JPH1079362A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法

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JPH1079362A
JPH1079362A JP9010683A JP1068397A JPH1079362A JP H1079362 A JPH1079362 A JP H1079362A JP 9010683 A JP9010683 A JP 9010683A JP 1068397 A JP1068397 A JP 1068397A JP H1079362 A JPH1079362 A JP H1079362A
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Mitsuhiro Oosawa
満洋 大澤
Yasuhiro Niima
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Hirohisa Matsuki
浩久 松木
Masanori Onodera
正徳 小野寺
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Shigeyuki Maruyama
茂幸 丸山
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正夫 佐久間
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した
半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半
導体装置に関し、半導体装置の製造効率及び信頼性の向
上を図ることを目的とする。 【解決手段】バンプ１２が配設された複数の半導体素子
１１が形成された基板１６を金型２０のキャビティ２８
内に装着し、続いてバンプ１２の配設位置に樹脂３５を
供給してバンプ１２を封止し樹脂層１３を形成する樹脂
封止工程と、樹脂層１３に覆われたバンプ１２の少なく
とも先端部を樹脂層１３より露出させる突起電極露出工
程と、基板１６を樹脂層１３と共に切断して個々の半導
体素子１１に分離する分離工程とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置に係り、特
にチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置の製
造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置に関す
る。
【０００２】近年、電子機器及び装置の小型化の要求に
伴い、半導体装置の小型化，高密度化が図られている。
このため、半導体装置の形状を半導体素子（チップ）に
極力近づけることにより小型化を図った、いわゆるチッ
プサイズパッケージ構造の半導体装置が提案されてい
る。
【０００３】また、高密度化により多ピン化し、かつ半
導体装置が小型化すると、外部接続端子のピッチが狭く
なる。このため、省スペースに比較的多数の外部接続端
子を形成しうる構造として、外部接続端子として突起電
極（バンプ）を用いることが行われている。
【０００４】
【従来の技術】図７８（Ａ）は、従来のベアチップ（フ
リップチップ）実装に用いられる半導体装置の一例を示
している。同図に示す半導体装置１は、大略すると半導
体素子２（半導体チップ），及び多数の突起電極４（バ
ンプ）等とにより構成されている。
【０００５】半導体素子２の下面には外部接続端子とな
る突起電極４が、例えばマトリックス状に多数形成され
ている。この突起電極４は半田等の柔らかい金属により
形成されたものであるため傷が付きやすく、ハンドリン
グやテストを実施するのが難しいものである。同様に、
半導体素子２もベアチップ状態であるため傷が付きやす
く、よって突起電極４と同様にハンドリングや試験を実
施するのが難しい。
【０００６】また、上記した半導体装置１を実装基板５
（例えば、プリント配線基板）に実装するには、図７８
（Ｂ）に示されるように、先ず半導体装置１に形成され
ている突起電極４を実装基板５に形成されている電極５
ａに接合する。続いて、図７８（Ｃ）に示されるよう
に、半導体素子２と実装基板５との間に、いわゆるアン
ダーフィルレジン６（梨地で示す）を装填する。
【０００７】このアンダーフィルレジン６は、比較的流
動性を有する樹脂を半導体素子２と実装基板５との間に
形成された間隙７（突起電極４の高さと略等しい）に充
填することにより形成される。このようにして形成され
るアンダーフィルレジン６は、半導体素子２と実装基板
５との熱膨張差に基づき発生する応力及び実装時の熱に
より開放された時に発生する半導体素子２の電極と突起
電極４との接合部に印加される応力により、突起電極４
と実装基板５の電極５ａとの接合部位の破壊、若しくは
突起電極４と半導体素子２の電極との接合部位の破壊を
防止するために設けられるものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したようにアンダ
ーフィルレジン６は、突起電極４と実装基板５との破壊
（特に、電極と突起電極４との間における破壊）を防止
する面から有効である。しかるに、このアンダーフィル
レジン６は、半導体素子２と実装基板５との間に形成さ
れた狭い間隙７に充填する必要があるため充填作業が面
倒であり、また間隙７の全体に均一にアンダーフィルレ
ジン６を配設するのが困難である。このため、半導体装
置の製造効率が低下したり、またアンダーフィルレジン
６を形成したにも拘わらず突起電極４と電極５ａとの接
合部、若しくは突起電極４と半導体素子２の電極との接
合部における破壊が発生し、実装における信頼性が低下
してしまうという問題点があった。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図りう
る半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び
半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明に係る半導体装置の製造方法では、突起電極
が配設された複数の半導体素子が形成された基板を金型
内に装着し、続いて前記突起電極の配設位置に封止樹脂
を供給して前記突起電極及び前記基板を前記封止樹脂で
封止し樹脂層を形成する樹脂封止工程と、前記突起電極
の少なくとも先端部を前記樹脂層より露出させる突起電
極露出工程と前記基板を前記樹脂層と共に切断して個々
の半導体素子に分離する分離工程とを具備することを特
徴とするものである。
【００１１】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂封
止工程で用いられる封止樹脂は、封止処理後における前
記樹脂層の高さが前記突起電極の高さと略等しい高さと
なる量に計量されていることを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程で、前記突起電極と前記金型との間にフ
ィルムを配設し、前記金型が前記フィルムを介して前記
封止樹脂と接触するよう構成したことを特徴とするもの
である。
【００１３】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記樹脂封止工程で用いられる金型を、昇降可
能な上型と、固定された第１の下型半体と、前記第１の
下型半体に対して昇降可能な構成とされた第２の下型半
体とよりなる下型とにより構成すると共に、樹脂封止工
程が、前記突起電極が配設された複数の半導体素子が形
成された基板を前記第１及び第２の下型半体が協働して
形成するキャビティ内に装着すると共に、前記封止樹脂
を前記キャビティ内に配設する基板装着工程と、前記上
型を前記第２の下型半体と共に下動させることにより前
記封止樹脂を加熱，溶融，圧縮し、前記突起電極を封止
する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、先ず上型を上
昇させて前記上型を前記樹脂層から離間させ、続いて第
２の下型半体を第１の下型半体に対して昇降させること
により、前記樹脂層が形成された基板を前記金型から離
型させる離型工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【００１４】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記樹脂封止工程で用いられる金型に余剰樹脂
除去機構を設け、この余剰樹脂除去機構により余剰樹脂
を除去すると共に前記金型内における封止樹脂の圧力を
制御することを特徴とするものである。
【００１５】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項１乃至５の何れかに記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記樹脂封止工程で、封止樹脂としてシート状樹
脂を用いたことを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項７記載の発明では、前記請求
項３または６記載の半導体装置の製造方法において、前
記封止樹脂を前記樹脂封止工程の実施前に予め前記フィ
ルムに配設することを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項７記載の半導体装置の製造方法において、前記封止樹
脂を前記フィルムに複数個離間配設しておき、前記フィ
ルムを移動させることにより、連続的に前記樹脂封止工
程を実施することを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項９記載の発明では、前記請求
項１乃至８記載のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法において、前記樹脂封止工程で前記金型に前記基板を
装着する前に補強板を装着しておくことを特徴とするも
のである。
【００１９】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記補強
板として放熱性の良好な材料を選定したことを特徴とす
るものである。
【００２０】また、請求項１１記載の発明では、前記請
求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法において、前記突起電極露出工程で前記樹脂層に覆わ
れた突起電極の少なくとも先端部を前記樹脂層より露出
させるため、レーザ光照射，エキシマレーザ，エッチン
グ，機械研磨，及びブラストの内、少なくとも１の手段
を用いることを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項１２記載の発明では、前記請
求項３乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法において、前記樹脂封止工程で用いられる前記フィル
ムの材質として弾性変形可能な材質を選定し、前記金型
を用いて前記樹脂層を形成する際に前記突起電極の先端
部を前記フィルムにめり込ませると共に、前記突起電極
露出工程で前記フィルムを前記樹脂層から剥離させるこ
とにより、前記突起電極の先端部が前記樹脂層より露出
させることを特徴とするものである。
【００２２】また、請求項１３記載の発明に係る半導体
装置製造用金型では、昇降可能な上型と、基板の形状に
対応しており固定された第１の下型半体と、前記第１の
下型半体を囲繞するよう配設されると共に前記第１の下
型半体に対して昇降可能な第２の下型半体とよりなる下
型とにより構成され、前記上型と下型とが協働して樹脂
充填が行なわれるキャビティを形成する構成としたこと
を特徴とするものである。
【００２３】また、請求項１４記載の発明では、前記請
求項１３記載の半導体装置製造用金型において、樹脂成
形時に余剰樹脂の除去処理を同時に行うと共に前記封止
樹脂の圧力を制御する余剰樹脂除去機構を設けたことを
特徴とするものである。
【００２４】また、請求項１５記載の発明では、前記請
求項１３または１４記載の半導体装置製造用金型におい
て、前記第１の下型半体の前記基板が載置される部位
に、前記基板を前記第１の下型半体に固定・離型させる
固定・離型機構を設けたことを特徴とするものである。
【００２５】また、請求項１６記載の発明では、前記請
求項１５記載の半導体装置製造用金型において、前記固
定・離型機構を、前記第１の下型半体の前記基板が載置
される部位に配設された多孔質部材と、前記多孔質部材
に対し気体の吸引処理及び気体の供給処理を行なう吸排
気装置とにより構成したことを特徴とするものである。
【００２６】また、請求項１７記載の発明では、前記請
求項１３乃至１６のいずれかに記載の半導体装置製造用
金型において、前記キャビティを形成した状態におい
て、前記第１の下型半体の上部の面積よりも第２の下型
半体で囲繞される面積が広くなる部分を有する構成とし
たことを特徴とするものである。
【００２７】また、請求項１８記載の発明に係る半導体
装置では、少なくとも表面上に突起電極が直接形成され
てなる半導体素子と、前記半導体素子の表面上に形成さ
れており、前記突起電極の先端部を残し前記突起電極を
封止する樹脂層とを具備することを特徴とするものであ
る。
【００２８】また、請求項１９記載の発明に係る半導体
装置では、前記請求項１８記載の半導体装置において、
前記半導体素子の前記突起電極が形成される表面に対し
反対側となる背面に、放熱部材を配設したことを特徴と
するものである。
【００２９】また、請求項２０記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法において、前記樹脂封止工程で用いられる封止樹脂と
して、異なる特性を有する複数の封止樹脂を用いること
を特徴とするものである。
【００３０】また、請求項２１記載の発明では、前記請
求項９または１０記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記樹脂封止工程において、予め前記封止樹脂を前
記補強板に配設しておくことを特徴とするものである。
【００３１】また、請求項２２記載の発明では、前記請
求項２１記載の半導体装置の製造方法において、前記補
強板に金型に装着した状態において基板に向け延出する
枠部を形成することにより凹部を形成し、前記樹脂封止
工程の実施時において、前記補強板に形成された凹部を
樹脂封止用のキャビティとして用いて前記基板に樹脂層
を形成することを特徴とするものである。
【００３２】また、請求項２３記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法において、前記樹脂封止工程で前記突起電極が配設さ
れた前記基板の表面に第１の樹脂層を形成した後、また
は同時に、前記基板の背面を覆うように第２の樹脂層を
形成することを特徴とするものである。
【００３３】また、請求項２４記載の発明では、前記請
求項３乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法において、前記樹脂封止工程で、前記フィルムとして
前記突起電極と対向する位置に凸部が形成されたものを
用い、前記凸部を前記突起電極に押圧した状態で前記樹
脂層を形成することを特徴とするものである。
【００３４】また、請求項２５記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか、または請求項２０乃至２４
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前
記突起電極露出工程で前記突起電極の少なくとも先端部
を前記樹脂層より露出させた後に、前記突起電極の先端
部に外部接続用突起電極を形成する外部接続用突起電極
形成工程を実施することを特徴とするものである。
【００３５】また、請求項２６記載の発明では、前記請
求項２５記載の半導体装置の製造方法において、前記外
部接続用突起電極形成工程で、前記突起電極と前記外部
接続用突起電極を応力緩和機能を有する接合材を用いて
接合させることを特徴とするものである。
【００３６】また、請求項２７記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか、または請求項２０乃至２６
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程を実施する前に、予め前記基板の前記分
離工程で切断される位置に切断位置溝を形成しておき、
前記分離工程において、前記封止樹脂が充填された前記
切断位置溝の形成位置で前記基板を切断することを特徴
とするものである。
【００３７】また、請求項２８記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか、または請求項２０乃至２６
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程を実施する前に、予め前記基板の前記分
離工程で切断される位置を挟んで少なくとも一対の応力
緩和溝を形成しておき、前記分離工程において、前記一
対の応力緩和溝の間位置で前記基板を切断することを特
徴とするものである。
【００３８】また、請求項２９記載の発明に係る半導体
装置の製造方法では、突起電極を有する複数の半導体素
子が形成された基板を切断することにより個々の半導体
素子に分離する第１の分離工程と、分離された前記半導
体素子をベース材に整列させて搭載した後、前記搭載さ
れた半導体素子を前記封止樹脂で封止し樹脂層を形成す
る樹脂封止工程と、前記突起電極の少なくとも先端部を
前記樹脂層より露出させる突起電極露出工程と、隣接す
る前記半導体素子の間位置で前記ベース材と共に前記樹
脂層を切断することにより、前記樹脂層が形成された半
導体素子を個々分離する第２の分離工程とを具備するこ
とを特徴とするものである。
【００３９】また、請求項３０記載の発明に係る半導体
装置の製造方法では、外部と接続される外部接続電極が
表面に形成された複数の半導体素子が形成された基板を
金型内に装着し、続いて前記表面に封止樹脂を供給して
前記外部接続電極及び前記基板を前記封止樹脂で封止し
樹脂層を形成する樹脂封止工程と、前記外部接続電極が
形成された位置で前記基板を前記樹脂層と共に切断して
個々の半導体素子に分離する分離工程とを具備すること
を特徴とするものである。
【００４０】また、請求項３１記載の発明では、前記請
求項３０記載の半導体装置の製造方法において、前記分
離工程実施前では、前記外部接続電極が前記基板に形成
された隣接する半導体素子間で共有化されていることを
特徴とするものである。
【００４１】また、請求項３２記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか、または請求項２０乃至３１
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、少
なくとも前記樹脂封止工程の実施後で、かつ前記分離工
程を実施する前に、前記樹脂層または前記基板の背面に
位置決め溝を形成することを特徴とするものである。
【００４２】また、請求項３３記載の発明では、前記請
求項３２記載の半導体装置の製造方法において、前記位
置決め溝は、前記樹脂層または前記基板の背面にハーフ
スクライブを行なうことにより形成されることを特徴と
するものである。
【００４３】また、請求項３４記載の発明では、前記請
求項３乃至１２のいずれか、または請求項２０乃至２９
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程で、前記フィルムとして前記突起電極と
干渉しない位置に凸部または凹部が形成されたものを用
い、前記樹脂封止工程の終了後に、前記凸部または凹部
により前記樹脂層上に形成される凹凸を位置決め部とし
て用いることを特徴とするものである。
【００４４】また、請求項３５記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか、または請求項２０乃至２９
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程の終了後、位置決めの基準として用いる
位置決め用突起電極の形成位置における封止樹脂を加工
し、前記位置決め用突起電極と他の突起電極とを識別し
うるようにすることを特徴とするものである。
【００４５】また、請求項３６記載の発明に係る半導体
装置では、外部端子と電気的に接続される外部接続電極
が表面に形成された半導体素子と、前記外部接続電極を
覆うように前記半導体素子の表面に形成された樹脂層と
を具備し、前記半導体素子と前記樹脂層との界面におい
て、前記外部接続電極が側方に向け露出した構成とした
ことを特徴とするものである。
【００４６】また、請求項３７記載の発明では、前記請
求項３６記載の半導体装置の実装方法であって、前記半
導体装置を実装基板に対し立設状態で実装することを特
徴とするものである。
【００４７】また、請求項３８記載の発明では、前記請
求項３７記載の半導体装置の実装方法であって、前記半
導体装置を複数個並列状態に実装すると共に、隣接する
前記半導体装置同志を接着剤により接合することを特徴
とするものである。
【００４８】また、請求項３９記載の発明では、前記請
求項３７記載の半導体装置の実装方法であって、前記半
導体装置を複数個並列状態に実装すると共に、前記複数
の半導体装置を支持部材を用いて立設状態に支持するこ
とを特徴とするものである。
【００４９】また、請求項４０記載の発明では、前記請
求項１８または請求項１９または請求項３６のいずれか
に記載の半導体装置の実装方法であって、前記半導体装
置をインターポーザ基板を介して実装基板に実装するこ
とを特徴とするものである。
【００５０】また、請求項４１記載の発明では、前記請
求項１８または１７記載の半導体装置において、前記樹
脂層を異なる複数の樹脂により構成したことを特徴とす
るものである。また、請求項４２記載の発明に係る半導
体装置では、少なくとも表面上に突起電極が直接形成さ
れてなる半導体素子と、前記半導体素子の表面上に形成
されており、前記突起電極の先端部を残し前記突起電極
を封止する第１の樹脂層と、少なくとも前記半導体素子
の背面を覆うように配設された第２の樹脂層とを具備す
ることを特徴とするものである。
【００５１】更に、請求項４３記載の発明に係る半導体
装置では、少なくとも表面上に突起電極が直接形成され
てなる半導体素子と、前記半導体素子の表面上に形成さ
れており、前記突起電極の先端部を残し前記突起電極を
封止する樹脂層と、前記樹脂層から露出した前記突起電
極の先端部に形成された外部接続用突起電極とを具備す
ることを特徴とするものである。
【００５２】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、樹脂封止工程を実施することにより、デリケートで
あるためハンドリング，テストが難しい突起電極は樹脂
層により封止された状態となる。この樹脂層は、表面保
護及び半導体素子の電極と突起電極との接合部において
発生する応力を緩和する機能を奏する。
【００５３】続く突起電極露出工程では、突起電極の少
なくとも先端部を樹脂層より露出させる処理が行なわれ
る。よって、突起電極露出工程が終了した状態におい
て、突起電極は外部の回路基板等と電気的に接続可能な
状態となる。続いて実施される分離工程では、樹脂層が
形成された基板を樹脂層と共に切断して個々の半導体素
子に分離する。これにより、個々の半導体装置が完成す
る。
【００５４】従って、樹脂層は樹脂封止工程において形
成されるため、半導体装置を実装する際にアンダーフィ
ルレジンを充填処理する必要はなくなり、これにより実
装処理を容易とすることができる。また、樹脂層となる
封止樹脂は、半導体装置と実装基板との間の狭所ではな
く、基板の突起電極の配設面に供給され金型によりモー
ルド成形されるため、突起電極の配設面の全面に確実に
樹脂層を形成することができる。
【００５５】よって、樹脂層は全ての突起電極に対し保
護機能を奏するため、加熱時において突起電極と実装基
板の電極との接合部、及び突起電極と半導体素子の電極
との接合部における破壊を確実に防止でき、信頼性を向
上させることができる。また、請求項２記載の発明によ
れば、封止樹脂を封止処理後における樹脂層の高さが突
起電極の高さと略等しい高さとなる量に計量することに
より、樹脂封止工程において金型から余剰樹脂が流出し
たり、逆に封止樹脂が少なく突起電極を確実に封止でき
なくなる不都合を防止することができる。
【００５６】また、請求項３記載の発明によれば、突起
電極と金型との間にフィルムを配設し、金型がフィルム
を介して封止樹脂と接触するよう構成したことにより、
樹脂層が金型に直接触れないため離型性を向上すること
ができると共に、離型剤なしの密着性の高い高信頼性樹
脂の使用が可能となる。また、樹脂層がフィルムに接着
することにより、フィルムをキャリアとして使用するこ
とが可能となり、半導体装置の製造自動化に寄与するこ
とができる。
【００５７】また、請求項４記載の発明によれば、樹脂
層は樹脂層形成工程において金型を用いて加熱，溶融，
圧縮形成されるため、樹脂層を基板全体にわたり確実に
形成することができる。これにより、基板に形成されて
いる多数の突起電極全てに対し、突起電極を封止する状
態に樹脂層を形成することができる。
【００５８】また、金型を構成する下型は、固定された
第１の下型半体と、この第１の下型半体に対して昇降可
能な構成とされた第２の下型半体とにより構成されてい
るため、第１の下型半体に対し第２の下型半体を移動さ
せることにより、離型機能を持たせることができ、樹脂
層が形成された基板を容易に金型から取り出すことがで
きる。
【００５９】また、請求項５及び請求項１４記載の発明
によれば、金型に余剰樹脂を除去すると共に封止樹脂の
圧力を制御する余剰樹脂除去機構を設けたことにより、
封止樹脂の計量を容易とすることができると共に、常に
適正な樹脂量で突起電極の封止処理を行なうことができ
る。また、金型内における封止樹脂の圧力を制御するこ
とができるため、成形時におる封止樹脂の圧力を均一化
することができボイドの発生を防止することができる。
【００６０】また、請求項６記載の発明によれば、封止
樹脂としてシート状樹脂を用いたことにより、確実に基
板全体に樹脂層を形成することができる。また、基板中
央に封止樹脂を配置した場合に要する中央から端部に向
け樹脂が流れる時間を短縮できるため、樹脂封止工程の
時間短縮を図ることができる。
【００６１】また、請求項７記載の発明によれば、樹脂
封止工程の実施前に予め封止樹脂をフィルムに配設して
おくことにより、フィルムの装着作業と封止樹脂の装填
作業を一括的に行なうことができるため、作業の効率化
を図ることができる。
【００６２】また、請求項８記載の発明によれば、封止
樹脂をフィルムに複数個配設しておき、フィルムを移動
させることにより連続的に樹脂封止工程を実施すること
により、樹脂封止工程の自動化を図ることができ、半導
体装置の製造効率を向上させることができる。
【００６３】また、請求項９記載の発明によれば、樹脂
封止工程で予め装置に補強板を装着しておくことによ
り、樹脂封止時に印加される熱や応力により基板が変形
することを防止できると共に基板の持つ固有の反りを矯
正するため、製造される半導体装置の歩留りを向上させ
ることができる。
【００６４】また、請求項１０記載の発明によれば、請
求項９記載の補強板として放熱率の良好な材料を選定し
たことにより、補強板を放熱板としても機能させること
ができ、製造される半導体装置の放熱特性を向上させる
ことができる。
【００６５】また、請求項１１記載の発明によれば、樹
脂層に覆われた突起電極の先端部を露出させる手段とし
て、レーザ光照射或いはエキシマレーザを用いた場合に
は、容易かつ精度よく突起電極の先端部を露出させるこ
とができる。また、エッチング，機械研磨或いはブラス
トを用いた場合には、安価に突起電極の先端部を露出さ
せることができる。
【００６６】また、請求項１２記載の発明によれば、フ
ィルムの材質として弾性変形可能な材質を選定し、金型
を用いて樹脂層を形成する際に突起電極の先端部をこの
フィルムにめり込ませることにより、突起電極の先端部
は樹脂層に封止されない状態とすることができる。従っ
て、単にフィルムを樹脂層から剥離するだけの作業で、
突起電極の先端部を樹脂層より露出させることができ
る。
【００６７】よって、樹脂層の形成後に樹脂層に対し突
起電極の先端を露出させるための加工処理を簡単化する
ことができ、突起電極露出工程の簡単化を図ることがで
きる。また、請求項１３記載の発明に係る半導体装置製
造用金型によれば、金型を構成する下型は、固定された
第１の下型半体と、この第１の下型半体に対して昇降可
能な構成とされた第２の下型半体とにより構成されてい
るため、第１の下型半体に対し第２の下型半体を移動さ
せることにより、基板を金型から離型する際に離型機能
を持たせることができ、よって樹脂層が形成された基板
を容易に金型から取り出すことができる。
【００６８】また、請求項１５記載の発明によれば、第
１の下型半体の基板が載置される部位に、基板を第１の
下型半体に吸着脱させる固定・離型機構を設けたことに
より、固定・離型機構を吸着動作させた時には、基板は
第１の下型半体に固定されるため、樹脂封止処理におい
て基板に反り等の変形が発生することを防止することが
できると共に、基板の持つ固有の反りを矯正することが
できる。また、固定・離型機構を離型動作させた時に
は、基板は第１の下型半体から離型方向に付勢されるた
め、基板の金型からの離型性を向上させることができ
る。
【００６９】また、請求項１６記載の発明によれば、多
孔質部材は吸排気装置から気体が供給されることによ
り、基板に向けて気体を噴射する。よって、基板を金型
から離型させる際に多孔質部材から基板に向けて気体を
噴射することにより、基板の金型からの離型性を向上さ
せることができる。
【００７０】また、吸排気装置が吸引処理を行なうこと
により、基板は多孔質部材に向け吸引される。よって、
樹脂封止工程において、基板に反り等の変形が発生する
ことを防止することができると共に基板の持つ固有の反
りを矯正することができる。更に、多孔質部材は第１の
下型半体の基板が載置される部位に配設されているた
め、樹脂封止工程において封止樹脂の充填処理が行なわ
れても、多孔質部材は基板に覆われた状態となっている
ため、封止樹脂が多孔質部材に侵入することはない。ま
た、離型時には基板の背面が直接離型方向に付勢される
ため、離型性を向上させることができる。
【００７１】また、請求項１７記載の発明によれば、キ
ャビティを形成した状態において、第１の下型半体の上
部の面積よりも第２の下型半体で囲繞される面積が広く
なる部分を有する構成としたことにより、離型性を向上
できると共に段差部の形状を矩形状としたことにより段
差部の形成を容易に行なうことができる。
【００７２】また、請求項１８記載の発明に係る半導体
装置によれば、先端部を残し突起電極を封止する樹脂層
が半導体素子に形成されているため、樹脂層に半導体素
子，突起電極，実装基板，及びこれらが接続させる接合
部位を保護する機能を持たせることができ、また樹脂層
は実装処理前において既に半導体装置に形成されている
ため、半導体装置を実装する際に従来のようにアンダー
フィルレジンを充填処理する必要はなくなり、これによ
り実装処理を容易とすることができる。
【００７３】また、請求項１９記載の発明によれば、半
導体素子に放熱部材を配設したことにより、半導体装置
の放熱特性を向上させることができると共に半導体装置
の強度を向上させることができる。また、請求項２０及
び請求項４１記載の発明によれば、樹脂封止工程で用い
られる封止樹脂として、異なる特性を有する複数の封止
樹脂を用いたことにより、例えば異なる樹脂を積層した
場合には、外側に位置する樹脂に硬質樹脂を用い、また
内側に位置する樹脂に軟質樹脂を用いることが可能とな
る。また、半導体素子の外周位置に硬質樹脂を配設し、
この硬質樹脂に囲繞される部分に軟質樹脂を配設するこ
とも可能となる。よって、硬質樹脂により半導体素子の
保護を図ることができると共に、軟質樹脂により突起電
極に印加される応力の緩和を図ることができる。
【００７４】また、請求項２１及び２２記載の発明によ
れば、樹脂封止工程において予め封止樹脂を補強板に配
設しておくことにより、また補強板に形成された凹部を
キャビティとして用いることにより、補強板を金型の一
部として用いることが可能となり、封止樹脂が直接金型
に触れる位置を少なく或いは全く無くすることができる
ため、従来であれば必要とされた金型に付着した不要樹
脂の除去作業が不要となり、樹脂封止工程における作業
の簡単化を図ることができる。
【００７５】また、請求項２３及び請求項４２記載の発
明によれば、樹脂封止工程で突起電極が配設された基板
の表面に第１の樹脂層を形成した後（または同時）に、
この基板の背面を覆うように第２の樹脂層を形成したこ
とにより、製造される半導体装置のバランスを良好とす
ることができる。
【００７６】即ち、半導体素子と封止樹脂は熱膨張率が
異なるため、半導体素子の表面（突起電極が形成された
面）のみに封止樹脂を配設した構成では、半導体素子の
上面と背面において熱膨張差が発生し、半導体素子に反
りが発生するおそれがある。しかるに、本請求項のよう
に半導体素子の表面及び背面を共に封止樹脂で覆うこと
により、半導体素子の表面及び背面の状態を均一化する
ことができ、半導体装置のバランスを良好とすることが
できる。これにより、熱印加時において半導体装置に反
りが発生することを防止することができる。
【００７７】また、半導体素子の下面に配設する封止樹
脂と、半導体素子の上面に配設する封止樹脂を異なる特
性を有する樹脂を選定することも可能である。例えば、
突起電極が形成された表面に配設される封止樹脂として
は、突起電極に印加される応力を緩和しうる特性のもの
を選定することができ、また背面に配設される封止樹脂
としては、半導体素子に外力が印加された場合にこの外
力より半導体素子を保護しうる硬質の材質のものを選定
することも可能となる。
【００７８】また、請求項２４記載の発明によれば、フ
ィルムとして突起電極と対向する位置に凸部が形成され
たものを用い、この凸部を樹脂封止工程において突起電
極に押圧した状態で樹脂層を形成することにより、凸部
が突起電極に押圧されている範囲においては封止樹脂は
突起電極に付着しないため、フィルムを除去した時点で
突起電極の一部（凸部が押圧されていた部分）は樹脂層
から露出する。よって、容易かつ確実に突起電極の一部
を樹脂層から露出させることができる。
【００７９】また、請求項２５及び請求項４３記載の発
明によれば、突起電極露出工程で突起電極の少なくとも
先端部を樹脂層より露出させた後に、突起電極の先端部
に外部接続用突起電極を形成する外部接続用突起電極形
成工程を実施したことにより、製造される半導体装置を
実装基板に実装する時の実装性を向上させることができ
る。
【００８０】即ち、突起電極は半導体素子に形成された
電極上に形成されるものであるため、必然的にその形状
は小さくなる。よって、この小さな突起電極を実装基板
に電気的に接続する外部接続端子として用いる構成で
は、実装基板と突起電極とが確実に接続されないおそれ
がある。
【００８１】しかるに、外部接続用突起電極は、半導体
素子に形成されている突起電極と別体であるため自由に
設計することが可能であり、実装基板の構成に適応させ
ることができる。よって、半導体素子に形成されている
小さな形状の突起電極の先端部に外部接続用突起電極を
形成することにより、半導体装置と実装基板との実装性
を向上させることができる。
【００８２】また、請求項２６記載の発明によれば、突
起電極と外部接続用突起電極は、応力緩和機能を有する
接合材を用いて接合される。よって、外部接続用突起電
極に外力が印加され応力が発生しても、この応力は外部
接続用突起電極と突起電極との間に介在する接合材によ
り応力緩和され、突起電極に伝達されることを防止する
ことができる。これにより、外部応力により半導体素子
にダメージが発生することを防止でき、半導体装置の信
頼性を向上させることができる。
【００８３】また、請求項２７記載の発明によれば、樹
脂封止工程を実施する前に予め基板の分離工程で切断さ
れる位置に切断位置溝を形成し、かつ分離工程では封止
樹脂が充填された切断位置溝の形成位置で基板を切断す
ることにより、基板及び封止樹脂にクラックが発生する
ことを防止することができる。
【００８４】即ち、仮に本請求項に係る切断位置溝を形
成しない構成を想定すると、分離工程では表面に比較的
薄い膜状の樹脂層が形成された基板を切断することとな
る。よって、この切断方法では封止樹脂にクラックが発
生するおそれがある。また、基板においては、切断位置
には大きな応力が印加されるため、この応力により基板
にクラックが発生するおそれがある。
【００８５】しかるに、切断位置溝を形成することによ
り、この切断位置溝には樹脂封止工程において封止樹脂
が充填される。そして分離工程では、この封止樹脂が充
填された切断位置溝において基板及び封止樹脂は切断さ
れる。この際、切断位置溝内においては封止樹脂の厚さ
は大きいため、切断処理により封止樹脂にクラックが発
生することはない。
【００８６】また、封止樹脂は基板に対して硬度が小さ
く応力を吸収しうる作用があるため、切断処理により発
生する応力は封止樹脂に吸収され弱められた状態で基板
に印加されるため、基板にクラックが発生することも防
止することができる。また、請求項２８記載の発明によ
れば、樹脂封止工程を実施する前に予め基板の分離工程
で切断される位置を挟んで少なくとも一対の応力緩和溝
を形成しておき、分離工程において一対の応力緩和溝の
間位置で基板を切断することにより、切断時に発生する
応力が応力緩和溝より外側位置（この位置に突起電極，
電子回路等が形成される）に影響を及ぼすことを防止す
ることができる。
【００８７】即ち、切断位置において応力が発生し基板
及び樹脂層にクラックが発生しても、この切断位置を挟
んで配設されている応力緩和溝（封止樹脂が充填されて
いる）により、切断位置で発生する応力は吸収される。
よって、切断位置で発生する応力が応力緩和溝より外側
位置に影響を及ぼすことはなく、よって突起電極及び電
子回路等が形成されている領域にクラックが発生するこ
とを防止することができる。
【００８８】また、請求項２９記載の発明によれば、先
ず第１の分離工程において、複数の半導体素子が形成さ
れた基板を切断することにより個々の半導体素子に分離
する。また、樹脂封止工程では、分離された半導体素子
をベース材に整列させて搭載する。この際、異なる種類
の半導体素子をベース材に搭載することが可能である。
【００８９】そして、ベース材に搭載され半導体素子を
前記封止樹脂で封止し樹脂層を形成し、続く突起電極露
出工程では、突起電極の少なくとも先端部を樹脂層より
露出させる。そして、第２の分離工程において、隣接す
る半導体素子の間位置でベース材と共に樹脂層を切断す
る。
【００９０】このように、分離された半導体素子をベー
ス材に搭載し、樹脂封止を行なった上で再び第２の分離
工程で分離することにより、異なる半導体素子を同一封
止樹脂内に配設した半導体装置を製造することができ
る。また、第２の分離工程においては、請求項２８と同
様に切断時に発生する応力により基板及び樹脂層にクラ
ックが発生することを防止することができる。
【００９１】また、請求項３０記載の発明によれば、樹
脂封止工程において、外部接続電極が表面に形成された
複数の半導体素子が形成された基板の表面に樹脂層を形
成することにより、外部接続電極は樹脂層に覆われた状
態となる。
【００９２】そして、続いて実施される分離工程では、
外部接続電極が形成された位置で基板を樹脂層と共に切
断して個々の半導体素子に分離する。よって、外部接続
電極は、分離位置において基板と樹脂層との界面で外部
に露出した状態となる。従って、この半導体装置の側部
に露出した外部接続電極により半導体装置を実装基板に
電気的に接続することが可能となる。
【００９３】また、単に樹脂層が形成された基板を外部
接続電極が形成された位置で切断するのみで端子部を樹
脂層から外部に露出させることができ、極めて容易に半
導体装置を製造することができる。また、請求項３１記
載の発明によれば、基板に形成された隣接する半導体素
子間で外部接続電極が共有化された構成とすることによ
り、１回の切断処理を行なうことにより隣接する２個の
半導体装置において夫々外部接続電極を外部に露出する
ことができる。よって、半導体装置の製造を効率よく行
なうことができる。また、基板に不要部分が発生するこ
とを抑制できるため、基板の効率的な利用を図ることが
できる。
【００９４】また、請求項３２記載の発明によれば、少
なくとも樹脂封止工程の実施後でかつ分離工程を実施す
る前に、樹脂層または基板の背面に位置決め溝を形成す
ることにより、例えば製造された半導体装置に対し試験
処理を行なう際、この位置決め溝を基準として試験装置
に半導体装置を装着することができる。また、分離工程
を実施する前に位置決め溝を形成することにより、複数
の半導体装置に対して一括的に位置決め溝を形成するが
でき、位置決め溝の形成効率を向上させることができ
る。
【００９５】また、請求項３３記載の発明によれば、位
置決め溝は樹脂層または基板の背面にハーフスクライブ
を行なうことにより形成されることにより、分離工程で
一般的に使用するスクライビィング技術を用いて位置決
め溝を形成できるため、容易かつ精度よく位置決め溝を
形成することができる。
【００９６】また、請求項３４記載の発明によれば、樹
脂封止工程でフィルムとして突起電極と干渉しない位置
に凸部または凹部が形成されたものを用いることによ
り、樹脂封止工程において樹脂層に凸部または凹部が形
成される。この樹脂層上に形成される凹凸は、製造され
る半導体装置の位置決め部として用いることができる。
よって、例えば半導体装置に対し試験処理を行なう際
に、この凸部または凹部を基準として試験装置に半導体
装置を装着することが可能となる。
【００９７】また、請求項３５記載の発明によれば、樹
脂封止工程の終了後、位置決めの基準として用いる位置
決め用突起電極の形成位置における封止樹脂を加工し、
位置決め用突起電極と他の突起電極とを識別化したこと
により、この位置決め用突起電極を基準として試験装置
に半導体装置を装着することが可能となる。また、位置
決め用突起電極を識別化するための封止樹脂加工は、例
えば突起電極露出工程で用いるエキシマレーザ，エッチ
ング，機械研磨或いはブラスト等を用いることができ、
この加工により半導体装置の製造設備が大きく変更され
るようなことはない。
【００９８】また、請求項３６記載の発明によれば、外
部接続電極が表面に形成された半導体素子と、この半導
体素子に突起電極の先端部を残し突起電極を封止する樹
脂層とにより半導体装置を構成し、かつ半導体素子と樹
脂層との界面において外部接続電極が側方に向け露出し
た構成としたことにより、突起電極を形成することな
く、外部接続電極を用いて半導体装置を実装することが
可能となる。
【００９９】このように、突起電極を形成しないため、
半導体装置の構成を簡単化することができ、コスト低減
を図ることができる。また、外部接続電極は半導体装置
の側部に露出した構成であるため、半導体装置を実装基
板に対し立設した状態で実装することが可能となり、半
導体装置の実装密度を向上させることができる。
【０１００】また、請求項３７記載の発明によれば、半
導体装置を実装基板に対し立設状態で実装することによ
り、半導体装置の実装密度を向上させることができる。
また、請求項３８及び請求項３９記載の発明によれば、
複数の半導体装置をユニット化して扱うことが可能とな
り、よって実装時においてもユニット単位で実装基板に
実装処理を行なうことができ、実装効率の向上を図るこ
とができる。
【０１０１】更に、請求項４０記載の発明によれば、半
導体装置と実装基板との間にインターポーザ基板が介在
する構成となるため、半導体装置を実装基板に実装する
自由度を向上させることができる。即ち、例えばインタ
ーポーザ基板として多層配線基板を用いることにより、
インターポーザ基板内で配線の引回しを行なうことがで
き、半導体装置の電極（突起電極，外部接続電極）と実
装基板側の電極との整合性を容易に図ることができる。
【０１０２】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１乃至図８は本発明の第１実施
例である半導体装置の製造方法を製造手順に沿って示し
ており、また図９は本発明の第１実施例である半導体装
置の製造方法により製造される半導体装置１０を示して
いる。
【０１０３】先ず、図９（Ａ）及び（Ｂ）を用いて、図
１乃至図８に示す製造方法により製造される本発明の第
１実施例となる半導体装置１０について説明する。半導
体装置１０は、大略すると半導体素子１１，突起電極と
なるバンプ１２，及び樹脂層１３等によりなる極めて簡
単な構成とされている。
【０１０４】半導体素子１１（半導体チップ）は、半導
体基板に電子回路が形成されたものであり、その実装側
の面には多数のバンプ１２が配設されている。バンプ１
２は、例えば半田ボールを転写法を用いて配設された構
成とされており、外部接続電極として機能するものであ
る。本実施例では、バンプ１２は半導体素子１１に形成
されている電極パッド（図示せず）に直接配設された構
成とされている。
【０１０５】また、樹脂層１３（梨地で示す）は、例え
ばポリイミド，エポキシ（ＰＰＳ，ＰＥＫ，ＰＥＳ，及
び耐熱性液晶樹脂等の熱可塑性樹脂）等の熱硬化性樹脂
よりなり、半導体素子１１のバンプ形成側面の全面にわ
たり形成されている。従って、半導体素子１１に配設さ
れているバンプ１２は、この樹脂層１３により封止され
た状態となるが、バンプ１２の先端部は樹脂層１３から
露出するよう構成されている。即ち、樹脂層１３は、先
端部を残してバンプ１２を封止するよう半導体素子１１
に形成されている。
【０１０６】上記構成とされた半導体装置１０は、その
全体的な大きさが略半導体チップ１１の大きさと等し
い、いわゆるチップサイズパッケージ構造となる。従っ
て、半導体装置１０は、近年特に要求されている小型化
のニーズに十分対応することができる。
【０１０７】また、上記したように半導体装置１０は半
導体素子１１上に樹脂層１３が形成された構成とされて
おり、かつこの樹脂層１３は先端部を残しバンプ１２を
封止した構造とされている。このため、樹脂層１３によ
りデリケートなバンプ１２は保持されることとなり、よ
ってこの樹脂層１３は従来用いられていたアンダーフィ
ルレジン６（図７８参照）と同様の機能を奏することと
なる。
【０１０８】即ち、樹脂層１３により、半導体素子１
１，バンプ１２，実装基板１４，バンプ１２と接続電極
１５との接合部位，及びバンプ１２と半導体素子１１と
の接合部位の破壊を防止することができる。図９（Ｂ）
は、半導体装置１０を実装基板１４に実装する方法を説
明するための図である。半導体装置１０を実装基板１４
に実装するには、実装基板１４に形成されている接続電
極１５とバンプ１２を位置決めした上で実装を行なう。
【０１０９】この際、実装処理前において、半導体装置
１０には樹脂層１３が予め半導体素子１１に形成された
構成とされている。よって、半導体装置１０を実装基板
１４に実装処理する際、アンダーフィルレジンを半導体
素子１１と実装基板１４との間に充填処理する必要はな
くなり、これにより実装処理を容易とすることができ
る。
【０１１０】また、半導体装置１０を実装基板１４に実
装する際、半田バンプ１２を接続電極１５に接合するた
めに加熱処理を行なうが、半導体素子１１に配設された
バンプ１２は樹脂層１３により保持されているため、半
導体素子１１と実装基板１４との間に熱膨張差が発生し
ても確実に実装処理を行なうことができる。
【０１１１】更に、半導体装置１０を実装基板１４に実
装した後に熱が印加されたような場合においても、半導
体素子１１と実装基板１４との熱膨張差が発生しても、
樹脂層１３によりバンプ１２は保持されているため、バ
ンプ１２と接続電極１５との間で剥離が発生するような
ことはない。よって、半導体装置１０の実装における信
頼性を向上させることができる。
【０１１２】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
の製造方法（第１実施例に係る製造方法）について、図
１乃至図８を用いて説明する。半導体装置１０は、大略
すると半導体素子形成工程，バンプ形成工程，樹脂封止
工程，突起電極露出工程，及び分離工程等を実施するこ
とにより形成される。この各工程の内、半導体素子形成
工程は、基板に対しエキシマレーザ技術等を用いて回路
形成を行なう工程であり、またバンプ形成工程は転写法
等を用いて回路形成された半導体素子１１上にバンプ１
２を形成する構成である。
【０１１３】この半導体素子形成工程及びバンプ形成工
程は、周知の技術を用いて実施されるものであり、本願
発明の要部は樹脂封止工程以降にあるため、以下の説明
では樹脂封止工程以降の各工程についてのみ説明するも
のとする。図１乃至図５は樹脂封止工程を示している。
【０１１４】樹脂封止工程は、更に基板装着工程，樹脂
層形成工程，及び離型工程に細分化される。樹脂封止工
程が開始されると、先ず図１に示されるように、半導体
素子形成工程及びバンプ形成工程を経ることにより多数
の半導体素子１１が形成された基板１６（ウエハー）を
半導体装置製造用金型２０に装着する。
【０１１５】ここで、本発明の第１実施例となる半導体
装置製造用金型２０（以下、単に金型２０という）の構
造について説明する。金型２０は、大略すると上型２１
と下型２２とにより構成されている。この上型２１及び
下型２２には、共に図示しないヒーターが内設されてお
り、後述する封止樹脂３５を加熱溶融しうる構成とされ
ている。
【０１１６】上型２１は、図示しない昇降装置により図
中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に昇降動作する構成とされてい
る。また、上型２１の下面はキャビティ面２１ａとされ
ており、このキャビティ面２１ａは平坦面とされてい
る。従って、上型２１の形状は極めて簡単な形状とされ
ており、安価に上型２１を製造することができる。
【０１１７】一方、下型２２は、第１の下型半体２３と
第２の下型半体２４とにより構成されている。第１の下
型半体２３は、前記した基板１６の形状に対応した形状
とされており、具体的には基板１６の径寸法より若干大
きな径寸法に設定されている。基板１６は、この第１の
下型半体２３の上面に形成されたキャビティ面２５に装
着される。本実施例では、この第１の下型半体２３は固
定された構成とされている。
【０１１８】また、第２の下型半体２４は、第１の下型
半体２３を囲繞するよう略環状形状とされている。この
第２の下型半体２４は、図示しない昇降装置により、第
１の下型半体２３に対して図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に昇
降動作する構成とされている。また、第２の下型半体２
４の内周壁はキャビティ面２６とされており、このキャ
ビティ面２６の上部所定範囲には、離型性を向上させる
面より傾斜部２７が形成されている。
【０１１９】樹脂封止工程の開始直後の状態では、図１
に示すように、第２の下型半体２４は第１の下型半体２
３に対してＺ２方向に上動した状態となっており、よっ
て前記した基板１６は第１及び第２の下型半体２３，２
４が協働して形成する凹部（キャビティ）内に装着され
る。この際、基板１６はバンプ１２が形成された面が上
側となるよう装着され、よって装着状態において基板１
６に形成されたバンプ１２は上型２１と対向した状態と
なっている。
【０１２０】上記のように下型２２に基板１６を装着す
ると、続いて上型２１の下部にフィルム３０を歪みの無
い状態で配設すると共に、基板１６のバンプ１２上に封
止樹脂３５を載置する。フィルム３０は、例えばポリイ
ミド，塩化ビニール，ＰＣ，Ｐｅｔ，静分解性樹脂，合
成紙等の紙，金属箔，若しくはこれらの複合材を用いる
ことが可能であり、後述する樹脂成形時に印加される熱
により劣化しない材料が選定されている。また本実施例
で用いるフィルム３０は、上記の耐熱性に加え、所定の
弾性を有する材料が選定されている。ここでいう所定の
弾性とは、後述する封止時において、バンプ１２の先端
部がフィルム３０内にめり込むことが可能な程度の弾性
をいう。
【０１２１】一方、封止樹脂３５は例えばポリイミド，
エポキシ（ＰＰＳ，ＰＥＥＫ，ＰＥＳ及び耐熱性液晶樹
脂等の熱可塑性樹脂）等の樹脂であり、本実施例におい
てはこの樹脂を円柱形状に成形した構成のものを用いて
いる。また、封止樹脂３５の載置位置は、図２（下型２
２の平面図である）に示されるように、基板１６の略中
央位置に選定されている。以上が、基板装着工程の処理
である。
【０１２２】尚、上記した基板装着工程において、フィ
ルム３０を配設するタイミングは、下型２２に基板１６
を装着した後に限定されるものではなく、下型２２に基
板１６を装着する前に予めフィルム３０を配設しておく
構成としてもよい。上記のように基板装着工程が終了す
ると、続いて樹脂層形成工程が実施される。樹脂層形成
工程が開始されると、金型２０による加熱により封止樹
脂３５が溶融しうる温度まで昇温したことを確認した上
で（尚、封止樹脂３５の高さが十分小さい場合は確認の
必要はない）、上型２１がＺ１方向に下動される。
【０１２３】上型２１をＺ１方向に下動することによ
り、先ず上型２１は第２の下型半体２４の上面と当接す
る。この際、前記のように上型２１の下部にはフィルム
３０が配設されているため、上型２１が第２の下型半体
２４と当接した時点で、図３に示されるように、フィル
ム３０は上型２１と第２の下型半体２４との間にクラン
プされた状態となる。この時点で、金型２０内には、前
記した各キャビティ面２４ａ，２５，２６により囲繞さ
れたキャビティ２８が形成される。
【０１２４】また、封止樹脂３５は下動する上型２１に
よりフィルム３０を介して圧縮付勢され、かつ封止樹脂
３５は溶融しうる温度まで昇温されているため、同図に
示されるように、封止樹脂３５は基板１６上にある程度
広がった状態となる。上型２１が第２の下型半体２４と
当接すると、その後は上型２１及び第２の下型半体２４
はフィルム３０をクランプした状態を維持しつつ一体的
にＺ１方向に下動を行なう。即ち、上型２１及び第２の
下型半体２４は、共にＺ１方向に下動する。
【０１２５】これに対し、下型２２を構成する第１の下
型半体２３は固定された状態を維持するため、キャビテ
ィ２８の容積は上型２１及び第２の下型半体２４の下動
に伴い減少し、よって封止樹脂３５はキャビティ２８内
で圧縮されつつ樹脂成形されることとなる（この樹脂成
形法を圧縮成形法という）。
【０１２６】具体的には、基板１６の中央に載置された
封止樹脂３５は加熱により軟化しており、かつ上型２１
の下動により圧縮されるため、封止樹脂３５は上型２１
により押し広げられて中央位置より外周に向け進行して
ゆく。これにより、基板１６に配設されているバンプ１
２は、中央位置から順次外側に向けて封止樹脂３５より
封止されていく。
【０１２７】この際、上型２１及び第２の下型半体２４
の下動速度が速いと圧縮成形による圧縮圧が高くなり、
バンプ１２に損傷が発生することが考えられ、また上型
２１及び第２の下型半体２４の下動速度が遅いと、製造
効率等の低下が発生する。従って、上型２１及び第２の
下型半体２４の下動速度は、上記した相反する問題点が
共に発生しない適正な下動速度に選定されている。
【０１２８】上記した上型２１及び第２の下型半体２４
の下動は、クランプされたフィルム３０が基板１６に形
成されたバンプ１２に圧接される状態となるまで行なわ
れる。また、フィルム３０がバンプ１２に圧接された状
態で、封止樹脂３５は基板１６に形成された全てのバン
プ１２及び基板１６を封止するよう構成されている。
【０１２９】図４は、樹脂層形成工程が終了した状態を
示している。樹脂層形成工程が終了した状態では、フィ
ルム３０は基板１６に向け圧接されているため、バンプ
１２の先端部はフィルム３０にめり込んだ状態となる。
また、封止樹脂３５が基板１６の全面に配設されること
により、バンプ１２を封止する樹脂層１３が形成され
る。
【０１３０】また、封止樹脂３５の樹脂量は予め計量さ
れており、図４に示される樹脂層形成工程が終了した時
点で、樹脂層１３の高さがバンプ１２の高さと略等しく
なるよう設定されている。このように、封止樹脂３５の
樹脂量を予め過不足のない適正量に計量しておくことに
より、樹脂層形成工程において金型２０から余剰な樹脂
３５が流出したり、逆に樹脂３５が少なくバンプ１２及
び基板１６を確実に封止できなくなる不都合を防止する
ことができる。
【０１３１】樹脂層形成工程が終了すると、続いて離型
工程が実施される。この離型工程では、先ず上型２１を
Ｚ２方向に上昇させる。この際、樹脂層１３が第２の下
型半体２４に形成された傾斜部２７と当接した位置は固
着した状態となっているため、基板１６及び樹脂層１３
は下型２２に保持された状態となっている。このため、
上型２１を上昇させた場合、上型２１のみがフィルム３
０から離脱し上動することとなる。
【０１３２】続いて、第２の下型半体２４を第１の下型
半体２３に対してＺ１方向に若干量下動させる。図５の
中心線より左側は、上型２１が上動し、かつ第２の下型
半体２４が若干量下動した状態を示している。このよう
に、第２の下型半体２４を第１の下型半体２３に対して
下動させることにより、前記した傾斜部２７と樹脂層１
３とを離間させることができる。
【０１３３】このように傾斜部２７と樹脂層１３とが離
間すると、続いて第２の下型半体２４はＺ２方向に上動
を開始する。これにより、第２の下型半体２４の上面は
フィルム３０と当接すると共に傾斜部２７は樹脂層１３
の側壁と当接し、よって第２の下型半体２４の上動に伴
い基板１６を上方向に向け移動付勢する。
【０１３４】フィルム３０は樹脂層１３と固着した状態
を維持しているため、フィルム３０が上動付勢されるこ
とにより、樹脂層１３が形成された基板１６は第１の下
型半体２３から離脱する。これにより、図５の中心線よ
り右側に示されるように、樹脂層１３が形成された基板
１６は金型２０から離型される。
【０１３５】尚、図５に示す例では第１の下型半体２３
と樹脂層１３とが固着した部分が存在するが、この固着
領域は狭いため固着力は弱く、よって第２の下型半体２
４が上動することにより、樹脂層１３が形成された基板
１６を第１の下型半体２３から確実に離型させることが
できる。
【０１３６】上記のように本実施例に係る樹脂封止工程
では、樹脂層１３は樹脂層形成工程において金型２０を
用いて圧縮成形される。また、樹脂層１３となる封止樹
脂３５は、従来（図７８参照）のように半導体装置１と
実装基板５との間の狭所に充填されるのではなく、基板
１６のバンプ１２が配設された面上に載置されモールド
成形される。
【０１３７】このため、樹脂層１３を基板１６のバンプ
１２が形成されている面全体にわたり確実に形成するこ
とができ、また略バンプ１２の高さと等しい狭い部分に
確実に樹脂層１３を形成することが可能となる。これに
より、基板１６に形成されている全てのバンプ１２は樹
脂層１３により確実に封止されるため、樹脂層１３によ
り全てのバンプ１２を確実に保持することが可能とな
る。よって、図９を用いて説明した加熱時において、バ
ンプ１２と実装基板１４との接合部における破壊を確実
に防止でき、半導体装置１０の信頼性を向上させること
ができる。
【０１３８】また、前記したように、金型２０を構成す
る下型２２は、固定された第１の下型半体２３と、この
第１の下型半体２３に対して昇降可能な構成とされた第
２の下型半体２４とにより構成されている。このため、
樹脂層１３を形成した後に第１の下型半体２３に対し第
２の下型半体２４を昇降動作させることにより、金型２
０に離型機能を持たせることができ、樹脂層１３が形成
された基板１６を容易に金型２０から取り出すことがで
きる。
【０１３９】上記した樹脂封止工程が終了すると、続い
て突起電極露出工程が実施される。図６及び図７は突起
電極露出工程を示している。樹脂封止工程が終了した時
点では、図６に示されるように、フィルム３０は樹脂層
１３と固着した状態となっている。また、フィルム３０
は弾性可能な材料により構成されているため、樹脂層１
３が形成された状態で、バンプ１２の先端部はフィルム
３０にめり込んだ状態となっている。即ち、バンプ１２
の先端部は樹脂層１３に覆われていない状態となってい
る（この状態を図６（Ｂ）に拡大して示す）。
【０１４０】本実施例に係る突起電極露出工程では、図
７（Ａ）に示されるように、樹脂層１３に固着されたフ
ィルム３０を樹脂層１３から剥離する処理を行なう。こ
のようにフィルム３０を樹脂層１３から剥離することに
より、図７（Ｂ）に拡大して示すように、フィルム３０
にめり込んだ状態とされていたバンプ１２の先端部は樹
脂層１３から露出することとなる。よって、この露出さ
れたバンプ１２の先端部を用いて実装処理を行なうこと
が可能となる。
【０１４１】このように、本実施例に係る突起電極露出
工程は、単にフィルム３０を樹脂層１３から剥離するだ
けの簡単な処理である。このため、容易かつ効率よく突
起電極露出処理を行なうことができる。また、前記した
ようにフィルム３０を金型２０に装着する際、フィルム
３０は歪みのないよう配設されており、かつ上型２１の
キャビティ面２４ａは平坦な形状とされている。更に、
フィルム３０は均一な品質を有しており、その全面にお
いて均一な弾性特性を有している。従って、樹脂封止工
程においてバンプ１２がフィルム３０にめり込む際、そ
のめり込み量は均一となる。
【０１４２】これにより、突起電極露出工程でフィルム
３０を樹脂層１３から剥離した際、樹脂層１３から露出
するバンプ１２の露出量は均一となり、半導体装置１０
の品質の一定化、及び実装時における接続電極１５との
接合性の均一化を図ることができる。
【０１４３】尚、上記した説明では、突起電極露出工程
でフィルム３０を樹脂層１３から剥離した際、樹脂層１
３から完全にバンプ１２が露出する構成を示したが、フ
ィルム３０を剥離した状態でバンプ１３の先端が極薄く
ではあるが樹脂膜（封止樹脂３５）により覆われた構成
としてもよい、この構成とする事により、樹脂膜はデリ
ケートな性質を有するバンプ１３の上端部を保護するた
め、バンプ１３が外気と接触することにより酸化が発生
する等の劣化を防止することができる。
【０１４４】また、バンプ１３を実装基板に実装する際
は、この樹脂膜は不要となるため除去する必要がある。
この樹脂膜を除去するタイミングは、実装基板に実装す
る前であればどのタイミングで行なってもよい。上記し
た突起電極露出工程が終了すると、続いて分離工程が実
施される。
【０１４５】図８は分離工程を示している。同図に示さ
れるように、分離工程では基板１６を半導体素子１１毎
にダイサー２９を用いて樹脂層１３と共に切断する。こ
れにより、先に説明した図９に示される半導体装置１０
が製造される。尚、ダイサー２９を用いたダイシング処
理は、半導体装置の製造工程において一般的に採用され
ているものであり、特に困難を伴うものではない。ま
た、基板１６には樹脂層１３が形成されているが、ダイ
サー２９は樹脂層１３をも十分に切断することができる
能力を有している。
【０１４６】続いて、図１０を用いて本発明の第２実施
例である半導体装置の製造方法及び本発明の第２実施例
である半導体装置製造用金型２０Ａ（以下、単に金型２
０Ａという）ついて説明する。尚、図１０において、先
に図１乃至図９を用いて説明した第１実施例に係る構成
と同一構成については、同一符号を附してその説明を省
略する。
【０１４７】先ず、本実施例に係る金型２０Ａについて
説明する。本実施例に係る金型２０Ａも大略すると上型
２１と下型２２Ａとにより構成されている。上型２１及
び下型２２Ａを構成する第１の下型半体２３は第１実施
例に示したものと同一構成とされている。しかるに本実
施例では、第２の下型半体２４Ａに余剰樹脂を除去する
余剰樹脂除去機構４０を設けたことを特徴とするもので
ある。
【０１４８】余剰樹脂除去機構４０は、大略すると開口
部４１，ポット部４２，及び圧力制御ロッド４３等によ
り構成されている。開口部４１は第２の下型半体２４Ａ
に形成された傾斜部２７の一部に形成された開口であ
り、この開口部４１はポット部４２と連通した構成とさ
れている。
【０１４９】ポット部４２はシリンダ構造を有してお
り、このポット部４２の内部にはピストン構造とされた
圧力制御ロッド４３が摺動可能に装着されている。この
圧力制御ロッド４３は、図示しない駆動機構に接続され
ており、図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に第２の下型半体２４
Ａに対して昇降動作可能な構成とされている。
【０１５０】続いて、上記構成とされた余剰樹脂除去機
構４０を具備した金型２０Ａを用いて実施される、本発
明の第２実施例に係る半導体装置の製造方法について説
明する。尚、第２実施例では半導体製造工程の内、樹脂
封止工程に特徴を有しているため、この樹脂封止工程に
ついてのみ説明するものとする。
【０１５１】本実施例に係る樹脂封止工程が開始される
と、基板装着工程が実施される。基板装着工程では、図
１０（Ａ）に示されるように基板１６を金型２０Ａに装
着する。同図に示されるように、樹脂封止工程の開始直
後の状態では、第２の下型半体２４Ａは第１の下型半体
２３に対してＺ２方向に上動した状態となっており、ま
た余剰樹脂除去機構４０を構成する圧力制御ロッド４３
は上動限に移動した状態となっている。
【０１５２】上記のように下型２２Ａに基板１６を装着
すると、続いて上型２１の下部にフィルム３０を配設す
ると共に、基板１６のバンプ１２上に封止樹脂３５を載
置する。上記の基板装着工程が終了すると、続いて樹脂
層形成工程が実施される。樹脂層形成工程が開始される
と上型２１はＺ１方向に下動され、これにより図１０
（Ｂ）に示されるように、上型２１と第２の下型半体２
４Ａとは当接してフィルム３０はクランプされた状態と
なる。
【０１５３】この時点で、金型２０Ａ内には各キャビテ
ィ面２４ａ，２５，２６により囲繞されたキャビティ２
８が形成されるが、前記した余剰樹脂除去機構４０を構
成する開口部４１は、このキャビティ２８に開口した状
態となっている。上型２１が第２の下型半体２４Ａと当
接すると、その後は上型２１及び第２の下型半体２４Ａ
はフィルム３０をクランプした状態を維持しつつ一体的
にＺ１方向に下動を行なう。これにより、樹脂３５はキ
ャビティ２８内で圧縮されつつ樹脂成形される。
【０１５４】この際、バンプ１２に対する損傷の発生を
防止し、かつキャビティ２８の全領域に適正に樹脂３５
を充填するためには、上型２１及び第２の下型半体２４
Ａの下動速度を適正な下動速度に選定する必要があるこ
とは前述した通りである。上型２１及び第２の下型半体
２４Ａの下動速度を適正化することは、換言すればキャ
ビティ２８内における樹脂３５の圧縮圧力を適正化する
ことと等価である。
【０１５５】本実施例では、金型２０Ａに余剰樹脂除去
機構４０を設けることにより、上型２１及び第２の下型
半体２４Ａの下動速度に加え、圧力制御ロッド４３を上
下駆動することによっても樹脂３５の圧縮圧力を制御し
うる構成とされている。よって、圧力制御ロッド４３を
下動させることによりキャビティ２８内における封止樹
脂３５の圧力は低くなり、また圧力制御ロッド４３を上
動させることによりキャビティ２８内における封止樹脂
３５の圧力は高くなる。
【０１５６】例えば、封止樹脂３５の樹脂量が形成しよ
うとする樹脂層１３の容量よりも多く、余剰樹脂により
キャビティ２８内の圧力が上昇した場合には、適正な樹
脂成形が行なえなくなるおそれがあるが、このような場
合には、図１０（Ｃ）に示されるように、余剰樹脂除去
機構４０の圧力制御ロッド４３をＺ１方向に下動させる
ことにより、余剰樹脂を開口部４１を介してポット部４
２内に除去することができる。
【０１５７】よって、余剰樹脂除去機構４０を設けるこ
とにより、樹脂層１３の形成時に余剰樹脂の除去処理を
同時に行うことができ、常に既定の圧縮力で樹脂成形す
ることが可能となり、樹脂層１３の形成を適正に行なう
ことができる。また、余剰樹脂が金型２０Ａから漏洩す
ることを防止することができると共に、封止樹脂３５の
計量精度は第１実施例に比べて低くてもかまわないため
封止樹脂３５の計量の容易化を図ることができる。
【０１５８】樹脂層形成工程が終了し樹脂層１３が形成
されると、続いて離型工程が実施される。この離型工程
における金型２０Ａの動作は、基本的には第１実施例と
同様である。即ち、先ず上型２１をＺ２方向に上昇させ
ると共に、第２の下型半体２４Ａを第１の下型半体２３
に対してＺ１方向に若干量下動させる。
【０１５９】図１０（Ｄ）の中心線より左側は、上型２
１が上動し、かつ第２の下型半体２４Ａが若干量下動し
た状態を示している。このように、第２の下型半体２４
Ａを第１の下型半体２３に対して下動させることによ
り、前記した傾斜部２７と樹脂層１３とを離間させるこ
とができる。
【０１６０】また、本実施例の場合には、余剰樹脂除去
機構４０を設けることにより、開口部４１の形成位置に
余剰樹脂を除去したことによりバリが発生しているおそ
れがあるが、このバリも第２の下型半体２４Ａか下動す
ることにより除去することができる。
【０１６１】このように傾斜部２７と樹脂層１３とが離
間すると、続いて第２の下型半体２４ＡはＺ２方向に上
動を開始し、ここれにより第２の下型半体２４Ａの上面
はフィルム３０に当接すると共に傾斜部２７は再び樹脂
層１３と当接し、基板１６は金型２０Ａから離間する方
向に移動付勢される。これにより、図１０（Ｄ）の中心
線より右側に示されるように、樹脂層１３が形成された
基板１６は金型２０Ａから離型される。
【０１６２】また本実施例に係る製造方法では、樹脂成
形時においてキャビティ２８内の圧力を既定圧力に制御
するとができるため、樹脂３５内に空気が残留し樹脂層
１３に気泡（ボイド）が発生することを防止できる。い
ま、仮に樹脂層１３に気泡が発生した場合を想定する
と、加熱処理時にこの気泡が膨張して樹脂層１３にクラ
ック等の損傷が発生するおそれがある。
【０１６３】しかるに、上記のように余剰樹脂除去機構
４０を設けることにより、樹脂層１３に気泡が発生する
ことを防止できるため、加熱時に樹脂層１３に損傷が発
生するおそれれはなく半導体装置１０の信頼性を向上さ
せることができる。続いて、本発明の第３及び第４実施
例に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【０１６４】図１１は本発明の第３実施例に係る半導体
装置の製造方法を示しており、また図１２は本発明の第
４実施例に係る半導体装置の製造方法を示している。
尚、図１１において図１乃至図９を用いて説明した第１
実施例に係る構成と同一構成については同一符号を附し
てその説明を省略し、また図１２において図１０を用い
て説明した第２実施例に係る構成と同一構成については
同一符号を附してその説明を省略する。
【０１６５】第３及び第４実施例に係る製造方法は、フ
ィルム３０を用いずに樹脂層１３を形成したことを特徴
とするものである。このため、図１１（Ａ）及び図１２
（Ａ）に示されるように、前記した第１及び第２実施例
と異なり基板装着工程においては、上型２１の下部にフ
ィルム３０は配設されてない。
【０１６６】従って、基板装着工程に続き実施される樹
脂層形成工程では、図１１（Ｂ），（Ｃ）及び図１２
（Ｂ），（Ｃ）に示されるように、上型２１が直接封止
樹脂３５を押圧し圧縮成形処理を行なうこととなる。し
かるに、上型２１のキャビティ面２４ａは平坦面とされ
ているため、良好な状態で樹脂層１３の成形処理を行な
うことができる。尚、剥離工程における処理は、前記し
た第１または第２実施例における処理と同一であるた
め、その説明は省略する。
【０１６７】上記のように、フィルム３０を配設しない
構成としても、樹脂層１３を形成することができる。但
し、第３及び第４実施例による製造方法では、フィルム
３０を設けていないため、樹脂層１３が形成された状態
でバンプ１２は完全に樹脂層１３に埋設された状態とな
る。
【０１６８】このため、樹脂封止工程を終了した後に実
施される突起電極露出工程で、バンプ１２の先端部のみ
を露出させるための処理が別個必要となる。尚、このバ
ンプ１２の先端部のみを露出させるための処理について
は、説明の便宜上後述するものとする。
【０１６９】続いて、本発明の第５実施例である半導体
装置の製造方法を説明する。図１３及び図１４は、本発
明の第５実施例である半導体装置の製造方法を示してい
る。尚、図１３及び図１４において図１乃至図９を用い
て説明した第１実施例に係る構成と同一構成については
同一符号を附してその説明を省略する。
【０１７０】本実施例に係る製造方法では、基板装着工
程で金型２０に基板１６を装着する前に、図１３（Ａ）
に示されるように、第１の下型半体２３に補強板５０を
装着しておくことを特徴とするものである。この補強板
５０は所定の機械的強度及び放熱性を有する材料が選定
されており、具体的には例えばアルミニウム製の板材に
より構成されている。また、補強板５０の径寸法は、基
板１６の径寸法より若干大きくなるよう設定されてい
る。また、この補強板５０の表面には、熱硬化性の接着
剤（図示せず）が塗布されている。
【０１７１】上記構成とされた補強板５０の金型２０へ
の装着は、単に第１の下型半体２３上に補強板５０を載
置するだけの作業であるため、極めて容易に行なうこと
ができ、補強板５０を設けても樹脂封止工程が面倒とな
るようなことはない。続いて、樹脂封止工程における補
強板５０の機能について説明する。
【０１７２】基板装着工程が終了し樹脂層形成工程が開
始されると、前記したように上型２１及び第２の下型半
体２４が下動し、封止樹脂３５によるバンプ１２の封止
処理が開始される。この時、金型２０は封止樹脂３５が
溶融しうる程度の温度まで昇温されている。また、前記
した熱硬化性の接着剤は、比較的低い温度で熱硬化する
材質に選定されている。従って、樹脂層形成工程が開始
後、比較的短時間で補強板５０は基板１６に接着し一体
化する。尚、補強板５０は、予め基板１６に接着してお
く構成としてもよい。
【０１７３】ところで、図１３（Ｂ），（Ｃ）に示され
るように、本実施例においても樹脂層１３の形成は、圧
縮成形法を用いて行なわれる。この圧縮成形法により樹
脂層１３を形成する方法では、上型２１により封止樹脂
３５及び溶融した樹脂３５を押圧するため、基板１６に
は大きな圧力が作用する。
【０１７４】また、樹脂層１３を形成するためには封止
樹脂３５を溶融させる必要があり、このため金型２０に
はヒーターが組み込んである。このヒーターが発生する
熱は金型２０内に装着された基板１６にも印加される。
従って、基板１６は、上記した圧縮形成による圧力及び
ヒーターが発生する熱により変形する可能性がある。
【０１７５】しかるに本実施例では、基板装着工程にお
いて基板１６を金型２０に装着前に補強板５０を装着し
ておき、この補強板５０を基板１６に接合する構成とし
ているため、樹脂層形成工程において基板１６は補強板
５０により補強された構成となっている。このため、圧
縮形成による圧力やヒーターによる熱が基板１６に印加
されても、基板１６の変形することを防止でき、よって
製造される半導体装置の歩留りを向上させることができ
る。
【０１７６】図１４は、樹脂層１３の形成が終了し、金
型２０から離型された状態の基板１６を示している。同
図に示されるように、基板１６を金型２０から離型した
状態において、補強板５０は基板１６に接着された状態
を維持している。そして、樹脂層形成工程が終了した後
に実施される分離工程（図８参照）で、この補強板５０
も合わせてダイサー２９により切断される。
【０１７７】これにより、個々の半導体装置にも補強板
５０は配設された構成となる。また前記したように、補
強板５０は放熱性の良好な材料が選定されているため、
個々の半導体装置に分離された後において、補強板５０
は放熱板として機能することとなる。このため、本実施
例に係る製造方法により製造される半導体装置の放熱特
性を向上させることができる。
【０１７８】図１５乃至図１７は、前記した各実施例の
変形例を示している。尚、各図において図１乃至図９を
用いて説明した第１実施例に係る構成と同一構成につい
ては同一符号を附してその説明を省略する。前記した各
実施例においては、封止樹脂して封止樹脂３５を用い、
これを金型２０，２０Ａに装着された基板１６上に載置
して樹脂封止を行なう構成としていた。図１５乃至図１
７の示す変形例は、封止樹脂の他の供給態様を示すもの
である。
【０１７９】図１５に示す例では、封止樹脂としてシー
ト状樹脂５１を用いたことを特徴とするものである。こ
のようにシート状樹脂５１を用いることにより、確実に
基板１６の全体に樹脂層１３を形成することができる。
また、基板１６の中央に封止樹脂３５を配置し場合に
は、溶融した樹脂が中央から端部に向け流れる必要があ
るため、成形時間を長く要してしまう。これに対しシー
ト状樹脂５１は、基板１６の上部を覆うように配設され
るため、溶融した樹脂は流れることなく直接下部に位置
するバンプ１２を封止することとなる。このため、樹脂
封止処理に要する時間を短縮できるため、樹脂封止工程
の時間短縮を図ることができる。
【０１８０】また、図１６に示す例では、封止樹脂とし
て液状樹脂５２を用いたことを特徴とするものである。
液状樹脂５２は流動性が高いため、短時間で確実にバン
プ１２を封止することができる。更に、図１７に示す例
では、樹脂封止工程の実施前に予め封止樹脂３５Ａをフ
ィルム３０に接着剤５３を用いて配設しておくことを特
徴とするものである。尚、封止樹脂３５を溶融した上
で、フィルム３０にこの封止樹脂３５を配設し、その後
に固化させることによりフィルム３０に封止樹脂３５を
配設した構成としてもよい。
【０１８１】このように、封止樹脂３５Ａを基板１６上
ではなくフィルム３０に配設しておくことにより、基板
装着工程において、フィルム３０の装着作業と封止樹脂
３５Ａの装填作業を一括的に行なうことができ、基板装
着作業の効率化を図ることができる。
【０１８２】続いて、本発明の第６実施例である半導体
装置の製造方法について説明する。図１８は、第６実施
例である製造方法における樹脂封止工程を示している。
尚、図１８において、図１乃至図９を用いて説明した第
１実施例に係る構成と同一構成については同一符号を附
してその説明を省略する。
【０１８３】先に、図１７を用いて樹脂封止工程の実施
前に予め封止樹脂３５Ａをフィルム３０に１個のみ配設
しておく方法について説明した。これに対し本実施例で
は、封止樹脂３５Ａをフィルム３０に所定の間隔をおい
て多数連続的に配設したことを特徴とするものである。
また、フィルム３０は、図示しない搬送装置により図中
矢印方向に搬送される構成とされている。
【０１８４】図１８（Ａ）において、金型２０より左側
に位置するのは、樹脂層１３が形成された基板１６であ
り、樹脂層１３がフィルム３０に固着することにより、
基板１６もフィルム３０に装着された状態となってい
る。また、金型２０の内部に位置する封止樹脂３５Ａ
は、今回樹脂封止処理が行なわれるものである。更に、
金型２０より右側に位置する封止樹脂３５Ａは、次回の
樹脂封止処理において用いられるものである。
【０１８５】図１８（Ａ）に示す状態は、基板装着工程
が終了した状態を示しており、既に基板１６は金型２０
に装着された状態となっている。また、本実施例では、
基板１６を装着する前に補強板５０を装着する方法を例
に挙げている。基板装着工程が終了し樹脂封止工程が開
始されると、図１８（Ｂ）に示すように、上型２１及び
第２の下型半体２４は下動し、封止樹脂３５Ａによりバ
ンプ１２を封止する処理が行なわれる。そして、更に上
型２１及び第２の下型半体２４が下動することにより、
図１８（Ｃ）に示されるように、基板１６上に樹脂層１
３が形成される。
【０１８６】樹脂封止工程が終了すると、先に図５を用
いて説明したと同様の離型工程が実施され、樹脂層１３
が形成された基板１６は金型２０から離型される。この
際、前記したように樹脂層１３がフィルム３０に固着す
ることにより、基板１６もフィルム３０に装着された状
態となっている。
【０１８７】上記のように樹脂封止工程が終了すると、
続いてフィルム３０の搬送装置が起動し、フィルム３０
は次の封止樹脂３５Ａが金型２０に装着される位置まで
搬送される。また、このフィルム３０による搬送操作と
共に、金型２０に対し補強板５０及び基板１６（樹脂層
１３が形成されていないもの）が金型２０に装着され
（即ち、基板装着工程を実施し）、これにより再び図１
８（Ａ）に示す状態となる。以降、上記した処理を繰り
返し実施する。
【０１８８】上記のように、本実施例に係る方法によれ
ば、封止樹脂３５Ａを樹脂封止処理時に邪魔にならない
程度の間隔で離間配設しておき、樹脂封止処理が終了し
た時点でフィルム３０を移動させ、次に樹脂封止処理を
行なう封止樹脂３５Ａを金型２０に自動装着することに
より、連続的に樹脂封止工程を実施することが可能とな
り、よって半導体装置の製造効率を向上させることがで
きる。
【０１８９】続いて、本発明の第７実施例である半導体
装置の製造方法を説明する。図１９乃至図２１は、第７
実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図
である。尚、図１９乃至図２１において、図１乃至図９
を用いて説明した第１実施例に係る構成と同一構成につ
いては同一符号を附してその説明を省略するものとす
る。
【０１９０】前記した第１実施例に係る製造方法では、
フィルム３０として弾性変形可能な材質のものを選定
し、よって樹脂封止工程における圧縮成形時においてバ
ンプ１２の先端部をフィルム３０にめり込ませることに
より、突起電極露出工程でフィルム３０を樹脂層１３か
ら剥離するだけでバンプ１２の先端部を露出させる構成
としていた。
【０１９１】しかるに、バンプ１２の先端部が適宜量だ
けめり込むような弾性を有したフィルム３０の選定は困
難である。また、図１８に示したようにフィルム３０を
搬送用のキャリアとしても用いた場合には、弾性変形可
能なフィルム３０では搬送時に伸縮してしまい、基板１
６及び封止樹脂３５Ａの搬送処理を適正に行なえないお
それがある。
【０１９２】そこで、このような問題点を解決するため
には、弾性変形を行なわないか、或いは弾性変形を殆ど
行なわない（以下、まとめて「弾性変形しない」と記載
する）フィルム３０Ａを用いる必要が生じる。本実施例
では、フィルム３０Ａとして弾性変形しない材質が選定
されている。しかるに、フィルム３０Ａとして弾性変形
しない材質を用いても、樹脂封止工程で行なわれる処理
は図１乃至図５で説明したと同様に実施することができ
る。
【０１９３】図１９乃至図２１は、本実施例における突
起電極露出工程を示している。樹脂封止工程が終了した
時点では、図１９に示されるように、フィルム３０Ａは
樹脂層１３と固着した状態となっている。しかるに、フ
ィルム３０Ａは弾性変形しない材料により構成されてい
るため、樹脂層１３が形成された状態でバンプ１２はフ
ィルム３０にめり込んだ状態とはなっておらず、従って
バンプ１２は樹脂層１３にその全体が封止された状態と
なっている（この状態を図１９（Ｂ）に拡大して示
す）。
【０１９４】この状態において、図２０（Ａ）に示され
るように樹脂層１３に固着されたフィルム３０Ａを樹脂
層１３から剥離する処理を行なう。しかるに、フィルム
３０Ａを樹脂層１３から剥離しても、図２０（Ｂ）に拡
大して示すように、バンプ１２はその全体が樹脂層１３
に封止された状態を維持する。
【０１９５】また、この図２０（Ｂ）に示されるバンプ
１２の全体が樹脂層１３に封止された状態は、先に図１
１及び図１２を用いて説明したフィルム３０，３０Ａを
用いない樹脂封止工程を実施した場合においても発生す
る。このように、バンプ１２の全体が樹脂層１３に封止
された状態では、これを分離処理し半導体装置を形成し
ても、実装基板１４との電気的接続を行なえない。よっ
て、バンプ１２の先端部を樹脂層１３から露出させるた
めの処理が必要となる。図２１（Ａ）は、バンプ１２の
先端部を樹脂層１３から露出させるための方法を示して
いる。
【０１９６】本実施例では、図２１（Ａ）に示されるよ
うに、バンプ１２の先端部を樹脂層１３から露出させる
手段としてレーザ照射装置６０を用いている。レーザ照
射装置６０としては、例えば樹脂に対する加工性の良好
な炭酸ガスレーザの使用が考えられる。
【０１９７】また、レーザ照射装置６０による樹脂層１
３の切削深さは、レーザ照射装置６０のエネルギーを適
宜設定することにより調整することができる。よって、
樹脂層１３から露出させるバンプ１２の先端量を精度よ
く設定することができる。図２１（Ａ）に示されるよう
に、レーザ照射装置６０を用いてレーザ光を樹脂層１３
上で操作させることにより、全てのバンプ１２の先端部
を樹脂層１３から露出させることができる。図２１
（Ｂ）は、レーザ加工処理が終了し、樹脂層１３からバ
ンプ１２の先端部が露出した状態を示している。
【０１９８】このように、バンプ１２の先端部を樹脂層
１３から露出させる処理を行なうことにより、フィルム
３０Ａとして弾性変形しない材質のものを用いても、ま
た図１１及び図１２を用いて説明したフィルム３０，３
０Ａを用いない樹脂封止工程を実施した場合であって
も、実装基板１４に対し適正に実装処理を行なうことが
できる半導体装置を製造することができる。
【０１９９】尚、バンプ１２の先端部を樹脂層１３から
露出させる処理は、レーザ光照射に限定されるものでは
なく、その他にエキシマレーザ，エッチング，機械研
磨，及びブラスト等の利用が考えられる。この場合、エ
キシマレーザを用いた場合には、容易かつ精度よく突起
電極の先端部を露出させることができる。また、エッチ
ング，機械研磨或いはブラストを用いた場合には、安価
に突起電極の先端部を露出させることができる。
【０２００】続いて、本発明に係る半導体装置製造用金
型の他実施例について図２２乃至図２５を用いて説明す
る。図２２は、本発明の第３実施例である半導体装置製
造用金型２０Ｃ（以下、金型２０Ｃという）を示してい
る。尚、以下説明する図２２乃至図２５において、図１
に示した第１実施例に係る金型２０と同一構成について
は同一符号を附してその説明を省略する。
【０２０１】本実施例に係る半導体装置製造用金型２０
Ｃは、第１の下型半体２３Ｃの基板１６が載置される部
位に、この基板１６を第１の下型半体２３Ｃに固定或い
は離型させる固定・離型機構７０を設けたことを特徴と
するものである。この固定・離型機構７０は、大略する
と多孔質部材７１，吸排気装置７３，び配管７４等によ
り構成されている。
【０２０２】多孔質部材７１は、例えば多孔質セラミッ
ク或いは多孔質金属等により構成されており、その内部
を気体（例えば空気）が通過できる構成とされている。
この多孔質部材７１は、第１の下型半体２３Ｃの基板１
６が載置される部位に所定間隔をおいて複数個配設され
ている。
【０２０３】また、多孔質部材７１の下部には夫々配管
７３が形成されており、この配管７３は集合された上で
給排気装置７２に接続された構成とされている。給排気
装置７２は例えばコンプレッサであり、配管７３に対し
て圧縮空気を供給する圧送モードと、配管７３に対して
吸引処理を行なう吸引モードとに切替え処理を行いうる
構成とされている。
【０２０４】従って、給排気装置７２が圧送モードとな
ることにより、圧縮空気は配管７３を介して多孔質部材
７１に供給され、多孔質部材７１より外部に噴射され
る。この時、第１の下型半体２３Ｃに基板１６が載置さ
れている場合には、基板１６は離脱方向に付勢されるこ
ととなる。この状態は、図２２に中心線より右側に図示
される状態であり、以下この状態を離型状態という。
【０２０５】一方、給排気装置７２が吸引モードとなる
ことにより、給排気装置７２は配管７３を介して吸引処
理を行なう。よって、この吸引処理により発生する負圧
は多孔質部材７１に以下される。この時、第１の下型半
体２３Ｃに基板１６が載置されている場合には、基板１
６は多孔質部材７１に向け吸引されることとなる。この
状態は、図２２に中心線より左側に図示される状態であ
り、以下この状態を固定状態という。
【０２０６】上記のように、金型２０Ｃに固定・離型機
構７０を設けることにより、固定状態においては、基板
１６は第１の下型半体２３Ｃに固定されるため、樹脂封
止処理において基板１６に反り等の変形が発生すること
を防止することができる。また、基板１６が持つ固有の
反りを矯正することもできる。更に、離型状態となって
いる時には、基板１６は第１の下型半体２３Ｃから離脱
付勢されるため、基板１６の金型２０Ｃからの離型性を
向上させることができる。
【０２０７】図２３は、本発明の第４実施例である半導
体装置製造用金型２０Ｄ（以下、金型２０Ｄという）を
示している。前記した第１実施例に係る金型２０では、
第１の下型半体２３が固定されており、第２の下型半体
２４が第１の下型半体２３に対して昇降動作する構成と
されていた。これに対し、本実施例に係る金型２０Ｄ
は、第２の下型半体２４Ｄが固定されており、第１の下
型半体２３Ｄが第２の下型半体２４Ｄに対して昇降動作
する構成としたことを特徴とするものである。
【０２０８】本実施例のように、第１の下型半体２３Ｄ
が第２の下型半体２４Ｄに対して昇降動作する構成とし
ても、離型工程において確実に樹脂層１３が形成された
基板１６を金型２０から離型させることができる。尚、
図２３において、中心線より左側に示されるのが第１の
下型半体２３Ｄが上動した状態であり、また中心線より
右側に示されるのが第１の下型半体２３Ｄが下動した状
態である。
【０２０９】図２４は、本発明の第５実施例である半導
体装置製造用金型２０Ｅ（以下、金型２０Ｅという）を
示している。前記した第１実施例に係る金型２０では、
第２の下型半体２４の内周側壁には傾斜部２７を形成す
ることにより離型性を向上させる構成とされていた。こ
れに対し、本実施例に係る金型２０Ｅは、キャビティ２
８を形成した状態において、第１の下型半体２３の上部
の面積よりも第２の下型半体２４Ｅで囲繞される面積が
広くなる部分を有する構成とすることにより、第２の下
型半体２４Ｅが第１の下型半体２３と接する部位に矩形
状の段差部７４が形成された構成となっている。
【０２１０】上記のように、第２の下型半体２４Ｅに段
差部７４を形成しても離型性を向上させることができ、
また段差部７４の形状が略矩形状であるため段差部７４
の形成を容易に行なうことができる。尚、図２４におい
て、中心線より左側に示される状態は、樹脂層１３から
離脱するために第２の下型半体２４Ｅが樹脂封止位置か
ら下動した状態であり、また中心線より右側に示される
のは、第２の下型半体２４Ｅが上動して樹脂層１３が形
成された基板１６が金型２０Ｅから離型した状態であ
る。
【０２１１】図２５は、本発明の第６実施例である半導
体装置製造用金型２０Ｆ（以下、金型２０Ｆという）を
示している。本実施例に係る金型２０Ｆは、上型２１
Ｆ，下型２２Ｆ（第１の下型半体２３Ｆ，第２の下型半
体２４Ｆ）の樹脂層１３との接触面に、付着処理膜７５
を形成したことを特徴とするものである。この付着処理
膜７５は、樹脂層１３となる樹脂とは付着しない材料が
選定されているため、よって離型時において容易に樹脂
層１３が形成された基板１６を金型２０Ｆから離型させ
ることができる。
【０２１２】図７６及び図７７は、第６実施例の変形例
を示している。図７６は、第１の下型半体２３の上面の
面積に対し基板１６の面積が小さい場合、第１の下型半
体２３の上面にフィルム３０Ｄを配設したものである。
これにより、封止樹脂３５と第１の下型半体２３とが直
接接触する面積を小さくすることができ、離型性を向上
させることができる。
【０２１３】尚、本実施例において、先に図２２を用い
て説明したような吸引処理を行なう場合には、予めフィ
ルム３０Ｄの必要箇所に小孔（真空用孔）を形成してお
けばよい。また、図７７は、第１の下型半体２３の上面
の面積と基板１６の面積とが略等しくされた構成を示し
ている。前記した各実子例では、第１の下型半体２３の
上面の面積に対し基板１６の面積が小さい構成であった
ため、樹脂封止処理が行なわれると、樹脂層１３は基板
１６の側部位置（側面部）にも配設された構成となって
いた。
【０２１４】これに対し、第１の下型半体２３の上面の
面積と基板１６の面積を略等しくすることにより、樹脂
層１３は基板１６の上面のみに形成される構成となる。
このように、基板１６の使用形態に応じ、樹脂層１３を
基板１６の上面のみ、或いは上面部に加え側面部を含む
範囲に選択的に配設することが可能となる。
【０２１５】尚、図７７の構成では、離型性を向上させ
る機構としては、上型２１に関してはフィルム３０を用
い、また下型２２に関しては不着処理膜７５（図２５参
照）を用いた。続いて、本発明の第２及び第３実施例で
ある半導体装置について説明する。
【０２１６】図２６は本発明の第２実施例である半導体
装置１０Ａを示しており、また図２７は本発明の第３実
施例である半導体装置１０Ｂを示している。尚、図２６
及び図２７において図９に示した第１実施例に係る半導
体装置１０と対応する構成については同一符号を附して
説明する。
【０２１７】第２実施例に係る半導体装置１０Ａは、ス
テージ部材８０に複数の半導体素子１１を搭載しモジュ
ール化された構成とされている。また、樹脂層１３は先
端部を残しバンプ１２を封止すると共に、各半導体素子
１１の側部までも封止した構成とされている。更に、ス
テージ部材８０は放熱性の良好な材料（例えば、銅また
はアルミニウム）により形成されている。
【０２１８】上記構成とされた半導体装置１０Ａは、ス
テージ部材８０として放熱性の良好な材料を用いている
ため、複数の半導体素子１１を搭載しても高い放熱性を
維持することができる。また、第３実施例に係る半導体
装置１０Ｂは、図２６に示される半導体装置１０Ａにお
いて、ステージ部材８０の外周側部にダム部８１を形成
したことを特徴とするものである。このダム部８１のス
テージ部材８０の素子搭載面からの高さＨ２（図２７
中、矢印で示す）は、半導体素子１１の素子搭載面から
の高さＨ１（図中、矢印で示す）に対して高くなるよう
構成されている。
【０２１９】更に、ダム部８１のステージ部材８０の素
子搭載面からの高さＨ２は、半導体素子１１の素子搭載
面からバンプ１２の先端部までの高さＨ３（図中、矢印
で示す）に対して所定量低くなるよう構成されている。
上記構成とすることにより、ダム部８１とステージ部材
８０とにより構成される凹部内に樹脂層１３を形成する
ために樹脂を充填すると、ダム部８１の上端まで樹脂を
充填した時点でバンプ１２の先端部を残しバンプ１２を
封止することができる。よって、バンプ１２の先端部を
露出させた状態の樹脂層１３を容易に形成するとができ
る。
【０２２０】また、上記した第２及び第３実施例に係る
半導体装置１０Ａ，１０Ｂにおいて、樹脂層１３の上面
に追加配線を形成することにより、複数の半導体素子１
１をこの追加配線により相互接続して機能化させること
ができる。続いて、本発明の第８実施例について説明す
る。図２８は、第８実施例に係る半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、樹脂封止工程が終了した状
態の基板１６を示している。また、図２８（Ａ）は基板
１６の全体図であり、図２８（Ｂ）は基板１６の部分拡
大図である。尚、図２８において、図１乃至図９を用い
て説明した第１実施例に係る構成と同一構成については
同一符号を附してその説明を省略するものとする。
【０２２１】前記した第１実施例に係る半導体装置の製
造方法では、樹脂層１３を一種類の封止樹脂３５により
形成した構成とされていた。ところで、この樹脂層１３
には種々の機能が要求されており、例えば基板１６を保
護する点からは樹脂層１３は硬質樹脂の方が望ましく、
また実装時等においてバンプ１２に印加される応力を緩
和する点からは樹脂層１３は軟質樹脂の方が望ましい。
しかるに、これらの要求を一種類の樹脂で全て満足させ
ることは、実際には不可能である。
【０２２２】そこで、本実施例では、樹脂封止工程で用
いられる封止樹脂として、異なる特性を有する複数の封
止樹脂を用い、よって複数（本実施例では２種）の樹脂
層１３Ａ，１３Ｂを形成することを特徴とするものであ
る。図２８に示す例では、樹脂層１３Ａと樹脂層１３Ｂ
を積み重ねて積層した構造を示している。
【０２２３】このように、複数の樹脂層１３Ａ，１３Ｂ
を形成するには、樹脂封止工程で先ず金型内に樹脂層１
３Ａとなる封止樹脂を装填して樹脂層１３Ａを形成し、
次にて金型内に樹脂層１３Ｂとなる封止樹脂を装填して
樹脂層１３Ｂを形成する。或いは、予め樹脂層１３Ａと
なる封止樹脂の上部に樹脂層１３Ｂとなる封止樹脂を積
層した構造の封止樹脂を作成しておき、１回の樹脂封止
処理で樹脂層１３Ａ及び樹脂層１３Ｂを一括的に形成す
る方法を用いてもよい。
【０２２４】本実施例のように複数の樹脂層１３Ａ，１
３Ｂを基板１６に積層することにより、例えば外側に位
置する樹脂層１３Ｂとして硬質樹脂を用い、また内側に
位置する樹脂層１３Ａとして軟質樹脂を用いることが可
能となる。この構成とした場合、基板１６は硬質樹脂よ
りなる樹脂層１３Ｂにより確実に保護される構成とな
り、また実装時等にバンプ１２に印加される応力は軟質
樹脂よりなる樹脂層１３Ａにより吸収することができ
る。よって、本実施例に係る製造方法で製造される半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
【０２２５】続いて、本発明の第９実施例について説明
する。図２９は、第９実施例に係る半導体装置の製造方
法を説明するための図である。尚、図２９において、図
１乃至図９を用いて説明した第１実施例に係る構成と同
一構成については同一符号を附してその説明を省略する
ものとする。
【０２２６】本実施例においても、前記した第８実施例
と同様に樹脂封止工程で用いられる封止樹脂として、異
なる特性を有する複数（本実施例では２種）の封止樹脂
を用いたことを特徴としている。しかるに、前記した第
８実施例では互いに異なる樹脂層１３Ａ，１３Ｂを積層
した構造であったが、本実施例では樹脂層１３Ｂを基板
１６の外周位置に配設し、この樹脂層１３Ｂに囲繞され
る部分に樹脂層１３Ａを配設した構造としたことを特徴
としている（図２９（Ｃ）参照）。以下、本実施例にお
ける半導体装置の製造方法について説明する。
【０２２７】図２９（Ａ）は、本実施例に係る半導体装
置の製造方法における樹脂封止工程を示している。本実
施例に係る樹脂封止工程で用いる金型２０Ｇは、第１実
施例において図１を用いて説明した金型２０の構造に対
して上下が逆となった構造を有しているが、説明の便宜
上、金型２０Ｇの各構成は第１実施例で説明した金型２
０と対応した符号及び名称で示している。また、本実施
例では、前記した第５実施例と同様に補強板５０を有し
た構造となっている。
【０２２８】補強板５０は第１の下型半体２３に装着さ
れており、また補強板５０の下面（基板１６と対向する
面）には、樹脂層１３Ａとなる封止樹脂３５Ａ及び樹脂
層１３Ｂとなる封止樹脂３５Ｂが予め配設されている。
この樹脂層１３Ｂとなる封止樹脂３５Ｂは補強板５０の
外周位置に配設されており、また樹脂層１３Ａとなる封
止樹脂３５Ａは封止樹脂３５Ｂに囲繞されるようにその
内部に配設されている。更に、バンプ１２が形成された
基板１６は、フィルム３０を介して上型２１上に載置さ
れている。
【０２２９】上記のように基板１６及び封止樹脂３５
Ａ，３５Ｂが配設された補強板５０が金型２０Ｇ内に装
着されると、第１の下型半体２３は上型２１に向け移動
し、よって封止樹脂３５Ａ，３５Ｂの圧縮成形が実施さ
れ、樹脂層１３Ａ，１３Ｂが形成される。この際、上記
したように封止樹脂３５Ｂは補強板５０の外周位置に配
設され、また封止樹脂３５Ａは封止樹脂３５Ｂに囲繞さ
れるよう配設されているため、樹脂成形された状態にお
いて、樹脂層１３Ｂは基板１６の外周位置に形成され、
また樹脂層１３Ａは封止樹脂３５Ｂに囲繞されるよう形
成される。
【０２３０】上記の樹脂封止工程が終了すると、図２９
（Ｂ）に示されるように、突起電極露出工程が実施され
てフィルム３０が除去され、これにより図２９（Ｃ）に
示される半導体装置１０Ｃが形成される。上記の製造方
法によれば、例えば基板１６（半導体素子）の外周位置
に配設される樹脂層１３Ｂとして硬質樹脂を選定し、こ
の樹脂層１３Ｂに囲繞される樹脂層１３Ａとして軟質樹
脂を選定することが可能となる。よって、本実施例によ
り製造される半導体装置１０Ｃは、その外周側部が硬質
樹脂よりなる樹脂層１３Ｂに囲繞された構成となるた
め、基板１６は補強板５０及びこの樹脂層１３Ｂにより
確実に保護された構造となる。よって、半導体装置１０
Ｃの信頼性を向上させることができる。
【０２３１】また、樹脂層１３Ｂの内側に位置する樹脂
層１３Ａは、軟質樹脂により形成されているため、バン
プ１２に対し実装時等に応力が印加されても、この応力
は軟質樹脂よりなる樹脂層１３Ａにおいて吸収された
め、バンプ１２に印加される応力の緩和を図ることがで
きる。よって、これによっても半導体装置１０Ｃの信頼
性を向上させることができる。
【０２３２】続いて、本発明の第１０及び第１１実施例
について説明する。図３０は第１０実施例に係る半導体
装置の製造方法を説明するための図であり、また図３１
は第１１実施例に係る半導体装置の製造方法を説明する
ための図である。尚、図３０及び図３１において、図１
乃至図９を用いて説明した第１実施例、及び図２９を用
い説明した第９実施例に係る構成と同一構成については
同一符号を附してその説明を省略するものとする。
【０２３３】図３０に示す第１０実施例に係る製造方法
では、前記した第９実施例と同様に樹脂封止工程におい
て予め封止樹脂３５を補強板５０に配設しておくことを
特徴とするものである。また、図３１に示す第１１実施
例に係る製造方法では、補強板５０Ａに枠部５４を一体
的に設けると共に、この補強板５０Ａに予め封止樹脂３
５を配設しておくことを特徴とするものである。
【０２３４】このように、樹脂封止工程において予め封
止樹脂３５を補強板５０，５０Ａに配設しておくことに
より、補強板５０，５０Ａを金型２０Ｇの一部として用
いることが可能となる。具体的には、補強板５０，５０
Ａを第１の下型半体２３の一部として用いることができ
る。
【０２３５】これにより、封止樹脂３５が直接第１の下
型半体２３（金型２０Ｇ）に触れる面積を少なくするこ
とができ、従来であれば必要とされた金型に付着した不
要樹脂の除去作業を不要とすることができ、樹脂封止工
程における作業の簡単化を図ることができる。
【０２３６】特に、第１１実施例に係る製造方法では、
補強板５０Ａに枠部５４を設けることにより、補強板５
０Ａの基板１６と対向する位置には凹部５５が形成さ
れ、この凹部５５をキャビティとして用いることが可能
となる。図３０に示される平板状の補強板５０を用いた
構成では、封止樹脂３５は第２の下型半体２４に触れて
しまい、この接触部分における不要樹脂の除去作業は必
要となる。
【０２３７】しかるに、図３１に示される第１１実施例
では封止樹脂３５が金型３０Ｇに全く触れない構成とす
ることができ、よって金型２０Ｇに付着した不要樹脂の
除去作業を全く不要とすることができる。また、上記し
た第１０及び第１１実施例において、補強板５０，５０
Ａを放熱性の良好名材料により形成することにより、半
導体装置１０Ｄ，１０Ｅの放熱特性を向上させることが
できる。尚、図３０（Ｂ）は第１０実施例に係る製造方
法により製造される半導体装置１０Ｄを示しており、図
３１（Ｂ）は第１１実施例に係る製造方法により製造さ
れる半導体装置１０Ｅを示している。
【０２３８】続いて、本発明の第１２実施例について説
明する。図３２及び図３３は、第１２実施例に係る半導
体装置の製造方法を説明するための図である。尚、図３
２及び図３３において、図１乃至図９を用いて説明した
第１実施例と同一構成については同一符号を附してその
説明を省略するものとする。
【０２３９】本実施例に係る製造方法は、樹脂封止工程
において、先ず前記した各実施例と同様にバンプ１２が
形成された基板１６の表面に樹脂層１３（第１の樹脂
層）を形成した後、基板１６の背面に第２の樹脂層１７
を形成することを特徴とするものである。以下、図３２
及び図３３を用いて本実施例における具体的な樹脂封止
処理について説明する。
【０２４０】図３２（Ａ）〜図３２（Ｂ）は、基板１６
のバンプ１２が形成され表面に第１の樹脂層１３を圧縮
成形する工程を示している。この図３２（Ａ）〜図３２
（Ｂ）に示した処理は、第１実施例において図１〜図４
を用いて説明した処理と全く同一の処理である。このた
め、第１の樹脂層１３の形成処理についての説明は省略
するものとする。
【０２４１】図３２（Ａ）〜図３２（Ｂ）の処理を実施
することにより基板１６の表面（バンプ形成面）に第１
の樹脂層１３が形成されると、基板１６を金型２０から
取出、上下を逆にして再び金型２０に装着する。即ち、
基板１６のバンプ１２が形成された面が第１の下型半体
２３と対向するよう、基板１６を金型２０に装着する。
そして、図３３（Ｄ）に示されるように、第１の下型半
体２３上に載置された基板１６の上面に第２の封止樹脂
３６を載置する。
【０２４２】続いて、図３３（Ｅ）に示されるように、
上型２１及び第２の下型半体２４を下動させることによ
り、第２の封止樹脂３６を圧縮成形する。これにより、
図３３（Ｆ）に示されるように、基板１６の背面側にも
第２の樹脂層１７が形成される。
【０２４３】図３３（Ｇ）は、本実施例の製造方法によ
り製造された半導体装置１０Ｅを示している。同図に示
されるように、半導体装置１０Ｅは、バンプ１２が形成
された基板１６（半導体素子）の表面に第１の樹脂層１
３が圧縮成形されると共に、基板１６の背面には第２の
樹脂層１７が圧縮成形された構成となっている。
【０２４４】上記のように、 樹脂封止工程でバンプ１
２が配設された基板１６の表面に第１の樹脂層１３を形
成した後に、この基板１６の背面を覆うように第２の樹
脂層１７を形成したことにより、製造される半導体装置
１０Ｅのバランスを良好とすることができる。
【０２４５】即ち、基板１６（半導体素子）と封止樹脂
は熱膨張率が異なるため、基板１６の表面（バンプ１２
形成された面）のみに第１の樹脂層１３を配設した構成
では、基板１６の表面と背面において熱膨張差が発生し
て基板１６に反りが発生するおそれがある。
【０２４６】しかるに、本実施例の製造方法のように基
板１６の表面及び背面を共に樹脂層１３，１７で覆うこ
とにより、基板１６の表面及び背面の状態を均一化する
ことができ、半導体装置１０Ｅのバランスを良好とする
ことができる。これにより、熱印加時等において半導体
装置１０Ｅに反りが発生することを防止することができ
る。
【０２４７】また、本実施例に係る製造方法では、基板
１６の表面に配設する第１の樹脂層１３と、基板１６の
背面に配設する第２の樹脂層１７とを異なる特性を有す
る樹脂に選定することも可能である。例えば、第１の樹
脂層１３として軟質の樹脂を選定することにより、バン
プ１２に印加される応力を緩和することができる。
【０２４８】また、背面に配設される第２の樹脂層１７
として硬質の樹脂を選定することにより、外力が印加さ
れた場合に基板１６を確実に保護することができる。更
に、第２の樹脂層１７として放熱特性の良好な樹脂を選
定することにより、半導体装置１０Ｅの放熱特性を向上
させることができる。
【０２４９】続いて、本発明の第１３実施例について説
明する。図３４は、第１３実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図３４におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例、及び図
３２，図３３を用いて説明した第１２実施例と同一構成
については同一符号を附してその説明を省略するものと
する。
【０２５０】本実施例における製造方法においても、基
板１６の表面に第１の樹脂層１３を形成すると共に、基
板１６の背面に第２の樹脂層１７を形成する。しかる
に、図３２及び図３３を用いて説明した第１２実施例に
係る製造方法では、先ず図３２（Ａ）〜（Ｃ）の工程を
実施することにより第１の樹脂層１３を形成し、次に第
１の樹脂層１３が形成された基板１６を金型２０から取
り出して上下を逆にし、その上で図３３（Ｄ）〜（Ｆ）
の工程を実施することにより第２の樹脂装置１７を形成
していた。このため、第１２実施例に係る製造方法で
は、２回の圧縮成形処理を必要としてしまい、半導体装
置１０Ｅの製造効率が良好であるとはいえなかった。
【０２５１】そこで、本実施例に係る製造方法では、１
回の圧縮成形で第１及び第２の樹脂層１３，１７を同時
に形成しうるようにしたことを特徴とするものである。
このため本実施例では、樹脂封止工程において基板１６
を金型２０に装着する際、図３４（Ａ）に示されるよう
に、先ず第２の封止樹脂３６を金型２０に装着した上で
基板１６を第２の封止樹脂３６に載置されるよう装着
し、更にその上部に第１の封止樹脂３５を配設する構成
とした。この際、第２の封止樹脂３６は基板１６の背面
側と当接し、また第１の封止樹脂３５は基板１６のバン
プ１２が形成されている表面上に載置されるようにして
いる。
【０２５２】図３４（Ｂ）は、圧縮成形を実施している
状態を示している。同図に示されるように、基板１６は
第１の封止樹脂３５と第２の封止樹脂３６とに挟まれた
状態であるため、基板１６の表面及び背面に同時に封止
樹脂３５，３６を圧縮成形することができる。また、図
３４（Ｃ）は圧縮成形が終了し、基板１６の表面に第１
の樹脂層１３が、また基板１６の背面に第２の樹脂層１
７が形成された状態を示している。
【０２５３】尚、図３４（Ｄ）は、本実施例に係る製造
方法により製造された半導体装置であり、その構成は第
１２実施例で製造された半導体装置１０Ｅと同一構成で
ある（本実施例に係る製造方法により製造された半導体
装置も符号１０Ｅで示す）。上記のように、本実施例に
よる製造方法では第１２実施例の製造方法のように基板
１６を上下逆にする作業は不要となり、第１の樹脂層１
３と第２の樹脂層１７を１回の圧縮成形処理により一括
的に形成することができるため、半導体装置１０Ｅの製
造効率を向上させることができる。
【０２５４】続いて、本発明の第１４実施例について説
明する。図３５は、第１４実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図３５におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略するもの
とする。
【０２５５】前記した各実施例においては、突起電極と
して球状バンプを例に挙げて説明したが、本実施例では
突起電極としてストレートバンプ１８を用いたことを特
徴とするものである。このストリートバンプ１８は円柱
形状を有しており、例えばメッキ法を用いて形成され
る。このように、ストリートバンプ１８は円柱形状を有
しているため、その先端部の面積は球形状とされたバン
プ１２に比べて広くなっている。
【０２５６】本実施例のように突起電極の構造をストレ
ートバンプ１８としても、樹脂封止工程及び突起電極露
出工程は、前記した各実施例と同様の処理により行なう
ことができる。図３５（Ａ），（Ｂ）は、樹脂封止工程
において、ストレートバンプ１８が形成された基板１６
を金型２０（図示せず）に装着した状態を示している。
尚、図３５（Ｂ）は、図３５（Ａ）の部分拡大図であ
る。この装着状態において、ストレートバンプ１８の先
端部にはフィルム３０Ａが装着される。
【０２５７】このフィルム３０Ａは、図１９に示したも
のと同一構成であり、容易に弾性変形しない構成とされ
ている。この状態の基板１６に対して樹脂封止処理が実
施されることにより、フィルム３０Ａと基板１６の表面
との間には樹脂層１３が圧縮成形される。
【０２５８】樹脂封止工程が終了すると、図３５（Ｃ）
に示されるように樹脂層１３に固着されたフィルム３０
Ａを樹脂層１３（梨地で示す）から剥離する処理を行な
う。しかるに、フィルム３０Ａを樹脂層１３から剥離し
ても、図３５（Ｄ）に拡大して示すように、ストレート
バンプ１８はその先端部を除き樹脂層１３に埋設された
状態を維持する。
【０２５９】ところで、図１９乃至図２１を用いて先に
説明した第７実施例では、バンプ１２が球状形状とされ
ていたため、その全体が樹脂層１３に封止された状態で
は、樹脂層１３から露出する面積が小さく、よって図２
１に示されるようなバンプ１２を樹脂層１３から露出さ
せる処理が行なわれていた。
【０２６０】これに対し、本実施例では円柱形状を有し
たストレートバンプ１８を用いているため、樹脂層１３
から露出した先端部の面積は広くなっている。よって、
図３５（Ｄ）に示されるように、単にフィルム３０Ａを
樹脂層１３から剥離した状態のままでも、十分に電気的
な接続を行なうことができる。よって、球状のバンプ１
２を用いた場合には必要となるバンプ１２を樹脂層１３
から露出させる処理を不要とすることができ、半導体装
置の製造工程の簡単化を図ることができる。
【０２６１】尚、本実施例において更に電気的な接続性
を向上させる必要がある場合には、ストレートバンプ１
８を樹脂層１３から露出させる処理を実施してもよい。
また、以下の説明において単にバンプ１２という場合に
は球状形状のバンプ１２とストレートバンプ１８を総称
するものとし、個別に説明する必要がある場合には球状
バンプ１２，ストレートバンプ１８と分けて称すること
とする。
【０２６２】続いて、本発明の第１５実施例について説
明する。図３６は、第１５実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図３６におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例、及び図
３５を用いて説明した第１４実施例と同一構成について
は同一符号を附してその説明を省略するものとする。
【０２６３】本実施例に係る製造方法では、突起電極露
出工程を実施することによりバンプ１２の少なくとも先
端部を樹脂層１３から露出させた後に、このバンプ１２
（本実施例ではストレートバンプ１８を用いている）の
先端部にもう一つのバンプである外部接続用突起電極９
０（以下、外部接続用バンプという）を形成することを
特徴とする。
【０２６４】この外部接続用バンプ９０は、外部接続用
突起電極形成工程を実施することにより形成される。こ
の外部接続用突起電極形成工程は、一般に実施されてい
るバンプ形成技術を適用することが可能であり、転写
法，メッキ法，或いはディンプルプレート法等を適用す
ることができる。そして、突起電極露出工程を実施した
後にこの外部接続用突起電極形成工程を実施することに
より、ストレートバンプ１８の先端部には外部接続用バ
ンプ９０が形成される。
【０２６５】本実施例のように、突起電極露出工程を実
施した後に外部接続用突起電極形成工程を実施し、スト
レートバンプ１８の先端部に外部接続用バンプ９０を形
成したことにより、半導体装置を実装基板に実装する際
の実装性を向上させることができる。
【０２６６】即ち、バンプ１２は基板１６（半導体素
子）に形成された電極上に形成されるものであるため、
必然的にその形状は小さくなる。よって、この小さなバ
ンプ１２を実装基板に電気的に接続する外部接続端子と
して用いた場合には、実装基板とバンプ１２とが確実に
接続されないおそれがある。
【０２６７】しかるに、本実施例で設ける外部接続用バ
ンプ９０は、基板１６に形成されているバンプ１２と別
体であるため、基板１６及びバンプ１２に影響されず自
由に設計することが可能であり（但し、バンプ１２と電
気的に接続させる必要はある）、実装基板の構成に適応
させることができる。よって、バンプ１２の先端部に外
部接続用バンプ９０を配設することにより、外部接続用
バンプ９０が設けられた半導体装置と実装基板との実装
性を向上させることができる。
【０２６８】続いて、本発明の第１６実施例について説
明する。図３７は、第１６実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図３７におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例、及び図
３６を用いて説明した第１５実施例と同一構成について
は同一符号を附してその説明を省略するものとする。
【０２６９】本実施例では、外部接続用バンプ９０を形
成する外部接続用突起電極形成工程において、バンプ１
２と外部接続用外部接続用突起電極とを応力緩和機能を
有する接合材９１（以下、応力緩和接合材という）を用
いて接合させることを特徴とするものである。また本実
施例では、外部接続用外部接続用突起電極としてポール
電極９２を用いていることも特徴としている。
【０２７０】応力緩和接合材９１は、例えば実装時に印
加される温度よりも高い融点を有したはんだを適用する
ことができる。また、ポール電極９２としては、例えば
パラジウムのワイヤを用いることができる。バンプ１２
とポール電極９２は応力緩和接合材９１により接合され
る。また、はんだは比較的軟質な金属であるため、バン
プ１２とポール電極９２との接合位置においては、応力
緩和接合材９１を構成するはんだが変形することによ
り、ポール電極９２に印加された応力を吸収することが
できる。
【０２７１】本実施例によれば、バンプ１２とポール電
極９２は応力緩和機能を有する応力緩和接合材９１によ
り接合されるため、ポール電極９２に外力が印加され応
力が発生しても、この応力は応力緩和接合材９１により
応力緩和され、バンプ１２に伝達されることを防止する
ことができる。これにより、外部応力により基板１６
（半導体素子）にダメージが発生することを防止でき、
よって製造される半導体装置の信頼性を向上させること
ができる。
【０２７２】また、外部接続用外部接続用突起電極とし
てポール電極９２を用いることにより、球状の電極に比
べて外部接続端子（実装基板側、或いは試験装置側の外
部接続端子）との接続状態を良好とすることができる。
これは、球状の電極では接続面積が小さくなるのに対
し、ポール電極９２では接続面積を広くできるためであ
る。
【０２７３】また、球状の電極はその形成が難しく高さ
（直径）にバラツキが生じやすいが、ワイヤ状のポール
電極９２では同一長さのものを精度良く得ることがで
き、よってバラツキの発生を防止することができる。更
に、ポール電極９２は弾性的に座屈変形可能であるた
め、ポール電極９２自体にも応力緩和機能を有してい
る。よって、外力入力時における応力の緩和をより確実
に行なうことができる。
【０２７４】続いて、本発明の第１７実施例について説
明する。図３８は、第１７実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図３８におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略するもの
とする。
【０２７５】前記した第１実施例では、バンプ１２を樹
脂層１３から露出させるためにフィルム３０として弾性
可能な材質を選定し、フィルム３０をバンプ１２に配設
した時点でバンプ１２の先端部がフィルム３０にめり込
むようにし、よって図７に示すようにフィルム３０を剥
離した時点でバンプ１２の先端部が樹脂層１３から露出
するようにした。しかるに、この第１実施例の方法で
は、樹脂層１３から露出するバンプ１２の先端部の面積
は小さくなり、実装基板との電気的接続性が低下するお
それがある。
【０２７６】一方、前記した第７実施例では、フィルム
３０Ａとして硬質な材質を選定し、フィルム３０Ａを剥
離した時点ではバンプ１２の先端部は樹脂層１３から露
出しない状態とし、バンプ１２の先端部を樹脂層１３か
ら露出させるには、図２１に示すようにレーザ照射装置
６０等を用いて露出させる方法を用いた。しかるに、第
７実施例の方法では、バンプ１２を樹脂層１３から露出
させるために大掛かりな設備が必要となってしまう。
【０２７７】そこで本実施例では、図３８（Ａ）に示す
ように、樹脂封止工程においてフィルム３０Ｂとして硬
質材料のものを選定すると共に、このフィルム３０Ｂの
バンプ１２と対向する位置に凸部１９が形成されたもの
を用いたことを特徴とする。以下、この凸部１９が形成
されたフィルム３０Ｂを用いた樹脂封止工程について説
明する。尚、図３８において、金型の図示は省略してい
る。
【０２７８】図３８（Ｂ）は、基板１６，封止樹脂３
５，及びフィルム３０Ｂを金型に装着した状態を示して
いる。この状態において、フィルム３０Ｂに形成された
凸部１９は、基板１６に形成されたバンプ１２と対向す
るよう位置決めされている。また、フィルム３０Ｂは硬
質の樹脂材料により形成されており、凸部１９は比較的
軟質な樹脂材料により形成されている。即ち、本実施例
においては、フィルム３０Ｂと凸部１９とは別材料によ
り構成されている（尚、同一材料による一体化された構
成としてもよい）。
【０２７９】図３８（Ｃ）は、封止樹脂３５に対して圧
縮成形処理が行なわれている状態を示している。この圧
縮成形処理時において、フィルム３０Ｂに形成された凸
部１９はバンプ１２に押圧された状態となっている。従
って、凸部１９がバンプ１２を押圧している領域につい
ては、バンプ１２に封止樹脂３５が付着することはな
い。かつ、凸部１９は軟質樹脂により構成されているた
め、凸部１９が可撓変形することによりバンプ１２と凸
部１９との接触面積は広くなっている。
【０２８０】図３８（Ｄ）は突起電極露出工程を示して
おり、基板１６からフィルム３０Ｂが取り除かれた状態
を示している。前記したように、凸部１９がバンプ１２
を押圧している領域においてはバンプ１２に封止樹脂３
５が付着しないため、フィルム３０Ｂが取り除かれた状
態において、この領域は樹脂層１３から露出した状態と
なる。かつ、本実施例においてバンプ１２が樹脂層１３
から露出する面積は、前記した第１実施例の方法に比べ
て広くなっている。
【０２８１】よって、本実施例による製造方法によれ
ば、大掛かりな設備を用いることなく、容易かつ確実に
バンプ１２を樹脂層１３から露出させることができる。
また、樹脂層１３から露出されるバンプ１２の面積は広
いため、例えば図３８（Ｅ）に示すように、バンプ１２
の先端部に外部接続用バンプ９０を設ける場合において
も、確実にバンプ１２と外部接続用バンプ９０とを接合
することができる。
【０２８２】続いて、本発明の第１８実施例について説
明する。図３９及び図４０は、第１８実施例に係る半導
体装置の製造方法を説明するための図である。尚、図３
９及び図４０において、図１乃至図９を用いて説明した
第１実施例と同一構成については同一符号を附してその
説明を省略するものとする。
【０２８３】本実施例では、基板１６に形成されるバン
プ１２Ａの形成方法及びその構造に特徴を有するもので
ある。このバンプ１２Ａは、基板１６の表面に設けられ
た接続電極９８上に形成される。バンプ１２Ａを形成す
るには、先ず接続電極９８の上部にコア部９９（梨地で
示す）を形成する。このコア部９９は、弾性を有する樹
脂（例えば、ポリイミド等）により形成されている。
【０２８４】コア部９９を接続電極９８上に形成する具
体的方法としては、先ず基板１６の全面にコア部９９と
なる樹脂（感光性のポリイミド）を所定の厚さとなるよ
うスピンコートし、続いてホトリソグラフィー技術を用
いて接続電極９８以外の位置の樹脂を除去する。これに
より、接続電極９８上にコア部９９が形成される。
【０２８５】続いて、このコア部９９の表面全体を覆う
ように導電膜１００が形成される。この導電膜１００は
メッキ法或いはスパッタリング法等の薄膜形成技術を用
いて形成され、その基板側端部は接続電極９８と電気的
に接続される。導電膜１００の材質としては、ある程度
の弾性を有すると共に電気的抵抗の低い金属が選定され
ている。以上の処理を実施することにより、バンプ１２
Ａは形成される。尚、図中１０２は絶縁膜である。
【０２８６】上記の説明から明らかなように、バンプ１
２Ａはコア部９９の表面に導電膜１００が形成された構
成とされている。前記のようにコア部９９は弾性を有し
ており、かつ導電膜１００もある程度の弾性を有した材
料により形成されているため、例えば実装時等において
バンプ１２Ａに外力が作用し応力が発生しても、この応
力はコア部９９及び導電膜１００が弾性変形することに
より吸収される。よって、この応力が基板１６に印加さ
れることを防止でき、基板１６にダメージが発生するこ
とを抑制することができる。
【０２８７】ここで、バンプ１２Ａの樹脂層１３に対す
る高さについて説明する。図３９（Ａ）は、バンプ１２
Ａの先端部が樹脂層１３よりも突出した構成を示してい
る。この構成では、バンプ１２Ａは樹脂層１３より広く
露出しているため、外部接続用バンプ９０を設けた場合
には、バンプ１２Ａと外部接続用バンプ９０との接合面
積は広くなり、確実にバンプ１２Ａと外部接続用バンプ
９０とを接合することができる。
【０２８８】また、図３９（Ｂ）は、バンプ１２Ａの先
端部と樹脂層１３の表面とが同一面とされた構成を示し
ている。この構成を有した半導体装置は、ＬＣＣ(Leadl
essChip Carrier) 構造の半導体装置として用いること
が可能となり、実装密度の向上を図ることができる。
【０２８９】また、図３９（Ｃ）は、バンプ１２Ａの先
端部が樹脂層１３の表面よりも低い位置にある構成を示
している。従って、樹脂層１３にはバンプ１２Ａを露出
するための凹部１０１が形成されている。この構成で
は、外部接続用バンプ９０を設けた場合には、凹部１０
１が外部接続用バンプ９０の位置決めを行なう機能を奏
するため、図３９（Ａ）に示した構成に比べてバンプ１
２Ａと外部接続用バンプ９０との位置決め処理を容易に
行なうことができる。
【０２９０】一方、本実施例においては、図４０に示さ
れるように、基板１６（半導体素子）に設けられた電極
パッド９７とバンプ１２Ａが形成される接続電極９８と
が離間した構成となっており、電極パッド９７と接続電
極９８は引出し配線９６により接続された構成となって
いる。
【０２９１】図３９に示されるように、バンプ１２Ａの
先端部に外部接続用バンプ９０を設ける構成において
は、実装性の向上を図る面から一般に外部接続用バンプ
９０はバンプ１２Ａより大きく設定される。従って、バ
ンプ１２Ａの隣接するピッチ間距離が小さい場合には、
隣接配置される外部接続用バンプ９０同志が接触するお
それがある。
【０２９２】そこで図４０に示す例では、電極パッド９
７と接続電極９８とを引出し配線９６を用いて接続する
ことにより、バンプ１２Ａが形成される接続電極９８の
ピッチを大きくしている。これにより、隣接する外部接
続用バンプ９０間で干渉が発生することを回避すること
ができる。
【０２９３】続いて、本発明の第１９実施例について説
明する。図４１は、第１９実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図４１におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略するもの
とする。
【０２９４】本実施例に係る製造方法では、図４１
（Ａ）に示されるように、樹脂封止工程を実施する前
に、後に実施される分離工程において基板１６が切断さ
れる位置（図中、破線Ｘで示す。以下、切断位置とい
う）に比較的幅広の切断位置溝１０５を形成しておく。
この切断位置溝１０５の幅寸法は、少なくとも後述する
ダイサー２９の幅寸法より大きく設定されている。
【０２９５】また、続いて実施される樹脂封止工程にお
いては、樹脂層１３を形成すると共に、この切断位置溝
１０５内にも封止樹脂３５を充填して切断位置樹脂層１
０６を形成する。そして、樹脂封止工程の終了後に実施
される分離工程において、図４１（Ｂ）に示されるよう
に、切断位置樹脂層１０６が充填された切断位置溝１０
５内の切断位置Ｘで基板１６をダイサー２９を用いて切
断する。これにより、図４１（Ｃ）に示されるように、
基板１６は切断される。
【０２９６】上記した本実施例により製造方法によれ
ば、分離工程において基板１６及び樹脂層１３にクラッ
クが発生することを防止することができる。以下、この
理由について説明する。いま、仮に切断位置溝１０５を
形成しない構成を想定すると、分離工程では表面に比較
的薄い膜状の樹脂層１３が形成された基板１６を切断す
ることとなる。ダイサー２９を用いた切断処理は、非常
に大きな応力が基板１６に印加される。このため、この
切断方法では薄い樹脂層１３が基板１６から剥離した
り、また樹脂層１３及び基板１６にクラックが発生する
おそれがある。
【０２９７】これに対して本実施例の製造方法では、切
断位置Ｘに幅広の切断位置溝１０５を形成することによ
り、分離工程では切断位置樹脂層１０６が形成された切
断位置溝１０５内において切断処理が行なわれることと
なる。この際、切断位置樹脂層１０６の厚さは、他の部
分に形成された樹脂層１３の厚さに比べて厚くなってお
り、その機械的強度は強くなっている。かつ、切断位置
樹脂層１０６は基板１６に比べて可撓性を有しているた
め、発生する応力を吸収する機能を奏する。
【０２９８】よって、切断処理により発生する応力は切
断位置樹脂層１０６に吸収され弱められた状態で基板１
６に印加されるため、樹脂層１３及び基板１６にクラッ
クが発生することを防止することができ、半導体装置の
製造歩留りを高めることができる。
【０２９９】また、図４１（Ｃ）に示されるように、分
離工程が終了した時点で、基板１６の側面には切断位置
樹脂層１０６が露出され構成となる。よって、基板１６
の側部は切断位置樹脂層１０６により保護された構成と
なり、外部環境の影響を基板１６が直接受けることを抑
制することができる。
【０３００】更に、半導体装置の搬送処理にはハンドリ
ング装置が用いられるが、このハンドリング装置が切断
位置樹脂層１０６が露出した部分を把持するよう構成す
ることも可能となり、よってハンドリング装置により基
板１６が傷つけられることを防止することもできる。
【０３０１】続いて、本発明の第２０実施例について説
明する。図４２は、第２０実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図４２におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例、及び図
４１を用いて説明した第１９実施例と同一構成について
は同一符号を附してその説明を省略するものとする。
【０３０２】前記した第１９実施例に係る製造方法で
は、切断位置Ｘに切断位置溝１０５を形成した構成とし
たが、本実施例に係る製造方法では、図４２（Ａ）に示
されるように、基板１６が切断される切断位置Ｘを挟ん
で一対の応力緩和溝１１０ａ，１１０ｂを形成したこと
を特徴とするものである。従って、分離工程において
は、一対の応力緩和溝１１０ａ，１１０ｂの間位置で基
板１６は切断されることとなる。
【０３０３】また、応力緩和溝１１０ａ，１１０ｂを形
成することにより、樹脂封止工程においては、図４２
（Ｂ）に示されるように、応力緩和溝１１０ａ，１１０
ｂの内部には応力緩和樹脂層１１１ａ，１１１ｂが形成
される。この応力緩和樹脂層１１１ａ，１１１ｂは、他
の部分に形成される樹脂層１３の厚さに比べて厚くなっ
ており、その機械的強度は強くなっている。かつ、応力
緩和樹脂層１１１ａ，１１１ｂは基板１６に比べて可撓
性を有しているため、発生する応力を吸収する機能を奏
する。
【０３０４】上記構成において、分離工程において一対
の応力緩和溝１１０ａ，１１０ｂの間位置で基板１６を
切断すると、応力緩和溝１１０ａ，１１０ｂの間に位置
する基板１６（以下、この部分を基板切断部１６ａとい
う）には大なる応力が印加される。従って、基板切断部
１６ａ及びその上部に形成された樹脂層１３にはクラッ
クが発生する可能性がある。しかるに、この基板切断部
１６ａの形成位置にはバンプ１２及び電子回路等の重要
な構成要素は形成されていないため、クラックが発生し
ても問題となることはない。
【０３０５】一方、基板切断部１６ａを切断することに
より発生する応力は、側方に向け伝達されるが、基板切
断部１６ａの両側部には応力緩和樹脂層１１１ａ，１１
１ｂが充填された応力緩和溝１１０ａ，１１０ｂが形成
されているため、切断時に発生する応力は応力緩和溝１
１０ａ，１１０ｂにおいて吸収される。
【０３０６】よって、基板切断部１６ａで発生する応力
が応力緩和溝１１０ａ，１１０ｂの形成位置より外側
（基板１６の電子回路が形成されている側）に影響を及
ぼすことはなく、バンプ１２及び電子回路等が形成され
ている領域にクラックが発生することを防止することが
できる。尚、図４２（Ｃ）は分離工程が終了した状態を
示している。
【０３０７】続いて、本発明の第２１実施例について説
明する。図４３は、第２１実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図４３におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例、及び図
４１を用いて説明した第１９実施例と同一構成について
は同一符号を附してその説明を省略するものとする。
【０３０８】本実施例に係る製造方法では、樹脂封止工
程を実施する前に、第１の分離工程を実施することによ
り基板１６を個々の半導体素子１１２に分離する。この
個々の半導体素子１１２には、夫々バンプ１２及び電子
回路（図示せず）が形成されている。
【０３０９】この第１の分離工程が終了すると、続いて
樹脂封止工程が実施される。この樹脂封止工程では、図
４３（Ａ）に示されるように、第１の分離工程において
分離された半導体素子１１２をベース材となるフィルム
部材１１３に整列させて搭載する。この際、半導体素子
１１２は接着剤を用いてフィルム部材１１３に搭載され
る。また、図４３（Ａ）に示されるように、隣接する半
導体素子１１２の間には間隙部１１４が形成されるよう
整列される。
【０３１０】上記のようにフィルム部材１１３上に半導
体素子１１２が搭載されると、樹脂の圧縮成形処理が行
なわれ、各半導体素子１１２の表面には樹脂層１３が形
成されると共に、間隙部１１４には切断位置樹脂層１０
６が形成される。続いて、バンプ１２の少なくとも先端
部を樹脂層１３より露出させる突起電極露出工程が実施
される。図４３（Ｂ）は、以上の各処理が終了した状態
を示している。
【０３１１】以上の処理が終了すると、続いて第２の分
離工程が実施される。この第２の分離工程では、隣接す
る半導体素子１１２の間位置、即ち切断位置樹脂層１０
６が形成されている位置で切断処理が行なわれ、フィル
ム部材１１３と共に切断位置樹脂層１０６は切断され
る。これにより、図４３（Ｃ）に示されるように、樹脂
層１３が形成された半導体素子１１２は分離され、続い
て図４３（Ｄ）に示されるようにフィルム部材１１３が
除去される。
【０３１２】上記した本実施例の製造方法では、第１の
分離工程において予め基板１６を切断することにより個
々の半導体素子１１２に分離するため、樹脂封止工程に
おいて半導体素子１１２をフィルム部材１１３に搭載す
る際、異なる種類の半導体素子１１２をベース材に搭載
することが可能となる。
【０３１３】よって、同一樹脂層１３内に複数の半導体
素子を配設する場合、異なる種類及び特性の半導体素子
１１２を組み合わせて配設することが可能となり、設計
の自由度を向上させることができる。尚、本実施例にお
いても、図４１を用いて説明した第１９実施例の効果を
得ることができることは勿論である。
【０３１４】続いて、本発明の第２２実施例について説
明する。図４４は、第２２実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図４４におい
て、図４３を用いて説明した第２１実施例と同一構成に
ついては同一符号を附してその説明を省略するものとす
る。
【０３１５】本実施例に係る製造方法は、図４３を用い
て説明した第２１実施例と略同一であるが、第２１実施
例では樹脂封止工程においてベース材としてフィルム部
材１１３を用いたのに対し、本実施例では放熱板１１５
をベース材として用いた点で差異を有するものである。
【０３１６】従って、樹脂封止工程においては、半導体
素子１１２はこの放熱板１１５上に搭載され、また第２
の分離工程では放熱板１１５は切断位置樹脂層１０６と
共に切断される。しかるに、第２１実施例では第２の分
離工程の終了後にフィルム部材１１３を除去するが、本
実施例においては第２の分離工程が終了した後に放熱板
１１５を除去する処理は行なわない構成とした。これに
より、製造される半導体装置には放熱板１１５が残存す
る構成となり、よって半導体装置の放熱特性を向上させ
ることができる。
【０３１７】続いて、本発明の第２３実施例について説
明する。図４５及び図４６は、第２３実施例に係る半導
体装置の製造方法を説明するための図である。尚、図４
５及び図４６において、図１乃至図９を用いて説明した
第１実施例と同一構成については同一符号を附してその
説明を省略するものとする。
【０３１８】本実施例に係る製造方法では、少なくとも
樹脂封止工程の実施後で、かつ分離工程を実施する前
に、図４６に示されるように、樹脂層１３に位置決め溝
１２０を形成することを特徴とするものである。このよ
うに、樹脂層１３に位置決め溝１２０を形成することに
より、例えば製造された半導体装置１０Ｆに対し試験処
理を行なう際、この位置決め溝１２０を基準として試験
装置に装着することができる。また、分離工程を実施す
る前に位置決め溝１２０を形成することにより、複数の
半導体装置１０Ｆに対して一括的に位置決め溝１２０を
形成するができ、位置決め溝１２０の形成効率を向上さ
せることができる。
【０３１９】この位置決め溝１２０を形成するには、例
えば図４５に示されるように、ダイサー２９を用いて樹
脂層１３にハーフスクライブを行なうことにより形成す
ることができる。このように、ハーフスクライブを行な
うことにより位置決め溝１２０を形成することにより、
分離工程で一般的に使用するスクライビィング技術を用
いて位置決め溝１２０を形成できるため、容易かつ精度
よく位置決め溝を形成することができる。
【０３２０】続いて、本発明の第２４実施例について説
明する。図４７は、第２４実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図４７におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略するもの
とする。
【０３２１】本実施例に係る製造方法では、少なくとも
樹脂封止工程の実施後で、かつ分離工程を実施する前
に、図４７に示されるように、基板１６の背面に位置決
め溝１２１を形成することを特徴とするものである。
尚、図４７（Ｂ）は図４７（Ａ）の部分拡大図である。
【０３２２】このように、基板１６の背面に位置決め溝
１２１を形成することにより、第２３実施例と同様に位
置決め溝１２１を基準として半導体装置の位置決めを行
なうことができる。特に、半導体装置を実装する時にお
ける位置決めは、バンプ１２が実装基板側に向いている
ため、樹脂層１３に位置決め溝１２０を形成しても、こ
れを上部から認識することはできない。
【０３２３】しかるに、本実施例のように基板１６の背
面に位置決め溝１２１を形成しておくことにより、半導
体装置の実装時においても位置決め溝１２１を認識する
ことができ、精度の高い実装処理を行なうことが可能と
なる。尚、位置決め溝１２１の形成は、第２３実施例と
同様にダイサー２９を用いて基板１６の背面にハーフス
クライブを行なうことにより形成することができる。
【０３２４】続いて、本発明の第２５実施例及び第２６
実施例について説明する。図４８は第２５実施例に係る
半導体装置の製造方法を説明するための図であり、また
図４９は第２６実施例に係る半導体装置の製造方法を説
明するための図である。尚、図４８及び図４９におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略するもの
とする。
【０３２５】第２５実施例に係る製造方法は、前記した
第２３及び第２４実施例と同様に、位置決め溝１２２を
形成する点に特徴を有する。図４８（Ｃ）は、本実施例
により樹脂層１３に形成された位置決め溝１２２を示し
ている。位置決め溝１２２を形成するには、先ず図４８
（Ａ）に示されるように、脂封止工程でフィルム３０Ｃ
としてバンプ１２と干渉しない位置に凸部３１が形成さ
れたものを用いる。図４８（Ｂ）は、樹脂封止工程にお
いて、凸部３１を有するフィルム３０Ｃが基板１６と対
向配置された状態を示している。同図に示されるよう
に、凸部３１はバンプ１２と対向しない位置に位置して
いる。従って、樹脂封止工程の終了後、この凸部３１に
より樹脂層１３には位置決め溝１２２が形成される。
【０３２６】一方、第２６実施例に係る製造方法は、樹
脂層１３に位置決め突起１２３を形成する点に特徴を有
する。図４９（Ｃ）は、本実施例により樹脂層１３に形
成された位置決め突起１２３を示している。位置決め突
起１２３を形成するには、先ず図４９（Ａ）に示される
ように、脂封止工程でフィルム３０Ｃとしてバンプ１２
と干渉しない位置に凹部３２が形成されたものを用い
る。図４９（Ｂ）は、樹脂封止工程において、凹部３２
を有するフィルム３０Ｃが基板１６と対向配置された状
態を示している。同図に示されるように、凹部３２はバ
ンプ１２と対向しない位置に位置している。従って、樹
脂封止工程の終了後、この凹部３２により樹脂層１３に
は位置決め突起１２３が形成される。
【０３２７】上記した第２５実施例及び第２６実施例に
よれば、樹脂封止工程でバンプ１２と干渉しない位置に
凸部３１または凹部３２が形成されたフィルム３０Ｃを
用いることにより、樹脂層１３に位置決めの基準となる
位置決め溝１２２或いは位置決め突起１２３を形成する
ことができる。よって、例えば半導体装置に対し試験或
いは実装処理を行なう際、この位置決め溝１２２或いは
位置決め突起１２３基準として位置決め処理を行なうこ
とが可能となり、位置決め処理の簡単化を図ることがで
きる。
【０３２８】続いて、本発明の第２７実施例について説
明する。図５０は、第２７実施例に係る半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図５０におい
て、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略するもの
とする。
【０３２９】本実施例に係る製造方法では、複数配設さ
れるバンプ１２の内、位置決めの基準となるバンプ１２
（以下、このバンプ１２を位置決め用バンプ１２Ｂとい
う）を設定しておき、樹脂封止工程の終了後、この位置
決め用バンプ１２Ｂの形成位置における樹脂層１３を加
工することにより、通常のバンプ１２と位置決め用バン
プ１２Ｂとを識別しうるようにしたことを特徴とするも
のである。尚、位置決め用バンプ１２Ｂ自体の構成は、
通常のバンプ１２と同一構成である。
【０３３０】図５０（Ａ）は、樹脂封止工程及び突起電
極露出工程が終了した状態の基板１６を示している。こ
の状態では、樹脂層１３は基板１６上に均一の膜厚で形
成されており、よってバンプ１２と位置決め用バンプ１
２Ｂとを識別することはできない。
【０３３１】そこで本実施例では、図５０（Ｂ）に示さ
れるように、位置決め用バンプ１２Ｂの近傍位置におけ
る樹脂層１３の膜厚を薄くする加工を行なった。これに
より、通常のバンプ１２と位置決め用バンプ１２Ｂとを
識別することが可能となる。また、位置決め用バンプ１
２Ｂを識別化するための樹脂加工は、例えば前記した突
起電極露出工程で用いるエキシマレーザ，エッチング，
機械研磨或いはブラスト等を利用することができ、よっ
て樹脂加工を行なうことにより半導体装置の製造設備が
大きく変更されるようなことはない。
【０３３２】ここで、バンプ１２と位置決め用バンプ１
２Ｂとを識別する方法について説明する。図５０（Ｃ）
は位置決め用バンプ１２Ｂを拡大して示す図であり、ま
た図５０（Ｄ）は位置決め用バンプ１２Ｂを上部から見
た図である。一方、図５１（Ａ）は、通常のバンプ１２
を拡大して示す図であり、また図５１（Ｂ）は通常のバ
ンプ１２を上部から見た図である。
【０３３３】前記したように、位置決め用バンプ１２Ｂ
は通常のバンプ１２と同一構成であるため、各バンプ１
２，１２Ｂの構成のみでは識別を行なうことはできな
い。しかるに、各バンプ１２，１２Ｂは球状或いはラグ
ビーボール状の形状を有しているため、樹脂層１３に埋
設されている深さによって上部から見た径寸法が変化す
る。
【０３３４】即ち、通常のバンプ１２は樹脂層１３に深
く埋設され露出している面積が小さいため、図５１
（Ｂ）に示されるように上部から見た径寸法Ｌ２は小さ
くなる。これに対し、位置決め用バンプ１２Ｂは上記し
た樹脂加工を行なうことにより樹脂層１３から大きく露
出されており、従って図５０（Ｄ）に示されるように上
部から見た径寸法Ｌ１は大きくなっている（Ｌ１＞Ｌ
２）。
【０３３５】よって、上部から見た各バンプ１２，１２
Ｂの径寸法を検出することにより、通常のバンプ１２と
位置決め用バンプ１２Ｂとを識別することができる。こ
れにより、位置決め用バンプ１２Ｂを基準として半導体
装置の位置決め処理を行なうことが可能となる。
【０３３６】続いて、上記した各実施例により製造され
る半導体装置の実装方法について説明する。図５２は第
１実施例である実装方法を示している。図５２（Ａ）
は、前記した第１実施例に係る製造方法により製造され
た半導体装置１０の実装方法を示しており、はんだペー
スト等の接合材１２５を用いてバンプ１２を実装基板１
４に接合する構造としている。また、図５２（Ｂ）は、
前記した第１４実施例に係る製造方法により製造された
半導体装置１０Ｇの実装方法を示しており、はんだペー
スト等の接合材１２５を用いてストレートバンプ１８を
実装基板１４に接合する構造としている。更に、図５２
（Ｃ）は、前記した第１５実施例に係る製造方法により
製造された半導体装置１０Ｈの実装方法を示しており、
バンプ１２の先端部に配設された外部接続用バンプ９０
により実装基板１４に接合する構造としている。
【０３３７】図５３は第２実施例である実装方法を示し
ている。同図に示される実装方法は、半導体装置１０を
実装基板１４に実装した後、アンダーフィルレジン１２
６を配設したことを特徴とするものである。図５３
（Ａ）は半導体装置１０に形成されたバンプ１２を直接
実装基板１４に接合した後にアンダーフィルレジン１２
６を配設した構成であり、また図５３（Ｂ）はバンプ１
２を接合材１２５を介して実装基板１４に接合した後に
アンダーフィルレジン１２６を配設した構成である。
【０３３８】前記したように、前記した各実施例により
製造される半導体装置１０，１０Ａ〜１０Ｈは、基板１
６の表面に樹脂層１３，１３Ａ，１３Ｂが形成されてい
るため、基板１６の保護はこの樹脂層１３，１３Ａ，１
３Ｂにより確実に行なわれている。
【０３３９】しかるに、バンプ１２，１８，９０が実装
基板１４と接合される部位において、各バンプ１２，１
８，９０は露出しており酸化するおそれがある。また、
実装基板１４と基板１６の熱膨張率に大きな差異がある
場合には、各バンプ１２，１８，９０と実装基板１４と
の接合位置に大きな応力が印加されるおそれがある。よ
って、上記した接合位置に発生する酸化防止及び応力緩
和のために、アンダーフィルレジン１２６を配設する構
成としてもよい。
【０３４０】図５４は第３実施例である実装方法を示し
ている（外部接続用バンプ９０を有した半導体装置１０
Ｈを例に挙げている）。本実施例に係る実装方法では、
実装時に放熱フィン１２７，１２８を半導体装置１０Ｈ
に配設したことを特徴とするものである。
【０３４１】図５４（Ａ）は、１個の半導体装置１０Ｈ
に対し放熱フィン１２７を設けた構成であり、また図５
４（Ｂ）は複数（図では２個）の半導体装置１０Ｈに対
し放熱フィン１２８を設けた構成である。尚、半導体装
置１０Ｈの実装基板１４への実装手順は、放熱フィン１
２７，１２８に半導体装置１０Ｈを固定した上で実装基
板１４に実装しても、また半導体装置１０Ｈを実装基板
１４に実装した後に放熱フィン１２７，１２８を固定す
ることとしてもよい。
【０３４２】図５５は第４実施例である実装方法を示し
ている。本実施例では複数の半導体装置１０をインター
ポーザ基板１３０を用いて実装基板１４に実装する方法
を採用している。半導体装置１０はバンプ１２によりイ
ンターポーザ基板１３０に接合されており、また各イン
ターポーザ基板１３０は基板接合用バンプ１２９により
夫々電気的に接続された構成とされている。このため、
インターポーザ基板１３０は、その上面及び下面に夫々
接続電極１３０ａ，１３０ｂが形成されており、この各
接続電極１３０ａ，１３０ｂは内部配線１３０ｃにより
接続された構成とされている。
【０３４３】本実施例の実装方法によれば、半導体装置
１０を複数個積層状態で配設することができるため、実
装基板１４の単位面積における半導体装置１０の実装密
度を向上させることができる。特に、本実施例の構成
は、半導体装置１０がメモリである場合に有効である。
【０３４４】図５６は第５実施例である実装方法を示し
ている。本実施例では、先に図２６を用いて説明した第
２実施例に係る半導体装置１０Ａをインターポーザ基板
１３１に搭載した上で、このインターポーザ基板１３１
を実装基板１４に実装する方法を示している。本実施例
で用いているインターポーザ基板１３１は多層配線基板
であり、その上面に半導体装置１０Ａが接続される上部
電極が形成されると共に、下面には実装基板１４と接合
するための実装用バンプ１３６が配設されている。
【０３４５】また、図５７は第６実施例である実装方法
を示している。本実施例では、第２実施例に係る半導体
装置１０Ａを第１のインターポーザ基板１３１に搭載
し、これを更に他の電子部品１３５と共に第２のインタ
ーポーザ基板１３２に搭載した上で、この第２のインタ
ーポーザ基板１３２を実装基板１４に実装する方法を示
している。第２のインターポーザ基板１３２も多層配線
基板であり、その上面に第１のインターポーザ基板１３
１及び電子部品１３５が接続される上部電極が形成され
ると共に、下面には実装基板１４と接合するための実装
用バンプ１３７が配設されている。
【０３４６】更に、図５８は第７実施例である実装方法
を示している。図５７に示した第６実施例である実装方
法では、第２のインターポーザ基板１３２の上面のみに
半導体装置１０Ａが搭載された第１のインターポーザ基
板１３１及び電子部品１３５を配設し、下面には実装用
バンプ１３７を配設した構成とされていた。
【０３４７】これに対し、本実施例では第２のインター
ポーザ基板１３３の上面及び下面の双方に半導体装置１
０Ａが搭載された第１のインターポーザ基板１３１及び
電子部品１３５を配設したものである。尚、外部との電
気的な接続は、第２のインターポーザ基板１３３の側端
部（図中、左端部）に形成されたカードエッジコネクタ
１３８により行なう構成とされている。
【０３４８】図５５乃至図５８を用いて説明した各実装
方法では、半導体装置１０，１０Ａと実装基板１４（或
いはカードエッジコネクタ１３８が接続されるコネク
タ）との間にインターポーザ基板１３１〜１３３が介在
する構成となる。このインターポーザ基板１３１〜１３
３は多層配線基板であるため、基板内における配線の引
回しを容易かつ自由度を持って行なうことができ、半導
体装置１０，１０Ａのバンプ１２（外部接続用バンプ９
０）と実装基板１４（或いはコネクタ）側の電極との整
合性を容易に図ることができる。
【０３４９】続いて、本発明の第２８実施例である半導
体装置の製造方法、及び本発明の第４実施例である半導
体装置について説明する。先ず、図６３を用いて本発明
の第４実施例である半導体装置１０Ｊについて説明す
る。尚、図６３において、図９を用いて説明した第１実
施例に係る半導体装置１０と同一構成については同一符
号を附してその説明を省略するものとする。
【０３５０】本実施例に係る半導体装置１０Ｊは、大略
すると基板１６（半導体素子），樹脂層１３，及び外部
接続電極１４０等により構成されている。基板１６は半
導体素子として機能するものであり、その表面には電子
回路と共に外部端子と電気的に接続される外部接続電極
１４０が形成されている。また、樹脂層１３は基板１６
の表面を覆うように形成されており、よって外部接続電
極１４０も樹脂層１３に封止された構成となっている。
【０３５１】しかるに、本実施例に係る半導体装置１０
Ｊは、この外部接続電極１４０が基板１６と樹脂層１３
との界面において外部接続電極１４０が側方に向け露出
した構成とされていることを特徴としている。即ち、半
導体装置１０Ｊはバンプを有しておらず、バンプの代わ
りに半導体装置１０Ｊの側部において露出した外部接続
電極１４０により実装基板等と電気的に接続される構成
とされている。
【０３５２】このように、本実施例に係る半導体装置１
０Ｊはバンプを形成することなく外部接続電極１４０を
用いて半導体装置１０Ｊを実装することが可能となるた
め、半導体装置１０Ｊの構成及び製造工程の簡単化を図
ることができ、コスト低減及び製造効率の向上を図るこ
とができる。また、外部接続電極１４０は半導体装置１
０Ｊの側部に露出した構成であるため、後に詳述するよ
うに半導体装置１０Ｊを実装基板１４に対し立設した状
態で実装することが可能となる。
【０３５３】続いて、本発明の第２８実施例である半導
体装置の製造方法について説明する。第２８実施例に係
る製造方法は、図６３に示した半導体装置１０Ｊを製造
する方法である。本実施例に係る半導体装置の製造方法
では、バンプ形成工程は実施せず、半導体素子形成工程
を実施した後に直ちに樹脂封止工程が実施される。半導
体素子形成工程においては、基板１６の表面に所定の電
子回路が形成されると共に、先に図４０を用いて説明し
たように引出し配線９６及び接続電極９８等が形成され
る。そして、この半導体素子形成工程において、接続電
極９８の上部に外部接続電極１４０が形成される。
【０３５４】図５９は、半導体素子形成工程が終了した
状態の基板１６を示している。同図に示されるように、
本実施例では外部接続電極１４０の形成位置は、１個の
半導体素子に相当する矩形領域（図中、実線で囲まれた
領域）の一辺にまとめて配設されている。
【０３５５】上記の基板形成工程が終了すると、続いて
樹脂封止工程が実施される。この樹脂封止工程におい
て、基板１６は金型に装着されて樹脂層１３の圧縮成形
が行なわれる。尚、樹脂封止工程は前記した第１実施例
と同じ処理を行なうため、その説明は省略する。
【０３５６】樹脂封止工程が終了することにより、基板
１６の全面に樹脂層１３が形成される。よって、基板形
成工程において形成された引出し配線９６及び接続電極
９８等も樹脂層１３に封止された構成となる。このよう
に樹脂封止工程が終了すると、本実施例ではバンプが形
成されていないため、突起電極露出工程を行なうことな
く分離工程が実施される。
【０３５７】本実施例では、この分離工程において外部
接続電極１４０が形成された位置で基板１６を切断する
ことを特徴とするものである。図５９において、破線で
示す位置が基板１６の切断位置である。この切断位置で
基板１６を樹脂層１３と共に切断することにより、外部
接続電極１４０はその一部が切断され、よって外部接続
電極１４０が基板１６と樹脂層１３との界面において外
部接続電極１４０が側方に向け露出した構成の半導体装
置１０Ｊが製造される。
【０３５８】上記したように、本実施例に係る製造方法
によれば、前記した各実施例で必要とされたバンプ形成
工程及び突起電極露出工程が不要となり、また単に樹脂
層１３が形成された基板１６を外部接続電極１４０が形
成された位置で切断するのみでこの外部接続電極１４０
を樹脂層１３から外部に露出させることができ、容易に
半導体装置１０Ｊを製造することができる。
【０３５９】続いて、本発明の第２９実施例である半導
体装置の製造方法について図６０乃至図６２を用いて説
明する。第２９実施例に係る製造方法も、図６３に示し
た半導体装置１０Ｊを製造する方法である。尚、図６０
乃至図６２において、図５９で示した構成と同一構成に
ついては同一符号を付してその説明を省略する。
【０３６０】前記したように、図５９を用いて説明した
第２８実施例に係る製造方法では、容易に半導体装置１
０Ｊを製造することができる。しかるに、第２８実施例
に係る製造方法では、分離工程において図５９に破線で
示す位置と、実線で示す位置との２箇所において切断処
理を行なわなければならず、また図中矢印Ｗで示す部分
は不要部分となっていた（この不要部分は捨てられてい
た）。よって、第２８実施例に係る製造方法では、分離
工程における切断効率が悪く、また基板１６の有効利用
という面においても不利であった。
【０３６１】これに対し、本実施例では先に説明した第
２８実施例に比べ分離工程の簡略化及び基板１６の有効
利用を図ったものである。以下、本実施例に係る製造方
法について説明する。図６０は、本実施例において半導
体素子形成工程が終了した状態の基板１６を示してい
る。図６０（Ａ）は基板１６の全体を示す図であり、ま
た図６０（Ｂ）は基板１６に形成された複数の半導体素
子の内、図６０（Ａ）に符号１１ａ，１１ｂで示す半導
体素子を拡大して示している。
【０３６２】図６０（Ｂ）に示されるように、本実施例
においても外部接続電極１４０の形成位置は、矩形状と
された半導体素子１１ａ，１１ｂの一辺にまとめて配設
されているが、本実施例では外部接続電極１４０が隣接
する半導体素子１１ａ，１１ｂ間で共有化されているこ
とを特徴としている。
【０３６３】上記の基板形成工程が終了すると、続いて
樹脂封止工程が実施され、図６１に示されるように基板
１６の表面に樹脂層１３が形成される。よって、基板形
成工程において形成された引出し配線９６及び接続電極
９８等も樹脂層１３に封止された構成となる。
【０３６４】樹脂封止工程が終了すると、続いて分離工
程が実施され、外部接続電極１４０が形成された位置で
基板１６を切断する。図６１（Ｂ）において、破線で示
す位置が基板１６の切断位置である。この切断位置で基
板１６を樹脂層１３と共に切断することにより外部接続
電極１４０はその略中央位置で切断され、図６２に示さ
れるように、外部接続電極１４０が基板１６と樹脂層１
３との界面において外部接続電極１４０が側方に向け露
出した構成の半導体装置１０Ｊが製造される。
【０３６５】この際、前記したように本実施例において
は、隣接する半導体素子１１ａ，１１ｂ間で外部接続電
極１４０が共有化されている。このため、１回の切断処
理を行なうことにより隣接する２個の半導体素子１１
ａ，１１ｂにおいて夫々外部接続電極１４０を外部に露
出することができる。
【０３６６】よって、半導体装置１０Ｊの製造効率を高
めることができ、また本実施例の製造方法によれば図５
９に矢印Ｗで示した不要部分が発生することはなく、基
板１６の効率的な利用を図ることができる。続いて、本
発明の第８乃至第１１実施例である半導体装置の実装方
法について説明する。尚、第８乃至第１１実施例に係る
半導体装置の実装方法は、図６３に示した半導体装置１
０Ｊを実装基板１４に実装する方法である。
【０３６７】図６４は、本発明の第８実施例である半導
体装置１０Ｊの実装方法を示している。本実施例に係る
実装方法は、単一の半導体装置１０Ｊを実装基板１４に
実装するものである。前記したように、半導体装置１０
Ｊはその側部に外部接続電極１４０が露出した構成であ
る。このため、この外部接続電極１４０が露出した側面
１４１を実装基板１４と対向するよう実装することによ
り、半導体装置１０Ｊを実装基板１４に対し立設した状
態で実装することが可能となる。
【０３６８】図６４（Ａ）に示す例では、はんだペース
ト等の接合材１４２を用いて外部接続電極１４０と実装
基板１４とを接合し、これにより半導体装置１０Ｊを実
装基板１４に対し立設した状態で実装したものである。
また、図６４（Ｂ）に示す例では、外部接続電極１４０
に予め外部接続用バンプ１４３を配設しておき、この外
部接続用バンプ１４３を実装基板１４に接合することに
より、半導体装置１０Ｊを実装基板１４に対し立設した
状態で実装したものである。
【０３６９】上記のように、半導体装置１０Ｊを実装基
板１４に対し立設状態で実装することにより、半導体装
置１０Ｊを寝せた状態で実装基板１４に実装する構成に
比べ半導体装置１０Ｊの実装面積を小さくすることがで
き、よって半導体装置１０Ｊの実装密度を向上させるこ
とができる。
【０３７０】図６５及び図６６は、本発明の第９及び第
１０実施例である半導体装置１０Ｊの実装方法を示して
いる。各実施例に係る実装方法は、複数（本実施例では
４個）の半導体装置１０Ｊを実装基板１４に実装するも
のである。図６５に示される第９実施例では、半導体装
置１０Ｊを複数個立設させると共にこれを並列状態に実
装し、かつ隣接する半導体装置１０Ｊを接着剤１４４に
より接合することを特徴とするものである。この隣接す
る半導体装置１０Ｊ間の接着は、本実施例においては実
装基板１４に接合する前に行なう構成としているが、半
導体装置１０Ｊを実装基板１４に接合する際に合わせて
半導体装置１０Ｊ間の接着処理を行なう構成としてもよ
い。
【０３７１】また、半導体装置１０Ｊと実装基板１４と
の接合は、図６４（Ｂ）と同様に、外部接続電極１４０
に予め外部接続用バンプ１４３を配設しておき、この外
部接続用バンプ１４３を実装基板１４に接合することに
より実装する方法を用いている。しかるに、半導体装置
１０Ｊと実装基板１４の接合は、図６４（Ａ）に示した
接合材１４２を用いる方法を採用してもよい。
【０３７２】一方、図６６に示される第１０実施例で
は、半導体装置１０Ｊを複数個立設させると共にこれを
並列状態に実装し、かつ隣接する半導体装置１０Ｊを支
持部材１４５を用いて立設状態に支持することを特徴と
するものである。また、本実施例における半導体装置１
０Ｊと実装基板１４との接合は、第９実施例に係る実装
方法と同様に、外部接続用バンプ１４３を用いる方法を
採用している。
【０３７３】支持部材１４５は放熱性の良好な金属によ
り構成されており、隣接する半導体装置１０Ｊを隔離す
る隔壁１４６が形成されている。各半導体装置１０Ｊは
一対の隔壁１４６間に接着剤を用いて接着され、これに
より半導体装置１０Ｊは支持部材１４５に固定される。
【０３７４】尚、半導体装置１０Ｊを支持部材１４５に
固定する手段は接着に限定されるものではなく、例えば
接着剤を用いることなく一対の隔壁１４６が半導体装置
１０Ｊを挟持することにより固定する構成としてもよ
い。上記した第９及び第１０実施例に係る半導体装置１
０Ｊの実装方法によれば、複数の半導体装置１０Ｊをユ
ニット化して扱うことが可能となる。よって実装時にお
いて複数の半導体装置１０Ｊを一括的にユニット単位で
実装基板１４に実装処理を行なうことが可能となり、こ
れにより半導体装置１０Ｊの実装効率を向上させること
ができる。
【０３７５】図６７は、本発明の第１１実施例である半
導体装置１０Ｊの実装方法を示している。本実施例に係
る実装方法では、複数（本実施例では４個）の半導体装
置１０Ｊをインターポーザ基板１４７を介して実装基板
１４に実装することを特徴とするものである。
【０３７６】本実施例では、先に図６５を用いて説明し
た第９実施例に係る実装方法を適用した複数の半導体装
置１０Ｊをインターポーザ基板１４７に搭載した上で、
このインターポーザ基板１４７を実装基板１４に実装す
る方法を示している。本実施例で用いているインターポ
ーザ基板１４７は多層配線基板であり、その上面に各半
導体装置１０Ｊが接続される上部電極１４８が形成され
ると共に、下面に形成された下部電極１４９は実装基板
１４と接合するための実装用バンプ１３６が配設されて
いる。また、上部電極１４８と下部電極１４９は、イン
ターポーザ基板１４７の内部に形成された内部配線１５
０により接続されている。
【０３７７】本実施例に係る実装方法によれば、半導体
装置１０Ｊと実装基板１４との間にインターポーザ基板
１４７が介在する構成となるため、半導体装置１０Ｊを
実装基板１４に実装する自由度を向上させることができ
る。続いて、前記してきた各半導体体装置１０，１０Ａ
〜１０Ｊと異なる他の半導体装置１６０の構成及びその
製造方法について説明する。図６８及び図６９は半導体
装置１６０の製造方法を説明するための図であり、また
図７０は半導体装置１６０の構成を示す図である。
【０３７８】図７０に示されるように、半導体装置１６
０は大略すると、複数の半導体素子１６１，インターポ
ーザ基板１６２，外部接続用バンプ１６３，及び樹脂層
１６４等により構成されている。複数の半導体素子１６
１は、電子部品１６５と共にインターポーザ基板１６２
の上面に搭載されている。インターポーザ基板１６２の
上面には上部電極１６６が形成されており、この上部電
極１６６と半導体素子１６１とはワイヤ１６８を用いて
接続されている。
【０３７９】また、インターポーザ基板１６２の下面に
は下部電極１６７が形成されており、この下部電極１６
７には外部接続用バンプ１６３が接続されている。この
インターポーザ基板１６２にはスルーホール１６９が形
成されており、このスルーホール１６９により上部電極
１６６と下部電極１６７は電気的に接続されている。こ
れにより、半導体素子１６１と外部接続用バンプ１６３
は電気的に接続された構成となる。更に、樹脂層１６４
は上記した圧縮成形技術を用いて形成されており、イン
ターポーザ基板１６２の上面を覆うように形成されてい
る。
【０３８０】このように、半導体素子１６１をワイヤ１
６８を用いて外部（インターポーザ基板１６２）に電気
的に接続する構成の半導体装置１６０においても、圧縮
成形技術を用いて樹脂層１６４を形成することは可能で
ある。一方、上記構成とされた半導体装置１６０を製造
するには、図６８に示すように、先ずインターポーザ基
板１６２の上面に半導体素子１６１を接着剤を用いて搭
載する。この時必要があれば、付設する電子部品１６５
も合わせて搭載する。
【０３８１】続いて、インターポーザ基板１６２の上面
に形成されている上部電極１６６と半導体素子１６１の
上部に形成されているパッドとの間にワイヤボンディン
グを実施してワイヤ１６８を配設する。次に、インター
ポーザ基板１６２の下面に形成された下部電極１６７
に、例えば転写法等を用いて外部接続用バンプ１６３を
配設する。
【０３８２】上記のようにインターポーザ基板１６２に
半導体素子１６１，外部接続用バンプ１６３，及びワイ
ヤ１６８が配設されると、このインターポーザ基板１６
２は樹脂封止用の金型に装着され、圧縮成形法を用いて
インターポーザ基板１６２の表面に樹脂層１６４が形成
される。図６９は、表面に樹脂層１６４が形成されたイ
ンターポーザ基板１６２を示している。続いて、このイ
ンターポーザ基板１６２を図６９に破線で示される所定
切断位置で切断することにより、図７０に示される半導
体装置１６０が形成される。
【０３８３】また、図７１乃至図７５も前記してきた各
半導体体装置１０，１０Ａ〜１０Ｊと異なる他の半導体
装置１７０，１７０Ａの構成及びその製造方法を説明す
るための図である。図７１は半導体装置１７０の構成を
説明するための図であり、図７２及び図７３は半導体装
置１７０の製造方法を説明するための図である。また、
図７４は半導体装置１７０Ａの構成を説明するための図
であり、図７５は半導体装置１７０Ａの製造方法を説明
するための図である。
【０３８４】半導体装置１７０は、大略すると半導体素
子１７１，樹脂パッケージ１７２，及び金属膜１７３と
からなる極めて簡単な構成とされている。半導体素子１
７１は、その上面に複数の電極パッド１７４が形成され
ている。また、樹脂パッケージ１７２は、例えばエポキ
シ樹脂を前記した圧縮成形技術を用いて成形した構成と
されている。この樹脂パッケージ１７２の実装面１７５
には、樹脂突起１７７が一体的に形成されている。
【０３８５】また、金属膜１７３は、樹脂パッケージ１
７２に形成された樹脂突起１７７を覆うように形成され
ている。この金属膜１７３と前記した電極パッド１７４
との間にはワイヤ１７８が配設されており、このワイヤ
１７８により金属膜１７３と半導体素子１７１は電気的
に接続した構成となっている。
【０３８６】上記構成とされた半導体装置１７０は、従
来のＳＳＯＰのようなインナーリードやアウターリード
が不要となり、インナーリードからアウターリードへの
引き回しのための面積や、アウターリード自身の面積が
不要となり、半導体装置１７０の小型化を図ることがで
きる。
【０３８７】また、従来のＢＧＡのような半田ボールを
形成するために搭載基板を用いる必要がなくなるため、
半導体装置１７０のコスト低減を図ることができる。更
に、樹脂突起１７７及び金属膜１７３は、協働してＢＧ
Ａタイプの半導体装置の半田バンプと同等の機能を奏す
るため、実装性を向上することができる。
【０３８８】次に、半導体装置１７０の製造方法につい
て図７２及び図７３を用いて説明する。半導体装置１７
を製造するには、図７２に示されるリードフレーム１８
０を用意する。このリードフレーム１８０は、例えば銅
（Ｃｕ）により形成されており、前記した樹脂突起１７
７の形成位置に対応する位置に、樹脂突起１７７の形状
に対応した凹部１８１が形成されている。更に、この凹
部１８１の表面には、金属膜１７３が形成されている。
【０３８９】上記構成とされたリードフレーム１８０に
は、先ず半導体素子１７１が搭載される。半導体素子１
７１がリードフレーム１８０に搭載される、続いてリー
ドフレーム１８０はワイヤボンディング装置に装着さ
れ、半導体素子１７１に形成された電極パッド１７４
と、リードフレーム１８０に形成されている金属膜１７
３との間にワイヤ１７８が配設される。これにより、半
導体素子１７１と金属膜１７３は電気的に接続された構
成となる。図７２は、以上の説明した処理が終了した状
態を示している。
【０３９０】上記したワイヤ１７８の配設処理が終了す
ると、続いてリードフレーム１８０上に半導体素子１７
１を封止するよう樹脂パッケージ１７２を形成する。本
実施例では、樹脂パッケージ１７２を圧縮成形により形
成している。図７３は、樹脂パッケージ１７２が形成さ
れたリードフレーム１８０を示している。
【０３９１】上記した樹脂パッケージ１７２の形成処理
が終了すると、図７３に破線で示す位置で切断処理が行
なわれると共に、樹脂パッケージ１７２をリードフレー
ム１８０から分離され半導体装置１７０を形成する分離
工程が実施される。この分離工程は、リードフレーム１
８０をエッチング液に浸漬させて溶解することにより行
なわれる。この分離工程で用いられるエッチング液は、
リードフレーム１８０のみを溶解し、金属膜１７３は溶
解しない性質を有するエッチング液を選定している。
【０３９２】従って、リードフレーム１８０が完全に溶
解されることにより、樹脂パッケージ１７２はリードフ
レーム１８０から分離される。この際、金属膜１７３は
樹脂突起１７７に配設された状態となるため、図７１に
示す半導体装置１７０が形成される。このように、リー
ドフレーム１８０を溶解することにより樹脂パッケージ
１７２をリードフレーム１８０から分離する方法を用い
ることにより、リードフレーム１８０からの樹脂パッケ
ージ１７２の分離処理を確実かつ容易に行うことがで
き、歩留りを向上することができる。
【０３９３】一方、図７４に示される半導体装置１７０
Ａは、一つの樹脂パッケージ１７２内に複数の半導体素
子１７１を配設した構成としたものである。このよう
に、一つの樹脂パッケージ１７２内に複数の半導体素子
１７１を配設することにより、半導体装置１７０Ａの多
機能化を図ることができる。尚、この半導体装置１７０
Ａの製造方法は、図７２及び図７３を用いて説明した製
造方法と略同一であり、図７５（Ｂ）で示す切断箇所が
異なる程度の差異である。このため、半導体装置１７０
Ａの製造方法に関する詳細説明は省略するものとする。
【０３９４】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、アンダーフィルレジンとして機能する樹脂
層は樹脂封止工程において形成されるため、半導体装置
を実装する際にアンダーフィルレジンを充填処理する必
要はなくなり、これにより実装処理を容易とすることが
できる。
【０３９５】また、樹脂層となる封止樹脂を突起電極の
配設面の全面に確実に形成することができるため、樹脂
層は全ての突起電極に対し保護機能を奏し、加熱時にお
いて突起電極が実装基板から剥離することを確実に防止
でき、信頼性を向上させることができる。
【０３９６】また、請求項２記載の発明によれば、樹脂
封止工程において金型から余剰樹脂が流出したり、逆に
封止樹脂が少なく突起電極を確実に封止できなくなる不
都合を防止することができる。また、請求項３記載の発
明によれば、突起電極と金型との間にフィルムを配設
し、金型がフィルムを介して封止樹脂と接触するよう構
成したことにより、樹脂層が金型に直接触れないため離
型性を向上することができると共に、離型剤なしの密着
性の高い高信頼性樹脂の使用が可能となる。また、樹脂
層がフィルムに接着することにより、フィルムをキャリ
アとして使用することが可能となり、半導体装置の製造
自動化に寄与することができる。
【０３９７】また、請求項４記載の発明によれば、樹脂
層を基板全体にわたり確実に形成することができるた
め、基板に形成されている多数の突起電極全てに対し突
起電極を封止する状態に樹脂層を形成することができ
る。また、第１の下型半体に対し第２の下型半体を移動
させることにより、樹脂層が形成された基板を容易に金
型から取り出すことができる。
【０３９８】また、請求項５及び請求項１４記載の発明
によれば、余剰樹脂除去機構は圧力制御機能を奏するた
め、ボイドの発生防止，封止樹脂の圧力の均一化を図る
ことができると共に、予め多めに封止樹脂を与えること
により精密な計量を不要とすることができる。
【０３９９】また、請求項６記載の発明によれば、封止
樹脂としてシート状樹脂を用いたことにより、確実に基
板全体に樹脂層を形成することができる。また、中央か
ら端部に向け樹脂が流れる時間を短縮できるため、樹脂
封止工程の時間短縮を図ることができる。
【０４００】また、請求項７記載の発明によれば、樹脂
封止工程の実施前に予め封止樹脂をフィルムに配設して
おくことにより、フィルムの装着作業と封止樹脂の装填
作業を一括的に行なうことができるため、作業の効率化
を図ることができる。また、請求項８記載の発明によれ
ば、封止樹脂を所定の間隔でフィルムに複数個配設して
おきフィルムを移動させることにより連続的に樹脂封止
工程を実施することにより、樹脂封止工程の自動化を図
ることができ、半導体装置の製造効率を向上させること
ができる。
【０４０１】また、請求項９記載の発明によれば、金型
に基板を装着する前にキャビティに補強板を装着してお
くことにより、樹脂封止時に印加される熱や応力により
基板が変形することを防止でき、製造される半導体装置
の歩留りを向上させることができる。更に、補強板によ
り基板の有する固有の反りを矯正させることも可能とな
る。
【０４０２】また、請求項１０記載の発明によれば、補
強板として放熱率の良好な材料を選定したことにより、
補強板を放熱板としても機能させることができ、製造さ
れる半導体装置の放熱特性を向上させることができる。
また、請求項１１記載の発明によれば、突起電極の先端
部を露出させる手段として、レーザ光照射或いはエキシ
マレーザを用いた場合には、容易かつ精度よく突起電極
の先端部を露出させることができる。また、エッチン
グ，機械研磨或いはブラストを用いた場合には、安価に
突起電極の先端部を露出させることができる。
【０４０３】また、請求項１２記載の発明によれば、単
にフィルムを樹脂層から剥離するだけの作業で、突起電
極の先端部を樹脂層より露出させることができ、よって
樹脂層の形成後に樹脂層に対し突起電極の先端を露出さ
せるための加工処理は不要となり、突起電極露出工程の
簡単化を図ることができる。
【０４０４】また、請求項１３記載の発明によれば、第
１の下型半体に対し第２の下型半体を移動させることに
より、基板を金型から離型する際に離型作用を持たせる
ことができ、よって樹脂層が形成された基板を容易に金
型から取り出すことができる。
【０４０５】また、請求項１５記載の発明によれば、第
１の下型半体の基板が載置される部位に固定・離型機構
を設けたことにより、固定・離型機構を固定動作させた
時には樹脂封止処理における基板に反り等の変形が発生
することを防止することができると共に基板固有の反り
を矯正することができ、更に固定・離型機構を離型動作
させた時には基板の金型からの離型性を向上させること
ができる。
【０４０６】また、請求項１６記載の発明によれば、基
板を金型から離型させる時に多孔質部材から基板に向け
て気体を噴射することにより基板の金型からの離型性を
向上させることができ、また吸排気装置が吸引処理を行
なうことにより樹脂封止工程において基板に反り等の変
形が発生することを防止することができ、更に基板の有
する固有の反りを矯正することができる。
【０４０７】また、請求項１７記載の発明によれば、第
２の下型半体が第１の下型半体と接する部位に段差部を
形成したことにより離型性を向上できると共に、段差部
の形状を矩形状としたことにより段差部の形成を容易に
行なうことができる。また、請求項１８記載の発明によ
れば、樹脂層に突起電極，半導体素子，実装基板，及び
各電極の接合部における破壊を防止させる機能を持たせ
ることができ、また樹脂層は実装処理前において既に半
導体装置に形成されているため、半導体装置を実装する
際に従来行なわれていたアンダーフィルレジンを充填処
理する必要はなくなり、これにより実装処理を容易とす
ることができる。
【０４０８】また、請求項１９記載の発明によれば、半
導体素子に放熱部材を配設したことにより、半導体装置
の放熱特性を向上させることができると共に、半導体素
子の強度を向上させることができる。また、請求項２０
及び請求項４１記載の発明によれば、積層される樹脂の
特性を適宜選定することにより、半導体素子の保護及び
突起電極に印加される応力の緩和を図ることができる。
【０４０９】また、請求項２１及び２２記載の発明によ
れば、補強板を金型の一部として用いることが可能とな
り、封止樹脂が直接金型に触れる位置を少なく或いは全
く無くすることができるため、従来必要とされた金型に
付着した不要樹脂の除去作業が不要となり、樹脂封止工
程における作業の簡単化を図ることができる。
【０４１０】また、請求項２３及び請求項４２記載の発
明によれば、半導体素子の表面及び背面を共に封止樹脂
で覆うことにより、半導体素子の表面及び背面の状態を
均一化することができ、半導体装置のバランスを良好と
することができるため、熱印加時において半導体装置に
反りが発生することを防止することができる。
【０４１１】また、請求項２４記載の発明によれば、凸
部が突起電極に押圧されている範囲においては封止樹脂
は突起電極に付着しないため、フィルムを除去した時点
で突起電極の一部（凸部が押圧されていた部分）は樹脂
層から露出し、よって容易かつ確実に突起電極の一部を
樹脂層から露出させることができる。
【０４１２】また、請求項２５及び請求項４３記載の発
明によれば、半導体装置の実装基板に実装する時の実装
性を向上させることができる。また、請求項２６記載の
発明によれば、外部接続用突起電極に外力が印加され応
力が発生しても、この応力は外部接続用突起電極と突起
電極との間に介在する接合材により応力緩和されるた
め、外部応力により半導体素子にダメージが発生するこ
とを防止でき、半導体装置の信頼性を向上させることが
できる。
【０４１３】また、請求項２７記載の発明によれば、樹
脂封止工程を実施する前に予め基板の分離工程で切断さ
れる位置に切断位置溝を形成し、かつ分離工程では封止
樹脂が充填された切断位置溝の形成位置で基板を切断す
ることにより、基板及び封止樹脂にクラックが発生する
ことを防止することができる。
【０４１４】また、請求項２８記載の発明によれば、樹
脂封止工程を実施する前に予め基板の分離工程で切断さ
れる位置を挟んで少なくとも一対の応力緩和溝を形成し
ておき、分離工程において一対の応力緩和溝の間位置で
基板を切断することにより、切断時に発生する応力が突
起電極，電子回路等に影響を及ぼすことを防止すること
ができる。
【０４１５】また、請求項２９記載の発明によれば、分
離された半導体素子をベース材に搭載し、樹脂封止を行
なった上で再び第２の分離工程で分離することにより、
異なる半導体素子を同一封止樹脂内に配設した半導体装
置を製造することができる。また、第２の分離工程にお
いては、切断時に発生する応力により基板及び樹脂層に
クラックが発生することを防止することができる。
【０４１６】また、請求項３０記載の発明によれば、外
部接続電極は分離位置において基板と樹脂層との界面で
外部に露出した状態となり、従ってこの側部に露出した
外部接続電極により半導体装置を実装基板に電気的に接
続することが可能となる。また、単に樹脂層が形成され
た基板を外部接続電極が形成された位置で切断するのみ
で端子部を樹脂層から外部に露出させることができるた
め、極めて容易に半導体装置を製造することができる。
【０４１７】また、請求項３１記載の発明によれば、１
回の切断処理を行なうことにより隣接する２個の半導体
装置において夫々外部接続電極を外部に露出することが
できるため、半導体装置の製造を効率よく行なうことが
できる。また、基板に不要部分が発生することを抑制で
きるため、基板の効率的な利用を図ることができる。
【０４１８】また、請求項３２記載の発明によれば、位
置決め溝を基準として半導体装置の各種位置決めを行な
うことが可能となり、また分離工程を実施する前に位置
決め溝を形成することにより、複数の半導体装置に対し
て一括的に位置決め溝を形成するができ、位置決め溝の
形成効率を向上させることができる。
【０４１９】また、請求項３３記載の発明によれば、位
置決め溝は樹脂層または基板の背面にハーフスクライブ
を行なうことにより形成されることにより、分離工程で
一般的に使用するスクライビィング技術を用いて位置決
め溝を形成できるため、容易かつ精度よく位置決め溝を
形成することができる。
【０４２０】また、請求項３４記載の発明によれば、樹
脂封止工程において樹脂層に凸部または凹部が形成さ
れ、この凹凸を半導体装置の位置決め部として用いるこ
とができる。また、請求項３５記載の発明によれば、位
置決め用突起電極と他の突起電極とを識別化したことに
より、この位置決め用突起電極を基準として半導体装置
の各種位置決めを行なうことが可能となる。
【０４２１】また、請求項３６記載の発明によれば、突
起電極を形成することなく外部接続電極を用いて半導体
装置を実装することが可能となり、よって半導体装置の
構成を簡単化することができ、コスト低減を図ることが
できる。また、外部接続電極は半導体装置の側部に露出
した構成であるため、半導体装置を実装基板に対し立設
した状態で実装することが可能となり、半導体装置の実
装密度を向上させることができる。
【０４２２】また、請求項３７記載の発明によれば、半
導体装置を実装基板に対し立設状態で実装することによ
り、半導体装置の実装密度を向上させることができる。
また、請求項３８及び請求項３９記載の発明によれば、
複数の半導体装置をユニット化して扱うことが可能とな
り、よって実装時におていもユニット単位で実装基板に
実装処理を行なうことができ、実装効率の向上を図るこ
とができる。
【０４２３】更に、請求項４０記載の発明によれば、半
導体装置と実装基板との間にインターポーザ基板が介在
する構成となるため、半導体装置を実装基板に実装する
自由度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の樹脂封止工程、及び本発明の第１実施例である半導
体装置製造用金型を説明するための図である。
【図２】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の樹脂封止工程を説明するための図である。
【図３】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の樹脂封止工程を説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の樹脂封止工程を説明するための図である。
【図５】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の樹脂封止工程を説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の突起電極露出工程を説明するための図であり、
（Ａ）は樹脂封止工程終了直後の基板を示し、（Ｂ）は
（Ａ）の矢印Ａで示す部分を拡大して示す図である。
【図７】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の突起電極露出工程を説明するための図であり、
（Ａ）はフィルムを剥離している状態の基板を示し、
（Ｂ）は（Ａ）の矢印Ｂで示す部分を拡大して示す図で
ある。
【図８】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の内、分離工程を説明するための図である。
【図９】本発明の第１実施例である半導体装置を説明す
るための図である。
【図１０】本発明の第２実施例である半導体装置の製造
方法、及び本発明の第２実施例である半導体装置製造用
金型を説明するための図である。
【図１１】本発明の第３実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の第４実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図１３】本発明の第５実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図１４】本発明の第５実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図１５】封止樹脂としてシート状樹脂を用いた例を示
す図である。
【図１６】封止樹脂の供給手段としてポッティングを用
いた例を示す図である。
【図１７】封止樹脂をフイルム側に配設した例を示す図
である。
【図１８】本発明の第６実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図１９】本発明の第７実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図であり、（Ａ）は樹脂封止工程
終了直後の基板を示し、（Ｂ）は（Ａ）の矢印Ｃで示す
部分を拡大して示す図である。
【図２０】本発明の第７実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図であり、（Ａ）はフィルムを剥
離している状態の基板を示し、（Ｂ）は（Ａ）の矢印Ｄ
で示す部分を拡大して示す図である。
【図２１】本発明の第７実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の第３実施例である半導体装置製造用
金型を説明するための図である。
【図２３】本発明の第４実施例である半導体装置製造用
金型を説明するための図である。
【図２４】本発明の第５実施例である半導体装置製造用
金型を説明するための図である。
【図２５】本発明の第６実施例である半導体装置製造用
金型を説明するための図である。
【図２６】本発明の第２実施例である半導体装置を説明
するための図である。
【図２７】本発明の第３実施例である半導体装置を説明
するための図である。
【図２８】本発明の第８実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図２９】本発明の第９実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
【図３０】本発明の第１０実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図３１】本発明の第１１実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図３２】本発明の第１２実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図（その１）である。
【図３３】本発明の第１２実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図（その２）である。
【図３４】本発明の第１３実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図３５】本発明の第１４実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図３６】本発明の第１５実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図３７】本発明の第１６実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図３８】本発明の第１７実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図３９】本発明の第１８実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４０】図３９で用いる基板を拡大して示す図であ
る。
【図４１】本発明の第１９実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４２】本発明の第２０実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４３】本発明の第２１実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４４】本発明の第２２実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４５】本発明の第２３実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４６】位置決め溝が形成された半導体装置を示す斜
視図である。
【図４７】本発明の第２４実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４８】本発明の第２５実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図４９】本発明の第２６実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図５０】本発明の第２７実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図５１】通常のバンプ構造を説明するための図であ
る。
【図５２】本発明の第１実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図５３】本発明の第２実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図５４】本発明の第３実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図５５】本発明の第４実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図５６】本発明の第５実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図５７】本発明の第６実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図５８】本発明の第７実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図５９】本発明の第２８実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
【図６０】本発明の第２９実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図（その１）である。
【図６１】本発明の第２９実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図（その２）である。
【図６２】本発明の第２９実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図（その３）である。
【図６３】本発明の第４実施例である半導体装置を説明
するめたの図である。
【図６４】本発明の第８実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図６５】本発明の第９実施例である半導体装置の実装
方法を説明するための図である。
【図６６】本発明の第１０実施例である半導体装置の実
装方法を説明するための図である。
【図６７】本発明の第１１実施例である半導体装置の実
装方法を説明するための図である。
【図６８】他の半導体装置の製造方法を説明するための
図（その１）である。
【図６９】他の半導体装置の製造方法を説明するための
図（その２）である。
【図７０】他の半導体装置の製造方法を説明するための
図（その３）である。
【図７１】他の半導体装置の構成を説明するための図で
ある。
【図７２】他の半導体装置の製造方法を説明するための
図（その１）である。
【図７３】他の半導体装置の製造方法を説明するための
図（その２）である。
【図７４】他の半導体装置の製造方法を説明するための
図（その３）である。
【図７５】他の半導体装置の製造方法を説明するための
図（その４）である。
【図７６】本発明の第６実施例に係る半導体装置用金型
の変形例を示す図である。
【図７７】本発明の第６実施例に係る半導体装置用金型
の変形例を示す図である。
【図７８】従来の半導体装置及びその製造方法の一例を
説明するための図である。
【符号の説明】
１０，１０Ａ〜１０Ｊ，１６０，１７０，１７０Ａ 半
導体装置 １１，１１２，１６１，１７１ 半導体素子 １２，１２Ａ バンプ １２Ｂ 位置決め用バンプ １３，１３Ａ，１３Ｂ，１６３ 樹脂層 １４ 実装基板 １５ 接続電極 １６ 基板 １６ａ 基板切断部 １７ 第２の樹脂層 １８ ストレートバンプ １９，３１ 凸部 ２０，２０Ａ〜２０Ｇ 金型 ２１，２１Ｆ 上型 ２２，２２Ａ，２２Ｆ 下型 ２３，２３Ｃ，２３Ｄ，２３Ｆ 第１の下型半体 ２４，２４Ａ，２４Ｄ，２４Ｅ，２４Ｆ 第２の下型半
体 ２７ 傾斜部 ２８ キャビティ ２９ ダイサー ３０，３０Ａ〜３０Ｃ フィルム ３２，５５ 凹部 ３５，３５Ａ 封止樹脂 ３６ 第２の封止樹脂 ４０ 余剰樹脂除去機構 ４１ 開口部 ４２ ポット部 ４３ 圧力制御ロッド ５０，５０Ａ 補強板 ５１ シート状樹脂 ５２ 液状樹脂 ５４ 枠部 ６０ レーザ照射装置 ７０ 固定・離型機構 ７１ 多孔質部材 ７２ 吸排気装置 ７４ 段差部 ７５ 付着処理膜 ８０ ステージ部材 ８１ ダム部 ９０，１４３，１６３ 外部接続用バンプ ９１ 応力緩和接合材 ９２ ポール電極 ９６ 引出し配線 ９７ 電極パッド ９８ 接続電極 ９９ コア部 １００ 導電膜 １０２ 絶縁膜 １０５ 切断位置溝 １０６ 切断位置樹脂層 １１０ａ，１１０ｂ 応力緩和溝 １１１ａ，１１１ｂ 応力緩和樹脂層 １１３ フィルム部材 １１４ 間隙部 １１５ 放熱板 １２０〜１２２ 位置決め溝 １２３ 位置決め突起 １２５，１４２ 接合材 １２６ アンダーフィルレジン １２７，１２８ 放熱フィン １２９ 基板接合用バンプ １３０〜１３２，１４７，１６２ インターポーザ基板 １３６，１３７ 実装用バンプ １３８ カードエッジコネクタ １４０ 外部接続電極 １４４ 接着剤 １４５ 支持部材 １４８，１６６ 上部電極 １４９，１６７ 下部電極 １５０ 内部配線 １６８，１７８ ワイヤ １６９ スルーホール １７２ 樹脂パッケージ １７３ 金属膜 １７７ 突起電極 １８０ リードフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川原 登志実 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 森岡 宗知 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 大澤 満洋 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 新間 康弘 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 松木 浩久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小野寺 正徳 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 河西 純一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 丸山 茂幸 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐久間 正夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通オートメーション株式会社内 (72)発明者 鈴木 義美 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通オートメーション株式会社内

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 突起電極が配設された複数の半導体素子
    が形成された基板を金型内に装着し、続いて前記突起電
    極の配設位置に封止樹脂を供給して前記突起電極及び前
    記基板を前記封止樹脂で封止し樹脂層を形成する樹脂封
    止工程と、 前記突起電極の少なくとも先端部を前記樹脂層より露出
    させる突起電極露出工程と、 前記基板を前記樹脂層と共に切断して個々の半導体素子
    に分離する分離工程とを具備することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記樹脂封止工程で用いられる封止樹脂は、封止処理後
    における前記樹脂層の高さが前記突起電極の高さと略等
    しい高さとなる量に計量されていることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記樹脂封止工程で、前記突起電極と前記金型との間に
    フィルムを配設し、前記金型が前記フィルムを介して前
    記封止樹脂と接触するよう構成したことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
    体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で用いられる金型を、 昇降可能な上型と、 固定された第１の下型半体と、前記第１の下型半体に対
    して昇降可能な構成とされた第２の下型半体とよりなる
    下型とにより構成すると共に、 前記樹脂封止工程が、 突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基
    板を前記第１及び第２の下型半体が協働して形成するキ
    ャビティ内に装着すると共に、前記封止樹脂を前記キャ
    ビティ内に配設する基板装着工程と、 前記上型を前記第２の下型半体と共に下動させることに
    より前記封止樹脂を加熱，溶融，圧縮し、前記突起電極
    を封止する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、 先ず上型を上昇させて前記上型を前記樹脂層から離間さ
    せ、続いて第２の下型半体を第１の下型半体に対して昇
    降させることにより、前記樹脂層が形成された基板を前
    記金型から離型させる離型工程とを有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
    体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で用いられる金型に余剰樹脂除去機構
    を設け、該余剰樹脂除去機構により余剰樹脂を除去する
    と共に前記金型内における封止樹脂の圧力を制御するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載の半導体
    装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で、封止樹脂としてシート状樹脂を用
    いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項３または６記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記封止樹脂を前記樹脂封止工程の実施前に予め前記フ
    ィルムに配設することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記封止樹脂を前記フィルムに複数個配設しておき、前
    記フィルムを移動させることにより、連続的に前記樹脂
    封止工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至８記載のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で前記金型に前記基板を装着する前に
    補強板を装着しておくことを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
    において、 前記補強板として放熱性の良好な材料を選定したことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 前記突起電極露出工程で前記樹脂層に覆われた突起電極
    の少なくとも先端部を前記樹脂層より露出させる手段と
    して、レーザ光照射，エキシマレーザ，エッチング，機
    械研磨，及びブラストの内、少なくとも１の手段を用い
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項３乃至１０のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で用いられる前記フィルムの材質とし
    て弾性変形可能な材質を選定し、前記金型を用いて前記
    樹脂層を形成する際に前記突起電極の先端部を前記フィ
    ルムにめり込ませると共に、 前記突起電極露出工程で前記フィルムを前記樹脂層から
    剥離させることにより、前記突起電極の先端部が前記樹
    脂層より露出させることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  13. 【請求項１３】 昇降可能な上型と、 基板の形状に対応しており固定された第１の下型半体
    と、前記第１の下型半体を囲繞するよう配設されると共
    に前記第１の下型半体に対して昇降可能な第２の下型半
    体とよりなる下型とにより構成され、 前記上型と下型とが協働して樹脂充填が行なわれるキャ
    ビティを形成する構成としたことを特徴とする半導体装
    置製造用金型。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体装置製造用金
    型において、 樹脂成形時に余剰樹脂の除去処理を同時に行うと共に前
    記封止樹脂の圧力を制御する余剰樹脂除去機構を設けた
    ことを特徴とする半導体装置製造用金型。
  15. 【請求項１５】 請求項１３または１４記載の半導体装
    置製造用金型において、 前記第１の下型半体の前記基板が載置される部位に、前
    記基板を前記第１の下型半体に固定・離型させる固定・
    離型機構を設けたことを特徴とする半導体装置製造用金
    型。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載の半導体装置製造用金
    型において、 前記固定・離型機構を、 前記第１の下型半体の前記基板が載置される部位に配設
    された多孔質部材と、 前記多孔質部材に対し気体の吸引処理及び気体の供給処
    理を行なう吸排気装置とにより構成したことを特徴とす
    る半導体装置製造用金型。
  17. 【請求項１７】 請求項１３乃至１６のいずれかに記載
    の半導体装置製造用金型において、 前記キャビティを形成した状態において、前記第１の下
    型半体の上部の面積よりも前記第２の下型半体で囲繞さ
    れる面積が広くなる部分を有する構成としたことを特徴
    とする半導体装置製造用金型。
  18. 【請求項１８】 少なくとも表面上に突起電極が直接形
    成されてなる半導体素子と、 前記半導体素子の表面上に形成されており、前記突起電
    極の先端部を残し前記突起電極を封止する樹脂層とを具
    備することを特徴とする半導体装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載の半導体装置におい
    て、 前記半導体素子の前記突起電極が形成される表面に対し
    反対側となる背面に、放熱部材を配設したことを特徴と
    する半導体装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１乃至１２のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で用いられる封止樹脂として、異なる
    特性を有する複数の封止樹脂を用いることを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項９または１０記載の半導体装置
    の製造方法において、 前記樹脂封止工程において、予め前記封止樹脂を前記補
    強板に配設しておくことを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  22. 【請求項２２】 請求項２１記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記補強板に金型に装着した状態において基板に向け延
    出する枠部を形成することにより凹部を形成し、 前記樹脂封止工程の実施時において、前記補強板に形成
    された凹部を樹脂封止用のキャビティとして用いて前記
    基板に樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１乃至１２のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で前記突起電極が配設された前記基板
    の表面に第１の樹脂層を形成した後、または同時に、前
    記基板の背面を覆うように第２の樹脂層を形成すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項３乃至１０のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で、前記フィルムとして前記突起電極
    と対向する位置に凸部が形成されたものを用い、前記凸
    部を前記突起電極に押圧した状態で前記樹脂層を形成す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 請求項１乃至１２のいずれか、または
    請求項２０乃至２４のいずれかに記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記突起電極露出工程で前記突起電極の少なくとも先端
    部を前記樹脂層より露出させた後に、 前記突起電極の先端部に外部接続用突起電極を形成する
    外部接続用突起電極形成工程を実施することを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２５記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記外部接続用突起電極形成工程で、前記突起電極と前
    記外部接続用突起電極を応力緩和機能を有する接合材を
    用いて接合させることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  27. 【請求項２７】 請求項１乃至１２のいずれか、または
    請求項２０乃至２６のいずれかに記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記樹脂封止工程を実施する前に、予め前記基板の前記
    分離工程で切断される位置に切断位置溝を形成してお
    き、 前記分離工程において、前記封止樹脂が充填された前記
    切断位置溝の形成位置で前記基板を切断することを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  28. 【請求項２８】 請求項１乃至１２のいずれか、または
    請求項２０乃至２６のいずれかに記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記樹脂封止工程を実施する前に、予め前記基板の前記
    分離工程で切断される位置を挟んで少なくとも一対の応
    力緩和溝を形成しておき、 前記分離工程において、前記一対の応力緩和溝の間位置
    で前記基板を切断することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  29. 【請求項２９】 突起電極を有する複数の半導体素子が
    形成された基板を切断することにより個々の半導体素子
    に分離する第１の分離工程と、 分離された前記半導体素子をベース材に整列させて搭載
    した後、前記搭載された半導体素子を前記封止樹脂で封
    止し樹脂層を形成する樹脂封止工程と、 前記突起電極の少なくとも先端部を前記樹脂層より露出
    させる突起電極露出工程と、 隣接する前記半導体素子の間位置で前記ベース材と共に
    前記樹脂層を切断することにより、前記樹脂層が形成さ
    れた半導体素子を個々分離する第２の分離工程とを具備
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  30. 【請求項３０】 外部と接続される外部接続電極が表面
    に形成された複数の半導体素子が形成された基板を金型
    内に装着し、続いて前記表面に封止樹脂を供給して前記
    外部接続電極及び前記基板を前記封止樹脂で封止し樹脂
    層を形成する樹脂封止工程と、 前記外部接続電極が形成された位置で前記基板を前記樹
    脂層と共に切断して個々の半導体素子に分離する分離工
    程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  31. 【請求項３１】 請求項３０記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記分離工程実施前では、前記外部接続電極が前記基板
    に形成された隣接する半導体素子間で共有化されている
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  32. 【請求項３２】 請求項１乃至１２のいずれか、または
    請求項２０乃至３１のいずれかに記載の半導体装置の製
    造方法において、 少なくとも前記樹脂封止工程の実施後で、かつ前記分離
    工程を実施する前に、前記樹脂層または前記基板の背面
    に位置決め溝を形成することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３２記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記位置決め溝は、前記樹脂層または前記基板の背面に
    ハーフスクライブを行なうことにより形成されることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  34. 【請求項３４】 請求項３乃至１２のいずれか、または
    請求項２０乃至２９のいずれかに記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記樹脂封止工程で、前記フィルムとして前記突起電極
    と干渉しない位置に凸部または凹部が形成されたものを
    用い、 前記樹脂封止工程の終了後に、前記凸部または凹部によ
    り前記樹脂層上に形成される凹凸を位置決め部として用
    いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  35. 【請求項３５】 請求項１乃至１２のいずれか、または
    請求項２０乃至２９のいずれかに記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記樹脂封止工程の終了後、位置決めの基準として用い
    る位置決め用突起電極の形成位置における封止樹脂を加
    工し、前記位置決め用突起電極と他の突起電極とを識別
    しうるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  36. 【請求項３６】 外部端子と電気的に接続される外部接
    続電極が表面に形成された半導体素子と、 前記外部接続電極を覆うように前記半導体素子の表面に
    形成された樹脂層とを具備し、 前記半導体素子と前記樹脂層との界面において、前記外
    部接続電極が側方に向け露出した構成としたことを特徴
    とする半導体装置。
  37. 【請求項３７】 請求項３６記載の半導体装置の実装方
    法であって、 前記半導体装置を実装基板に対し立設状態で実装するこ
    とを特徴とする半導体装置の実装方法。
  38. 【請求項３８】 請求項３７記載の半導体装置の実装方
    法であって、 前記半導体装置を複数個並列状態に実装すると共に、隣
    接する前記半導体装置同志を接着剤により接合すること
    を特徴とする半導体装置の実装方法。
  39. 【請求項３９】 請求項３７記載の半導体装置の実装方
    法であって、 前記半導体装置を複数個並列状態に実装すると共に、前
    記複数の半導体装置を支持部材を用いて立設状態に支持
    することを特徴とする半導体装置の実装方法。
  40. 【請求項４０】 請求項１８または請求項１９または請
    求項３６のいずれかに記載の半導体装置の実装方法であ
    って、 前記半導体装置をインターポーザ基板を介して実装基板
    に実装することを特徴とする半導体装置の実装方法。
  41. 【請求項４１】 請求項１８または１７記載の半導体装
    置において、 前記樹脂層を異なる複数の樹脂により構成したことを特
    徴とする半導体装置。
  42. 【請求項４２】 少なくとも表面上に突起電極が直接形
    成されてなる半導体素子と、 前記半導体素子の表面上に形成されており、前記突起電
    極の先端部を残し前記突起電極を封止する第１の樹脂層
    と、 少なくとも前記半導体素子の背面を覆うように配設され
    た第２の樹脂層とを具備することを特徴とする半導体装
    置。
  43. 【請求項４３】 少なくとも表面上に突起電極が直接形
    成されてなる半導体素子と、 前記半導体素子の表面上に形成されており、前記突起電
    極の先端部を残し前記突起電極を封止する樹脂層と、 前記樹脂層から露出した前記突起電極の先端部に形成さ
    れた外部接続用突起電極とを具備することを特徴とする
    半導体装置。
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