JPH1083905A5 - - Google Patents

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JPH1083905A5
JPH1083905A5 JP1996257699A JP25769996A JPH1083905A5 JP H1083905 A5 JPH1083905 A5 JP H1083905A5 JP 1996257699 A JP1996257699 A JP 1996257699A JP 25769996 A JP25769996 A JP 25769996A JP H1083905 A5 JPH1083905 A5 JP H1083905A5
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Description

【0008】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、すぐれた耐食性、特に温度80℃、相対湿度90%の雰囲気条件下で長時間放置した場合においても、下地との密着性がすぐれ、被着した耐食性金属被膜の耐食性、耐摩耗性により、その磁石特性の安定したFe-B-R系永久磁石を目的に永久磁石体表面へのTi1-xAlxN被膜形成法について種々検討した結果、磁石体表面をイオンスパッター法等により清浄化した後、前記磁石体表面にイオンプレーティング法、イオンスパッタリング法等の気相成膜法により特定膜厚のAl被膜を形成後、特定条件のN2ガスを導入しながら、イオンプレーティング、イオンスパッタリング法等の気相成膜法により、特定層厚のTi1-xAlxN被膜を形成することにより、磁石表面に付着の酸化物はAl被膜にて還元作用により、磁石表面の酸化物は一部もしくは大部分が還元され、磁石とAl被膜の密着性は著しく改善され、Al被膜上にTi1-xAlxN被膜を形成するに際し、界面にはTi1-a Al a N b なるTi、Al、Nの複合被膜が生成し、このTi1-a Al a N b の組成、膜厚は基板温度、バイアス電圧、成膜スピード等によって変化し、Ti1-xAlxN界面に向かってTi,Nが連続的に増加する組成となっており、これによりAl被膜とTi1-xAlxN被膜との密着性が著しく改善できることを知見し、この発明を完成した。
【0013】
Fe-B-R系永久磁石体表面にAl被膜層を介してTi1-xAlxN被膜層を設けたことを特徴とするこの発明の耐食性永久磁石の製造方法の一例を以下に詳述する。
1)アークイオンプレーティング装置を用いて、真空容器を到達真空度が1×10-3 Pa以下まで真空排気した後、Arガス圧10Pa、−300VでArイオンによる表面スパッターにてFe-B-R系磁石体表面を清浄化する。
【0014】
ん2)次に、Arガス圧0.1Pa、バイアス電圧−50Vにより、ターゲットのAlを蒸発させて、アークイオンプレーティング法にて、磁石体表面に0.06μm〜5.0μm膜厚のAl被膜層を形成する。
3)続いて、ターゲットとしてTi1-yAly(0.03<y<0.80)を用い、基板の磁石温度を250℃に保持し、N2ガス圧3Pa、バイアス電圧−120Vの条件にて、Al被膜層上に特定厚のTi1-xAlxN被膜層を形成する。
【0024】
【実施例】
実施例1
公知の鋳造インゴットを粉砕し、微粉砕後に成形、焼結、熱処理、表面加工後に、17Nd-1Dy-76Fe-6B組成の径12mm×厚み2mm寸法の磁石体試験片を得た。得られた試験片の表面粗度を表2に、磁石特性を表1に示す。
真空容器内を1×10-3 Pa以下に真空排気し、Arガス圧10Pa、−500Vで20分間、表面スパッターを行って、磁石体表面を清浄化した後、表2に示すイオンプレーティング条件にて基板磁石温度を250℃にして、ターゲットとして金属Alを用いてアークイオンプレーティング法にて、磁石体表面に0.2μm厚および1.6μm厚のAl被膜層を形成した。
【0025】
次に基板磁石温度350℃、バイアス電圧−120Vで、N2ガス3Paにて、ターゲットとして合金Ti0.5・Al0.5をアークイオンプレーティング法にて3時間でAl被膜表面に膜厚3μmのTi1-xAlxN被膜層を形成した。生成膜組成はTi0.55Al0.45Nであった。その後、放冷した後、得られたTi0.55Al0.45N被膜を表面に有する永久磁石を温度80℃、相対湿度90%の条件下で1000時間放置した後の磁石特性及びその劣化状況を測定し、その結果を表3に示す。
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