JPH1092585A - ベース電極の洗浄方法 - Google Patents
ベース電極の洗浄方法Info
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- JPH1092585A JPH1092585A JP9193358A JP19335897A JPH1092585A JP H1092585 A JPH1092585 A JP H1092585A JP 9193358 A JP9193358 A JP 9193358A JP 19335897 A JP19335897 A JP 19335897A JP H1092585 A JPH1092585 A JP H1092585A
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- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作特性を改良する。
【解決手段】 有機層の付着前にベース電極が、プラズ
マ反応器内の酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオ
ン、キセノン、クリプトンまたはそれらの混合物から選
択されたプラズマガス中に曝されるエレクトロルミネッ
センス発生装置のベース電極の洗浄。
マ反応器内の酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオ
ン、キセノン、クリプトンまたはそれらの混合物から選
択されたプラズマガス中に曝されるエレクトロルミネッ
センス発生装置のベース電極の洗浄。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベース電極が第一
の層の適用前にプラズマに露出してある有機エレクトロ
ルミネセンス（ＥＬ）発生装置に関する。
の層の適用前にプラズマに露出してある有機エレクトロ
ルミネセンス（ＥＬ）発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】現在用いられている発光装
置は、光電子の現代においてきわめて重要なものであ
る。光学ディスプレー機器の開発は、装置が平坦で、大
規模に表示でき、高度に効率がよく、その製造コストが
低いものに関心が集まっている。電気的に作動する発光
装置の製造法には、様々なものが多く存在している。し
かしながら、平坦で、大規模に表示でき、製造コストが
高くない装置という利点を兼ね備えたシステムとして知
られているものは、ただ２種存在するのみである。
置は、光電子の現代においてきわめて重要なものであ
る。光学ディスプレー機器の開発は、装置が平坦で、大
規模に表示でき、高度に効率がよく、その製造コストが
低いものに関心が集まっている。電気的に作動する発光
装置の製造法には、様々なものが多く存在している。し
かしながら、平坦で、大規模に表示でき、製造コストが
高くない装置という利点を兼ね備えたシステムとして知
られているものは、ただ２種存在するのみである。
【０００３】１． 結合剤マトリックス中のドーピング
されたＺｎＳ粒子 ＺｎＳ粒子は薄い層中に含まれ、高周波電場の対象上で
発光する。ＺｎＳシステムのＬＥＤの効率は、低いもの
である。その上不利な点は高周波の高作動電圧を必要と
することである。
されたＺｎＳ粒子 ＺｎＳ粒子は薄い層中に含まれ、高周波電場の対象上で
発光する。ＺｎＳシステムのＬＥＤの効率は、低いもの
である。その上不利な点は高周波の高作動電圧を必要と
することである。
【０００４】２． エレクトロルミネセンス発生重合体 ポリフェニレンビニレンを基にした重合体のＬＥＤは、
Ｆｒｉｅｎｄら（Ｓ−Ｐ−５ ２４７ １９０）によっ
て初めて記述された。最も簡単な装置では、重合体は透
明陽極（例えば：ＩＴＯ）と真空金属化陰極（例えば：
Ｃａ，Ａｌ）の間に挿入されている。電圧がかけられる
とその装置は光を発する。
Ｆｒｉｅｎｄら（Ｓ−Ｐ−５ ２４７ １９０）によっ
て初めて記述された。最も簡単な装置では、重合体は透
明陽極（例えば：ＩＴＯ）と真空金属化陰極（例えば：
Ｃａ，Ａｌ）の間に挿入されている。電圧がかけられる
とその装置は光を発する。
【０００５】３． 低分子量、真空金属化複合体を基に
したエレクトロルミネセンス発生システム 真空金属化、低分子量複合体を基にしたＬＥＤは１９８
３年に、Ｓ． ｖａｎＳｌｉｋｅとＣ． Ｔａｎｇ（Ｅ
Ｐ−Ａ ０１２０ ６７３）によって初めて記述され
た。その著者らによって記述されたＬＥＤは透明陽極
（ＩＴＯ）と低分子量の２層の上に真空金属化された層
（正孔伝導体、電子伝導体及びエミッタ）からなり、そ
の上に金属陰極が真空金属化されている。その装置が１
０から２０Ｖの電圧中の対象上に光を発する。
したエレクトロルミネセンス発生システム 真空金属化、低分子量複合体を基にしたＬＥＤは１９８
３年に、Ｓ． ｖａｎＳｌｉｋｅとＣ． Ｔａｎｇ（Ｅ
Ｐ−Ａ ０１２０ ６７３）によって初めて記述され
た。その著者らによって記述されたＬＥＤは透明陽極
（ＩＴＯ）と低分子量の２層の上に真空金属化された層
（正孔伝導体、電子伝導体及びエミッタ）からなり、そ
の上に金属陰極が真空金属化されている。その装置が１
０から２０Ｖの電圧中の対象上に光を発する。
【０００６】有機ＬＥＤの層構造に対するもっとも一般
的なケースは、ＥＰ−Ａ ０ ６３７ ８９９に明らか
にされている。付加層についてもその中で、光放出装置
の機能へのよい影響を持つものと記述されている。有機
成分から組み立てられているＬＥＤの特性は、付加有機
層（Ｔａｎｇら Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．
５１（１９８７）９１３）の挿入によって著しく改良
されうる。この目的で１，２の電荷注入層が、エレクト
ロルミネッセンス層と２電極との間に挿入される。これ
ら電荷注入層は、真空沈着単体（Ａｄａｃｈｉら Ａｐ
ｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５７（１９９０）５
３１）， 重合体（ＵＳ−Ｐ ５ ２３１ ３２９）
あるいは重合体中に分散された単体（Ｂｒｏｗｎら Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ６１（１９９２）２
７３９）からなっていてよい。基本的には１連の層は、
以下で構成される。
的なケースは、ＥＰ−Ａ ０ ６３７ ８９９に明らか
にされている。付加層についてもその中で、光放出装置
の機能へのよい影響を持つものと記述されている。有機
成分から組み立てられているＬＥＤの特性は、付加有機
層（Ｔａｎｇら Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．
５１（１９８７）９１３）の挿入によって著しく改良
されうる。この目的で１，２の電荷注入層が、エレクト
ロルミネッセンス層と２電極との間に挿入される。これ
ら電荷注入層は、真空沈着単体（Ａｄａｃｈｉら Ａｐ
ｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５７（１９９０）５
３１）， 重合体（ＵＳ−Ｐ ５ ２３１ ３２９）
あるいは重合体中に分散された単体（Ｂｒｏｗｎら Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ６１（１９９２）２
７３９）からなっていてよい。基本的には１連の層は、
以下で構成される。
【０００７】１． 担体、基板 ２． ベース電極 ３． 正孔注入層 ４． 正孔移送層 ５． 光放出層 ６． 電子移送層 ７． 電子注入層 ８． 頂上電極 ９． 接点 １０． ケース、包皮 この構造はもっとも一般的な場合を代表しており、それ
ぞれの層を省略することで一つの層がいくつもの機能を
持つようにして、単純化しうる。最も単純なケースで
は、ＥＬ装置が、光放出を含むすべての機能を持つ有機
層が２電極間に並べられたものからなる場合である。そ
のようなシステムは、例えばポリｐフェニレンビニレン
を基にしたＷＯ ９０／１３１４８がある。
ぞれの層を省略することで一つの層がいくつもの機能を
持つようにして、単純化しうる。最も単純なケースで
は、ＥＬ装置が、光放出を含むすべての機能を持つ有機
層が２電極間に並べられたものからなる場合である。そ
のようなシステムは、例えばポリｐフェニレンビニレン
を基にしたＷＯ ９０／１３１４８がある。
【０００８】ＪＰ ０７ ２２０ ８７３ は、エレク
トロルミネッセンス発生装置と電気伝導性基板の、表面
活性剤、超音波、酸及びプラズマ処理による洗浄につい
て記述している。塩素または四塩化炭素がプラズマガス
の例として述べられている。酸素は補助ガスとして端的
に述べられている。
トロルミネッセンス発生装置と電気伝導性基板の、表面
活性剤、超音波、酸及びプラズマ処理による洗浄につい
て記述している。塩素または四塩化炭素がプラズマガス
の例として述べられている。酸素は補助ガスとして端的
に述べられている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、エレクトロル
ミネッセンス発生装置のベース電極の洗浄のためのプロ
セスを提供するもので、その中では有機層の付着前にベ
ース電極がプラズマ反応器中で、酸素、窒素、アルゴ
ン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン及びそれ
らの混合物から選択したガスプラズマに曝される。
ミネッセンス発生装置のベース電極の洗浄のためのプロ
セスを提供するもので、その中では有機層の付着前にベ
ース電極がプラズマ反応器中で、酸素、窒素、アルゴ
ン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン及びそれ
らの混合物から選択したガスプラズマに曝される。
【００１０】透明基板に適用される有機ＬＥＤの電極を
ベース電極と呼ぶ。ベース電極も一般的には透明であ
る。有機ＬＥＤには、ベース電極として次の物質が用い
られる。
ベース電極と呼ぶ。ベース電極も一般的には透明であ
る。有機ＬＥＤには、ベース電極として次の物質が用い
られる。
【００１１】ａ） 金属酸化物、例えば、インディウム
ー錫酸化物（ＩＴＯ）、錫酸化物（ＮＥＳＡ）その他 ｂ） 半透明金属フィルム、例えば、金、プラチナ、
銀、銅、その他 ｃ） ポリアニリン、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉ
ｏｐｈｅｎｅｓ）等の電気伝導性重合体フィルム 金属酸化物電極や半透明金属フィルム電極は、真空金属
化、スパッタリング、メッキ等により薄層にして用いら
れる。
ー錫酸化物（ＩＴＯ）、錫酸化物（ＮＥＳＡ）その他 ｂ） 半透明金属フィルム、例えば、金、プラチナ、
銀、銅、その他 ｃ） ポリアニリン、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉ
ｏｐｈｅｎｅｓ）等の電気伝導性重合体フィルム 金属酸化物電極や半透明金属フィルム電極は、真空金属
化、スパッタリング、メッキ等により薄層にして用いら
れる。
【００１２】金属酸化物は特にベース電極に適してい
る。ＩＴＯ被膜またはＮＥＳＡ被膜の基板は多くのメー
カーから入手できる。
る。ＩＴＯ被膜またはＮＥＳＡ被膜の基板は多くのメー
カーから入手できる。
【００１３】基板が所望の大きさに切断された後、基板
上のベース電極の表面は有機溶媒で完全に洗浄される。
洗浄後には、基板はベース電極とともにプラズマ反応器
中に置かれる。
上のベース電極の表面は有機溶媒で完全に洗浄される。
洗浄後には、基板はベース電極とともにプラズマ反応器
中に置かれる。
【００１４】プラズマ反応器は、低圧プラズマが打ち出
されるか点火され、連続的に燃焼しうる装置として理解
されている。プラズマ反応器は真空技術で広く用いら
れ、多数の出版物中（例えば Ｇ． Ｆｒａｎｚ：
Ｋａｌｔｅ Ｐｌａｓｍｅｎ（ｃｏｌｄ ｐｌａｓｍ
ａ）， Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ Ｂｅｒｌｉ
ｎ， １９９０） に記述されている。プラズマ反応器
は購入することもでき、実験室内で製作することもでき
る。
されるか点火され、連続的に燃焼しうる装置として理解
されている。プラズマ反応器は真空技術で広く用いら
れ、多数の出版物中（例えば Ｇ． Ｆｒａｎｚ：
Ｋａｌｔｅ Ｐｌａｓｍｅｎ（ｃｏｌｄ ｐｌａｓｍ
ａ）， Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ Ｂｅｒｌｉ
ｎ， １９９０） に記述されている。プラズマ反応器
は購入することもでき、実験室内で製作することもでき
る。
【００１５】基板は、プラズマ反応器中に、ベース電極
の表面にプラズマが届くように置かれる。反応器内の圧
力が通常１０-4ｍｂａｒまでポンプで排出した後、プラ
ズマガスが導入され点火される。プラズマガスとしては
Ｏ2，Ｎ2，Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒ及びこれらの
ガスの混合物、望ましくはＮ2を用いる。プラズマ操作
に必要なガス圧力は、通例１０-4〜１０1ｍｂａｒ、発
生出力は１０Ｗ〜１０ｋＷである。基板を十分な時間プ
ラズマに曝した後、反応器から取り出し、エレクトロル
ミネッセンス重合体またはエレクトロルミネッセンス層
システムの第１層を被膜する。基板のプラズマ中露出時
間は、通常１秒から１０時間で、望ましくは３０秒から
６０分である。ベース電極の被膜処理は、スピン被膜、
ナイフ処置、ディップ被膜等の知られた方法で行う。
の表面にプラズマが届くように置かれる。反応器内の圧
力が通常１０-4ｍｂａｒまでポンプで排出した後、プラ
ズマガスが導入され点火される。プラズマガスとしては
Ｏ2，Ｎ2，Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒ及びこれらの
ガスの混合物、望ましくはＮ2を用いる。プラズマ操作
に必要なガス圧力は、通例１０-4〜１０1ｍｂａｒ、発
生出力は１０Ｗ〜１０ｋＷである。基板を十分な時間プ
ラズマに曝した後、反応器から取り出し、エレクトロル
ミネッセンス重合体またはエレクトロルミネッセンス層
システムの第１層を被膜する。基板のプラズマ中露出時
間は、通常１秒から１０時間で、望ましくは３０秒から
６０分である。ベース電極の被膜処理は、スピン被膜、
ナイフ処置、ディップ被膜等の知られた方法で行う。
【００１６】
実施例１プラズマ前処理を施したベース電極を含めたエレクトロ
ルミネッセンス発生装置の準備 Ａ） ＩＴＯ被膜ガラス（Ｂａｌｚｅｒｓによって生成
された）は、２０Ｘ３０ｍｍ2大の区切りに切断され、
洗浄される。次の段取りを続けて行う。
ルミネッセンス発生装置の準備 Ａ） ＩＴＯ被膜ガラス（Ｂａｌｚｅｒｓによって生成
された）は、２０Ｘ３０ｍｍ2大の区切りに切断され、
洗浄される。次の段取りを続けて行う。
【００１７】１． 蒸留水及びファルテロル（Ｆａｌｔ
ｅｒｏｌ）による超音波浴における１５分間のすすぎ。
ｅｒｏｌ）による超音波浴における１５分間のすすぎ。
【００１８】２． 新規蒸留水による超音波浴における
１５分間２回のすすぎ。
１５分間２回のすすぎ。
【００１９】３． エタノールによる超音波浴における
１５分間のすすぎ。
１５分間のすすぎ。
【００２０】４． 新アセトンによる超音波浴における
１５分間２回のすすぎ。
１５分間２回のすすぎ。
【００２１】５． リントのないレンズ拭き布による乾
燥。
燥。
【００２２】Ｂ） ＩＴＯ被膜ガラスの基板は、排気に
できる容器中に設けられた回転可能な基板保持器の頂部
のＩＴＯ層で互いに締め付ける。容器は閉じられ、いず
れもＬｅｉｎｏｌｄ ＡＧ，Ｈａｎａｕ社製のＴＲＩＶ
ＡＣ Ｄ６５ ＢＣＳ−ＰＥＰＥ ロータリーベーンポ
ンプ及びＲＵＶＡＣ ＷＳ１５１ ＰＥＰＥ ルートポ
ンプからなるポンプセットにより圧力５Ｘ１０-4ｍｂａ
ｒまで排気する。基板保持器は毎分２０回転で回転さ
せ、酸素が毎分２００標準ｃｍ3の流量で流すことによ
り容器内Ｏ2を０．１ｍｂａｒの圧力とする。基板保持
器の７０ｍｍ上の容器カバーに５０ｍｍＸ５０ｍｍ 大
の開口が設けられており、その開口は１０ｍｍ厚の水晶
板によって気密に密封されている。２．５４ＧＨｚの周
波数の２００Ｗのマイクロ波放射が、この水晶板を通し
て角（ｈｏｒｎ）形アンテナによってビーム化され、Ｏ
2プラズマが容器中で点火される。５分後にマイクロ波
放射は打ち切られ、Ｏ2の追加も中止され、基板保持器
の回転も停止され、容器は再び約１ｘ１０-3ｍｂａｒの
排気され、バルブを閉じることによりポンプから切り離
され、窒素で常圧まで洗浄する。容器は開けられＩＴＯ
層と共に本発明によって前処理されていたガラス板が取
り除かれる。
できる容器中に設けられた回転可能な基板保持器の頂部
のＩＴＯ層で互いに締め付ける。容器は閉じられ、いず
れもＬｅｉｎｏｌｄ ＡＧ，Ｈａｎａｕ社製のＴＲＩＶ
ＡＣ Ｄ６５ ＢＣＳ−ＰＥＰＥ ロータリーベーンポ
ンプ及びＲＵＶＡＣ ＷＳ１５１ ＰＥＰＥ ルートポ
ンプからなるポンプセットにより圧力５Ｘ１０-4ｍｂａ
ｒまで排気する。基板保持器は毎分２０回転で回転さ
せ、酸素が毎分２００標準ｃｍ3の流量で流すことによ
り容器内Ｏ2を０．１ｍｂａｒの圧力とする。基板保持
器の７０ｍｍ上の容器カバーに５０ｍｍＸ５０ｍｍ 大
の開口が設けられており、その開口は１０ｍｍ厚の水晶
板によって気密に密封されている。２．５４ＧＨｚの周
波数の２００Ｗのマイクロ波放射が、この水晶板を通し
て角（ｈｏｒｎ）形アンテナによってビーム化され、Ｏ
2プラズマが容器中で点火される。５分後にマイクロ波
放射は打ち切られ、Ｏ2の追加も中止され、基板保持器
の回転も停止され、容器は再び約１ｘ１０-3ｍｂａｒの
排気され、バルブを閉じることによりポンプから切り離
され、窒素で常圧まで洗浄する。容器は開けられＩＴＯ
層と共に本発明によって前処理されていたガラス板が取
り除かれる。
【００２３】Ｃ） ３重量部のポリビニルカルバゾーレ
（ＰＶＫ）と１重量部のクーマリンからなる１％ディク
ロロエタン溶液が濾過される（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓの
０．２μｍフィルタ）。濾過された溶液は、本発明に従
って前処理されたＩＴＯ基板の上に、塗料散布器を用
い、１００ｒｅｖｓ／ｍｉｎにて散布される。乾燥ポリ
マー層の厚さは１２０ｎｍである。
（ＰＶＫ）と１重量部のクーマリンからなる１％ディク
ロロエタン溶液が濾過される（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓの
０．２μｍフィルタ）。濾過された溶液は、本発明に従
って前処理されたＩＴＯ基板の上に、塗料散布器を用
い、１００ｒｅｖｓ／ｍｉｎにて散布される。乾燥ポリ
マー層の厚さは１２０ｎｍである。
【００２４】Ｄ） 重合体層は、真空乾燥箱中で５０℃
で２時間完全に乾燥される。アルミ電極はその後真空金
属化される。このために、多孔マスクによって隔離され
た３ｍｍ程度の直径のアルミ点は、真空金属化される。
真空金属化中の真空金属化装置（Ｌｅｙｂｏｌｄ）内の
圧力は、＜１０-4ｍｂａｒである。
で２時間完全に乾燥される。アルミ電極はその後真空金
属化される。このために、多孔マスクによって隔離され
た３ｍｍ程度の直径のアルミ点は、真空金属化される。
真空金属化中の真空金属化装置（Ｌｅｙｂｏｌｄ）内の
圧力は、＜１０-4ｍｂａｒである。
【００２５】Ｅ） ＩＴＯ層及びアルミ電極は電圧源に
リード線でつながれる。電圧源の陽極はＩＴＯに繋が
れ、陰極はアルミに繋がれる。０〜３０ボルトの電圧が
架けられた場合電流が流れ、装置は光を発する。
リード線でつながれる。電圧源の陽極はＩＴＯに繋が
れ、陰極はアルミに繋がれる。０〜３０ボルトの電圧が
架けられた場合電流が流れ、装置は光を発する。
【００２６】Ｆ） プラズマ処理されたＬＥＤのエレク
トロルミネッセンス強度は、プラズマ処理されないもの
の１００倍ほど大きい。
トロルミネッセンス強度は、プラズマ処理されないもの
の１００倍ほど大きい。
【００２７】実施例２ Ａ） 実施例１のＡ）と同じ。
【００２８】Ｂ） Ａ）によって洗浄されたＩＴＯ基板
は、ＴｅＰｌａ， Ｋｉｒｃｈｈｅｉｍ， Ｍｕｎｉｃ
ｈ の１００−Ｅ−ＳＮ ０１５０プラズマ処理機の床
面に設置する。基板の上にファラデイかごが設けられ容
器内は０．１ｍｂａｒに排気される。処理ガスＮ2（純
度：９９．９９）が反応器内に導入され、圧力は１ｍｂ
ａｒまで上がる。プラズマが点火され、１０分間４００
ワットで燃焼するようにする。容器は換気され、本発明
によるプラズマ処理された基板は取り除かれる。
は、ＴｅＰｌａ， Ｋｉｒｃｈｈｅｉｍ， Ｍｕｎｉｃ
ｈ の１００−Ｅ−ＳＮ ０１５０プラズマ処理機の床
面に設置する。基板の上にファラデイかごが設けられ容
器内は０．１ｍｂａｒに排気される。処理ガスＮ2（純
度：９９．９９）が反応器内に導入され、圧力は１ｍｂ
ａｒまで上がる。プラズマが点火され、１０分間４００
ワットで燃焼するようにする。容器は換気され、本発明
によるプラズマ処理された基板は取り除かれる。
【００２９】Ｃ）−Ｅ） 実施例１を見よ。
【００３０】Ｆ） Ｂ）に対応するプラズマ処理された
ＩＴＯを用いたＬＥＤのエレクトロルミネッセンス強度
は、プラズマ処理されないＩＴＯのそれより１０倍大き
い。エレクトロルミネッセンスの停止電圧は、プラズマ
処理された場合のサンプルが、処理されないサンプルよ
り３ボルト低い。
ＩＴＯを用いたＬＥＤのエレクトロルミネッセンス強度
は、プラズマ処理されないＩＴＯのそれより１０倍大き
い。エレクトロルミネッセンスの停止電圧は、プラズマ
処理された場合のサンプルが、処理されないサンプルよ
り３ボルト低い。
【００３１】実施例３ Ａ） ＩＴＯ被膜のガラス（Ｂａｌｚｅｒ，Ｂａｌｔａ
ｃｒｏｍ ２５５）は、２”Ｘ２”大の基板に切断され
る。次の段取りが洗浄過程にて行われる。
ｃｒｏｍ ２５５）は、２”Ｘ２”大の基板に切断され
る。次の段取りが洗浄過程にて行われる。
【００３２】１． 基板をアセトンで清浄にする。
【００３３】２． 基板をムカソル溶液で清浄にする。
【００３４】３． 蒸留水ですすぎ、振って乾燥する。
【００３５】４． ムカソル溶液（６０℃）の超音波浴
にて１０分処理する。
にて１０分処理する。
【００３６】５． 蒸留水ですすぎ、振って乾燥する。
【００３７】６． 蒸留水（６０℃）の超音波浴にて１
０分処理する。
０分処理する。
【００３８】７． 流れる蒸留水（６０℃）の超音波浴
にて１０分完全に洗浄し、振って乾燥する。
にて１０分完全に洗浄し、振って乾燥する。
【００３９】Ｂ） Ｔｅｐｌａ（マイクロ波プラズマ）
社の３００Ｅプラズマ処理器またはＧａＳｏｎｉｃｓ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社の（ＨＦ（高周波）プラ
ズマ）９１０２プラズマ処理器の収納容器中に配置され
たファラデイかご内に立設する水晶ガラス内に、ＩＴＯ
被膜の基板が垂直に置かれる。容器は０．５ｍｂａｒま
で排気される。処理ガス（酸素）が反応器内に導入さ
れ、圧力が約１．５ｍｂａｒに上昇する。プラズマが点
火され、１０分間３００ワットで燃焼する。
社の３００Ｅプラズマ処理器またはＧａＳｏｎｉｃｓ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社の（ＨＦ（高周波）プラ
ズマ）９１０２プラズマ処理器の収納容器中に配置され
たファラデイかご内に立設する水晶ガラス内に、ＩＴＯ
被膜の基板が垂直に置かれる。容器は０．５ｍｂａｒま
で排気される。処理ガス（酸素）が反応器内に導入さ
れ、圧力が約１．５ｍｂａｒに上昇する。プラズマが点
火され、１０分間３００ワットで燃焼する。
【００４０】Ｃ） ポリビニルカルバゾーレ（ＰＶＫ）
とクルマリンが４対１の比でなるジクロロエタンの１％
溶液を濾過し、本発明で前処理したＩＴＯ基板に塗料散
布器を用い、４００ｒｅｖｓ／ｍｉｎにて散布する。
とクルマリンが４対１の比でなるジクロロエタンの１％
溶液を濾過し、本発明で前処理したＩＴＯ基板に塗料散
布器を用い、４００ｒｅｖｓ／ｍｉｎにて散布する。
【００４１】Ｄ） 次にＭｇＡｇ（１０対１）の陰極は
真空金属化する。このために接点の直径は多孔マスクに
より規定される。真空金属化中の圧力は約１０-5ｍｂａ
ｒとする。
真空金属化する。このために接点の直径は多孔マスクに
より規定される。真空金属化中の圧力は約１０-5ｍｂａ
ｒとする。
【００４２】Ｅ） ＩＴＯ層（陽極）と陰極は電圧源に
リード線で繋ぐ。電圧が０から３０ボルトかけられると
き、電流が流れ、装置は光を発する。
リード線で繋ぐ。電圧が０から３０ボルトかけられると
き、電流が流れ、装置は光を発する。
【００４３】Ｆ） プラズマ処理されたＬＥＤのエレク
トロルミネッセンスは、処理されないＬＥＤの場合より
約４ボルト低くから開始する。本発明により処理された
ＬＥＤの場合の特性は処理されないＬＥＤより急峻であ
る。
トロルミネッセンスは、処理されないＬＥＤの場合より
約４ボルト低くから開始する。本発明により処理された
ＬＥＤの場合の特性は処理されないＬＥＤより急峻であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドレアス・エルシユナー ドイツ45479ミユルハイムアーデールー ア・レダーシユトラーセ６ (72)発明者 ロルフ・ベーアマン ドイツ47800クレーフエルト・シヤイブラ ーシユトラーセ101 (72)発明者 ジークフリート・トウルム ドイツ40668メーアブツシユ・アムダム５ アー (72)発明者 マルテイン・ヒユパウフ ドイツ70563シユトウツトガルト・ズルツ アウアーシユトラーセ10 (72)発明者 ブリギツテ・グロテ ドイツ75233テイーフエンブロン・タルシ ユトラーセ19
Claims (4)
- 【請求項１】 有機層の付着前に、ベース電極が、プラ
ズマ反応器内において酸素、窒素、アルゴン、ヘリウ
ム、ネオン、キセノン、クリプトン及びそれらの混合物
から選択されたプラズマガスに曝されることを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス発生装置のベース電極の洗
浄方法。 - 【請求項２】 窒素がガスプラズマとして用いられる請
求項１の方法。 - 【請求項３】 プラズマ反応器内のガス圧力が１０-4か
ら１０1ｍｂａｒである請求項１の方法。 - 【請求項４】 請求項１の方法で洗浄されたベース電極
を含むエレクトロルミネッセンス発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19627068.5 | 1996-07-05 | ||
| DE19627068A DE19627068A1 (de) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Elektrolumineszierende Anordnungen enthaltend plasmabehandelte Basiselektrode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092585A true JPH1092585A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=7798996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9193358A Pending JPH1092585A (ja) | 1996-07-05 | 1997-07-04 | ベース電極の洗浄方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092585A (ja) |
| KR (1) | KR980013536A (ja) |
| DE (1) | DE19627068A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284059A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Honda Motor Co Ltd | 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、透明電極処理装置および透明電極の処理方法 |
| JP2001338771A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| WO2003105539A1 (ja) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | 富士電機株式会社 | 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-05 DE DE19627068A patent/DE19627068A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-07-04 JP JP9193358A patent/JPH1092585A/ja active Pending
- 1997-07-04 KR KR1019970031119A patent/KR980013536A/ko not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001338771A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2001284059A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Honda Motor Co Ltd | 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、透明電極処理装置および透明電極の処理方法 |
| WO2003105539A1 (ja) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | 富士電機株式会社 | 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980013536A (ko) | 1998-04-30 |
| EP0817537A2 (de) | 1998-01-07 |
| DE19627068A1 (de) | 1998-01-08 |
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