JPH1089532A - 気化装置の弁構造 - Google Patents
気化装置の弁構造Info
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- JPH1089532A JPH1089532A JP22790096A JP22790096A JPH1089532A JP H1089532 A JPH1089532 A JP H1089532A JP 22790096 A JP22790096 A JP 22790096A JP 22790096 A JP22790096 A JP 22790096A JP H1089532 A JPH1089532 A JP H1089532A
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Classifications
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
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- F16K31/02—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
- F16K31/06—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a magnet, e.g. diaphragm valves, cutting off by means of a liquid
- F16K31/0644—One-way valve
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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- F16K49/00—Means in or on valves for heating or cooling
- F16K49/002—Electric heating means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 気化効率が高く、圧力変動の少ない気化装
置を提供して、成膜の精度を高めることによりウエハの
歩留りを向上させる。 【解決手段】液体材料(106)が気化する気化域(イ)に臨
み、液体材料(106)を前記気化域(イ)に供給する液体材料
供給口(15a)が設けられている弁座(16)と、該弁座(16)
に当接・離間して前記液体材料供給口(15a)から気化域
(イ)に至る流路の開閉並びに開時に前記流路の開度制御
が可能な弁体(1)とを備え、該流路から気化域(イ)に流出
する液体材料(106)の流量を制御可能である。
置を提供して、成膜の精度を高めることによりウエハの
歩留りを向上させる。 【解決手段】液体材料(106)が気化する気化域(イ)に臨
み、液体材料(106)を前記気化域(イ)に供給する液体材料
供給口(15a)が設けられている弁座(16)と、該弁座(16)
に当接・離間して前記液体材料供給口(15a)から気化域
(イ)に至る流路の開閉並びに開時に前記流路の開度制御
が可能な弁体(1)とを備え、該流路から気化域(イ)に流出
する液体材料(106)の流量を制御可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として半導体製造等
に用いられる液体材料の気化装置の弁構造に関するもの
である。
に用いられる液体材料の気化装置の弁構造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において、成膜装置の
一つとしてＣＶＤ装置（化学的蒸着装置）が極めて重視
され、多用されている。成膜材料の一つとしてＴＥＯ
Ｓ，ＴＥＢ，ＴＭＯＰといった液体化合物（＝液体材
料）が使用されている。これらの液体化合物を実際に使
用するに際しては、液体材料を何らかの手段を用いて気
化する必要がある。
一つとしてＣＶＤ装置（化学的蒸着装置）が極めて重視
され、多用されている。成膜材料の一つとしてＴＥＯ
Ｓ，ＴＥＢ，ＴＭＯＰといった液体化合物（＝液体材
料）が使用されている。これらの液体化合物を実際に使
用するに際しては、液体材料を何らかの手段を用いて気
化する必要がある。
【０００３】そのための方法として液体用質量流量計
（マスフローメータ）と気化装置を組み合わせた液体材
料の気化供給器が商品化され、普及してきている。半導
体の製造工程においてＣＶＤ装置にガスを供給する機構
の概念図を図１に示す。尚、図１において気化装置は後
述する本発明のものを示しているが、それ以外は従来と
同様の構成であるため便宜上この図を用いて説明する。
（マスフローメータ）と気化装置を組み合わせた液体材
料の気化供給器が商品化され、普及してきている。半導
体の製造工程においてＣＶＤ装置にガスを供給する機構
の概念図を図１に示す。尚、図１において気化装置は後
述する本発明のものを示しているが、それ以外は従来と
同様の構成であるため便宜上この図を用いて説明する。
【０００４】液体容器(105)内のＴＥＯＳ等の液体材料
(106)は加圧ガス（一般にヘリウム）(107)によって加圧
され、液体用マスフローメータ(101)に送られる。液体
用マスフローメータ(101)からの流量制御信号が気化装
置(100)に送られ、気化装置(100)内部で液体の流量が任
意の値に制御される。不活性ガスよりなるキャリアガス
(108)はキャリアガス用マスフローメータ(104)を介して
気化装置(100)に送られる。
(106)は加圧ガス（一般にヘリウム）(107)によって加圧
され、液体用マスフローメータ(101)に送られる。液体
用マスフローメータ(101)からの流量制御信号が気化装
置(100)に送られ、気化装置(100)内部で液体の流量が任
意の値に制御される。不活性ガスよりなるキャリアガス
(108)はキャリアガス用マスフローメータ(104)を介して
気化装置(100)に送られる。
【０００５】気化装置(100)に内蔵された開閉バルブを
開状態にすると、内部で気化されたガスはキャリアガス
と共にＣＶＤ装置(102)に送られる。これによって成膜
が開始される。このプロセスは減圧下で行われるため、
反応室は真空ポンプ(108)により常に排気されている。
ＣＶＤ装置(102)内の圧力は圧力計(103)により確認でき
るようになっている。
開状態にすると、内部で気化されたガスはキャリアガス
と共にＣＶＤ装置(102)に送られる。これによって成膜
が開始される。このプロセスは減圧下で行われるため、
反応室は真空ポンプ(108)により常に排気されている。
ＣＶＤ装置(102)内の圧力は圧力計(103)により確認でき
るようになっている。
【０００６】図９は従来の気化装置の要部を示した図で
ある。ここに液体域(A)は液体で満たされている領域、
気化域(B)は液体が気化される領域、運搬域(C)は液体が
気化されキャリアガスによって運ばれる領域である。
ある。ここに液体域(A)は液体で満たされている領域、
気化域(B)は液体が気化される領域、運搬域(C)は液体が
気化されキャリアガスによって運ばれる領域である。
【０００７】液体用マスフローメータ(101)より送られ
て来た液体材料(106)は、液体入口(20)より気化装置(10
0)内に導入される。(23)は液体域(A)内の液体材料(106)
が気化域(B)に流入する量を制御するための流量制御弁
体である。バネ(29)は流量制御弁体(23)を押し下げて弁
座(27)と流量制御弁体(23)の弁座当接部(23b)との間を
広げ、液体域(A)と気化域(B)とを連通させようとする。
て来た液体材料(106)は、液体入口(20)より気化装置(10
0)内に導入される。(23)は液体域(A)内の液体材料(106)
が気化域(B)に流入する量を制御するための流量制御弁
体である。バネ(29)は流量制御弁体(23)を押し下げて弁
座(27)と流量制御弁体(23)の弁座当接部(23b)との間を
広げ、液体域(A)と気化域(B)とを連通させようとする。
【０００８】又、制御用プランジャ(25)は流量制御用駆
動部によりダイアフラム(26)を介して流量制御弁体(23)
の端部(23a)と接している。したがって、制御用プラン
ジャ(25)を図において上方に移動させると、流量制御弁
体(23)はバネ(24)に抗して押し上げられ、液体域(A)と
気化域(B)との間を閉鎖する。
動部によりダイアフラム(26)を介して流量制御弁体(23)
の端部(23a)と接している。したがって、制御用プラン
ジャ(25)を図において上方に移動させると、流量制御弁
体(23)はバネ(24)に抗して押し上げられ、液体域(A)と
気化域(B)との間を閉鎖する。
【０００９】したがって、制御用プランジャ(25)による
流量制御弁体(23)の動作制御により、液体材料(106)の
気化域(B)への流量が正確に制御される。
流量制御弁体(23)の動作制御により、液体材料(106)の
気化域(B)への流量が正確に制御される。
【００１０】気化域(B)へ流入した液体材料(106)は気化
して、キャリアガス(108)により運搬域(C)を経て出口(2
2)から排出されＣＶＤ装置(102)に供給される。
して、キャリアガス(108)により運搬域(C)を経て出口(2
2)から排出されＣＶＤ装置(102)に供給される。
【００１１】運搬域(C)内には液体材料を完全に遮断す
るために閉止用弁体(24)が設けられており、開閉制御用
駆動部に接続された開閉プランジャ(24b)により押し下
げられ、先端部(24a)が気化域(B)と運搬域(C)との間を
閉鎖することができ、成膜プロセスを完全に停止させ
る。
るために閉止用弁体(24)が設けられており、開閉制御用
駆動部に接続された開閉プランジャ(24b)により押し下
げられ、先端部(24a)が気化域(B)と運搬域(C)との間を
閉鎖することができ、成膜プロセスを完全に停止させ
る。
【００１２】このようにして流量制御弁体(23)を備えた
流量制御バルブと、閉止用弁体(24)を備えた閉止バルブ
の両方を併用して液体材料の供給を制御しているのは、
流量制御バルブは液体の流量を微小量かつ正確に制御せ
ねばならないので、閉止用バルブとはお互いに機能を分
担させているためである。
流量制御バルブと、閉止用弁体(24)を備えた閉止バルブ
の両方を併用して液体材料の供給を制御しているのは、
流量制御バルブは液体の流量を微小量かつ正確に制御せ
ねばならないので、閉止用バルブとはお互いに機能を分
担させているためである。
【００１３】しかし、閉止用バルブが運搬域(C)に存在
するために不都合を生じている。すなわち、閉止弁体(2
4)が気化域(B)の真上にかぶさるように位置するため、
気化域(B)の排気効率が低下し、気化域(B)の内部圧は上
昇する。
するために不都合を生じている。すなわち、閉止弁体(2
4)が気化域(B)の真上にかぶさるように位置するため、
気化域(B)の排気効率が低下し、気化域(B)の内部圧は上
昇する。
【００１４】一般に気化は圧力が低いほど効率が高いの
で、気化域(B)の圧力上昇によって液体材料の気化が妨
げられ、液体材料の一部が気化せず液体のまま残存する
ことになる。この液体(28)は気化域(B)で突沸し、運搬
域(C)内部の器壁や閉止弁体に衝突し、瞬間的に気化す
る。これによって圧力が上昇し、直後に低下するという
圧力変動を生じることになる。
で、気化域(B)の圧力上昇によって液体材料の気化が妨
げられ、液体材料の一部が気化せず液体のまま残存する
ことになる。この液体(28)は気化域(B)で突沸し、運搬
域(C)内部の器壁や閉止弁体に衝突し、瞬間的に気化す
る。これによって圧力が上昇し、直後に低下するという
圧力変動を生じることになる。
【００１５】この圧力変動は成膜を行うＣＶＤ装置(10
2)にも達し、設置されている圧力計(103)に観測され
る。圧力変動は成膜に重大な影響を及ぼし、圧力変動が
大きいと半導体表面にムラを生じたり、膜厚不均一の原
因となりウエハの歩留りを低下させる原因となる。そこ
で、気化効率の高く、圧力変動の少ない気化装置が求め
られている。
2)にも達し、設置されている圧力計(103)に観測され
る。圧力変動は成膜に重大な影響を及ぼし、圧力変動が
大きいと半導体表面にムラを生じたり、膜厚不均一の原
因となりウエハの歩留りを低下させる原因となる。そこ
で、気化効率の高く、圧力変動の少ない気化装置が求め
られている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の気化装置の弁構
造は、『液体材料(106)が気化する気化域(イ)に臨み、液
体材料を前記気化域(イ)に供給する液体材料供給口(15a)
が設けられている弁座(16)と、該弁座(16)に当接・離間
して前記液体材料供給口(15a)から気化域(イ)に至る流路
の開閉並びに開時に前記流路の開度制御が可能な弁体
(1)とを備え、該流路から気化域(イ)に流出する液体材料
の流量を制御可能である』ことを特徴とする。
造は、『液体材料(106)が気化する気化域(イ)に臨み、液
体材料を前記気化域(イ)に供給する液体材料供給口(15a)
が設けられている弁座(16)と、該弁座(16)に当接・離間
して前記液体材料供給口(15a)から気化域(イ)に至る流路
の開閉並びに開時に前記流路の開度制御が可能な弁体
(1)とを備え、該流路から気化域(イ)に流出する液体材料
の流量を制御可能である』ことを特徴とする。
【００１７】これによれば、弁体(1)が従来の流量制御
弁体(23)の機能と、閉止用弁体(24)の機能を合わせ持つ
ために気化装置内に別途閉止用弁体を設ける必要がなく
なる。したがって、閉止用弁体の存在に起因する気化効
率の低下が解消され、圧力変動を少なくすることができ
る。
弁体(23)の機能と、閉止用弁体(24)の機能を合わせ持つ
ために気化装置内に別途閉止用弁体を設ける必要がなく
なる。したがって、閉止用弁体の存在に起因する気化効
率の低下が解消され、圧力変動を少なくすることができ
る。
【００１８】『請求項２』は気化装置の弁構造の具体例
１で『液体材料(106)が気化する気化域(イ)に臨み、液体
材料(106)を前記気化域(イ)に供給する液体材料供給口(1
5a)が設けられている弁座(16)と、気化域(イ)に開口せる
液体材料(106)が気化した気化材料の出口(12)と、弁座
(16)の設けられているボティ(13)に設置され、液体材料
供給口(15a)から気化域(イ)に流出する液体材料(106)を
加熱するヒータ(10)と、該弁座(16)に当接・離間して前
記液体材料供給口(15a)から気化域(イ)に至る流路の開閉
並びに開時に前記流路の開度制御が可能な弁体(1)とを
備え、該流路から気化域(イ)に流出する液体材料(106)の
流量を制御可能である』ことを特徴とし、『請求項３』
は同具体例２で『液体材料(106)が気化する気化域(イ)に
臨み、液体材料(106)を前記気化域(イ)に供給する液体材
料供給口(15a)が設けられている弁座(16)と、気化域(イ)
に開口せるキャリアガス入口(11)と、気化域(イ)に開口
し、キャリアガス(108)と液体材料(106)が気化した気化
材料の混合ガスの出口(12)と、弁座(16)の設けらてれい
るボティ(13)に設置され、液体材料供給口(15a)から気
化域(イ)に流出する液体材料(106)を加熱するヒータ(10)
と、該弁座(16)に当接・離間して前記液体材料供給口(1
5a)から気化域(イ)に至る流路の開閉並びに開時に前記流
路の開度制御が可能な弁体(1)とを備え、該流路から気
化域に流出する液体材料(106)の流量を制御可能であ
る』ことを特徴とする。
１で『液体材料(106)が気化する気化域(イ)に臨み、液体
材料(106)を前記気化域(イ)に供給する液体材料供給口(1
5a)が設けられている弁座(16)と、気化域(イ)に開口せる
液体材料(106)が気化した気化材料の出口(12)と、弁座
(16)の設けられているボティ(13)に設置され、液体材料
供給口(15a)から気化域(イ)に流出する液体材料(106)を
加熱するヒータ(10)と、該弁座(16)に当接・離間して前
記液体材料供給口(15a)から気化域(イ)に至る流路の開閉
並びに開時に前記流路の開度制御が可能な弁体(1)とを
備え、該流路から気化域(イ)に流出する液体材料(106)の
流量を制御可能である』ことを特徴とし、『請求項３』
は同具体例２で『液体材料(106)が気化する気化域(イ)に
臨み、液体材料(106)を前記気化域(イ)に供給する液体材
料供給口(15a)が設けられている弁座(16)と、気化域(イ)
に開口せるキャリアガス入口(11)と、気化域(イ)に開口
し、キャリアガス(108)と液体材料(106)が気化した気化
材料の混合ガスの出口(12)と、弁座(16)の設けらてれい
るボティ(13)に設置され、液体材料供給口(15a)から気
化域(イ)に流出する液体材料(106)を加熱するヒータ(10)
と、該弁座(16)に当接・離間して前記液体材料供給口(1
5a)から気化域(イ)に至る流路の開閉並びに開時に前記流
路の開度制御が可能な弁体(1)とを備え、該流路から気
化域に流出する液体材料(106)の流量を制御可能であ
る』ことを特徴とする。
【００１９】『請求項４』は弁体(1)の構造に関し『弁
体(1)が、弁座(16)に当接・離間するダイアフラムであ
る』ことを特徴とするのであり、これにより弁体(1)の
熱容量が小さいため、ヒータ(10)により弁体(1)が短時
間で平衡温度に達し、始動から定常運転までの時間を短
縮する事ができる。
体(1)が、弁座(16)に当接・離間するダイアフラムであ
る』ことを特徴とするのであり、これにより弁体(1)の
熱容量が小さいため、ヒータ(10)により弁体(1)が短時
間で平衡温度に達し、始動から定常運転までの時間を短
縮する事ができる。
【００２０】
【実施の形態】以下、本発明を好適な実施例を用いて説
明する。図１は本発明による気化装置を使用した成膜処
理機構の概要を示した図であるが、気化装置以外は上記
した従来のもの同様であるので、ここでの説明は省略す
る。図２は本発明の気化装置の第１実施例の断面図であ
り、図３はその要部を拡大した図である。
明する。図１は本発明による気化装置を使用した成膜処
理機構の概要を示した図であるが、気化装置以外は上記
した従来のもの同様であるので、ここでの説明は省略す
る。図２は本発明の気化装置の第１実施例の断面図であ
り、図３はその要部を拡大した図である。
【００２１】図３において、(ア)は液体材料(106)が液体
の状態で満たされた液体域であり、(イ)は液体材料(106)
が気化する気化域である。(1)は液体材料(106)の供給量
を制御するためのブロック状の弁体であり、開度制御に
よる流量の微小な制御と閉止の両方の働きを有している
（換言すれば、従来の装置における流量制御弁体(23)
と、閉止用弁体(24)の両方役割を兼ねている）。弁体
(1)の材料としてはフッ素樹脂(PTFE,CPTFE)，ポリイミ
ド樹脂等の合成樹脂や耐腐蝕性の金属を用いることがで
きる。
の状態で満たされた液体域であり、(イ)は液体材料(106)
が気化する気化域である。(1)は液体材料(106)の供給量
を制御するためのブロック状の弁体であり、開度制御に
よる流量の微小な制御と閉止の両方の働きを有している
（換言すれば、従来の装置における流量制御弁体(23)
と、閉止用弁体(24)の両方役割を兼ねている）。弁体
(1)の材料としてはフッ素樹脂(PTFE,CPTFE)，ポリイミ
ド樹脂等の合成樹脂や耐腐蝕性の金属を用いることがで
きる。
【００２２】ボディ(13)に設けられた液体入口(15)から
入った液体材料(106)は弁座(16)のほぼ中央に設けられ
た液体材料供給口(15a)を通って液体域(ア)に供給され
る。液体域(ア)内の液体材料(106)の気化域(イ)への流出
量は弁体(1)の動き（弁体(1)の開度、即ち弁体(1)の弁
材当接部(1a)と弁座(16)との離間距離）により制御され
る。前記液体域(ア)は、弁体(1)の底面に凹設された凹所
(1c)と弁座(16)とで構成される空間であり、凹所(1c)の
周囲には弁座(16)に当接・離間する弁体当接部(1a)が突
設されている。
入った液体材料(106)は弁座(16)のほぼ中央に設けられ
た液体材料供給口(15a)を通って液体域(ア)に供給され
る。液体域(ア)内の液体材料(106)の気化域(イ)への流出
量は弁体(1)の動き（弁体(1)の開度、即ち弁体(1)の弁
材当接部(1a)と弁座(16)との離間距離）により制御され
る。前記液体域(ア)は、弁体(1)の底面に凹設された凹所
(1c)と弁座(16)とで構成される空間であり、凹所(1c)の
周囲には弁座(16)に当接・離間する弁体当接部(1a)が突
設されている。
【００２３】バネ(9)は弁体(1)を押し上げ、弁体(1)の
弁材当接部(1a)と弁座(16)との間隙を広げて液体域(ア)
と気化域(イ)とを連通させようとする。一方、ソレノイ
ドや積層圧電素子を用いた流量制御用駆動素子(4)の動
作は、ソレノイドの場合は磁芯(5)から流量制御用プラ
ンジャ(3)に、積層圧電素子の場合は積層圧電素子の接
触端から流量制御用プランジャ(3)に伝達される。流量
制御用プランジャ(3)はダイアフラム(2)を介して弁体端
部(1b)をバネ(9)に抗して押し下げ、弁体端部(1b)を弁
座(16)側に移動させる。したがって、流量制御用駆動素
子(4)による弁体(1)の位置制御により、微小な流量を正
確に制御することができる。前記位置制御は、マスフロ
ーメータ(101)によって計測された流量を流量制御用駆
動素子(4)にフィードバックして行われる。
弁材当接部(1a)と弁座(16)との間隙を広げて液体域(ア)
と気化域(イ)とを連通させようとする。一方、ソレノイ
ドや積層圧電素子を用いた流量制御用駆動素子(4)の動
作は、ソレノイドの場合は磁芯(5)から流量制御用プラ
ンジャ(3)に、積層圧電素子の場合は積層圧電素子の接
触端から流量制御用プランジャ(3)に伝達される。流量
制御用プランジャ(3)はダイアフラム(2)を介して弁体端
部(1b)をバネ(9)に抗して押し下げ、弁体端部(1b)を弁
座(16)側に移動させる。したがって、流量制御用駆動素
子(4)による弁体(1)の位置制御により、微小な流量を正
確に制御することができる。前記位置制御は、マスフロ
ーメータ(101)によって計測された流量を流量制御用駆
動素子(4)にフィードバックして行われる。
【００２４】弁体(1)の弁材当接部(1a)と弁座(16)との
間隙より一定量づつ流出してくる液体材料(106)は、直
後に気化域(イ)内の減圧下にさらされ、またヒータ(10)
により加熱され急膨張し瞬間的に気化される。この場
合、従来と異なり、液体材料(106)が気化域(イ)に出現す
る箇所には閉止用弁体がなく、十分に大きなコンダクタ
ンスを得ることができる。したがって完全な気化が行わ
れ、液体が気化せず残存するようなことない。尚、図中
(14)はボディ(13)の温度を測定するための熱電対であ
る。
間隙より一定量づつ流出してくる液体材料(106)は、直
後に気化域(イ)内の減圧下にさらされ、またヒータ(10)
により加熱され急膨張し瞬間的に気化される。この場
合、従来と異なり、液体材料(106)が気化域(イ)に出現す
る箇所には閉止用弁体がなく、十分に大きなコンダクタ
ンスを得ることができる。したがって完全な気化が行わ
れ、液体が気化せず残存するようなことない。尚、図中
(14)はボディ(13)の温度を測定するための熱電対であ
る。
【００２５】液体材料が気化した気化材料はキャリアガ
ス入口(11)から導入されたキャリアガスによって混合ガ
スとなって出口(12)へ送られ、ＣＶＤ装置(102)へ搬送
される。尚、気化装置(100)がＣＶＤ装置(102)に直接接
続されている場合には必ずしもキャリアガスは必要とし
ない。その場合キャリアガス入口(11)を設けないか、バ
ルブ等を付加してキャリアガス入口(11)を塞ぐとよい。
キャリアガスを使用しない本発明による気化装置（第１
実施例の変形例）の断面図を図４に、その要部拡大断面
図を図５に示す。
ス入口(11)から導入されたキャリアガスによって混合ガ
スとなって出口(12)へ送られ、ＣＶＤ装置(102)へ搬送
される。尚、気化装置(100)がＣＶＤ装置(102)に直接接
続されている場合には必ずしもキャリアガスは必要とし
ない。その場合キャリアガス入口(11)を設けないか、バ
ルブ等を付加してキャリアガス入口(11)を塞ぐとよい。
キャリアガスを使用しない本発明による気化装置（第１
実施例の変形例）の断面図を図４に、その要部拡大断面
図を図５に示す。
【００２６】プロセス終了時には開閉弁用圧縮ガス入口
(8)への圧縮ガス(109)の供給を停止してガスを逃がし、
スプリング(7a)の力で開閉用プランジャ(6)を作動させ
る。半導体の成膜においては液体材料(106)が気化装置
に残留した場合、ウエハに悪影響を及ぼすので、短時間
に、かつ完全に閉止する必要があるため、開閉用駆動素
子(7)として閉止方向にスプリング(7a)を使用した単動
型の空気弁(7b)を用いている。
(8)への圧縮ガス(109)の供給を停止してガスを逃がし、
スプリング(7a)の力で開閉用プランジャ(6)を作動させ
る。半導体の成膜においては液体材料(106)が気化装置
に残留した場合、ウエハに悪影響を及ぼすので、短時間
に、かつ完全に閉止する必要があるため、開閉用駆動素
子(7)として閉止方向にスプリング(7a)を使用した単動
型の空気弁(7b)を用いている。
【００２７】開閉用プランジャ(6)は流量制御用プラン
ジャ(3)の同一線上に設けられているため、その作動に
より流量制御用プランジャ(3)の上端と当接し、流量制
御用プランジャ(3)を下方に圧し下げる。これにより、
弁体(1)が圧し下げられ、弁体(1)の弁体当接部(1a)が弁
座(16)に当接して液体域(ア)と気化域(イ)との間が閉塞さ
れ液体材料(106)の気化を停止させる。プロセスを開始
させる際には反対に圧縮ガス(109)を送り込めば、空気
弁(7b)の働きにより開閉用プランジャ(6)が流量制御用
プランジャ(3)より離れるので、弁体位置の制御（すな
わち、液体材料(106)の流量の制御）が可能な状態とな
る。
ジャ(3)の同一線上に設けられているため、その作動に
より流量制御用プランジャ(3)の上端と当接し、流量制
御用プランジャ(3)を下方に圧し下げる。これにより、
弁体(1)が圧し下げられ、弁体(1)の弁体当接部(1a)が弁
座(16)に当接して液体域(ア)と気化域(イ)との間が閉塞さ
れ液体材料(106)の気化を停止させる。プロセスを開始
させる際には反対に圧縮ガス(109)を送り込めば、空気
弁(7b)の働きにより開閉用プランジャ(6)が流量制御用
プランジャ(3)より離れるので、弁体位置の制御（すな
わち、液体材料(106)の流量の制御）が可能な状態とな
る。
【００２８】次に、図６、７に従って本発明気化装置の
第２実施例を説明する。第１実施例の各部と同一部分は
同一番号を付して説明を省略する。第２実施例は弁体
(1)にダイアフラムを使用した例である。ダイアフラム
型弁体(1)の形状は通常使用される円板状で、同心円状
（本実施例では円状の凹凸が１重である。）の凹凸(1d)
が形成され、その周囲がボディ(13)にて拘束されるよう
になっている。その中央部を押圧するとその中心部が押
圧方向に撓み、押圧力を除くと弁体(1)自身の張力で元
に戻るようになっている。
第２実施例を説明する。第１実施例の各部と同一部分は
同一番号を付して説明を省略する。第２実施例は弁体
(1)にダイアフラムを使用した例である。ダイアフラム
型弁体(1)の形状は通常使用される円板状で、同心円状
（本実施例では円状の凹凸が１重である。）の凹凸(1d)
が形成され、その周囲がボディ(13)にて拘束されるよう
になっている。その中央部を押圧するとその中心部が押
圧方向に撓み、押圧力を除くと弁体(1)自身の張力で元
に戻るようになっている。
【００２９】ボディ(13)の中央には液体入口(15)が設け
られており、その両側にキャリアガス入口(11)と混合ガ
ス出口(12)が配設されており、液体入口(15)の直上に張
設されたダイアフラム型弁体(1)が液体材料供給口(15a)
に当接・離間するようになっており、キャリアガス入口
(11)と混合ガス出口(12)とには接触しないようになって
いる。これにより、ダイアフラム型弁体(1)とキャリア
ガス入口(11)及び混合ガス出口(12)との間の空間が気化
域(イ)になる。《なお、ダイアフラム型弁体(1)は液体材
料供給口(15a)に直接当接・離間するようになってする
ので、第１実施例のような弁体(1)の底面の凹所(1c)が
存在しないので、第１実施例の液体域(ア)は液体入口(1
5)の液体材料供給口(15a)までという事になる。》ま
た、このダイアフラム型弁体(1)の材料もフッ素樹脂(PT
FE,CPTFE)，ポリイミド樹脂等の合成樹脂や耐腐蝕性の
金属を用いる。
られており、その両側にキャリアガス入口(11)と混合ガ
ス出口(12)が配設されており、液体入口(15)の直上に張
設されたダイアフラム型弁体(1)が液体材料供給口(15a)
に当接・離間するようになっており、キャリアガス入口
(11)と混合ガス出口(12)とには接触しないようになって
いる。これにより、ダイアフラム型弁体(1)とキャリア
ガス入口(11)及び混合ガス出口(12)との間の空間が気化
域(イ)になる。《なお、ダイアフラム型弁体(1)は液体材
料供給口(15a)に直接当接・離間するようになってする
ので、第１実施例のような弁体(1)の底面の凹所(1c)が
存在しないので、第１実施例の液体域(ア)は液体入口(1
5)の液体材料供給口(15a)までという事になる。》ま
た、このダイアフラム型弁体(1)の材料もフッ素樹脂(PT
FE,CPTFE)，ポリイミド樹脂等の合成樹脂や耐腐蝕性の
金属を用いる。
【００３０】第２実施例で使用される流量制御用駆動素
子(4)も、例えばソレノイドや積層圧電素子等で、流量
制御用プランジャ(3)を介してダイアフラム型弁体(1)を
押圧するようになっている。ダイアフラム型弁体(1)は
それ自身張力を有しているので、流量制御用プランジャ
(3)の動きに追従して動くことになり、流量制御用駆動
素子(4)が作動して流量制御用プランジャ(3)を介してダ
イアフラム型弁体(1)を押し下げ、液体材料供給口(15a)
に密着させると液体材料供給口(15a)が閉止して液体材
料(106)の供給が停止し、逆方向に作動するとダイアフ
ラム型弁体(1)が液体材料供給口(15a)から離間して液体
材料(106)の気化域(イ)への供給が開始される。
子(4)も、例えばソレノイドや積層圧電素子等で、流量
制御用プランジャ(3)を介してダイアフラム型弁体(1)を
押圧するようになっている。ダイアフラム型弁体(1)は
それ自身張力を有しているので、流量制御用プランジャ
(3)の動きに追従して動くことになり、流量制御用駆動
素子(4)が作動して流量制御用プランジャ(3)を介してダ
イアフラム型弁体(1)を押し下げ、液体材料供給口(15a)
に密着させると液体材料供給口(15a)が閉止して液体材
料(106)の供給が停止し、逆方向に作動するとダイアフ
ラム型弁体(1)が液体材料供給口(15a)から離間して液体
材料(106)の気化域(イ)への供給が開始される。
【００３１】ここで、弁体(1)が薄いダイアフラム型で
あると、第１実施例のブロック状の弁体(1)と違って熱
容量が小さく、従って始動時に所定温度まで短時間に昇
温し平衡に達する。従って立ち上がり時間が非常に短い
という利点がある。また、重量も小さいので、当然その
動作も俊敏で応答性がより高いという利点もある。
あると、第１実施例のブロック状の弁体(1)と違って熱
容量が小さく、従って始動時に所定温度まで短時間に昇
温し平衡に達する。従って立ち上がり時間が非常に短い
という利点がある。また、重量も小さいので、当然その
動作も俊敏で応答性がより高いという利点もある。
【００３２】第２実施例の場合も第１実施例と同様、キ
ャリアガスを必要としない場合があり、その場合の断面
図を図８に示す。なお、実施例１では流量制御用駆動素
子(4)としてソレノイドを使用した例が、実施例２では
積層圧電素子を使用した例が示されているが、実施例１
の場合に積層圧電素子を、実施例２の場合にソレノイド
を使用する事は可能である。
ャリアガスを必要としない場合があり、その場合の断面
図を図８に示す。なお、実施例１では流量制御用駆動素
子(4)としてソレノイドを使用した例が、実施例２では
積層圧電素子を使用した例が示されているが、実施例１
の場合に積層圧電素子を、実施例２の場合にソレノイド
を使用する事は可能である。
【００３３】次に、マスフローメータ(101)における流
量変動を調べたところ本実施例では表１に示す結果が得
られた。比較のために従来の弁構造を備えた気化装置の
場合の結果も同表に示す。
量変動を調べたところ本実施例では表１に示す結果が得
られた。比較のために従来の弁構造を備えた気化装置の
場合の結果も同表に示す。
【表１】
【００３４】この結果から本発明では流量変動は従来の
５分の１程度に減少していることが分かる。マスフロー
メータ(101)における流量変動はＣＶＤ装置(102)の成膜
性能に直接影響を与えるので、本発明によりその影響が
極めて少なくなっている。このように気化が完全に効率
的に行われることにより成膜の膜厚の均一性が向上する
と共に、不良率が低下し、更にデバイスの特性が向上す
る。
５分の１程度に減少していることが分かる。マスフロー
メータ(101)における流量変動はＣＶＤ装置(102)の成膜
性能に直接影響を与えるので、本発明によりその影響が
極めて少なくなっている。このように気化が完全に効率
的に行われることにより成膜の膜厚の均一性が向上する
と共に、不良率が低下し、更にデバイスの特性が向上す
る。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように本発明により気化効率
が高く、圧力変動の少ない気化装置を提供し、成膜の精
度を高めることができるので、ウエハの歩留りを向上さ
せることができる。また、弁体をダイアフラム型にする
ことにより立ち上がり時間の短縮と弁体の応答性の向上
を計る事ができる。
が高く、圧力変動の少ない気化装置を提供し、成膜の精
度を高めることができるので、ウエハの歩留りを向上さ
せることができる。また、弁体をダイアフラム型にする
ことにより立ち上がり時間の短縮と弁体の応答性の向上
を計る事ができる。
【図１】本発明による気化装置を備えた成膜機構の概念
図。
図。
【図２】本発明による気化装置の第１実施例の断面図。
【図３】本発明による気化装置の第１実施例の要部拡大
断面図。
断面図。
【図４】キャリアガスを使用しない本発明による気化装
置の第１実施例の断面図。
置の第１実施例の断面図。
【図５】キャリアガスを使用しない本発明による気化装
置の第１実施例の要部拡大断面図。
置の第１実施例の要部拡大断面図。
【図６】本発明による気化装置の第２実施例の閉止状態
の断面図。
の断面図。
【図７】本発明による気化装置の第２実施例の開状態の
要部拡大断面図。
要部拡大断面図。
【図８】キャリアガスを使用しない本発明による気化装
置の第２実施例の要部拡大断面図。
置の第２実施例の要部拡大断面図。
【図９】従来の気化装置の要部拡大断面図。
(1) 弁体 (2) ダイアフラム (3) 流量制御用プランジャ (4) 流量制御用駆動素子 (5) 磁芯 (6) 開閉用プランジャ (7) 開閉用駆動素子 (8) 開閉弁用圧縮ガス入口 (9) スプリング (10) ヒータ (11) キャリアガス入口 (12) 気化材料とキャリアガスの混合ガスの出口 (13) ボディ (14) 熱電対 (15) 流体入口 (16) 弁座
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】 液体材料が気化する気化域に臨み、液体
材料を前記気化域に供給する液体材料供給口が設けられ
ている弁座と、該弁座に当接・離間して前記液体材料供
給口から気化域に至る流路の開閉並びに開時に前記流路
の開度制御が可能な弁体とを備え、該流路から気化域に
流出する液体材料の流量を制御可能であることを特徴と
する気化装置の弁構造。 - 【請求項２】 液体材料が気化する気化域に臨み、液体
材料を前記気化域に供給する液体材料供給口が設けられ
ている弁座と、気化域に開口せる液体材料が気化した気
化材料の出口と、弁座の設けられているボティに設置さ
れ、液体材料供給口から気化域に流出する液体材料を加
熱するヒータと、該弁座に当接・離間して前記液体材料
供給口から気化域に至る流路の開閉並びに開時に前記流
路の開度制御が可能な弁体とを備え、該流路から気化域
に流出する液体材料の流量を制御可能であることを特徴
とする気化装置の弁構造。 - 【請求項３】 液体材料が気化する気化域に臨み、液体
材料を前記気化域に供給する液体材料供給口が設けられ
ている弁座と、気化域に開口せるキャリアガス入口と、
気化域に開口し、キャリアガスと液体材料が気化した気
化材料の混合ガスの出口と、弁座の設けらてれいるボテ
ィに設置され、液体材料供給口から気化域に流出する液
体材料を加熱するヒータと、該弁座に当接・離間して前
記液体材料供給口から気化域に至る流路の開閉並びに開
時に前記流路の開度制御が可能な弁体とを備え、該流路
から気化域に流出する液体材料の流量を制御可能である
ことを特徴とする気化装置の弁構造。 - 【請求項４】 弁体が、弁座に当接・離間するダイアフ
ラムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載の気化装置の弁構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22790096A JPH1089532A (ja) | 1995-12-13 | 1996-08-08 | 気化装置の弁構造 |
| US08/732,721 US5865421A (en) | 1995-12-13 | 1996-10-18 | Valve structure for use in a vaporizer |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34726695 | 1995-12-13 | ||
| JP7-347266 | 1995-12-13 | ||
| JP21534896 | 1996-07-25 | ||
| JP8-215348 | 1996-07-25 | ||
| JP22790096A JPH1089532A (ja) | 1995-12-13 | 1996-08-08 | 気化装置の弁構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1089532A true JPH1089532A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=27329748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22790096A Pending JPH1089532A (ja) | 1995-12-13 | 1996-08-08 | 気化装置の弁構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5865421A (ja) |
| JP (1) | JPH1089532A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110659A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Aera Japan Ltd | 脱気機能を具えた気化器 |
| KR100446163B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2004-08-30 | 주성엔지니어링(주) | 투-웨이 밸브 |
| JP2006193801A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置及び処理装置 |
| US7163197B2 (en) | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
| JP2007138972A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Ckd Corp | プロセスガス制御弁の付着物除去方法及びプロセスガス制御弁の制御装置 |
| WO2008090861A1 (ja) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Keihin Corporation | ガス用減圧弁 |
| JP2013210095A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-10-10 | Msp Corp | 膜蒸着のための液体流量制御 |
| JPWO2018100968A1 (ja) * | 2016-11-30 | 2019-10-17 | 株式会社フジキン | バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258170B1 (en) * | 1997-09-11 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Vaporization and deposition apparatus |
| US6527865B1 (en) | 1997-09-11 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled gas feedthrough |
| US6537505B1 (en) * | 1998-02-20 | 2003-03-25 | Bio Dot, Inc. | Reagent dispensing valve |
| JP4064525B2 (ja) * | 1998-05-11 | 2008-03-19 | アドバンスド エナジー ジャパン株式会社 | 液体材料気化供給装置の気化器 |
| US6367766B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-04-09 | Robert Briant | Proportional flow valve |
| KR100649852B1 (ko) * | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
| JP4393677B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2010-01-06 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ |
| JP2001317646A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Smc Corp | 圧電式流体制御弁 |
| US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| JP3828821B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-10-04 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化供給装置 |
| JP3902089B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-04-04 | 直本工業株式会社 | 理美容用蒸気供給装置 |
| AU2002953538A0 (en) * | 2002-12-23 | 2003-01-16 | Pickering, Graham | Clean line heated valve |
| US7031600B2 (en) * | 2003-04-07 | 2006-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for silicon oxide deposition on large area substrates |
| US7021330B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-04-04 | Planar Systems, Inc. | Diaphragm valve with reliability enhancements for atomic layer deposition |
| US6907897B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-06-21 | Planar Systems, Inc. | Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition |
| US6941963B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-09-13 | Planar Systems, Inc. | High-speed diaphragm valve for atomic layer deposition |
| US7112541B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ oxide capping after CVD low k deposition |
| US7273823B2 (en) * | 2005-06-03 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Situ oxide cap layer development |
| RU2338945C2 (ru) * | 2005-11-21 | 2008-11-20 | Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Технопроект" | Электромагнитный клапан |
| US8122903B2 (en) | 2007-07-26 | 2012-02-28 | Parker-Hannifin Corporation | Close-coupled purgeable vaporizer valve |
| FR2928937B1 (fr) * | 2008-03-18 | 2010-11-26 | Altatech Semiconductor | Dispositif d'introduction d'un fluide dans une chambre de traitement par depot chimique en phase vapeur,chambre de traitement correspondante et utilisation de la chambre. |
| WO2011097238A2 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Msp Corporation | Fine droplet atomizer for liquid precursor vaporization |
| DE102013220877A1 (de) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Continental Automotive Gmbh | Ventil |
| CN110462096A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-11-15 | 应用材料公司 | 材料沉积布置、用于沉积材料的方法和材料沉积腔室 |
| JP2019105350A (ja) * | 2017-12-14 | 2019-06-27 | 高砂電気工業株式会社 | バルブ装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3915193A (en) * | 1974-11-04 | 1975-10-28 | Carborundum Co | Sterile liquid dispensing valve |
| JPH0784662B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1995-09-13 | アプライドマテリアルズジャパン株式会社 | 化学的気相成長方法とその装置 |
| US5440887A (en) * | 1991-02-05 | 1995-08-15 | Applied Materials, Inc. | Liquid vaporizer-feeder |
| US5201341A (en) * | 1991-03-19 | 1993-04-13 | Nippon Soken, Inc. | Electromagnetic type fluid flow control valve |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP22790096A patent/JPH1089532A/ja active Pending
- 1996-10-18 US US08/732,721 patent/US5865421A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7731162B2 (en) | 2000-09-26 | 2010-06-08 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, vaporization performance appraisal method |
| US7163197B2 (en) | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
| US7422198B2 (en) | 2000-09-26 | 2008-09-09 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, vaporization performance appraisal method |
| US7637482B2 (en) | 2000-09-26 | 2009-12-29 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, vaporization performance appraisal method |
| JP2002110659A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Aera Japan Ltd | 脱気機能を具えた気化器 |
| KR100446163B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2004-08-30 | 주성엔지니어링(주) | 투-웨이 밸브 |
| JP2006193801A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置及び処理装置 |
| JP2007138972A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Ckd Corp | プロセスガス制御弁の付着物除去方法及びプロセスガス制御弁の制御装置 |
| KR101197080B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-11-07 | 씨케이디 가부시키 가이샤 | 프로세스 가스 제어 밸브의 부착물 제거 방법 및 프로세스가스 제어 밸브의 제어 장치 |
| US8181668B2 (en) | 2007-01-25 | 2012-05-22 | Keihin Corporation | Pressure reducing valve for gas |
| JP2008180312A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Keihin Corp | ガス用減圧弁 |
| WO2008090861A1 (ja) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Keihin Corporation | ガス用減圧弁 |
| JP2013210095A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-10-10 | Msp Corp | 膜蒸着のための液体流量制御 |
| JPWO2018100968A1 (ja) * | 2016-11-30 | 2019-10-17 | 株式会社フジキン | バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5865421A (en) | 1999-02-02 |
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