JPH1094892A - レーザ加熱装置 - Google Patents
レーザ加熱装置Info
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- JPH1094892A JPH1094892A JP8252649A JP25264996A JPH1094892A JP H1094892 A JPH1094892 A JP H1094892A JP 8252649 A JP8252649 A JP 8252649A JP 25264996 A JP25264996 A JP 25264996A JP H1094892 A JPH1094892 A JP H1094892A
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- JP
- Japan
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- laser
- semiconductor laser
- power semiconductor
- nfp
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光源に高出力半導体レーザを用いた加熱装置
で、一度に大きな面積を均一に加熱することが可能なレ
ーザ加熱装置を提供する。 【解決手段】 高出力半導体レーザ１のレーザ光出射側
に、コリメートレンズ２ａとシリンドリカルレンズ２ｂ
で構成される光学系２を設けて、出射レーザ光の単一基
本モードとなるＮＦＰ縦方向（垂直横モード）を目的と
する長さまで拡大するとともに、多モードとなるＮＦＰ
横方向を（水平横モード）を絞ってその強度分布を圧縮
する、といったビーム整形を行うことで、長手方向の強
度分布が均一な線状ビームを得る。
で、一度に大きな面積を均一に加熱することが可能なレ
ーザ加熱装置を提供する。 【解決手段】 高出力半導体レーザ１のレーザ光出射側
に、コリメートレンズ２ａとシリンドリカルレンズ２ｂ
で構成される光学系２を設けて、出射レーザ光の単一基
本モードとなるＮＦＰ縦方向（垂直横モード）を目的と
する長さまで拡大するとともに、多モードとなるＮＦＰ
横方向を（水平横モード）を絞ってその強度分布を圧縮
する、といったビーム整形を行うことで、長手方向の強
度分布が均一な線状ビームを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレーザはん
だ付け装置などに用いられるレーザ加熱装置に関する。
だ付け装置などに用いられるレーザ加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の集積回路などの技術進歩の呼応
し、プリント基板への電子部品実装が高密度化、ハイブ
リッド化していく中で、レーザ加熱装置に使用される範
囲が広がりつつある。実際、電子部品の基板上への表面
実装方式が増加傾向にあること、部品装着の自動化が要
望されていること、耐熱に問題のある部品が混在するケ
ースがあること、あるいは部品の小型化が進んでいるこ
となどから、レーザ加熱装置の有望性が注目されてい
る。一方、これとは全く異なる使用方法として、局所加
熱による選択膜成長や結晶の相制御のような表面改質な
どの分野にもレーザ加熱装置の応用分野が広がってい
る。
し、プリント基板への電子部品実装が高密度化、ハイブ
リッド化していく中で、レーザ加熱装置に使用される範
囲が広がりつつある。実際、電子部品の基板上への表面
実装方式が増加傾向にあること、部品装着の自動化が要
望されていること、耐熱に問題のある部品が混在するケ
ースがあること、あるいは部品の小型化が進んでいるこ
となどから、レーザ加熱装置の有望性が注目されてい
る。一方、これとは全く異なる使用方法として、局所加
熱による選択膜成長や結晶の相制御のような表面改質な
どの分野にもレーザ加熱装置の応用分野が広がってい
る。
【０００３】このような分野に利用されるレーザ加熱装
置としては、従来、ＹＡＧ(YttriumAluminum Garnet)
レーザ、炭酸ガスレーザなどが主として用いられる。そ
してこのようなレーザ加熱装置を用いて対象物を加熱す
る方式として、いくつかの光学的方式が採用されてい
る。その主なものとしては、スポット移動方式、線状ビ
ーム照射方式、及びスキャニング方式などがある。
置としては、従来、ＹＡＧ(YttriumAluminum Garnet)
レーザ、炭酸ガスレーザなどが主として用いられる。そ
してこのようなレーザ加熱装置を用いて対象物を加熱す
る方式として、いくつかの光学的方式が採用されてい
る。その主なものとしては、スポット移動方式、線状ビ
ーム照射方式、及びスキャニング方式などがある。
【０００４】これらのうち、スポット移動方式は古くか
ら用いられている方式であり、最も一般的な方式であ
る。この方式は、例えば対象物を加熱しようとする場合
であれば、光ファイバの出射レンズユニットをロボット
アームで把持し、そのアームによりレーザスポットを移
動させて加熱しようとする接合部分を加熱する方式であ
る。この方式は単純であり、他の方式と比べて安価な方
式と言える。
ら用いられている方式であり、最も一般的な方式であ
る。この方式は、例えば対象物を加熱しようとする場合
であれば、光ファイバの出射レンズユニットをロボット
アームで把持し、そのアームによりレーザスポットを移
動させて加熱しようとする接合部分を加熱する方式であ
る。この方式は単純であり、他の方式と比べて安価な方
式と言える。
【０００５】線状ビーム照射方式は、円形スポット状の
レーザ光をシリンドリカルレンズを用いて線状のレーザ
光にし、接合部分を幅広く加熱する方式である。スキャ
ニング方式は、レーザビームをガルバノミラーにより往
復スキャンさせることにより、均一な温度分布をもつ線
状ビームを接合部分に供給する方式である。この方式
は、スキャナモータの制御により、線状ビームの長さや
温度分布を変えることができるという特徴がある（1990
年発行 レーザ学会編「レーザプロセッシング」参
照）。
レーザ光をシリンドリカルレンズを用いて線状のレーザ
光にし、接合部分を幅広く加熱する方式である。スキャ
ニング方式は、レーザビームをガルバノミラーにより往
復スキャンさせることにより、均一な温度分布をもつ線
状ビームを接合部分に供給する方式である。この方式
は、スキャナモータの制御により、線状ビームの長さや
温度分布を変えることができるという特徴がある（1990
年発行 レーザ学会編「レーザプロセッシング」参
照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上列挙した加熱方式
のうち、スポット移動方式及びスキャニング方式によれ
ば、いずれも、基本的にビーム照射位置を走査する方式
であることから、加熱部分の全体にレーザ光を一度に照
射することができず、このため処理効率がどうしても低
くなるという問題がある。
のうち、スポット移動方式及びスキャニング方式によれ
ば、いずれも、基本的にビーム照射位置を走査する方式
であることから、加熱部分の全体にレーザ光を一度に照
射することができず、このため処理効率がどうしても低
くなるという問題がある。
【０００７】一方、線状ビーム照射方式では、そのよう
な問題はないものの、円形状のレーザ光をシリンドリカ
ルレンズを用いて光学的に押しつぶして線状する方式で
あるため、線状ビームの中央部のエネルギ密度が両端の
エネルギ密度に比べて高くなり長さ方向の光強度に不均
一が生じる。このことは、レーザ加熱を行う際に、非常
に重要な問題となる。具体的な例を挙げれば、ＦＰＩＣ
(Flat Package ＩＣ）などでは、多ピン化、ピンピッチ
の狭小化に伴い、各接合箇所の加熱特性の均一性が品質
に反映する。従って線状ビームの長さ方向における光強
度の均一性が重要となる。
な問題はないものの、円形状のレーザ光をシリンドリカ
ルレンズを用いて光学的に押しつぶして線状する方式で
あるため、線状ビームの中央部のエネルギ密度が両端の
エネルギ密度に比べて高くなり長さ方向の光強度に不均
一が生じる。このことは、レーザ加熱を行う際に、非常
に重要な問題となる。具体的な例を挙げれば、ＦＰＩＣ
(Flat Package ＩＣ）などでは、多ピン化、ピンピッチ
の狭小化に伴い、各接合箇所の加熱特性の均一性が品質
に反映する。従って線状ビームの長さ方向における光強
度の均一性が重要となる。
【０００８】ところで、最近、高出力半導体レーザの開
発によって出力が飛躍的に増大している。その出力は１
素子で１〜３Ｗ程度、さらにアレイ化やスタック化によ
って数１０〜１００Ｗ以上のレーザも開発され、ＹＡＧ
レーザの代替として使用されるに至っている。
発によって出力が飛躍的に増大している。その出力は１
素子で１〜３Ｗ程度、さらにアレイ化やスタック化によ
って数１０〜１００Ｗ以上のレーザも開発され、ＹＡＧ
レーザの代替として使用されるに至っている。
【０００９】このような高出力半導体レーザとしては、
現在のところ量子井戸構造あるいはＤＨ（ダブルヘテ
ロ）構造をもつストライプ幅の広い半導体レーザ（以
下、ブロードストライプレーザと称する）が最もよく利
用されている。このブロードストライプレーザは、その
発振領域幅が５０〜３００μｍ程度の線状である。高出
力半導体レーザを用いた加熱では、レーザビームはレン
ズを通して、加熱に必要な部分に照射されるが、このと
き照射部分の光強度は、レーザ光出射端面の光強度分布
（以下、ＮＦＰ;Near Field Pattern と称する）が反映
される。従って、均一な加熱を行うためには、ＮＦＰが
全ストライプ領域にわたって均一であることが要求され
る。
現在のところ量子井戸構造あるいはＤＨ（ダブルヘテ
ロ）構造をもつストライプ幅の広い半導体レーザ（以
下、ブロードストライプレーザと称する）が最もよく利
用されている。このブロードストライプレーザは、その
発振領域幅が５０〜３００μｍ程度の線状である。高出
力半導体レーザを用いた加熱では、レーザビームはレン
ズを通して、加熱に必要な部分に照射されるが、このと
き照射部分の光強度は、レーザ光出射端面の光強度分布
（以下、ＮＦＰ;Near Field Pattern と称する）が反映
される。従って、均一な加熱を行うためには、ＮＦＰが
全ストライプ領域にわたって均一であることが要求され
る。
【００１０】しかし、一般にブロードストライプレーザ
において高い出力を得ようとした場合、発振時のモード
競合によりＮＦＰが不均一になり、そのままでは、ＦＰ
ＩＣのはんだ付けや結晶の表面改質などの加熱処理に用
いるのは難しい。またＮＦＰは経時的に変化するため、
長時間の駆動によって、半導体の寿命を迎える前にレー
ザ加熱装置が不適格なものとなる場合も生じる。このこ
とは、レーザの取り替え時期を早めコストアップをもた
らす要因となる。
において高い出力を得ようとした場合、発振時のモード
競合によりＮＦＰが不均一になり、そのままでは、ＦＰ
ＩＣのはんだ付けや結晶の表面改質などの加熱処理に用
いるのは難しい。またＮＦＰは経時的に変化するため、
長時間の駆動によって、半導体の寿命を迎える前にレー
ザ加熱装置が不適格なものとなる場合も生じる。このこ
とは、レーザの取り替え時期を早めコストアップをもた
らす要因となる。
【００１１】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、光源に高出力半導体レーザを用いた加熱装置
で、一度に大きな面積を均一に加熱することが可能なレ
ーザ加熱装置の提供を目的とする。
たもので、光源に高出力半導体レーザを用いた加熱装置
で、一度に大きな面積を均一に加熱することが可能なレ
ーザ加熱装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの構成を、実施の形態を表す図１を参照しつつ説明す
ると、本発明のレーザ加熱装置は、高出力半導体レーザ
１と、その出射レーザ光を整形するための光学系２から
なり、その光学系２には、高出力半導体レーザ１から出
射されたレーザ光を矩形状に集光するコリメートレンズ
２ａと、コリメート光を集光するシリンドリカルレンズ
２ｂが設けられているとともに、そのシリンドリカルレ
ンズ２ｂは、円柱面の母線が高出力半導体レーザ１のレ
ーザ光出射端面１ｂでの光強度分布の長手方向（ＮＦＰ
長手方向）に対し９０度回転した状態で配置されている
ことによって特徴づけられる。
めの構成を、実施の形態を表す図１を参照しつつ説明す
ると、本発明のレーザ加熱装置は、高出力半導体レーザ
１と、その出射レーザ光を整形するための光学系２から
なり、その光学系２には、高出力半導体レーザ１から出
射されたレーザ光を矩形状に集光するコリメートレンズ
２ａと、コリメート光を集光するシリンドリカルレンズ
２ｂが設けられているとともに、そのシリンドリカルレ
ンズ２ｂは、円柱面の母線が高出力半導体レーザ１のレ
ーザ光出射端面１ｂでの光強度分布の長手方向（ＮＦＰ
長手方向）に対し９０度回転した状態で配置されている
ことによって特徴づけられる。
【００１３】ここで、本発明において光源として用いる
高出力半導体レーザとは、出力が１００ｍＷ〜３Ｗ程度
のブロードストライプレーザのことを指す。本発明の作
用を以下に述べる。
高出力半導体レーザとは、出力が１００ｍＷ〜３Ｗ程度
のブロードストライプレーザのことを指す。本発明の作
用を以下に述べる。
【００１４】まず、高出力半導体レーザのＮＦＰは横モ
ード（光の空間分布に関するモード）によってその形状
が決まる。ＮＦＰ長手方向（以下、この方向を「横方
向」と称する）は、光利得による導波のみによって支配
されるモードが分布するため、出射レーザ光の水平横モ
ードは多モードとなり、図２に示すように、光強度分布
にばらつきが生じる。一方、ＮＦＰ短手方向（以下、こ
の方向を「縦方向」と称する）は量子井戸構造やＤＨ構
造による屈折率分布のために、出射レーザ光の垂直横モ
ードは単一基本モードとなっていて光強度分布は生じな
い。
ード（光の空間分布に関するモード）によってその形状
が決まる。ＮＦＰ長手方向（以下、この方向を「横方
向」と称する）は、光利得による導波のみによって支配
されるモードが分布するため、出射レーザ光の水平横モ
ードは多モードとなり、図２に示すように、光強度分布
にばらつきが生じる。一方、ＮＦＰ短手方向（以下、こ
の方向を「縦方向」と称する）は量子井戸構造やＤＨ構
造による屈折率分布のために、出射レーザ光の垂直横モ
ードは単一基本モードとなっていて光強度分布は生じな
い。
【００１５】本発明は、そのような高出力半導体レーザ
の特性を利用したもので、図１に例示するように、高出
力半導体レーザ１の出射レーザ光をコリメートレンズ２
ａによって集光してビーム形状を一旦は矩形（方形）状
に整形してビーム縦方向を目的とする長さまで拡大し、
次いでシリンドリカルレンズ２ｂによって矩形状のレー
ザ光を、そのＮＦＰ長手方向と平行な一方向のみを集光
する、といった構成を採用し、単一基本モードであるＮ
ＦＰ縦方向を必要とする大きさまで拡大するとともに、
多モードであるＮＦＰ横方向の強度分布を圧縮するとい
うビーム整形を行うことで、図３に示すような長手方向
の強度分布が均一で短手方向の強度分布が単峰形状の線
状ビームを得る。
の特性を利用したもので、図１に例示するように、高出
力半導体レーザ１の出射レーザ光をコリメートレンズ２
ａによって集光してビーム形状を一旦は矩形（方形）状
に整形してビーム縦方向を目的とする長さまで拡大し、
次いでシリンドリカルレンズ２ｂによって矩形状のレー
ザ光を、そのＮＦＰ長手方向と平行な一方向のみを集光
する、といった構成を採用し、単一基本モードであるＮ
ＦＰ縦方向を必要とする大きさまで拡大するとともに、
多モードであるＮＦＰ横方向の強度分布を圧縮するとい
うビーム整形を行うことで、図３に示すような長手方向
の強度分布が均一で短手方向の強度分布が単峰形状の線
状ビームを得る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態の構成
図で、(A) 及び(B) はそれぞれ平面図及び側面図であ
る。
図で、(A) 及び(B) はそれぞれ平面図及び側面図であ
る。
【００１７】まず、高出力半導体レーザ１は、電極スト
ライプ１ａにおいて発生した光がレーザ光出射端面１ｂ
から出射する利得導波型のブロードストライプレーザ
で、この例では、閉じ込め層の厚さが１μｍ、ストライ
プ幅が１００μｍ程度、発光スポットが１μｍ×１００
μｍの矩形のものを使用する。なお、高出力半導体レー
ザ１の発光スポットの強度分布（ＮＦＰ）は、先に述べ
たように、長手方向（ＮＦＰ横方向）については強度分
布にばらつきがあるが、短手方向（ＮＦＰ縦方向）は単
一モードである（図２参照）。
ライプ１ａにおいて発生した光がレーザ光出射端面１ｂ
から出射する利得導波型のブロードストライプレーザ
で、この例では、閉じ込め層の厚さが１μｍ、ストライ
プ幅が１００μｍ程度、発光スポットが１μｍ×１００
μｍの矩形のものを使用する。なお、高出力半導体レー
ザ１の発光スポットの強度分布（ＮＦＰ）は、先に述べ
たように、長手方向（ＮＦＰ横方向）については強度分
布にばらつきがあるが、短手方向（ＮＦＰ縦方向）は単
一モードである（図２参照）。
【００１８】さて、この実施の形態においては、高出力
半導体レーザ１の出射側に、レーザ光を整形するための
レンズ系２を設けたところに特徴がある。このレンズ系
２は、高出力半導体レーザ１からの出射レーザ光を集光
するコリメートレンズ２ａと、そのコリメート光の一方
向のみを集光するシリンドリカルレンズ２ｂによって構
成されている。
半導体レーザ１の出射側に、レーザ光を整形するための
レンズ系２を設けたところに特徴がある。このレンズ系
２は、高出力半導体レーザ１からの出射レーザ光を集光
するコリメートレンズ２ａと、そのコリメート光の一方
向のみを集光するシリンドリカルレンズ２ｂによって構
成されている。
【００１９】コリメートレンズ２ａにはシリンドリカル
レンズが用いられており、このレンズ２ａは、円柱面の
母線が高出力半導体レーザ１のＮＦＰ横方向と平行な状
態となるように配置されている。一方、シリンドリカル
レンズ２ｂは、円柱面の母線がコリメートレンズ２ａと
互いに直交する位置関係つまり高出力半導体レーザ１の
ＮＦＰ横方向に対し円柱面の母線が９０度回転した状態
で配置されている。
レンズが用いられており、このレンズ２ａは、円柱面の
母線が高出力半導体レーザ１のＮＦＰ横方向と平行な状
態となるように配置されている。一方、シリンドリカル
レンズ２ｂは、円柱面の母線がコリメートレンズ２ａと
互いに直交する位置関係つまり高出力半導体レーザ１の
ＮＦＰ横方向に対し円柱面の母線が９０度回転した状態
で配置されている。
【００２０】そして、以上の構成において、高出力半導
体レーザ１のレーザ光出射端面から出射したレーザ光
は、図１(A),(B) に示すように、横方向にはあまり拡が
らず、縦方向において大きく拡がるため、その出射レー
ザ光をコリメートレンズ２ａによって集光すると１００
μｍ×１００μｍの矩形の像が得られる。なお、このビ
ーム形状は最終的に得られる像の大きさに影響するの
で、目的とする長さの線状ビームが得られるように、コ
リメートレンズ２ａの開口数（ＮＡ）を適当に選択した
ものを用いる必要がある。
体レーザ１のレーザ光出射端面から出射したレーザ光
は、図１(A),(B) に示すように、横方向にはあまり拡が
らず、縦方向において大きく拡がるため、その出射レー
ザ光をコリメートレンズ２ａによって集光すると１００
μｍ×１００μｍの矩形の像が得られる。なお、このビ
ーム形状は最終的に得られる像の大きさに影響するの
で、目的とする長さの線状ビームが得られるように、コ
リメートレンズ２ａの開口数（ＮＡ）を適当に選択した
ものを用いる必要がある。
【００２１】このようにして得られた矩形状のレーザ光
がシリンドリカルレンズ２ｂに入射する。ここでシリン
ドリカルレンズ２ｂはＮＦＰ横方向に対して９０度回転
した状態で配置されているので、シリンドリカルレンズ
２ｂに入射した矩形のレーザ光はＮＦＰ横方向に沿う一
方向のみが集光され、位置Ｆに結像される像は１００μ
ｍ×１μｍの線状となる。その結像された像の強度分布
は、図３に示すように、長手方向の強度分布ＦB が均一
となり、また短手方向の強度分布ＦA はＮＦＰ横方向
（多モード）が圧縮されて単峰形状となる。
がシリンドリカルレンズ２ｂに入射する。ここでシリン
ドリカルレンズ２ｂはＮＦＰ横方向に対して９０度回転
した状態で配置されているので、シリンドリカルレンズ
２ｂに入射した矩形のレーザ光はＮＦＰ横方向に沿う一
方向のみが集光され、位置Ｆに結像される像は１００μ
ｍ×１μｍの線状となる。その結像された像の強度分布
は、図３に示すように、長手方向の強度分布ＦB が均一
となり、また短手方向の強度分布ＦA はＮＦＰ横方向
（多モード）が圧縮されて単峰形状となる。
【００２２】従って、高出力半導体レーザ１を光源とし
て用いても、その出射レーザ光を図１に示す構成のレン
ズ系２により整形することで、一度に大きな面積を均一
に加熱することのできる線状ビームを得ることが可能に
なる。
て用いても、その出射レーザ光を図１に示す構成のレン
ズ系２により整形することで、一度に大きな面積を均一
に加熱することのできる線状ビームを得ることが可能に
なる。
【００２３】なお、以上の実施の形態では、出射レーザ
光を矩形状に整形するコリメートレンズとしてシリンド
リカルレンズを採用しているが、これに替えて、通常の
フォーカシング用凸レンズを用いてもよい。
光を矩形状に整形するコリメートレンズとしてシリンド
リカルレンズを採用しているが、これに替えて、通常の
フォーカシング用凸レンズを用いてもよい。
【００２４】ここで、図１に示したレンズ構成では、高
出力半導体レーザ１の発光スポットに対し、得られる像
の長手方向の長さが大きくなり、このままでは使用に不
都合がある場合には、図４(A),(B) に示すように、コリ
メートレンズ１２ａとシリンドリカルレンズ１２ｂとの
間に、２枚の凸レンズ１２ｃ，１２ｄを挿入して、コリ
メートレンズ１２ａを経た矩形状のレーザ光を目的とす
る大きさまで集光してシリンドリカルレンズ１２ｂに導
くようにすればよい。
出力半導体レーザ１の発光スポットに対し、得られる像
の長手方向の長さが大きくなり、このままでは使用に不
都合がある場合には、図４(A),(B) に示すように、コリ
メートレンズ１２ａとシリンドリカルレンズ１２ｂとの
間に、２枚の凸レンズ１２ｃ，１２ｄを挿入して、コリ
メートレンズ１２ａを経た矩形状のレーザ光を目的とす
る大きさまで集光してシリンドリカルレンズ１２ｂに導
くようにすればよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザ加
熱装置によれば、高出力半導体レーザのレーザ光出射側
に、コリメートレンズとシリンドリカルレンズで構成さ
れる光学系を設けて、出射レーザ光の単一基本モードと
なるＮＦＰ縦方向（垂直横モード）を目的とする長さま
で拡大するとともに、多モードとなるＮＦＰ横方向（水
平横モード）を絞ってその強度分布を圧縮するというよ
うなビーム整形を行うように構成したから、長手方向の
光強度分布が均一な線状ビームを得ることが可能とな
り、これにより光源として高出力半導体レーザを用いて
も、一度に大きな面積を均一に加熱できるレーザ加熱装
置が実現が可能となった。
熱装置によれば、高出力半導体レーザのレーザ光出射側
に、コリメートレンズとシリンドリカルレンズで構成さ
れる光学系を設けて、出射レーザ光の単一基本モードと
なるＮＦＰ縦方向（垂直横モード）を目的とする長さま
で拡大するとともに、多モードとなるＮＦＰ横方向（水
平横モード）を絞ってその強度分布を圧縮するというよ
うなビーム整形を行うように構成したから、長手方向の
光強度分布が均一な線状ビームを得ることが可能とな
り、これにより光源として高出力半導体レーザを用いて
も、一度に大きな面積を均一に加熱できるレーザ加熱装
置が実現が可能となった。
【００２６】従って、高出力半導体レーザを、ＦＰＩＣ
のはんだ付けあるいは局所加熱よる選択膜成長や結晶の
相制御のような表面改質などの分野に有効に利用するこ
とができる。特に、結晶の相制御のような表面改質にお
いては、より広い領域をより均一な加熱特性で処理でき
ることが要求されるが、本発明のレーザ加熱装置ではこ
れに十分に対応することができるので、そのような表面
改質を行うにあたり、処理効率及び品質の向上をはかる
ことができる。また、本発明のレーザ加熱装置は、光源
として半導体レーザを用いているので、安価で取り扱い
が容易であるという利点もある。
のはんだ付けあるいは局所加熱よる選択膜成長や結晶の
相制御のような表面改質などの分野に有効に利用するこ
とができる。特に、結晶の相制御のような表面改質にお
いては、より広い領域をより均一な加熱特性で処理でき
ることが要求されるが、本発明のレーザ加熱装置ではこ
れに十分に対応することができるので、そのような表面
改質を行うにあたり、処理効率及び品質の向上をはかる
ことができる。また、本発明のレーザ加熱装置は、光源
として半導体レーザを用いているので、安価で取り扱い
が容易であるという利点もある。
【図１】本発明の実施の形態の構成図で(A) 及び(B) は
それぞれ平面図及び側面図
それぞれ平面図及び側面図
【図２】ブロードストライプレーザのレーザ光出射端面
での光強度分布（ＮＦＰ）を示す図
での光強度分布（ＮＦＰ）を示す図
【図３】本発明の実施の形態で得られる線状ビームの光
強度分布を示す図
強度分布を示す図
【図４】本発明の他の実施の形態の構成図で(A) 及び
(B) はそれぞれ平面図及び側面図
(B) はそれぞれ平面図及び側面図
１ 高出力半導体レーザ １ａ 電極ストライプ １ｂ レーザ光出射端面 ２ レンズ系 ２ａ コリメートレンズ ２ｂ シリンドリカルレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０７ Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｂ // Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｇ０２Ｂ 27/00 Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 高出力半導体レーザと、その出射レーザ
光を整形するための光学系からなり、その光学系には、
高出力半導体レーザから出射されたレーザ光を矩形状に
集光するコリメートレンズと、コリメート光を集光する
シリンドリカルレンズが設けられているとともに、その
シリンドリカルレンズは、円柱面の母線が上記半導体レ
ーザのレーザ光出射端面での光強度分布の長手方向に対
し９０度回転した状態で配置されていることを特徴とす
るレーザ加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8252649A JPH1094892A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | レーザ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8252649A JPH1094892A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | レーザ加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1094892A true JPH1094892A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17240299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8252649A Pending JPH1094892A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | レーザ加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1094892A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067693A1 (en) * | 1998-06-22 | 1999-12-29 | Niilo Kaartinen | Freeze valve |
| US7277229B2 (en) | 2005-05-23 | 2007-10-02 | Fujifilm Corporation | Linear light beam generating optical system |
| JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
| JP2012521339A (ja) * | 2009-03-20 | 2012-09-13 | コーニング インコーポレイテッド | 精密レーザ罫書き |
| JP2016018568A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 株式会社日立情報通信エンジニアリング | 磁気ヘッド製造装置及び磁気ヘッド製造方法 |
| CN115803670A (zh) * | 2020-06-09 | 2023-03-14 | 努布鲁有限公司 | 双波长可见激光源 |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP8252649A patent/JPH1094892A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067693A1 (en) * | 1998-06-22 | 1999-12-29 | Niilo Kaartinen | Freeze valve |
| US7277229B2 (en) | 2005-05-23 | 2007-10-02 | Fujifilm Corporation | Linear light beam generating optical system |
| JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
| JP2012521339A (ja) * | 2009-03-20 | 2012-09-13 | コーニング インコーポレイテッド | 精密レーザ罫書き |
| US9302346B2 (en) | 2009-03-20 | 2016-04-05 | Corning, Incorporated | Precision laser scoring |
| JP2016018568A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 株式会社日立情報通信エンジニアリング | 磁気ヘッド製造装置及び磁気ヘッド製造方法 |
| CN115803670A (zh) * | 2020-06-09 | 2023-03-14 | 努布鲁有限公司 | 双波长可见激光源 |
| JP2023531879A (ja) * | 2020-06-09 | 2023-07-26 | ヌブル インク | 二波長可視光レーザ光源 |
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