JPH1084494A - 水平偏向高圧発生回路 - Google Patents
水平偏向高圧発生回路Info
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- JPH1084494A JPH1084494A JP25744796A JP25744796A JPH1084494A JP H1084494 A JPH1084494 A JP H1084494A JP 25744796 A JP25744796 A JP 25744796A JP 25744796 A JP25744796 A JP 25744796A JP H1084494 A JPH1084494 A JP H1084494A
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Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路に異常が発生した場合に、瞬時に水平出
力動作を停止させることができる水平偏向高圧発生回路
を提供する。 【解決手段】 水平出力トランジスタ12,ダンパーダ
イオード14,帰線共振コンデンサ15は第1の水平パ
ルス発生回路を構成し、補助水平出力FET19,ダン
パーダイオード20,帰線共振コンデンサ21は第2の
水平パルス発生回路を構成している。第1及び第2の水
平パルス発生回路には水平偏向コイル16とS字補正コ
ンデンサ17との直列回路とフライバックトランス2が
並列に接続されている。電圧検知回路6及び電流検知回
路7の出力は保持回路26を介してFET19のドライ
ブ回路(トランジスタ27等)に作用してFET19を
遮断状態にする。これにより、強制的に水平出力動作を
停止させる。
力動作を停止させることができる水平偏向高圧発生回路
を提供する。 【解決手段】 水平出力トランジスタ12,ダンパーダ
イオード14,帰線共振コンデンサ15は第1の水平パ
ルス発生回路を構成し、補助水平出力FET19,ダン
パーダイオード20,帰線共振コンデンサ21は第2の
水平パルス発生回路を構成している。第1及び第2の水
平パルス発生回路には水平偏向コイル16とS字補正コ
ンデンサ17との直列回路とフライバックトランス2が
並列に接続されている。電圧検知回路6及び電流検知回
路7の出力は保持回路26を介してFET19のドライ
ブ回路(トランジスタ27等)に作用してFET19を
遮断状態にする。これにより、強制的に水平出力動作を
停止させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、受像管ディスプレ
イ機器の水平偏向高圧発生回路の改良に係り、特に、機
器内の他の部分の故障等により、回路に供給される直流
電源電圧が異常に上昇したり、あるいは回路の消費電流
が異常に増加したような場合において、速やかに水平出
力回路に流れる電流を遮断し、回路が二次破壊に至るこ
とを効果的に防止することができる水平偏向高圧発生回
路に関する。
イ機器の水平偏向高圧発生回路の改良に係り、特に、機
器内の他の部分の故障等により、回路に供給される直流
電源電圧が異常に上昇したり、あるいは回路の消費電流
が異常に増加したような場合において、速やかに水平出
力回路に流れる電流を遮断し、回路が二次破壊に至るこ
とを効果的に防止することができる水平偏向高圧発生回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のディスプレイ機器の水平偏向高圧
発生回路とその動作用電源の供給方法の一例を図4に示
し、従来の水平偏向高圧発生回路における水平出力停止
の方法について説明する。図4において、水平出力回路
1は帰線パルス(水平出力パルス)Vcをフライバック
トランス2に供給し、高圧回路5は高圧HVを出力す
る。フライバックトランス2を通して水平出力回路1に
供給される直流電源電圧Eboは、動作の安定化及びその
他の理由により、主電源回路3の出力電圧Ebから一
旦、電圧制御回路4を通して制御された電圧を使用する
ことが多い。このような構成において、もしこの電圧制
御回路4の入出力、即ちp,q間が短絡状態で破損した
場合、水平出力回路1には直接主電源回路3の出力電圧
Ebが加わることになり、当然、正常な動作電圧Eboよ
り高い値になってしまう。
発生回路とその動作用電源の供給方法の一例を図4に示
し、従来の水平偏向高圧発生回路における水平出力停止
の方法について説明する。図4において、水平出力回路
1は帰線パルス(水平出力パルス)Vcをフライバック
トランス2に供給し、高圧回路5は高圧HVを出力す
る。フライバックトランス2を通して水平出力回路1に
供給される直流電源電圧Eboは、動作の安定化及びその
他の理由により、主電源回路3の出力電圧Ebから一
旦、電圧制御回路4を通して制御された電圧を使用する
ことが多い。このような構成において、もしこの電圧制
御回路4の入出力、即ちp,q間が短絡状態で破損した
場合、水平出力回路1には直接主電源回路3の出力電圧
Ebが加わることになり、当然、正常な動作電圧Eboよ
り高い値になってしまう。
【0003】すると、水平出力回路1の各部に二次破損
の危険が生じるばかりでなく、フライバックトランス2
やこの2次側2bにつながる高圧回路5において、X線
放射や発煙、発火等の重大な事故を引き起こしかねな
い。特に、多種の水平偏向周波数に対応するような場
合、この電圧制御回路4における普段の電圧降下値を大
きく設計することが多く、これが短絡状態で破損する
と、水平出力回路1に加わる電源電圧Eboの上昇分が大
きく、事故の影響がより大きくなる。また電圧制御回路
4の破損の他に、フライバックトランス2のレヤーショ
ートや高圧回路5の事故等により、水平出力回路1の負
荷電流Ibが急増することがある。このときもやはり、
水平出力回路1の各部が二次破損を起こす可能性が増え
るだけでなく、先と同様、フライバックトランス2の発
煙や発火、高圧回路5からのX線放射等の問題が起きて
しまう。
の危険が生じるばかりでなく、フライバックトランス2
やこの2次側2bにつながる高圧回路5において、X線
放射や発煙、発火等の重大な事故を引き起こしかねな
い。特に、多種の水平偏向周波数に対応するような場
合、この電圧制御回路4における普段の電圧降下値を大
きく設計することが多く、これが短絡状態で破損する
と、水平出力回路1に加わる電源電圧Eboの上昇分が大
きく、事故の影響がより大きくなる。また電圧制御回路
4の破損の他に、フライバックトランス2のレヤーショ
ートや高圧回路5の事故等により、水平出力回路1の負
荷電流Ibが急増することがある。このときもやはり、
水平出力回路1の各部が二次破損を起こす可能性が増え
るだけでなく、先と同様、フライバックトランス2の発
煙や発火、高圧回路5からのX線放射等の問題が起きて
しまう。
【0004】この危険を避けるため、従来は次のような
対策を施していた。即ち、電圧制御回路4の短絡事故に
対する対策としては、電圧制御回路4の短絡事故の際
に、電圧Eboの増加と同時にフライバックトランス2の
3次巻線2cに発生するパルスVtの波高値も増加する
ことを利用する。このパルスVtの波高値を検知する電
圧検知回路6を設け、パルスVtの波高値が設定値を超
えると、この電圧検知回路6の出力が主電源回路3に作
用して、その出力Ebをシャットダウンさせ、そのまま
ゼロに保持するようにする。すると、たとえ電圧制御回
路4が短絡事故を起こしても、電圧Eboも強制的にゼロ
になるので、発火その他の二次的事故を防ぐことができ
る。なお、破線で示すように、パルスVtの波高値の代
わりに直接電圧Eboの値を検知してもよく、回路の性格
によってはこの方が好都合の場合もある。
対策を施していた。即ち、電圧制御回路4の短絡事故に
対する対策としては、電圧制御回路4の短絡事故の際
に、電圧Eboの増加と同時にフライバックトランス2の
3次巻線2cに発生するパルスVtの波高値も増加する
ことを利用する。このパルスVtの波高値を検知する電
圧検知回路6を設け、パルスVtの波高値が設定値を超
えると、この電圧検知回路6の出力が主電源回路3に作
用して、その出力Ebをシャットダウンさせ、そのまま
ゼロに保持するようにする。すると、たとえ電圧制御回
路4が短絡事故を起こしても、電圧Eboも強制的にゼロ
になるので、発火その他の二次的事故を防ぐことができ
る。なお、破線で示すように、パルスVtの波高値の代
わりに直接電圧Eboの値を検知してもよく、回路の性格
によってはこの方が好都合の場合もある。
【0005】しかし、このパルスVtや直流電圧Ebo
は、前述のフライバックトランス2の巻線2a,2bの
レヤーショート等の場合はその値が増加する訳ではない
ので、この電圧検知回路6による保護は役に立たない。
そこで、これに対処するためには、新たに電流検知回路
7を設けてフライバックトランス2に流れ込む直流電流
Ibを検出し、その出力で同様に主電源回路3の出力電
圧Ebをシャットダウンさせる。フライバックトランス
2のレヤーショートや、高圧回路5の短絡等の事故の場
合はパルスVtは増加しなくとも、電流Ibは大幅に増
加するので、これを電流検知回路7によって検出するの
は容易である。
は、前述のフライバックトランス2の巻線2a,2bの
レヤーショート等の場合はその値が増加する訳ではない
ので、この電圧検知回路6による保護は役に立たない。
そこで、これに対処するためには、新たに電流検知回路
7を設けてフライバックトランス2に流れ込む直流電流
Ibを検出し、その出力で同様に主電源回路3の出力電
圧Ebをシャットダウンさせる。フライバックトランス
2のレヤーショートや、高圧回路5の短絡等の事故の場
合はパルスVtは増加しなくとも、電流Ibは大幅に増
加するので、これを電流検知回路7によって検出するの
は容易である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
図4に示す従来の水平偏向高圧発生回路おいては、回路
の異常時に主電源回路3の出力電圧Ebをゼロにするこ
とによって二次的事故を防止している。しかし、その異
常時の保護動作は若干時間的遅れを持っているのが問題
となっていた。即ち、直流電源電圧Ebの部分にも、電
圧Eboの部分にもリップル分を防ぐため、必ず大容量の
コンデンサ8及び9が接地との間に接続されている。従
って、前述の保護動作により、主電源回路3がシャット
ダウンしても、直流電圧Eb及びEboは瞬時にゼロにな
ることはできず、コンデンサ8,9のチャージの放電に
従って徐々に低下する。
図4に示す従来の水平偏向高圧発生回路おいては、回路
の異常時に主電源回路3の出力電圧Ebをゼロにするこ
とによって二次的事故を防止している。しかし、その異
常時の保護動作は若干時間的遅れを持っているのが問題
となっていた。即ち、直流電源電圧Ebの部分にも、電
圧Eboの部分にもリップル分を防ぐため、必ず大容量の
コンデンサ8及び9が接地との間に接続されている。従
って、前述の保護動作により、主電源回路3がシャット
ダウンしても、直流電圧Eb及びEboは瞬時にゼロにな
ることはできず、コンデンサ8,9のチャージの放電に
従って徐々に低下する。
【0007】特に、水平偏向周波数が多種に渡るディス
プレイモニタの場合、使用周波数の一番低いところで
は、正常動作時の電圧制御回路4の電圧降下量が大き
い。従って、もしこれが短絡破壊を起こすと大幅に電圧
Eboが増加することになり、水平出力回路1やフライバ
ックトランス2、また、高圧回路5に及ぼすダメージが
深刻な問題となりがちである。このように、もし電圧検
知回路6や電流検知回路7が働いて、主電源回路3がシ
ャットダウンしても、電圧Eboが高い状態でしばらく残
っていると、その間に水平出力回路1内の回路素子、例
えば水平出力トランジスタ等が損失過大のために破損し
てしまうことが多い。フライバックトランス2や高圧回
路5内の素子についても同様である。
プレイモニタの場合、使用周波数の一番低いところで
は、正常動作時の電圧制御回路4の電圧降下量が大き
い。従って、もしこれが短絡破壊を起こすと大幅に電圧
Eboが増加することになり、水平出力回路1やフライバ
ックトランス2、また、高圧回路5に及ぼすダメージが
深刻な問題となりがちである。このように、もし電圧検
知回路6や電流検知回路7が働いて、主電源回路3がシ
ャットダウンしても、電圧Eboが高い状態でしばらく残
っていると、その間に水平出力回路1内の回路素子、例
えば水平出力トランジスタ等が損失過大のために破損し
てしまうことが多い。フライバックトランス2や高圧回
路5内の素子についても同様である。
【0008】このことから従来の主電源回路3のシャッ
トダウンに代わる、応答の速い回路の保護策が必要とさ
れていた。そこで、本発明はこのような問題点に鑑みな
されたものであり、回路に異常が発生した場合に、瞬時
に水平出力動作を停止させることができ、もって、他の
部分の二次損失を防ぐことができる水平出力停止回路を
備えた水平偏向高圧発生回路を提供することを目的とす
る。また併せて、低い耐圧のスイッチ素子で大きな偏向
パワーを扱うことができ、しかも、回路が複雑化するこ
となく、損失が少なく信頼性の大きい水平偏向高圧発生
回路を提供することを目的とする。
トダウンに代わる、応答の速い回路の保護策が必要とさ
れていた。そこで、本発明はこのような問題点に鑑みな
されたものであり、回路に異常が発生した場合に、瞬時
に水平出力動作を停止させることができ、もって、他の
部分の二次損失を防ぐことができる水平出力停止回路を
備えた水平偏向高圧発生回路を提供することを目的とす
る。また併せて、低い耐圧のスイッチ素子で大きな偏向
パワーを扱うことができ、しかも、回路が複雑化するこ
となく、損失が少なく信頼性の大きい水平偏向高圧発生
回路を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した従来
の技術の課題を解決するため、(1)受像管における電
子ビームを水平偏向せしめると共に、前記受像管に供給
する高圧を発生する水平偏向高圧発生回路において、水
平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子(1
2)と、第1のダンパーダイオード(14)と、第1の
帰線共振コンデンサ(15)が並列に接続された第1の
水平パルス発生回路と、前記第1のスイッチ素子のオフ
期間内にオンからオフに転じる第2のスイッチ素子(1
9)と、第2のダンパーダイオード(20)と、第2の
帰線共振コンデンサ(21)が並列に接続され、その全
体が前記第1の水平パルス発生回路と直列に接続された
第2の水平パルス発生回路と、前記第1及び第2の水平
パルス発生回路の直列回路に並列に接続された水平偏向
コイル(16)とS字補正コンデンサ(17)との直列
回路と、1次巻線(2a)が前記第1及び第2の水平パ
ルス発生回路の直列回路に等価的に並列に接続され、2
次巻線(2b)に接続された高圧整流ダイオード(1
8)によって高圧(HV)を得るフライバックトランス
(2)と、前記第2のスイッチ素子のドライブ回路(2
7,28)に作用して前記第2のスイッチ素子を遮断状
態にすることにより、強制的に水平出力動作を停止させ
る水平出力停止回路(6,7,26)とを設けて構成し
たことを特徴とする水平偏向高圧発生回路を提供し、
(2)受像管における電子ビームを水平偏向せしめると
共に、前記受像管に供給する高圧を発生する水平偏向高
圧発生回路において、水平偏向周期でオン・オフする第
1のスイッチ素子(12)と、第1のダンパーダイオー
ド(14)と、第1の帰線共振コンデンサ(15)が並
列に接続された第1の水平パルス発生回路と、前記第1
のスイッチ素子のオフ期間内にオンからオフに転じる第
2のスイッチ素子(19)と、第2のダンパーダイオー
ド(20)と、第2の帰線共振コンデンサ(21)が並
列に接続され、その全体が前記第1の水平パルス発生回
路と直列に接続された第2の水平パルス発生回路と、前
記第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並列
に接続された水平偏向コイル(16)とS字補正コンデ
ンサ(17)との直列回路と、1次巻線(2a)が前記
第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に等価的
に並列に接続され、2次巻線(2b)に接続された高圧
整流ダイオード(18)によって高圧(HV)を得るフ
ライバックトランス(2)と、前記高圧の値に応じて前
記第2のスイッチ素子のオン開始時点を制御する制御回
路(25)と、前記第2のスイッチ素子のドライブ回路
(27,28)に作用して前記第2のスイッチ素子を遮
断状態にすることにより、強制的に水平出力動作を停止
させる水平出力停止回路(6,7,26)とを設けて構
成したことを特徴とする水平偏向高圧発生回路を提供す
るものである。
の技術の課題を解決するため、(1)受像管における電
子ビームを水平偏向せしめると共に、前記受像管に供給
する高圧を発生する水平偏向高圧発生回路において、水
平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子(1
2)と、第1のダンパーダイオード(14)と、第1の
帰線共振コンデンサ(15)が並列に接続された第1の
水平パルス発生回路と、前記第1のスイッチ素子のオフ
期間内にオンからオフに転じる第2のスイッチ素子(1
9)と、第2のダンパーダイオード(20)と、第2の
帰線共振コンデンサ(21)が並列に接続され、その全
体が前記第1の水平パルス発生回路と直列に接続された
第2の水平パルス発生回路と、前記第1及び第2の水平
パルス発生回路の直列回路に並列に接続された水平偏向
コイル(16)とS字補正コンデンサ(17)との直列
回路と、1次巻線(2a)が前記第1及び第2の水平パ
ルス発生回路の直列回路に等価的に並列に接続され、2
次巻線(2b)に接続された高圧整流ダイオード(1
8)によって高圧(HV)を得るフライバックトランス
(2)と、前記第2のスイッチ素子のドライブ回路(2
7,28)に作用して前記第2のスイッチ素子を遮断状
態にすることにより、強制的に水平出力動作を停止させ
る水平出力停止回路(6,7,26)とを設けて構成し
たことを特徴とする水平偏向高圧発生回路を提供し、
(2)受像管における電子ビームを水平偏向せしめると
共に、前記受像管に供給する高圧を発生する水平偏向高
圧発生回路において、水平偏向周期でオン・オフする第
1のスイッチ素子(12)と、第1のダンパーダイオー
ド(14)と、第1の帰線共振コンデンサ(15)が並
列に接続された第1の水平パルス発生回路と、前記第1
のスイッチ素子のオフ期間内にオンからオフに転じる第
2のスイッチ素子(19)と、第2のダンパーダイオー
ド(20)と、第2の帰線共振コンデンサ(21)が並
列に接続され、その全体が前記第1の水平パルス発生回
路と直列に接続された第2の水平パルス発生回路と、前
記第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並列
に接続された水平偏向コイル(16)とS字補正コンデ
ンサ(17)との直列回路と、1次巻線(2a)が前記
第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に等価的
に並列に接続され、2次巻線(2b)に接続された高圧
整流ダイオード(18)によって高圧(HV)を得るフ
ライバックトランス(2)と、前記高圧の値に応じて前
記第2のスイッチ素子のオン開始時点を制御する制御回
路(25)と、前記第2のスイッチ素子のドライブ回路
(27,28)に作用して前記第2のスイッチ素子を遮
断状態にすることにより、強制的に水平出力動作を停止
させる水平出力停止回路(6,7,26)とを設けて構
成したことを特徴とする水平偏向高圧発生回路を提供す
るものである。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の水平偏向高圧発生
回路について、添付図面を参照して説明する。図1は本
発明の水平偏向高圧発生回路の一実施例を示す回路図、
図2は本発明の水平偏向高圧発生回路の動作を説明する
ための波形図、図3は本発明の水平偏向高圧発生回路の
一実施例のさらに詳細な構成を示す回路図である。な
お、図1及び図3において、図4と同一部分には同一符
号が付してある。
回路について、添付図面を参照して説明する。図1は本
発明の水平偏向高圧発生回路の一実施例を示す回路図、
図2は本発明の水平偏向高圧発生回路の動作を説明する
ための波形図、図3は本発明の水平偏向高圧発生回路の
一実施例のさらに詳細な構成を示す回路図である。な
お、図1及び図3において、図4と同一部分には同一符
号が付してある。
【0011】図1において、励振トランス11の1次巻
線には、図示していない前段より水平励振パルスが入力
され、その2次巻線には、水平励振パルスを変圧したパ
ルスが出力される。2次巻線には、ベース抵抗13を介
して水平出力トランジスタ12が接続されている。水平
出力トランジスタ12のコレクタには、ダンパーダイオ
ード14と20の直列回路,帰線共振コンデンサ15と
21の直列回路,水平偏向コイル16とS字補正コンデ
ンサ17の直列回路,フライバックトランス2が接続さ
れている。フライバックトランス2の2次巻線2bには
高圧整流ダイオード18が接続されて高圧HVが得られ
る。なお、水平出力トランジスタ12,ダンパーダイオ
ード14,帰線共振コンデンサ15は水平出力回路1を
構成しており、フライバックトランス2及び高圧整流ダ
イオード18は高圧回路5を構成している。
線には、図示していない前段より水平励振パルスが入力
され、その2次巻線には、水平励振パルスを変圧したパ
ルスが出力される。2次巻線には、ベース抵抗13を介
して水平出力トランジスタ12が接続されている。水平
出力トランジスタ12のコレクタには、ダンパーダイオ
ード14と20の直列回路,帰線共振コンデンサ15と
21の直列回路,水平偏向コイル16とS字補正コンデ
ンサ17の直列回路,フライバックトランス2が接続さ
れている。フライバックトランス2の2次巻線2bには
高圧整流ダイオード18が接続されて高圧HVが得られ
る。なお、水平出力トランジスタ12,ダンパーダイオ
ード14,帰線共振コンデンサ15は水平出力回路1を
構成しており、フライバックトランス2及び高圧整流ダ
イオード18は高圧回路5を構成している。
【0012】高圧HVは高圧分圧抵抗22,23により
分圧されて検知電圧Eaとなり、演算増幅器24の非反
転入力端子に入力される。演算増幅器24の反転入力端
子には基準電圧Esが入力され、演算増幅器24は検知
電圧Eaと基準電圧Esとを比較して電圧Eoを出力す
る。この電圧Eoはタイミング回路25に入力される。
タイミング回路25には、フライバックトランス2の1
次側に設けられた巻線2cより帰線パルスである3次パ
ルスVtが入力されている。タイミング回路25は帰線
パルスVtを基にしてゲートパルスVgを出力する。こ
のゲートパルスVgは補助水平出力FET19に入力さ
れる。補助水平出力FET19のドレイン端子は励振ト
ランス11の2次巻線の一端、水平出力トランジスタ1
2のエミッタ、さらには、ダンパーダイオード14,2
0及び帰線共振コンデンサ15,21のそれぞれの接続
点に接続されている。
分圧されて検知電圧Eaとなり、演算増幅器24の非反
転入力端子に入力される。演算増幅器24の反転入力端
子には基準電圧Esが入力され、演算増幅器24は検知
電圧Eaと基準電圧Esとを比較して電圧Eoを出力す
る。この電圧Eoはタイミング回路25に入力される。
タイミング回路25には、フライバックトランス2の1
次側に設けられた巻線2cより帰線パルスである3次パ
ルスVtが入力されている。タイミング回路25は帰線
パルスVtを基にしてゲートパルスVgを出力する。こ
のゲートパルスVgは補助水平出力FET19に入力さ
れる。補助水平出力FET19のドレイン端子は励振ト
ランス11の2次巻線の一端、水平出力トランジスタ1
2のエミッタ、さらには、ダンパーダイオード14,2
0及び帰線共振コンデンサ15,21のそれぞれの接続
点に接続されている。
【0013】このような構成は、本出願人が先に特願平
8−60043号で出願した水平偏向高圧発生回路によ
るものである。この水平偏向高圧発生回路においては、
水平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子であ
る水平出力トランジスタ12と、第1のダンバーダイオ
ード14と、第1の帰線共振コンデンサ15が並列に接
続されており、これらは第1の水平パルス発生回路を構
成している。また、第2のスイッチ素子である補助水平
出力FET19と、第2のダンバーダイオード20と、
第2の帰線共振コンデンサ21が並列に接続されてお
り、これらは第2の水平パルス発生回路を構成してい
る。この第1の水平パルス発生回路と第2の水平パルス
発生回路とは直列に接続された構成となっている。そし
て、第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並
列に、水平偏向コイル16とS字補正コンデンサ17と
の直列回路が接続され、また、フライバックトランス2
が等価的に並列に接続された構成となっている。
8−60043号で出願した水平偏向高圧発生回路によ
るものである。この水平偏向高圧発生回路においては、
水平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子であ
る水平出力トランジスタ12と、第1のダンバーダイオ
ード14と、第1の帰線共振コンデンサ15が並列に接
続されており、これらは第1の水平パルス発生回路を構
成している。また、第2のスイッチ素子である補助水平
出力FET19と、第2のダンバーダイオード20と、
第2の帰線共振コンデンサ21が並列に接続されてお
り、これらは第2の水平パルス発生回路を構成してい
る。この第1の水平パルス発生回路と第2の水平パルス
発生回路とは直列に接続された構成となっている。そし
て、第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並
列に、水平偏向コイル16とS字補正コンデンサ17と
の直列回路が接続され、また、フライバックトランス2
が等価的に並列に接続された構成となっている。
【0014】このように構成される水平偏向高圧発生回
路において、もし、補助水平出力FET19が常時オン
状態になっているとすると、実質的に水平出力トランジ
スタ12のエミッタが接地されたことになるので、これ
は通常の水平偏向高圧発生回路であって、周知の原理に
より水平偏向コイル16にのこぎり波の水平偏向電流I
yが流れる。そして、図示していない受像管の電子ビー
ムを左右に偏向し、高圧整流ダイオード18のカソード
には高圧HVを発生して受像管の陽極電圧とすることが
できる。しかし、実際の動作は、補助水平出力FET1
9は帰線期間の一部でオフ状態となり、そのドレイン端
子には補助パルスVmが発生する。
路において、もし、補助水平出力FET19が常時オン
状態になっているとすると、実質的に水平出力トランジ
スタ12のエミッタが接地されたことになるので、これ
は通常の水平偏向高圧発生回路であって、周知の原理に
より水平偏向コイル16にのこぎり波の水平偏向電流I
yが流れる。そして、図示していない受像管の電子ビー
ムを左右に偏向し、高圧整流ダイオード18のカソード
には高圧HVを発生して受像管の陽極電圧とすることが
できる。しかし、実際の動作は、補助水平出力FET1
9は帰線期間の一部でオフ状態となり、そのドレイン端
子には補助パルスVmが発生する。
【0015】一方、電圧制御回路4,電圧検知回路6,
電流検知回路7,平滑コンデンサ9は図4に示す従来例
と同じであり、先に説明したものとほぼ同様な働きをす
る。保持回路26,動作停止用トランジスタ27,ベー
ス抵抗28は本発明によって新たに付加された部分であ
る。なお、トランジスタ27及びベース抵抗28は補助
水平出力FET19のドライブ回路として動作してい
る。保持回路26には電圧検知回路6からの出力電圧V
v及び電流検知回路7からの出力電圧Viが入力され、
電圧Vstを出力する。この電圧Vstはベース抵抗28を
介して動作停止用トランジスタ27のベースに供給され
る。なお、トランジスタ27のコレクタは補助水平出力
FET19のゲートに接続されており、エミッタは接地
されている。本発明の水平偏向高圧発生回路において、
電圧検知回路6,電流検知回路7,保持回路26は水平
出力停止回路として動作しており、この水平出力停止回
路の働きについては後に詳述することとする。
電流検知回路7,平滑コンデンサ9は図4に示す従来例
と同じであり、先に説明したものとほぼ同様な働きをす
る。保持回路26,動作停止用トランジスタ27,ベー
ス抵抗28は本発明によって新たに付加された部分であ
る。なお、トランジスタ27及びベース抵抗28は補助
水平出力FET19のドライブ回路として動作してい
る。保持回路26には電圧検知回路6からの出力電圧V
v及び電流検知回路7からの出力電圧Viが入力され、
電圧Vstを出力する。この電圧Vstはベース抵抗28を
介して動作停止用トランジスタ27のベースに供給され
る。なお、トランジスタ27のコレクタは補助水平出力
FET19のゲートに接続されており、エミッタは接地
されている。本発明の水平偏向高圧発生回路において、
電圧検知回路6,電流検知回路7,保持回路26は水平
出力停止回路として動作しており、この水平出力停止回
路の働きについては後に詳述することとする。
【0016】このような構成の図1において、タイミン
グ回路25は補助パルスVmの大きさを制御することが
できる。以下、その動作を図2を用いて説明する。図2
において、(A)は補助水平出力FET19が常時導通
状態のときの水平出力トランジスタ12のコレクタ・エ
ミッタ間に発生する電圧を示している。即ち、この水平
出力トランジスタ12がオフの期間は帰線時間trとな
り、その間、コレクタには正弦半波のパルスVceが生じ
る。水平偏向期間の残りの部分は走査期間tsであり、
この期間はコレクタ電圧はゼロになる。
グ回路25は補助パルスVmの大きさを制御することが
できる。以下、その動作を図2を用いて説明する。図2
において、(A)は補助水平出力FET19が常時導通
状態のときの水平出力トランジスタ12のコレクタ・エ
ミッタ間に発生する電圧を示している。即ち、この水平
出力トランジスタ12がオフの期間は帰線時間trとな
り、その間、コレクタには正弦半波のパルスVceが生じ
る。水平偏向期間の残りの部分は走査期間tsであり、
この期間はコレクタ電圧はゼロになる。
【0017】次に、図2において、(B)は補助水平出
力FET19のゲートに加えられる方形波(ゲートパル
ス)Vgを示しており、このハイレベルの部分で補助水
平出力FET19のドレイン・ソース間が導通する。こ
こで、方形波Vgがハイレベルからローレベルに移る時
点、即ち、補助水平出力FET19がオンからオフに変
わる時点Taは、必ず帰線時間tr内の前半に位置して
いるものとする。この時点Taからは補助水平出力FE
T19のドレインに、図2の(C)に示すような補助パ
ルスVmが発生する。このパルスVmはほぼ正弦波状で
あって、その半サイクルが終了した後に自動的にダンパ
ーダイオード20が導通し、補助水平出力FET19の
ドレイン電圧はゼロになる。
力FET19のゲートに加えられる方形波(ゲートパル
ス)Vgを示しており、このハイレベルの部分で補助水
平出力FET19のドレイン・ソース間が導通する。こ
こで、方形波Vgがハイレベルからローレベルに移る時
点、即ち、補助水平出力FET19がオンからオフに変
わる時点Taは、必ず帰線時間tr内の前半に位置して
いるものとする。この時点Taからは補助水平出力FE
T19のドレインに、図2の(C)に示すような補助パ
ルスVmが発生する。このパルスVmはほぼ正弦波状で
あって、その半サイクルが終了した後に自動的にダンパ
ーダイオード20が導通し、補助水平出力FET19の
ドレイン電圧はゼロになる。
【0018】このように補助パルスVmが発生すると、
水平出力トランジスタ12のコレクタと接地間に現れる
パルスVcは、図2の(D)に示すように、パルスVce
とパルスVmが加算された形になり、これがフライバッ
クトランス2で昇圧されて高圧HVとなるので、その
分、高圧HVの値が増加する。しかし、水平出力トラン
ジスタ12のエミッタ・コレクタ間の電圧はVceのまま
であり、トランジスタの耐圧を増す必要はない。即ち、
本発明の水平偏向高圧発生回路は、水平出力トランジス
タ12として低い耐圧のスイッチ素子を用いながら、大
きな偏向パワーを扱うことができるという特長を有す
る。
水平出力トランジスタ12のコレクタと接地間に現れる
パルスVcは、図2の(D)に示すように、パルスVce
とパルスVmが加算された形になり、これがフライバッ
クトランス2で昇圧されて高圧HVとなるので、その
分、高圧HVの値が増加する。しかし、水平出力トラン
ジスタ12のエミッタ・コレクタ間の電圧はVceのまま
であり、トランジスタの耐圧を増す必要はない。即ち、
本発明の水平偏向高圧発生回路は、水平出力トランジス
タ12として低い耐圧のスイッチ素子を用いながら、大
きな偏向パワーを扱うことができるという特長を有す
る。
【0019】ここで、図2の(B)に破線で示すよう
に、ゲートパルスVgがハイレベルからローレベルに切
り替わる時点Taが若干前に移動したとする。すると、
その分、補助パルスVmが発生している期間が長くな
り、図2の(C)に破線で示すように補助パルスVmの
波高値が高くなる。この結果、図2の(D)に示すよう
に、フライバックトランス2の1次巻線2aに加わる合
成の帰線パルスVcの波高値も高くなり、これを2次巻
線2bで昇圧し、整流ダイオード18で整流して得られ
る高圧HVの値も上昇することになる。
に、ゲートパルスVgがハイレベルからローレベルに切
り替わる時点Taが若干前に移動したとする。すると、
その分、補助パルスVmが発生している期間が長くな
り、図2の(C)に破線で示すように補助パルスVmの
波高値が高くなる。この結果、図2の(D)に示すよう
に、フライバックトランス2の1次巻線2aに加わる合
成の帰線パルスVcの波高値も高くなり、これを2次巻
線2bで昇圧し、整流ダイオード18で整流して得られ
る高圧HVの値も上昇することになる。
【0020】このようにして、ゲートパルスVgの位相
を動かすと、高圧HVの値を動かすことができる。従っ
て、図1のように高圧HVを抵抗22,23で分圧した
後、演算増幅器24で基準電圧Esと比較し、その結果
をタイミング回路25に加えて、その出力であるゲート
パルスVgの位相を動かすようにすれば、高圧HVの安
定化を図ることができる。また、この抵抗22,23及
び演算増幅器24による帰還回路がなく、タイミング回
路25の出力であるゲートパルスVgの位相が固定であ
った場合には高圧安定化の作用はない。しかし、前述し
たように、同じ偏向パワーと高圧値を得るのに水平出力
トランジスタ12の耐圧は少なくて済むという利点は残
るので、これで実用化することも可能である。
を動かすと、高圧HVの値を動かすことができる。従っ
て、図1のように高圧HVを抵抗22,23で分圧した
後、演算増幅器24で基準電圧Esと比較し、その結果
をタイミング回路25に加えて、その出力であるゲート
パルスVgの位相を動かすようにすれば、高圧HVの安
定化を図ることができる。また、この抵抗22,23及
び演算増幅器24による帰還回路がなく、タイミング回
路25の出力であるゲートパルスVgの位相が固定であ
った場合には高圧安定化の作用はない。しかし、前述し
たように、同じ偏向パワーと高圧値を得るのに水平出力
トランジスタ12の耐圧は少なくて済むという利点は残
るので、これで実用化することも可能である。
【0021】ところで、この図1において、正常動作状
態では保持回路26の出力Vstはローレベルに保たれて
おり、従って、動作停止用トランジスタ27のコレクタ
・ベース間は遮断状態であって、ゲートパルスVgには
影響はない。ここでもし、フライバックトランス2の3
次巻線2cのパルスVtの波高値が事故等の異常で定め
られた値より上昇すると、電圧検知回路6から保持回路
26に加わる電圧Vvが上昇する。また、電圧制御回路
4からフライバックトランス2の1次巻線2aに流れ込
む直流電流Ibが、やはり定められた値を超えた場合
も、電流検知回路7から保持回路26に加わる電圧Vi
が上昇する。
態では保持回路26の出力Vstはローレベルに保たれて
おり、従って、動作停止用トランジスタ27のコレクタ
・ベース間は遮断状態であって、ゲートパルスVgには
影響はない。ここでもし、フライバックトランス2の3
次巻線2cのパルスVtの波高値が事故等の異常で定め
られた値より上昇すると、電圧検知回路6から保持回路
26に加わる電圧Vvが上昇する。また、電圧制御回路
4からフライバックトランス2の1次巻線2aに流れ込
む直流電流Ibが、やはり定められた値を超えた場合
も、電流検知回路7から保持回路26に加わる電圧Vi
が上昇する。
【0022】この保持回路26の2つの入力電圧Vv,
Viのどちらかでも上昇した場合は、その出力電圧Vst
はハイレベルに変わるものとする。そして、一旦、入力
電圧Vv,Viのいずれかがハイレベルになると、保持
回路26は入力電圧Vv,Viが再度低下しても、出力
Vstをそのままハイレベルに保持する。すると、抵抗2
8を通じてトランジスタ27にベース電流が流れ、その
エミッタ・コレクタ間が導通する。従って、ゲートパル
スVgは消滅し、補助水平出力FET19は遮断状態に
なる。
Viのどちらかでも上昇した場合は、その出力電圧Vst
はハイレベルに変わるものとする。そして、一旦、入力
電圧Vv,Viのいずれかがハイレベルになると、保持
回路26は入力電圧Vv,Viが再度低下しても、出力
Vstをそのままハイレベルに保持する。すると、抵抗2
8を通じてトランジスタ27にベース電流が流れ、その
エミッタ・コレクタ間が導通する。従って、ゲートパル
スVgは消滅し、補助水平出力FET19は遮断状態に
なる。
【0023】通常の高圧制御の状態では、この補助水平
出力FET19は、水平帰線時間の中の一部でのみ遮断
している。それがこのように常時遮断状態になると、水
平出力トランジスタ12のコレクタ電流Icが流れなく
なるため、水平出力動作は停止し、水平出力パルスVc
もなくなる。すると当然、水平偏向コイル16にも水平
偏向電流Iyが流れなくなり、高圧HVの発生もなくな
る。従って、もし事故により直流電圧Eboや直流電流I
bが異常に増加して、フライバックトランス2や高圧回
路5に二次故障の危険が生じた場合、速やかに水平出力
回路1の動作を停止させて回路の安全を図ることができ
る。
出力FET19は、水平帰線時間の中の一部でのみ遮断
している。それがこのように常時遮断状態になると、水
平出力トランジスタ12のコレクタ電流Icが流れなく
なるため、水平出力動作は停止し、水平出力パルスVc
もなくなる。すると当然、水平偏向コイル16にも水平
偏向電流Iyが流れなくなり、高圧HVの発生もなくな
る。従って、もし事故により直流電圧Eboや直流電流I
bが異常に増加して、フライバックトランス2や高圧回
路5に二次故障の危険が生じた場合、速やかに水平出力
回路1の動作を停止させて回路の安全を図ることができ
る。
【0024】この停止動作の際、特徴的な点は、従来例
の図4と異なり、大容量コンデンサ8,9のような動作
を遅らせるような要素が存在しないことである。即ち、
図1の場合、第2の帰線共振コンデンサ21の容量値は
小さいので、補助水平出力FET19が遮断状態になる
と、コンデンサ21は急速に電源電圧Eboまでチャージ
アップし、水平出力トランジスタ12の動作はほとんど
瞬時に停止する。また、この停止動作をさせる回路は、
本来、高圧HVの制御に用いている補助水平出力FET
19等で形成される補助パルス発生回路を兼用している
ので、従来例の図4のように、主電源回路3(図1では
図示せず)に動作停止のための装置を設けなくてもよ
い。さらに簡易化して、主電源回路3を単に商用交流を
整流するだけのものとし、電圧安定化の作用は全て電圧
制御回路4に持たせることもできるので、回路規模の縮
小が可能である。
の図4と異なり、大容量コンデンサ8,9のような動作
を遅らせるような要素が存在しないことである。即ち、
図1の場合、第2の帰線共振コンデンサ21の容量値は
小さいので、補助水平出力FET19が遮断状態になる
と、コンデンサ21は急速に電源電圧Eboまでチャージ
アップし、水平出力トランジスタ12の動作はほとんど
瞬時に停止する。また、この停止動作をさせる回路は、
本来、高圧HVの制御に用いている補助水平出力FET
19等で形成される補助パルス発生回路を兼用している
ので、従来例の図4のように、主電源回路3(図1では
図示せず)に動作停止のための装置を設けなくてもよ
い。さらに簡易化して、主電源回路3を単に商用交流を
整流するだけのものとし、電圧安定化の作用は全て電圧
制御回路4に持たせることもできるので、回路規模の縮
小が可能である。
【0025】次に、本発明の回路のさらに詳細な具体例
を、保持回路26周辺を中心にして図3に示す。図3に
おいて、29,30はOR回路を形成するためのダイオ
ード、31は平滑コンデンサ、32はサイリスタ、33
〜35は抵抗であり、これらの回路素子は図示のように
接続されている。このような構成において、電圧検知回
路6が異常を検知すると、その出力電圧Vvがローレベ
ルからハイレベルに変わる。すると、この電圧Vvがダ
イオード29を通して平滑コンデンサ31をチャージす
る。
を、保持回路26周辺を中心にして図3に示す。図3に
おいて、29,30はOR回路を形成するためのダイオ
ード、31は平滑コンデンサ、32はサイリスタ、33
〜35は抵抗であり、これらの回路素子は図示のように
接続されている。このような構成において、電圧検知回
路6が異常を検知すると、その出力電圧Vvがローレベ
ルからハイレベルに変わる。すると、この電圧Vvがダ
イオード29を通して平滑コンデンサ31をチャージす
る。
【0026】このコンデンサ31にチャージされた電圧
Ecvは抵抗33と34の直列回路にも加わるが、その
内、抵抗33の両端の電圧Egによりサイリスタ32の
ゲートが閾値を越えると、そのアノード・カソード間が
導通状態となる。すると、抵抗34の両端の電圧がさら
に上昇し、ここにつながるベース抵抗28を通して動作
停止用トランジスタ27にベース電流を流し、そのコレ
クタ・エミッタ間を導通させる。このトランジスタ27
のコレクタは、先の図1で説明したようにタイミング回
路25の出力に接続されているから、トランジスタ27
の導通によってパルスVgはなくなる。但し、タイミン
グ回路25の出力形式は、このトランジスタ27の導通
でも異常な負担が掛からないよう、オープンコレクタ等
になっているものとする。なお、図3中の40はトラン
ジスタ27のコレクタ負荷抵抗である。
Ecvは抵抗33と34の直列回路にも加わるが、その
内、抵抗33の両端の電圧Egによりサイリスタ32の
ゲートが閾値を越えると、そのアノード・カソード間が
導通状態となる。すると、抵抗34の両端の電圧がさら
に上昇し、ここにつながるベース抵抗28を通して動作
停止用トランジスタ27にベース電流を流し、そのコレ
クタ・エミッタ間を導通させる。このトランジスタ27
のコレクタは、先の図1で説明したようにタイミング回
路25の出力に接続されているから、トランジスタ27
の導通によってパルスVgはなくなる。但し、タイミン
グ回路25の出力形式は、このトランジスタ27の導通
でも異常な負担が掛からないよう、オープンコレクタ等
になっているものとする。なお、図3中の40はトラン
ジスタ27のコレクタ負荷抵抗である。
【0027】また、この図3では、ゲートパルスVgが
直接、補助水平出力FET19のゲートに供給されず、
npnトランジスタ36及びpnpトランジスタ37で
形成されるコンプリメンタリのエミッタフォロワを介し
て供給される。これにより、導通・遮断の切り替え時、
十分低インピーダンスで補助水平出力FET19のゲー
トを駆動することができ、切り替え速度を速することが
できる。
直接、補助水平出力FET19のゲートに供給されず、
npnトランジスタ36及びpnpトランジスタ37で
形成されるコンプリメンタリのエミッタフォロワを介し
て供給される。これにより、導通・遮断の切り替え時、
十分低インピーダンスで補助水平出力FET19のゲー
トを駆動することができ、切り替え速度を速することが
できる。
【0028】さらに、電圧検知回路6ではなく、電流検
知回路7が動作して、その出力電圧Viがハイレベルに
なっても同様な動作を行う。このとき、コンデンサ31
の両端電圧Ecvが発生しても、ダイオード29によって
電圧検知回路6には影響が及ばない。ダイオード29と
30はOR回路を形成しているので、電圧検知回路6,
電流検知回路7のいずれか一方が動作すれば電圧Ecvが
コンデンサ31の両端に生じ、サイリスタ32が導通し
てパルスVgを消滅させる。
知回路7が動作して、その出力電圧Viがハイレベルに
なっても同様な動作を行う。このとき、コンデンサ31
の両端電圧Ecvが発生しても、ダイオード29によって
電圧検知回路6には影響が及ばない。ダイオード29と
30はOR回路を形成しているので、電圧検知回路6,
電流検知回路7のいずれか一方が動作すれば電圧Ecvが
コンデンサ31の両端に生じ、サイリスタ32が導通し
てパルスVgを消滅させる。
【0029】本実施例では、電圧検知回路6及び電流検
知回路7による検知電圧に基づいて水平出力を停止させ
ているが、図3に破線で示すように、ダイオード38,
39等を接続しその先に他の検知回路を接続してもい。
例えば、垂直偏向停止を検知して、同様にサイリスタ3
2を動作させ、水平出力、さらには高圧発生を止めるこ
とも考えられる。いずれにせよ、これらダイオード群2
9,30,38,39…によって形成されるOR回路に
よって、水平出力動作を止める必要のある現象につい
て、いくつでも対応することが可能である。
知回路7による検知電圧に基づいて水平出力を停止させ
ているが、図3に破線で示すように、ダイオード38,
39等を接続しその先に他の検知回路を接続してもい。
例えば、垂直偏向停止を検知して、同様にサイリスタ3
2を動作させ、水平出力、さらには高圧発生を止めるこ
とも考えられる。いずれにせよ、これらダイオード群2
9,30,38,39…によって形成されるOR回路に
よって、水平出力動作を止める必要のある現象につい
て、いくつでも対応することが可能である。
【0030】ところで、以上説明した本実施例では、第
2のスイッチ素子として、FETを用いているが、勿
論、バイポーラトランジスタでも構成可能である。しか
し、FETを用いる方が、オンからオフに転じる際の時
間的遅れが少ない分、設計が容易である。
2のスイッチ素子として、FETを用いているが、勿
論、バイポーラトランジスタでも構成可能である。しか
し、FETを用いる方が、オンからオフに転じる際の時
間的遅れが少ない分、設計が容易である。
【0031】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の水
平偏向高圧発生回路は、低い耐圧のスイッチ素子で大き
な偏向パワーを扱うことができ、高圧を安定化させるこ
とができるという特長を備えると同時に、回路に異常が
発生した場合に、瞬時に水平出力動作を停止させること
ができ、他の部分の二次損失を防ぐことができるという
特長も有する。本発明の水平偏向高圧発生回路は、特
に、電源制御回路の短絡破損による二次破壊の危険が多
い、多種の水平偏向周波数に対応するディスプレイ機器
に適用して極めて有益である。
平偏向高圧発生回路は、低い耐圧のスイッチ素子で大き
な偏向パワーを扱うことができ、高圧を安定化させるこ
とができるという特長を備えると同時に、回路に異常が
発生した場合に、瞬時に水平出力動作を停止させること
ができ、他の部分の二次損失を防ぐことができるという
特長も有する。本発明の水平偏向高圧発生回路は、特
に、電源制御回路の短絡破損による二次破壊の危険が多
い、多種の水平偏向周波数に対応するディスプレイ機器
に適用して極めて有益である。
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図2】本発明の動作を説明するための波形図である。
【図3】本発明の一実施例のさらに詳細な構成を示す回
路図である。
路図である。
【図4】従来例を示す回路図である。
1 水平出力回路 2 フライバックトランス 4 電圧制御回路 5 高圧回路 6 電圧検知回路 7 電流検知回路 11 励振トランス 12 水平出力トランジスタ 14,20 ダンパーダイオード 15,21 帰線共振コンデンサ 16 水平偏向コイル 17 S字補正コンデンサ 18 高圧整流ダイオード 19 補助水平出力FET 24 演算増幅器 25 タイミング回路(制御回路) 26 保持回路 27 動作停止用トランジスタ 28 ベース抵抗
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年6月5日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】このような構成は、本出願人が先に特願平
8−60043号で出願した水平偏向高圧発生回路によ
るものである。この水平偏向高圧発生回路においては、
水平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子であ
る水平出力トランジスタ12と、第1のダンパーダイオ
ード14と、第1の帰線共振コンデンサ15が並列に接
続されており、これらは第1の水平パルス発生回路を構
成している。また、第2のスイッチ素子である補助水平
出力FET19と、第2のダンパーダイオード20と、
第2の帰線共振コンデンサ21が並列に接続されてお
り、これらは第2の水平パルス発生回路を構成してい
る。この第1の水平パルス発生回路と第2の水平パルス
発生回路とは直列に接続された構成となっている。そし
て、第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並
列に、水平偏向コイル16とS字補正コンデンサ17と
の直列回路が接続され、また、フライバックトランス2
が等価的に並列に接続された構成となっている。
8−60043号で出願した水平偏向高圧発生回路によ
るものである。この水平偏向高圧発生回路においては、
水平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子であ
る水平出力トランジスタ12と、第1のダンパーダイオ
ード14と、第1の帰線共振コンデンサ15が並列に接
続されており、これらは第1の水平パルス発生回路を構
成している。また、第2のスイッチ素子である補助水平
出力FET19と、第2のダンパーダイオード20と、
第2の帰線共振コンデンサ21が並列に接続されてお
り、これらは第2の水平パルス発生回路を構成してい
る。この第1の水平パルス発生回路と第2の水平パルス
発生回路とは直列に接続された構成となっている。そし
て、第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並
列に、水平偏向コイル16とS字補正コンデンサ17と
の直列回路が接続され、また、フライバックトランス2
が等価的に並列に接続された構成となっている。
Claims (4)
- 【請求項1】受像管における電子ビームを水平偏向せし
めると共に、前記受像管に供給する高圧を発生する水平
偏向高圧発生回路において、 水平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子と、
第1のダンパーダイオードと、第1の帰線共振コンデン
サが並列に接続された第1の水平パルス発生回路と、 前記第1のスイッチ素子のオフ期間内にオンからオフに
転じる第2のスイッチ素子と、第2のダンパーダイオー
ドと、第2の帰線共振コンデンサが並列に接続され、そ
の全体が前記第1の水平パルス発生回路と直列に接続さ
れた第2の水平パルス発生回路と、 前記第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並
列に接続された水平偏向コイルとS字補正コンデンサと
の直列回路と、 1次巻線が前記第1及び第2の水平パルス発生回路の直
列回路に等価的に並列に接続され、2次巻線に接続され
た高圧整流ダイオードによって高圧を得るフライバック
トランスと、 前記第2のスイッチ素子のドライブ回路に作用して前記
第2のスイッチ素子を遮断状態にすることにより、強制
的に水平出力動作を停止させる水平出力停止回路とを設
けて構成したことを特徴とする水平偏向高圧発生回路。 - 【請求項2】受像管における電子ビームを水平偏向せし
めると共に、前記受像管に供給する高圧を発生する水平
偏向高圧発生回路において、 水平偏向周期でオン・オフする第1のスイッチ素子と、
第1のダンパーダイオードと、第1の帰線共振コンデン
サが並列に接続された第1の水平パルス発生回路と、 前記第1のスイッチ素子のオフ期間内にオンからオフに
転じる第2のスイッチ素子と、第2のダンパーダイオー
ドと、第2の帰線共振コンデンサが並列に接続され、そ
の全体が前記第1の水平パルス発生回路と直列に接続さ
れた第2の水平パルス発生回路と、 前記第1及び第2の水平パルス発生回路の直列回路に並
列に接続された水平偏向コイルとS字補正コンデンサと
の直列回路と、 1次巻線が前記第1及び第2の水平パルス発生回路の直
列回路に等価的に並列に接続され、2次巻線に接続され
た高圧整流ダイオードによって高圧を得るフライバック
トランスと、 前記高圧の値に応じて前記第2のスイッチ素子のオン開
始時点を制御する制御回路と、 前記第2のスイッチ素子のドライブ回路に作用して前記
第2のスイッチ素子を遮断状態にすることにより、強制
的に水平出力動作を停止させる水平出力停止回路とを設
けて構成したことを特徴とする水平偏向高圧発生回路。 - 【請求項3】前記水平出力停止回路は、前記フライバッ
クトランスの巻線に発生するパルスの波高値が定められ
た値を超えたことを検知する電圧検知回路を備え、この
電圧検知回路の出力によって前記第2のスイッチ素子が
遮断状態になるように、前記第2のスイッチ素子のドラ
イブ回路に作用するものであることを特徴とする請求項
1または2のいずれかに記載の水平偏向高圧発生回路。 - 【請求項4】前記水平出力停止回路は、動作用直流電源
より前記フライバックトランスの1次巻線の一端に流入
する直流電流の値が定められた値を超えたことを検知す
る電流検知回路を備え、この電流検知回路の出力によっ
て前記第2のスイッチ素子が遮断状態になるように、前
記第2のスイッチ素子のドライブ回路に作用するもので
あることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記
載の水平偏向高圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25744796A JPH1084494A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 水平偏向高圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25744796A JPH1084494A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 水平偏向高圧発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1084494A true JPH1084494A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17306482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25744796A Pending JPH1084494A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 水平偏向高圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1084494A (ja) |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP25744796A patent/JPH1084494A/ja active Pending
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