JPH1096929A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プレチルト角の異なる複数の微小領域からなる
垂直配向膜を有する垂直配向型液晶表示装置において、
電圧印加時に、その微小領域に対応する液晶層内のドメ
インを安定に形成し、動作特性の安定な広視野角表示を
可能にする。 【解決手段】対向して配置された一対の基板12,14 の内
面上に配設された電極22,26 と、配向膜44A,44B,48A,48
B と、一対の基板12,14 の間隙に封入され負の誘電率異
方性を有する液晶40とを有し、配向膜44A,44B,48A,48B
は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜であり、かつ
プレチルト角の異なる複数の微小領域を有するものであ
り、液晶は、印加電圧がオフレベルにおいて分子が略垂
直に配向し、印加電圧がオンレベルにおいて、分子が基
板面側に倒れて配向することで微小領域に対応するドメ
インA,B を形成するものであり、隣接するドメインの境
界部分に、配向安定化領域W1を有することを特徴とする
液晶表示装置。
垂直配向膜を有する垂直配向型液晶表示装置において、
電圧印加時に、その微小領域に対応する液晶層内のドメ
インを安定に形成し、動作特性の安定な広視野角表示を
可能にする。 【解決手段】対向して配置された一対の基板12,14 の内
面上に配設された電極22,26 と、配向膜44A,44B,48A,48
B と、一対の基板12,14 の間隙に封入され負の誘電率異
方性を有する液晶40とを有し、配向膜44A,44B,48A,48B
は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜であり、かつ
プレチルト角の異なる複数の微小領域を有するものであ
り、液晶は、印加電圧がオフレベルにおいて分子が略垂
直に配向し、印加電圧がオンレベルにおいて、分子が基
板面側に倒れて配向することで微小領域に対応するドメ
インA,B を形成するものであり、隣接するドメインの境
界部分に、配向安定化領域W1を有することを特徴とする
液晶表示装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に垂直配向型液晶表示装置の視野角の拡大のため
に複数種類の微小ドメインを用い、その微小ドメインを
安定化する液晶表示装置の構造に関するものである。
り、特に垂直配向型液晶表示装置の視野角の拡大のため
に複数種類の微小ドメインを用い、その微小ドメインを
安定化する液晶表示装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、視野角を拡大するため
に種々の改善がなされてきた。その技術の一つとして、
垂直配向型の液晶を用いるものがあり、また、画素の中
を視角特性の異なる複数の微小領域に分割しそれらの特
性を平均化した特性を得ることで視野角を拡大するもの
がある。さらに、これら二つの技術を組み合わせること
により、視野角の一層の拡大を図ることができる。
に種々の改善がなされてきた。その技術の一つとして、
垂直配向型の液晶を用いるものがあり、また、画素の中
を視角特性の異なる複数の微小領域に分割しそれらの特
性を平均化した特性を得ることで視野角を拡大するもの
がある。さらに、これら二つの技術を組み合わせること
により、視野角の一層の拡大を図ることができる。
【０００３】このような技術に関する従来例を、図１４
〜図１７を参照して説明する。図１４は、「囲い電極電
界制御法」と呼ばれる技術を垂直配向型液晶表示装置に
適用したものであり、その内容は特開平７−１３１６４
号公報に詳述されている。図中１２，１４はガラス基板
であり、その外側には偏光板（図示せず）が配設されて
いる。下方のガラス基板１２には表示電極３２と配向制
御電極３４が配設され、上方のガラス基板１４には、画
素の中央部にスリット（配向制御窓３６Ｈと称する）を
有する対向電極３６が配設されている。これらの電極３
２，３６の上に垂直配向膜５１，５２が配設され、これ
らの垂直配向膜５１，５２の間に負の誘電率異方性を有
する液晶５０が封入されている。ここで、図１４は各電
極に電圧を印加した場合（電圧印加時）の液晶分子５０
の状態を示している。
〜図１７を参照して説明する。図１４は、「囲い電極電
界制御法」と呼ばれる技術を垂直配向型液晶表示装置に
適用したものであり、その内容は特開平７−１３１６４
号公報に詳述されている。図中１２，１４はガラス基板
であり、その外側には偏光板（図示せず）が配設されて
いる。下方のガラス基板１２には表示電極３２と配向制
御電極３４が配設され、上方のガラス基板１４には、画
素の中央部にスリット（配向制御窓３６Ｈと称する）を
有する対向電極３６が配設されている。これらの電極３
２，３６の上に垂直配向膜５１，５２が配設され、これ
らの垂直配向膜５１，５２の間に負の誘電率異方性を有
する液晶５０が封入されている。ここで、図１４は各電
極に電圧を印加した場合（電圧印加時）の液晶分子５０
の状態を示している。
【０００４】各電極へ電圧を印加しない場合（電圧不印
加時）は、全ての液晶分子は略垂直に（即ち、符号５４
の液晶分子のように）配向しているが、電圧印加時に
は、各液晶分子５３，５４は図１４に示すように配向す
る。このような配向状態の制御を行うために、配向制御
電極３４と、配向制御窓３６Ｈが重要な役割を果たして
いる。まず、配向制御電極３４の作用により、符号５５
で示したような電界の曲がりを発生させ、その結果、画
素内の電界を符号５６に示すように外側に向けて曲げる
ことができる。次に、対向電極３６の中央部に配向制御
窓３６Ｈを形成することにより、画素内中央部の電界を
符号５７に示すように両側に分割し、中央部に弱電界領
域を形成することができる。このように、配向制御電極
３４と、配向制御窓３６Ｈとが作用することにより、液
晶分子５３，５４は、図１４に示したように、２種類の
方向に配向することができる。
加時）は、全ての液晶分子は略垂直に（即ち、符号５４
の液晶分子のように）配向しているが、電圧印加時に
は、各液晶分子５３，５４は図１４に示すように配向す
る。このような配向状態の制御を行うために、配向制御
電極３４と、配向制御窓３６Ｈが重要な役割を果たして
いる。まず、配向制御電極３４の作用により、符号５５
で示したような電界の曲がりを発生させ、その結果、画
素内の電界を符号５６に示すように外側に向けて曲げる
ことができる。次に、対向電極３６の中央部に配向制御
窓３６Ｈを形成することにより、画素内中央部の電界を
符号５７に示すように両側に分割し、中央部に弱電界領
域を形成することができる。このように、配向制御電極
３４と、配向制御窓３６Ｈとが作用することにより、液
晶分子５３，５４は、図１４に示したように、２種類の
方向に配向することができる。
【０００５】図１４の液晶表示装置は、配向膜として、
画素全体で一様な特性を有する垂直配向膜を用いたもの
である。これに対して、画素内で複数の微小領域を有す
る配向膜を用いるものとして、図１５〜図１７に示す構
成の液晶表示装置があり、その内容は、特開平７−２８
１１７６号公報に説明されている。
画素全体で一様な特性を有する垂直配向膜を用いたもの
である。これに対して、画素内で複数の微小領域を有す
る配向膜を用いるものとして、図１５〜図１７に示す構
成の液晶表示装置があり、その内容は、特開平７−２８
１１７６号公報に説明されている。
【０００６】この液晶表示装置は、液晶４０を封入した
一対のガラス基板１２、１４と、これらのガラス基板１
２、１４の外側に配置された偏光板１６，１８とからな
る。一方のガラス基板１２の内面にはカラーフィルタ２
０、透明電極２２及び垂直配向膜４４が設けられ、もう
一方のガラス基板１４の内面には透明電極２６及び垂直
配向膜４８が設けられる。
一対のガラス基板１２、１４と、これらのガラス基板１
２、１４の外側に配置された偏光板１６，１８とからな
る。一方のガラス基板１２の内面にはカラーフィルタ２
０、透明電極２２及び垂直配向膜４４が設けられ、もう
一方のガラス基板１４の内面には透明電極２６及び垂直
配向膜４８が設けられる。
【０００７】液晶４０は、負の誘電率異方性を有するも
のであり、液晶がツイストするのを促進するカイラル材
を添加してある。従って、図１７（ａ）に示すように、
電圧不印加時には液晶分子はガラス基板面にほぼ垂直に
配向し、図１７（ｂ）に示すように、電圧印加時には液
晶分子はガラス基板面に対して倒れて、一対の基板それ
ぞれのラビング方向、及び液晶自体のらせん能に従って
ツイストするようになる。
のであり、液晶がツイストするのを促進するカイラル材
を添加してある。従って、図１７（ａ）に示すように、
電圧不印加時には液晶分子はガラス基板面にほぼ垂直に
配向し、図１７（ｂ）に示すように、電圧印加時には液
晶分子はガラス基板面に対して倒れて、一対の基板それ
ぞれのラビング方向、及び液晶自体のらせん能に従って
ツイストするようになる。
【０００８】ここで、垂直配向膜４４、４８は、図１５
および図１６に示すように、微小領域Ａ，Ｂに分割して
配向処理してある。即ち、ドメインＡにおいては、一方
の垂直配向膜４４は、この垂直配向膜４４に接する液晶
分子が基板面に対してプレチルト角αをなすようにラビ
ング処理が行われており、対向する他方の垂直配向膜４
８は、この垂直配向膜４８に接する液晶分子が基板面に
対してプレチルト角βをなすようにラビング処理が行わ
れている。垂直配向膜４４、４８の形成条件の制御によ
り、プレチルト角α、βは、９０度に近いが、α＜βの
関係があるものとなっている。そして、電圧印加時に
は、図１７（ｂ）に示すように、両基板１２、１４の中
間部の液晶分子は角度の小さいプレチルト角αに従って
倒れる傾向がある。プレチルト角αは例えば８５°であ
り、プレチルト角βは例えば８９°である。
および図１６に示すように、微小領域Ａ，Ｂに分割して
配向処理してある。即ち、ドメインＡにおいては、一方
の垂直配向膜４４は、この垂直配向膜４４に接する液晶
分子が基板面に対してプレチルト角αをなすようにラビ
ング処理が行われており、対向する他方の垂直配向膜４
８は、この垂直配向膜４８に接する液晶分子が基板面に
対してプレチルト角βをなすようにラビング処理が行わ
れている。垂直配向膜４４、４８の形成条件の制御によ
り、プレチルト角α、βは、９０度に近いが、α＜βの
関係があるものとなっている。そして、電圧印加時に
は、図１７（ｂ）に示すように、両基板１２、１４の中
間部の液晶分子は角度の小さいプレチルト角αに従って
倒れる傾向がある。プレチルト角αは例えば８５°であ
り、プレチルト角βは例えば８９°である。
【０００９】隣接するドメインＢにおいては、逆に、一
方の垂直配向膜４８は、この垂直配向膜４４に接する液
晶分子が基板面に対してプレチルト角βをなすようにラ
ビング処理が行われており、対向する他方の垂直配向膜
４８は、この垂直配向膜４８に接する液晶分子が基板面
に対してプレチルト角αをなすようにラビング処理が行
われている。この場合にも、プレチルト角α、βは９０
度に近いが、α＜βの関係がある。そして、電圧印加時
には、図１７（ｂ）に示すように、両ガラス基板１２、
１４の中間部の液晶分子は、角度の小さいプレチルト角
αに従って倒れる傾向がある。
方の垂直配向膜４８は、この垂直配向膜４４に接する液
晶分子が基板面に対してプレチルト角βをなすようにラ
ビング処理が行われており、対向する他方の垂直配向膜
４８は、この垂直配向膜４８に接する液晶分子が基板面
に対してプレチルト角αをなすようにラビング処理が行
われている。この場合にも、プレチルト角α、βは９０
度に近いが、α＜βの関係がある。そして、電圧印加時
には、図１７（ｂ）に示すように、両ガラス基板１２、
１４の中間部の液晶分子は、角度の小さいプレチルト角
αに従って倒れる傾向がある。
【００１０】このように、１画素に対応する領域が視角
特性の１８０°異なるドメインＡ、Ｂに分割されている
ので、この１画素に対応する領域は、両方のドメイン
Ａ、Ｂの視角特性を平均した視角特性を示すものとな
る。従って、この液晶表示装置は、視野角が大幅に拡大
されたものとなる。
特性の１８０°異なるドメインＡ、Ｂに分割されている
ので、この１画素に対応する領域は、両方のドメイン
Ａ、Ｂの視角特性を平均した視角特性を示すものとな
る。従って、この液晶表示装置は、視野角が大幅に拡大
されたものとなる。
【００１１】なお、図１５に示した従来例は、電圧印加
時の液晶のツイスト角が４５°となる場合を示したもの
である。
時の液晶のツイスト角が４５°となる場合を示したもの
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記二種類の
液晶表示装置を比較すると、前者（図１４の液晶表示装
置）は、後者（図１５〜図１７の液晶表示装置）に比べ
て、その構成要素が一つ多いものとなっている。即ち、
配向制御電極３４が新たに必要である。従って、その分
構造が複雑であるばかりでなく、開口率の点でも不利な
ものとなる。
液晶表示装置を比較すると、前者（図１４の液晶表示装
置）は、後者（図１５〜図１７の液晶表示装置）に比べ
て、その構成要素が一つ多いものとなっている。即ち、
配向制御電極３４が新たに必要である。従って、その分
構造が複雑であるばかりでなく、開口率の点でも不利な
ものとなる。
【００１３】そこで、本発明は後者の構成を対象とす
る。後者（図１５〜図１７の液晶表示装置）の構成にお
いては、電圧印加時のドメインの形成が不安定になる場
合がある。具体的には、ドメインの境界部分で略垂直配
向する液晶分子（図１７（ｂ）の４０Ｃ）が、微小領域
Ａ，Ｂの境界部に安定して存在しないで、その境界部を
外れて形成されたり、その境界部の周辺を移動するよう
に形成されたりすることがある。このような場合には、
二つのドメインＡ，Ｂの面積比の均衡が崩れるため、視
角特性が劣化するばかりでなく、ドメイン境界部の不連
続部の領域が拡大してさらに視角特性や開口率を劣化さ
せる、という問題が発生する。
る。後者（図１５〜図１７の液晶表示装置）の構成にお
いては、電圧印加時のドメインの形成が不安定になる場
合がある。具体的には、ドメインの境界部分で略垂直配
向する液晶分子（図１７（ｂ）の４０Ｃ）が、微小領域
Ａ，Ｂの境界部に安定して存在しないで、その境界部を
外れて形成されたり、その境界部の周辺を移動するよう
に形成されたりすることがある。このような場合には、
二つのドメインＡ，Ｂの面積比の均衡が崩れるため、視
角特性が劣化するばかりでなく、ドメイン境界部の不連
続部の領域が拡大してさらに視角特性や開口率を劣化さ
せる、という問題が発生する。
【００１４】従って、後者の構成においては、二つのド
メインＡ，Ｂの境界の不連続部分を安定に形成すること
が重要である。本発明は、プレチルト角の異なる複数の
微小領域からなる垂直配向膜を有する垂直配向型液晶表
示装置において、電圧印加時に、その微小領域に対応す
る液晶層内のドメインを安定に形成し得る液晶表示装置
の提供を目的とする。
メインＡ，Ｂの境界の不連続部分を安定に形成すること
が重要である。本発明は、プレチルト角の異なる複数の
微小領域からなる垂直配向膜を有する垂直配向型液晶表
示装置において、電圧印加時に、その微小領域に対応す
る液晶層内のドメインを安定に形成し得る液晶表示装置
の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１記載の液晶表示装置は、対向して配置さ
れた一対の基板の内面上に配設された電極と、配向膜
と、一対の基板の間隙に封入され負の誘電率異方性を有
し、配向膜は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜で
あり、かつプレチルト角の異なる複数の微小領域を有す
るものであり、液晶は、電極により印加電圧が制御さ
れ、印加電圧がオフレベルにおいて分子が略垂直に配向
し、印加電圧がオンレベルにおいて、分子が基板面側に
倒れて配向することで微小領域に対応するドメインを形
成するものであり、隣接するドメインの境界部分に、配
向安定化領域を有することを特徴とする。
めに、請求項１記載の液晶表示装置は、対向して配置さ
れた一対の基板の内面上に配設された電極と、配向膜
と、一対の基板の間隙に封入され負の誘電率異方性を有
し、配向膜は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜で
あり、かつプレチルト角の異なる複数の微小領域を有す
るものであり、液晶は、電極により印加電圧が制御さ
れ、印加電圧がオフレベルにおいて分子が略垂直に配向
し、印加電圧がオンレベルにおいて、分子が基板面側に
倒れて配向することで微小領域に対応するドメインを形
成するものであり、隣接するドメインの境界部分に、配
向安定化領域を有することを特徴とする。
【００１６】ここで、液晶分子が「略垂直」に配向する
という状態は、電圧不印加時に液晶分子の長軸が、一対
の基板の少なくとも一方に対して７５°以上９０°未満
のプレチルト角を形成する配向状態を示すものである。
という状態は、電圧不印加時に液晶分子の長軸が、一対
の基板の少なくとも一方に対して７５°以上９０°未満
のプレチルト角を形成する配向状態を示すものである。
【００１７】また、印加電圧の「オフレベル」とは、電
圧を印加しない状態、または低レベル（例えば約０Ｖ）
の電圧を印加した状態に対応するものである。一方、印
加電圧の「オンレベル」とは、液晶の状態を変化させる
電圧を印加した状態に対応するものであり、その状態は
中間調〜所謂オン状態の範囲を含むものである。
圧を印加しない状態、または低レベル（例えば約０Ｖ）
の電圧を印加した状態に対応するものである。一方、印
加電圧の「オンレベル」とは、液晶の状態を変化させる
電圧を印加した状態に対応するものであり、その状態は
中間調〜所謂オン状態の範囲を含むものである。
【００１８】上記の構造を用いた液晶表示装置の作用に
ついて、図１（ｂ）を参照して説明する。図中の符号
は、従来構造を示す図１７と同じ部分には同じ符号を用
いている。図１７と異なる符号として、４４Ａ，４８Ａ
は小さいプレチルト角αを有する配向膜を示し、４４
Ｂ，４８Ｂは大きいプレチルト角βを有する配向膜を示
している。
ついて、図１（ｂ）を参照して説明する。図中の符号
は、従来構造を示す図１７と同じ部分には同じ符号を用
いている。図１７と異なる符号として、４４Ａ，４８Ａ
は小さいプレチルト角αを有する配向膜を示し、４４
Ｂ，４８Ｂは大きいプレチルト角βを有する配向膜を示
している。
【００１９】ここで、大きいプレチルト角βと小さいプ
レチルト角αとが対向する領域Ａ，Ｂは、印加電圧がオ
ンレベルにおいて、図１（ｂ）に示すようなドメイン
Ａ，Ｂを形成する。そして、図１（ｂ）においては、印
加電圧のオンレベル時に、それらのドメインＡ，Ｂの境
界部分Ｗ１に、オフレベル時の配向と同様に液晶分子が
略垂直に配向する領域（これを、「配向安定化領域」Ｗ
１と称する）が存在するものとなっている。（配向安定
化領域Ｗ１を形成するための具体的な構成については後
述する） この配向安定化領域Ｗ１は、二つのドメインＡ，Ｂを安
定に区分けする分離壁として作用するものとなる。この
ように分離壁として作用する配向安定化領域Ｗ１は、一
方のドメインが他方のドメインに押し寄せるのを防ぐ働
きをするため、二つのドメインＡ，Ｂを安定に維持する
ことができる。
レチルト角αとが対向する領域Ａ，Ｂは、印加電圧がオ
ンレベルにおいて、図１（ｂ）に示すようなドメイン
Ａ，Ｂを形成する。そして、図１（ｂ）においては、印
加電圧のオンレベル時に、それらのドメインＡ，Ｂの境
界部分Ｗ１に、オフレベル時の配向と同様に液晶分子が
略垂直に配向する領域（これを、「配向安定化領域」Ｗ
１と称する）が存在するものとなっている。（配向安定
化領域Ｗ１を形成するための具体的な構成については後
述する） この配向安定化領域Ｗ１は、二つのドメインＡ，Ｂを安
定に区分けする分離壁として作用するものとなる。この
ように分離壁として作用する配向安定化領域Ｗ１は、一
方のドメインが他方のドメインに押し寄せるのを防ぐ働
きをするため、二つのドメインＡ，Ｂを安定に維持する
ことができる。
【００２０】このように作用する配向安定化領域Ｗ１を
形成するための一つの構成は、請求項３および図１
（ｂ）に示すように、隣接するドメインＡ，Ｂの境界部
分（即ち、配向安定化領域Ｗ１）において、一対の基板
間でプレチルト角の大きい配向膜同士４４Ｂ，４８Ｂが
対向するものとすることである。
形成するための一つの構成は、請求項３および図１
（ｂ）に示すように、隣接するドメインＡ，Ｂの境界部
分（即ち、配向安定化領域Ｗ１）において、一対の基板
間でプレチルト角の大きい配向膜同士４４Ｂ，４８Ｂが
対向するものとすることである。
【００２１】印加電圧がオンレベルにおいて、隣接する
ドメインＡ，Ｂの境界部分で、プレチルト角の大きい配
向膜同士４４Ｂ，４８Ｂが対向していることにより、そ
の配向膜４４Ｂ，４８Ｂに囲まれた配向安定化領域Ｗ１
の中では液晶分子が略垂直に配向することができる。
ドメインＡ，Ｂの境界部分で、プレチルト角の大きい配
向膜同士４４Ｂ，４８Ｂが対向していることにより、そ
の配向膜４４Ｂ，４８Ｂに囲まれた配向安定化領域Ｗ１
の中では液晶分子が略垂直に配向することができる。
【００２２】なお、このような配向安定化領域Ｗ１を実
現するために、プレチルト角α，β（α＜β）を有する
一方の配向膜４４Ａ，４４Ｂと、他方の配向膜４８Ａ，
４８Ｂとを、異なるプレチルト角が対向するように配設
し、かつ、異なるプレチルト角の境界線が二つの基板間
でずれて対向し、しかもこの境界部分でプレチルト角β
の配向膜同士が対向するように配設する構造としてい
る。
現するために、プレチルト角α，β（α＜β）を有する
一方の配向膜４４Ａ，４４Ｂと、他方の配向膜４８Ａ，
４８Ｂとを、異なるプレチルト角が対向するように配設
し、かつ、異なるプレチルト角の境界線が二つの基板間
でずれて対向し、しかもこの境界部分でプレチルト角β
の配向膜同士が対向するように配設する構造としてい
る。
【００２３】この構造と比較するために、プレチルト角
の大きい配向膜同士が対向していない構造（即ち、異な
るプレチルト角の境界線が二つの基板間で同等の位置に
なるように対向する構造）を図１（ａ）に示した。
の大きい配向膜同士が対向していない構造（即ち、異な
るプレチルト角の境界線が二つの基板間で同等の位置に
なるように対向する構造）を図１（ａ）に示した。
【００２４】この構造の場合には、境界部分で略垂直に
配向する液晶分子は、安定に存在できない場合が多く、
印加電圧の変動等により移動したり変形したりして、液
晶表示装置の視角特性や開口率を劣化させる一因とな
る。これは、図１（ｂ）のように、明確に区分けされた
大きさを有する配向安定化領域Ｗ１が無いことによるも
のである。
配向する液晶分子は、安定に存在できない場合が多く、
印加電圧の変動等により移動したり変形したりして、液
晶表示装置の視角特性や開口率を劣化させる一因とな
る。これは、図１（ｂ）のように、明確に区分けされた
大きさを有する配向安定化領域Ｗ１が無いことによるも
のである。
【００２５】一方、プレチルト角の小さい配向膜同士が
対向する構造（図示せず）の場合には、境界部分におい
ては、印加電圧がオンレベルにおいて、ラビング方向に
従って新たに逆ツイスト構造（ドメイン）が発生するも
のとなる。この逆ツイスト構造（ドメイン）は、印加電
圧のレベルにより、正規のドメイン（図１（ｂ）の符号
Ａ，Ｂに対応するもの）を浸食することがある。従っ
て、この境界部分は不安定なものであり、ドメインＡ，
Ｂの分離壁として作用することができない。なお、この
逆ツイスト構造（ドメイン）は、わずかに光を透過させ
るものとなるため、黒レベルを劣化させて表示のコント
ラストを低下させるという欠点も持つものである。
対向する構造（図示せず）の場合には、境界部分におい
ては、印加電圧がオンレベルにおいて、ラビング方向に
従って新たに逆ツイスト構造（ドメイン）が発生するも
のとなる。この逆ツイスト構造（ドメイン）は、印加電
圧のレベルにより、正規のドメイン（図１（ｂ）の符号
Ａ，Ｂに対応するもの）を浸食することがある。従っ
て、この境界部分は不安定なものであり、ドメインＡ，
Ｂの分離壁として作用することができない。なお、この
逆ツイスト構造（ドメイン）は、わずかに光を透過させ
るものとなるため、黒レベルを劣化させて表示のコント
ラストを低下させるという欠点も持つものである。
【００２６】上記請求項１記載の発明の作用を有する配
向安定化領域Ｗ１を形成するための他の構成は、請求項
９および図１０に示すように、隣接するドメインＡ，Ｂ
の境界部分（即ち、配向安定化領域Ｗ４）において、電
極と配向膜との間に絶縁膜を設けるものとすることであ
る。
向安定化領域Ｗ１を形成するための他の構成は、請求項
９および図１０に示すように、隣接するドメインＡ，Ｂ
の境界部分（即ち、配向安定化領域Ｗ４）において、電
極と配向膜との間に絶縁膜を設けるものとすることであ
る。
【００２７】この構造とその作用について図１０を参照
して説明する。図中、４３がその絶縁膜である。この絶
縁膜４３が電極２６の上に配設されているため、液晶層
４０内の電界４５はその絶縁膜４３を避けるように広が
るものとなる。従って、その絶縁膜４３の近傍にある境
界部分Ｗ４の電界は、その両側に隣接するドメインＡ，
Ｂより低電界で略垂直方向を向くものとなる。その結
果、境界部分Ｗ４内の液晶分子は略垂直に配向し、かつ
安定にその状態を保持することができる。即ち、隣接す
るドメインＡ，Ｂの間に、略垂直に配向した液晶分子を
有する配向安定化領域Ｗ４が介在する構成となり、この
配向安定化領域Ｗ４が二つのドメインＡ，Ｂを安定に区
分けする分離壁として作用する。
して説明する。図中、４３がその絶縁膜である。この絶
縁膜４３が電極２６の上に配設されているため、液晶層
４０内の電界４５はその絶縁膜４３を避けるように広が
るものとなる。従って、その絶縁膜４３の近傍にある境
界部分Ｗ４の電界は、その両側に隣接するドメインＡ，
Ｂより低電界で略垂直方向を向くものとなる。その結
果、境界部分Ｗ４内の液晶分子は略垂直に配向し、かつ
安定にその状態を保持することができる。即ち、隣接す
るドメインＡ，Ｂの間に、略垂直に配向した液晶分子を
有する配向安定化領域Ｗ４が介在する構成となり、この
配向安定化領域Ｗ４が二つのドメインＡ，Ｂを安定に区
分けする分離壁として作用する。
【００２８】
〔第１実施形態〕本発明を具体化した第１実施形態を、
図１（ｂ）を参照して説明する。
図１（ｂ）を参照して説明する。
【００２９】ガラス基板１２，１４の上に、透明電極２
２，２６を配設し、さらにその上にポリイミド配向膜４
４Ａ，４４Ｂ，４８Ａ，４８Ｂを同図に示すように配設
し、内部に液晶４０を封入した。
２，２６を配設し、さらにその上にポリイミド配向膜４
４Ａ，４４Ｂ，４８Ａ，４８Ｂを同図に示すように配設
し、内部に液晶４０を封入した。
【００３０】２種類のプレチルト角α，βを有する配向
膜は、予め塗布したポリイミド配向膜にフォトマスクを
介して部分的に紫外線を照射することにより形成した。
具体的なプロセスは次の通りである。
膜は、予め塗布したポリイミド配向膜にフォトマスクを
介して部分的に紫外線を照射することにより形成した。
具体的なプロセスは次の通りである。
【００３１】（ａ）透明電極を有する基板上に、ポリイ
ミド膜をスピンコートし、焼成する。 （ｂ）このポリイミド膜に、所定方向のラビング処理を
行う。図１（ｂ）におけるラビング方向は、４４Ａから
４４Ｂの方向、および４８Ｂから４８Ａの方向である。
ミド膜をスピンコートし、焼成する。 （ｂ）このポリイミド膜に、所定方向のラビング処理を
行う。図１（ｂ）におけるラビング方向は、４４Ａから
４４Ｂの方向、および４８Ｂから４８Ａの方向である。
【００３２】（ｃ）小さなプレチルト角αの領域を形成
する部分に開口（透光部）を有するフォトマスクをセッ
トする。 （ｄ）低圧水銀灯を用いて、上記のフォトマスクがセッ
トされたポリイミド膜に、２５４ｎｍ以下の波長を有す
る紫外線を、２０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で約５分間照
射する。なお、この低圧水銀灯は紫外光を効率良く発生
させるため、ポリイミド膜の改質効率が良いものであ
る。当然、他の紫外光源も使用可能である。
する部分に開口（透光部）を有するフォトマスクをセッ
トする。 （ｄ）低圧水銀灯を用いて、上記のフォトマスクがセッ
トされたポリイミド膜に、２５４ｎｍ以下の波長を有す
る紫外線を、２０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で約５分間照
射する。なお、この低圧水銀灯は紫外光を効率良く発生
させるため、ポリイミド膜の改質効率が良いものであ
る。当然、他の紫外光源も使用可能である。
【００３３】なお、（ｂ）の工程は、（ｄ）の工程より
後に実施してもよい。このプロセスにより得られた配向
膜のプレチルト角は、紫外線を照射しない領域で８９．
５°、紫外線を照射した領域で８５°であった。なお、
２５４ｎｍ以下の波長の紫外線を用いることにより配向
膜の改質を効率良く行うことができる。
後に実施してもよい。このプロセスにより得られた配向
膜のプレチルト角は、紫外線を照射しない領域で８９．
５°、紫外線を照射した領域で８５°であった。なお、
２５４ｎｍ以下の波長の紫外線を用いることにより配向
膜の改質を効率良く行うことができる。
【００３４】このように、紫外線の照射によりプレチル
ト角を制御できることを示す詳細なデータを図２に示
す。この場合は、紫外線を照射することによりプレチル
ト角が小さくなるポリイミド膜（日産化学製のＳＥ１２
１１）を用いているが、逆に、紫外線を照射することに
よりプレチルト角が大きくなる配向膜材料（例えば、日
産化学製のＲＮ−７８３）もある。
ト角を制御できることを示す詳細なデータを図２に示
す。この場合は、紫外線を照射することによりプレチル
ト角が小さくなるポリイミド膜（日産化学製のＳＥ１２
１１）を用いているが、逆に、紫外線を照射することに
よりプレチルト角が大きくなる配向膜材料（例えば、日
産化学製のＲＮ−７８３）もある。
【００３５】このようにして形成した一対のガラス基板
１２，１４を、高プレチルト角βの配向膜が５μｍの幅
で対向している部分を有するように組み合わせ、液晶を
封入して液晶表示装置を構成した。液晶材料としてはメ
ルク社製のＺＬＩ２８０６（Δｎ＝０．０４３７，Δε
＝−４．８）を使用した。
１２，１４を、高プレチルト角βの配向膜が５μｍの幅
で対向している部分を有するように組み合わせ、液晶を
封入して液晶表示装置を構成した。液晶材料としてはメ
ルク社製のＺＬＩ２８０６（Δｎ＝０．０４３７，Δε
＝−４．８）を使用した。
【００３６】その液晶表示装置に電圧を印加して画素内
のドメインを観察した所、印加電圧を増すことにより２
種類のドメインが明確に観察され、しかもドメインの境
界は安定したもので、２種類のドメインが安定に共存す
ることを確認した。
のドメインを観察した所、印加電圧を増すことにより２
種類のドメインが明確に観察され、しかもドメインの境
界は安定したもので、２種類のドメインが安定に共存す
ることを確認した。
【００３７】なお、高プレチルト角βの配向膜が対向し
ている部分の幅は、５〜２０μｍの範囲が適当である。
一対の基板の位置合わせ精度の点で５μｍ以下の制御は
困難であり、開口率の点で２０μｍ以上の値は好ましく
ない。
ている部分の幅は、５〜２０μｍの範囲が適当である。
一対の基板の位置合わせ精度の点で５μｍ以下の制御は
困難であり、開口率の点で２０μｍ以上の値は好ましく
ない。
【００３８】ここで、本実施例の具体的な電気光学特性
を図３に示す。同図（ａ）は上下方向、（ｂ）は左右方
向の視角特性を示すものである。これらの視角特性は、
従来のＴＮ型の液晶表示装置等に比べてはるかに広い視
野角を示すものであることが分かる。なお、この液晶表
示装置は液晶のツイスト角が１０°になるように構成さ
れたものである。
を図３に示す。同図（ａ）は上下方向、（ｂ）は左右方
向の視角特性を示すものである。これらの視角特性は、
従来のＴＮ型の液晶表示装置等に比べてはるかに広い視
野角を示すものであることが分かる。なお、この液晶表
示装置は液晶のツイスト角が１０°になるように構成さ
れたものである。
【００３９】一方、ドメインの境界部で高プレチルト角
βの配向膜が対向している部分を持たない液晶表示装置
（図１（ａ）の構造に対応するもの）を試作した。図１
（ａ）において、プレチルト角α（８５°），β（８
９．５°）を有する配向膜４８ａ，４８ｂ、および配向
膜４４ａ，４４ｂは、前記した本実施形態のものと同様
にして形成し、同様にラビングを施した。そして、プレ
チルト角の異なる配向膜の境界部が、上下のガラス基板
１４，１２間で同じ位置に対向するように配置して内部
に液晶４０を封入した。この液晶表示装置を評価した結
果、観察された２種類のドメインは、電圧の印加に対し
て不安定であり、その境界位置が不規則でありしかも移
動することがあることが確認された。このように、比較
例図１（ａ）は、表示の安定性が悪いばかりでなく、視
野角や開口率等に関わる表示特性も劣るものであり、本
実施形態（図１（ｂ）の構造に対応するもの）の優位性
を確認することができた。
βの配向膜が対向している部分を持たない液晶表示装置
（図１（ａ）の構造に対応するもの）を試作した。図１
（ａ）において、プレチルト角α（８５°），β（８
９．５°）を有する配向膜４８ａ，４８ｂ、および配向
膜４４ａ，４４ｂは、前記した本実施形態のものと同様
にして形成し、同様にラビングを施した。そして、プレ
チルト角の異なる配向膜の境界部が、上下のガラス基板
１４，１２間で同じ位置に対向するように配置して内部
に液晶４０を封入した。この液晶表示装置を評価した結
果、観察された２種類のドメインは、電圧の印加に対し
て不安定であり、その境界位置が不規則でありしかも移
動することがあることが確認された。このように、比較
例図１（ａ）は、表示の安定性が悪いばかりでなく、視
野角や開口率等に関わる表示特性も劣るものであり、本
実施形態（図１（ｂ）の構造に対応するもの）の優位性
を確認することができた。
【００４０】なお、本実施形態では、紫外線照射の強度
を異ならせることにより、複数の微小領域を有する配向
膜の各プレチルト角を制御する方法を説明したが、プレ
チルト角の制御方法はこれに限定されるものではない。
例えば、複数の微小領域に対して、ラビング処理の強度
が異なるように制御する方法を用いることにより、本実
施形態と同様に、複数のプレチルト角を持つ微小領域か
らなる配向膜を実現することができる。
を異ならせることにより、複数の微小領域を有する配向
膜の各プレチルト角を制御する方法を説明したが、プレ
チルト角の制御方法はこれに限定されるものではない。
例えば、複数の微小領域に対して、ラビング処理の強度
が異なるように制御する方法を用いることにより、本実
施形態と同様に、複数のプレチルト角を持つ微小領域か
らなる配向膜を実現することができる。
【００４１】〔第２実施形態〕本発明を具体化した第２
実施形態を、図４を参照して説明する。ガラス基板１
２，１４の上に、透明電極２２，２６を配設し、さらに
その上にポリイミド配向膜４４ｃ，４４ｄ，４８ａ，４
８ｂを同図に示すように配設し、内部に液晶４０を封入
した。配向膜４８ａ，４８ｂと透明電極２６とを含む上
側のガラス基板１４は第１実施形態とほぼ同じものであ
り、下側のガラス基板１２を被覆する透明電極２２の上
に配設された配向膜４４ｃ，４４ｄが、その境界部分に
窪みＨを有する点が、第１実施形態と異なる。この窪み
Ｈは、深さ約１μｍ幅５〜１０μｍ程度のものを形成し
た。
実施形態を、図４を参照して説明する。ガラス基板１
２，１４の上に、透明電極２２，２６を配設し、さらに
その上にポリイミド配向膜４４ｃ，４４ｄ，４８ａ，４
８ｂを同図に示すように配設し、内部に液晶４０を封入
した。配向膜４８ａ，４８ｂと透明電極２６とを含む上
側のガラス基板１４は第１実施形態とほぼ同じものであ
り、下側のガラス基板１２を被覆する透明電極２２の上
に配設された配向膜４４ｃ，４４ｄが、その境界部分に
窪みＨを有する点が、第１実施形態と異なる。この窪み
Ｈは、深さ約１μｍ幅５〜１０μｍ程度のものを形成し
た。
【００４２】これらの配向膜４４ｃ，４４ｄ，４８ａ，
４８ｂは、第１実施形態と同様に紫外線を選択的に照射
することにより、２種類のプレチルト角α，βを同図に
示すように形成した。
４８ｂは、第１実施形態と同様に紫外線を選択的に照射
することにより、２種類のプレチルト角α，βを同図に
示すように形成した。
【００４３】下側の配向膜にラビング処理を施すことに
より、窪みＨの底面にあるポリイミド配向膜のプレチル
ト角γは、窪みＨの無い領域Ａのプレチルト角αより大
きい値にすることができる。ラビング強度とプレチルト
角との関係は、図５に示すように、ラビング強度が増す
に従い、プレチルト角が低下する傾向がある。ここで、
同図の横軸を示すラビング押し込み量は、ラビング強度
にほぼ比例するものである。窪みＨの底面にある配向膜
４４ｈは、他の部分の配向膜よりもラビング強度が弱い
ものとなるため、そのプレチルト角γが大きい値に設定
される。具体的には、プレチルト角α，βはそれぞれ８
５°、８９．５°、プレチルト角γは８９．８°となる
ように形成した。また、ラビングは、４４ｃから４４ｄ
の方向、および４８ｂから４８ａの方向に施した。
より、窪みＨの底面にあるポリイミド配向膜のプレチル
ト角γは、窪みＨの無い領域Ａのプレチルト角αより大
きい値にすることができる。ラビング強度とプレチルト
角との関係は、図５に示すように、ラビング強度が増す
に従い、プレチルト角が低下する傾向がある。ここで、
同図の横軸を示すラビング押し込み量は、ラビング強度
にほぼ比例するものである。窪みＨの底面にある配向膜
４４ｈは、他の部分の配向膜よりもラビング強度が弱い
ものとなるため、そのプレチルト角γが大きい値に設定
される。具体的には、プレチルト角α，βはそれぞれ８
５°、８９．５°、プレチルト角γは８９．８°となる
ように形成した。また、ラビングは、４４ｃから４４ｄ
の方向、および４８ｂから４８ａの方向に施した。
【００４４】このように、下側の配向膜４４ｃ，４４ｄ
の境界部となる窪みＨの部分に、大きなプレチルト角γ
を有する配向膜４４ｈを形成することにより、窪み部の
配向膜４４ｈと、上側の高プレチルト角βの配向膜４８
ｂとの間に、高プレチルト角γ，βが対向する配向安定
化領域Ｗ２を形成することができる。この配向安定化領
域Ｗ２の中では、略９０°に配向した液晶分子が安定に
存在することが可能になり、その結果その配向安定化領
域Ｗ２が障壁（分離壁）として作用するため、両側の二
つのドメインＡ，Ｂを安定に維持することができること
を確認した。
の境界部となる窪みＨの部分に、大きなプレチルト角γ
を有する配向膜４４ｈを形成することにより、窪み部の
配向膜４４ｈと、上側の高プレチルト角βの配向膜４８
ｂとの間に、高プレチルト角γ，βが対向する配向安定
化領域Ｗ２を形成することができる。この配向安定化領
域Ｗ２の中では、略９０°に配向した液晶分子が安定に
存在することが可能になり、その結果その配向安定化領
域Ｗ２が障壁（分離壁）として作用するため、両側の二
つのドメインＡ，Ｂを安定に維持することができること
を確認した。
【００４５】なお、図４の例では、窪みＨは、凹部が形
成されたガラス基板上に透明電極２２、配向膜４４を被
覆することで形成されているが、この形状に限られるも
のではなく、プレチルト角が異なるように、ラビング処
理により受けるラビング強さが、他の領域と異なる形状
であればよい。
成されたガラス基板上に透明電極２２、配向膜４４を被
覆することで形成されているが、この形状に限られるも
のではなく、プレチルト角が異なるように、ラビング処
理により受けるラビング強さが、他の領域と異なる形状
であればよい。
【００４６】また、窪みＨの深さは、その幅にも依存す
るものであり、配向膜表面と、窪みＨ内でラビング処理
を行ったときの影響に差がでるような深さであればよ
い。例えば、セル厚が５μｍ程度であれば、１〜３μｍ
程度の深さが実用的なものである。
るものであり、配向膜表面と、窪みＨ内でラビング処理
を行ったときの影響に差がでるような深さであればよ
い。例えば、セル厚が５μｍ程度であれば、１〜３μｍ
程度の深さが実用的なものである。
【００４７】なお、このような窪みＨを、両側の基板に
形成することもできる。 〔第３実施形態〕本発明を具体化した第３実施形態を、
図６を参照して説明する。
形成することもできる。 〔第３実施形態〕本発明を具体化した第３実施形態を、
図６を参照して説明する。
【００４８】配向膜４８ａ，４８ｂと透明電極２６とを
含む上側のガラス基板１４は第１および第２実施形態と
ほぼ同じものであり、下側のガラス基板１２を被覆する
透明電極２２の上に配設され、二つの領域４４ｃ，４４
ｄの境界部分となる配向膜４４ｋが下地膜４１を有する
所が、第１および第２実施形態と異なる。この下地膜４
１としては、例えばＡＰ４００（東レ製シランカップリ
ング剤）等の密着改良剤を用いた。ＡＰ４００を約１０
０Åの膜厚で塗布し約２００°Ｃで焼成しパターニング
した層の上に、５００〜１０００Åのポリイミド配向膜
を形成した。
含む上側のガラス基板１４は第１および第２実施形態と
ほぼ同じものであり、下側のガラス基板１２を被覆する
透明電極２２の上に配設され、二つの領域４４ｃ，４４
ｄの境界部分となる配向膜４４ｋが下地膜４１を有する
所が、第１および第２実施形態と異なる。この下地膜４
１としては、例えばＡＰ４００（東レ製シランカップリ
ング剤）等の密着改良剤を用いた。ＡＰ４００を約１０
０Åの膜厚で塗布し約２００°Ｃで焼成しパターニング
した層の上に、５００〜１０００Åのポリイミド配向膜
を形成した。
【００４９】このような密着改良剤を下地膜４１として
用いることにより、その上に形成される配向膜４４ｋ
は、下地膜４１の無い配向膜４４ｃ，４４ｄよりも大き
いプレチルト角γとすることができる。具体的には、プ
レチルト角α，βはそれぞれ８５°、８９．５°、プレ
チルト角γは８９．８°となるように形成した。また、
ラビングは、４４ｃから４４ｄの方向、および４８ｂか
ら４８ａの方向に施した。
用いることにより、その上に形成される配向膜４４ｋ
は、下地膜４１の無い配向膜４４ｃ，４４ｄよりも大き
いプレチルト角γとすることができる。具体的には、プ
レチルト角α，βはそれぞれ８５°、８９．５°、プレ
チルト角γは８９．８°となるように形成した。また、
ラビングは、４４ｃから４４ｄの方向、および４８ｂか
ら４８ａの方向に施した。
【００５０】ここで、密着改良剤は、配向膜の下地の電
極に対する密着力を強固にし、外力によって受ける影響
を少なくする。従って、同じ条件でラビング処理が行わ
れても、下地に密着改良剤がある部分ではラビング処理
の影響が小さく、他の領域に比べてプレチルト角が大き
くなる。
極に対する密着力を強固にし、外力によって受ける影響
を少なくする。従って、同じ条件でラビング処理が行わ
れても、下地に密着改良剤がある部分ではラビング処理
の影響が小さく、他の領域に比べてプレチルト角が大き
くなる。
【００５１】このように、下側の配向膜４４ｃ，４４ｄ
の境界部となる部分に、大きなプレチルト角γを有する
配向膜４４ｋを形成することにより、その配向膜４４ｋ
と、上側の高プレチルト角βの配向膜４８ｂとの間に、
高プレチルト角γ，βが対向する配向安定化領域Ｗ３を
形成することができる。
の境界部となる部分に、大きなプレチルト角γを有する
配向膜４４ｋを形成することにより、その配向膜４４ｋ
と、上側の高プレチルト角βの配向膜４８ｂとの間に、
高プレチルト角γ，βが対向する配向安定化領域Ｗ３を
形成することができる。
【００５２】第２実施形態の場合と同様にして、この配
向安定化領域Ｗ３の中では、略９０°に配向した液晶分
子が安定に存在することが可能になり、その結果、その
配向安定化領域Ｗ３が障壁（分離壁）として作用するた
め、両側の二つのドメインＡ，Ｂを安定に維持すること
ができることを確認した。
向安定化領域Ｗ３の中では、略９０°に配向した液晶分
子が安定に存在することが可能になり、その結果、その
配向安定化領域Ｗ３が障壁（分離壁）として作用するた
め、両側の二つのドメインＡ，Ｂを安定に維持すること
ができることを確認した。
【００５３】なお、このような下地膜４１を、両側の基
板に形成することもできる。次に、第２実施形態に対応
する本発明を、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）とＣＦ
（カラーフィルタ）とを用いたカラーＴＦＴ液晶表示装
置に適用したものを、第４実施形態〜第５実施形態とし
て以下に説明する。
板に形成することもできる。次に、第２実施形態に対応
する本発明を、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）とＣＦ
（カラーフィルタ）とを用いたカラーＴＦＴ液晶表示装
置に適用したものを、第４実施形態〜第５実施形態とし
て以下に説明する。
【００５４】〔第４実施形態〕第４実施形態は、第２実
施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置として具体化
したものであり、その断面図を図８に、平面図を図７
（ａ）に示した。
施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置として具体化
したものであり、その断面図を図８に、平面図を図７
（ａ）に示した。
【００５５】このカラーＴＦＴ液晶表示装置は、ＴＦＴ
等を配設したガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と称する）
１１０Ｓと、ＣＦ（カラーフィルタ）等を配設したガラ
ス基板（以下、ＣＦ基板と称する）２１０Ｓと、これら
の基板間に封入されたた液晶１７０と、これらの基板の
外側に配設された偏光板１１１，２１１とからなる。
等を配設したガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と称する）
１１０Ｓと、ＣＦ（カラーフィルタ）等を配設したガラ
ス基板（以下、ＣＦ基板と称する）２１０Ｓと、これら
の基板間に封入されたた液晶１７０と、これらの基板の
外側に配設された偏光板１１１，２１１とからなる。
【００５６】図８において、１１０，２１０はガラス基
板であり、１２０，１３０，１４０はそれぞれＴＦＴを
構成するソース電極，ドレイン電極，ゲート電極であ
り、２２０，２２１はそれぞれカラーフィルタ，ブラッ
クマトリクスである。ブラックマトリクスとは、画素
（表示セルとも称する）の外縁部を不透明または低反射
率にする暗色部材のことであり、通常は格子状のもので
あるが、ストライプ状やその他の形状のものもある。ま
た、図中１５０は画素電極、２５０は対向電極であり、
いずれも透明なＩＴＯで形成されている。
板であり、１２０，１３０，１４０はそれぞれＴＦＴを
構成するソース電極，ドレイン電極，ゲート電極であ
り、２２０，２２１はそれぞれカラーフィルタ，ブラッ
クマトリクスである。ブラックマトリクスとは、画素
（表示セルとも称する）の外縁部を不透明または低反射
率にする暗色部材のことであり、通常は格子状のもので
あるが、ストライプ状やその他の形状のものもある。ま
た、図中１５０は画素電極、２５０は対向電極であり、
いずれも透明なＩＴＯで形成されている。
【００５７】ここで、ＣＦ基板２１０Ｓにおいては、対
向電極２５０の上にポリイミドの配向膜２６０Ａ，２６
０Ｂが塗布され、紫外線照射およびラビング処理等の制
御により配向膜２６０Ａ，配向膜２６０Ｂのプレチルト
角がそれぞれα（８５°），β（８９．５°）に設定さ
れ、さらに２６０Ａから２６０Ｂの方向にラビングされ
ている。なお、この配向膜の構成と形成方法は、第２実
施形態と同様である。
向電極２５０の上にポリイミドの配向膜２６０Ａ，２６
０Ｂが塗布され、紫外線照射およびラビング処理等の制
御により配向膜２６０Ａ，配向膜２６０Ｂのプレチルト
角がそれぞれα（８５°），β（８９．５°）に設定さ
れ、さらに２６０Ａから２６０Ｂの方向にラビングされ
ている。なお、この配向膜の構成と形成方法は、第２実
施形態と同様である。
【００５８】一方、ＴＦＴ基板１１０Ｓにおいても、ほ
ぼ同様にしてプレチルト角がそれぞれα（８５°），β
（８９．５°）の配向膜１６０Ａ，１６０Ｂが、１６０
Ｂから１６０Ａの方向にラビングされて配設されてい
る。さらに、この配向膜は、画素電極１５０のほぼ中央
部分に窪み１５５Ｈがあり、この部分の配向膜１６０ｈ
のプレチルト角γは８９．８°となるように形成され、
その形成方法も第２実施形態と同様である。
ぼ同様にしてプレチルト角がそれぞれα（８５°），β
（８９．５°）の配向膜１６０Ａ，１６０Ｂが、１６０
Ｂから１６０Ａの方向にラビングされて配設されてい
る。さらに、この配向膜は、画素電極１５０のほぼ中央
部分に窪み１５５Ｈがあり、この部分の配向膜１６０ｈ
のプレチルト角γは８９．８°となるように形成され、
その形成方法も第２実施形態と同様である。
【００５９】ここで、配向膜の窪み１５５Ｈを形成する
ために、本実施形態ではＴＦＴを保護する保護膜１５５
を活用している。この保護膜として、シリコン窒化膜や
シリコン酸化膜等を全面に形成し、所定のパターンにホ
トリソグラフィでパターニングする際に、同時に切り欠
き部１５５Ｈを形成する。この上にポリイミドの配向膜
を全面に塗布することで、配向膜の窪み１５５Ｈを形成
することができる。
ために、本実施形態ではＴＦＴを保護する保護膜１５５
を活用している。この保護膜として、シリコン窒化膜や
シリコン酸化膜等を全面に形成し、所定のパターンにホ
トリソグラフィでパターニングする際に、同時に切り欠
き部１５５Ｈを形成する。この上にポリイミドの配向膜
を全面に塗布することで、配向膜の窪み１５５Ｈを形成
することができる。
【００６０】この構成と形成方法の特徴は、ＴＦＴを保
護する保護膜１５５を活用して工程数を増やすことなく
配向膜の窪み１５５Ｈを実現できることである。図７
（ａ）は、図８の各層に対応するパターンの平面図を、
便宜上実線で示したものである。図中のＸ−Ｘ’、Ｙ−
Ｙ’の部分は、それぞれ図８の断面図のＸ−Ｘ’、Ｙ−
Ｙ’の部分に対応するものである。図中の符号は、図８
の同一部分には同一の符号を付してある。別の符号とし
て、１２０Ｂはソースバス電極、１４０Ｂはゲートバス
電極である。
護する保護膜１５５を活用して工程数を増やすことなく
配向膜の窪み１５５Ｈを実現できることである。図７
（ａ）は、図８の各層に対応するパターンの平面図を、
便宜上実線で示したものである。図中のＸ−Ｘ’、Ｙ−
Ｙ’の部分は、それぞれ図８の断面図のＸ−Ｘ’、Ｙ−
Ｙ’の部分に対応するものである。図中の符号は、図８
の同一部分には同一の符号を付してある。別の符号とし
て、１２０Ｂはソースバス電極、１４０Ｂはゲートバス
電極である。
【００６１】図８に示した配向膜１６０Ａ，１６０Ｂ，
１６０ｈ，２６０Ａ，２６０Ｂが形成されたカラーＴＦ
Ｔ液晶表示装置においては、液晶１７０が同図に示すよ
うな方向に配向し、二つのドメインが安定に形成され
る。このような作用・効果は、第２実施形態の場合と同
様である。
１６０ｈ，２６０Ａ，２６０Ｂが形成されたカラーＴＦ
Ｔ液晶表示装置においては、液晶１７０が同図に示すよ
うな方向に配向し、二つのドメインが安定に形成され
る。このような作用・効果は、第２実施形態の場合と同
様である。
【００６２】さらに、上下方向および左右方向の視角特
性も、第２実施形態の場合と同様に、図３と同等の特性
を示す。 〔第５実施形態〕第５実施形態は、第２実施形態の構成
をカラーＴＦＴ液晶表示装置として具体化したもので、
配向膜の窪みの構成と形成方法が第４実施形態とは異な
るものであり、その断面図を図９に、平面図を図７
（ｂ）に示した。
性も、第２実施形態の場合と同様に、図３と同等の特性
を示す。 〔第５実施形態〕第５実施形態は、第２実施形態の構成
をカラーＴＦＴ液晶表示装置として具体化したもので、
配向膜の窪みの構成と形成方法が第４実施形態とは異な
るものであり、その断面図を図９に、平面図を図７
（ｂ）に示した。
【００６３】本実施形態は、配向膜およびその下層膜の
構成の仕方に関連する部分のみが第４実施形態と異な
り、他の構成は全て第４実施形態と同じものである。即
ち、本実施形態においては、配向膜２６０ｈの窪みが
ＣＦ基板２１０Ｓ側にあり、ＴＦＴ基板１１０Ｓ側には
無いこと、配向膜２６０ｈの窪みを構成するために、
ＣＦ層に切り欠き部２２０Ｈを形成すること、の２点に
特徴があり、他の部分は第４実施形態と同等の構成とな
っている。
構成の仕方に関連する部分のみが第４実施形態と異な
り、他の構成は全て第４実施形態と同じものである。即
ち、本実施形態においては、配向膜２６０ｈの窪みが
ＣＦ基板２１０Ｓ側にあり、ＴＦＴ基板１１０Ｓ側には
無いこと、配向膜２６０ｈの窪みを構成するために、
ＣＦ層に切り欠き部２２０Ｈを形成すること、の２点に
特徴があり、他の部分は第４実施形態と同等の構成とな
っている。
【００６４】ここで、配向膜の窪み２２０Ｈを形成する
ために、本実施形態ではＣＦ層２２０を活用している。
ＣＦ層を全面に塗布し、ホトリソグラフィで所定の形状
にパターニングする際、画素のほぼ中央部もエッチング
することにより切り欠き部２２０Ｈを形成する。この上
にポリイミドの配向膜を全面に塗布することで、配向膜
の窪み２２０Ｈを形成することができる。
ために、本実施形態ではＣＦ層２２０を活用している。
ＣＦ層を全面に塗布し、ホトリソグラフィで所定の形状
にパターニングする際、画素のほぼ中央部もエッチング
することにより切り欠き部２２０Ｈを形成する。この上
にポリイミドの配向膜を全面に塗布することで、配向膜
の窪み２２０Ｈを形成することができる。
【００６５】この構成と形成方法の特徴は、ＣＦ層２２
０を活用して工程数を増やすことなく配向膜の窪み２２
０Ｈを実現できることである。配向膜１６０Ａ，２６０
Ａおよび配向膜１６０Ｂ，２６０Ｂのプレチルト角をそ
れぞれα（８５°），β（８９．５°）とすること、ラ
ビングは１６０Ｂから１６０Ａの方向、および２６０Ａ
から２６０Ｂの方向に向けて行うこと、窪み２２０Ｈ部
の配向膜２６０ｈのプレチルト角をγ（８９．８°）と
すること、等は第４実施形態の場合と同様である。
０を活用して工程数を増やすことなく配向膜の窪み２２
０Ｈを実現できることである。配向膜１６０Ａ，２６０
Ａおよび配向膜１６０Ｂ，２６０Ｂのプレチルト角をそ
れぞれα（８５°），β（８９．５°）とすること、ラ
ビングは１６０Ｂから１６０Ａの方向、および２６０Ａ
から２６０Ｂの方向に向けて行うこと、窪み２２０Ｈ部
の配向膜２６０ｈのプレチルト角をγ（８９．８°）と
すること、等は第４実施形態の場合と同様である。
【００６６】図７（ｂ）は、図９の各層に対応するパタ
ーンの平面図を、便宜上実線で示したものであり、図中
の符号は、図９の同一部分には同一の符号を付してあ
る。ただし、２点鎖線１５０は、位置関係を明確にする
ために同図（ａ）の画素電極１５０を示したものであ
る。また、２２１Ｐと２２１Ｑとで囲まれた領域２２１
は、ブラックマトリクスである。図中のＹ−Ｙ’の部分
は、図９の断面図のＹ−Ｙ’の部分に対応するものであ
る。（Ｙ−Ｙ’を折り曲げた線で示したのは、対向基板
側のＴＦＴの部分も含めて、対応する断面を示す線とす
るためである。） 本実施形態は、配向膜の窪み２２０Ｈの位置が異なる点
を除けば、基本的には第４実施形態と同等のものである
ため、その作用・効果および視角特性等も第４実施形態
のものと同等である。
ーンの平面図を、便宜上実線で示したものであり、図中
の符号は、図９の同一部分には同一の符号を付してあ
る。ただし、２点鎖線１５０は、位置関係を明確にする
ために同図（ａ）の画素電極１５０を示したものであ
る。また、２２１Ｐと２２１Ｑとで囲まれた領域２２１
は、ブラックマトリクスである。図中のＹ−Ｙ’の部分
は、図９の断面図のＹ−Ｙ’の部分に対応するものであ
る。（Ｙ−Ｙ’を折り曲げた線で示したのは、対向基板
側のＴＦＴの部分も含めて、対応する断面を示す線とす
るためである。） 本実施形態は、配向膜の窪み２２０Ｈの位置が異なる点
を除けば、基本的には第４実施形態と同等のものである
ため、その作用・効果および視角特性等も第４実施形態
のものと同等である。
【００６７】なお、第４実施形態のＴＦＴ基板と、第５
実施形態のＣＦ基板とを組み合わせて液晶表示装置を構
成することもできる。 〔第６実施形態〕請求項９記載の発明を具体化した実施
形態を、図１０を参照して説明する。
実施形態のＣＦ基板とを組み合わせて液晶表示装置を構
成することもできる。 〔第６実施形態〕請求項９記載の発明を具体化した実施
形態を、図１０を参照して説明する。
【００６８】本実施形態の特徴は、上側の透明電極２６
の上に帯状の絶縁膜４３を形成したことである。この絶
縁膜４３は、幅１０μｍ、厚さ５０００Åのシリコン窒
化膜（ＳｉＮ）を用いた。このＳｉＮ膜はプラズマＣＶ
Ｄにより形成し、ＣＦ４系ガスを用いたドライエッチン
グによりパターニングを施した。
の上に帯状の絶縁膜４３を形成したことである。この絶
縁膜４３は、幅１０μｍ、厚さ５０００Åのシリコン窒
化膜（ＳｉＮ）を用いた。このＳｉＮ膜はプラズマＣＶ
Ｄにより形成し、ＣＦ４系ガスを用いたドライエッチン
グによりパターニングを施した。
【００６９】この絶縁膜４３を有する透明電極２６の上
に、プレチルト角α（８５°），β（８９．５°）を有
するポリイミドの配向膜（日産化学製のＳＥ１２１１）
４８ａ，４８ｂを、前記第１実施形態の場合と同様にし
て形成した。これらの配向膜の境界部分が絶縁膜４３の
中央部になるように位置合わせをしている。
に、プレチルト角α（８５°），β（８９．５°）を有
するポリイミドの配向膜（日産化学製のＳＥ１２１１）
４８ａ，４８ｂを、前記第１実施形態の場合と同様にし
て形成した。これらの配向膜の境界部分が絶縁膜４３の
中央部になるように位置合わせをしている。
【００７０】また、下側のガラス基板１２、透明電極２
２、配向膜４４ａ，４４ｂに関しては、図１（ａ）のよ
うに、配向膜４４ａ，４４ｂの境界部分が上側基板のも
のと略一致するようにした。そしてこれらのガラス基板
の間隙に液晶４０を封入した。
２、配向膜４４ａ，４４ｂに関しては、図１（ａ）のよ
うに、配向膜４４ａ，４４ｂの境界部分が上側基板のも
のと略一致するようにした。そしてこれらのガラス基板
の間隙に液晶４０を封入した。
【００７１】このように構成した第６実施形態の液晶表
示装置と、前記図１（ａ）の液晶表示装置とを比較し
た。まず、印加電圧を高くしてドメインを発生させその
状態を観察した所、本実施形態では、ドメインの境界が
安定に維持され、２種類のドメインが安定に共存するこ
とを確認した。一方、比較例図１（ａ）においては、前
記したように２種類のドメインは、電圧の印加に対して
不安定であり、その境界位置が不規則でありしかも移動
することがあることを確認した。
示装置と、前記図１（ａ）の液晶表示装置とを比較し
た。まず、印加電圧を高くしてドメインを発生させその
状態を観察した所、本実施形態では、ドメインの境界が
安定に維持され、２種類のドメインが安定に共存するこ
とを確認した。一方、比較例図１（ａ）においては、前
記したように２種類のドメインは、電圧の印加に対して
不安定であり、その境界位置が不規則でありしかも移動
することがあることを確認した。
【００７２】このように、本実施形態の方が優れている
のは、絶縁膜４３がその直下の配向安定化領域Ｗ４内を
低電界領域とするように作用し、その結果、配向安定化
領域Ｗ４内の液晶分子がほぼ垂直に配向した状態で安定
に存在することによる。即ち、この配向安定化領域Ｗ４
が、その両側にある二つのドメインＡ，Ｂに対する障壁
（分離壁）として作用しているからである。
のは、絶縁膜４３がその直下の配向安定化領域Ｗ４内を
低電界領域とするように作用し、その結果、配向安定化
領域Ｗ４内の液晶分子がほぼ垂直に配向した状態で安定
に存在することによる。即ち、この配向安定化領域Ｗ４
が、その両側にある二つのドメインＡ，Ｂに対する障壁
（分離壁）として作用しているからである。
【００７３】また、本実施形態の上下方向および左右方
向の視角特性を評価した所、前記図３と同等の特性を
得、高いコントラストと広い視角特性を確認した。次
に、この絶縁膜４３の膜厚と抵抗に関する条件を検討し
た。この絶縁膜としてＳｉＮを用い、その膜厚と比抵抗
の条件を変えて液晶表示装置を試作し、ドメインの安定
性を評価した結果、表１に示す結果を得た。
向の視角特性を評価した所、前記図３と同等の特性を
得、高いコントラストと広い視角特性を確認した。次
に、この絶縁膜４３の膜厚と抵抗に関する条件を検討し
た。この絶縁膜としてＳｉＮを用い、その膜厚と比抵抗
の条件を変えて液晶表示装置を試作し、ドメインの安定
性を評価した結果、表１に示す結果を得た。
【００７４】
【表１】
【００７５】このＳｉＮ膜は、作動ガスとしてＳｉＨ4
／ＮＨ3 を用いたプラズマＣＶＤにより形成したもの
で、誘電率εは約６、比抵抗ρは約１０13Ωcmのものが
通常は得られる。ここでは、作動ガス（ＳｉＨ4 ／ＮＨ
3 ）の組成を制御することでこのＳｉＮ膜（ＳｉＮX 膜
とも表記する）の比抵抗を制御して、表１の値になるよ
うに設定した。具体的には、ＳｉＨ4 の割合を多くし、
Ｓｉリッチにすることにより比抵抗を小さくすることが
でき、その逆も可能である。
／ＮＨ3 を用いたプラズマＣＶＤにより形成したもの
で、誘電率εは約６、比抵抗ρは約１０13Ωcmのものが
通常は得られる。ここでは、作動ガス（ＳｉＨ4 ／ＮＨ
3 ）の組成を制御することでこのＳｉＮ膜（ＳｉＮX 膜
とも表記する）の比抵抗を制御して、表１の値になるよ
うに設定した。具体的には、ＳｉＨ4 の割合を多くし、
Ｓｉリッチにすることにより比抵抗を小さくすることが
でき、その逆も可能である。
【００７６】表１によれば、膜厚に関しては、１０００
〜１００００Åの範囲（ただし、比抵抗１０15Ωcm）で
評価した結果、２０００Å以上でドメインが安定であっ
た。一方、比抵抗に関しては、１０10〜１０15Ωcm（た
だし、膜厚３０００Å）の範囲で評価した結果、１０14
Ωcm以上でドメインが安定であった。
〜１００００Åの範囲（ただし、比抵抗１０15Ωcm）で
評価した結果、２０００Å以上でドメインが安定であっ
た。一方、比抵抗に関しては、１０10〜１０15Ωcm（た
だし、膜厚３０００Å）の範囲で評価した結果、１０14
Ωcm以上でドメインが安定であった。
【００７７】これらの結果の物理的な意味は、次のよう
に推測することができる。液晶の駆動は、一般的には交
流波形で行われるが、液晶材料面での応答速度の改善に
伴い、１フレーム内（直流が印加されている）での影
響、即ち直流波形による影響についても十分考慮する必
要がある。従って、液晶の駆動特性には、交流特性と直
流特性の２面があり、双方の必要条件が満足されなけれ
ばならない。そこで、この液晶の駆動特性に所望の影響
（電界を低減させる作用）を与えるために配設される上
記の絶縁膜４３は、交流特性と直流特性の双方におい
て、所定の条件に設定される必要がある。具体的には、
この絶縁膜４３は、交流特性としても直流特性としても
電界を低減させるように設定される必要がある。
に推測することができる。液晶の駆動は、一般的には交
流波形で行われるが、液晶材料面での応答速度の改善に
伴い、１フレーム内（直流が印加されている）での影
響、即ち直流波形による影響についても十分考慮する必
要がある。従って、液晶の駆動特性には、交流特性と直
流特性の２面があり、双方の必要条件が満足されなけれ
ばならない。そこで、この液晶の駆動特性に所望の影響
（電界を低減させる作用）を与えるために配設される上
記の絶縁膜４３は、交流特性と直流特性の双方におい
て、所定の条件に設定される必要がある。具体的には、
この絶縁膜４３は、交流特性としても直流特性としても
電界を低減させるように設定される必要がある。
【００７８】まず、直流特性の観点から、比抵抗ρが、
液晶層の抵抗に対して影響を及ぼす程度に高い必要があ
る。即ち、液晶の比抵抗（例えば、ＴＦＴ駆動用の液晶
は１０12Ωcm程度またはそれ以上の値）と同等以上の値
に設定されるためには、１０ 12Ωcm以上の値が必要であ
る。１０13Ωcm以上であればさらに望ましい。この推測
は、表１の結果と対応するものである。
液晶層の抵抗に対して影響を及ぼす程度に高い必要があ
る。即ち、液晶の比抵抗（例えば、ＴＦＴ駆動用の液晶
は１０12Ωcm程度またはそれ以上の値）と同等以上の値
に設定されるためには、１０ 12Ωcm以上の値が必要であ
る。１０13Ωcm以上であればさらに望ましい。この推測
は、表１の結果と対応するものである。
【００７９】次に、交流特性の観点から、この絶縁膜４
３が、その直下の液晶層の電界を低減させる作用を持つ
ためには、その容量値（誘電率εと膜厚と膜面積とで定
まる値）が、その絶縁膜４３下の液晶層の容量値に比べ
て約１０倍以下の値（インピーダンスとして約１／１０
以上の値）であることが必要である。例えば、ＳｉＮ膜
は、誘電率εが約６であるから液晶層の誘電率ε（約１
０）のほぼ１／２であり、膜厚が約２０００Åの場合に
は液晶層の層厚（例えば、約５μｍ）のほぼ１／２５で
ある。この場合、絶縁膜４３の容量値は、絶縁膜４３下
の液晶層の容量値の約１０倍となる。即ち、絶縁膜４３
は、そのインピーダンスがその直下の液晶層のインピー
ダンスの約１／１０の値となるため、液晶層の電界分布
に影響を与えることができる。
３が、その直下の液晶層の電界を低減させる作用を持つ
ためには、その容量値（誘電率εと膜厚と膜面積とで定
まる値）が、その絶縁膜４３下の液晶層の容量値に比べ
て約１０倍以下の値（インピーダンスとして約１／１０
以上の値）であることが必要である。例えば、ＳｉＮ膜
は、誘電率εが約６であるから液晶層の誘電率ε（約１
０）のほぼ１／２であり、膜厚が約２０００Åの場合に
は液晶層の層厚（例えば、約５μｍ）のほぼ１／２５で
ある。この場合、絶縁膜４３の容量値は、絶縁膜４３下
の液晶層の容量値の約１０倍となる。即ち、絶縁膜４３
は、そのインピーダンスがその直下の液晶層のインピー
ダンスの約１／１０の値となるため、液晶層の電界分布
に影響を与えることができる。
【００８０】従って、表１の結果は、「配向安定化領域
Ｗ４の中が充分に低電界になり、この中でほぼ垂直に配
向する液晶分子が安定に存在し、その両側に発生するド
メインＡ，Ｂの障壁（分離壁）として作用するために
は、その直下の液晶層の約１０倍以下の容量値を有する
絶縁膜４３が必要である」ことを示すものと理解でき
る。即ち、誘電率εは小さい材料が良く、膜厚は厚いも
の程良い。表１によれば、誘電率εが約６で、２０００
Å以上の膜厚のＳｉＮ膜が良いことを示しているが、さ
らに小さい誘電率εとさらに厚い膜厚とを有する絶縁膜
を用いれば、一層好ましい作用・効果を得ることができ
る。
Ｗ４の中が充分に低電界になり、この中でほぼ垂直に配
向する液晶分子が安定に存在し、その両側に発生するド
メインＡ，Ｂの障壁（分離壁）として作用するために
は、その直下の液晶層の約１０倍以下の容量値を有する
絶縁膜４３が必要である」ことを示すものと理解でき
る。即ち、誘電率εは小さい材料が良く、膜厚は厚いも
の程良い。表１によれば、誘電率εが約６で、２０００
Å以上の膜厚のＳｉＮ膜が良いことを示しているが、さ
らに小さい誘電率εとさらに厚い膜厚とを有する絶縁膜
を用いれば、一層好ましい作用・効果を得ることができ
る。
【００８１】また、このような絶縁膜４３を両側の基板
に用いることにより、さらに好ましい作用・効果を得る
ことができる。なお、絶縁膜４３としては、上記のＳｉ
Ｎ膜の他に、ＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜等を用いることも
できる。ＳｉＯ2 膜は作動ガスとしてＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ
を用い、ＳｉＯＦ膜は作動ガスとしてＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ
／ＳｉＦ4 を用いたプラズマＣＶＤにより形成すること
ができる。通常は、前者および後者の誘電率εは、それ
ぞれ約４，約３であり、いずれも比抵抗ρは約１０13Ω
cmであるが、作動ガスの組成等を制御することでこれら
の値を調節することも可能である。
に用いることにより、さらに好ましい作用・効果を得る
ことができる。なお、絶縁膜４３としては、上記のＳｉ
Ｎ膜の他に、ＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜等を用いることも
できる。ＳｉＯ2 膜は作動ガスとしてＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ
を用い、ＳｉＯＦ膜は作動ガスとしてＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ
／ＳｉＦ4 を用いたプラズマＣＶＤにより形成すること
ができる。通常は、前者および後者の誘電率εは、それ
ぞれ約４，約３であり、いずれも比抵抗ρは約１０13Ω
cmであるが、作動ガスの組成等を制御することでこれら
の値を調節することも可能である。
【００８２】また、絶縁膜４３としては、上記のような
無機膜の他に、有機系の絶縁膜を用いることもできる。
例えば、アクリル系のＬＣ−２００１（三洋化成製）
（誘電率εは約３、比抵抗ρは約１０15Ωcm）、ポリイ
ミド系のＲＮ−９０１（日産化学製）（誘電率εは約
３、比抵抗ρは約１０16Ωcm）等の有機系絶縁膜を用い
ることができる。これらの膜は、上記のような無機膜に
比べて、誘電率が小さく比抵抗が大きいことが特徴であ
る。
無機膜の他に、有機系の絶縁膜を用いることもできる。
例えば、アクリル系のＬＣ−２００１（三洋化成製）
（誘電率εは約３、比抵抗ρは約１０15Ωcm）、ポリイ
ミド系のＲＮ−９０１（日産化学製）（誘電率εは約
３、比抵抗ρは約１０16Ωcm）等の有機系絶縁膜を用い
ることができる。これらの膜は、上記のような無機膜に
比べて、誘電率が小さく比抵抗が大きいことが特徴であ
る。
【００８３】次に、第６実施形態に対応する本発明を、
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）とＣＦ（カラーフィル
タ）とを用いたカラーＴＦＴ液晶表示装置に適用したも
のを、第７実施形態〜第８実施形態として以下に説明す
る。
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）とＣＦ（カラーフィル
タ）とを用いたカラーＴＦＴ液晶表示装置に適用したも
のを、第７実施形態〜第８実施形態として以下に説明す
る。
【００８４】〔第７実施形態〕第７実施形態は、第６実
施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置のＴＦＴ側の
基板上に具体化したものであり、その断面図を図１２
に、平面図を図１１（ａ）に示した。
施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置のＴＦＴ側の
基板上に具体化したものであり、その断面図を図１２
に、平面図を図１１（ａ）に示した。
【００８５】このカラーＴＦＴ液晶表示装置は、ＴＦＴ
等を配設したガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と称する）
１１０Ｓと、ＣＦ（カラーフィルタ）等を配設したガラ
ス基板（以下、ＣＦ基板と称する）２１０Ｓと、これら
の基板間に封入された液晶１７０と、これらの基板の外
側に配設された偏光板１１１，２１１とからなる。図１
２において、１１０，２１０はガラス基板であり、１２
０，１３０，１４０はそれぞれＴＦＴを構成するソース
電極，ドレイン電極，ゲート電極であり、２２０，２２
１はそれぞれカラーフィルタ，ブラックマトリクスであ
る。また、図中１５０は画素電極、２５０は対向電極で
あり、いずれも透明なＩＴＯで形成されている。
等を配設したガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と称する）
１１０Ｓと、ＣＦ（カラーフィルタ）等を配設したガラ
ス基板（以下、ＣＦ基板と称する）２１０Ｓと、これら
の基板間に封入された液晶１７０と、これらの基板の外
側に配設された偏光板１１１，２１１とからなる。図１
２において、１１０，２１０はガラス基板であり、１２
０，１３０，１４０はそれぞれＴＦＴを構成するソース
電極，ドレイン電極，ゲート電極であり、２２０，２２
１はそれぞれカラーフィルタ，ブラックマトリクスであ
る。また、図中１５０は画素電極、２５０は対向電極で
あり、いずれも透明なＩＴＯで形成されている。
【００８６】ここで、ＴＦＴ基板１１０Ｓにおいては、
画素電極１５０のほぼ中央部に、ＳｉＮにより帯状の絶
縁膜１５５Ｒを形成した。そして、その上に全面を覆う
ようにポリイミドの配向膜１６０Ａ，１６０Ｂを塗布
し、紫外線照射およびラビング処理等の制御により配向
膜１６０Ａ，２６０Ｂのプレチルト角がそれぞれα（８
５°），β（８９．５°）となるように設定し、さらに
１６０Ａから１６０Ｂの方向にラビングを施した。な
お、この配向膜の構成と形成方法は、第６実施形態と同
様である。
画素電極１５０のほぼ中央部に、ＳｉＮにより帯状の絶
縁膜１５５Ｒを形成した。そして、その上に全面を覆う
ようにポリイミドの配向膜１６０Ａ，１６０Ｂを塗布
し、紫外線照射およびラビング処理等の制御により配向
膜１６０Ａ，２６０Ｂのプレチルト角がそれぞれα（８
５°），β（８９．５°）となるように設定し、さらに
１６０Ａから１６０Ｂの方向にラビングを施した。な
お、この配向膜の構成と形成方法は、第６実施形態と同
様である。
【００８７】一方、ＣＦ基板２１０Ｓにおいても、ほぼ
同様にしてプレチルト角がそれぞれα（８５°），β
（８９．５°）の配向膜２６０Ａ，２６０Ｂが、２６０
Ｂから２６０Ａの方向にラビングされて配設されてい
る。この配向膜の構成と形成方法も、第６実施形態と同
様である。
同様にしてプレチルト角がそれぞれα（８５°），β
（８９．５°）の配向膜２６０Ａ，２６０Ｂが、２６０
Ｂから２６０Ａの方向にラビングされて配設されてい
る。この配向膜の構成と形成方法も、第６実施形態と同
様である。
【００８８】ここで、帯状の絶縁膜１５５Ｒを形成する
ために、本実施形態ではＴＦＴを保護する保護膜１５５
を活用している。この保護膜として、ＳｉＮ膜やＳｉＯ
２膜等を全面に形成し、所定のパターンにホトリソグラ
フィでパターニングする際に、画素のほぼ中央部にも帯
状のパターンが残るようにパターニングすることで、同
時に帯状の絶縁膜１５５Ｒを形成している。従って、Ｔ
ＦＴを保護する保護膜１５５を活用して、工程数を増や
すことなく帯状の絶縁膜１５５Ｒを実現することができ
ることである。
ために、本実施形態ではＴＦＴを保護する保護膜１５５
を活用している。この保護膜として、ＳｉＮ膜やＳｉＯ
２膜等を全面に形成し、所定のパターンにホトリソグラ
フィでパターニングする際に、画素のほぼ中央部にも帯
状のパターンが残るようにパターニングすることで、同
時に帯状の絶縁膜１５５Ｒを形成している。従って、Ｔ
ＦＴを保護する保護膜１５５を活用して、工程数を増や
すことなく帯状の絶縁膜１５５Ｒを実現することができ
ることである。
【００８９】図１１（ａ）は、図１２の各層に対応する
パターンの平面図を、便宜上実線で、示したものであ
り、図中の符号は、図１２の同一部分には同一の符号を
付してある。別の符号として、１２０Ｂはソースバス電
極、１４０Ｂはゲートバス電極である。また、符号１５
５Ｐ，１５５Ｑで囲まれた領域１５５はＴＦＴの保護膜
であり、符号１５５Ｒが帯状の絶縁膜の平面パターンで
ある。図中のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分は、それぞれ図
１２の断面図のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分に対応するも
のである。
パターンの平面図を、便宜上実線で、示したものであ
り、図中の符号は、図１２の同一部分には同一の符号を
付してある。別の符号として、１２０Ｂはソースバス電
極、１４０Ｂはゲートバス電極である。また、符号１５
５Ｐ，１５５Ｑで囲まれた領域１５５はＴＦＴの保護膜
であり、符号１５５Ｒが帯状の絶縁膜の平面パターンで
ある。図中のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分は、それぞれ図
１２の断面図のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分に対応するも
のである。
【００９０】図１２に示した帯状の絶縁膜１５５Ｒと配
向膜１６０Ａ，１６０Ｂ，２６０Ａ，２６０Ｂとが形成
されたカラーＴＦＴ液晶表示装置においては、液晶１７
０が同図に示すような方向に配向し、二つのドメインが
安定に形成される。このような作用・効果は、第６実施
形態の場合と同様である。
向膜１６０Ａ，１６０Ｂ，２６０Ａ，２６０Ｂとが形成
されたカラーＴＦＴ液晶表示装置においては、液晶１７
０が同図に示すような方向に配向し、二つのドメインが
安定に形成される。このような作用・効果は、第６実施
形態の場合と同様である。
【００９１】さらに、上下方向および左右方向の視角特
性も、第６実施形態の場合と同様に、図３と同等の特性
を示す。 〔第８実施形態〕第８実施形態は、第６実施形態の構成
をカラーＴＦＴ液晶表示装置のＣＦ側の基板上に具体化
したもので、その断面図を図１３に、平面図を図１１
（ｂ）に示した。本実施形態は、帯状の絶縁膜の位置、
材料と形成方法が第７実施形態とは異なるものである。
性も、第６実施形態の場合と同様に、図３と同等の特性
を示す。 〔第８実施形態〕第８実施形態は、第６実施形態の構成
をカラーＴＦＴ液晶表示装置のＣＦ側の基板上に具体化
したもので、その断面図を図１３に、平面図を図１１
（ｂ）に示した。本実施形態は、帯状の絶縁膜の位置、
材料と形成方法が第７実施形態とは異なるものである。
【００９２】本実施形態においては、帯状の絶縁膜２
２２ＲがＣＦ基板２１０Ｓ側にあり、ＴＦＴ基板１１０
Ｓ側には無いこと、帯状の絶縁膜２２２Ｒを構成する
ために、ブラックマトリクスと同一の層を用いること、
の２点に特徴がある。従って、ＴＦＴ基板１１０Ｓ側
は、帯状の絶縁膜１５５Ｒ以外の構成は第７実施形態と
同一であり、一方、ＣＦ基板２１０Ｓ側の構成は次のよ
うに異なったものとなっている。
２２ＲがＣＦ基板２１０Ｓ側にあり、ＴＦＴ基板１１０
Ｓ側には無いこと、帯状の絶縁膜２２２Ｒを構成する
ために、ブラックマトリクスと同一の層を用いること、
の２点に特徴がある。従って、ＴＦＴ基板１１０Ｓ側
は、帯状の絶縁膜１５５Ｒ以外の構成は第７実施形態と
同一であり、一方、ＣＦ基板２１０Ｓ側の構成は次のよ
うに異なったものとなっている。
【００９３】ＣＦ基板２１０Ｓにおいて、ブラックマト
リクス層２２１，２２２は、第７実施形態においては基
板表面に形成していたが、本実施形態においてはブラッ
クマトリクス層２２２を対向電極２５０の上に形成する
構成としている。このブラックマトリクス層２２２は、
まずその形成材料（例えば、カーボンブラックを添加し
た樹脂）を全面に配設し、ホトリソグラフィで所定の形
状にパターニングして形成している。このパターニング
の際、画素のほぼ中央部にも帯状のパターンが残るよう
にパターニングすることで、同時に、帯状の絶縁膜２２
２Ｒを形成している。従って、ブラックマトリクス層２
２２を活用して工程数を増やすことなく帯状の絶縁膜２
２２Ｒを実現することができる。
リクス層２２１，２２２は、第７実施形態においては基
板表面に形成していたが、本実施形態においてはブラッ
クマトリクス層２２２を対向電極２５０の上に形成する
構成としている。このブラックマトリクス層２２２は、
まずその形成材料（例えば、カーボンブラックを添加し
た樹脂）を全面に配設し、ホトリソグラフィで所定の形
状にパターニングして形成している。このパターニング
の際、画素のほぼ中央部にも帯状のパターンが残るよう
にパターニングすることで、同時に、帯状の絶縁膜２２
２Ｒを形成している。従って、ブラックマトリクス層２
２２を活用して工程数を増やすことなく帯状の絶縁膜２
２２Ｒを実現することができる。
【００９４】配向膜１６０Ａ，２６０Ａおよび配向膜１
６０Ｂ，２６０Ｂのプレチルト角をそれぞれα（８５
°），β（８９．５°）とし、ラビングは１６０Ａから
１６０Ｂの方向、および２６０Ｂから２６０Ａの方向に
向けて行った。
６０Ｂ，２６０Ｂのプレチルト角をそれぞれα（８５
°），β（８９．５°）とし、ラビングは１６０Ａから
１６０Ｂの方向、および２６０Ｂから２６０Ａの方向に
向けて行った。
【００９５】図１１（ｂ）は、図１３の各層に対応する
パターンの平面図を、便宜上実線で、示したものであ
り、図中の符号は、図１３の同一部分には同一の符号を
付してある。ただし、２点鎖線１５０は、位置関係を明
確にするために同図（ａ）の画素電極１５０を示したも
のである。また、２２１Ｐと２２１Ｑとで囲まれた領域
２２１は、ブラックマトリクスであり、符号２２２Ｒが
帯状の絶縁膜の平面パターンである。図中のＹ−Ｙ’の
部分は、図１３の断面図のＹ−Ｙ’の部分に対応するも
のである。（Ｙ−Ｙ’を折り曲げた線で示したのは、対
向基板側のＴＦＴの部分も含めて、対応する断面を示す
線とするためである。）本実施形態は、帯状の絶縁膜２
２２Ｒの位置が異なる点を除けば、基本的には第７実施
形態と同等のものであるため、その作用・効果および視
角特性等も第４実施形態のものと同等である。
パターンの平面図を、便宜上実線で、示したものであ
り、図中の符号は、図１３の同一部分には同一の符号を
付してある。ただし、２点鎖線１５０は、位置関係を明
確にするために同図（ａ）の画素電極１５０を示したも
のである。また、２２１Ｐと２２１Ｑとで囲まれた領域
２２１は、ブラックマトリクスであり、符号２２２Ｒが
帯状の絶縁膜の平面パターンである。図中のＹ−Ｙ’の
部分は、図１３の断面図のＹ−Ｙ’の部分に対応するも
のである。（Ｙ−Ｙ’を折り曲げた線で示したのは、対
向基板側のＴＦＴの部分も含めて、対応する断面を示す
線とするためである。）本実施形態は、帯状の絶縁膜２
２２Ｒの位置が異なる点を除けば、基本的には第７実施
形態と同等のものであるため、その作用・効果および視
角特性等も第４実施形態のものと同等である。
【００９６】以上の実施形態は、ＴＦＴを用いた液晶表
示装置を中心に説明したが、ＴＦＴ以外にＭＩＭ素子、
ダイオード等の駆動素子を有する液晶表示装置や、単純
マトリクス構成の液晶表示装置、固定パターン方式の液
晶表示装置等にも適用できることは勿論である。
示装置を中心に説明したが、ＴＦＴ以外にＭＩＭ素子、
ダイオード等の駆動素子を有する液晶表示装置や、単純
マトリクス構成の液晶表示装置、固定パターン方式の液
晶表示装置等にも適用できることは勿論である。
【００９７】
【発明の効果】請求項１乃至２記載の発明によれば、プ
レチルト角の異なる複数の微小領域からなる垂直配向膜
を有する垂直配向型液晶表示装置において、隣接するド
メインの境界部分に配向安定化領域を有する構成とする
ことにより、印加電圧レベル等の状態にかかわらず、所
定のドメインを安定に維持する液晶表示装置を実現する
ことができる。従って、広視野角でコントラストの高い
液晶表示装置を安定に実現することができる。
レチルト角の異なる複数の微小領域からなる垂直配向膜
を有する垂直配向型液晶表示装置において、隣接するド
メインの境界部分に配向安定化領域を有する構成とする
ことにより、印加電圧レベル等の状態にかかわらず、所
定のドメインを安定に維持する液晶表示装置を実現する
ことができる。従って、広視野角でコントラストの高い
液晶表示装置を安定に実現することができる。
【００９８】請求項３乃至６記載の発明によれば、隣接
するドメインの境界部分でプレチルト角の大きい配向膜
同士が対向する構成とすることにより、上記の配向安定
化領域を適確に構成することができる。さらに、このよ
うな構成を、プレチルト角の異なる配向膜の境界部分を
上下基板でずらして対向させる、あるいは配向膜の窪み
や配向膜の下地膜を活用することにより、容易に実現す
ることができる。
するドメインの境界部分でプレチルト角の大きい配向膜
同士が対向する構成とすることにより、上記の配向安定
化領域を適確に構成することができる。さらに、このよ
うな構成を、プレチルト角の異なる配向膜の境界部分を
上下基板でずらして対向させる、あるいは配向膜の窪み
や配向膜の下地膜を活用することにより、容易に実現す
ることができる。
【００９９】請求項７乃至８記載の発明によれば、広視
野角液晶表示装置を実現するための配向膜の窪みを、カ
ラーフィルタの層または駆動素子（ＴＦＴ等）の保護膜
を活用して、工程数を増やすことなく簡便に実現するこ
とができる。
野角液晶表示装置を実現するための配向膜の窪みを、カ
ラーフィルタの層または駆動素子（ＴＦＴ等）の保護膜
を活用して、工程数を増やすことなく簡便に実現するこ
とができる。
【０１００】請求項９乃至１１記載の発明によれば、隣
接するドメインの境界部分において、電極上に帯状の絶
縁膜を配設することにより、上記の配向安定化領域を適
確に構成することができる。
接するドメインの境界部分において、電極上に帯状の絶
縁膜を配設することにより、上記の配向安定化領域を適
確に構成することができる。
【０１０１】請求項１２乃至１３記載の発明によれば、
上記のような広視野角の液晶表示装置を実現するための
帯状の絶縁膜を、ブラックマトリクスの層または駆動素
子（ＴＦＴ等）の保護膜を活用して、工程数を増やすこ
となく簡便に実現することができる。
上記のような広視野角の液晶表示装置を実現するための
帯状の絶縁膜を、ブラックマトリクスの層または駆動素
子（ＴＦＴ等）の保護膜を活用して、工程数を増やすこ
となく簡便に実現することができる。
【０１０２】請求項１４記載の発明によれば、広視野角
液晶表示装置を実現するためのプレチルト角の異なる複
数の微小領域からなる配向膜を、紫外線照射の方法で容
易に実現することができる。
液晶表示装置を実現するためのプレチルト角の異なる複
数の微小領域からなる配向膜を、紫外線照射の方法で容
易に実現することができる。
【図１】 第１実施形態（ｂ）、とその比較例（ａ）、
とを示す断面図
とを示す断面図
【図２】 紫外線（ＵＶ）照射時間とプレチルト角との
関係を示す図
関係を示す図
【図３】 第１実施形態の液晶表示装置の視角特性を示
す図（ツイスト角１０°）
す図（ツイスト角１０°）
【図４】 第２実施形態を示す断面図
【図５】 ラビング押し込み量とプレチルト角との関係
を示す図
を示す図
【図６】 第３実施形態を示す断面図
【図７】 第４実施形態（ａ）、および第５実施形態
（ｂ）、を示す平面図
（ｂ）、を示す平面図
【図８】 第４実施形態を示す断面図
【図９】 第５実施形態を示す断面図
【図１０】 第６実施形態を示す断面図
【図１１】 第７実施形態（ａ）、および第８実施形態
（ｂ）、を示す平面図
（ｂ）、を示す平面図
【図１２】 第７実施形態を示す断面図
【図１３】 第８実施形態を示す断面図
【図１４】 一つの従来例（囲い電極電界制御法による
垂直配向型液晶表示装置）の構成を示す図
垂直配向型液晶表示装置）の構成を示す図
【図１５】 他の従来例（配向分割による垂直配向型液
晶表示装置）の構成を示す図
晶表示装置）の構成を示す図
【図１６】 図１５の液晶表示装置の断面図
【図１７】 図１５〜１６の液晶表示装置の動作を説明
する図
する図
１２，１４ ガラス基板 ２２，２６ 透明電極、電極 ４０ 液晶、液晶層 ４１ 下地膜 ４３ 絶縁膜 ４４Ａ，４４Ｂ，４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄ 配
向膜 ４４ｈ，４４ｋ 配向膜 ４５ 電界 ４８Ａ，４８Ｂ，４８ａ，４８ｂ，４８ａ，４８ｂ 配
向膜 １１１，２１１ 偏光板 １１０，２１０ ガラス基板 １１０Ｓ ＴＦＴ基板 １２０ ソース電極 １３０ ドレイン電極 １４０ ゲート電極 １５０ 画素電極、透明電極 １５５ 保護膜 １５５Ｒ 帯状の絶縁膜 １５５Ｈ 切り欠き部、窪み １６０Ａ，１６０Ｂ，１６０ｈ 配向膜 ２１０Ｓ ＣＦ基板 ２２０ ＣＦ、カラーフィルタ、ＣＦ層 ２２０Ｈ 切り欠き部、窪み ２２１，２２２ ＢＭ、ブラックマトリクス、ブラック
マトリクス層 ２２２Ｒ 帯状の絶縁膜 ２５０ 対向電極、透明電極 ２６０Ａ，２６０Ｂ，２６０ｈ 配向膜 α、β、γ プレチルト角 Ａ，Ｂ 領域、ドメイン Ｈ 窪み Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４ 配向安定化領域、境界部分
向膜 ４４ｈ，４４ｋ 配向膜 ４５ 電界 ４８Ａ，４８Ｂ，４８ａ，４８ｂ，４８ａ，４８ｂ 配
向膜 １１１，２１１ 偏光板 １１０，２１０ ガラス基板 １１０Ｓ ＴＦＴ基板 １２０ ソース電極 １３０ ドレイン電極 １４０ ゲート電極 １５０ 画素電極、透明電極 １５５ 保護膜 １５５Ｒ 帯状の絶縁膜 １５５Ｈ 切り欠き部、窪み １６０Ａ，１６０Ｂ，１６０ｈ 配向膜 ２１０Ｓ ＣＦ基板 ２２０ ＣＦ、カラーフィルタ、ＣＦ層 ２２０Ｈ 切り欠き部、窪み ２２１，２２２ ＢＭ、ブラックマトリクス、ブラック
マトリクス層 ２２２Ｒ 帯状の絶縁膜 ２５０ 対向電極、透明電極 ２６０Ａ，２６０Ｂ，２６０ｈ 配向膜 α、β、γ プレチルト角 Ａ，Ｂ 領域、ドメイン Ｈ 窪み Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４ 配向安定化領域、境界部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 貴啓 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 武田 有広 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 対向して配置された一対の基板の内面上
に配設された電極と、配向膜と、該一対の基板の間隙に
封入され負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶
表示装置であって、 該配向膜は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜であ
り、かつプレチルト角の異なる複数の微小領域を有する
ものであり、 該液晶は、該電極により印加電圧が制御され、該印加電
圧がオフレベルにおいて分子が略垂直に配向し、該印加
電圧がオンレベルにおいて、分子が基板面側に倒れて配
向することで該微小領域に対応するドメインを形成する
ものであり、 隣接する該ドメインの境界部分に、配向安定化領域を有
することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記配向安定化領域は、前記印加電圧が
オンレベル時において、前記液晶の配向を、前記印加電
圧がオフレベル時の略垂直な配向に維持しようとする請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記配向安定化領域は、前記一対の基板
間でプレチルト角の大きい配向膜同士が対向している請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記配向膜は、前記境界部分に窪みを有
する請求項３記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記配向膜は、前記境界部分に、該配向
膜のプレチルト角を大きくする下地膜を有する請求項３
記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 プレチルト角の大きい前記配向膜同士が
対向している部分の幅が、５〜２０μｍの範囲である請
求項３記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記一対の基板の一方は、複数の前記ド
メインからなる表示セルに対応したカラーフィルタを有
するものであり、 前記窪みは、該カラーフィルタの層に形成されている請
求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記一対の基板の一方は、複数の前記ド
メインからなる表示セルの印加電圧を制御する駆動素子
を有するものであり、 前記窪みは、該駆動素子を被覆する保護膜の層に形成さ
れている請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記配向安定化領域は、前記電極と配向
膜との間に絶縁膜が設けられている請求項１記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１０】 前記絶縁膜は、０．２〜２μｍの厚み
を有する請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記絶縁膜は、少なくとも１０12Ωｃ
ｍの比抵抗を有する請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記一対の基板の一方は、各表示セル
の外縁部を不透明または低反射率にする暗色部材を有す
るものであり、 前記絶縁膜は、該暗色部材と同一の部材で形成されてい
る請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 前記一対の基板の一方は、各表示セル
の印加電圧を制御する駆動素子を有するものであり、 前記絶縁膜は、該駆動素子を保護する保護膜と同一の部
材で形成されている請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１４】 前記配向膜は、複数の前記微小領域の
プレチルト角に対応した異なる強度の紫外光が照射され
ることで、所定のプレチルト角が形成されたものである
請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24762396A JP3649818B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 液晶表示装置 |
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