JPH1084057A - メタルキャリヤフレームを用いたｂｇａ半導体パッケージの製造方法及びそのｂｇａ半導体パッケージ - Google Patents

メタルキャリヤフレームを用いたｂｇａ半導体パッケージの製造方法及びそのｂｇａ半導体パッケージ

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JPH1084057A
JPH1084057A JP9019725A JP1972597A JPH1084057A JP H1084057 A JPH1084057 A JP H1084057A JP 9019725 A JP9019725 A JP 9019725A JP 1972597 A JP1972597 A JP 1972597A JP H1084057 A JPH1084057 A JP H1084057A
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semiconductor package
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＢＧＡパッケージの熱放出を容易にし、品質
を向上させるとともにその製造単価を節減し得るメタル
キャリヤフレームを用いたＢＧＡパッケージの製造方法
及びその半導体パッケージを提供することである。 【解決手段】 ストリップ又はリール形態のメタルキャ
リヤフレームにユニットＰＣＢ基板を付着し、メタルキ
ャリヤフレームの一部を半導体パッケージのヒートスプ
レッダとして構成して半導体パッケージを製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はメタルキャリヤフレ
ーム（Metal CarrierFrame）を用いたＢＧＡ（Ball Gri
d Array）半導体パッケージの製造方法及びその半導体
パッケージに関するもので、より詳しくはメタルキャリ
ヤフレームにユニットＰＣＢ基板をキャリヤユニットご
とに付着してストリップ単位又はリール形態のメタルキ
ャリヤフレームを製造し、このメタルキャリヤフレーム
の一部がＢＧＡパッケージのヒートスプレッダとして機
能するようにすることにより、ＢＧＡパッケージの熱放
出を容易にし、品質を向上させるとともにその製造単価
を節減し得るメタルキャリヤフレームを用いたＢＧＡパ
ッケージの製造方法及びその半導体パッケージに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の通常的なＢＧＡ半導体パッケージ
の構造は、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ＰＣ
Ｂ基板１の上面に半導体チップ２が付着されており、こ
の半導体チップ２上のチップパッドとＰＣＢ基板１の上
面回路パターン１１とはワイヤー３でボンディングさ
れ、前記半導体チップ２は外部の酸化及び腐蝕から保護
するためにモルディングコンパウンド４でモルディング
されており、前記ＰＣＢ基板１の底面には多数のソルダ
ボール５が付着された構造である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＢＧＡ半導体パッケージを製造するためには、回路
パターン１１が形成されたＰＣＢ基板１をストリップ単
位に製作して使用したところ、高価であるＰＣＢ基板１
の浪費を来して価格上昇の要因となった。即ち、従来の
ＢＧＡ半導体パッケージの製造方法では、製造工程上の
移送及び位置制御の円滑化のため、ＰＣＢ基板１をスト
リップ単位に使用し、これによりＰＣＢ基板１のマージ
ン部分は製造工程後に切断されて廃棄処分されるので、
価格上昇の要因となる。さらに、このようなＰＣＢ基板
１はその材質が樹脂であるので、パッケージの製造時に
多数の高温工程を経る間、熱膨張によりＰＣＢ基板１に
変形が発生して、後続工程が困難になる課題があった。
【０００４】又、ＢＧＡ半導体パッケージは入出力端子
としてソルダボール５を使用しているが、このようなソ
ルダボール５はその偏平度が適合しないと、マザーボー
ドへの実装時にオープンになる端子が生じてパッケージ
の不良を来す要因となり、高温の製造工程を経ながらＰ
ＣＢ基板１に曲がりが発生すると、その上に付着される
多数のソルダボール５は自然に偏平度が悪くなり、よっ
て不良を起こして生産性低下及び完製品の信頼性低下を
来す要因となる課題があった。
【０００５】従って、本発明はこのような従来の課題を
解決するためのもので、ＰＣＢ基板を各々のユニットに
形成してメタルキャリヤフレームに付着させることによ
り、製造工程上の高温によるフレームの変形を最小化
し、パッケージに完成された後には前記キャリヤフレー
ムの一部がＰＣＢ基板の上面に付着されて外部に露出さ
れた状態のヒートスプレッダに構成されることにより、
熱放出を容易にしてパッケージの信頼性を向上させるメ
タルキャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体パッケージ
の製造方法及びその半導体パッケージを提供することに
その目的がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明のメタルキャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導
体パッケージの製造方法は、半導体チップの大きさより
大きく、一列に断続的に形成された多数のホールと、前
記各ホールの周縁を取り囲むように、その付近に形成さ
れる複数のスリット形の貫通ホールと、前記各ホールの
周縁と複数の貫通ホールにより限定され、一列に断続的
に形成される多数の四角環状のＰＣＢ基板支持部とを含
むストリップ又はリール形態のメタルキャリヤフレーム
の形成段階と、前記メタルキャリヤフレームに形成され
た各々の四角環状のＰＣＢ基板支持部の底面にユニット
ＰＣＢ基板を接着させて前記ホールを密閉させるユニッ
トＰＣＢ基板の付着段階と、前記メタルキャリヤフレー
ムの多数の四角環状のＰＣＢ基板支持部の底面にそれぞ
れ付着されたユニットＰＣＢ基板の上面に半導体チップ
を実装する半導体チップの実装段階と、実装された半導
体チップのパッドとユニットＰＣＢ基板の銅回路パター
ンとを電気的に接続させるため、ワイヤーでボンディン
グするワイヤーボンディング段階と、前記半導体チップ
とワイヤーを外部環境から保護するため、モルディング
コンパウンドでモルディングするモルディング段階と、
前記ＰＣＢ基板の底面に入出力端子としてのソルダボー
ルを融着させるソルダボール安着段階と、前記メタルキ
ャリヤフレームに形成された複数のスリット形状の貫通
ホール間の領域を切断させる半導体パッケージの分離段
階とから構成されることを特徴とする。
【０００７】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、メタルキ
ャリヤフレームの形成段階で形成される、複数のスリッ
ト形状の貫通ホールにより限定される四角環状のＰＣＢ
基板支持部の外周縁がユニット基板の外周縁と一致する
ように形成されることを特徴とする。
【０００８】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、メタルキ
ャリヤフレーム形成段階で貫通ホールを四つの直線状に
構成して正方形に形成させたことを特徴とする。
【０００９】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、半導体パ
ッケージの分離段階での切断を容易にするため、メタル
キャリヤフレーム形成段階でスリット形状の貫通ホール
間のコーナー部に孔を形成することを特徴とする。
【００１０】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、モルディ
ング段階で、モルディングコンパウンドの流入口である
モルドランナーゲートを形成するため、一側コーナー部
には孔を形成しないことを特徴とする。
【００１１】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、モルディ
ング段階で、モルディングコンパウンドの流入口である
モルドランナーゲートを形成するため、ホールの一側の
貫通ホールを一定間隔を置いて離隔された二つに形成す
ることを特徴とする。
【００１２】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、メタルキ
ャリヤフレームの形成段階で、メタルキャリヤフレーム
を熱伝導性に優れた銅、銅合金又はステンレスで形成す
ることを特徴とする。
【００１３】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、メタルキ
ャリヤフレームの形成段階で、メタルキャリヤフレーム
の少なくとも一面を銀又はパラジウムスポット鍍金、又
はニッケル鍍金することを特徴とする。
【００１４】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、ユニット
ＰＣＢ基板の付着段階で接着に熱伝導性に優れた銀充填
エポキシを使用することを特徴とする。
【００１５】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、メタルキ
ャリヤフレームの形成段階で、メタルキャリヤフレーム
のＰＣＢ基板支持部の上面のホールに隣接した部分に溝
を形成することを特徴とする。
【００１６】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、溝が形成
された周辺領域を下方に断層に形成することを特徴とす
る。
【００１７】また、本発明のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法は、ユニット
ＰＣＢ基板の銅回路パターンを含む領域にソルダレジス
ト層を積層することを特徴とする。
【００１８】また、本発明のＢＧＡ半導体パッケージ
は、半導体チップと、前記半導体チップが上面に実装さ
れ、前記半導体チップの実装された領域の他側に銅回路
パターンが形成されているＰＣＢ基板と、前記半導体チ
ップと銅回路パターンとを電気的に接続させるボンドワ
イヤーと、前記ＰＣＢ基板の上面外郭に、前記半導体チ
ップを取り囲む形態に接着される四角環状のヒートスプ
レッダと、前記半導体チップとワイヤーとを外部環境か
ら保護するよう、前記四角環状のヒートスプレッダの内
側領域を封止するモルディングコンパウンドと、前記Ｐ
ＣＢ基板の底面に入出力端子として形成される多数のソ
ルダボールとから構成されることを特徴とする。
【００１９】また、本発明のＢＧＡ半導体パッケージ
は、ヒートスプレッダの上面が銀又はパラジウムスポッ
ト鍍金、又はニッケル鍍金されることを特徴とする。
【００２０】また、本発明のＢＧＡ半導体パッケージ
は、ヒートスプレッダの上面一部がモルディングコンパ
ウンドにより封止され、前記封止された上面がグラウン
ドボンディングされることを特徴とする。
【００２１】また、本発明のＢＧＡ半導体パッケージ
は、モルディングコンパウンドにより封止されるヒート
スプレッダの上面領域に多数のＶ形溝が形成されること
を特徴とする。
【００２２】また、本発明のＢＧＡ半導体パッケージ
は、モルディングコンパウンドにより封止されるヒート
スプレッダの上面領域が下方に断層に形成されることを
特徴とする。
【００２３】また、本発明のＢＧＡ半導体パッケージ
は、ヒートスプレッダに隣接した部分のモルディングコ
ンパウンドが前記ヒートスプレッダの上面と同一平面を
成すことを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を添
付図面を参照して詳細に説明する。図２の（Ａ）及び
（Ｂ）は本実施の形態のメタルキャリヤフレームを用い
たＢＧＡ半導体パッケージの製造方法により製造された
ＢＧＡ半導体パッケージの断面図及び平面図である。本
発明のＢＧＡ半導体パッケージは、ＰＣＢ基板１０の上
面に半導体チップ２０が付着されており、この半導体チ
ップ２０上のチップパッドとＰＣＢ基板１０の上面に形
成された回路パターン１１とはワイヤー３０でボンディ
ングされ、前記半導体チップ２０は外部の酸化及び腐蝕
から保護するためにモルディングコンパウンド４０でモ
ルディングされており、前記ＰＣＢ基板１０の底面には
多数のソルダボール５０が付着され、前記ＰＣＢ基板１
０の上面外側、つまりモルディングコンパウンド４０の
モルディング領域外側にメタルキャリヤフレーム６０の
一部であるＰＣＢ基板支持部６４がヒートスプレッダと
して付着された構造である。
【００２５】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は本実施の形態に
使用されるメタルキャリヤフレーム６０を示す平面図で
あり、図４は銀（Ａｇ）又はパラジウム（Ｐｄ）のスポ
ット鍍金（spot plate）又は上面がニッケル（Ｎｉ）で
鍍金されたメタルキャリヤフレーム６０のＰＣＢ基板支
持部６４の底面に接着剤７０によりユニットＰＣＢ基板
１０を付着したものを示す。
【００２６】前記メタルキャリヤフレーム６０はとして
は銅、銅合金又はステンレス等のような熱伝導性に非常
に優れた素材を使用することが好ましい。又、前記メタ
ルキャリヤフレーム６０にユニットＰＣＢ基板１０を付
着させる接着剤７０としては銀充填エポキシ等のような
熱伝達性のよい接着剤を使用することが好ましい。
【００２７】図３の（Ａ）及び（Ｂ）はストリップ又は
リール形態になったメタルキャリヤフレーム６０の一部
を示す平面図で、多数のユニットＰＣＢ基板１０が一定
間隔を置いて一列に付着される中央部分にＰＣＢ基板１
０より小さく半導体チップよりは大きいホール６１を一
列に形成し、前記ホール６１の四方にはスリット形状の
貫通ホール６２を形成する。前記貫通ホール６２のホー
ル６１に隣接する周縁は、ＰＣＢ基板１０が付着された
とき、ＰＣＢ基板１の外周縁と一致するように形成され
る。即ち、メタルキャリヤフレーム６０にＰＣＢ基板１
０が付着される領域であるＰＣＢ基板支持部６４はホー
ル６１と貫通ホール６２間の部位に接着剤７０により付
着されるものである。又、ＰＣＢ基板支持部６４のホー
ル６１に隣接した部分には溝を形成し、半導体パッケー
ジの製造時にモルディングコンパウンドで封止させるこ
とにより、モルディングコンパウンドとの結合力向上及
び水分浸透防止効果の向上を期待することもできる。
【００２８】又、前記ホール６１の四方に位置する貫通
ホール６２と貫通ホール６２間のコーナー部には、パッ
ケージの製造後に切断を容易にするため、孔６３がそれ
ぞれ形成されている。このような貫通ホール６２と孔６
３はパッケージの製造工程中の熱膨張及び収縮による応
力を緩和させ、切断工程においてパンチにより切断され
る断面積を最小化するためのものである。孔６３は各コ
ーナー部に形成されるが、図３の（Ａ）に示すように一
側コーナー部には孔６３を形成しなく、この部分をモル
ディング時にモルディングコンパウンド４０が流入され
るモルドランナーゲート（Mold Runner Gate）として使
用するか、又は図３の（Ｂ）に示すように孔６３を各コ
ーナー部に全て形成し、一側の貫通ホール６２を二つに
分離させ、その二つに分離された貫通ホール６２間の領
域はモルディング時にモルディングコンパウンド４０が
流入されるモルドランナーゲートとして使用することも
できる。即ち、モルディングコンパウンドが流入される
モルドランナーゲートをメタルキャリヤフレーム６０の
上面一部に形成するものである。
【００２９】図４は、前記メタルキャリヤフレーム６０
にユニットＰＣＢ基板１０が接着剤７０で付着された状
態の断面を示すもので、メタルキャリヤフレーム６０に
一列に形成された多数のホール６１ごとにユニットＰＣ
Ｂ基板１０を付着してストリップ単位に製作するか、又
はリール（Reel）の形態に製作し後続工程を進行させる
ことにより、既存の製造工程をそのまま用いて半導体パ
ッケージを製造した後、最終的にメタルキャリヤフレー
ム６０に付着されたＰＣＢ基板１０の周囲に形成されて
いる貫通ホール６２と貫通ホール６２との間を切断して
ＰＣＢ基板支持部６４を分離して本実施の形態のＢＧＡ
半導体パッケージを製造するものである。
【００３０】本実施の形態のメタルキャリヤフレームを
用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法により製造さ
れたＢＧＡ半導体パッケージの好ましい具体例を図５乃
至図７に基づいて説明すると次のようである。図５は本
実施の形態の好ましい第１具体例によるＢＧＡ半導体パ
ッケージの一部を示す側断面図であり、第１具体例によ
るＢＧＡ半導体パッケージは、多数のチップパッドを備
える半導体チップ２０と、上下面に銅回路パターン１１
が形成され、その上に選択的なソルダレジスト層１２が
積層され、半導体チップ２０が実装されるＰＣＢ基板１
０と、前記半導体チップ２０上に備えられたチップパッ
ドとＰＣＢ基板１０の銅回路パターン１１とにボンディ
ングされたワイヤー３０と、前記半導体チップ２０とそ
の外部構成部品を保護するためにモルディングされたモ
ルディングコンパウンド４０と、前記ＰＣＢ基板１０の
上面外郭部に接着剤７０により付着されたメタルキャリ
ヤフレーム６０の一部で、ヒートスプレッダとして機能
するＰＣＢ基板支持部６４と、前記メタルキャリヤフレ
ーム６０の少なくとも一面、特に上面に酸化及び腐蝕防
止とボンディング力の向上のために鍍金された銀（Ａ
ｇ）、ニッケル（Ｎｉ）又はパラジウム（Ｐｂ）鍍金層
６７と、前記ＰＣＢ基板１０の底面に、外部に信号を引
出するために付着された多数のソルダボール５０とから
構成されたものである。ここで、モルディングコンパウ
ンド４０は図５の点線に沿ってモルディングされること
もでき、この場合、モルディングコンパウンド４０の整
列が容易に成されるので好ましい。
【００３１】図６は、本実施の形態のメタルキャリヤフ
レームを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法によ
る第２具体例であるＢＧＡ半導体パッケージの一部を示
す側断面図で、その構成は基本的に第１具体例と同様で
あるが、ＰＣＢ基板１０の上面外郭部に付着されたメタ
ルキャリヤフレーム６０のＰＣＢＰＣＢ基板支持部６４
の一部がモルディングコンパウンド４０により封止さ
れ、モルディングに先立ってメタルキャリヤフレーム６
０の封止部分にワイヤー３１でグラウンドボンディング
したものである。又、前記メタルキャリヤフレーム６０
の埋没部上面に多数の溝６８を形成して、モルディング
時、結合力を向上させるとともに水分浸透を効果的に防
止させたもので、前記溝６８はＶ形に形成できる。
【００３２】図７は、本実施の形態のメタルキャリヤフ
レームを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法によ
る第３具体例であるＢＧＡ半導体パッケージの一部を示
す側断面図で、その構成は基本的に前記第２具体例と同
様であるが、ＰＣＢ基板１０の上面外郭部に付着された
メタルキャリヤフレーム６０のＰＣＢ支持部６４の一部
がモルディングコンパウンド４０により封止される領域
が下部に段層に形成されたものである。前記メタルキャ
リヤフレーム６０にはワイヤー３１でグラウンドボンデ
ィングし、上面には多数の溝６８を形成して、コンパウ
ンド４０とのモルディング時、結合力を促進させること
は勿論、水分浸透を防止するものである。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のメタルキ
ャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造
方法及びその半導体パッケージに使用されるメタルキャ
リヤフレームは、パッケージの製造後、その一部が外部
に露出された状態にパッケージに付着されてヒートスプ
レッダとして作用するので、半導体チップの回路動作時
に発生される熱を外部に易しく放出させることにより、
パッケージの信頼性を向上させるものである。又、本発
明はストリップ又はリール形態のメタルキャリヤフレー
ムにユニットＰＣＢ基板を接着させた状態で半導体パッ
ケージの製造工程を遂行するので、ＰＣＢ基板をストリ
ップ形態に使用して半導体パッケージの製造工程を遂行
する従来の場合に比べて、高温の作業工程においても製
品の曲がり発生を最小化させるとともに、作業工程を単
純化して生産性を向上させることができる。又、メタル
キャリヤフレームの一部であるＰＣＢ基板支持部の一部
表面をモルディング時のモルドランナーゲートとして使
用できるので、基板の一部領域を別に鍍金してモルドラ
ンナーゲートとして使用する必要がない。さらに、ＰＣ
Ｂ基板支持部のモルディング部分に溝を形成させること
により、モルディングコンパウンドとの結合力の向上と
水分浸透防止効果の向上を期待できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＢＧＡ半導体パッケージの構造を示し、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態のＢＧＡ半導体パッケー
ジの構造を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図であ
る。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施の形態のメ
タルキャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体パッケージ
の製造方法及びその半導体パッケージに使用されるメタ
ルキャリヤフレームの構造を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態のメタルキャリヤフレー
ムを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法及びその
半導体パッケージに使用されるメタルキャリヤフレーム
にＰＣＢ基板が付着された状態を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態における第１具体例であ
るＢＧＡ半導体パッケージを示す部分側断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態における第２具体例であ
るＢＧＡ半導体パッケージを示す部分側断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態における第３具体例であ
るＢＧＡ半導体パッケージを示す部分側断面図である。
【符号の説明】
１、１０ ＰＣＢ基板 ２、２０ 半導体チップ ３、３０、３１ ワイヤー ４、４０ モルディングコンパウンド ５、５０ ソルダボール １１ 回路パターン １２ ソルダレジスト層 ６０ メタルキャリヤフレーム ６１ ホール ６２ 貫通ホール ６３ 孔 ６４ ＰＣＢ基板支持部 ６７ 鍍金層 ６８ 溝 ７０ 接着剤

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの大きさより大きく、一列
    に断続的に形成された多数のホールと、前記各ホールの
    周縁を取り囲むように、その付近に形成される複数のス
    リット形の貫通ホールと、前記各ホールの周縁と複数の
    貫通ホールにより限定され、一列に断続的に形成される
    多数の四角環状のＰＣＢ基板支持部とを含むストリップ
    又はリール形態のメタルキャリヤフレームの形成段階
    と、 前記メタルキャリヤフレームに形成された各々の四角環
    状のＰＣＢ基板支持部の底面にユニットＰＣＢ基板を接
    着させて前記ホールを密閉させるユニットＰＣＢ基板の
    付着段階と、 前記メタルキャリヤフレームの多数の四角環状のＰＣＢ
    基板支持部の底面にそれぞれ付着されたユニットＰＣＢ
    基板の上面に半導体チップを実装する半導体チップの実
    装段階と、 実装された半導体チップのパッドとユニットＰＣＢ基板
    の銅回路パターンとを電気的に接続させるため、ワイヤ
    ーでボンディングするワイヤーボンディング段階と、 前記半導体チップとワイヤーを外部環境から保護するた
    め、モルディングコンパウンドでモルディングするモル
    ディング段階と、 前記ＰＣＢ基板の底面に入出力端子としてのソルダボー
    ルを融着させるソルダボール安着段階と、 前記メタルキャリヤフレームに形成された複数のスリッ
    ト形状の貫通ホール間の領域を切断させる半導体パッケ
    ージの分離段階とから構成されることを特徴とするメタ
    ルキャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体パッケージの
    製造方法。
  2. 【請求項２】 前記メタルキャリヤフレームの形成段階
    で形成される、複数のスリット形状の貫通ホールにより
    限定される四角環状のＰＣＢ基板支持部の外周縁がユニ
    ット基板の外周縁と一致するように形成されることを特
    徴とする請求項１記載のメタルキャリヤフレームを用い
    たＢＧＡ半導体パッケージの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記メタルキャリヤフレーム形成段階で
    貫通ホールを四つの直線状に構成して正方形に形成させ
    たことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のメタル
    キャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製
    造方法。
  4. 【請求項４】 半導体パッケージの分離段階での切断を
    容易にするため、メタルキャリヤフレーム形成段階でス
    リット形状の貫通ホール間のコーナー部に孔を形成する
    ことを特徴とする請求項３記載のメタルキャリヤフレー
    ムを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法。
  5. 【請求項５】 モルディング段階で、モルディングコン
    パウンドの流入口であるモルドランナーゲートを形成す
    るため、一側コーナー部には孔を形成しないことを特徴
    とする請求項４記載のメタルキャリヤフレームを用いた
    ＢＧＡ半導体パッケージの製造方法。
  6. 【請求項６】 モルディング段階で、モルディングコン
    パウンドの流入口であるモルドランナーゲートを形成す
    るため、ホールの一側の貫通ホールを一定間隔を置いて
    離隔された二つに形成することを特徴とする請求項４記
    載のメタルキャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体パッ
    ケージの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記メタルキャリヤフレームの形成段階
    で、メタルキャリヤフレームを熱伝導性に優れた銅、銅
    合金又はステンレスで形成することを特徴とする請求項
    １記載のメタルキャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体
    パッケージの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記メタルキャリヤフレームの形成段階
    で、メタルキャリヤフレームの少なくとも一面を銀又は
    パラジウムスポット鍍金、又はニッケル鍍金することを
    特徴とする請求項１又は請求項７記載のメタルキャリヤ
    フレームを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造方法。
  9. 【請求項９】 ユニットＰＣＢ基板の付着段階で接着に
    熱伝導性に優れた銀充填エポキシを使用することを特徴
    とする請求項１記載のメタルキャリヤフレームを用いた
    ＢＧＡ半導体パッケージの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記メタルキャリヤフレームの形成段
    階で、メタルキャリヤフレームのＰＣＢ基板支持部の上
    面のホールに隣接した部分に溝を形成することを特徴と
    する請求項１記載のメタルキャリヤフレームを用いたＢ
    ＧＡ半導体パッケージの製造方法。
  11. 【請求項１１】 溝が形成された周辺領域を下方に断層
    に形成することを特徴とする請求項１０記載のメタルキ
    ャリヤフレームを用いたＢＧＡ半導体パッケージの製造
    方法。
  12. 【請求項１２】 ユニットＰＣＢ基板の銅回路パターン
    を含む領域にソルダレジスト層を積層することを特徴と
    する請求項１記載のメタルキャリヤフレームを用いたＢ
    ＧＡ半導体パッケージの製造方法。
  13. 【請求項１３】 半導体チップと、 前記半導体チップが上面に実装され、前記半導体チップ
    の実装された領域の他側に銅回路パターンが形成されて
    いるＰＣＢ基板と、 前記半導体チップと銅回路パターンとを電気的に接続さ
    せるボンドワイヤーと、 前記ＰＣＢ基板の上面外郭に、前記半導体チップを取り
    囲む形態に接着される四角環状のヒートスプレッダと、 前記半導体チップとワイヤーとを外部環境から保護する
    よう、前記四角環状のヒートスプレッダの内側領域を封
    止するモルディングコンパウンドと、 前記ＰＣＢ基板の底面に入出力端子として形成される多
    数のソルダボールとから構成されることを特徴とするＢ
    ＧＡ半導体パッケージ。
  14. 【請求項１４】 前記ヒートスプレッダの上面が銀又は
    パラジウムスポット鍍金、又はニッケル鍍金されること
    を特徴とする請求項１３記載のＢＧＡ半導体パッケー
    ジ。
  15. 【請求項１５】 ヒートスプレッダの上面一部がモルデ
    ィングコンパウンドにより封止され、前記封止された上
    面がグラウンドボンディングされることを特徴とする請
    求項１３記載のＢＧＡ半導体パッケージ。
  16. 【請求項１６】 モルディングコンパウンドにより封止
    されるヒートスプレッダの上面領域に多数のＶ形溝が形
    成されることを特徴とする請求項１５記載のＢＧＡ半導
    体パッケージ。
  17. 【請求項１７】 モルディングコンパウンドにより封止
    されるヒートスプレッダの上面領域が下方に断層に形成
    されることを特徴とする請求項１５又は１６記載のＢＧ
    Ａ半導体パッケージ。
  18. 【請求項１８】 ヒートスプレッダに隣接した部分のモ
    ルディングコンパウンドが前記ヒートスプレッダの上面
    と同一平面を成すことを特徴とする請求項１３記載のＢ
    ＧＡ半導体パッケージ。
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