JPH1079412A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH1079412A JPH1079412A JP24847396A JP24847396A JPH1079412A JP H1079412 A JPH1079412 A JP H1079412A JP 24847396 A JP24847396 A JP 24847396A JP 24847396 A JP24847396 A JP 24847396A JP H1079412 A JPH1079412 A JP H1079412A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は２枚同時一括処理可能な半導体製造
装置において、大気中での基板搬送時間がスループット
に影響を与えない装置を得るとともに、ＡＧＶ等への対
応が容易で、かつ１カセット／１ロット、２カセット／
１ロット等の基板管理にも自在に対応できる半導体製造
装置を提供する。 【解決手段】 ２枚の半導体基板を同時に減圧処理する
半導体処理装置において、半導体基板の運搬を行う２台
の搬送ロボット（１４、１５）と、ロード用半導体基板
及びアンロード用半導体基板を各々２枚以上同時に収納
可能なバッファーステージ（１９）と、２個以上の半導
体基板収納カセットのためのカセットステージ（２０〜
２３）とを何れも大気中に備え、更に真空予備室（１
３、１７）、減圧処理室（１２）を備える事を特徴とす
る半導体製造装置。
装置において、大気中での基板搬送時間がスループット
に影響を与えない装置を得るとともに、ＡＧＶ等への対
応が容易で、かつ１カセット／１ロット、２カセット／
１ロット等の基板管理にも自在に対応できる半導体製造
装置を提供する。 【解決手段】 ２枚の半導体基板を同時に減圧処理する
半導体処理装置において、半導体基板の運搬を行う２台
の搬送ロボット（１４、１５）と、ロード用半導体基板
及びアンロード用半導体基板を各々２枚以上同時に収納
可能なバッファーステージ（１９）と、２個以上の半導
体基板収納カセットのためのカセットステージ（２０〜
２３）とを何れも大気中に備え、更に真空予備室（１
３、１７）、減圧処理室（１２）を備える事を特徴とす
る半導体製造装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】アッシング、エッチング、成膜処
理等の中でも減圧処理を行う為の半導体製造装置におい
て、生産性を向上するために真空予備室を持つ装置で、
尚且つ２枚以上の半導体基板の同時一括処理を行う枚葉
式半導体製造装置に関する。
理等の中でも減圧処理を行う為の半導体製造装置におい
て、生産性を向上するために真空予備室を持つ装置で、
尚且つ２枚以上の半導体基板の同時一括処理を行う枚葉
式半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体基板の大口径化に伴い、従
来用いられてきた多数枚一括処理装置、即ちバッチ式処
理装置での問題点の解決を目的として１枚毎の処理が可
能な枚葉式処理装置が考えられた。しかしながら、１枚
毎の処理ではその生産性に限界があるため、１枚毎の処
理でありながら生産性を落とさない複数枚一括処理が注
目されてきた。特に、アッシング、エッチング、成膜等
プラズマを用いる減圧処理装置では２枚同時一括処理装
置が使われる事が多くなってきた。
来用いられてきた多数枚一括処理装置、即ちバッチ式処
理装置での問題点の解決を目的として１枚毎の処理が可
能な枚葉式処理装置が考えられた。しかしながら、１枚
毎の処理ではその生産性に限界があるため、１枚毎の処
理でありながら生産性を落とさない複数枚一括処理が注
目されてきた。特に、アッシング、エッチング、成膜等
プラズマを用いる減圧処理装置では２枚同時一括処理装
置が使われる事が多くなってきた。
【０００３】図４、図５、図６は２枚同時一括処理が行
える従来の装置例を示したものである。即ち図４に示す
ものでは、第１真空予備室３３内に設けられた搬送ロボ
ット３４を用いて、第２真空予備室３７内の２個のカセ
ットステージ４１と処理室３２内の２個のステージ３６
の間で、同時に２枚の半導体基板３１が移送処理され
る。このような従来例では、２枚同時搬送を真空中で行
おうとする為、半導体基板収納カセットも真空予備室内
にあり、ＡＧＶ等の自走式自動カセット供給運搬装置と
の接合には、それ専用の別ユニットを付加する必要があ
り、実質的にはコスト高を招く結果となった。
える従来の装置例を示したものである。即ち図４に示す
ものでは、第１真空予備室３３内に設けられた搬送ロボ
ット３４を用いて、第２真空予備室３７内の２個のカセ
ットステージ４１と処理室３２内の２個のステージ３６
の間で、同時に２枚の半導体基板３１が移送処理され
る。このような従来例では、２枚同時搬送を真空中で行
おうとする為、半導体基板収納カセットも真空予備室内
にあり、ＡＧＶ等の自走式自動カセット供給運搬装置と
の接合には、それ専用の別ユニットを付加する必要があ
り、実質的にはコスト高を招く結果となった。
【０００４】また、図５の従来例は特開平４−１４７３
３号公報に示されるものであるが、真空予備室を持たな
いためスループットは処理室の真空引き、及び大気解放
の為のパージ時間に律則され、バッファーステージ３９
は半導体基板の温度調整が主な機能となり、２枚同時一
括処理の利点を十分に活用できない構成となる。
３号公報に示されるものであるが、真空予備室を持たな
いためスループットは処理室の真空引き、及び大気解放
の為のパージ時間に律則され、バッファーステージ３９
は半導体基板の温度調整が主な機能となり、２枚同時一
括処理の利点を十分に活用できない構成となる。
【０００５】図６の従来例では、バッファーステージ３
９を第１真空予備室３３内に設けることによりスループ
ット向上には効果的であるが、該真空予備室内でのウエ
ハーの受け渡し、真空吸着可能なロボットによる搬送等
ハンドリングの安定性に欠けるという欠点があった。ま
た、図４のものと同様に半導体基板収納カセットが第２
真空予備室３７内にあるために、ＡＧＶ等への対応にも
困難があった。
９を第１真空予備室３３内に設けることによりスループ
ット向上には効果的であるが、該真空予備室内でのウエ
ハーの受け渡し、真空吸着可能なロボットによる搬送等
ハンドリングの安定性に欠けるという欠点があった。ま
た、図４のものと同様に半導体基板収納カセットが第２
真空予備室３７内にあるために、ＡＧＶ等への対応にも
困難があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこの様な従来
公知の、２枚同時一括処理可能な半導体製造装置におい
て、大気中での基板搬送時間がスループットに影響を与
えない装置を得るとともに、ＡＧＶ等への対応が容易
で、かつ１カセット／１ロット、２カセット／１ロット
等の基板管理にも自在に対応できる半導体製造装置を提
供する。
公知の、２枚同時一括処理可能な半導体製造装置におい
て、大気中での基板搬送時間がスループットに影響を与
えない装置を得るとともに、ＡＧＶ等への対応が容易
で、かつ１カセット／１ロット、２カセット／１ロット
等の基板管理にも自在に対応できる半導体製造装置を提
供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、２枚の半導体
基板を同時に減圧処理する半導体処理装置において、半
導体基板の運搬を行う搬送ロボットを２台、真空予備
室、減圧処理室及び収納カセット内の半導体基板の移動
の中間位置に半導体基板を４枚収納出来るバッファース
テージを備えることを特徴とする半導体製造装置であ
る。
基板を同時に減圧処理する半導体処理装置において、半
導体基板の運搬を行う搬送ロボットを２台、真空予備
室、減圧処理室及び収納カセット内の半導体基板の移動
の中間位置に半導体基板を４枚収納出来るバッファース
テージを備えることを特徴とする半導体製造装置であ
る。
【０００８】
【実施の形態】実施例を図１乃至図３により説明する。
図１の平面図により明らかなごとく、本発明は同時に２
枚の半導体基板１１を処理するための処理室１２と、第
１の真空予備室１３と第２の真空予備室１７とを有する
とともに、これら半導体基板１１のためのロード／アン
ロードを真空中で搬送ロボットを使うことなく行うため
に、モーター２４で回転可能かつ昇降装置２５により昇
降可能な（図２参照）ターンテーブル１８と４個のステ
ージ１６とを有している。
図１の平面図により明らかなごとく、本発明は同時に２
枚の半導体基板１１を処理するための処理室１２と、第
１の真空予備室１３と第２の真空予備室１７とを有する
とともに、これら半導体基板１１のためのロード／アン
ロードを真空中で搬送ロボットを使うことなく行うため
に、モーター２４で回転可能かつ昇降装置２５により昇
降可能な（図２参照）ターンテーブル１８と４個のステ
ージ１６とを有している。
【０００９】また、２個の搬送ロボット１４、１５は大
気中に配置されており、各搬送ロボット１４、１５に対
して夫々１個又は２個の基板収納カセットのためのカセ
ットステージ２０、２１及び２２、２３を同じく大気中
に備えている。そして、カセットステージ２０〜２３と
第１の真空予備室１３の中間には、バッファーステージ
１９が設けられている。該バッファーステージ１９は少
なくとも２段以上の未処理半導体基板を載置可能なステ
ージと、同じく２段以上の既処理半導体基板が載置され
放熱されるステージを有し、かつ各ステージは自動的に
半導体基板の位置合わせが可能な構造となっている。
気中に配置されており、各搬送ロボット１４、１５に対
して夫々１個又は２個の基板収納カセットのためのカセ
ットステージ２０、２１及び２２、２３を同じく大気中
に備えている。そして、カセットステージ２０〜２３と
第１の真空予備室１３の中間には、バッファーステージ
１９が設けられている。該バッファーステージ１９は少
なくとも２段以上の未処理半導体基板を載置可能なステ
ージと、同じく２段以上の既処理半導体基板が載置され
放熱されるステージを有し、かつ各ステージは自動的に
半導体基板の位置合わせが可能な構造となっている。
【００１０】図２は、図１のＡ−Ａ断面を示しており、
特に処理室１２と第１真空予備室１３と第２真空予備室
１７及び半導体基板のロード／アンロードを行う構成が
明らかにされている。モーター２４により１８０°回転
駆動されかつ昇降装置２５にて昇降駆動されるターンテ
ーブル１８上には、４個のステージ１６が設けられてい
る。夫々２個のステージが収納可能な処理室１２と、第
１真空予備室１３及び該処理室と第１真空予備室とを連
通又は隔離自在な第２真空予備室１７は、上記昇降装置
２５でテーブル１８を昇降させることにより、処理室１
２、第１真空予備室１３、第２真空予備室１７の間を第
２真空予備室１７の蓋部と各ステージ１６との間でシー
ル及びシール解除する構成とされている。なお、処理室
１２、第１真空予備室１３、第２真空予備室１７等は当
然に、図示しない減圧、パージその他の半導体処理に必
要な各種手段を夫々備えている。また、第１真空予備室
１３の頂部は、半導体基板の搬入、搬出のために開閉可
能な蓋体を構成している。
特に処理室１２と第１真空予備室１３と第２真空予備室
１７及び半導体基板のロード／アンロードを行う構成が
明らかにされている。モーター２４により１８０°回転
駆動されかつ昇降装置２５にて昇降駆動されるターンテ
ーブル１８上には、４個のステージ１６が設けられてい
る。夫々２個のステージが収納可能な処理室１２と、第
１真空予備室１３及び該処理室と第１真空予備室とを連
通又は隔離自在な第２真空予備室１７は、上記昇降装置
２５でテーブル１８を昇降させることにより、処理室１
２、第１真空予備室１３、第２真空予備室１７の間を第
２真空予備室１７の蓋部と各ステージ１６との間でシー
ル及びシール解除する構成とされている。なお、処理室
１２、第１真空予備室１３、第２真空予備室１７等は当
然に、図示しない減圧、パージその他の半導体処理に必
要な各種手段を夫々備えている。また、第１真空予備室
１３の頂部は、半導体基板の搬入、搬出のために開閉可
能な蓋体を構成している。
【００１１】図３は、図１のＢ−Ｂ断面を示しており、
特に２台の搬送ロボット１４、１５とバッファーステー
ジ１９との関連構成を明らかにしている。図示のごと
く、バッファーステージ１９は上下に並んで同時に４枚
の基板を収納出来るステージを有し、例えば上２段のス
テージにはカセットステージ２０〜２３のいずれかのカ
セットの半導体基板が、２台の搬送ロボット１４、１５
の何れかにより第１真空予備室１３に搬入される前に格
納待機させられる。同じく下２段のステージには、処理
済みの半導体基板が第１真空予備室１３から搬送ロボッ
ト１４及び１５によってアンロードされ、一時格納され
冷却された後にカセットステージ２０〜２３のいずれか
のカセットに搬送、格納されるまで待機させられる。
特に２台の搬送ロボット１４、１５とバッファーステー
ジ１９との関連構成を明らかにしている。図示のごと
く、バッファーステージ１９は上下に並んで同時に４枚
の基板を収納出来るステージを有し、例えば上２段のス
テージにはカセットステージ２０〜２３のいずれかのカ
セットの半導体基板が、２台の搬送ロボット１４、１５
の何れかにより第１真空予備室１３に搬入される前に格
納待機させられる。同じく下２段のステージには、処理
済みの半導体基板が第１真空予備室１３から搬送ロボッ
ト１４及び１５によってアンロードされ、一時格納され
冷却された後にカセットステージ２０〜２３のいずれか
のカセットに搬送、格納されるまで待機させられる。
【００１２】また、カセットステージ２０、２１に置か
れたカセットは搬送ロボット１５で、カセットステージ
２２、２３に置かれたカセットは搬送ロボット１４で夫
々ロード／アンロードする。そして、ロード／アンロー
ド動作はシングルカセットモード、ダブルカセットモー
ドが任意に選択できるようになっている。シングルカセ
ットモードでは、カセットステージ２０若しくは２１に
置かれたカセットから半導体基板を２枚取り出し、夫々
バッファーステージ１９に載置される。
れたカセットは搬送ロボット１５で、カセットステージ
２２、２３に置かれたカセットは搬送ロボット１４で夫
々ロード／アンロードする。そして、ロード／アンロー
ド動作はシングルカセットモード、ダブルカセットモー
ドが任意に選択できるようになっている。シングルカセ
ットモードでは、カセットステージ２０若しくは２１に
置かれたカセットから半導体基板を２枚取り出し、夫々
バッファーステージ１９に載置される。
【００１３】
【作用】本発明に係る半導体製造装置の図１乃至図３に
示す実施例における操作手順の１例を、シングルカセッ
トモードの場合について説明する。今、本発明の装置の
作動工程のある時点において、図２に示すごとく処理室
１２内で各種の基板処理が行われた後、昇降装置２５に
よりターンテーブル１８を下降させて第１真空予備室１
３、第２真空予備室１７、処理室１２を連通させる。そ
の後モーター２４を駆動させてターンテーブル１８を１
８０°回転させ、図１における第１真空予備室１３内に
は処理済み基板１１を、処理室１２内には未処理半導体
基板１１を移動させて、次いで再び昇降装置でターンテ
ーブル１８を上昇させることにより、第２真空予備室１
７の上蓋部分とステージ１６の上面とによって第１真空
予備室１３、真空予備室１２を画成する。
示す実施例における操作手順の１例を、シングルカセッ
トモードの場合について説明する。今、本発明の装置の
作動工程のある時点において、図２に示すごとく処理室
１２内で各種の基板処理が行われた後、昇降装置２５に
よりターンテーブル１８を下降させて第１真空予備室１
３、第２真空予備室１７、処理室１２を連通させる。そ
の後モーター２４を駆動させてターンテーブル１８を１
８０°回転させ、図１における第１真空予備室１３内に
は処理済み基板１１を、処理室１２内には未処理半導体
基板１１を移動させて、次いで再び昇降装置でターンテ
ーブル１８を上昇させることにより、第２真空予備室１
７の上蓋部分とステージ１６の上面とによって第１真空
予備室１３、真空予備室１２を画成する。
【００１４】次に、真空処理室１２はさらなる減圧及び
各種処理工程を開始すると共に、第１真空予備室１３内
は大気圧までパージした後に、該第１真空予備室１３の
上蓋を解放して処理済みの２枚の半導体基板を搬送ロボ
ット１４、１５を用いて取り出し、バッファーステージ
１９の例えば下２段に夫々載置する。その後、同搬送ロ
ボット１４、１５によりバッファーステージ１９の上２
段から未処理半導体基板を取り上げ、夫々第１真空予備
室１３内のステージ１６上にロードすると共に、該第１
真空予備室１３の上蓋を閉じ、更に減圧を開始する。そ
の間、真空処理室１２では基板処理のための各種操作及
び処理工程が行われている。
各種処理工程を開始すると共に、第１真空予備室１３内
は大気圧までパージした後に、該第１真空予備室１３の
上蓋を解放して処理済みの２枚の半導体基板を搬送ロボ
ット１４、１５を用いて取り出し、バッファーステージ
１９の例えば下２段に夫々載置する。その後、同搬送ロ
ボット１４、１５によりバッファーステージ１９の上２
段から未処理半導体基板を取り上げ、夫々第１真空予備
室１３内のステージ１６上にロードすると共に、該第１
真空予備室１３の上蓋を閉じ、更に減圧を開始する。そ
の間、真空処理室１２では基板処理のための各種操作及
び処理工程が行われている。
【００１５】続いて、搬送ロボット１５は、上記処理室
１２での処理工程中及び第１真空予備室１３の減圧中に
カセットステージ２０から次に処理すべき半導体基板を
取り出し、空になっているバッファーステージ１９の上
２段へ順次載置した後、同様にバッファーステージ１９
の下２段においてすでに放熱された処理済み半導体基板
を、順次カセットステージ２０のカセットに搬送格納す
る。この間に第１真空予備室１３は第２真空予備室１７
の圧力まで減圧される。
１２での処理工程中及び第１真空予備室１３の減圧中に
カセットステージ２０から次に処理すべき半導体基板を
取り出し、空になっているバッファーステージ１９の上
２段へ順次載置した後、同様にバッファーステージ１９
の下２段においてすでに放熱された処理済み半導体基板
を、順次カセットステージ２０のカセットに搬送格納す
る。この間に第１真空予備室１３は第２真空予備室１７
の圧力まで減圧される。
【００１６】そして、上記真空処理室１２における半導
体基板１１の各種処理が終了し次第、昇降装置２５を駆
動してターンテーブル１８を再び降下させ、図２に示す
状態で各真空予備室及び真空処理室を連通し、モーター
２４でターンテーブル１８を１８０°回転して、次の半
導体基板のための上記一連の操作に移り、かつ、これら
の操作を繰り返すものである。この様にして、カセット
ステージ２０、２１、２２、２３と順に搬送及び処理が
進行する。
体基板１１の各種処理が終了し次第、昇降装置２５を駆
動してターンテーブル１８を再び降下させ、図２に示す
状態で各真空予備室及び真空処理室を連通し、モーター
２４でターンテーブル１８を１８０°回転して、次の半
導体基板のための上記一連の操作に移り、かつ、これら
の操作を繰り返すものである。この様にして、カセット
ステージ２０、２１、２２、２３と順に搬送及び処理が
進行する。
【００１７】なお、上記シングルカセットモードにおい
て、カセットステージを多数設けているが、ＡＧＶ等の
自走式自動カセット供給搬送装置による処理待ちカセッ
トの装置への供給や、処理が終わったカセットの次工程
への運搬を行うためには、図１の４つのカセットステー
ジ２０〜２３をフルに使用することが不可能であり、上
述したシングルカセットモードによる装置の運用により
装置内に空のカセットステージを設ける必要がある。こ
の様な装置構成でなければ、装置外部に別の空カセット
ステージとカセットの入れ替え動作を行う機構を持たな
ければならず、コスト高を招くことになる。
て、カセットステージを多数設けているが、ＡＧＶ等の
自走式自動カセット供給搬送装置による処理待ちカセッ
トの装置への供給や、処理が終わったカセットの次工程
への運搬を行うためには、図１の４つのカセットステー
ジ２０〜２３をフルに使用することが不可能であり、上
述したシングルカセットモードによる装置の運用により
装置内に空のカセットステージを設ける必要がある。こ
の様な装置構成でなければ、装置外部に別の空カセット
ステージとカセットの入れ替え動作を行う機構を持たな
ければならず、コスト高を招くことになる。
【００１８】次に、ダブルカセットモードについて説明
する。ダブルカセットモード動作では、カセットからの
半導体基板の取り出し、バッファーステージへのセッ
ト、バッファーステージからの取り出し、第１真空予備
室１３へのセット、それらの逆動作は、搬送ロボット１
４にてカセットステージ２２、２３、第１真空予備室１
３の右位置ステージ間、搬送ロボット１５にてカセット
ステージ２０、２１、真空予備室１３の左位置ステージ
間の半導体基板の受け渡しを行う。そのため、ＡＧＶ等
との結合には不向きであるが、大気中での基板搬送を２
台のロボットで行うため、待時間が最も少なくなり、最
高のスループットが得られることになる。
する。ダブルカセットモード動作では、カセットからの
半導体基板の取り出し、バッファーステージへのセッ
ト、バッファーステージからの取り出し、第１真空予備
室１３へのセット、それらの逆動作は、搬送ロボット１
４にてカセットステージ２２、２３、第１真空予備室１
３の右位置ステージ間、搬送ロボット１５にてカセット
ステージ２０、２１、真空予備室１３の左位置ステージ
間の半導体基板の受け渡しを行う。そのため、ＡＧＶ等
との結合には不向きであるが、大気中での基板搬送を２
台のロボットで行うため、待時間が最も少なくなり、最
高のスループットが得られることになる。
【００１９】本発明において特に重要なことは、先ず第
１に、本発明の装置においては第１真空予備室１３と処
理室１２の間での基板のロード／アンロードが第２真空
予備室１７内において行われることである。また第２
に、処理済みで高温の状態にある半導体基板がバッファ
ーステージ１９内の一部に一時載置され、カセットへの
収納前に冷却（放熱）されることである。
１に、本発明の装置においては第１真空予備室１３と処
理室１２の間での基板のロード／アンロードが第２真空
予備室１７内において行われることである。また第２
に、処理済みで高温の状態にある半導体基板がバッファ
ーステージ１９内の一部に一時載置され、カセットへの
収納前に冷却（放熱）されることである。
【００２０】また第３に、カセットステージの未処理基
板が同じくバッファーステージ内の一部に処理工程中に
移送され、待機させられることである。そして、その後
冷却された処理済み基板はバッファーステージからカセ
ットステージへ搬送される。即ち、カセットステージと
バッファーステージ間の大気中でのロボットによる搬送
は、いずれも上記処理室１２内での半導体基板１１の処
理工程及び真空予備室の減圧工程中に行われることであ
る。
板が同じくバッファーステージ内の一部に処理工程中に
移送され、待機させられることである。そして、その後
冷却された処理済み基板はバッファーステージからカセ
ットステージへ搬送される。即ち、カセットステージと
バッファーステージ間の大気中でのロボットによる搬送
は、いずれも上記処理室１２内での半導体基板１１の処
理工程及び真空予備室の減圧工程中に行われることであ
る。
【００２１】
【効果】本発明によれば、真空予備室を備えた２枚同時
一括処理可能な半導体製造装置において、大気中に２台
の基板搬送ロボットと、カセットから真空予備室への２
枚の基板の搬送を中継するバッファーステージとを設
け、更に減圧処理室への基板のロード／アンロードのた
めの真空中での搬送ロボットを使わない搬送系を搭載す
る事により、搬送作業が安定でしかも大気中の基板搬送
時間がスループットに影響を与えない半導体製造装置と
することができる。
一括処理可能な半導体製造装置において、大気中に２台
の基板搬送ロボットと、カセットから真空予備室への２
枚の基板の搬送を中継するバッファーステージとを設
け、更に減圧処理室への基板のロード／アンロードのた
めの真空中での搬送ロボットを使わない搬送系を搭載す
る事により、搬送作業が安定でしかも大気中の基板搬送
時間がスループットに影響を与えない半導体製造装置と
することができる。
【００２２】更に本発明による装置は、大気中に２台の
基板搬送ロボットと２つ以上の基板収納カセットを載置
するステージを設ける事により、ＡＧＶ等への対応や、
１カセット／１ロット、２カセット／１ロット等の基板
管理にもフレキシブルな対応が可能になった。また、バ
ッファーステージに自動位置合せ手段を採用することに
より、処理室での半導体基板の位置設定が確実となり操
作時間が短縮できた。更に、バッファーステージの有効
利用により、半導体基板搬送の合理化と共に処理済み半
導体基板のカセットの格納待ち時間がスループットに影
響することを回避できた。
基板搬送ロボットと２つ以上の基板収納カセットを載置
するステージを設ける事により、ＡＧＶ等への対応や、
１カセット／１ロット、２カセット／１ロット等の基板
管理にもフレキシブルな対応が可能になった。また、バ
ッファーステージに自動位置合せ手段を採用することに
より、処理室での半導体基板の位置設定が確実となり操
作時間が短縮できた。更に、バッファーステージの有効
利用により、半導体基板搬送の合理化と共に処理済み半
導体基板のカセットの格納待ち時間がスループットに影
響することを回避できた。
【００２３】
【図１】本発明の半導体製造装置の概要を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】図１の半導体製造装置のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の半導体製造装置のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】従来公知の半導体製造装置の一例を示す平面概
略図である。
略図である。
【図５】従来公知の半導体製造装置の他の一例を示す平
面概略図である。
面概略図である。
【図６】従来公知の半導体製造装置の更に他の一例を示
す平面概略図である。
す平面概略図である。
１１、３１ 半導体基板 １２、３２ 半導体処理室 １３、３３ 第１真空予備室 １４、１５、３４ 搬送ロボット １６、３６ 基板用ステージ １７、３７ 第２真空予備室 １９、３９ バッファステージ ２０〜２３ カセットステージ ２４ モータ ２５ 昇降装置 ＧＶ ゲートバルブ
Claims (3)
- 【請求項１】 ２枚の半導体基板を同時に減圧処理する
半導体処理装置において、半導体基板の運搬を行う２台
の搬送ロボットと、ロード用半導体基板及びアンロード
用半導体基板を各々２枚以上同時に収納可能なバッファ
ーステージと、２個以上の半導体基板収納カセットのた
めのカセットステージとを何れも大気中に備え、更に真
空予備室、減圧処理室を備える事を特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項２】 第１真空予備室と第２真空予備室を有
し、第１真空予備室において半導体基板の搬入、搬出が
行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項３】 バッファーステージは半導体基板の自動
位置合せ及び温度調整が可能であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24847396A JPH1079412A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24847396A JPH1079412A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079412A true JPH1079412A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=17178676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24847396A Pending JPH1079412A (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079412A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210695A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Anelva Corp | 基板処理装置の基板移載装置 |
| JP2006190968A (ja) * | 2004-12-29 | 2006-07-20 | Dongbuanam Semiconductor Inc | 半導体素子製造装置 |
| KR100765188B1 (ko) | 2006-11-30 | 2007-10-15 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR100819176B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-04-04 | 주식회사 케이씨텍 | 대면적 기판 공정 챔버 시스템 |
| JP2009209454A (ja) * | 2009-06-16 | 2009-09-17 | Canon Anelva Corp | 基板の成膜方法及び円板状基板 |
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| CN102310999A (zh) * | 2010-07-09 | 2012-01-11 | 上海凯世通半导体有限公司 | 真空传输制程设备及方法 |
| KR101413243B1 (ko) * | 2006-11-01 | 2014-06-27 | 주식회사 원익아이피에스 | 웨이퍼 전달모듈 및 이를 구비한 박막 증착 시스템 |
-
1996
- 1996-09-02 JP JP24847396A patent/JPH1079412A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20071107 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |