JPH1093191A - レーザダイオードの製造方法 - Google Patents
レーザダイオードの製造方法Info
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- JPH1093191A JPH1093191A JP9180663A JP18066397A JPH1093191A JP H1093191 A JPH1093191 A JP H1093191A JP 9180663 A JP9180663 A JP 9180663A JP 18066397 A JP18066397 A JP 18066397A JP H1093191 A JPH1093191 A JP H1093191A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 逆メサ形レーザダイオードの製造工程時にポ
リイミド膜の使用を取りやめることにより、素子の特性
及び信頼性を向上させることのできるレーザダイオード
の製造方法を提供する。 【解決手段】 第１導電型の化合物半導体基板上に第１
導電型のバッファ層、活性層、第２導電型のクラッド
層、及び第２導電型の高濃度のコンタクト層を順次形成
する段階と、前記コンタクト層とクラッド層の所定部分
をエッチングして逆メサ構造を形成する段階と、前記基
板全面に保護膜を形成する段階と、前記逆メサの上部の
保護膜を除去して前記コンタクト層を露出させる段階
と、前記露出された上部に前記コンタクト層とコンタク
トする金属層を形成する段階と、前記金属層及び前記保
護膜上に導電金属層を均一に形成する段階と、前記逆メ
サ構造の両側の前記エッチング部位が埋まれるように前
記導電金属層上にパッド金属層を形成する段階とから成
る。
リイミド膜の使用を取りやめることにより、素子の特性
及び信頼性を向上させることのできるレーザダイオード
の製造方法を提供する。 【解決手段】 第１導電型の化合物半導体基板上に第１
導電型のバッファ層、活性層、第２導電型のクラッド
層、及び第２導電型の高濃度のコンタクト層を順次形成
する段階と、前記コンタクト層とクラッド層の所定部分
をエッチングして逆メサ構造を形成する段階と、前記基
板全面に保護膜を形成する段階と、前記逆メサの上部の
保護膜を除去して前記コンタクト層を露出させる段階
と、前記露出された上部に前記コンタクト層とコンタク
トする金属層を形成する段階と、前記金属層及び前記保
護膜上に導電金属層を均一に形成する段階と、前記逆メ
サ構造の両側の前記エッチング部位が埋まれるように前
記導電金属層上にパッド金属層を形成する段階とから成
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子の製造
方法に係り、特に逆メサ形レーザダイオードの製造方法
に関する。
方法に係り、特に逆メサ形レーザダイオードの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザダイオードは電流の印加によりレ
ーザ光を出力することであり、光通信システムで光信号
発生源として用いられ、計測装備、情報機器、及びポイ
ンタなどの光源として用いられる。
ーザ光を出力することであり、光通信システムで光信号
発生源として用いられ、計測装備、情報機器、及びポイ
ンタなどの光源として用いられる。
【０００３】一般に、逆メサリッジ導波層レーザダイオ
ード(Reverse Mesa Ridge Wave guide Laser Diode：Ｒ
Ｍ−ＲＷＧ−ＬＤ) は、その上部が下部より広いメサ構
造であり、その活性層の幅が１．５〜２ .５μｍを保持
しつつ、低い直列抵抗を持つので、優れた特性を有す
る。
ード(Reverse Mesa Ridge Wave guide Laser Diode：Ｒ
Ｍ−ＲＷＧ−ＬＤ) は、その上部が下部より広いメサ構
造であり、その活性層の幅が１．５〜２ .５μｍを保持
しつつ、低い直列抵抗を持つので、優れた特性を有す
る。
【０００４】従来のＲＭ−ＲＷＧ−ＬＤの製造工程を図
１乃至図３に示す。
１乃至図３に示す。
【０００５】図１を参照すると、ｎ−ＩｎＰ基板１上
に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２及びｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活
性層３が形成され、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３上には
ｐ−ＩｎＰクラッド層４が形成され、さらにｐ−ＩｎＰ
クラッド層４上にｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層５が
形成される。そして、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層
５上に公知の方法によって所定のマスクパターン（図示
せず）が形成され、前記マスクパターンを利用したウェ
ットエッチングによってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト
層５とｐ−ＩｎＰクラッド層４の一部がエッチングされ
て、逆メサ構造が形成される。そして、公知の方法によ
って前記マスクパターンが除去される。
に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２及びｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活
性層３が形成され、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３上には
ｐ−ＩｎＰクラッド層４が形成され、さらにｐ−ＩｎＰ
クラッド層４上にｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層５が
形成される。そして、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層
５上に公知の方法によって所定のマスクパターン（図示
せず）が形成され、前記マスクパターンを利用したウェ
ットエッチングによってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト
層５とｐ−ＩｎＰクラッド層４の一部がエッチングされ
て、逆メサ構造が形成される。そして、公知の方法によ
って前記マスクパターンが除去される。
【０００６】図２を参照すると、図１の構造上に保護膜
６が均一に形成され、保護膜６の表面上に前記逆メサの
両側のエッチング部位を埋まれるようにポリイミド層７
が形成される。そして、逆メサ構造上の保護膜６が除去
されてｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層５の所定部分が
露出される。
６が均一に形成され、保護膜６の表面上に前記逆メサの
両側のエッチング部位を埋まれるようにポリイミド層７
が形成される。そして、逆メサ構造上の保護膜６が除去
されてｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層５の所定部分が
露出される。
【０００７】図３を参照すると、公知の方法によって、
オームコンタクト金属層パターン８が，保護膜６とポリ
イミド膜７の一部と重なりつつ、露出されたｐ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層５の表面上に形成される。続い
て、全体構造上部に導電金属層９が形成され、その上部
にパッド金属層１０が金鍍金によって厚く形成される。
その後図示してはいないが、基板が個別素子に切断され
る。
オームコンタクト金属層パターン８が，保護膜６とポリ
イミド膜７の一部と重なりつつ、露出されたｐ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層５の表面上に形成される。続い
て、全体構造上部に導電金属層９が形成され、その上部
にパッド金属層１０が金鍍金によって厚く形成される。
その後図示してはいないが、基板が個別素子に切断され
る。
【０００８】しかし、前記逆メサ構造の形成時にエッチ
ング部位を埋ませるポリイミド膜７は、温度が上昇する
と少しずつ揮発し、その液体状態成分が蒸発して体積が
減るために、付着特性が優れていない。したがって、ポ
リイミド膜７上に形成された導電金属層９及びパッド金
属層１０の密着性が悪いことが多く、ポリイミド膜７も
保護膜６の上面への密着性が悪いことが多い。尚、ポリ
イミド膜７は個別素子として切断される時、物質の特性
上、正確に切断されずに不規則に切断される。これによ
ってパッド金属層１０の一部の密着性が悪くなって光が
放出されるファセット(facet) に落ちるので、レーザダ
イオードの特性及び信頼性が低下する。
ング部位を埋ませるポリイミド膜７は、温度が上昇する
と少しずつ揮発し、その液体状態成分が蒸発して体積が
減るために、付着特性が優れていない。したがって、ポ
リイミド膜７上に形成された導電金属層９及びパッド金
属層１０の密着性が悪いことが多く、ポリイミド膜７も
保護膜６の上面への密着性が悪いことが多い。尚、ポリ
イミド膜７は個別素子として切断される時、物質の特性
上、正確に切断されずに不規則に切断される。これによ
ってパッド金属層１０の一部の密着性が悪くなって光が
放出されるファセット(facet) に落ちるので、レーザダ
イオードの特性及び信頼性が低下する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、逆メサ形レーザダイオードの製造工程時にポリイミ
ド膜の使用を排除して金属層の密着性が悪い現象を防止
することにより、素子の特性及び信頼性を向上させるこ
とのできるレーザダイオードの製造方法を提供すること
にある。
は、逆メサ形レーザダイオードの製造工程時にポリイミ
ド膜の使用を排除して金属層の密着性が悪い現象を防止
することにより、素子の特性及び信頼性を向上させるこ
とのできるレーザダイオードの製造方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるレーザダイオードの製造方法は、第１
導電型の化合物半導体基板上に第１導電型のバッファ
層、活性層、第２導電型のクラッド層、及び第２導電型
の高濃度のコンタクト層を順次形成する段階と、前記コ
ンタクト層とクラッド層の所定部分をエッチングして逆
メサ構造を形成する段階と、前記基板全面に保護膜を形
成する段階と、前記逆メサの上部の保護膜を除去して前
記コンタクト層を露出させる段階と、前記露出された上
部に前記コンタクト層とコンタクトする金属層を形成す
る段階と、前記金属層及び前記保護膜上に導電金属層を
均一に形成する段階と、前記逆メサ構造の両側の前記エ
ッチング部位が埋まれるように前記導電金属層上にパッ
ド金属層を形成する段階とから成ることを特徴とする。
に、本発明によるレーザダイオードの製造方法は、第１
導電型の化合物半導体基板上に第１導電型のバッファ
層、活性層、第２導電型のクラッド層、及び第２導電型
の高濃度のコンタクト層を順次形成する段階と、前記コ
ンタクト層とクラッド層の所定部分をエッチングして逆
メサ構造を形成する段階と、前記基板全面に保護膜を形
成する段階と、前記逆メサの上部の保護膜を除去して前
記コンタクト層を露出させる段階と、前記露出された上
部に前記コンタクト層とコンタクトする金属層を形成す
る段階と、前記金属層及び前記保護膜上に導電金属層を
均一に形成する段階と、前記逆メサ構造の両側の前記エ
ッチング部位が埋まれるように前記導電金属層上にパッ
ド金属層を形成する段階とから成ることを特徴とする。
【００１１】また、導電金属層を形成する段階は電子ビ
ーム蒸着器を利用して互いに異なる方向に２度にかけて
蒸着することを特徴とする。
ーム蒸着器を利用して互いに異なる方向に２度にかけて
蒸着することを特徴とする。
【００１２】さらに、導電金属層を形成する段階は、熱
蒸着器を利用して一度に蒸着されることを特徴とする。
蒸着器を利用して一度に蒸着されることを特徴とする。
【００１３】さらにまた、本発明のレーザダイオードの
製造方法においては、保護膜を形成する段階は、逆メサ
構造のエッチング後に前記基板全面に保護膜を蒸着する
段階と、前記逆メサ構造の両側の前記エッチング部位が
埋まれるように前記保護膜上にフォトレジスト膜を塗布
する段階と、前記逆メサ構造の上面の前記保護膜が露出
されるように前記フォトレジスト膜を露光及び現像する
段階と、前記露出された保護膜を除去する段階と、前記
フォトレジスト膜を除去する段階とから成ることを特徴
とする。
製造方法においては、保護膜を形成する段階は、逆メサ
構造のエッチング後に前記基板全面に保護膜を蒸着する
段階と、前記逆メサ構造の両側の前記エッチング部位が
埋まれるように前記保護膜上にフォトレジスト膜を塗布
する段階と、前記逆メサ構造の上面の前記保護膜が露出
されるように前記フォトレジスト膜を露光及び現像する
段階と、前記露出された保護膜を除去する段階と、前記
フォトレジスト膜を除去する段階とから成ることを特徴
とする。
【００１４】前記構成からなる本発明によると、レーザ
ダイオードの製造工程時にポリイミド膜の使用を排除す
る代わりに、逆メサ構造の表面に導電金属層が均一に形
成され、パッド金属膜によって逆メサの両側のエッチン
グ部位が埋まれる。このようにポリイミド膜を使用する
ことで、優れた密着特性を得ることができる。
ダイオードの製造工程時にポリイミド膜の使用を排除す
る代わりに、逆メサ構造の表面に導電金属層が均一に形
成され、パッド金属膜によって逆メサの両側のエッチン
グ部位が埋まれる。このようにポリイミド膜を使用する
ことで、優れた密着特性を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
【００１６】本発明は、この実施例に限定されない。
【００１７】図４乃至図１０は本発明の好ましい実施例
によるレーザダイオードの製造工程を示す断面図であ
り、これらの図４乃至図１０を参照して製造工程を説明
する。
によるレーザダイオードの製造工程を示す断面図であ
り、これらの図４乃至図１０を参照して製造工程を説明
する。
【００１８】まず、図４に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板
２１上にＭＯＣＶＤ，ＬＰＥ，及びＭＢＥなどのエピタ
キシアル成長技術によってｎ−ＩｎＰパッファ層２２、
ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド層
２４が順次、この順番で形成される。そして、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２４上にはｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト
層２５が形成され、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２
５上に公知の方法によって所定のマスクパターン２６が
形成される。マスクパターン２６を利用したウェットエ
ッチングによってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５
及びｐ−ＩｎＰクラッド層２４の一部がエッチングされ
て上部は広く、下部は狭い幅を有する逆メサ構造が形成
される。
２１上にＭＯＣＶＤ，ＬＰＥ，及びＭＢＥなどのエピタ
キシアル成長技術によってｎ−ＩｎＰパッファ層２２、
ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド層
２４が順次、この順番で形成される。そして、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２４上にはｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト
層２５が形成され、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２
５上に公知の方法によって所定のマスクパターン２６が
形成される。マスクパターン２６を利用したウェットエ
ッチングによってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５
及びｐ−ＩｎＰクラッド層２４の一部がエッチングされ
て上部は広く、下部は狭い幅を有する逆メサ構造が形成
される。
【００１９】図５に示すように、マスクパターン２６が
容量比で７：１のＢＯＥ溶液を利用したウェットエッチ
ングによって除去され、全体構造の上面に保護膜２７が
均一に形成される。この際、保護膜２７はシリコン酸化
膜或いは窒化膜がＰＥＣＶＤの方法を用いて蒸着されて
形成される。この後、前記エッチング部位を埋ませるよ
うに保護膜２７上部にフォトレジスト膜２８がコーティ
ングされる。
容量比で７：１のＢＯＥ溶液を利用したウェットエッチ
ングによって除去され、全体構造の上面に保護膜２７が
均一に形成される。この際、保護膜２７はシリコン酸化
膜或いは窒化膜がＰＥＣＶＤの方法を用いて蒸着されて
形成される。この後、前記エッチング部位を埋ませるよ
うに保護膜２７上部にフォトレジスト膜２８がコーティ
ングされる。
【００２０】図６に示すように、フォトレジスト膜２８
が露光及び現像されて逆メサ構造の上面に保護膜２７が
露出される。すなわち、フォトレジスト膜２８を適当な
幅のマスクを使用して、適正の露光水準より少なく露光
させて現像した後、アッシュする(ashing)。
が露光及び現像されて逆メサ構造の上面に保護膜２７が
露出される。すなわち、フォトレジスト膜２８を適当な
幅のマスクを使用して、適正の露光水準より少なく露光
させて現像した後、アッシュする(ashing)。
【００２１】図７に示すように、露出された保護膜２７
が容量比で７：１のＢＯＥ溶液を利用したウェットエッ
チングによって除去されて、逆メサ構造の上面のｐ+ −
ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５が露出される。そして、
露出されたｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５上にオ
ームコンタクト金属層パターン２９が形成され、公知の
方法によってフォトレジスト膜２８が除去される。
が容量比で７：１のＢＯＥ溶液を利用したウェットエッ
チングによって除去されて、逆メサ構造の上面のｐ+ −
ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５が露出される。そして、
露出されたｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２５上にオ
ームコンタクト金属層パターン２９が形成され、公知の
方法によってフォトレジスト膜２８が除去される。
【００２２】その後、所定の熱処理が進み、この後に進
む鍍金工程時に電流流れの通路のために導電金属層が形
成されるが、この導電金属層は逆メサ構造の表面に均一
に分布するように、下記の方法の通りに形成される。
む鍍金工程時に電流流れの通路のために導電金属層が形
成されるが、この導電金属層は逆メサ構造の表面に均一
に分布するように、下記の方法の通りに形成される。
【００２３】ます、図８に示すように、電子ビーム蒸着
器(electron beam evaporator)を利用して蒸着方向を右
側に偏向するようにした後、図７の構造上に第１導電金
属層３０ａ、好ましくはＴｉ膜とＡｕ膜の積層膜が形成
される。その後、図９に示すように、電子ビーム蒸着器
を利用して蒸着方向を左側に偏向するようにした後、図
８の構造の上面に第２導電金属層３０ｂ、好ましくはＴ
ｉ膜とＡｕ膜との混合膜の積層膜が形成される。この
際、第１導電金属層３０ａと第２導電金属層３０ｂが逆
メサの上部及び逆メサの両側のエッチング部位の上で互
いに連結される。すなわち、第１導電金属層３０ａ及び
第２導電金属層３０ｂが、右側及び左側の方向に偏向さ
れて２段階に蒸着されるにつれて、逆メサの上部と左側
と右側とに均一に分布した導電金属層３０が形成され
る。
器(electron beam evaporator)を利用して蒸着方向を右
側に偏向するようにした後、図７の構造上に第１導電金
属層３０ａ、好ましくはＴｉ膜とＡｕ膜の積層膜が形成
される。その後、図９に示すように、電子ビーム蒸着器
を利用して蒸着方向を左側に偏向するようにした後、図
８の構造の上面に第２導電金属層３０ｂ、好ましくはＴ
ｉ膜とＡｕ膜との混合膜の積層膜が形成される。この
際、第１導電金属層３０ａと第２導電金属層３０ｂが逆
メサの上部及び逆メサの両側のエッチング部位の上で互
いに連結される。すなわち、第１導電金属層３０ａ及び
第２導電金属層３０ｂが、右側及び左側の方向に偏向さ
れて２段階に蒸着されるにつれて、逆メサの上部と左側
と右側とに均一に分布した導電金属層３０が形成され
る。
【００２４】一方、前記電子ビーム蒸着器の代わりに熱
蒸着器(thermal evaporator)を利用すると、一度の蒸着
工程のみで導電金属層３０が形成される。
蒸着器(thermal evaporator)を利用すると、一度の蒸着
工程のみで導電金属層３０が形成される。
【００２５】その後、図１０に示すように、導電金属層
３０の上に金鍍金によってパッド金属層３１が厚く形成
される。
３０の上に金鍍金によってパッド金属層３１が厚く形成
される。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、レーザダイオードの製
造工程時にポリイミド膜の使用を取りやめ、その代わり
に、逆メサ構造の面に導電金属層が均一に形成され、パ
ッド金属層によって逆メサの両側のエッチング部位が埋
まれる。このようにポリイミド膜を使用することで、密
着性に乏しい問題が生じないので、層間の密着性に乏し
い現象を防止することができる。したがってレーザダイ
オードの特性及び信頼性が向上する。
造工程時にポリイミド膜の使用を取りやめ、その代わり
に、逆メサ構造の面に導電金属層が均一に形成され、パ
ッド金属層によって逆メサの両側のエッチング部位が埋
まれる。このようにポリイミド膜を使用することで、密
着性に乏しい問題が生じないので、層間の密着性に乏し
い現象を防止することができる。したがってレーザダイ
オードの特性及び信頼性が向上する。
【図１】図１は従来の逆メサ形レーザダイオードの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レーザ
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の好ましい実施例による逆メサ形レー
ザダイオードの製造工程を示す断面図である。
ザダイオードの製造工程を示す断面図である。
２１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２２ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ２３ ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ２４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２５ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ２６ マスクパターン ２７ 保護膜 ２８ フォトレジスト膜 ２９ オームコンタクト金属層パターン ３０ 導電金属層 ３１ パッド金属層
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型の化合物半導体の基板上に第
１導電型のバッファ層、活性層、第２導電型のクラッド
層、及び第２導電型の高濃度のコンタクト層を順次形成
する段階と、 前記コンタクト層とクラッド層の所定部分をエッチング
して逆メサ構造を形成する段階と、 前記基板全面に保護膜を形成する段階と、前記逆メサの
上部の保護膜を除去して前記コンタクト層を露出させる
段階と、 前記露出された上部に前記コンタクト層とコンタクトす
る金属層を形成する段階と、 前記金属層及び前記保護膜上に導電金属層を均一に形成
する段階と、 前記逆メサ構造の両側の前記エッチング部位が埋まれる
ように、前記導電金属層上にパッド金属層を形成する段
階とから成ることを特徴とするレーザダイオードの製造
方法。 - 【請求項２】 前記導電金属層は電子ビーム蒸着器を利
用して互いに異なる方向の二段階の蒸着工程により形成
されることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオー
ドの製造方法。 - 【請求項３】 前記電子ビーム蒸着器を利用した前記導
電金属層の形成段階は、蒸着方向を第１方向に偏向する
ようにした後、第一導電金属層を第１蒸着する段階と、 蒸着方向を前記第１方向と反対の第２方向に偏向するよ
うにした後、第二導電金属層を第２蒸着する段階とから
成ることを特徴とする請求項２記載のレーザダイオード
の製造方法。 - 【請求項４】 前記導電金属層はＴｉ膜とＡｕ膜との混
合膜から形成される積層膜であることを特徴とする請求
項３記載のレーザダイオードの製造方法。 - 【請求項５】 前記導電金属層は熱蒸着器を利用して一
度の蒸着工程により形成されることを特徴とする請求項
１〜４の何れか１項に記載のレーザダイオード製造方
法。 - 【請求項６】 前記導電金属層はＴｉ膜とＡｕ膜の積層
膜であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に
記載のレーザダイオードの製造方法。 - 【請求項７】 前記保護膜を形成する段階は、 逆メサ構造のエッチング後に前記基板全面に保護膜を蒸
着する段階と、 前記逆メサ構造の両側の前記エッチング部位が埋まれる
ように前記保護膜上にフォトレジスト膜を塗布する段階
と、 前記逆メサ構造の上面の前記保護膜が露出されるように
前記フォトレジスト膜を露光及び現像する段階と、 前記露出された保護膜を除去する段階と、 前記フォトレジスト膜を除去する段階とから成ることを
特徴とする請求項１記載のレーザダイオードの製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026310A KR100203307B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
| KR1996P26310 | 1996-06-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093191A true JPH1093191A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=19465060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9180663A Pending JPH1093191A (ja) | 1996-06-29 | 1997-06-20 | レーザダイオードの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5770474A (ja) |
| JP (1) | JPH1093191A (ja) |
| KR (1) | KR100203307B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217255A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2006173275A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011071443A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2019517147A (ja) * | 2016-05-20 | 2019-06-20 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | 半導体レーザ及び半導体レーザの平坦化のためのプロセス |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| KR100251348B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2000-05-01 | 김영환 | Rwg 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
| WO2001026193A1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Corning Lasertron, Inc. | Method for making a ridge waveguide semiconductor device |
| US6387720B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-05-14 | Phillips Electronics North America Corporation | Waveguide structures integrated with standard CMOS circuitry and methods for making the same |
| JP4238508B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2009-03-18 | 沖電気工業株式会社 | 光導波路型素子およびその製造方法 |
| CN100397735C (zh) * | 2005-10-29 | 2008-06-25 | 深圳新飞通光电子技术有限公司 | 脊形波导式半导体激光器制作方法 |
| CN101882756A (zh) * | 2010-06-02 | 2010-11-10 | 中国科学院半导体研究所 | 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 |
| DE102015203393A1 (de) | 2015-02-25 | 2016-08-25 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterelement und Verfahren zu Herstellen von diesem |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0233725B1 (en) * | 1986-02-18 | 1995-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Opto-Electronic Device and Method for its Manufacture |
| KR910008439B1 (ko) * | 1989-04-06 | 1991-10-15 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 매립형 레이저 다이오드의 제조방법 |
| JP3510305B2 (ja) * | 1994-02-22 | 2004-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026310A patent/KR100203307B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9180663A patent/JPH1093191A/ja active Pending
- 1997-06-25 US US08/882,179 patent/US5770474A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217255A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
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| JP2019517147A (ja) * | 2016-05-20 | 2019-06-20 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | 半導体レーザ及び半導体レーザの平坦化のためのプロセス |
| JP2023014105A (ja) * | 2016-05-20 | 2023-01-26 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | 半導体レーザ及び半導体レーザの平坦化のためのプロセス |
| US11605933B2 (en) | 2016-05-20 | 2023-03-14 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Semiconductor lasers and processes for the planarization of semiconductor lasers |
| US12355212B2 (en) | 2016-05-20 | 2025-07-08 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Semiconductor lasers and processes for the planarization of semiconductor lasers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5770474A (en) | 1998-06-23 |
| KR980006653A (ko) | 1998-03-30 |
| KR100203307B1 (ko) | 1999-06-15 |
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