JPH1090299A - 静電容量式加速度センサ - Google Patents

静電容量式加速度センサ

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JPH1090299A
JPH1090299A JP8241680A JP24168096A JPH1090299A JP H1090299 A JPH1090299 A JP H1090299A JP 8241680 A JP8241680 A JP 8241680A JP 24168096 A JP24168096 A JP 24168096A JP H1090299 A JPH1090299 A JP H1090299A
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electrode
acceleration sensor
fixed
sensor
sensor unit
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Hiroshi Otani
浩 大谷
Yasuo Yamaguchi
靖雄 山口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線に伴う寄生容量の影響を小さくし、加速
度を正確に検出することができる静電容量式加速度セン
サを得る。 【解決手段】 面内変位の静電容量式加速度センサにお
いて、シリコン基板から形成された、可動電極及び固定
電極を有するセンサ部と、挟持するように該センサ部に
接合された一対の保護基板と、センサ部の静電容量から
加速度を検出するＩＣとを備え、センサ部には、該ＩＣ
と接続するために形成された各接続用電極が一方の上記
保護基板側に設けられると共に、一方の保護基板には、
各接続用電極上に貫通穴を設けて電極穴がそれぞれ形成
され、ＩＣは、各電極穴を形成した保護基板上に固着さ
れると共に、各電極穴に挿通してセンサ部の各接続用電
極とそれぞれ電気的に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、運動する物体にか
かる加速度又は角速度等を検出する慣性力センサに関
し、特にコンデンサの容量の変化から加速度を電気的に
検出する静電容量式加速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】静電容量式加速度センサは、固定された
固定電極と、加速時の慣性力によって変位する可動電極
を有し、固定電極と可動電極間の誘電率は一定であるこ
とから、固定電極と可動電極との電極間距離が可動電極
の変位によって変化し、固定電極と可動電極との間の誘
電体で形成されたコンデンサの容量が変化する。該容量
の変化を検出回路によって検出することにより、加速度
を検出することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記静電容量
式加速度センサを用いて加速度を検出するための検出回
路は、静電容量式加速度センサとは別に例えばＡＳＩＣ
等のＩＣで形成されている。また、上記静電容量式加速
度センサにおいて、加速度による慣性力が加わって生じ
る容量の変化は小さく、上記検出回路は、このような小
さな容量の変化から加速度を検出する。しかし、静電容
量式加速度センサと検出回路とは、配線基板の配線パタ
ーンによって接続されており、該配線基板の配線に伴う
寄生容量の影響を受けて、上記検出回路が静電容量式加
速度センサの容量を正確に検出することができないとい
う問題があった。
【０００４】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたものであり、静電容量式加速度センサと検
出回路とを接続する配線に伴う寄生容量の影響を小さく
し、加速度を正確に検出することができる静電容量式加
速度センサを得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る静電容
量式加速度センサは、加速度による慣性力によって変位
する可動電極と、固定電極との間の静電容量から加速度
を検出する、面内変位の静電容量式加速度センサにおい
て、シリコン基板から形成された、上記可動電極及び固
定電極を有するセンサ部と、挟持するように該センサ部
に接合された一対の保護基板と、上記センサ部の静電容
量から加速度を検出するＩＣとを備え、上記センサ部
は、該ＩＣと接続するために形成された各接続用電極が
一方の上記保護基板側に設けられると共に、該一方の保
護基板には、上記各接続用電極上に貫通穴を設けて電極
穴がそれぞれ形成され、上記ＩＣは、該各電極穴を形成
した保護基板上に固着されると共に、上記各電極穴に挿
通して上記センサ部の各接続用電極とそれぞれ電気的に
接続されるものである。
【０００６】第２の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１の発明において、上記ＩＣと上記各接続用電
極は、リード線がそれぞれボンディングされて接続され
る。
【０００７】第３の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１の発明において、上記ＩＣは、保護基板に固
着する面における上記各電極穴に対応した位置にそれぞ
れバンプが設けられ、上記各電極穴には導電材それぞれ
充填されて、各バンプが、対応する電極穴の導電材にそ
れぞれ電気的に接続される。
【０００８】第４の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１の発明において、上記ＩＣは、保護基板に固
着する面における上記各電極穴に対応した位置にそれぞ
れリード線がボンディングされ、上記各電極穴には導電
材がそれぞれ充填されて、ボンディングされた各リード
線が、対応する電極穴の導電材にそれぞれ電気的に接続
される。
【０００９】第５の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第４の発明において、上記ボンディングされた各
リード線は、上記各電極穴が形成された保護基板の厚さ
以下の長さにそれぞれカットされた後、対応する電極穴
に挿入するように上記導電材に溶着されてそれぞれ電気
的に接続される。
【００１０】第６の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１から第５の発明において、上記ＩＣは、低応
力の樹脂を用いて、上記各電極穴が形成された保護基板
上に固着される。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、図面に示す実施の形態に基
づいて、本発明を詳細に説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１における
面内変位の静電容量式加速度センサの例を示した斜視図
である。
【００１２】図１において、静電容量式加速度センサ１
は、シリコン基板から形成され、加速度による慣性力を
静電容量の変化で示すセンサ部２と、ガラス、例えばア
ルミノ珪酸塩、ホウ珪酸系のガラス等のようなシリコン
の線膨張係数に近い材質からなり、上記センサ部２を挟
着する基板３，４とで形成されたセンサエレメント５、
及び上記センサ部２の静電容量の変化から加速度を検出
する検出回路からなり上記基板３上に固着されたＩＣ６
で構成される。また、基板３には、センサ部２の所定の
各電極とＩＣ６とを、ボンディングワイヤ等のリード線
７で接続するための貫通穴である電極穴８がそれぞれ設
けられており、ＩＣ６は基板３上に接着部材９で接着さ
れ固着されている。なお、上記基板３及び４は一対の保
護基板をなす。
【００１３】図２から図５は、上記図１で示した静電容
量式加速度センサ１の内部構造の例を示した図である。
図２は、上記図１で示した静電容量式加速度センサ１に
おけるＡ−Ａ断面を示した断面図であり、図３は、上記
基板３を取り除いた状態を示した平面図でありセンサ部
２の構造を示し、図４は、図３で示したＢ−Ｂ部分にお
ける静電容量式加速度センサ１の断面を示した断面図で
あり、図５は、図３で示したＣ−Ｃ部分における静電容
量式加速度センサ１の断面を示した断面図である。
【００１４】図２から図５において、上記センサ部２
は、シリコン基板から形成されたアンカ１０，１１、梁
１２，１３、質量体１４、固定電極１５，１６、検査用
の固定電極１７，１８及び補助支持部１９で構成され、
アンカ１０、固定電極１５，１６、検査用の固定電極１
７，１８及び補助支持部１９における基板３側の面に
は、それぞれＣｒ、Ａｕなどからなる接続用電極２０が
形成されている。上記アンカ１０，１１、梁１２，１３
及び質量体１４は一体化形成されて振動体を構成し、質
量体１４が可動電極をなす。なお、質量体１４は、上記
図１で示したＸ−Ｙ−Ｚ座標に対して、Ｙ方向への変位
を行うものである。このように質量体１４が、センサ部
２を形成するシリコン基板に対して平行に変位するこ
と、すなわち上記Ｘ方向又はＹ方向へ変位することを面
内変位と呼ぶ。
【００１５】上記のような静電容量式加速度センサ１
は、エッチングしてあらかじめエッチング溝を設けたシ
リコンからなるデバイスウエハを、上記基板４に陽極接
合し、更に異方性エッチングを行って、アンカ１０，１
１、梁１２，１３、質量体１４、固定電極１５，１６、
検査用の固定電極１７，１８及び補助支持部１９がそれ
ぞれ形成され、上記各接続用電極２０を所定の位置に形
成した後、アンカ１０，１１、固定電極１５，１６、検
査用の固定電極１７，１８及び補助支持部１９上に上記
基板３が陽極接合されて形成される。
【００１６】上記梁１２，１３及び質量体１４は、エッ
チングにより上記基板３及び４に対してそれぞれ所定の
間隙が設けられており、質量体１４は、上記梁１２及び
１３によって、アンカ１０及び１１を支点にして固定電
極１５及び１６の方向に変位することができ、上記アン
カ１０，１１、固定電極１５，１６、検査用の固定電極
１７，１８及び補助支持部１９は上記基板３及び４に陽
極接合で挟着される。
【００１７】更に、樹脂、はんだ又は銀ペースト等から
なる接着部材９を用いて上記ＩＣ６を基板３上の所定の
位置に固着する。特に、シリコン系樹脂等の低応力の樹
脂を用いて、ＩＣ６を基板３に固着すると、低温及び高
温時における基板３とＩＣ６との熱膨張率の違いによる
電気特性の影響を緩和することができる。また、上記基
板３には、上記各接続用電極２０上に位置する部分にあ
らかじめ電極穴８がそれぞれ設けられており、各接続用
電極２０上には基板３が接合されないようにして、ＩＣ
６と各接続用電極２０とをそれぞれボンディングワイヤ
等のリード線７で接続する。なお、上記補助支持部１９
に設けられた接続用電極２０をＩＣ６を介して接地する
ことにより、浮遊容量を安定化させることができ、補助
支持部１９を静電シールドとして使用することもでき
る。
【００１８】上記のような構成において、静電容量式加
速度センサ１は、加速度による慣性力が加わると、質量
体１４は、上記アンカ１０及び１１を支点にして梁１２
及び１３により固定電極１５又は１６の方向に変位す
る。このため、固定電極１５と質量体１４との間で形成
されたコンデンサの静電容量、及び固定電極１６と質量
体１４との間で形成されたコンデンサの静電容量がそれ
ぞれ変化し、上記ＩＣ６は、アンカ１０及び固定電極１
５，１６にそれぞれ設けられた接続用電極２０からリー
ド線７を介して検出した上記各静電容量より加速度を検
出する。
【００１９】なお、上記固定電極１７，１８は、静電容
量式加速度センサ１の検査用の電極であり、静電容量式
加速度センサ１に慣性力が加わらない状態において、Ｉ
Ｃ６から、リード線７を介して固定電極１７，１８に電
圧を印加すると、質量体１４との間に電位差が生じ、静
電引力によって質量体１４は変位する。該静電引力は静
電容量式加速度センサ１に慣性力といった外力を加えた
場合と見かけ上等しく、ＩＣ６は、このときにおける、
固定電極１５と質量体１４との間で形成されたコンデン
サの静電容量、及び固定電極１６と質量体１４との間で
形成されたコンデンサの静電容量の変化を検出すること
によって、静電容量式加速度センサ１の質量体１４が確
実に変位するか否かを自己診断することができる。
【００２０】このように、本実施の形態１における静電
容量式加速度センサ１は、基板３上にＩＣ６を固着し、
基板３に設けられた各電極穴８によって、センサ部２の
各接続用電極２０とＩＣ６とをそれぞれリード線７で接
続することができ、ＩＣ６とセンサ部２を最短の長さの
リード線で接続することができるため、ＩＣ６とセンサ
部２との接続の際に使用する配線に伴う寄生容量の影響
を小さくすることができ、センサ部２の静電容量を正確
に検出することができることから、面内変位の静電容量
式加速度センサにおいて、精度の向上を図ることができ
ると共に、電気的接続を容易にすることができ、小型化
を図ることができる。
【００２１】実施の形態２．上記実施の形態１において
は、ＩＣ６とセンサ部２の各接続用電極２０とをリード
線７を使用してそれぞれ接続したが、リード線を使用せ
ずにＩＣ６と各接続用電極２０とを接続するようにして
もよく、このようにしたものを本発明の実施の形態２と
する。図６は、本発明の実施の形態２における面内変位
の静電容量式加速度センサの例を示した斜視図であり、
図７は、図６で示した静電容量式加速度センサにおける
Ｄ−Ｄ断面を示した断面図である。なお、図６及び図７
において、上記図１及び図２と同じものは同じ符号で示
しており、ここではその説明を省略すると共に、上記図
１及び図２との相違点のみ説明する。
【００２２】図６及び図７における図１及び図２との相
違点は、図１及び図２のリード線７を廃止し、図１及び
図２におけるＩＣ６の基板３との固着面において、セン
サ部２の各接続用電極２０に対応する位置にそれぞれバ
ンプ３１を設け、基板３における各電極穴８に導電材３
２をそれぞれ充填して、上記各バンプ３１をそれぞれ対
応する電極穴８の導電材３２と電気的に接続したことに
ある。このことから、図１及び図２のＩＣ６をＩＣ３３
とし、図１及び図２の静電容量式加速度センサ１を静電
容量式加速度センサ３０とする。
【００２３】図６及び図７において、上記基板３に設け
られた各電極穴８には、はんだや銀ペースト等の導電材
３２がそれぞれ充填されており、更にＩＣ３３には、上
記基板３との固着面側における、センサ部２の各接続用
電極２０に対応する位置に、はんだ又はＡｕ等で形成さ
れたバンプ３１がそれぞれ設けられている。該各バンプ
３１と、対応する位置にある導電材３２とを溶着させる
等してそれぞれ電気的に接続し、センサ部２の各接続用
電極２０がそれぞれＩＣ３３に接続されると共に、ＩＣ
３３が基板３上に固着される。なお、この際、ＩＣ３３
の固着強度を高めるために、上記のような電気的な接続
とは別に、ＩＣ３３と基板３との間を接着部材９等で接
着してもよい。
【００２４】このように、本実施の形態２における静電
容量式加速度センサ３０は、上記実施の形態１と同じ効
果が得られると共に、ボンディングワイヤ等のリード線
７を使用せず、ＩＣ３３に設けたそれぞれのバンプ３１
と、対応する各電極穴８に充填した導電材３２とを溶着
させる等して電気的に接続するようにしたことから、上
記各リード線間でのショートが発生せず、信頼性の向上
を図ることができる。
【００２５】実施の形態３．上記実施の形態２において
は、ＩＣ３３にバンプ３１を設けたが、該各バンプ３１
を設けずに、各バンプ３１の位置にボンディングワイヤ
等のリード線をボンディングし、ボンディングしたリー
ド線を上記導電材３２に電気的に接続するようにしても
よく、このようにしたものを本発明の実施の形態３とす
る。なお、本実施の形態３における面内変位の静電容量
式加速度センサの例を示した斜視図は上記図６と同じで
あるので省略し、上記図６を参照しながら説明する。
【００２６】図８は、本実施の形態３における静電容量
式加速度センサにおいて、上記図６で示したＤ−Ｄ断面
と同じ位置の断面を示した断面図である。なお、図８に
おいて、上記図７と同じものは同じ符号で示しており、
ここではその説明を省略すると共に、上記図７との相違
点のみ説明する。図８において、上記図７との相違点
は、図７の各バンプ３１を廃止し、該各バンプ３１の位
置にボンディングワイヤ等のリード線４１をそれぞれボ
ンディングしてボンディング部４２を形成した後、該各
リード線４１をカットするようにしたことから、図７の
ＩＣ３３をＩＣ４３とし、これに伴って図７の静電容量
式加速度センサ３０を静電容量式加速度センサ４０とし
たことである。
【００２７】図９は、上記図８で示した静電容量式加速
度センサ４０において、ＩＣ４３を基板３上に固着する
状態を示した断面図である。図９において、ＩＣ４３
は、上記基板３との固着面側における、センサ部２の各
接続用電極２０に対応する位置に、それぞれリード線４
１がボンディングされてボンディング部４２を形成し、
長さが上記基板３の厚み以下になるように、各リード線
４１を切断する。
【００２８】上記基板３に設けられた各電極穴８には、
あらかじめ、はんだや導電性の接着剤等の導電材３２が
それぞれ充填されており、上記各リード線４１と、対応
する位置にある導電材３２とを溶着させる等してそれぞ
れ電気的に接続される。このようにして、センサ部２の
各接続用電極２０がそれぞれＩＣ４３に接続されると共
に、ＩＣ４３が基板３上に固着される。なお、この際、
ＩＣ４３の固着強度を高めるために、上記のような電気
的な接続とは別に、ＩＣ４３と基板３との間を接着部材
９等で接着してもよい。
【００２９】このように、本実施の形態３における静電
容量式加速度センサ４０は、上記実施の形態１と同じ効
果が得られると共に、ＩＣ４３にボンディングしたそれ
ぞれのリード線４１と、対応する各電極穴８に充填した
導電材３２とを溶着させる等して電気的に接続するよう
にしたことから、上記各リード線間でのショートが発生
せず、信頼性の向上を図ることができる。
【００３０】
【発明の効果】第１の発明に係る静電容量式加速度セン
サは、面内変位の静電容量式加速度センサにおいて、Ｉ
Ｃと接続するためにセンサ部に形成された各接続用電極
を一方の上記保護基板側に設けると共に、該一方の保護
基板には、上記各接続用電極上に貫通穴を設けて電極穴
をそれぞれ形成し、上記ＩＣを、該各電極穴を形成した
保護基板上に固着すると共に、上記各電極穴に挿通して
上記センサ部の各接続用電極とそれぞれ電気的に接続す
るようにした。このことから、センサ部とＩＣとを最短
距離で接続することができ、センサ部とＩＣとを接続す
る際に使用する配線に伴う寄生容量の影響を小さくする
ことができ、センサ部の静電容量を正確に検出すること
ができることから、面内変位の静電容量式加速度センサ
において、精度の向上を図ることができると共に、電気
的接続を容易にすることができ、小型化を図ることがで
きる。
【００３１】第２の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１の発明において、上記ＩＣと各接続用電極
は、リード線がそれぞれボンディングされて接続される
ことから、センサ部とＩＣとを最短の長さのリード線で
接続することができ、センサ部とＩＣとを接続する際に
使用する配線に伴う寄生容量の影響を小さくすることが
でき、センサ部の静電容量を正確に検出することができ
ることから、面内変位の静電容量式加速度センサにおい
て、精度の向上を図ることができると共に、電気的接続
を容易にすることができ、小型化を図ることができる。
【００３２】第３の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１の発明において、上記センサ部とＩＣとの電
気的接続として、上記ＩＣに対して、保護基板に固着す
る面における上記各電極穴に対応した位置にそれぞれバ
ンプを設け、上記各電極穴には導電材をそれぞれ充填
し、上記各バンプを、対応する電極穴の導電材にそれぞ
れ電気的に接続した。このことから、センサ部とＩＣと
を最短の配線で接続することができ、センサ部とＩＣと
を接続する際に使用する配線に伴う寄生容量の影響を小
さくすることができ、センサ部の静電容量を正確に検出
することができると共に、センサ部とＩＣをリード線を
ボンディングして接続した場合に起きる可能性がある上
記各リード線間でのショートを防止することができる。
これらのことから、面内変位の静電容量式加速度センサ
において、信頼性を向上させることができると共に、精
度の向上及び小型化を図ることができ、電気的接続を容
易にすることができる。
【００３３】第４の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１の発明において、上記各バンプの代わりに、
上記ＩＣにおける保護基板に固着する面の、上記各電極
穴に対応した位置にそれぞれリード線をボンディング
し、該ボンディングした各リード線を対応する電極穴の
導電材にそれぞれ電気的に接続した。このことから、セ
ンサ部とＩＣとを最短の配線で接続することができ、セ
ンサ部とＩＣとを接続する際に使用する配線に伴う寄生
容量の影響を小さくすることができ、センサ部の静電容
量を正確に検出することができると共に、センサ部とＩ
Ｃをリード線をボンディングして接続した場合に起きる
可能性がある上記各リード線間でのショートを防止する
ことができる。これらのことから、面内変位の静電容量
式加速度センサにおいて、信頼性を向上させることがで
きると共に、精度の向上及び小型化を図ることができ、
電気的接続を容易にすることができる。
【００３４】第５の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第４の発明において、上記ボンディングした各リ
ード線を、上記各電極穴が形成された保護基板の厚さ以
下の長さにそれぞれカットした後、対応する電極穴に挿
入するように上記導電材に溶着してそれぞれ電気的に接
続した。このことから、センサ部とＩＣとを最短の配線
で接続することができ、センサ部とＩＣとを接続する際
に使用する配線に伴う寄生容量の影響を小さくすること
ができ、センサ部の静電容量を正確に検出することがで
きると共に、センサ部とＩＣをリード線をボンディング
して接続した場合に起きる可能性がある上記各リード線
間でのショートを防止することができる。これらのこと
から、面内変位の静電容量式加速度センサにおいて、信
頼性を向上させることができると共に、精度の向上及び
小型化を図ることができ、電気的接続を容易にすること
ができる。
【００３５】第６の発明に係る静電容量式加速度センサ
では、第１から第５の発明において、上記ＩＣを、低応
力の樹脂を用いて、上記各電極穴を形成した保護基板上
に固着するようにしたことから、低温及び高温時におけ
る保護基板とＩＣとの熱膨張率の違いによる電気特性の
影響を緩和させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における面内変位の静
電容量式加速度センサの例を示した斜視図である。
【図２】 図１で示した静電容量式加速度センサ１にお
けるＡ−Ａ断面を示した断面図である。
【図３】 図１で示した静電容量式加速度センサ１にお
ける基板３を取り除いた状態を示す平面図である。
【図４】 図３で示したＢ−Ｂ部分における静電容量式
加速度センサ１の断面を示した断面図である。
【図５】 図３で示したＣ−Ｃ部分における静電容量式
加速度センサ１の断面を示した断面図である。
【図６】 本発明の実施の形態２における面内変位の静
電容量式加速度センサの例を示した斜視図である。
【図７】 図６で示した静電容量式加速度センサ３０に
おけるＤ−Ｄ断面を示した断面図である。
【図８】 本実施の形態３における静電容量式加速度セ
ンサ４０の例を示した断面図である。
【図９】 図８で示した静電容量式加速度センサ４０に
おける、ＩＣ４３を基板３上に固着する状態を示した断
面図である。
【符号の説明】
１，３０，４０ 静電容量式加速度センサ、 ２ セン
サ部、 ３，４ 基板、 ６，３３，４３ ＩＣ、
７，４１ リード線、 ８ 電極穴、 ９ 接着部材、
１０，１１ アンカ、 １２，１３ 梁、 １４ 質
量体、 １５，１６ 固定電極、 １９ 補助支持部、
２０ 接続用電極、 ３１ バンプ、３２ 導電材、
４２ ボンディング部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加速度による慣性力によって変位する可
    動電極と、固定電極との間の静電容量から加速度を検出
    する、面内変位の静電容量式加速度センサにおいて、 シリコン基板から形成された、上記可動電極及び固定電
    極を有するセンサ部と、 挟持するように該センサ部に接合された一対の保護基板
    と、 上記センサ部の静電容量から加速度を検出するＩＣとを
    備え、 上記センサ部は、該ＩＣと接続するために形成された各
    接続用電極が一方の上記保護基板側に設けられると共
    に、該一方の保護基板には、上記各接続用電極上に貫通
    穴を設けて電極穴がそれぞれ形成され、上記ＩＣは、該
    各電極穴を形成した保護基板上に固着されると共に、上
    記各電極穴に挿通して上記センサ部の各接続用電極とそ
    れぞれ電気的に接続されることを特徴とする静電容量式
    加速度センサ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の静電容量式加速度セン
    サにして、上記ＩＣと上記各接続用電極は、リード線が
    それぞれボンディングされて接続されることを特徴とす
    る静電容量式加速度センサ。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の静電容量式加速度セン
    サにして、上記ＩＣは、保護基板に固着する面における
    上記各電極穴に対応した位置にそれぞれバンプが設けら
    れ、上記各電極穴には導電材がそれぞれ充填されて、各
    バンプが、対応する電極穴の導電材にそれぞれ電気的に
    接続されることを特徴とする静電容量式加速度センサ。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の静電容量式加速度セン
    サにして、上記ＩＣは、保護基板に固着する面における
    上記各電極穴に対応した位置にそれぞれリード線がボン
    ディングされ、上記各電極穴には導電材がそれぞれ充填
    されて、ボンディングされた各リード線が、対応する電
    極穴の導電材にそれぞれ電気的に接続されることを特徴
    とする静電容量式加速度センサ。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の静電容量式加速度セン
    サにして、上記ボンディングされた各リード線は、上記
    各電極穴が形成された保護基板の厚さ以下の長さにそれ
    ぞれカットされた後、対応する電極穴に挿入するように
    上記導電材に溶着されてそれぞれ電気的に接続されるこ
    とを特徴とする静電容量式加速度センサ。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
    の静電容量式加速度センサにして、上記ＩＣは、低応力
    の樹脂を用いて、上記各電極穴が形成された保護基板上
    に固着されることを特徴とする静電容量式加速度セン
    サ。
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