JPH1093061A - 画像検出装置、アレイ基板および画像検出装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精細な実物大の撮像を大画面で得ることが
できる画像検出装置を提供する 【解決手段】 光電変換素子を有する画素がｉ行ｊ列の
マトリクス状に形成された画素アレイ１０３を有する複
数のアレイ基板１０２を、各基板の画素アレイ１０３に
より実質的に連続した矩形の画像検出領域１０４が形成
されるように組み合わせて画像検出基板１０１を構成す
る。組合わせた複数のアレイ基板は、蛍光体層１０６を
形成した支持基板１０５に張り合わせることにより相互
の位置関係を固定される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像検出装置に関
し、特に大画面での撮像を得ることができる画像検出装
置に関する。また、本発明はアレイ基板に関し、特に複
数組み合わせて用いるアレイ基板に関する。さらに本発
明は画像検出装置の製造装置の製造方法に関し、特に大
画面での撮像を得ることができる画像検出装置の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、医用分野において診断用に広く
使用されているＸ線画像検出装置においては、Ｘ線像を
観察するために、例えばＸ線ＴＶ装置によりＴＶモニタ
に透視像として画像表示するようにしたり、銀鉛フィル
ムに撮影してＸ線写真として画像表示する。特にフィル
ム画像の場合、精細でしかも微妙な変化の様子をつぶさ
に観察できること、そして、撮影したフィルムを保存し
ていつでも観察することができることから、現在に至る
まで医療用画像検出装置としての地位を揺るぎないもの
としている。

【０００３】医療用途の場合、１枚の大判のカットフィ
ルムにその領域を分割して多数の画像を写し込むように
したり、１枚の大判のカットフィルムに１画像を実寸大
もしくは実寸大に近いスケールで写し込んだりする。特
に、ほぼ実寸大の画像においては患部の状況がその周辺
との対応のもとに把握できるため、診断用のＸ線画像と
して多用される。

【０００４】ところで、近年ではコンピュータ技術の著
しい発展に伴い、医療用の画像についてもディジタル画
像データとして扱い、画像処理技術を駆使することによ
り、銀鉛写真のままでは得られなかった情報を得ること
ができるようになり、より的確な診断ができるようにな
ってきた。

【０００５】医療用画像をディジタル画像データとして
得るためには、銀鉛フィルムをイメージスキャナで読み
とってディジタルデータ化したり、Ｘ線ＴＶ装置からの
映像信号をＡ／Ｄ変換（アナログ／ディジタル変換）し
てディジタルデータ化するという方法がある。

【０００６】ところが、銀鉛フィルムをイメージスキャ
ナで読みとる方式では、イメージスキャナの精度が十分
ではないという問題や、画像の読み取りに人的、時間的
手間がかかる等の問題がある。

【０００７】また、Ｘ線ＴＶ装置からの映像信号をＡ／
Ｄ変換する方法では、画像検出系の画像密度および階調
の問題や、光学系を用いるために光学系により画像に歪
みが生じるなどの問題があり、銀鉛フィルムによる実寸
大画像のような微妙な情報を反映した画像が得られない
等の問題がある。

【０００８】撮像を電気信号として得ることができるも
のとして、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅ
ｖｉｃｅ）素子を代表格とした撮像素子があるが、これ
らの撮像素子は製造上の問題から画像検出面を大きくす
ることができない。したがって画像検出面積が小さく、
撮像対象が画像検出面積より大きな場合には撮像にあた
って光学系を用いなければならない。また、撮像面の面
積が小さいことから、半導体の微細加工技術を駆使して
単位画素面積を小さくし、画素密度を上げることで画素
数を最大限に増やしたとしても、人体のような大きな被
写体を対象とした場合には、１画素に対応する人体の面
積は大きくなってしまう。このことは、人体を実スケー
ルに拡大した場合に非常に粗い画像となることを意味
し、現状ではＸ線フィルムを使用した直接撮影に代用さ
せることはできない。

【０００９】一方近年になって、微小サイズの画素に対
応する光電変換素子をマトリクス状に配置した、１辺が
１０〜２０ｃｍ程度もある２次元画像検出装置が出現し
た。この画像検出装置は、平面状の領域に画素単位で光
電変換素子と検出回路とを配置しているので、従来型の
ラインセンサのようにメカニカルな走査機構が不要であ
る。このような画像検出装置としては、例えば米国特許
であるＵＳＰ４６８９４８７号、ＵＳＰ５１８４０１８
号などに開示されている。

【００１０】図１０は従来の画像検出装置の構成の１例
を模式的に示す図である。

【００１１】アレイ基板９０１には、画像を検出する領
域として画素がマトリクス状に配設された画素アレイ９
０２が形成されている。各画素は、バイアスが与えれた
状態で電磁波の放射を受けると、その受光した電磁波の
エネルギーに対応して抵抗変化が生じるフォトダイオー
ドなどの光電変換素子と、このフォトダイオードの出力
開閉用のスイッチング素子とからなる単位検出回路とか
らなっている。

【００１２】そしてこの単位検出回路は、フォトダイオ
ードの駆動用電源と、スイッチのオン・オフを制御する
走査信号配線と、スイッチを介してフォトダイオードに
蓄積した電気信号を読みだす読みだし信号配線とに接続
されている。読みだし信号配線は、フォトダイオードの
出力をサンプリングして出力するための出力回路に接続
されている。そしてこのような複数の単位検出回路を例
えばマトリクス状に配置して画像検出面である画素アレ
イを構成する。

【００１３】そして、マトリクス配列された複数の単位
検出回路中、走査信号配線は行方向に配置し、読み出し
配線は列方向に配置する。各単位検出回路のスイッチの
開閉制御のための制御線（ゲート電極）は、その単位検
出回路に属する走査信号配線に接続されており、行単位
で一括してその行に属する各検出回路のスイッチのオン
／オフ制御を実施できる構成となっている。

【００１４】また、画素である各単位検出回路は、それ
ぞれの属する列ごとに、その列に対応する読み出し信号
配線に接続され、各単位検出回路のスイッチを介して出
力されるフォトダイオードの出力信号を導く構成となっ
ている。また、各読み出し信号配線にはこの読み出し信
号配線を介して導かれた信号を所定時間蓄積して出力す
ることにより、検出出力を得る出力回路であるセンスア
ンプが設けられる。

【００１５】このような構成の２次元画像検出装置にお
いて、当該２次元画像検出装置に光学像を結像させる
と、各画素には対応する位置にある像部分の光が入射す
ることになる。フォトダイオードには電源よりバイアス
電圧が与えられており、スイッチをオン状態にすれば、
入射光量に対応した電流出力が発生することになる。そ
して、この出力は出力回路であるセンスアンプに読み出
し信号配線を介して入力され、ここで積分されて検出出
力信号（画素信号）となる。

【００１６】前述のとおり、各画素は行単位で対応する
１つの走査信号配線に接続されており、また列単位で対
応する１つの読み出し信号配線にそれぞれ接続されてい
る。したがって、各走査線配線を行方向に順次走査する
ことで、行単位での各画素を構成するスイッチをオン／
オフさせることができ、スイッチがオンとなっている各
画素のフォトダイオードの出力を列単位のセンスアンプ
によりそれぞれ検出できることになる。

【００１７】したがって、各走査信号配線を所定時間単
位ずつ順次オンにすることと、このオン動作に先駆けて
各センスアンプの積分回路部の残留電荷（前回の測定
値）を毎回クリアしておくことで、２次元画像検出装置
の画像検出領域を、単位検出回路の走査線方向のライン
幅で順次走査して各画素の出力を画像検出信号として出
力することができるようになる。

【００１８】この方式の画像検出装置では、１ラインず
つ、１度にそのラインでの構成される単位検出回路信号
を並列に出力することができ、高速に画像データを得る
こともできる構成となっている（１ラインパラレル出
力）。つまり、画像検出装置としてＣＣＤが一般的であ
るが、画像検出のためのＣＣＤ撮像素子はＴＶスキャン
対応にするように、画像の取り込みはライン単位で行っ
ているものの、１ラインの検出信号を順番に１画素単位
で逐次出力する構成となっており、出力されるデータは
シリアルデータとなる（シリアル出力）ので、パラレル
出力の方式の優位性（高速性）が高い。

【００１９】このような画素アレイは、薄膜半導体プロ
セスにより形成することができる。画素アレイ９０２を
駆動する走査信号を走査線駆動部９０３で発生させてフ
ラットケーブル９０４を介して画素アレイ９０２に入力
する。一方、画素アレイ９０２からの検出信号は、同様
にフラットケーブル９０５を介して読み出し信号配線か
らの検出信号を信号線駆動部９０６に形成された各セン
スアンプに入力する。信号線駆動部にはセンスアンプの
他に検出信号処理用の回路、処理信号送出回路等が内蔵
されており、配線９０７より外部回路へ信号出力され
る。９０８は走査線駆動部９０３と信号線駆動部９０７
の同期をとるためのケーブルである。

【００２０】ところで、図１０に例示した従来の画像検
出装置では、画素をマトリクス状に配置し、ライン単位
で順次走査させることで、画素で検出した信号をサンプ
リングする画像検出装置であり、走査信号により順次ス
イッチを開閉して、当該走査線に接続されている個々の
画素の出力を読み出し信号配線を介して、センスアンプ
により検出する。そして、画像検出面積は画素を配設し
たマトリクス、すなわち画素アレイの大きさに、解像度
は単位面積に形成される画素の密度に依存することにな
る。

【００２１】このような画素マトリクスを有するアレイ
基板は、従来の知られている薄膜半導体プロセスによ
り、例えば３００ｍｍ×４００ｍｍ程度の基板を作成す
ることができる。しかし、薄膜半導体プロセスで実現で
きるアレイ基板より大きな画像検出面を有する画像検出
装置は作成することができない。

【００２２】一方、より大きなアレイ基板が形成可能に
なったとしても、各単位検出回路はすべて完全な動作を
する必要があり、検出装置の検出面積の大面積化は、単
位検出回路数の増大と、配線長の増大につながり、生産
性を著しく低下させることになる。

【００２３】さらに、画像検出面積の大きいアレイ基板
では、走査信号配線が長くなり、スイッチを制御する走
査信号の歪みが増大するという問題がある。また、読み
出し信号配線が長くなることで、センスアンプまでに到
達する信号の減衰、ノイズの重畳が著しく大きくなると
いう問題がある。特にこのような画像検出装置において
は、検出される信号は微弱なものであり、検出信号の減
衰、ノイズの重畳は極め大きな問題となる。とりわけ医
療用途においては、１枚のアレイ基板の大きさを大きく
することにより生じる画素の欠陥や、検出される信号の
減衰、ノイズの重畳による撮像の信頼性の低下は極め大
きな問題となる。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決するためになされたものである。すなわち本発
明は、高精細な実物大の撮像を大画面で得ることができ
る画像検出装置を提供することを目的とする。また、検
出信号の減衰やノイズの重畳を防止し、高品質の画像を
大画面で得ることができる画像検出装置を提供すること
を目的とする。さらに本発明は医療用途に適した信頼性
の高い画像を大画面で得ることができる画像検出装置を
提供することを目的とする。また本発明は、複数組み合
わせて用いるのに適したアレイ基板を提供することを目
的とする。さらに本発明は高精細な撮像を大画面で得る
ことができる画像検出装置の製造方法を提供することを
目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明の画像検出装置
は、光電変換素子を有する画素がｉ行ｊ列のマトリクス
状に形成された画素アレイと、この画素アレイを行単位
で駆動する走査線と、前記画素アレイから列単位で検出
信号を読みだす信号線とを有する第１のアレイ基板およ
び第２のアレイ基板を、各基板の画素アレイが実質的に
連続した矩形の画像検出領域を形成するように組み合わ
せた画像検出基板と、前記画像検出基板の画素アレイを
有する面と対向配置され、前記画像検出基板と対向する
面に前記画像検出領域を覆うように形成された波長変換
手段を有し、前記画像検出領域よりも大きく前記画像検
出基板よりも小さい絶縁性基板と、前記画像検出基板の
画素アレイを有する面の前記絶縁性基板に覆われていな
い領域で前記走査線と接続した走査線駆動手段および前
記信号線と接続した信号線駆動手段とを具備したことを
特徴とする。

【００２６】この画像検出装置においては、第１のアレ
イ基板および第２のアレイ基板の互いに隣接する端面
を、第１の面側に形成された互いの基板に対接する第１
の部分と、第２の面側に形成され互いの基板と離間した
第２の部分とを有するように形成してもよい。第１の部
分の厚さは、必要な強度が得られるように、アレイ基板
の大きさ、材質などに応じて設計するようにすればよ
い。第２の部分は例えばテーパー形状に形成するように
してもよい。

【００２７】前記走査線駆動手段および前記信号線駆動
手段は、前記画像検出基板を構成する第１のアレイ基板
と第２のアレイ基板とが、第１の画素アレイのｉ行目と
第２の画素アレイのｉ行目とが画素数Δｙだけずれて組
み合わされたとき、または第１の画素アレイのｊ列目と
第２の画素アレイのｊ列目とが画素数Δｘだけずれて組
み合わされたときに、この画素数ΔｘまたはΔｙの駆動
に要する時間量に応じて、第１の画素アレイと第２の画
素アレイの走査線駆動タイミングまたは信号線駆動タイ
ミングをシフトさせるタイミングシフト手段を具備する
ようにしてもよい。

【００２８】本発明のアレイ基板は、絶縁性基板上にｉ
行ｊ列のマトリクス状に形成された光電変換素子とこの
光電変換素子に接続された非線形スイッチング素子を有
する画素と、前記非線形スイッチング素子に駆動信号を
印加するｉ本の走査線と、前記非線形スイッチング素子
を介して前記光電変換素子から検出信号を読みだすｊ本
の信号線とを有するアレイ基板であって、１本目の前記
信号線は１列目の画素と２列目の画素との間に配設さ
れ、ｉ本目の前記信号線はｉ−１列目の画素とｉ列目の
画素との間に配設されたことを特徴とする。

【００２９】本発明の画像検出装置の製造方法は、平面
上で、光電変換素子を有する画素がマトリクス状に形成
された画素アレイを有する第１のアレイ基板および第２
のアレイ基板を、第１のアレイ基板の画素アレイと第２
のアレイ基板の画素アレイとが実質的に連続した矩形の
画像検出領域を形成するように配置し、相互の位置関係
を固定する工程と、絶縁性基板上の前記画像検出領域よ
りも大きな第１の領域に蛍光体層を形成する工程と、前
記蛍光体層が前記画像検出領域を覆うように第１および
第２のアレイ基板と絶縁性基板とを張り合わせる工程と
を有することを特徴とする。

【００３０】すなわち本発明の画像検出装置は、マトリ
クス状に形成された画素アレイを有する複数のアレイ基
板を、各基板の画素アレイが実質的に連続した矩形の画
像検出領域を形成するように組み合わせることにより、
撮像対象とほぼ１：１で対応した実物大の撮像を高精細
かつ大画面で得られる画像検出装置である。

【００３１】複数の基板は同じ大きさのものを組み合わ
せることが位置合わせなどの観点から好適であるが、大
きさの異なるアレイ基板を用いても、組み合わせにより
所定の画像検出領域が得られればよい。同様に各基板に
形成される画素アレイの大きさについても同じ大きさ、
同じ行数、同じ列数を有する画素アレイを組み合わせる
ことが位置合わせ、画素の駆動などの観点から好適であ
るが、組み合わされる画素アレイの大きさ、行数、列数
が相違する場合でも、組み合わせにより実質的に矩形の
画像検出領域が得られればよい。本発明の画像検出装置
を構成する画像検出基板は、画素アレイを有する複数の
アレイ基板から形成されているが、それぞれのアレイ基
板はほぼ１画素の大きさに相当する大きさよりも大きな
隙間がないように組み合わされている。また、組み合わ
されたアレイ基板の接合面に平行な変位は、画像検出領
域に隙間を生じないならばずれていてもよい。アレイ基
板が組み合わされた画像検出基板は例えば、所用の強度
を有する基板と張り合わせることにより、アレイ基板相
互の位置関係は固定され、あわせてそれ自体では強度が
十分でない画像検出基板も支えられる。このようなアレ
イ基板を組み合わせた画像検出基板を固定する基板とし
て、例えば絶縁性基板に波長変換手段である蛍光体層な
どを形成した絶縁性基板を用いるようにしてもよい。蛍
光体層は画像検出領域全体を覆うように形成すればよ
い。そして、波長変換手段を形成した基板の大きさを、
画像検出領域よりも大きくかつ画像検出基板よりも小さ
い大きさに形成して、画像検出基板の画素アレイが形成
された面と、絶縁性基板の波長変換手段を形成した面と
を、蛍光体層などの波長変換手段が画像検出領域を覆う
ように貼り付けるようにしてもよい。これにより、複数
のアレイ基板は固定されるとともに、画像検出基板の画
素アレイが形成された側の面の外周部には絶縁性基板に
覆われていない露出した領域が形成される。この露出し
た領域で、画素アレイの走査線と走査線駆動回路とを、
画素アレイの信号線と信号線駆動回路とを接続すること
ができる。接続には、例えばフィルム状のフラットケー
ブルとＡＣＦ（異方性導電膜）を用いるようにしてもよ
い。また、走査線駆動回路、信号線駆動回路と画素アレ
イを接続するフィルム状のフラットケーブルには、セン
スアンプなどのＩＣを実装するようにしてもよい。

【００３２】複数組み合わされるアレイ基板の隣接する
アレイ基板と接合する部分は、画素アレイの端部とアレ
イ基板の端部ができるかぎり近接していることが好適で
ある。このようアレイ基板を得るには、例えば、薄膜ト
ランジスタプロセスにより形成したアレイ基板の画素ア
レイが形成されていない額縁の部分を切り落とすように
してもよい。近年では約７５〜１００μｍの精度での切
断が可能であり、これはほぼ画素１個の大きさ乃至はこ
れより小さい大きさに相当する切断精度である。 ま
た、画素アレイの外周に走査線、信号線などの配線が存
在すると、接合部の画素アレイのピッチが大きくなり、
また、額縁部の切断にあたって断線が生じる可能性があ
る。したがって、画素アレイの最外周に配線が存在しな
いアレイ基板を用意するようにしてもよい。例えば、絶
縁性基板上にｉ行ｊ列のマトリクス配置された画素を有
するアレイ基板の、１本目の信号線を１列目の画素と２
列目の画素との間に配設し、ｉ本目の信号線をｉ−１列
目の画素とｉ列目の画素との間に配設するようにすれば
よい。 このようになアレイ基板を用いることにより、
複数のアレイ基板を組み合わせる場合に、互いに異なる
アレイ基板に形成されかつ互いに隣接する画素間の配設
ピッチのギャップが小さくなる。また、走査線、信号線
の断線が防止される。

【００３３】さて、複数のアレイ基板を組み合わせたと
きに、形成される画像検出領域に不整合が生じる場合が
ある。例えば、行方向に隣接する画素アレイの行方向の
画素の配設ピッチに問題がなくとも、列方向に変位が生
じる場合がある。また列方向に隣接する画素アレイの列
方向の画素の配設ピッチに問題がなくとも、行方向に変
位が生じる場合がある。

【００３４】本発明の画像検出装置においては、このよ
うな画素アレイの組み合わせの不整合にも対応すること
ができるものである。すなわち、このような画素アレイ
の配置の不整合は、複数のアレイ基板を組み合わせて固
定した段階で確定する。本発明の画像検出装置は、確定
した画素アレイ間の不整合を画素の変位量として測定
し、この画素数の駆動に要する時間量に応じて、画素ア
レイを走査線を駆動するタイミングまたは、信号線を駆
動して検出信号を読みだすタイミングをシフトさせる。
このため前述のように本発明の画像検出装置は、走査線
駆動手段または信号線駆動手段に、画像検出基板を構成
する第１のアレイ基板と第２のアレイ基板とが、第１の
画素アレイのｉ行目と第２の画素アレイのｉ行目とが画
素数Δｙだけずれて組み合わされたとき、または第１の
画素アレイのｊ列目と第２の画素アレイのｊ列目とが画
素数Δｘだけずれて組み合わされたときに、この画素数
ΔｘまたはΔｙの駆動に要する時間量に応じて、第１の
画素アレイと第２の画素アレイの走査線駆動タイミング
または信号線駆動タイミングをシフトさせるタイミング
シフト手段を具備することにより画像検出領域を構成す
る複数の画素アレイ間の不整合を補正して出力する。

【００３５】例えば第１のアレイ基板の１行目の画素が
第２のアレイ基板の２行目の画素に対応して組み合わさ
った場合、第１のアレイ基板の画素アレイと第２の基板
の画素アレイとの間には列方向に１画素分の変位（Δｙ
＝１）が存在することになる。このような場合、例えば
第２の画素アレイの駆動タイミングを、第１の画素アレ
イの駆動タイミングよりも１行分早くすることにより、
出力される画像信号の不整合を解消することができる。
画素の変位量は整数であればよいので、実数に変位量は
変位値に最も近い整数値を変位量として採用すればよ
い。

【００３６】このような走査線または信号線の駆動タイ
ミングを補正するタイミング補正手段を備えることによ
り、本発明の画像検出装置においてはアレイ基板の組み
合わせに不整合がある場合でも、不整合のない画像デー
タを外部回路に出力することができる。このような画像
の不整合は、画像検出装置から出力された後にソフトウ
ェアにより補正することも可能である。しかし、アレイ
基板の組み合わせずれは、画像検出基板それぞれにより
相違するため、画像検出装置毎にプログラムを書き替え
る必要があり、画像検出装置の互換性の点で問題が大き
い。

【００３７】このように本発明の画像検出装置では、複
数のアレイ基板を支持基板上に張り合わせることによ
り、大画面の画像検出装置を形成したものである。アレ
イ基板が、作成しようとする画像検出基板より小さい場
合においても、目的サイズの画像検出装置を構成でき
る。また、複数のアレイ基板を組み合わせて構成するこ
とで、１枚の画像検出基板で画像検出装置を作成する場
合と比較し、小型の画像検出基板を複数用意すればよい
ので、生産性が向上する。

【００３８】また、本発明の画像検出装置は、走査配線
長、読み出し信号配線長はそれぞれのアレイ基板の大き
さにより、画像検出基板全体の大きさが大きくなっても
変わることがない。したがって、検出信号に不可避的に
混入するノイズが大きく低減され、Ｓ／Ｎ比を向上させ
た高品質の２次元検出装置を構成することができる。ま
た、複数のアレイ基板で構成される画像検出基板全体の
大きさが、蛍光体層を形成した基板よりも大きいこと
で、画素アレイの配線と駆動回路との接続が容易にな
る。

【００３９】

【発明の実施の形態】本発明の画像検出装置は、光電変
換素子を有する画素がｉ行ｊ列のマトリクス状に形成さ
れた画素アレイを有するアレイ基板を、各アレイ基板の
画素アレイが実質的に連続した矩形の画像検出領域を形
成するように組み合わせた画像検出基板を備えている。

【００４０】図１は本発明の画像検出装置１００が備え
る画像検出基板１０１の構成の１例を模式的に示す図で
ある。この画像検出基板１０１は、４枚の絶縁性基板上
にそれぞれ画素アレイを形成したアレイ基板１０２ａ、
１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄを組み合わせて構成され
ている。そして、各アレイ基板１０２ａ、１０２ｂ、１
０２ｃ、１０２ｄは、その画素アレイ１０３ａ、１０３
ｂ、１０３ｃ、１０３ｄが実質的に連続した矩形の画像
検出領域１０４を形成するように組み合わされている。

【００４１】なお、ここでは４枚のアレイ基板を組み合
わせた例について説明するが、組み合わせるアレイ基板
の枚数はこれに限ることはなく、２枚以上であれば何枚
でもよい。

【００４２】図２は画像検出基板１０１と支持基板１０
５との関係を模式的に示した図である。複数のアレイ基
板１０２は支持基板１０５に貼り付けられることによ
り、相互の位置関係が固定されている。画像検出領域１
０４よりも大きく画像検出基板１０１よりも小さい支持
基板１０５の、組み合わされた複数のアレイ基板１０２
すなわち画像検出基板１０１と対向する面には、例えば
蛍光体層などの波長変換手段が画像検出領域１０４を覆
うように形成されている。したがって、画像検出基板１
０１の画素アレイ１０３を有する面は、支持基板に覆わ
れていない露出した領域が形成されることのなるが、こ
の領域で画素を駆動する走査線と走査線駆動回路とを接
続し、同様に検出信号を読みだす信号線と信号線駆動手
段とを接続するようにしてもよい。

【００４３】図３は本発明の画像検出装置の画素アレイ
を構成する画素の構成を概略的に示す図である。

【００４４】画素である単位検出回路２０１は、図３に
示すようにバイアスが与えれた状態で電磁波の放射を受
けると、その受光した電磁波のエネルギーに対応して抵
抗変化が生じる光電変換素子であるフォトダイオード２
０２と、このフォトダイオード２０２の出力開閉用のス
イッチング素子である薄膜トランジスタ２０３とから構
成されている。ここではスイッチング素子として薄膜ト
ランジスタ２０３を用いているが、回路構成を一部変更
することでＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
Ｍｅｔａｌ）など他の非線形スイッチング素子を用いる
ようにしてもよい。

【００４５】そしてこの単位検出回路２０１は、フォト
ダイオード２０２に電圧を印加する駆動用電源２０４
と、薄膜トランジスタのスイッチのオン・オフを制御す
る走査信号配線２１０と、薄膜トランジスタ２０３を介
してフォトダイオード２０２に蓄積した電気信号を読み
出す読みだし信号配線２１１とに接続されている。読み
だし信号配線２１１は、フォトダイオード２０２の出力
をサンプリングして出力するための出力回路２１３に接
続されている。そして複数の単位検出回路が例えば図４
に例示するようにマトリクス状に配置して各アレイ基板
１０２の画像検出面である画素アレイ１０３を構成す
る。

【００４６】そして、マトリクス配列された複数の単位
検出回路２０１中、走査信号配線２１０は行方向に配置
し、読み出し配線２１１は列方向に配置する。各単位検
出回路２０１の薄膜トランジスタ２０３の開閉制御のた
めの制御線（ゲート電極）は、その単位検出回路に属す
る走査信号配線２１０に接続されており、行単位で一括
してその行に属する各検出回路の薄膜トランジスタ２０
３のオン／オフ制御を実施できる構成となっている。

【００４７】また、画素を構成する各単位検出回路２０
１は、それぞれの所属する列ごとに、その列に対応する
読み出し信号配線２１１に接続され、各単位検出回路２
０１の薄膜トランジスタ２０３を介して出力されるフォ
トダイオード２０２の出力信号を導く構成となってい
る。また、各読み出し信号配線２１１にはこの読み出し
信号配線２１１を介して導かれた信号を所定時間蓄積し
て出力することにより、検出出力を得る出力回路である
センスアンプ２１３が設けられる。

【００４８】このような構成の画素アレイに光学像を結
像させると、各画素には対応する位置にある像部分の光
が入射することになる。フォトダイオード２０２には電
源２０４よりバイアス電圧が与えられており、入射光量
に対応した電荷が時間とともに蓄積あるいは放出されて
行く。そして、薄膜トランジスタ２０３のゲート電極を
オン状態にすれば、この電荷出力は薄膜トランジスタ２
０３のソース・ドレイン電極、信号線２１１を通じて出
力回路２１３であるセンスアンプに読み出し信号配線２
１１を介して入力され、ここで積分されて検出出力信号
（画素信号）となる。

【００４９】前述のとおり、各画素は行単位で対応する
１つの走査信号配線２１０に接続されており、また列単
位で対応する１つの読み出し信号配線２１１にそれぞれ
接続されている。したがって、各走査線配線２１０を行
方向に順次走査することにより、各画素を構成する薄膜
トランジスタ２０３を行単位でオン・オフさせることが
でき、薄膜トランジスタ２０３がオンとなっている各画
素のフォトダイオード２０２の出力を列単位のセンスア
ンプ２１３によりそれぞれ検出することができる。

【００５０】したがって、各走査信号配線２１０を所定
時間単位ずつ順次オンにすることと、このオン動作に先
駆けて各センスアンプ２１３の積分回路部の残留電荷
（前回の測定値）を毎回クリアしておくことで、画像検
出装置の画素アレイ、単位検出回路２０１の走査線方向
のライン幅で順次走査して各画素の出力を画像検出信号
として出力することができるようになる。

【００５１】この方式の画像検出装置では、１ラインず
つ、１度にそのラインでの構成される単位検出回路信号
を並列に出力することができ、高速に画像データを得る
こともできる構成となっている（１ラインパラレル出
力）。シリアル出力も可能である。

【００５２】図５は本発明の画像検出装置１００の構成
を概略的に示す図であり、図６はこの画像検出装置１０
０の構造を概略的に示すＭＮ方向の断面図である。ここ
では本発明の画像検出装置をＸ線画像検出装置に適用し
た例について説明する。

【００５３】支持基板１０５には、複数のアレイ基板１
０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄからなる画像検
出基板１０１が貼り付けられている。支持基板１０５の
画像検出基板１０１側の面には、この画像検出装置１０
０に入射するＸ線を可視光に変換する蛍光体層１０６が
形成されている。支持基板１０５には、検出する波長の
光を透過する材料を用いるようにすればよいので、例え
ばＸ線検出をする場合には、可視光を遮蔽する目的から
金属基板を用いるようにしてもよい。一方、この蛍光体
層１０６を形成した支持基板１０５は、複数のアレイ基
板１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄを組み合わ
せた画像検出基板１０１を支持する機能も有する。した
がって、支持基板１０５の材料としては、画像検出基板
１０１の熱膨脹率と同一あるいは、近い値を有する材料
を用いるようにすればよい。画像検出基板１０１をガラ
ス基板を用いたプロセスで作成する場合には、支持基板
１０５にもガラス基板を用いるようにしてもよい。この
場合、可視光を遮蔽するために、支持基板１０５に可視
光の遮蔽手段として金属薄膜１０７を形成するようにし
てもよい。あるいは、ガラス材料のかわりに例えばＫｏ
ｖａｒ、ＦｅｒｎｉｃｏのようなＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合
金などのガラス基板とほぼ膨張係数の等しい金属材料を
用いて支持基板１０５を形成するようにしてもよい。こ
の場合には金属薄膜１０７を形成する必要はない。

【００５４】支持基板１０５には、上述のように例えば
ガラス基板などに、入射する電磁波の波長を光電変換素
子であるフォトダイオード２０２により検出可能な波長
に変換するための蛍光体層１０６を形成する。蛍光体層
１０６は例えば塗布により形成するようにしてもよい。
また、蛍光体材料を適当な有機溶媒及び連結剤で希釈し
た溶液をスピンコートする方法や、スクリーン印刷、ま
たは、片面を保護膜で覆った後にディップィング法によ
る引き上げで蛍光体層１０６を形成を行うようにしても
よい。このような方法を採用することにより、蛍光体層
１０６をより均一に形成することができ、蛍光体層１０
６による電磁波の波長変換効率もより均一なものにな
る。

【００５５】さらに、蛍光体層１０６を形成、乾燥した
後、蛍光体層１０６上にシリコーンなどの弾性材料から
なる保護層１０８を形成するようにしてもよい。このよ
うな保護層１０８を形成することにより、蛍光体層１０
６を湿度などの影響から保護し、また画像検出基板１０
１を貼り付ける際の応力も緩和される。さらに、温度変
化による熱膨張に対するバッファ層としても機能する。
保護層１０８の形成は、蛍光体層１０６と同様の方法で
行うようにすればよい。また、保護層１０８はは蛍光体
層１０６の端面を含めてその全体を覆うように形成する
ことが好適である。このため、例えば蛍光体層１０６の
外周部を支持基板１０５側に広がりをもったテーパ形状
に形成すれば、保護層１０８による蛍光体層１０６の被
覆性がより向上する。蛍光体層１０６の外周端面をテー
パ形状にしない場合でも、例えば支持基板１０５の端部
まで蛍光体層１０６を形成し、蛍光体層１０６の全体
（端面を含む）を覆うように保護層１０８を形成するよ
うにすればよい。

【００５６】次に、蛍光体層１０６を形成した支持基板
１０５と画像検出基板１０１を構成する複数のアレイ基
板１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄの張り合わ
せであるが、張り合わせる各アレイ基板に対して例えば
最低２カ所以上の位置あわせ用のマークを形成し、この
位置あわせマークを参照することで、継ぎ目部にズレが
発生することがなく位置を行うことができる。位置あわ
せ用のマークは、図５の例においては、画像検出基板１
０１側で、画素アレイおよび引き出し配線構成部以外の
外周辺部のコーナー部に位置あわせ用のマークを形成し
ている。マークの形成は、画素アレイおよび引き出し配
線のパターンの外側に形成するようにしてもよい。ま
た、画素アレイ以外の画像検出基板１０１の外周部の面
積を低減するために、読み出し用信号線２１１あるい
は、走査線２１０の外部回路への引き出し配線パターン
を利用して合わせマークを形成するようにしてもよい。
もちろん、配線とは独立に合わせマークを形成してもよ
い。

【００５７】画像検出基板１０１の合わせマークの相手
として、支持基板１０５には図５の例では４枚の画像検
出基板に対して、合計１２カ所の合わせマークを形成す
る。マークについては、Ｘ線検出装置の場合、可視光を
遮蔽するための形成した金属膜にレーザ照射することで
マーキングする方法が簡単である。レーザの他には、機
械的な研磨によるマーク形成も可能である。レーザをマ
ーキングに利用する場合には、金属膜が形成されていな
くても、熱による溶融・昇華等で、蛍光体層１０６や基
板自身にマークすることもできる。

【００５８】図７は画像検出基板１０１を構成する複数
のアレイ基板１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ
の張り合わせで隣接するアレイ基板が相互に接触する接
合部を拡大して示す図である。本発明の画像検出装置１
００においては、アレイ基板１０２を精度よく接合する
ために、アレイ基板１０２の互いに隣接する端面にテー
パを形成している。また、アレイ基板１０２の画素アレ
イ１０３が形成された第１の面側は、アレイ基板１０２
の強度を保ちながら隣接するアレイ基板と対接する対接
面を有している。対接面の厚さが大きくなると、対接面
を平坦に加工することが困難になり、接合精度が低下す
る。例えば、アレイ基板の端面の切断を行う場合に、切
断部がアレイ基板の主面に対して完全に垂直とすること
は難しい。本発明の画像検出装置を構成するアレイ基板
においては、隣接するアレイ基板の対接する面積を小さ
くすることにより、より精度のよい接合を実現したもの
である。すなわち、図７に例示したとおり、貼り付け面
側に逆テーパを形成することで、切断部の精度の影響に
よる合わせずれを低減している。この逆テーパは、検出
回路形成面側の表面までテーパ加工する必要はなく、半
分程度端面が残されていてもかまわない。テーパ角度と
しては４５度が望ましいが、特に大きすぎたり、小さす
ぎたりしないならば問題とならない。

【００５９】さて、画像検出基板１０１を構成する複数
のアレイ基板１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ
を張り合わせる方法としては、例えば支持基板１０５を
土台として、アレイ基板１０２を１枚ずつ順番に位置合
わせして張り合わせるようにしてもよい。

【００６０】また、張り合わせるアレイ基板１０２の一
部、あるいは全部の位置あわせを行った後に、支持基板
１０５と貼り合わせるようにしてもよい。このとき、例
えば真空チャック等を用いて、位置あわせがした複数の
アレイ基板１０２を順次固定し、最後に支持基板１０５
を張り合わせるようにしてもよい。この方法によれば、
アレイ基板を１枚ずつ張り合わせていく場合に比較し
て、アレイ基板の配置ズレを防ぐことができ非常に効率
的な組立てを行うことができる。

【００６１】上述のような方法で複数のアレイ基板１０
２を組み合わせて支持基板１０５と張り合わせた後、走
査線、信号線に、テープキャリアフィルムに配線走査用
ドライバ１１６あるいは、センスアンプ等のＩＣを実装
したフィルム１１７（ＴＡＢフィルム）をそれぞれ接続
する。

【００６２】各ＩＣの実装方法としては、上述ＴＡＢフ
ィルムを利用した接続の他に、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ ｏｎ
ｇｌａｓｓ）実装が挙げられるが、検出基板側の回路
を非単結晶の結晶質シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）材料で
形成した場合には、周辺回路、すなわち走査配線駆動用
シフトレジスタ、読み出し信号線用センスアンプ等も同
時に作成することができ、回路周辺部をさらに小型化
（周辺部、額縁の縮小化）することができる。

【００６３】このような周辺回路と、画素アレイとの接
続については、画像検出基板１０１全体の大きさを支持
基板１０５よりも大きくすることにより得られる、画像
検出基板外周部の露出した部分で行うようにすればよ
い。図５の例ではこの露出した領域を用いて各アレイ基
板の画素アレイの走査線２１０と走査線駆動回路１２０
ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄとを、また信号線２
１１と信号線駆動回路１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、
１３０ｄとを接続している。

【００６４】このような構造により、画素アレイと、走
査線、信号線との接続性が向上する。また、この部分に
薄膜半導体プロセスにより周辺回路を形成した場合に
も、形成した回路の信頼性が向上する。

【００６５】以上のように、画像検出基板１０１を構成
する複数のアレイ基板１０２と支持基板１０５とを張り
合わせ、周辺回路との接続を行うことにより本発明の画
像検出装置を製造することができる。複数のアレイ基板
１０２と支持基板１０５を張り合わせた状態では強度的
に不足が生じる場合には、平坦度の高い定盤１１０に固
定するようにすればよい。定盤１１０と画像検出基板１
０１の画素アレイが形成された面と反対側の面とは、適
当な方法により接着するようにすればよいが、平坦性を
維持するためと熱膨張に対する変形などを緩和するため
に、例えば定盤１１０にシリコンゴム等を薄く塗布して
保護層１１１を形成し、この保護層１１１を介して定盤
１１０と画像検出基板１０１を圧着するようにしてもよ
い。また、画像検出基板１０１を定盤１１０に固定した
後に、画像検出基板周辺にシリコンゴム等を充填するよ
うにしてもよい。図５、図６の例では、走査配線・読み
出し信号配線に接続されるＩＣを接続後に定盤１１０に
固定しているが、定盤１１０に画像検出基板１０１を固
定した後に各ＩＣを接続し、データ処理用の回路基板を
接続するようにしてもよい。

【００６６】定盤１１０上には、センスアンプ２１３な
どの各種ＩＣと駆動回路などが形成された回路基板１１
３が固定されているが、これら回路基板１１３は、露出
されたままではＸ線にさらされることになる。そのた
め、周辺回路にＸ線が入射にないように金属などの防護
カバー１１４を形成するようにすればよい。１１５は撮
像データを外部回路へ出力するための端子である。

【００６７】つぎに画像検出基板１０１についてさらに
詳細に説明する。

【００６８】まず、アレイ基板１０２を複数張り合わせ
て形成する画像検出基板１０１の画素アレイ１０３の回
路パターンの構成であるが、画素を構成する回路パター
ンの形状は、すベての画素について、同一方向で、同一
のパターンが形成されることが好適である。図８は画像
検出基板を構成するアレイ基板の組み合わせの１例につ
いて模式的に示す図である。例えばミラー対称パターン
などを避けるために、図８（ａ）に示すようにあらかじ
め画素アレイの外周部の４辺の引き出し配線形成部１８
１に引き出し配線を形成し、張り合わせる位置に応じ
て、不要な引き出し配線を切り落とすようにしてもよ
い。切り落とし部１８２は上述したようにテーパ処理を
施して組み合わせ画像検出基板を作成する（図８
（ｂ）、図８（ｃ））。

【００６９】図５、図６に例示した画像検出装置のよう
に４枚のアレイ基板を組み合わせて画像検出基板を形成
する場合、９０度あるいは１８０度回転対称をして組み
合わせるようにしてもよい（図８（ｃ）のＡとＣ、Ｂと
Ｄ）。

【００７０】上述のような方法によりアレイ基板相互の
位置関係を画素アレイが整合するように精度よく張り合
わせるが、例えば、張り合わせ時の温度差による膨張の
影響などで複数のアレイ基板の張り合わせ位置にズレ
（不整合）が発生する場合がある。このような位置ずれ
は、画像検出装置から出力された後にソフトウェアによ
り補正することも可能である。しかし、アレイ基板の組
み合わせずれは、画像検出基板それぞれにより相違する
ため、画像検出装置毎にプログラムを書き替える必要が
あり、画像検出装置の互換性の点で問題が大きい。

【００７１】複数のアレイ基板の組み合わせに位置ずれ
が生じた場合、例えば、張り合わせたアレイ基板間で１
ラインのズレが発生した場合、撮像の検出信号はすべて
１ラインずつずれて出力されることになる。１ラインの
ズレは、単位撮像面積あたりの画素の配設密度を増加し
て高精細化を図ることにより問題とならないレベルにす
ることもできる。しかし、デジタル信号処理で画像認識
等の処理を実施する場合には、ラインのズレは固有ノイ
ズとして処理を複雑化させることになる。

【００７２】このような位置ずれが生じた場合には、撮
像の検出信号をアレイ基板の位置ズレ量分だけシフトす
ればよいが、画像検出装置から撮像に得られた検出信号
を出力したあとで検出信号にシフト処理を加えることは
煩雑である。

【００７３】複数アレイ基板を張り合わせて画像検出基
板を作成した時には、アレイ基板相互のズレ量が確定す
るので、画像検出装置自身にアレイ基板相互の位置ずれ
に対する補正機能を付与するのがよい。例えば、走査線
方向に平行にズレが発生した場合、ずれているアレイ基
板のセンスアンプの読み出し信号の接続先をズレ量分だ
けずらして信号処理すればよい。パラレルデータのまま
で外部の画像処理装置に送出する場合には、処理系への
配線接続をズレ量を補正するように接続すればよい。

【００７４】一方、シリアルデータとして順次データを
送出する場合には、シリアルデータを作成するシフトレ
ジスタの出力タイミングを適宜ずらすことで、位置ずれ
が補正された信号を得ることができる。補正タイミング
の基準としては、各走査毎に得られる画像データの出力
開始のタイミングが一番早くなるものを基準にするよう
にしてもよい。また、暫定的にズレ量の最大値をあらか
じめ予測しておき、そのズレ量を各走査データの出力開
始タイミングとするようにしてもよく、各走査ラインの
ズレ量に対応した出力タイミングを補正することができ
る。また、信号線方向のズレに対しては、例えばセンス
アンプ出力のあとにバッファメモリを接続するようにし
てもよい。バッファメモリによりタイミングを補正する
ことにより、アレイ基板の位置ずれによる検出データの
読み出し位置のズレを補正することができる。

【００７５】以上の例では、張り合わせるアレイ基板が
４枚の場合を例に取ったが、張り合わせるアレイ基板は
２枚でも、それ以上であっても構わない。アレイ基板を
５枚以上張り合わせる場合には、引き出し配線を画素ア
レイ周囲の４辺の中で１辺のみに配設しなければならな
いアレイ基板を用いる必要がすることにがとなるが、配
線を工夫することで実施可能である。例えば走査線駆動
回路と信号線駆動回路をアレイ基板の同一側に配置し、
走査線を折り曲げて配線するようにしてもよい。このよ
うな場合、撮像の検出信号は走査信号に比べて微弱であ
るため、走査配線を折り曲げて配線することが好適であ
る。図９は走査線を折り曲げることにより走査線および
信号線を同一側に引き出したアレイ基板の回路構成を模
式的に示す図である。

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、検出素子を形成する基
板の大きさに制約されることなく、大きな検出エリアを
有する信頼性の高い２次元画像検出装置を提供すること
ができる。

【００７７】本発明の画像検出装置によれば、高精細な
実物大の撮像を大画面で得ることができる。また本発明
の画像検出装置によれば、検出信号の減衰やノイズの重
畳を防止し、高品質の画像を大画面で得ることができ
る。さらに本発明の画像検出装置によれば、医療用途に
適した信頼性の高い画像を大画面で得ることができる。
また本発明のアレイ基板によれば、基板の接合面での画
素の配設ギャップを低減し、複数組み合わせて用いても
品質の高い画像を検出することができる。

【００７８】さらに本発明の画像検出装置の製造方法に
よれば、アレイ基板を精度よく組み合わせることがで
き、高精細な撮像を大画面で得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像検出装置の画像検出基板の構成を
模式的に示す図。

【図２】画像検出基板と支持基板との関係を模式的に示
す図。

【図３】画素アレイを構成する画素の構成を概略的に示
す図。

【図４】画素アレイの構成を模式的に示す図。

【図５】本発明の画像検出装置の構成を概略的に示す
図。

【図６】本発明の画像検出装置の構成を概略的に示す断
面図。

【図７】アレイ基板の接合部の様子を概略的に示す図。

【図８】アレイ基板の組み合わせの１例について模式的
に示す図。

【図９】アレイ基板の１例を模式的に示す図。

【図１０】従来の画像検出装置の構成の例を概略的に示
す図。

【符号の説明】

１００……画像検出装置、１０１……画像検出基板 １０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ……アレイ基
板 １０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄ……画素アレ
イ １０４……画像検出領域、１０５……支持基板、１０６
……蛍光体層 １０７……金属薄膜、１０８……保護層、１１０……定
盤、１１１……保護層 １１３……回路基板、１１４……防護カバー、１１５…
…出力端子 １１６……配線走査用ドライバ、１１７……ＴＡＢフィ
ルム １２０……走査線駆動回路、１３０……信号線駆動回路 ２０１……単位検出回路（画素）、２０２……フォトダ
イオード ２０３……薄膜トランジスタ、２０４……駆動用電源２
０４ ２１０……走査線、２１１……信号線、２１３……出力
回路

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光電変換素子を有する画素がｉ行ｊ列の
   マトリクス状に形成された画素アレイと、この画素アレ
   イを行単位で駆動する走査線と、前記画素アレイから列
   単位で検出信号を読みだす信号線とを有する第１のアレ
   イ基板および第２のアレイ基板を、各基板の画素アレイ
   が実質的に連続した矩形の画像検出領域を形成するよう
   に組み合わせた画像検出基板と、 前記画像検出基板の画素アレイを有する面と対向配置さ
   れ、前記画像検出基板と対向する面に前記画像検出領域
   を覆うように形成された波長変換手段を有し、前記画像
   検出領域よりも大きく前記画像検出基板よりも小さい絶
   縁性基板と、 前記画像検出基板の画素アレイを有する面の前記絶縁性
   基板と対向した領域より外側の領域で前記走査線と接続
   した走査線駆動手段および前記信号線と接続した信号線
   駆動手段とを具備したことを特徴とする画像検出装置。
2. 【請求項２】 第１のアレイ基板および第２のアレイ基
   板の互いに隣接する端面は、第１の面側に形成された互
   いの基板に対接する第１の部分と、第２の面側に形成さ
   れ互いの基板と離間した第２の部分とを有することを特
   徴とする請求項１に記載の画像検出装置。
3. 【請求項３】 前記走査線駆動手段および前記信号線駆
   動手段は、前記画像検出基板を構成する第１のアレイ基
   板と第２のアレイ基板とが、第１の画素アレイのｉ行目
   と第２の画素アレイのｉ行目とが画素数Δｙだけずれて
   組み合わされたとき、または第１の画素アレイのｊ列目
   と第２の画素アレイのｊ列目とが画素数Δｘだけずれて
   組み合わされたときに、この画素数ΔｘまたはΔｙの駆
   動に要する時間量に応じて、第１の画素アレイと第２の
   画素アレイの走査線駆動タイミングまたは信号線駆動タ
   イミングを補正するタイミング補正手段を具備したこと
   を特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の画像検
   出装置。
4. 【請求項４】 絶縁性基板上にｉ行ｊ列のマトリクス状
   に形成された光電変換素子とこの光電変換素子に接続さ
   れた非線形スイッチング素子を有する画素と、前記非線
   形スイッチング素子に駆動信号を印加するｉ本の走査線
   と、前記非線形スイッチング素子を介して前記光電変換
   素子から検出信号を読みだすｊ本の信号線とを有するア
   レイ基板であって、 １列目の画素と２列目の画素との間に配設された前記１
   列目の画素から検出信号を読みだす信号線または（ｉ−
   １）列目の画素とｉ列目の画素との間に配設された前記
   ｉ列目の画素から検出信号を読みだす信号線を具備した
   ことを特徴とするアレイ基板。
5. 【請求項５】 平面上で、光電変換素子を有する画素が
   マトリクス状に形成された画素アレイを有する第１のア
   レイ基板および第２のアレイ基板を、第１のアレイ基板
   の画素アレイと第２のアレイ基板の画素アレイとが実質
   的に連続した矩形の画像検出領域を形成するように配置
   し、相互の位置関係を固定する工程と、 絶縁性基板上の前記画像検出領域よりも大きな第１の領
   域に蛍光体層を形成する工程と、 前記蛍光体層が前記画像検出領域を覆うように第１およ
   び第２のアレイ基板と絶縁性基板とを張り合わせる工程
   とを有することを特徴とする画像検出装置の製造方法。