JPH1093122A

JPH1093122A - 薄膜太陽電池の製造方法

Info

Publication number: JPH1093122A
Application number: JP8239445A
Authority: JP
Inventors: Takashi Nishioka; 孝西岡; Takumi Yamada; 巧山田; Goji Kawakami; 剛司川上; Takeshi Yamada; 武山田; Joji Nakada; 穣治中田
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1996-09-10
Filing date: 1996-09-10
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】シリコンの使用量が少なくかつ一定の光電変
換効率を有する薄膜太陽電池を安価に製造し得る方法を
提供すること。【解決手段】単結晶もしくは粒径が著しく大なる多結
晶のインゴットあるいはウェハからなるＳｉ基板１に水
素（Ｈ）イオン２の注入を行い、その上に第２の基板３
を接着し、さらに適度な熱処理を施すことにより、Ｈイ
オンの注入部位においてＳｉ基板１より所望の厚さの薄
膜Ｓｉ結晶４を剥離させ、これを太陽電池素子を構成す
る主要な材料もしくはその一部とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に積層され
たシリコン（Ｓｉ）薄膜により構成される薄膜太陽電池
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】太陽光から電気への変
換効率が高いＳｉ半導体を用い、かつ材料資源消費量の
少ない構造である薄膜Ｓｉ太陽電池は、今後、一層の増
大が見込まれるエネルギ需要の担い手の一つとして重要
である。従来の薄膜Ｓｉ太陽電池では、太陽光スペクト
ルにおけるＳｉ材料の光吸収係数が小さいため、一定の
光電変換効率を維持した太陽電池を製造するには、Ｓｉ
膜厚として最小でも７０ミクロン程度が必要であった。

【０００３】しかしながら、将来、予想される太陽光発
電の飛躍的な普及に伴って電池材料の主成分であるＳｉ
の需要も膨大なものになっていくことが懸念され、資源
的な要請からＳｉ材料の使用を最小限に抑え（即ち、最
も端的にはＳｉ膜厚を最小限にし）、かつ一定の光電変
換効率を維持した太陽電池構造が要求されている。

【０００４】このような省資源型Ｓｉ太陽電池を製造す
る方法としては、［１］単結晶もしくは多結晶のバルク
結晶（いわゆるインゴット）から、できるだけ薄いＳｉ
ウェハを切り出す（スライスする）、あるいは［２］所
定の基板上にＳｉ薄膜層を堆積する工程を経て、引き続
き太陽電池形成に必要な種々の既知の処理を行うものが
あった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記
［１］の方法の場合、切り出すＳｉウェハの膜厚の均一
性に問題があった。また、切り出したウェハを何らかの
基板上に接着する工程においてはウェハの機械的強度及
び作業性の問題から、一定の製造歩留りを確保しようと
すると、最小でも１００ミクロン程度の膜厚が必要にな
り、省資源の要請には不十分な厚さに止まっていた。ま
た、切り出しの際の切り屑となるＳｉの量も膜厚と比較
して無視できないという問題があった。

【０００６】また、前記［２］の方法では、予め基板上
に堆積した非晶質もしくは粒径の小さい多結晶Ｓｉ薄膜
に対し、熱処理等を初めとする種々の方法により結晶粒
径の大きいＳｉ薄膜となし、これによって比較的高効率
の太陽電池を得ようとしていたが、この場合、所望の膜
厚（例えば１０ミクロン）の獲得は可能なものの、この
方法の実施に必要な長時間または高温の熱処理等に要す
るコストが相対的に大きく、実用上の問題となってい
た。

【０００７】さらにまた、製造コストを押さえるために
安価なガラス等が基板として選択された場合、耐熱性の
問題から比較的低温もしくは短時間の熱処理を選択せざ
るを得ず、低温長時間の処理が必要もしくはレーザ加熱
等の短時間であるがスループットの小なる処理が必要と
いう欠点があったのに加えて、得られる粒径も１０ミク
ロン程度と小さく、作製された太陽電池の効率も不満足
なものであった。

【０００８】また、比較的高温長時間の熱処理にも耐性
のあるカーボン、高融点金属等の材質からなる基板を選
択した場合は、基板自体が高価であることに加えて、熱
処理に伴う基板周辺からの不純物拡散による特性劣化が
問題となっていた。

【０００９】本発明の目的は、シリコンの使用量が少な
くかつ一定の光電変換効率を有する薄膜太陽電池を安価
に製造し得る方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明方法の概略工程を
図１を用いて説明する。

【００１１】単結晶もしくは粒径が著しく大なる多結晶
のインゴットあるいはウェハ（以下、Ｓｉ基板と呼
ぶ。）１を出発材料として、これに水素（Ｈ）イオン２
の注入を行った（図１(a)）後、第２の基板３をＳｉ基
板１上に接着した（図１(b)）上で適度な熱処理を施す
ことにより、Ｓｉ基板１より所望の厚さの薄膜Ｓｉ結晶
４を剥離させ（図１(c)）、これを太陽電池素子を構成
する主要な材料もしくはその一部として提供する。な
お、注入するイオン種はＨに限らずヘリウム（Ｈｅ）も
しくはＨとＨｅの併用でも有効であった。

【００１２】太陽光スペクトルの特性から薄膜Ｓｉに要
求される７ミクロン以上（１０ミクロン程度がより好ま
しい）の膜厚を得るため、本発明では以下の（ａ），
（ｂ）に示す２種類の方法を提案する。

【００１３】（ａ）太陽電池素子に必要な７ミクロン以
上の膜厚を有する薄膜Ｓｉ結晶を剥離により直接獲得す
る。この場合のイオン注入は、Ｈの場合は（後述するch
anneling注入の場合を除いて）６００ｋｅＶ以上のエネ
ルギで行う必要があり、Ｈｅの場合は２ＭｅＶ以上のエ
ネルギで行う必要がある。

【００１４】（ｂ）素子形成に必要な膜の下地となる薄
膜Ｓｉ結晶を同様な剥離法により得て、この下地薄膜Ｓ
ｉ結晶の上にＳｉ層をエピタキシャル成長することによ
り、７ミクロン以上の膜厚とする。下地薄膜Ｓｉ結晶と
しての膜厚は、０．５ミクロン以上かつ４ミクロン以下
とすることが、剥離の容易さ・標準的な注入装置（最大
４００ｋｅＶの注入エネルギ）が使用可能である等の面
で好ましい。この場合の注入エネルギは、Ｈの場合は
（後に説明するchanneling注入の場合を除いて）４０ｋ
ｅＶ以上かつ４００ｋｅＶ以下、Ｈｅの場合は７０ｋｅ
Ｖ以上かつ１．５ＭｅＶ以下にする必要がある。

【００１５】以上のいずれの場合も、注入後の熱処理は
５００℃程度以上が好適であった。

【００１６】剥離後のＳｉ基板は再び前記工程の出発材
料として繰り返し使用され、省資源化を実現できる。加
えて、太陽電池効率の一層の向上のために、前記工程の
前後に光及び発生キャリア閉じ込めのための種々の工夫
を付加する。

【００１７】本発明のイオン注入及び熱処理により剥離
に至る作用を、前記（ａ）の方法に即して説明する。イ
オン種もＨを例として説明するが、Ｈｅにおいても基本
的な効果に異なるところはない。また、（ｂ）の方法に
おいても注入深さが異なる以外は同様の作用により剥離
が起こる。

【００１８】Ｓｉ基板から太陽電池に好ましい厚さの薄
膜Ｓｉ結晶を剥離させるには、まず、（１）Ｈイオンの
Ｓｉ内への投影飛程（projected rang）である７ミクロ
ン程度以上が得られるエネルギとして６００ｋｅＶ以上
の加速エネルギが必要になる。即ち、注入すべきＨイオ
ンとしてプロトンイオン（Ｈ⁺）を選ぶ場合には６００
ｋｅＶの、また、イオン源の条件等により水素分子イオ
ン（Ｈ₂ ⁺）を選ぶ場合には１．２ＭｅＶの加速電圧が必
要になる。また、後の熱処理により剥離を起こすために
は、概ね１０¹⁶ｃｍ^-2の桁以上の水素注入量が必要にな
る。

【００１９】具体的な剥離達成のための注入量は、注入
エネルギ及び熱処理条件によって若干異なってくる。Ｈ
イオン以外の元素をイオン種とする場合には、元素の質
量が大きいため、７ミクロン程度以上の投影飛程を得る
ためには大きな注入エネルギを必要とする。例えば、Ｈ
に次いで軽いＨｅイオンでも７ミクロンの投影飛程を得
るには、約２ＭｅＶのエネルギが必要である。Ｈ及びＨ
ｅ以外のイオン種を用いることは装置規模及びコストの
面で非現実的なものである。

【００２０】次いで、（２）剥離後の薄膜Ｓｉ結晶を機
械的に保持する土台となる第２の基板を接着する。この
第２の基板の材質は、目的とする太陽電池の構造によ
り、導電性の金属材料や太陽光の少なくとも一部に対し
て透明な、正確にいえば光電変換波長域の少なくとも一
部に対して透光性を有する絶縁材料が適宜選択される。
第２の基板の接着には、接着すべき両面の化学的処理を
伴う接着法が一般的に行われるが、十分な接着強度を確
保するため、接着剤を用いる場合もある。いずれの場合
も、後の剥離工程の際に問題とならない耐熱性が必要と
なる。

【００２１】引き続いて、（３）熱処理による剥離工程
が行われる。Ｓｉが剥離に至る機構の詳細はいまだ不明
な点が残されているが、注入されたＨイオンが加熱によ
りＳｉ内で凝集・ガス化するとともに、注入に伴って発
生したＳｉの点欠陥等も加熱により動きが活発になるこ
とと相俟って、Ｓｉ結晶内で高濃度にＨが存在し、かつ
高濃度に欠陥が存在する領域付近で加熱に伴うＳｉ結晶
の破壊が起こると想像される。本熱処理及び必要に応じ
て行われる追加熱処理により、注入されたＨイオン及び
欠陥の大部分は、剥離されて得た薄膜Ｓｉ結晶内より除
去される。

【００２２】以下、太陽電池素子内に光及びキャリアを
有効に閉じ込め、効率を増大せしめる種々のプロセスを
組み合わせて構成した薄膜Ｓｉ太陽電池の製造方法を説
明する。

【００２３】

【発明の実施の形態】

（第１の実施の形態）図２は本発明の第１の実施の形態
を説明する図である。

【００２４】図２(a)において、１１はＳｉ基板であ
り、本例ではｐ型（１００）基板を用いている。１２は
Ｓｉ基板１１のうち、剥離後に薄膜Ｓｉ結晶となる部分
であり、１２以外の部分は本例の素子に使用されず再利
用にまわるため、破線で示している。

【００２５】１３はＨイオンの注入の様子を大まかに表
すもので、通常のいわゆるランダム方位の注入を行って
いる。注入に先立ってＳｉ基板１１には薄い酸化層１
４、ｎ型層１５を形成した。この酸化層１４は完成後の
薄膜Ｓｉ太陽電池において、ｎ電極側における再結合防
止のためのpassivation層の役割を果たす。酸化膜１４
の一部は除去され、後に形成される電極との接合部が準
備される。注入されたＨイオンは、Ｓｉ基板１１内の深
さ約１０ミクロンの位置１６近辺に高濃度で存在する。

【００２６】図２(b)は薄膜Ｓｉ結晶１２を保持する第
２の基板を示すもので、１７はガラス板、１８は透明電
極となるＺｎＯである。図２(a)及び図２(b)に示す両部
分はＨイオンの注入後、接着され、熱処理されることに
より、位置１６を破断面として薄膜Ｓｉ結晶１２が剥離
される。

【００２７】本例では、接着前に薄膜Ｓｉ結晶１２の表
面（及び酸化膜１４の表面）を化学的処理により親水化
しており、透明電極１８との接着に当たっては接着剤を
用いずに接着が可能であった。

【００２８】図２(c)は、剥離後、種々の工程を経て太
陽電池が構成された様子を説明するものである。具体的
な工程としては、（ｉ)剥離後の追加熱処理（これは第
２の基板への熱ダメージが少ない急速加熱処理（Rapid
Thermal Annealing）を選択した）、（ii）ｐ電極側pas
sivation用酸化膜１９形成、（iii）ｐ電極２０形成、
（iv）ｐ⁺領域２１形成、からなる。

【００２９】これらの工程中の熱履歴により、透明電極
１８と薄膜Ｓｉ結晶１２は図２(c)に示すように融着
し、有用なｎ側電極となる。

【００３０】なお、本例における酸化・拡散は注入に伴
う残留欠陥を積極的に利用しているため、通常より低温
において所望の特性が達成された。また、本例における
太陽電池素子では、太陽光２２はガラス板１７側より入
射される。

【００３１】なお、本例において、剥離後の薄膜Ｓｉ結
晶１２の表面をアルカリ溶液等でエッチング処理するこ
とは、光閉じ込め効果を一層高めるために有効であっ
た。

【００３２】（第２の実施の形態）図３は本発明の第２
の実施の形態を説明する図である。

【００３３】図３(a)は第１の実施の形態の図２(a)とほ
ぼ同様であるが、本例では、繰り返し使用されるＳｉ基
板１１の表面を、イオン注入前にアルカリ溶液等でエッ
チング処理し、光閉じ込めに有用なピラミッド構造を形
成している。従って、図２中の酸化膜１４、破断面１６
もそれぞれ酸化膜１４ａ、破断面１６ａのような形状と
なる。本例では破断面１６ａもピラミッド構造となるた
め、再利用における注入表面のピラミッド構造は保持さ
れる。なお、第１の実施の形態のような注入前のｎ型層
形成は行わない。

【００３４】図３(b)は薄膜Ｓｉ結晶１２を保持する第
２の基板を示すものであって、３１はアルミニウム（Ａ
ｌ）板、３２は接着剤として用いられたインジウム（Ｉ
ｎ）である。Ｉｎ層３２はｐ電極としての役割も兼ね備
えている。第１の実施の形態の場合と同様に接着・剥離
が行われた後、図３(c)のような太陽電池が作製され
た。

【００３５】図３(c)に示すように、熱処理に伴い、Ｉ
ｎ層３２はピラミッド形状に沿って融着するとともに、
薄膜Ｓｉ結晶１２内に符号３３で示すように拡散してｐ
⁺領域を形成し、さらに酸化膜１９、ｎ⁺層３４、ｎ電極
２０を順次形成した。

【００３６】本例の場合、光２２は上面から入射するた
め、ｎ電極２０は図示のように薄膜Ｓｉ層１２上の一部
に形成した。より有効な光閉じ込めを図るため、図３
(a)に示すピラミッド形成の際に、マスクを用いたフォ
トリソ工程により、周期的な特殊構造を取ることも可能
である（M.A.Green et al., Proceedings of the 13thE
uropean Photovoltaic Solar Energy Conference, 199
5, pp.13-16参照）。

【００３７】（第３の実施の形態）図４は本発明の第３
の実施の形態を説明する図である。

【００３８】図４(a)において、４１はＳｉ基板であ
り、本例ではｐ型（１１１）基板を用いている。約１０
ｎｍの薄い酸化膜４２を形成した後、Ｈイオン注入を行
った。４３はＨイオンの注入の様子を大まかに表すもの
で、本例ではランダム方位の注入ではなく、（１１１）
軸に沿ったいわゆるchanneling注入を実施した。channe
ling注入を行うと、注入イオンの結晶中でのエネルギ損
失が相対的に小さいため、ランダム方位の注入に比べ、
小さい注入エネルギで同等の飛程を達成することができ
る。

【００３９】本例では、３５０ｋｅＶと第１、第２の実
施の形態に比べて小さい注入エネルギでもＨイオンは約
１０ミクロンの深さに達した。channelingの平行度（精
密度）にも依存するが、３００ｋｅＶ以上の注入エネル
ギにおいて概ね１０ミクロン以上のＨイオン進入深さを
得た。

【００４０】なお、非結晶性の酸化膜４２を通してイオ
ン注入を行っているが、膜厚が非常に薄いため、channe
lingの効果に支障はなかった。また、channelingの方法
として、前記説明した（１１１）軸に平行な、いわゆる
軸channelingのみでなく、例えば（１１０）面に平行
な、いわゆる面channelingの配置においても同様の効果
が得られた。

【００４１】一般に、Ｓｉ結晶は（１１１）面を劈開面
に持つため、破断面が（１１１）である場合、破断に至
るまでの熱及び機械的エネルギが小さくて済み、かつ破
断面の平坦性も他の面が破断面となる場合よりも良好で
ある。本例では、３８０℃と比較的低温の熱処理で破断
に至った。

【００４２】図４(b)は、薄膜Ｓｉ結晶４４を保持する
第２の基板を示すもので、４５は耐熱性は劣るが安価な
青板ガラス、４６はｐ電極となるＡｌとＳｉの合金層で
ある。第１、第２の実施の形態の場合と同様に接着・剥
離が行われた後、図４(c)のような太陽電池が作製され
た。

【００４３】図４(c)に示すように、熱処理に伴い、Ａ
ｌ−Ｓｉ層４６は、酸化膜４２が一部除去され、薄膜Ｓ
ｉ結晶４４が露出している部分において融着するととも
に、Ａｌが薄膜Ｓｉ結晶４４内に符号４７で示すように
拡散してｐ⁺領域を形成し、さらに酸化膜１９、ｎ⁺層４
８、ｎ電極２０を順次形成した。

【００４４】本例の場合も、太陽光２２は上面から入射
するため、ｎ電極２０は図示のように薄膜Ｓｉ層４４上
の一部に形成した。

【００４５】（第４の実施の形態）図５は本発明の第４
の実施の形態を説明する図である。

【００４６】図５(a)において、５１はＳｉ基板であ
り、本例ではｐ型（１００）基板を用いている。５２は
剥離後に下地薄膜Ｓｉ結晶となる部分であり、５２以外
のの部分は本例の素子に使用されず再利用にまわるた
め、破線で表示している。

【００４７】１３はＨイオンの注入の様子を大まかに表
すもので、通常のいわゆるランダム方位の注入を行って
いる。注入に先立ってＳｉ基板５１にｎ⁺層５３を形成
した。注入されたＨイオンは、Ｓｉ基板５１内の深さ約
３ミクロンの位置５４近辺に高濃度で存在する。本例で
は第１乃至第３の実施の形態の場合と比較して注入深さ
が浅くなっている。

【００４８】図５(b)は下地薄膜Ｓｉ結晶５２を保持す
る第２の基板を示すもので、５５は鉄を主成分とする金
属板である。図５(a)及び図５(b)に示す両部分はＨイオ
ンの注入後、接着され、熱処理されることにより、位置
５４を破断面として下地薄膜Ｓｉ結晶５２が剥離され
る。本例では、図５(c)に示すように、接着に当たって
絶縁性接着剤５６を用いた。

【００４９】図５(c)は、剥離後、種々の工程を経て太
陽電池が構成された様子を説明するものである。具体的
な工程としては、（ｉ）化学的気相成長（ＣＶＤ）法に
よるＳｉエピタキシャル結晶６１，６２，６３の成長、
（ii）反射防止膜６４形成、（iii）電極用穴あけ、（i
v）埋め込みｎ電極６５形成、（ｖ）埋め込みｐ電極６
６形成、（vi）電極まわりの拡散領域６７，６８の形成
からなる。

【００５０】ＣＶＤは、基板及び接着材料の耐熱性を考
慮して、低めの温度（約６００℃）で行い、順次、ｎ型
層６１、ｐ型層６２、ｎ⁺型層６３が成長された。膜厚
は、ｎ⁺型層５３からｎ⁺型層６３までの合計で１０ミク
ロンとした。

【００５１】次いで、表面での光反射を抑えるための反
射防止膜６４が形成された。フォトリソ工程により電極
用の穴あけが行われた後、ｎ電極６５、ｐ電極６６が順
次形成された。埋め込み形成には、反応性スパッタ法と
メッキ法が適用された。

【００５２】その後、熱処理により電極に含有された成
分が電極周りに拡散され、それぞれｎ⁺型領域６７、ｐ⁺
型層６８が形成された。本例の場合も、太陽光２２は上
面から入射される。

【００５３】本例では、ｐｎ接合が多層になっており、
光によって生成した電子・正孔は隣接する接合に容易に
達するため、Ｓｉ結晶の品質に問題がある場合でも（つ
まり、少数キャリア拡散長が小さい場合でも）、他の一
般的な構造に比して高効率が得られる。本例における剥
離及びＣＶＤ成長時に受ける熱履歴（最大６００℃程
度）では、Ｈイオンの注入による欠陥は十分に回復する
に到らない場合が多く、各層の少数キャリア拡散長は小
さいが、図５(c)に示す構造を取ることにより十分な太
陽電池効率が実現できた。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
前述した従来の［１］の方法では得られない７ミクロン
以上、より好ましくは１０ミクロン程度の膜厚の薄膜Ｓ
ｉ結晶を容易に獲得できるとともに、従来の［２］の方
法では得られない単結晶もしくは数ｃｍ程度以上の大粒
径からなる多結晶Ｓｉ薄膜を獲得できる。このような単
結晶（もしくは単結晶とみなして良い程度の大粒径の多
結晶）の薄膜では、粒径が小さい従来の［２］の方法で
問題になっていた結晶粒界におけるキャリアの再結合・
漏れ電流に起因する効率低下がないため、従来の厚い
（数１００ミクロン程度）Ｓｉ単結晶太陽電池と同様の
光電変換が実現できる。また、剥離工程後、残留したイ
ンゴットないしウェハは再利用が可能であり、Ｓｉの資
源節約の面でも有利であり、標準的な６インチＳｉ単結
晶ウェハ１枚から１０ミクロン厚のＳｉ単結晶太陽電池
が６０枚取得できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法の概略を説明する工程図

【図２】本発明の第１の実施の形態を説明する工程図

【図３】本発明の第２の実施の形態を説明する工程図

【図４】本発明の第３の実施の形態を説明する工程図

【図５】本発明の第４の実施の形態を説明する工程図

【符号の説明】

１，１１，４１，５１…Ｓｉ基板、２，１３，４３…注
入水素イオン、３…第２の基板、４，１２，４４…薄膜
Ｓｉ結晶、１４，１４ａ…酸化層、１５…ｎ型層、１
６，１６ａ，５４…破断面、１７…ガラス板、１８…透
明電極、１９…passivation用酸化膜、２０…ｐ電極、
２１，３３，４７…ｐ⁺領域、２２…太陽光線、３１…
アルミニウム板、３２…インジウム層、３４，４８，５
３…ｎ⁺層、４２…薄い酸化膜、４５…青板ガラス、４
６…Ａｉ−Ｓｉ層、５２…下地薄膜Ｓｉ結晶、５５…金
属板、５６…絶縁性接着剤、６１…エピタキシャルｎ型
層、６２…エピタキシャルｐ型層、６３…エピタキシャ
ルｎ⁺型層、６４…反射防止膜、６５…ｎ電極、６６…
ｐ電極、６７…ｎ⁺型領域、６８…ｐ⁺型領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山田武東京都新宿区西新宿３丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者中田穣治東京都新宿区西新宿３丁目19番２号日本電信電話株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン基板の主面にイオン注入を行う
工程と、該シリコン基板の主面上の少なくとも一部に第２の基板
を接着する工程と、前記シリコン基板及び第２の基板からなる構成物を熱処
理する工程と、前記シリコン基板からの剥離により、７μｍ以上の厚さ
の薄膜シリコン結晶を前記第２の基板上に獲得する工程
とからなることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】シリコン基板の主面にイオン注入を行う
工程と、該シリコン基板の主面上の少なくとも一部に第２の基板
を接着する工程と、前記シリコン基板及び第２の基板からなる構成物を熱処
理する工程と、前記シリコン基板からの剥離により、０．５μｍ以上４
μｍ以下の厚さの薄膜シリコン結晶を前記第２の基板上
に獲得する工程と、前記薄膜シリコン結晶上にシリコンよりなる層を付加す
る工程とからなることを特徴とする薄膜太陽電池の製造
方法。
【請求項３】注入するイオン種が水素イオンまたはへ
リウムイオンのうちの少なくとも１つであることを特徴
とする請求項１または２記載の薄膜太陽電池の製造方
法。
【請求項４】イオンの注入方向を、シリコン基板の主
面の法線方向に最も近い該シリコン基板の結晶主要軸に
平行な方向もしくはシリコン基板の結晶主要面に平行な
方向とすることを特徴とする請求項１または２記載の薄
膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】第２の基板が金属もしくは光電変換波長
域の少なくとも一部に対して透光性を有する材質からな
ることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜太陽電
池の製造方法。
【請求項６】イオン注入を行う工程の前に、第１の導
電型を有するシリコン基板の一部に第２の導電型を有す
る部分を付加する工程を備えたことを特徴とする請求項
１または２記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項７】第１の導電型を有する薄膜シリコン結晶
の一部に、第２の導電型を有する部分を付加する工程を
備えたことを特徴とする請求項１記載の薄膜太陽電池の
製造方法。
【請求項８】イオン注入を行う工程の前に、シリコン
基板の主面をエッチングし、凹凸面を形成する工程を備
えたことを特徴とする請求項１もしくは請求項２記載の
薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項９】薄膜シリコン結晶の主面をエッチング
し、凹凸面を形成する工程を備えたことを特徴とする請
求項１もしくは請求項２記載の薄膜太陽電池の製造方
法。