JPH1092762A - イオン注入シミュレーション方法 - Google Patents
イオン注入シミュレーション方法Info
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- JPH1092762A JPH1092762A JP24612996A JP24612996A JPH1092762A JP H1092762 A JPH1092762 A JP H1092762A JP 24612996 A JP24612996 A JP 24612996A JP 24612996 A JP24612996 A JP 24612996A JP H1092762 A JPH1092762 A JP H1092762A
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- Japan
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- particle
- energy
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- divided
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
- G06F30/23—Design optimisation, verification or simulation using finite element methods [FEM] or finite difference methods [FDM]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 計算時間を増加させることなく、２次元，３
次元でのモンテカルロイオンちゆうにゅうシミュレーシ
ョンをより精度良く行う。 【解決手段】 粒子のエネルギーが注入エネルギーか、
又は前回分割を行ったときのエネルギーのα倍（０＜α
＜１）となり、かつ分割回数が予め決めておいた分割回
数の制限以内のときに粒子の分割を行う。
次元でのモンテカルロイオンちゆうにゅうシミュレーシ
ョンをより精度良く行う。 【解決手段】 粒子のエネルギーが注入エネルギーか、
又は前回分割を行ったときのエネルギーのα倍（０＜α
＜１）となり、かつ分割回数が予め決めておいた分割回
数の制限以内のときに粒子の分割を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造行程の
シミュレーション方法に関し、特にイオン注入シミュレ
ーション方法に関する。
シミュレーション方法に関し、特にイオン注入シミュレ
ーション方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】モンテカルロ法を用いたイオン注入シミ
ュレーションは、壇良遍著，“プロセス・デバイス・シ
ミュレーション技術”に記述されている。それによる
と、この方法では、注入されたイオンが基板の原子核お
よび電子と散乱してエネルギーを失っていく過程を、各
注入粒子について計算してゆき、最終的に基板内で停止
した粒子の不純物分布を求めるものである。
ュレーションは、壇良遍著，“プロセス・デバイス・シ
ミュレーション技術”に記述されている。それによる
と、この方法では、注入されたイオンが基板の原子核お
よび電子と散乱してエネルギーを失っていく過程を、各
注入粒子について計算してゆき、最終的に基板内で停止
した粒子の不純物分布を求めるものである。
【０００３】また、モンテカルロイオン注入シミュレー
ションにおいて、計算精度を向上させるには、注入粒子
を増やす必要があり、そのために計算時間が増加してし
まうという欠点があるが、これを解決するための方法
が、Ｓ．−Ｈ．Ｙａｎｇ，“ＡＭｏｒｅ Ｅｆｆｉｃｉ
ｅｎｔ Ａｐｐｒｏａｃｈ ｆｏｒ Ｍｏｎｔｅ Ｃａ
ｒｌｏ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｅｅｐｌｙ−
ＣｈａｎｎｅｌｅｄＩｍｐｌａｎｔｅｄ Ｐｒｏｆｉｌ
ｅｓ ｉｎ Ｓｉｎｇｌｅ−ＣｒｙｓｔａｌＳｉｌｉｃ
ｏｎ”，ＮＵＰＡＤＶ，ｐｐ．９７−１００，（１９９
４）に記述されている。
ションにおいて、計算精度を向上させるには、注入粒子
を増やす必要があり、そのために計算時間が増加してし
まうという欠点があるが、これを解決するための方法
が、Ｓ．−Ｈ．Ｙａｎｇ，“ＡＭｏｒｅ Ｅｆｆｉｃｉ
ｅｎｔ Ａｐｐｒｏａｃｈ ｆｏｒ Ｍｏｎｔｅ Ｃａ
ｒｌｏ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｅｅｐｌｙ−
ＣｈａｎｎｅｌｅｄＩｍｐｌａｎｔｅｄ Ｐｒｏｆｉｌ
ｅｓ ｉｎ Ｓｉｎｇｌｅ−ＣｒｙｓｔａｌＳｉｌｉｃ
ｏｎ”，ＮＵＰＡＤＶ，ｐｐ．９７−１００，（１９９
４）に記述されている。
【０００４】それによると、先ず初めにある粒子数で、
イオン注入シミュレーションを行って図２（ａ）に示す
ような不純物プロファイルを得る。次に初めに得られた
プロファイルを参考にサンプル粒子を分割させるための
深さ方向の位置を決める（図２（ｂ）ｄ1，ｄ2，
ｄ3）。次にもう一度モンテカルロシミュレーションを
行い、深さｄ1，ｄ2，ｄ3に到達したサンプル粒子を分
割してシミュレーションを行うことにより、図２（ｂ）
のようなテール部のノイズの少ないプロファイルを得る
ことができる。
イオン注入シミュレーションを行って図２（ａ）に示す
ような不純物プロファイルを得る。次に初めに得られた
プロファイルを参考にサンプル粒子を分割させるための
深さ方向の位置を決める（図２（ｂ）ｄ1，ｄ2，
ｄ3）。次にもう一度モンテカルロシミュレーションを
行い、深さｄ1，ｄ2，ｄ3に到達したサンプル粒子を分
割してシミュレーションを行うことにより、図２（ｂ）
のようなテール部のノイズの少ないプロファイルを得る
ことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
シミュレーション方法は、２次元，３次元に拡張しよう
とした場合、容易に拡張できないという問題がある。
シミュレーション方法は、２次元，３次元に拡張しよう
とした場合、容易に拡張できないという問題がある。
【０００６】その理由は、２次元，３次元に拡張するた
めには、サンプル粒子を分割するための、２次元または
３次元の線分列又は面を取得する機能が必要となるため
である。
めには、サンプル粒子を分割するための、２次元または
３次元の線分列又は面を取得する機能が必要となるため
である。
【０００７】本発明の目的は、１次元の構造だけでな
く、２次元，３次元の構造に対するモンテカルロイオン
注入シミュレーションを、計算時間を増加させることな
く、よりよい精度で行うイオン注入シミュレーション方
法を提供することにある。
く、２次元，３次元の構造に対するモンテカルロイオン
注入シミュレーションを、計算時間を増加させることな
く、よりよい精度で行うイオン注入シミュレーション方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るイオン注入シミュレーション方法は、
粒子散乱演算処理と、粒子分割処理と、再粒子分割処理
と、演算・分割処理とを実行し、モンテカルロイオン注
入シミュレーションを行うイオン注入シミュレーション
方法であって、粒子散乱演算処理は、イオン注入された
一つの粒子の散乱過程を計算する処理であり、粒子分割
処理は、散乱により粒子のエネルギーが注入時のエネル
ギーＥ0のα倍（０≦α≦１）となったときに粒子をＮ
個に分割し、分割後の粒子の重みを分割前の粒子の重み
の１／Ｎとする処理であり、再粒子分割処理は、更に散
乱計算を行って、粒子のエネルギーが前回粒子分割を行
ったときのエネルギーのα倍になったときに粒子をＮ個
（Ｎは整数）に分割し、分割後の粒子の重みを分割前の
粒子の重みの１／Ｎとする処理であり、演算・分割処理
は、粒子の分割の回数が最初の粒子から数えてＭ回（Ｍ
は整数）となり、その結果粒子重みが最初に注入された
粒子の１／ＮMになるまで散乱計算及び粒子の分割を行
い、粒子の分割回数がｍ回になったものについてはエネ
ルギーがゼロになるまで散乱計算を行う処理である。
め、本発明に係るイオン注入シミュレーション方法は、
粒子散乱演算処理と、粒子分割処理と、再粒子分割処理
と、演算・分割処理とを実行し、モンテカルロイオン注
入シミュレーションを行うイオン注入シミュレーション
方法であって、粒子散乱演算処理は、イオン注入された
一つの粒子の散乱過程を計算する処理であり、粒子分割
処理は、散乱により粒子のエネルギーが注入時のエネル
ギーＥ0のα倍（０≦α≦１）となったときに粒子をＮ
個に分割し、分割後の粒子の重みを分割前の粒子の重み
の１／Ｎとする処理であり、再粒子分割処理は、更に散
乱計算を行って、粒子のエネルギーが前回粒子分割を行
ったときのエネルギーのα倍になったときに粒子をＮ個
（Ｎは整数）に分割し、分割後の粒子の重みを分割前の
粒子の重みの１／Ｎとする処理であり、演算・分割処理
は、粒子の分割の回数が最初の粒子から数えてＭ回（Ｍ
は整数）となり、その結果粒子重みが最初に注入された
粒子の１／ＮMになるまで散乱計算及び粒子の分割を行
い、粒子の分割回数がｍ回になったものについてはエネ
ルギーがゼロになるまで散乱計算を行う処理である。
【０００９】
【作用】本発明は、粒子を分割するための位置を予め取
得する必要がないため、１次元構造だけでなく、２次
元，３次元構造に対しても、計算時間を増加させること
なく精度を向上させることができる。
得する必要がないため、１次元構造だけでなく、２次
元，３次元構造に対しても、計算時間を増加させること
なく精度を向上させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
におけるモンテカルロイオン注入シミュレーション時
に、エネルギーの減り具合を基準として粒子分割を行う
ためのフローを表した図である。先ず、図１のステップ
Ｐ１において、イオン注入条件（エネルギー（ＥＮＥＲ
ＧＹ），ドース（ＤＯＳＥ）等）、解析条件（サンプル
粒子数，分割回数Ｍ等）を入力する。
におけるモンテカルロイオン注入シミュレーション時
に、エネルギーの減り具合を基準として粒子分割を行う
ためのフローを表した図である。先ず、図１のステップ
Ｐ１において、イオン注入条件（エネルギー（ＥＮＥＲ
ＧＹ），ドース（ＤＯＳＥ）等）、解析条件（サンプル
粒子数，分割回数Ｍ等）を入力する。
【００１２】次に、図１のステップＰ２において、サン
プル粒子１つを注入させる。また、このときサンプル粒
子の分割回数ｍをｍ＝０，また、分割回数０の粒子がも
つ初期のエネルギーＥ0をＥ0＝注入エネルギーとする。
プル粒子１つを注入させる。また、このときサンプル粒
子の分割回数ｍをｍ＝０，また、分割回数０の粒子がも
つ初期のエネルギーＥ0をＥ0＝注入エネルギーとする。
【００１３】次に図１のステップＰ３において、乱数を
発生させて、注入された粒子が次に衝突する原子の位置
を決定する。
発生させて、注入された粒子が次に衝突する原子の位置
を決定する。
【００１４】次に図１のステップＰ４において、サンプ
ル粒子を原子と衝突する位置まで移動させ、電子阻止
能，核阻止能によるエネルギーロスを計算し、粒子のエ
ネルギーεを更新する。
ル粒子を原子と衝突する位置まで移動させ、電子阻止
能，核阻止能によるエネルギーロスを計算し、粒子のエ
ネルギーεを更新する。
【００１５】次に図１のステップＰ５において、粒子が
停止したかどうかを判断し、もし停止していなければ、
ステップＰ８に進む。もし停止していれば、ステップＰ
６に進む。
停止したかどうかを判断し、もし停止していなければ、
ステップＰ８に進む。もし停止していれば、ステップＰ
６に進む。
【００１６】次にステップＰ５において、粒子が停止し
ていない場合、ステップＰ８で ｍ＜Ｍ かつε＜Ｅｍ （１） が成り立つかどうかを判断し、もし（１）式が成り立て
ば、ステップＰ９においてｍ＝ｍ＋１とし、ステップＰ
１０において粒子分割を行い、一つを除いて全ての分割
された粒子の情報をストックして置く。このとき分割さ
れたときのエネルギーＥｍ，分割回数ｍもストックす
る。
ていない場合、ステップＰ８で ｍ＜Ｍ かつε＜Ｅｍ （１） が成り立つかどうかを判断し、もし（１）式が成り立て
ば、ステップＰ９においてｍ＝ｍ＋１とし、ステップＰ
１０において粒子分割を行い、一つを除いて全ての分割
された粒子の情報をストックして置く。このとき分割さ
れたときのエネルギーＥｍ，分割回数ｍもストックす
る。
【００１７】ステップＰ１０で分割した後、ステップＰ
３に戻る。もし、ステップＰ８で（１）式が成り立たな
ければ、そのままステップＰ３に戻る。
３に戻る。もし、ステップＰ８で（１）式が成り立たな
ければ、そのままステップＰ３に戻る。
【００１８】次にステップＰ５で粒子が停止していた場
合、ステップＰ６で分割されている全ての粒子について
計算したかどうか判断する。もし、分割されている粒子
について計算が終わっていなければ、ステップＰ１０に
進み、ステップＰ１０で分割された粒子のうち一つを取
り出し、ステップＰ３に進む。もし、ステップＰ６で分
割されている全ての粒子について計算が終了している場
合、ステップＰ７に進む。
合、ステップＰ６で分割されている全ての粒子について
計算したかどうか判断する。もし、分割されている粒子
について計算が終わっていなければ、ステップＰ１０に
進み、ステップＰ１０で分割された粒子のうち一つを取
り出し、ステップＰ３に進む。もし、ステップＰ６で分
割されている全ての粒子について計算が終了している場
合、ステップＰ７に進む。
【００１９】次にステップＰ７で注入されるべき全粒子
数について、計算が終了したかどうかを判断する。も
し、計算が終了していれば、終りに進む。もし、計算が
終了していなければ、ステップＰ２へ戻って計算を進め
る。
数について、計算が終了したかどうかを判断する。も
し、計算が終了していれば、終りに進む。もし、計算が
終了していなければ、ステップＰ２へ戻って計算を進め
る。
【００２０】図３に実際に計算を行った例を示す。図３
（ａ）は、本発明の方法でサンプル粒子を１０００個注
入させて計算した結果を示す図である。計算の条件とし
て、分割回数（Ｍ）を４回、粒子が１回に分割される個
数（Ｎ）を２、αを０．５として計算したため、粒子数
は最終的に２4＝１６倍の１６，０００個となり、分割
しない場合と比べて時間がかかる。
（ａ）は、本発明の方法でサンプル粒子を１０００個注
入させて計算した結果を示す図である。計算の条件とし
て、分割回数（Ｍ）を４回、粒子が１回に分割される個
数（Ｎ）を２、αを０．５として計算したため、粒子数
は最終的に２4＝１６倍の１６，０００個となり、分割
しない場合と比べて時間がかかる。
【００２１】図３（ｂ）は、従来の分割を行わない方法
でサンプル粒子２５００個を注入して計算した結果を示
す図である。本発明の方法による粒子１０００個の計算
と、分割なしでの粒子２５００個の計算にかかる時間は
ほとんど同じであったため、この条件での比較を行っ
た。また、計算結果はそれぞれ分割無しで粒子数１０
０，０００個のものと比較してある。比較の結果、本発
明による計算は、分割なしの２５００粒子の計算結果に
比べて精度よく計算されている。
でサンプル粒子２５００個を注入して計算した結果を示
す図である。本発明の方法による粒子１０００個の計算
と、分割なしでの粒子２５００個の計算にかかる時間は
ほとんど同じであったため、この条件での比較を行っ
た。また、計算結果はそれぞれ分割無しで粒子数１０
０，０００個のものと比較してある。比較の結果、本発
明による計算は、分割なしの２５００粒子の計算結果に
比べて精度よく計算されている。
【００２２】（実施形態２）次に、本発明の実施形態２
について図面を参照して説明する。本実施形態２は、例
えば酸化膜の酸素が注入された粒子によってシリコン基
板中に弾き出されたときの分布を計算する際に、本発明
の方法を適用して精度を向上させる例である。図４に本
発明の実施形態２に係るフローを示す。
について図面を参照して説明する。本実施形態２は、例
えば酸化膜の酸素が注入された粒子によってシリコン基
板中に弾き出されたときの分布を計算する際に、本発明
の方法を適用して精度を向上させる例である。図４に本
発明の実施形態２に係るフローを示す。
【００２３】先ず、ステップＱ１において、イオン注入
条件（エネルギー（ＥＮＥＲＧＹ），ドース（ＤＯＳ
Ｅ）等）、解析条件（サンプル粒子数，分割回数Ｍ等）
を入力する。
条件（エネルギー（ＥＮＥＲＧＹ），ドース（ＤＯＳ
Ｅ）等）、解析条件（サンプル粒子数，分割回数Ｍ等）
を入力する。
【００２４】次に、ステップＱ２において、サンプル粒
子１つを発生させ、ｍ＝０，Ｅ0＝注入エネルギーとす
る。
子１つを発生させ、ｍ＝０，Ｅ0＝注入エネルギーとす
る。
【００２５】次にステップＱ３において、乱数を発生さ
せ、次に衝突する原子の位置を決定する。
せ、次に衝突する原子の位置を決定する。
【００２６】次にステップＱ４において、サンプル粒子
を衝突する位置まで移動させ、電子阻止能，核阻止能に
よるエネルギーロスを計算し、粒子のエネルギーεを更
新する。
を衝突する位置まで移動させ、電子阻止能，核阻止能に
よるエネルギーロスを計算し、粒子のエネルギーεを更
新する。
【００２７】次にステップＱ５において、衝突によるエ
ネルギーロスが、基板原子の結合エネルギーより大きい
かどうかを判断する。すなわち、衝突によって基板原子
が弾き出されたかどうかを判断する。もし、引き出され
た場合、ステップＱ９において、衝突により引き出され
た原子の種類やエネルギー等の情報をスタックに入れ
る。また、この原子のＥ0を弾き飛ばされたときの原子
の得たエネルギーＥｍを０とする。
ネルギーロスが、基板原子の結合エネルギーより大きい
かどうかを判断する。すなわち、衝突によって基板原子
が弾き出されたかどうかを判断する。もし、引き出され
た場合、ステップＱ９において、衝突により引き出され
た原子の種類やエネルギー等の情報をスタックに入れ
る。また、この原子のＥ0を弾き飛ばされたときの原子
の得たエネルギーＥｍを０とする。
【００２８】その後、ステップＱ６に進む。もし、ステ
ップＱ５において、基板原子が弾き出されないと判断し
たときは、そのままステップＱ６に進む。
ップＱ５において、基板原子が弾き出されないと判断し
たときは、そのままステップＱ６に進む。
【００２９】次にステップＱ６において、衝突エネルギ
ーを失った粒子が停止したかどうかを判断する。もし、
停止していなければ、ステップＱ１０に進み、 ｍ＜Ｍ かつε＜Ｅｍ （２） が成り立っているかどうかを判断する。すなわち、分割
するための条件が成り立っているかいないかの判断を行
う。もし（２）式が成り立っていれば、ステップＱ１１
へ進み、ｍ＝ｍ＋１とし、次にステップＱ１２に進み、
粒子をＮ個に分割し、分割した粒子の中の一つを残して
残りをスタックに入れる。また分割したときの粒子のエ
ネルギーＥｍ，分割回数ｍもスタックに入れる。分割さ
れた粒子の内、スタックに入れなかった粒子について
は、引き続き計算を行う。
ーを失った粒子が停止したかどうかを判断する。もし、
停止していなければ、ステップＱ１０に進み、 ｍ＜Ｍ かつε＜Ｅｍ （２） が成り立っているかどうかを判断する。すなわち、分割
するための条件が成り立っているかいないかの判断を行
う。もし（２）式が成り立っていれば、ステップＱ１１
へ進み、ｍ＝ｍ＋１とし、次にステップＱ１２に進み、
粒子をＮ個に分割し、分割した粒子の中の一つを残して
残りをスタックに入れる。また分割したときの粒子のエ
ネルギーＥｍ，分割回数ｍもスタックに入れる。分割さ
れた粒子の内、スタックに入れなかった粒子について
は、引き続き計算を行う。
【００３０】ステップＱ１２を実行した後、ステップＱ
３に戻る。もし、ステップＱ１０で（２）式が成り立っ
ていなかった場合は、そのままステップＱ３へ戻る。次
に、ステップＱ６で粒子が停止したと判断された場合
は、ステップＱ７に進み、スタックに粒子が入っている
かどうかを判断する。もし、入っていれば、ステップＱ
１３に進みスタックから粒子を取り出し、ステップＱ３
に戻る。もし、ステップＱ７において、スタック粒子が
入っていなければ、ステップＱ８に進む。
３に戻る。もし、ステップＱ１０で（２）式が成り立っ
ていなかった場合は、そのままステップＱ３へ戻る。次
に、ステップＱ６で粒子が停止したと判断された場合
は、ステップＱ７に進み、スタックに粒子が入っている
かどうかを判断する。もし、入っていれば、ステップＱ
１３に進みスタックから粒子を取り出し、ステップＱ３
に戻る。もし、ステップＱ７において、スタック粒子が
入っていなければ、ステップＱ８に進む。
【００３１】次にステップＱ８において、全粒子につい
て計算したかどうかを判断する。もし全粒子について計
算が終了していれば、計算を終了する。もし、全粒子に
ついて計算が終了していなければ、ステップＱ２に戻っ
て計算を進める。
て計算したかどうかを判断する。もし全粒子について計
算が終了していれば、計算を終了する。もし、全粒子に
ついて計算が終了していなければ、ステップＱ２に戻っ
て計算を進める。
【００３２】上記方法によって、注入粒子だけでなく、
基板中から弾き出された原子についても分割を行い計算
精度を向上させることができる。
基板中から弾き出された原子についても分割を行い計算
精度を向上させることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、粒
子を分割するための位置を予め取得する必要がないた
め、計算時間を増加させることなく精度を向上させるた
めの計算が、２次元，３次元構造に対しても容易に適用
できる。
子を分割するための位置を予め取得する必要がないた
め、計算時間を増加させることなく精度を向上させるた
めの計算が、２次元，３次元構造に対しても容易に適用
できる。
【図１】本発明の実施形態１におけるモンテカルロイオ
ン注入シミュレーション時に、エネルギーの減り具合を
基準として、粒子分割を行うためのフローを示す図であ
る。
ン注入シミュレーション時に、エネルギーの減り具合を
基準として、粒子分割を行うためのフローを示す図であ
る。
【図２】（ａ）は、従来の予め定められた分割位置で粒
子分割をする方法を示す図、（ｂ）は、粒子分割を行わ
ない方法で計算を行った結果を示す図である。
子分割をする方法を示す図、（ｂ）は、粒子分割を行わ
ない方法で計算を行った結果を示す図である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施形態１に係る方法を用
いて実際に計算した結果を示す図、（ｂ）は、従来例の
粒子分割を行わない方法により実際に計算した結果を示
す図である。
いて実際に計算した結果を示す図、（ｂ）は、従来例の
粒子分割を行わない方法により実際に計算した結果を示
す図である。
【図４】本発明の実施形態２におけるモンテカルロイオ
ン注入シミュレーション時に、材質を構成している原子
が注入イオンによって弾き出されて作るプロファイルを
精度良く計算するために、エネルギーの減り具合を基準
として粒子分割を行うためのフローを示す図である。
ン注入シミュレーション時に、材質を構成している原子
が注入イオンによって弾き出されて作るプロファイルを
精度良く計算するために、エネルギーの減り具合を基準
として粒子分割を行うためのフローを示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 粒子散乱演算処理と、粒子分割処理と、
再粒子分割処理と、演算・分割処理とを実行し、モンテ
カルロイオン注入シミュレーションを行うイオン注入シ
ミュレーション方法であって、 粒子散乱演算処理は、イオン注入された一つの粒子の散
乱過程を計算する処理であり、 粒子分割処理は、散乱により粒子のエネルギーが注入時
のエネルギーＥ0のα倍（０≦α≦１）となったときに
粒子をＮ個に分割し、分割後の粒子の重みを分割前の粒
子の重みの１／Ｎとする処理であり、 再粒子分割処理は、更に散乱計算を行って、粒子のエネ
ルギーが前回粒子分割を行ったときのエネルギーのα倍
になったときに粒子をＮ個（Ｎは整数）に分割し、分割
後の粒子の重みを分割前の粒子の重みの１／Ｎとする処
理であり、 演算・分割処理は、粒子の分割の回数が最初の粒子から
数えてＭ回（Ｍは整数）となり、その結果粒子重みが最
初に注入された粒子の１／ＮMになるまで散乱計算及び
粒子の分割を行い、粒子の分割回数がｍ回になったもの
についてはエネルギーがゼロになるまで散乱計算を行う
処理であることを特徴とするイオン注入シミュレーショ
ン方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24612996A JP3003588B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | イオン注入シミュレーション方法 |
| US08/932,642 US5912824A (en) | 1996-09-18 | 1997-09-17 | Ion implantation simulation method |
| DE69717382T DE69717382T2 (de) | 1996-09-18 | 1997-09-18 | Simulationsverfahren einer Ionenimplantierung |
| EP97116229A EP0831407B1 (en) | 1996-09-18 | 1997-09-18 | Ion implantation simulation method |
| KR1019970047569A KR100262103B1 (ko) | 1996-09-18 | 1997-09-18 | 이온 주입 시뮬레이션 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24612996A JP3003588B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | イオン注入シミュレーション方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092762A true JPH1092762A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3003588B2 JP3003588B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=17143918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24612996A Expired - Fee Related JP3003588B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | イオン注入シミュレーション方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5912824A (ja) |
| EP (1) | EP0831407B1 (ja) |
| JP (1) | JP3003588B2 (ja) |
| KR (1) | KR100262103B1 (ja) |
| DE (1) | DE69717382T2 (ja) |
Cited By (1)
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