JPH1084230A - 増幅器、光受信回路および回路装置 - Google Patents
増幅器、光受信回路および回路装置Info
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- JPH1084230A JPH1084230A JP8237991A JP23799196A JPH1084230A JP H1084230 A JPH1084230 A JP H1084230A JP 8237991 A JP8237991 A JP 8237991A JP 23799196 A JP23799196 A JP 23799196A JP H1084230 A JPH1084230 A JP H1084230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】増幅器の周波数特性のうねりを広帯域に亘って
低減して平坦化する。 【解決手段】光信号を受信して電気信号に変換するフォ
トダイオード２と；フォトダイオード２の出力側に直列
に挿入された外付けコイル３と；外付けコイル３に接続
されたコイル１１を内蔵した増幅器５と；を具備してい
る。
低減して平坦化する。 【解決手段】光信号を受信して電気信号に変換するフォ
トダイオード２と；フォトダイオード２の出力側に直列
に挿入された外付けコイル３と；外付けコイル３に接続
されたコイル１１を内蔵した増幅器５と；を具備してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば光ＣＡＴＶ用
の光受信回路とその増幅器並びにこれらを基板上に実装
した回路装置に関する。
の光受信回路とその増幅器並びにこれらを基板上に実装
した回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の光ＣＡＴＶ用の光受信
回路ではフォトダイオード等の受光素子により受信した
光信号を電気信号に変換し、この電気信号を広帯域増幅
器により増幅している。
回路ではフォトダイオード等の受光素子により受信した
光信号を電気信号に変換し、この電気信号を広帯域増幅
器により増幅している。
【０００３】しかし、このフォトダイオードの出力イン
ピーダンスは次段の広帯域増幅器のインピーダンスより
も高いので、このフォトダイオードと増幅器とを直結す
ることはできない。このために、従来よりインダクタＬ
やトランスを使用してこれらのインピーダンスを整合さ
せている。
ピーダンスは次段の広帯域増幅器のインピーダンスより
も高いので、このフォトダイオードと増幅器とを直結す
ることはできない。このために、従来よりインダクタＬ
やトランスを使用してこれらのインピーダンスを整合さ
せている。
【０００４】その一例としては特開平２−２３４５２６
号公報に記載された光受信回路（以下従来技術１とい
う）がある。これは受光素子と広帯域増幅器との間にイ
ンダクタを直列に挿入して入，出力インピーダンスの整
合を図っている。
号公報に記載された光受信回路（以下従来技術１とい
う）がある。これは受光素子と広帯域増幅器との間にイ
ンダクタを直列に挿入して入，出力インピーダンスの整
合を図っている。
【０００５】そして、特開平２−１４６０５号公報に記
載された光受信回路（以下従来技術２という）では増幅
器の帰還抵抗に直列にピーキング用のインダクタを挿入
して増幅器の周波数特性の高域側での拡大を図ってい
る。
載された光受信回路（以下従来技術２という）では増幅
器の帰還抵抗に直列にピーキング用のインダクタを挿入
して増幅器の周波数特性の高域側での拡大を図ってい
る。
【０００６】また、他の従来技術としては増幅器の出力
側に波形整形回路を接続する方法もある。
側に波形整形回路を接続する方法もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術１ではインダクタが１個であるので、その
インダクタンスを大きくすると、周波数特性の高域での
減衰が増大するために、広帯域性が狭小化して高域では
使用することができない。
うな従来技術１ではインダクタが１個であるので、その
インダクタンスを大きくすると、周波数特性の高域での
減衰が増大するために、広帯域性が狭小化して高域では
使用することができない。
【０００８】このために、このインダクタのインダクタ
ンスを小さくしなければならないが、その場合は中域で
のインピーダンス整合が取れず、ゲインが低下してしま
う。
ンスを小さくしなければならないが、その場合は中域で
のインピーダンス整合が取れず、ゲインが低下してしま
う。
【０００９】また、この光受信回路をハイブリッドＩＣ
（集積回路）のマザーボードに実装したときは、このマ
ザーボードのグランド（接地）パターンと、フォトダイ
オードの端子接続ランドやインダクタのランド、並びに
これらフォトダイオード、インダクタおよび増幅器とを
相互に電気的に接続する導体パターンと、の間には迷容
量が発生する。このために、この迷容量が高周波域での
減衰やＬＣ共振を発生させる原因となり、広帯域性の狭
小化と、周波数特性のうねりとをさらに増大させるとい
う課題がある。
（集積回路）のマザーボードに実装したときは、このマ
ザーボードのグランド（接地）パターンと、フォトダイ
オードの端子接続ランドやインダクタのランド、並びに
これらフォトダイオード、インダクタおよび増幅器とを
相互に電気的に接続する導体パターンと、の間には迷容
量が発生する。このために、この迷容量が高周波域での
減衰やＬＣ共振を発生させる原因となり、広帯域性の狭
小化と、周波数特性のうねりとをさらに増大させるとい
う課題がある。
【００１０】そして、従来技術２ではピーキング用のイ
ンダクタにより高周波域でのゲインを上げてさらに高域
側へ延ばすことができても、周波数特性のうねりが増大
し、平坦化が困難であるという課題がある。
ンダクタにより高周波域でのゲインを上げてさらに高域
側へ延ばすことができても、周波数特性のうねりが増大
し、平坦化が困難であるという課題がある。
【００１１】また、増幅器の出力側に波形整形回路を接
続する場合には増幅器の周波数特性のうねりが平坦化さ
れた信号レベルが低下するので、信号歪みがさらに悪化
するという課題がある。
続する場合には増幅器の周波数特性のうねりが平坦化さ
れた信号レベルが低下するので、信号歪みがさらに悪化
するという課題がある。
【００１２】そこで本発明はこのような事情を考慮して
なされたもので、その目的は、周波数特性のうねりを広
帯域に亘って低減して平坦化することができる増幅器、
光受信回路およびハイブリッド集積回路を提供すること
にある。
なされたもので、その目的は、周波数特性のうねりを広
帯域に亘って低減して平坦化することができる増幅器、
光受信回路およびハイブリッド集積回路を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、入力
信号を増幅するトランジスタと；トランジスタを駆動す
る駆動手段と；トランジスタの入力側に直列に挿入され
た第１のインダクタと；を具備していることを特徴とす
る。
信号を増幅するトランジスタと；トランジスタを駆動す
る駆動手段と；トランジスタの入力側に直列に挿入され
た第１のインダクタと；を具備していることを特徴とす
る。
【００１４】この発明によれば、第１のインダクタをト
ランジスタの入力側に直列に挿入しているので、この増
幅器の入力側に例えばフォトダイオード等の受光素子を
接続した場合、この増幅器と受光素子との間に迷容量が
あっても、第１のインダクタのインダクタンスを所定値
に設定することにより、受光素子と増幅器とのインピー
ダンスを整合することができる。このために、増幅器の
所定周波域のゲインを上げて周波数特性を平坦化するこ
とができる。しかも、第１のインダクタを増幅器内に内
蔵しているので、増幅器自体の迷容量を第１のインダク
タのインダクタンスに応じて予め所定量に設定すること
ができる。このために、増幅器の入力側のインピーダン
ス整合の容易性を向上させることができる。
ランジスタの入力側に直列に挿入しているので、この増
幅器の入力側に例えばフォトダイオード等の受光素子を
接続した場合、この増幅器と受光素子との間に迷容量が
あっても、第１のインダクタのインダクタンスを所定値
に設定することにより、受光素子と増幅器とのインピー
ダンスを整合することができる。このために、増幅器の
所定周波域のゲインを上げて周波数特性を平坦化するこ
とができる。しかも、第１のインダクタを増幅器内に内
蔵しているので、増幅器自体の迷容量を第１のインダク
タのインダクタンスに応じて予め所定量に設定すること
ができる。このために、増幅器の入力側のインピーダン
ス整合の容易性を向上させることができる。
【００１５】請求項２記載の発明は、入力信号を増幅す
るトランジスタと；トランジスタを駆動する駆動手段
と；トランジスタの出力の一部をその入力側へ負帰還さ
せる帰還路にキャパシタとインダクタと抵抗とを直列に
挿入すると共に、この抵抗とインダクタとの接続部に、
接地された第２のキャパシタを接続した負帰還部と；を
具備していることを特徴とする。
るトランジスタと；トランジスタを駆動する駆動手段
と；トランジスタの出力の一部をその入力側へ負帰還さ
せる帰還路にキャパシタとインダクタと抵抗とを直列に
挿入すると共に、この抵抗とインダクタとの接続部に、
接地された第２のキャパシタを接続した負帰還部と；を
具備していることを特徴とする。
【００１６】この発明によれば、負帰還部のインダクタ
を所定のインダクタンスに設定することにより、増幅器
の周波数特性の中間周波域の負帰還量を低減させること
によりゲインを上げて平坦化することができる。
を所定のインダクタンスに設定することにより、増幅器
の周波数特性の中間周波域の負帰還量を低減させること
によりゲインを上げて平坦化することができる。
【００１７】また、接地された第２のキャパシタの容量
を所定値に設定することにより増幅器の周波数特性の高
周波域の負帰還量を低減させることによりゲインを上げ
て平坦化することができる。
を所定値に設定することにより増幅器の周波数特性の高
周波域の負帰還量を低減させることによりゲインを上げ
て平坦化することができる。
【００１８】したがって、増幅器の周波数特性を少なく
とも中間周波域と高周波域とで平坦化することができる
と共に、高周波域の平坦化により帯域を高周波域側にさ
らに延ばして広帯域性を向上させることができる。
とも中間周波域と高周波域とで平坦化することができる
と共に、高周波域の平坦化により帯域を高周波域側にさ
らに延ばして広帯域性を向上させることができる。
【００１９】請求項３記載の発明は、トランジスタが複
数段接続されていることを特徴とする。
数段接続されていることを特徴とする。
【００２０】この発明によれば、複数のトランジスタを
多段に接続していので、増幅器のゲインを増大させるこ
とができる。
多段に接続していので、増幅器のゲインを増大させるこ
とができる。
【００２１】請求項４の発明は、第１，第２のトランジ
スタがガリウム砒素（ＧａＡｓ）電界効果トランジスタ
またはＢＪＴであることを特徴とする。
スタがガリウム砒素（ＧａＡｓ）電界効果トランジスタ
またはＢＪＴであることを特徴とする。
【００２２】この発明によれば、トランジスタとして広
帯域高周波特性に優れていると共に、低歪み，低ノイズ
特性を有するＧａＡｓＦＥＴ（ガリウム砒素電界効果ト
ランジスタ），またはＢＪＴを使用するので、増幅器と
してもこれらの特性を奏することができる。
帯域高周波特性に優れていると共に、低歪み，低ノイズ
特性を有するＧａＡｓＦＥＴ（ガリウム砒素電界効果ト
ランジスタ），またはＢＪＴを使用するので、増幅器と
してもこれらの特性を奏することができる。
【００２３】請求項５の発明は、ドレイン接地されたＧ
ａＡｓＦＥＴと；ＧａＡｓＦＥＴを駆動する駆動手段
と；を具備していることを特徴とする。
ａＡｓＦＥＴと；ＧａＡｓＦＥＴを駆動する駆動手段
と；を具備していることを特徴とする。
【００２４】この発明によれば、ＧａＡｓＦＥＴをドレ
イン接地しているので、このＧａＡｓＦＥＴを低周波
（例えば数ＧＨｚ）で使用すると、ゲートとソース間容
量と、ゲートとドレイン間容量とに差異が生じ、高周波
領域でのゲインが無くなるので、高周波数で発振するガ
ン発振等を防止し、ＧａＡｓＦＥＴの特性の一部である
低雑音特性と低歪特性とを得ることができる。
イン接地しているので、このＧａＡｓＦＥＴを低周波
（例えば数ＧＨｚ）で使用すると、ゲートとソース間容
量と、ゲートとドレイン間容量とに差異が生じ、高周波
領域でのゲインが無くなるので、高周波数で発振するガ
ン発振等を防止し、ＧａＡｓＦＥＴの特性の一部である
低雑音特性と低歪特性とを得ることができる。
【００２５】請求項６の発明は、光信号を受信して電気
信号に変換する受光素子と；受光素子の出力側に直列に
挿入された第２のインダクタと；第２のインダクタに入
力側が接続された請求項１ないし５のいずれか一記載の
増幅器と；を具備していることを特徴とする。
信号に変換する受光素子と；受光素子の出力側に直列に
挿入された第２のインダクタと；第２のインダクタに入
力側が接続された請求項１ないし５のいずれか一記載の
増幅器と；を具備していることを特徴とする。
【００２６】この発明によれば、増幅器と受光素子との
間に第１，第２の２個のインダクタを直列に挿入してい
るので、この増幅器と受光素子との間に迷容量があって
も、受光素子と増幅器のインピーダンス整合を、これら
２個のインダクタにより、増幅器側と受光素子側の両側
に分けて段階的に行なうことができる。このために、増
幅器の周波数特性の高周波域と共に、中間周波域でのイ
ンピーダンス整合も行なうことができるので、インダク
タが１個の場合よりも周波数特性のうねりを一層低減さ
せることができる。また、高周波域を平坦化することに
より帯域をさらに高周波域側へ延ばして広帯域性を向上
させることができる。
間に第１，第２の２個のインダクタを直列に挿入してい
るので、この増幅器と受光素子との間に迷容量があって
も、受光素子と増幅器のインピーダンス整合を、これら
２個のインダクタにより、増幅器側と受光素子側の両側
に分けて段階的に行なうことができる。このために、増
幅器の周波数特性の高周波域と共に、中間周波域でのイ
ンピーダンス整合も行なうことができるので、インダク
タが１個の場合よりも周波数特性のうねりを一層低減さ
せることができる。また、高周波域を平坦化することに
より帯域をさらに高周波域側へ延ばして広帯域性を向上
させることができる。
【００２７】さらに、第１のインダクタを増幅器内に内
蔵しているので、増幅器自体の迷容量を第１のインダク
タのインダクタンスに応じて所定量に設定することがで
きる。このために、かかる増幅器の入力側のインピーダ
ンス整合の容易性を一層向上させることができる。
蔵しているので、増幅器自体の迷容量を第１のインダク
タのインダクタンスに応じて所定量に設定することがで
きる。このために、かかる増幅器の入力側のインピーダ
ンス整合の容易性を一層向上させることができる。
【００２８】請求項７の発明は、第１，第２のインダク
タの少なくとも一方が複数であることを特徴とする。
タの少なくとも一方が複数であることを特徴とする。
【００２９】この発明によれば、増幅器側と例えば受光
素子側の第１，第２のインダクタの少なくとも一方を複
数個使用するので、増幅器の入力側のインピーダンス整
合をさらに複数段階に分けて細かく行なうことができ
る。このために、増幅器の周波数特性を広帯域に亘って
一層細かく平坦化することができる。
素子側の第１，第２のインダクタの少なくとも一方を複
数個使用するので、増幅器の入力側のインピーダンス整
合をさらに複数段階に分けて細かく行なうことができ
る。このために、増幅器の周波数特性を広帯域に亘って
一層細かく平坦化することができる。
【００３０】請求項８の発明は、受光素子がフォトダイ
オードであることを特徴とする。
オードであることを特徴とする。
【００３１】この発明によれば、受光素子が出力インピ
ーダンスの高いフォトダイオードであるので、直接トラ
ンジスタに接続できないが、負帰還部のインダクタと第
２のキャパシタとにより増幅器の周波数特性の平坦化を
図ることができる。つまり、この発明によれば、入力信
号の波形成形を増幅器の負帰還部で行なうので、信号歪
みの悪化を低減することができる。
ーダンスの高いフォトダイオードであるので、直接トラ
ンジスタに接続できないが、負帰還部のインダクタと第
２のキャパシタとにより増幅器の周波数特性の平坦化を
図ることができる。つまり、この発明によれば、入力信
号の波形成形を増幅器の負帰還部で行なうので、信号歪
みの悪化を低減することができる。
【００３２】請求項９の発明は、請求項６ないし８のい
ずれか一記載の光受信回路と；光受信回路を実装せしめ
ると共に、この光受信回路の導体パターンと接地パター
ンとを形成した基板と；を具備していることを特徴とす
る。
ずれか一記載の光受信回路と；光受信回路を実装せしめ
ると共に、この光受信回路の導体パターンと接地パター
ンとを形成した基板と；を具備していることを特徴とす
る。
【００３３】この発明によれば、ハイブリッド集積回路
等の回路装置の増幅器の周波数特性は、その負帰還部の
インダクタと第２のキャパシタとにより例えば中間周波
域と高周波域とでゲインを上昇させて平坦化することが
できると共に、帯域をさらに高周波域側に延ばして広帯
域性を向上させることができる。
等の回路装置の増幅器の周波数特性は、その負帰還部の
インダクタと第２のキャパシタとにより例えば中間周波
域と高周波域とでゲインを上昇させて平坦化することが
できると共に、帯域をさらに高周波域側に延ばして広帯
域性を向上させることができる。
【００３４】請求項１０の発明は、第２のキャパシタが
基板の導体パターンと接地パターンとの間に発生する迷
容量であることを特徴とする。
基板の導体パターンと接地パターンとの間に発生する迷
容量であることを特徴とする。
【００３５】この発明によれば、負帰還部のキャパシタ
は極めて小容量であり、作成は必ずしも容易ではない
が、このキャパシタとして、基板の導体パターンと接地
パターンとの間で発生する小容量の迷容量を使用するの
で、キャパシタを別途作成する必要がなく、部品数を削
減することができる。
は極めて小容量であり、作成は必ずしも容易ではない
が、このキャパシタとして、基板の導体パターンと接地
パターンとの間で発生する小容量の迷容量を使用するの
で、キャパシタを別途作成する必要がなく、部品数を削
減することができる。
【００３６】請求項１１の発明は、一面に高インピーダ
ンス回路を形成すると共に、その裏面に接地パターンを
形成する一方、この高インピーダンス回路に対応する接
地パターンの一部を削除した基板；を具備していること
を特徴とする。
ンス回路を形成すると共に、その裏面に接地パターンを
形成する一方、この高インピーダンス回路に対応する接
地パターンの一部を削除した基板；を具備していること
を特徴とする。
【００３７】ここで高インピーダンス回路とは高いイン
ピーダンスを有する例えばフォトダイオード等から出力
された信号が通るラインをいう。
ピーダンスを有する例えばフォトダイオード等から出力
された信号が通るラインをいう。
【００３８】この発明によれば、基板裏面の接地パター
ンの一部を、ＧａＡｓＦＥＴ等増幅器の高インピーダン
ス回路に対応する部分にて削除するので、高インピーダ
ンス回路と接地パターンとの間で発生する基板の迷容量
を低減することができる。この迷容量は入力信号のイン
ピーダンスが高ければ高いほど増大して見えて信号伝送
損失を増大させるものである。したがって、この発明は
迷容量を低減することができるので、信号伝送損失を低
減することができる。このために、増幅器の周波数特性
を広帯域で平坦化することができる。
ンの一部を、ＧａＡｓＦＥＴ等増幅器の高インピーダン
ス回路に対応する部分にて削除するので、高インピーダ
ンス回路と接地パターンとの間で発生する基板の迷容量
を低減することができる。この迷容量は入力信号のイン
ピーダンスが高ければ高いほど増大して見えて信号伝送
損失を増大させるものである。したがって、この発明は
迷容量を低減することができるので、信号伝送損失を低
減することができる。このために、増幅器の周波数特性
を広帯域で平坦化することができる。
【００３９】請求項１２の発明は、請求項９記載の基板
が請求項１１記載の基板であることを特徴とする。
が請求項１１記載の基板であることを特徴とする。
【００４０】この発明によれば、請求項１１の発明に係
る基板を具備しているので、請求項１１の発明と同様の
作用効果を奏することができるうえに、請求項６ないし
８のいずれかの光受信回路の第１，第２インダクタによ
り増幅器の周波数特性をさらに一層広帯域で平坦化する
ことができる。
る基板を具備しているので、請求項１１の発明と同様の
作用効果を奏することができるうえに、請求項６ないし
８のいずれかの光受信回路の第１，第２インダクタによ
り増幅器の周波数特性をさらに一層広帯域で平坦化する
ことができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を参照して本発
明の実施形態を説明する。なお、これらの図中、同一ま
たは相当部分には同一符号を付している。
明の実施形態を説明する。なお、これらの図中、同一ま
たは相当部分には同一符号を付している。
【００４２】図１は本発明の第１の実施形態に係る光受
信回路１の全体構成を示す概略電子回路図である。この
図１で示す光受信回路１は例えば光ＣＡＴＶ用の光受信
回路であり、受光素子であるフォトダイオード２の出力
側に、第２のインダクタである外付けコイル３を介在さ
せている導電路４により、増幅器５の入力端６を接続し
ている高インピーダンス回路である。
信回路１の全体構成を示す概略電子回路図である。この
図１で示す光受信回路１は例えば光ＣＡＴＶ用の光受信
回路であり、受光素子であるフォトダイオード２の出力
側に、第２のインダクタである外付けコイル３を介在さ
せている導電路４により、増幅器５の入力端６を接続し
ている高インピーダンス回路である。
【００４３】フォトダイオード２は例えば光ＣＡＴＶ用
の光信号を受信して広帯域の高周波（例えば５０Ｍ〜７
７０ＭＨｚ）の電気信号に変換して増幅器５に与えるも
のである。
の光信号を受信して広帯域の高周波（例えば５０Ｍ〜７
７０ＭＨｚ）の電気信号に変換して増幅器５に与えるも
のである。
【００４４】図２に示すように増幅器５は、第１のトラ
ンジスタである高周波増幅用の第１のＧａＡｓＦＥＴ
（ガリウム砒素電界効果トランジスタ）７の出力側に、
インピーダンス整合部８を介して、第１のトランジスタ
７と逆歪み特性を有する第２のトランジスタである第２
のＧａＡｓＦＥＴ９の入力側を直列に接続して広帯域２
段増幅器に構成している。
ンジスタである高周波増幅用の第１のＧａＡｓＦＥＴ
（ガリウム砒素電界効果トランジスタ）７の出力側に、
インピーダンス整合部８を介して、第１のトランジスタ
７と逆歪み特性を有する第２のトランジスタである第２
のＧａＡｓＦＥＴ９の入力側を直列に接続して広帯域２
段増幅器に構成している。
【００４５】第１のＦＥＴ７はそのドレインＤ側を接地
する一方、入力側であるゲートＧ側を結合コンデンサー
１０と第１のインダクタである内蔵コイル１１を介して
入力端６に電気的に接続している。また、第１のＦＥＴ
７のゲートＧ側には第１のゲートバイアス部１２と、第
１の負帰還部１３の一端が接続され、第１の負帰還部１
３の他端は第１のＦＥＴ１２の出力側であるソースＳ側
に接続されている。このソースＳ側にはさらにトランジ
スタ駆動手段である第１のバイアス部１４が接続されて
いる。
する一方、入力側であるゲートＧ側を結合コンデンサー
１０と第１のインダクタである内蔵コイル１１を介して
入力端６に電気的に接続している。また、第１のＦＥＴ
７のゲートＧ側には第１のゲートバイアス部１２と、第
１の負帰還部１３の一端が接続され、第１の負帰還部１
３の他端は第１のＦＥＴ１２の出力側であるソースＳ側
に接続されている。このソースＳ側にはさらにトランジ
スタ駆動手段である第１のバイアス部１４が接続されて
いる。
【００４６】これと同様にドレイン接地の第２のＦＥＴ
９にも第２のゲートバイアス部１５、第２の負帰還部１
６、第２のバイアス部１７、結合コンデンサー１８をそ
れぞれ接続し、結合コンデンサー２３の出力側には出力
端２４をそれぞれ接続している。
９にも第２のゲートバイアス部１５、第２の負帰還部１
６、第２のバイアス部１７、結合コンデンサー１８をそ
れぞれ接続し、結合コンデンサー２３の出力側には出力
端２４をそれぞれ接続している。
【００４７】第１のバイアス部１４は第１のＦＥＴ７の
バイアス点を、入力信号の非対称波形歪みを周波数特性
の例えば低域側（または高域側）で主に補正しつつ高ゲ
インで増幅することができるバイアス点に設定して第１
のＦＥＴ７を駆動する。このバイアス点は第１のゲート
バイアス部１２により適宜調節することができる。第１
のゲートバイアス部１２は例えば半固定式可変抵抗器よ
りなり、その抵抗値を適宜調節してゲート入力電圧を制
御することにより第１のバイアス点を適宜調節するよう
になっている。
バイアス点を、入力信号の非対称波形歪みを周波数特性
の例えば低域側（または高域側）で主に補正しつつ高ゲ
インで増幅することができるバイアス点に設定して第１
のＦＥＴ７を駆動する。このバイアス点は第１のゲート
バイアス部１２により適宜調節することができる。第１
のゲートバイアス部１２は例えば半固定式可変抵抗器よ
りなり、その抵抗値を適宜調節してゲート入力電圧を制
御することにより第１のバイアス点を適宜調節するよう
になっている。
【００４８】これに対し、第２のバイアス部１７は、第
２のＦＥＴ９のバイアス点を、入力信号の非対称歪みを
例えば高域側（または低域側）で補正すると共に、第
１，第２のＦＥＴ７，９自体の非線形性等に伴う歪みを
相殺して補正しつつ高ゲインで増幅し得るバイアス点に
設定している。つまり、第１，第２のＦＥＴ７，９のバ
イアス点は、入力信号の非対称波形歪みを広帯域で補正
すると共に、第１，第２のＦＥＴ７，９の非線形性等に
伴う非対称歪みを相殺し得るバイアス点に設定されてい
る。
２のＦＥＴ９のバイアス点を、入力信号の非対称歪みを
例えば高域側（または低域側）で補正すると共に、第
１，第２のＦＥＴ７，９自体の非線形性等に伴う歪みを
相殺して補正しつつ高ゲインで増幅し得るバイアス点に
設定している。つまり、第１，第２のＦＥＴ７，９のバ
イアス点は、入力信号の非対称波形歪みを広帯域で補正
すると共に、第１，第２のＦＥＴ７，９の非線形性等に
伴う非対称歪みを相殺し得るバイアス点に設定されてい
る。
【００４９】そして、このように構成された光受信回路
１は回路装置であるハイブリッドＩＣ（集積回路）に構
成される。つまり、図１で示す光受信回路１は図示しな
いハイブリッドＩＣ基板であるマザーボード上に、フォ
トダイオード２、外付けコイル３、増幅器５とを実装
し、導電路４をこの基板の導体パターンにより形成して
いる。さらに、このマザーボード上には導電路４の近
傍、またはその基板裏面側にてグランド（接地）パター
ンが形成されている。このために、導電路４とグランド
パターンとの間には迷容量Ｃｏが分布する。
１は回路装置であるハイブリッドＩＣ（集積回路）に構
成される。つまり、図１で示す光受信回路１は図示しな
いハイブリッドＩＣ基板であるマザーボード上に、フォ
トダイオード２、外付けコイル３、増幅器５とを実装
し、導電路４をこの基板の導体パターンにより形成して
いる。さらに、このマザーボード上には導電路４の近
傍、またはその基板裏面側にてグランド（接地）パター
ンが形成されている。このために、導電路４とグランド
パターンとの間には迷容量Ｃｏが分布する。
【００５０】また、マザーボードではフォトダイオード
２の端子接続ランドや外付けコイル３のランド、これら
同士を接続する導体パターンとグランドパターンとの間
にも迷容量が発生する。
２の端子接続ランドや外付けコイル３のランド、これら
同士を接続する導体パターンとグランドパターンとの間
にも迷容量が発生する。
【００５１】この迷容量は入力信号のインピーダンスが
高ければ高いほど増大して見えて信号伝送損失を増大さ
せるものである。
高ければ高いほど増大して見えて信号伝送損失を増大さ
せるものである。
【００５２】そして、この迷容量Ｃｏを低減する方法と
しては、信号伝送ラインの幅等を狭めるか、低誘電率基
板を用いる方法があるが、その狭小化と低誘電率には自
ずと限界がある。
しては、信号伝送ラインの幅等を狭めるか、低誘電率基
板を用いる方法があるが、その狭小化と低誘電率には自
ずと限界がある。
【００５３】また、空中配線が最良ではあるが、高周波
特性の良いチップ部品を用いなければ高周波での損失が
大きくなるため、実際にチップ部品を接続した場合、現
実的ではない。
特性の良いチップ部品を用いなければ高周波での損失が
大きくなるため、実際にチップ部品を接続した場合、現
実的ではない。
【００５４】そこで、本実施形態では高インピーダンス
回路である光受信回路に対応して基板裏面の接地パター
ンの一部を削除して迷容量を低減することにより、信号
伝送損失の低減を図っている。
回路である光受信回路に対応して基板裏面の接地パター
ンの一部を削除して迷容量を低減することにより、信号
伝送損失の低減を図っている。
【００５５】そして、この実施形態によれば、外付けコ
イル３と内蔵コイル１１とによりフォトダイオード２側
と増幅器５側とに分けて２段階でインピーダンスを整合
するので、増幅器５の周波数特性を広帯域に亘って平坦
化することができる。
イル３と内蔵コイル１１とによりフォトダイオード２側
と増幅器５側とに分けて２段階でインピーダンスを整合
するので、増幅器５の周波数特性を広帯域に亘って平坦
化することができる。
【００５６】図３はこの増幅器５の周波数特性を示すグ
ラフであり、図中破線ａは外付けのコイル３のみを設け
た場合の周波数特性を示し、図中実線ｂは外付けコイル
３と内蔵コイル１１とを共に設けた本実施形態の場合の
周波数特性を示している。
ラフであり、図中破線ａは外付けのコイル３のみを設け
た場合の周波数特性を示し、図中実線ｂは外付けコイル
３と内蔵コイル１１とを共に設けた本実施形態の場合の
周波数特性を示している。
【００５７】つまり、本実施形態に係る増幅器５は内蔵
コイル１１を内蔵しているので、マザーボードの迷容量
を低減することができ、これにより、ＬＣ共振等の不具
合を周波数特性の帯域外に追いやることができる。
コイル１１を内蔵しているので、マザーボードの迷容量
を低減することができ、これにより、ＬＣ共振等の不具
合を周波数特性の帯域外に追いやることができる。
【００５８】また、迷容量Ｃｏの両側に２つのコイル、
つまり外付けコイル３と内蔵コイル１１とを設けている
ので、外付けコイル３のインダクタンスを大きくして、
高周波域でのゲイン低下が増大するのを防止することが
できる。
つまり外付けコイル３と内蔵コイル１１とを設けている
ので、外付けコイル３のインダクタンスを大きくして、
高周波域でのゲイン低下が増大するのを防止することが
できる。
【００５９】さらに、内蔵コイル１１のインダクタンス
も大きくすることができるので、図３に示すように中間
周波域でのゲインを上昇させて平坦化させることができ
る。しかも、基板裏面の接地パターンの光受信回路に対
応する部分を削除して基板の迷容量を低減しているの
で、迷容量の影響が大きい高インピーダンス回路におい
て、特に損失を少なくできる。
も大きくすることができるので、図３に示すように中間
周波域でのゲインを上昇させて平坦化させることができ
る。しかも、基板裏面の接地パターンの光受信回路に対
応する部分を削除して基板の迷容量を低減しているの
で、迷容量の影響が大きい高インピーダンス回路におい
て、特に損失を少なくできる。
【００６０】さらにまた、広帯域高周波用の第１，第２
のＧａＡｓＦＥＴ７，９をドレイン接地で使用している
ので、高周波領域での発振等による不具合を防止するこ
とができる。
のＧａＡｓＦＥＴ７，９をドレイン接地で使用している
ので、高周波領域での発振等による不具合を防止するこ
とができる。
【００６１】つまり、本来、ＧａＡｓＦＥＴ７，９は高
周波（１０ＧＨｚ以上）で使用するために設計されてい
るが、ＧａＡｓＦＥＴの低雑音特性や低歪特性を利用す
るために、これを低い周波数（数ＧＨｚ）でも使用した
い場合がある。しかし、この場合はガン発振等の高周波
領域での発振が生じる等の問題が発生する。
周波（１０ＧＨｚ以上）で使用するために設計されてい
るが、ＧａＡｓＦＥＴの低雑音特性や低歪特性を利用す
るために、これを低い周波数（数ＧＨｚ）でも使用した
い場合がある。しかし、この場合はガン発振等の高周波
領域での発振が生じる等の問題が発生する。
【００６２】そこで、本実施形態では第１，第２ＧａＡ
ｓＦＥＴ７，９をドレイン接地している。このために、
これらＦＥＴ７，９のゲートＧとソースＳ間との容量
と、ゲートＧとドレインＤ間との容量とに差異を生じさ
せ、高周波数領域でのゲインを無くし、周波数で発振す
るガン発振等を防ぎ、低雑音特性や低歪特性を犠牲にす
ることなく、安定した増幅器を形成することが可能とな
る。これにより、増幅器５の周波数特性を図３に示すよ
うに低域から高域までの広帯域に亘って平坦化すること
ができる。
ｓＦＥＴ７，９をドレイン接地している。このために、
これらＦＥＴ７，９のゲートＧとソースＳ間との容量
と、ゲートＧとドレインＤ間との容量とに差異を生じさ
せ、高周波数領域でのゲインを無くし、周波数で発振す
るガン発振等を防ぎ、低雑音特性や低歪特性を犠牲にす
ることなく、安定した増幅器を形成することが可能とな
る。これにより、増幅器５の周波数特性を図３に示すよ
うに低域から高域までの広帯域に亘って平坦化すること
ができる。
【００６３】図４は上記増幅器５の第１の負帰還部１３
の拡大電子回路図である。この第１の負帰還部１３は、
第１のＦＥＴ７の入力側Ｇから出力側Ｄに向けて帰還用
の抵抗１３ａ、コイル１３ｂおよびキャパシタである結
合コンデンサー１３ｃとをこの順に順次直列に接続した
直列回路を挿入すると共に、接地されている第２のキャ
パシタであるコンデンサー１３ｄを、抵抗１３ａとコイ
ル１３ｂとの接続点に接続している点に特徴がある。
の拡大電子回路図である。この第１の負帰還部１３は、
第１のＦＥＴ７の入力側Ｇから出力側Ｄに向けて帰還用
の抵抗１３ａ、コイル１３ｂおよびキャパシタである結
合コンデンサー１３ｃとをこの順に順次直列に接続した
直列回路を挿入すると共に、接地されている第２のキャ
パシタであるコンデンサー１３ｄを、抵抗１３ａとコイ
ル１３ｂとの接続点に接続している点に特徴がある。
【００６４】図５はこの増幅器５の周波数特性を示して
おり、図中破線ｃは負帰還量がゼロの無帰還時の周波数
特性を示し、図中一点鎖線ｄは結合コンデンサー１３ｃ
に抵抗１３ａとコイル１３ｂとを設けた場合の周波数特
性を、図中実線ｅはこれら１３ａ〜１３ｃに第２のコン
デンサー１３ｄを設けた本実施形態に係る増幅器５の周
波数特性を示している。
おり、図中破線ｃは負帰還量がゼロの無帰還時の周波数
特性を示し、図中一点鎖線ｄは結合コンデンサー１３ｃ
に抵抗１３ａとコイル１３ｂとを設けた場合の周波数特
性を、図中実線ｅはこれら１３ａ〜１３ｃに第２のコン
デンサー１３ｄを設けた本実施形態に係る増幅器５の周
波数特性を示している。
【００６５】つまり、本実施形態の増幅器５によれば、
帰還用のコイル１３ｂのインダクタンスを適宜設定する
ことにより、中間周波域にて誘導性リアクタンスを低減
させて帰還量を低減させ、この中間域でのゲインを上昇
させてうねりを低減させている。
帰還用のコイル１３ｂのインダクタンスを適宜設定する
ことにより、中間周波域にて誘導性リアクタンスを低減
させて帰還量を低減させ、この中間域でのゲインを上昇
させてうねりを低減させている。
【００６６】しかし、このコイル１３ｂは高周波域では
誘導性リアクタンスが増大するので、このままでは高域
側でのゲインを低下させる。そこで、第２のコンデンサ
ー１３ｄの容量を適宜設定することにより高域側にて容
量性リアクタンスを低減させて負帰還量を低減させてゲ
インを上昇させる一方、ＬＣピーキングを高域側へ追い
やることにより周波数特性のうねりを低減させると共
に、高域側に帯域を延ばすことができる。
誘導性リアクタンスが増大するので、このままでは高域
側でのゲインを低下させる。そこで、第２のコンデンサ
ー１３ｄの容量を適宜設定することにより高域側にて容
量性リアクタンスを低減させて負帰還量を低減させてゲ
インを上昇させる一方、ＬＣピーキングを高域側へ追い
やることにより周波数特性のうねりを低減させると共
に、高域側に帯域を延ばすことができる。
【００６７】したがって本実施形態によれば、増幅器５
の周波数特性の平坦化と広帯域性とを共に向上させるこ
とができる。
の周波数特性の平坦化と広帯域性とを共に向上させるこ
とができる。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明は、
第１のインダクタをトランジスタの入力側に直列に挿入
しているので、この増幅器の入力側に例えばフォトダイ
オード等の受光素子を接続した場合、この増幅器と受光
素子との間に迷容量があっても、第１のインダクタのイ
ンダクタンスを所定値に設定することにより、受光素子
と増幅器とのインピーダンスを整合することができる。
このために、増幅器の所定周波域のゲインを上げて周波
数特性を平坦化することができる。しかも、第１のイン
ダクタを増幅器内に内蔵しているので、増幅器自体の迷
容量を第１のインダクタのインダクタンスに応じて予め
所定量に設定することができる。このために、増幅器の
入力側のインピーダンス整合の容易性を向上させること
ができる。
第１のインダクタをトランジスタの入力側に直列に挿入
しているので、この増幅器の入力側に例えばフォトダイ
オード等の受光素子を接続した場合、この増幅器と受光
素子との間に迷容量があっても、第１のインダクタのイ
ンダクタンスを所定値に設定することにより、受光素子
と増幅器とのインピーダンスを整合することができる。
このために、増幅器の所定周波域のゲインを上げて周波
数特性を平坦化することができる。しかも、第１のイン
ダクタを増幅器内に内蔵しているので、増幅器自体の迷
容量を第１のインダクタのインダクタンスに応じて予め
所定量に設定することができる。このために、増幅器の
入力側のインピーダンス整合の容易性を向上させること
ができる。
【００６９】請求項２記載の発明によれば、負帰還部の
インダクタを所定のインダクタンスに設定することによ
り、増幅器の周波数特性の中間周波域の負帰還量を低減
させることによりゲインを上げて平坦化することができ
る。
インダクタを所定のインダクタンスに設定することによ
り、増幅器の周波数特性の中間周波域の負帰還量を低減
させることによりゲインを上げて平坦化することができ
る。
【００７０】また、接地された第２のキャパシタの容量
を所定値に設定することにより増幅器の周波数特性の高
周波域の負帰還量を低減させることによりゲインを上げ
て平坦化することができる。
を所定値に設定することにより増幅器の周波数特性の高
周波域の負帰還量を低減させることによりゲインを上げ
て平坦化することができる。
【００７１】したがって、増幅器の周波数特性を少なく
とも中間周波域と高周波域とで平坦化することができる
と共に、高周波域の平坦化により帯域を高周波域側にさ
らに延ばして広帯域性を向上させることができる。
とも中間周波域と高周波域とで平坦化することができる
と共に、高周波域の平坦化により帯域を高周波域側にさ
らに延ばして広帯域性を向上させることができる。
【００７２】請求項３記載の発明によれば、複数のトラ
ンジスタを多段に接続していので、増幅器のゲインを増
大させることができる。
ンジスタを多段に接続していので、増幅器のゲインを増
大させることができる。
【００７３】請求項４の発明によれば、トランジスタと
して広帯域高周波特性に優れていると共に、低歪み，低
ノイズ特性を有するＧａＡｓＦＥＴ（ガリウム砒素電界
効果トランジスタ），またはＢＪＴを使用するので、増
幅器としてもこれらの特性を奏することができる。
して広帯域高周波特性に優れていると共に、低歪み，低
ノイズ特性を有するＧａＡｓＦＥＴ（ガリウム砒素電界
効果トランジスタ），またはＢＪＴを使用するので、増
幅器としてもこれらの特性を奏することができる。
【００７４】請求項５の発明によれば、ＧａＡｓＦＥＴ
をドレイン接地しているので、このＧａＡｓＦＥＴを低
周波（例えば数ＧＨｚ）で使用すると、ゲートとソース
間容量と、ゲートとドレイン間容量とに差異が生じ、高
周波領域でのゲインが無くなるので、高周波数で発振す
るガン発振等を防止し、ＧａＡｓＦＥＴの特性の一部で
ある低雑音特性と低歪特性とを得ることができる。
をドレイン接地しているので、このＧａＡｓＦＥＴを低
周波（例えば数ＧＨｚ）で使用すると、ゲートとソース
間容量と、ゲートとドレイン間容量とに差異が生じ、高
周波領域でのゲインが無くなるので、高周波数で発振す
るガン発振等を防止し、ＧａＡｓＦＥＴの特性の一部で
ある低雑音特性と低歪特性とを得ることができる。
【００７５】請求項６の発明によれば、増幅器と受光素
子との間に第１，第２の２個のインダクタを直列に挿入
しているので、この増幅器と受光素子との間に迷容量が
あっても、受光素子と増幅器のインピーダンス整合を、
これら２個のインダクタにより、増幅器側と受光素子側
の両側に分けて段階的に行なうことができる。このため
に、増幅器の周波数特性の高周波域と共に、中間周波域
でのインピーダンス整合も行なうことができるので、イ
ンダクタが１個の場合よりも周波数特性のうねりを一層
低減させることができる。また、高周波域を平坦化する
ことにより帯域をさらに高周波域側へ延ばして広帯域性
を向上させることができる。
子との間に第１，第２の２個のインダクタを直列に挿入
しているので、この増幅器と受光素子との間に迷容量が
あっても、受光素子と増幅器のインピーダンス整合を、
これら２個のインダクタにより、増幅器側と受光素子側
の両側に分けて段階的に行なうことができる。このため
に、増幅器の周波数特性の高周波域と共に、中間周波域
でのインピーダンス整合も行なうことができるので、イ
ンダクタが１個の場合よりも周波数特性のうねりを一層
低減させることができる。また、高周波域を平坦化する
ことにより帯域をさらに高周波域側へ延ばして広帯域性
を向上させることができる。
【００７６】さらに、第１のインダクタを増幅器内に内
蔵しているので、増幅器自体の迷容量を第１のインダク
タのインダクタンスに応じて所定量に設定することがで
きる。このために、かかる増幅器の入力側のインピーダ
ンス整合の容易性を一層向上させることができる。
蔵しているので、増幅器自体の迷容量を第１のインダク
タのインダクタンスに応じて所定量に設定することがで
きる。このために、かかる増幅器の入力側のインピーダ
ンス整合の容易性を一層向上させることができる。
【００７７】請求項７の発明によれば、増幅器側と例え
ば受光素子側の第１，第２のインダクタの少なくとも一
方を複数個使用するので、増幅器の入力側のインピーダ
ンス整合をさらに複数段階に分けて細かく行なうことが
できる。このために、増幅器の周波数特性を広帯域に亘
って一層細かく平坦化することができる。
ば受光素子側の第１，第２のインダクタの少なくとも一
方を複数個使用するので、増幅器の入力側のインピーダ
ンス整合をさらに複数段階に分けて細かく行なうことが
できる。このために、増幅器の周波数特性を広帯域に亘
って一層細かく平坦化することができる。
【００７８】請求項８の発明によれば、受光素子が出力
インピーダンスの高いフォトダイオードであるので、直
接トランジスタに接続できないが、負帰還部のインダク
タと第２のキャパシタとにより増幅器の周波数特性の平
坦化を図ることができる。つまり、この発明によれば、
入力信号の波形成形を増幅器の負帰還部で行なうので、
信号歪みの悪化を低減することができる。
インピーダンスの高いフォトダイオードであるので、直
接トランジスタに接続できないが、負帰還部のインダク
タと第２のキャパシタとにより増幅器の周波数特性の平
坦化を図ることができる。つまり、この発明によれば、
入力信号の波形成形を増幅器の負帰還部で行なうので、
信号歪みの悪化を低減することができる。
【００７９】請求項９の発明によれば、ハイブリッド集
積回路等の回路装置の増幅器の周波数特性は、その負帰
還部のインダクタと第２のキャパシタとにより例えば中
間周波域と高周波域とでゲインを上昇させて平坦化する
ことができると共に、帯域をさらに高周波域側に延ばし
て広帯域性を向上させることができる。
積回路等の回路装置の増幅器の周波数特性は、その負帰
還部のインダクタと第２のキャパシタとにより例えば中
間周波域と高周波域とでゲインを上昇させて平坦化する
ことができると共に、帯域をさらに高周波域側に延ばし
て広帯域性を向上させることができる。
【００８０】請求項１０の発明によれば、負帰還部のキ
ャパシタは極めて小容量であり、作成は必ずしも容易で
はないが、このキャパシタとして、基板の導体パターン
と接地パターンとの間で発生する小容量の迷容量を使用
するので、キャパシタを別途作成する必要がなく、部品
数を削減することができる。
ャパシタは極めて小容量であり、作成は必ずしも容易で
はないが、このキャパシタとして、基板の導体パターン
と接地パターンとの間で発生する小容量の迷容量を使用
するので、キャパシタを別途作成する必要がなく、部品
数を削減することができる。
【００８１】請求項１１の発明によれば、基板裏面の接
地パターンの一部を、ＧａＡｓＦＥＴ等増幅器の高イン
ピーダンス回路に対応する部分にて削除するので、高イ
ンピーダンス回路と接地パターンとの間で発生する基板
の迷容量を低減することができる。この迷容量は入力信
号のインピーダンスが高ければ高いほど増大して見えて
信号伝送損失を増大させるものである。したがって、こ
の発明は迷容量を低減することができるので、信号伝送
損失を低減することができる。このために、増幅器の周
波数特性を広帯域で平坦化することができる。
地パターンの一部を、ＧａＡｓＦＥＴ等増幅器の高イン
ピーダンス回路に対応する部分にて削除するので、高イ
ンピーダンス回路と接地パターンとの間で発生する基板
の迷容量を低減することができる。この迷容量は入力信
号のインピーダンスが高ければ高いほど増大して見えて
信号伝送損失を増大させるものである。したがって、こ
の発明は迷容量を低減することができるので、信号伝送
損失を低減することができる。このために、増幅器の周
波数特性を広帯域で平坦化することができる。
【００８２】請求項１２の発明によれば、請求項１１の
発明に係る基板を具備しているので、請求項１１の発明
と同様の作用効果を奏することができるうえに、請求項
６ないし８のいずれかの光受信回路の第１，第２インダ
クタにより増幅器の周波数特性をさらに一層広帯域で平
坦化することができる。
発明に係る基板を具備しているので、請求項１１の発明
と同様の作用効果を奏することができるうえに、請求項
６ないし８のいずれかの光受信回路の第１，第２インダ
クタにより増幅器の周波数特性をさらに一層広帯域で平
坦化することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光受信回路の概
略電子回路図。
略電子回路図。
【図２】図１で示す増幅器の概略電子回路図。
【図３】図１で示す実施形態の増幅器の周波数特性図。
【図４】図２で示す負帰還部の拡大電子回路図。
【図５】図４で示す負帰還部を有する増幅器の周波数特
性図。
性図。
１ 光受信回路 ２ フォトダイオード（受光素子） ３ 外付けコイル（第２のインダクタ） ４ 導電路 ５ 増幅器 ６ 入力端 ７ 第１のＦＥＴ（第１のトランジスタ） ９ 第２のＦＥＴ（第２のトランジスタ） １１ 第１のコイル（第１のインダクタ） １２ 第１のゲートバイアス部 １３ 第１の負帰還部 １３ａ 第１の負帰還部の抵抗 １３ｂ 第１の負帰還部のコイル １３ｃ 第１の負帰還部の結合コンデンサー １３ｄ 第１の負帰還部のコンデンサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/06
Claims (12)
- 【請求項１】 入力信号を増幅するトランジスタと；ト
ランジスタを駆動する駆動手段と；トランジスタの入力
側に直列に挿入された第１のインダクタと；を具備して
いることを特徴とする増幅器。 - 【請求項２】 入力信号を増幅するトランジスタと；ト
ランジスタを駆動する駆動手段と；トランジスタの出力
の一部をその入力側へ負帰還させる帰還路にキャパシタ
とインダクタと抵抗とを直列に挿入すると共に、この抵
抗とインダクタとの接続部に、接地された第２のキャパ
シタを接続した負帰還部と；を具備していることを特徴
とする増幅器。 - 【請求項３】 トランジスタが複数段接続されているこ
とを特徴とする請求項１または２記載の増幅器。 - 【請求項４】 トランジスタがガリウム砒素電界効果ト
ランジスタ（ＧａＡｓＦＥＴ）またはＢＪＴであること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれか一記載の増幅
器。 - 【請求項５】 ドレイン接地されたＧａＡｓＦＥＴと；
ＧａＡｓＦＥＴを駆動する駆動手段と；を具備している
ことを特徴とする増幅器。 - 【請求項６】 光信号を受信して電気信号に変換する受
光素子と；受光素子の出力側に直列に挿入された第２の
インダクタと；第２のインダクタに入力側が接続された
請求項１ないし５のいずれか一記載の増幅器と；を具備
していることを特徴とする光受信回路。 - 【請求項７】 第１，第２のインダクタの少なくとも一
方が複数であることを特徴とする請求項６記載の光受信
回路。 - 【請求項８】 受光素子がフォトダイオードであること
を特徴とする請求項６または７記載の光受信回路。 - 【請求項９】 請求項６ないし８のいずれか一記載の光
受信回路と；光受信回路を実装せしめると共に、この光
受信回路の導体パターンと接地パターンとを形成した基
板と；を具備していることを特徴とする回路装置。 - 【請求項１０】 第２のキャパシタが基板の導体パター
ンと接地パターンとの間に発生する迷容量であることを
特徴とする請求項９記載の回路装置。 - 【請求項１１】 一面に高インピーダンス回路を形成す
ると共に、その裏面に接地パターンを形成する一方、こ
の高インピーダンス回路に対応する接地パターンの一部
を削除した基板；を具備していることを特徴とする回路
装置。 - 【請求項１２】 請求項９記載の基板が請求項１１記載
の基板であることを特徴とする回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8237991A JPH1084230A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 増幅器、光受信回路および回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8237991A JPH1084230A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 増幅器、光受信回路および回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1084230A true JPH1084230A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17023507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8237991A Withdrawn JPH1084230A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 増幅器、光受信回路および回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1084230A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001298329A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-10-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 無線周波増幅器 |
| US7141155B2 (en) | 2003-02-18 | 2006-11-28 | Parker-Hannifin Corporation | Polishing article for electro-chemical mechanical polishing |
| JP2009016979A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トランスインピーダンスアンプ |
| JP2009021938A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Alps Electric Co Ltd | 負帰還増幅回路 |
| JP2011004186A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Saito Com Co Ltd | 地上波デジタルテレビ用アンテナブースタユニット |
| JP2015154485A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 富士通株式会社 | 増幅回路の帯域幅を改善するための方法及び回路 |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP8237991A patent/JPH1084230A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009021938A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Alps Electric Co Ltd | 負帰還増幅回路 |
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| JP2015154485A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 富士通株式会社 | 増幅回路の帯域幅を改善するための方法及び回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040811 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040811 |