。
各層の厚みは、下地層２が70ｎｍ、第１磁性層３が40ｎ
ｍ、第２磁性層４が40ｎｍ、第３磁性層５が50ｎｍ、保
護層６が60ｎｍである。また、第１磁性層３はＧｄ組成
が24.5％のＴＭリッチ組成であり、第２磁性層４はＲＥ
リッチ組成であり、第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃ
は、275 ℃≦Ｔｃ≦400 ℃を満たしている。
示す図面に基づき具体的に説明する。 第１の実施の形態 図１は、第１の実施の形態の光磁気ディスクの膜構成を
示す図である。図中、１はガラス製又はポリカーボネー
ト製の透明な基板であり、基板１上にＳｉＮからなる下
地層２、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層としての第１磁性
層３、ＧｄＦｅからなる中間層としての第２磁性層４、
ＴｂＦｅＣｏからなる記録層としての第３磁性層５、Ｓ
ｉＮからなる保護層６が夫々この順に積層されている。
各層の厚みは、下地層２が70ｎｍ、第１磁性層３が40ｎ
ｍ、第２磁性層４が40ｎｍ、第３磁性層５が50ｎｍ、保
護層６が60ｎｍである。また、第１磁性層３はＧｄ組成
が24.5％のＴＭリッチ組成であり、第２磁性層４はＲＥ
リッチ組成であり、第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃ
は、275 ℃≦Ｔｃ≦400 ℃を満たしている。
【００１４】各層はＤＣスパッタ法により形成され、そ
のスパッタ条件は、ＳｉＮ層の形成時はガス圧が0.3 Ｐ
ａ、投入電力が0.8 ｋＷであり、磁性層の形成時はガス
圧が0.5 Ｐａ、投入電力が1.0 ｋＷである。また、各層
は到達真空度が５×10-5Ｐａ以下の真空槽内で形成され
ている。
のスパッタ条件は、ＳｉＮ層の形成時はガス圧が0.3 Ｐ
ａ、投入電力が0.8 ｋＷであり、磁性層の形成時はガス
圧が0.5 Ｐａ、投入電力が1.0 ｋＷである。また、各層
は到達真空度が５×10-5Ｐａ以下の真空槽内で形成され
ている。
【００１５】図２は、以上の如く構成された光磁気ディ
スクの再生時の磁化状態を示す図である。基板１、下地
層２及び保護層６は省略して示している。ビームスポッ
ト内には、低温領域，中間温度領域，高温領域がディス
クの回転方向後方側から順に形成される。低温領域で
は、再生磁界Ｈｒの向きに揃った第２磁性層４と交換結
合した第１磁性層３が、その磁化方向が再生磁化Ｈｒの
向きと逆方向に揃うので、第３磁性層５の記録マークが
第１磁性層３に転写されずにマスク領域となる。一方、
高温領域では、第２磁性層４との交換結合力が弱まった
第１磁性層３が、その磁化方向が再生磁界Ｈｒの向きと
同じ方向に揃うので、第３磁性層５の記録マークが第１
磁性層３に転写されずにマスク領域となる。
スクの再生時の磁化状態を示す図である。基板１、下地
層２及び保護層６は省略して示している。ビームスポッ
ト内には、低温領域，中間温度領域，高温領域がディス
クの回転方向後方側から順に形成される。低温領域で
は、再生磁界Ｈｒの向きに揃った第２磁性層４と交換結
合した第１磁性層３が、その磁化方向が再生磁化Ｈｒの
向きと逆方向に揃うので、第３磁性層５の記録マークが
第１磁性層３に転写されずにマスク領域となる。一方、
高温領域では、第２磁性層４との交換結合力が弱まった
第１磁性層３が、その磁化方向が再生磁界Ｈｒの向きと
同じ方向に揃うので、第３磁性層５の記録マークが第１
磁性層３に転写されずにマスク領域となる。
【００１６】中間温度領域では、第３磁性層５の記録マ
ークが第１磁性層３に転写され、これが読み出される。
このように、本実施の形態の光磁気ディスクでは、ビー
ムスポット内の低温領域と高温領域とにあって、第３磁
性層５の記録マークを第１磁性層３に転写できないマス
ク領域を形成できるので、実質的にスポットを絞った場
合と同様の効果を奏することができ、高い再生分解能が
得られる。
ークが第１磁性層３に転写され、これが読み出される。
このように、本実施の形態の光磁気ディスクでは、ビー
ムスポット内の低温領域と高温領域とにあって、第３磁
性層５の記録マークを第１磁性層３に転写できないマス
ク領域を形成できるので、実質的にスポットを絞った場
合と同様の効果を奏することができ、高い再生分解能が
得られる。
【００１７】このような光磁気ディスクにおいて、所望
のキュリー温度Ｔｃを有する第３磁性層５の組成を決定
する方法として、Ｔｂ組成量を一定にして遷移金属組成
量即ちＣｏ組成量を定める場合と、Ｃｏ組成量を一定に
して希土類金属組成量即ちＴｂ組成量を定める場合とが
ある。図３は、Ｃｏ組成量を異ならせて形成した第３磁
性層５の夫々のキュリー温度Ｔｃを測定した結果を示す
グラフである。縦軸はキュリー温度Ｔｃを示し、横軸は
第３磁性層５のＣｏ量を示している。グラフからＣｏ量
の増加とともにキュリー温度Ｔｃが上昇していることが
判る。また、図４は、Ｔｂ組成を異ならせて形成した第
３磁性層の夫々のキュリー温度Ｔｃを測定した結果を示
すグラフである。縦軸はキュリー温度Ｔｃを示し、横軸
は第３磁性層５のＴｂ量を示している。グラフからＴｂ
量の増加とともにキュリー温度Ｔｃが下降していること
が判る。図３及び図４から、本実施の形態の第３磁性層
５は、Ｃｏ量を調整する場合はＣｏ量が略17％〜26％で
あり、Ｔｂ量を調整する場合はＴｂ量が略20％〜28％で
ある。
のキュリー温度Ｔｃを有する第３磁性層５の組成を決定
する方法として、Ｔｂ組成量を一定にして遷移金属組成
量即ちＣｏ組成量を定める場合と、Ｃｏ組成量を一定に
して希土類金属組成量即ちＴｂ組成量を定める場合とが
ある。図３は、Ｃｏ組成量を異ならせて形成した第３磁
性層５の夫々のキュリー温度Ｔｃを測定した結果を示す
グラフである。縦軸はキュリー温度Ｔｃを示し、横軸は
第３磁性層５のＣｏ量を示している。グラフからＣｏ量
の増加とともにキュリー温度Ｔｃが上昇していることが
判る。また、図４は、Ｔｂ組成を異ならせて形成した第
３磁性層の夫々のキュリー温度Ｔｃを測定した結果を示
すグラフである。縦軸はキュリー温度Ｔｃを示し、横軸
は第３磁性層５のＴｂ量を示している。グラフからＴｂ
量の増加とともにキュリー温度Ｔｃが下降していること
が判る。図３及び図４から、本実施の形態の第３磁性層
５は、Ｃｏ量を調整する場合はＣｏ量が略17％〜26％で
あり、Ｔｂ量を調整する場合はＴｂ量が略20％〜28％で
ある。
【００１８】以上の如き構成の光磁気ディスクの再生特
性を調べた。0.38μｍの記録マークの記録再生条件は、
線速６ｍ／ｓ，duty比30％，記録パワー6.5 ｍＷ〜8.5
ｍＷであり、再生磁界350 Ｏｅである。光磁気ディスク
を再生し、ビーム光の再生パワー（ｍＷ）に応じたキャ
リア及びノイズ（ｄＢｍ）を測定した。この結果を図５
のグラフに示す。グラフ中、Ｐrminは再生パワーマージ
ンのパワー最小値であり、Ｐrmaxは最大値である。Ｐrm
inは光磁気ディスクが備える磁性層の組成によって決定
される値であり、グラフから本実施の形態の光磁気ディ
スクは、Ｐrminは2.4 ｍＷであることが判る。また、再
生パワーマージンは、再生すべきパワーに対して±何％
であるというパーセント表示がなされており、ここでは
以下の式で定義した。 再生パワーマージン＝（Ｐrmax−Ｐrmin）／（Ｐrmax＋Ｐrmin）×100 …（１）
性を調べた。0.38μｍの記録マークの記録再生条件は、
線速６ｍ／ｓ，duty比30％，記録パワー6.5 ｍＷ〜8.5
ｍＷであり、再生磁界350 Ｏｅである。光磁気ディスク
を再生し、ビーム光の再生パワー（ｍＷ）に応じたキャ
リア及びノイズ（ｄＢｍ）を測定した。この結果を図５
のグラフに示す。グラフ中、Ｐrminは再生パワーマージ
ンのパワー最小値であり、Ｐrmaxは最大値である。Ｐrm
inは光磁気ディスクが備える磁性層の組成によって決定
される値であり、グラフから本実施の形態の光磁気ディ
スクは、Ｐrminは2.4 ｍＷであることが判る。また、再
生パワーマージンは、再生すべきパワーに対して±何％
であるというパーセント表示がなされており、ここでは
以下の式で定義した。 再生パワーマージン＝（Ｐrmax−Ｐrmin）／（Ｐrmax＋Ｐrmin）×100 …（１）
【００１９】図６及び図７は、上述した光磁気ディスク
の第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃと記録マークが消滅
する光ビームのパワーとの関係を示したグラフである。
図６はＣｏ組成量を調整した場合を、図７はＴｂ組成量
を調整した場合を示している。夫々のグラフで、横軸は
第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃ（℃）を示し、縦軸は
記録マークの消滅パワー（ｍＷ）を示している。両グラ
フから、第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃが高い程、記
録マークが消滅する再生パワーが高くなり、再生パワー
マージンが広くなることが判る。
の第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃと記録マークが消滅
する光ビームのパワーとの関係を示したグラフである。
図６はＣｏ組成量を調整した場合を、図７はＴｂ組成量
を調整した場合を示している。夫々のグラフで、横軸は
第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃ（℃）を示し、縦軸は
記録マークの消滅パワー（ｍＷ）を示している。両グラ
フから、第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃが高い程、記
録マークが消滅する再生パワーが高くなり、再生パワー
マージンが広くなることが判る。
【００２０】これらのグラフから、第３磁性層５のキュ
リー温度Ｔｃが２７５℃である場合には、記録マーク消
滅パワーは略3.1 ｍＷであり、式（１）より、再生パワ
ーマージンは略１２％となる。この値は、この種のＭＳ
Ｒ媒体の実機への適用の目安となる値である。キュリー
温度Ｔｃが高い程、再生パワーマージンが大きくなるこ
とから、２７５℃が第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃの
最小値であると言える。また、現在一般的に使用されて
いる光磁気ドライブに搭載されているレーザダイオード
では、４００℃を越えるキュリー温度Ｔｃを有する磁性
層に記録マークを形成する場合に、特に高周速に対して
記録感度が極めて劣る。この観点から第３磁性層５のキ
ュリー温度Ｔｃは４００℃が限界であると言える。
リー温度Ｔｃが２７５℃である場合には、記録マーク消
滅パワーは略3.1 ｍＷであり、式（１）より、再生パワ
ーマージンは略１２％となる。この値は、この種のＭＳ
Ｒ媒体の実機への適用の目安となる値である。キュリー
温度Ｔｃが高い程、再生パワーマージンが大きくなるこ
とから、２７５℃が第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃの
最小値であると言える。また、現在一般的に使用されて
いる光磁気ドライブに搭載されているレーザダイオード
では、４００℃を越えるキュリー温度Ｔｃを有する磁性
層に記録マークを形成する場合に、特に高周速に対して
記録感度が極めて劣る。この観点から第３磁性層５のキ
ュリー温度Ｔｃは４００℃が限界であると言える。
【００２１】以上の如く、第１の実施の形態の光磁気デ
ィスクでは、第３磁性層５のキュリー温度を２７５℃〜
４００℃とすることにより、第３磁性層５の記録マーク
が消滅される光ビームパワーが高くなり、再生パワーマ
ージンを高パワー側に広くすることができる。
ィスクでは、第３磁性層５のキュリー温度を２７５℃〜
４００℃とすることにより、第３磁性層５の記録マーク
が消滅される光ビームパワーが高くなり、再生パワーマ
ージンを高パワー側に広くすることができる。
【００２２】第２の実施の形態 第２の実施の形態の光磁気ディスクは、ガラス製又はポ
リカーボネート製の基板１上にＳｉＮからなる下地層
２、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層としての第１磁性層
３、ＧｄＦｅからなる中間層としての第２磁性層４、Ｔ
ｂＦｅＣｏからなる記録層としての第３磁性層５、Ｓｉ
Ｎからなる保護層６が夫々この順に積層されている。第
１磁性層３のＧｄ組成が23.5％であり、第３磁性層５の
キュリー温度Ｔｃは、240 ℃≦Ｔｃ≦400 ℃を満たして
いる。図３及び図４から、本実施の形態の第３磁性層５
は、Ｃｏ量を調整する場合はＣｏ量が略14％〜26％であ
り、Ｔｂ量を調整する場合はＴｂ量が略20％〜31％であ
る。その他の構成及び再生原理は第１の実施の形態と同
様である。
リカーボネート製の基板１上にＳｉＮからなる下地層
２、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層としての第１磁性層
３、ＧｄＦｅからなる中間層としての第２磁性層４、Ｔ
ｂＦｅＣｏからなる記録層としての第３磁性層５、Ｓｉ
Ｎからなる保護層６が夫々この順に積層されている。第
１磁性層３のＧｄ組成が23.5％であり、第３磁性層５の
キュリー温度Ｔｃは、240 ℃≦Ｔｃ≦400 ℃を満たして
いる。図３及び図４から、本実施の形態の第３磁性層５
は、Ｃｏ量を調整する場合はＣｏ量が略14％〜26％であ
り、Ｔｂ量を調整する場合はＴｂ量が略20％〜31％であ
る。その他の構成及び再生原理は第１の実施の形態と同
様である。
【００２３】以上の如き構成の光磁気ディスクの再生特
性を調べた。記録再生条件は、線速６ｍ／ｓ，duty比30
％，記録パワー8.5 ｍＷであり、記録周波数7.894 ＭＨ
ｚ、再生磁界450 Ｏｅである。光磁気ディスクを再生
し、ビーム光の再生パワー（ｍＷ）に応じたキャリア及
びノイズ（ｄＢｍ）を測定した。この結果を図８のグラ
フに示す。グラフから、第２の実施の形態の光磁気ディ
スクでは、Ｐrminは2.2ｍＷであることが判る。
性を調べた。記録再生条件は、線速６ｍ／ｓ，duty比30
％，記録パワー8.5 ｍＷであり、記録周波数7.894 ＭＨ
ｚ、再生磁界450 Ｏｅである。光磁気ディスクを再生
し、ビーム光の再生パワー（ｍＷ）に応じたキャリア及
びノイズ（ｄＢｍ）を測定した。この結果を図８のグラ
フに示す。グラフから、第２の実施の形態の光磁気ディ
スクでは、Ｐrminは2.2ｍＷであることが判る。
【００２４】上述した図６から、第３磁性層５がＣｏ組
成でキュリー温度Ｔｃを調整した場合はＴｃ＝２４０℃
で、記録マーク消滅パワーは略2.9 ｍＷであることが判
る。式（１）より、このときの再生パワーマージンは略
１２％となる。この値は、この種のＭＳＲ媒体の実機へ
の適用の目安となる値である。キュリー温度Ｔｃが高い
程、再生パワーマージンが大きくなることから、２４０
℃が第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃの最小値であると
言える。また、第１の実施の形態にて説明した同様の理
由から、第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃは４００℃が
上限であると言える。
成でキュリー温度Ｔｃを調整した場合はＴｃ＝２４０℃
で、記録マーク消滅パワーは略2.9 ｍＷであることが判
る。式（１）より、このときの再生パワーマージンは略
１２％となる。この値は、この種のＭＳＲ媒体の実機へ
の適用の目安となる値である。キュリー温度Ｔｃが高い
程、再生パワーマージンが大きくなることから、２４０
℃が第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃの最小値であると
言える。また、第１の実施の形態にて説明した同様の理
由から、第３磁性層５のキュリー温度Ｔｃは４００℃が
上限であると言える。
【００２５】なお、図７から、第３磁性層５がＴｂ組成
でキュリー温度Ｔｃを調整した場合は、記録マーク消滅
パワーが2.9 ｍＷであるのはキュリー温度Ｔｃが２６０
℃のときである。ＴｂＦｅＣｏ膜が２６０℃≦Ｔｃ≦４
００℃となるＴｂ組成は略20％〜30％である。
でキュリー温度Ｔｃを調整した場合は、記録マーク消滅
パワーが2.9 ｍＷであるのはキュリー温度Ｔｃが２６０
℃のときである。ＴｂＦｅＣｏ膜が２６０℃≦Ｔｃ≦４
００℃となるＴｂ組成は略20％〜30％である。
【００２６】以上の如く、第２の実施の形態の光磁気デ
ィスクでは、第３磁性層５のキュリー温度を２４０℃〜
４００℃とすることにより、第３磁性層５の記録マーク
が消滅される光ビームパワーが高くなり、再生パワーマ
ージンを高パワー側に広くすることができる。また、第
１実施の形態と比較してＰrminが低いので、再生パワー
マージンは第１の実施の形態よりも広くなる。しかしな
がら、第１実施の形態の方が低い再生磁界でＭＳＲ再生
が可能である。
ィスクでは、第３磁性層５のキュリー温度を２４０℃〜
４００℃とすることにより、第３磁性層５の記録マーク
が消滅される光ビームパワーが高くなり、再生パワーマ
ージンを高パワー側に広くすることができる。また、第
１実施の形態と比較してＰrminが低いので、再生パワー
マージンは第１の実施の形態よりも広くなる。しかしな
がら、第１実施の形態の方が低い再生磁界でＭＳＲ再生
が可能である。
【００２７】なお、上述した実施の形態では、第３磁性
層としてＴｂＦｅＣｏ膜を積層しているが、これに限る
ものではなく、第２磁性層と磁気的に交換結合可能な希
土類−遷移金属合金であれば良い。
層としてＴｂＦｅＣｏ膜を積層しているが、これに限る
ものではなく、第２磁性層と磁気的に交換結合可能な希
土類−遷移金属合金であれば良い。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、基板
上に第１、第２及び第３磁性層を積層して構成された光
磁気記録媒体の第３磁性層のキュリー温度を２４０℃以
上とすることにより、第３磁性層に形成された記録マー
クが、再生時に照射される高パワーの光ビームによって
消滅することを防止し、再生パワーマージンを高域側に
広くすることができる。また、第１磁性層の膜組成によ
っては、第３磁性層のキュリー温度を２７５℃〜４００
℃とすることにより、再生パワーマージンを広くでき、
さらに小さな再生磁界の印加によりＭＳＲ再生が可能と
なる等、本発明は優れた効果を奏する。
上に第１、第２及び第３磁性層を積層して構成された光
磁気記録媒体の第３磁性層のキュリー温度を２４０℃以
上とすることにより、第３磁性層に形成された記録マー
クが、再生時に照射される高パワーの光ビームによって
消滅することを防止し、再生パワーマージンを高域側に
広くすることができる。また、第１磁性層の膜組成によ
っては、第３磁性層のキュリー温度を２７５℃〜４００
℃とすることにより、再生パワーマージンを広くでき、
さらに小さな再生磁界の印加によりＭＳＲ再生が可能と
なる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明の光磁気ディスクの膜構成図である。
【図２】ダブルマスクＲＡＤ方式による再生時の磁化状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図３】図１の光磁気ディスクの第３磁性層のＣｏ量と
キュリー温度との関係を示すグラフである。
キュリー温度との関係を示すグラフである。
【図４】図１の光磁気ディスクの第３磁性層のＴｂ量と
キュリー温度との関係を示すグラフである。
キュリー温度との関係を示すグラフである。
【図５】第１の実施の形態の光磁気ディスクの再生特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】図１の光磁気ディスクの第３磁性層のキュリー
温度（Ｃｏ変化）と記録マーク消滅パワーとの関係を示
すグラフである。
温度（Ｃｏ変化）と記録マーク消滅パワーとの関係を示
すグラフである。
【図７】図１の光磁気ディスクの第３磁性層のキュリー
温度（Ｔｂ変化）と記録マーク消滅パワーとの関係を示
すグラフである。
温度（Ｔｂ変化）と記録マーク消滅パワーとの関係を示
すグラフである。
【図８】第２の実施の形態の光磁気ディスクの再生特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ 基板 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 第３磁性層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に第１磁性層と第２磁性層と希土
類−遷移金属合金からなる第３磁性層とがこの順に積層
され、各磁性層が相互に交換結合力を有する光磁気記録
媒体において、前記第３磁性層が２４０℃以上のキュリ
ー温度を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23113896A JPH1079146A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23113896A JPH1079146A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 光磁気記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003007384A Division JP2003223748A (ja) | 2003-01-15 | 2003-01-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079146A true JPH1079146A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16918886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23113896A Pending JPH1079146A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079146A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000006434A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-25 | 요트.게.아. 롤페즈 | 이중마스크를갖는광자기저장매체 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23113896A patent/JPH1079146A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000006434A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-25 | 요트.게.아. 롤페즈 | 이중마스크를갖는광자기저장매체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041001 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050906 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |