JPH1097962A - 処理装置及び処理システム - Google Patents

処理装置及び処理システム

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JPH1097962A
JPH1097962A JP26921396A JP26921396A JPH1097962A JP H1097962 A JPH1097962 A JP H1097962A JP 26921396 A JP26921396 A JP 26921396A JP 26921396 A JP26921396 A JP 26921396A JP H1097962 A JPH1097962 A JP H1097962A
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main body
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apparatus main
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Masahiro Miyashita
正弘 宮下
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリ−ン度の高い第1の部屋の有効利用を図
ること。また処理装置本体側の用力ラインと用力設備の
用力ラインとの接続を容易にすること。 【解決手段】 クリ−ン度の高い第1の部屋S1に装置
本体2を設け、当該部屋の下部に設けられた第2の部屋
S2に用力設備(ユ−ティリティボックス3及びポンプ
ボックス4)を設ける。第1の部屋S1と第2の部屋S
2とを区画する床部5に中継ユニット6を第2の部屋S
2の空気が第1の部屋S1に流れ込まないように設け、
第1の部屋S1側(装置本体2側)の用力ラインと第2
の部屋S2側(用力設備側)の用力ラインとを中継ユニ
ット6に対して着脱自在に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体ウエハ
などの被処理体に対して、熱処理等の処理を行う処理装
置及び処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)
の製造プロセスの1つとして、酸化膜の形成やド−パン
トの拡散などを行うために高温下で熱処理を行うプロセ
スがある。このような熱処理を行なう熱処理装置は、例
えば図10に示すように装置本体1とユ−ティリティボ
ックス11とポンプボックス12とから構成されてお
り、装置本体1は外部との間でウエハカセットCを搬入
出する入出力ポ−ト13、ウエハカセットCとウエハボ
−ト14との間でウエハの受け渡しを行なう図示しない
ウエハ移載機構、ウエハボ−ト14が搬入されて熱処理
を行なう熱処理炉15などを備えている。
【0003】またユ−ティリティボックス11は電気系
統部品を収納した電気系ユニット16、装置本体1に処
理ガスやパ−ジガス等を供給するためのガス供給ユニッ
ト17などを備えており、ポンプボックス12は熱処理
炉14内を排気するための真空ポンプ等を備えている。
ポンプボックス12は排気管12a、前記電気系ユニッ
ト16はケ−ブル16a、ガス供給ユニット17はガス
配管17aにより、装置本体1内部の各部と接続されて
いる。
【0004】ここで半導体製造工場では、ウエハへのパ
ーティクルの付着を防止するためにフィルタなどの特別
な構造を備えたクリ−ン度の高い領域が設けられてい
る。そして上述の熱処理装置では、このクリ−ン度の高
い領域をクリ−ンル−ムCRと、クリ−ンル−ムCRよ
りはクリ−ン度が低いメンテナンスル−ムMRとに区画
し、クリ−ンル−ムCRにてウエハを管理する一方、メ
ンテナンスル−ムMRにて装置のメンテナンスを行なう
ようにしている。
【0005】具体的には熱処理装置はクリ−ンル−ムC
Rとメンテナンスル−ムMRとの間に設置され、クリ−
ンル−ムCR側からウエハカセットCを搬入出するよう
に装置本体1のクリ−ンル−ムCR側の面に前記入出力
ポ−ト13が設けられると共に、前記ユ−ティリティボ
ックス11はメンテナンスル−ムMRに設置されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとしている課題】ところで上述のク
リ−ンル−ムCRは、室空間の塵埃を高性能フィルタに
より除去することにより清浄化し、同時に温度や湿度を
要求された値に保つために制御された室である。このた
め密閉性が必要であると共に、高性能フィルタやエア循
環手段、温度や湿度の制御手段などの特別の設備が高価
であるため、クリ−ンル−ムCRを設置するためのコス
トが高く、維持管理のためのランニングコストも高い。
【0007】またメンテナンスル−ムMRについても、
ウエハが置かれる雰囲気ほどの高いクリ−ン度は必要で
ないにしてもかなり高いクリ−ン度が要求されるので、
やはり設置するためのコストやランニングコストは高く
なる。これはメンテナンス時にボ−トエレベ−タやウエ
ハ移載ア−ムの調整などを行うためにメンテナンスル−
ムMRと装置本体1内の移載領域との間をオペレ−タが
出入りし、これによりメンテナンスル−ムMRからクリ
−ンル−ムCRにエアが入り込み、また装置本体1内の
クリ−ン度を高めるため、メンテナンスル−ムMRから
フィルタを介して装置本体1内にエアを取り込み、これ
を清浄エアとして装置本体1内に循環させているからで
ある。
【0008】このように半導体製造工場では、作業雰囲
気の確保のためのコストが本来高く、しかもウエハは大
口径化しつつあり、これに合わせて装置本体1やユ−テ
ィリティボックス11、ポンプボックス12も大型化
し、同一フロアでみれば装置の設置台数が減ってしまう
ので、処理単価が今まで以上に高くなってしまうという
問題がある。
【0009】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的はユ−ティリティボックスやポン
プボックスをクリ−ンル−ムCRやメンテナンスル−ム
MRと隔離して設置することにより、クリ−ン度の高い
部屋の有効利用を図り、処理コストを低減することがで
きる処理装置及び処理システムを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、被処
理体を処理するための処理部とこの処理部に対して被処
理体の移載が行われる移載領域とを含み、クリ−ン度の
高い部屋に設けられた処理装置本体と、この処理装置本
体に用力ラインを介して接続された用力設備と、を備え
た処理装置において、前記用力設備を、前記部屋から隔
離された部屋例えば前記部屋に対して上方側又は下方側
に区画された部屋に設けたことを特徴とする。
【0011】ここで例えば用力設備は、ガス供給設備、
ガス排気設備及び電気系統設備を含み、この用力設備の
用力ラインは、処理装置本体が置かれる部屋と、用力設
備が置かれる部屋とを区画する壁部に設けられた中継部
に対して、処理装置本体側の用力ラインと用力設備側の
用力ラインとを着脱自在に接続することとにより接続さ
れる。
【0012】また本発明は、クリ−ン度の高い第1の部
屋と、被処理体を処理するための処理部とこの処理部に
対して被処理体の移載が行われる移載領域とを含み、前
記第1の部屋に設けられた複数の処理装置本体と、前記
第1の部屋に対して上方側又は下方側に区画して設けら
れた第2の部屋と、この第2の部屋に設けられ、前記処
理装置本体に用力ラインを介して接続された用力設備
と、を備える処理システムとして構成してもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明を縦型熱処理装置に適用し
た実施の形態について説明するが、先ずこの実施の形態
の構想について述べておく。従来熱処理装置では、ウエ
ハはクリ−ンル−ム側から装置本体内に搬入され、熱処
理後はまたクリ−ンル−ムへ搬出されていく。このため
装置本体はクリ−ン度の高い領域に配置する必要はある
が、ユ−ティリティボックスやポンプボックスへはウエ
ハは搬入されないため、これら用力設備自体をクリ−ン
度の高い領域に配置する必要はなく、別の領域に設置す
れば、この設置領域分メンテナンスル−ムを小さくした
り、あるいは有効に使用することができる。本実施の形
態ではこの点に着目して装置を構成している。
【0014】この実施の形態に係る縦型熱処理装置は、
図1及び図2に示すように処理装置本体例えば装置本体
2と、ユ−ティリティボックス3と、ポンプボックス4
とを備えている。前記装置本体2は図示しない清浄設備
が付設されたクリ−ン度が高い部屋である第1の部屋S
1内に設けられている。
【0015】前記第1の部屋S1はクリ−ンル−ムCR
と、メンテナンスル−ムMRとに仕切り板51により仕
切られており、装置本体2は第1クリ−ンル−ムCRと
メンテナンスル−ムMRとに亘って設置されていて、ウ
エハカセットCの入出力ポ−トをなすカセットステ−ジ
21が設けられた前面部がクリ−ンル−ムCR内に位置
している。
【0016】この装置本体2内の各部について図3を参
照しながら簡単に説明すると、前記カセットステ−ジ2
1は回転軸21aにより奥側に90度倒れるようにつま
りカセットC内の縦置きのウエハが水平になるように構
成される。カセットステ−ジ21の後方にはカセット搬
送機構22の搬送路を介して、上側にストッカ23、下
側に中間ステ−ジ24が配設されている。
【0017】中間ステ−ジ24の後方側には、ウエハ移
載手段25を介して、ウエハ保持具であるウエハボ−ト
26が設けられている。このウエハボ−ト26は多数枚
のウエハを夫々水平に棚状に配列保持できるように構成
され、ボ−トエレベ−タ27の上に保温筒28を介して
載置されている。ウエハボ−ト26の上方には処理部例
えば熱処理炉29が配設されており、ボ−トエレベ−タ
27が上昇してウエハボ−ト26が熱処理炉29内に搬
入されることとなる。
【0018】前記メンテナンスル−ムMRはクリ−ンル
−ムCRよりはクリ−ン度が低く構成されており、装置
本体2内のウエハ移載領域との間に図示しないドア部が
設けられていて、熱処理装置のメンテナンス時例えばボ
−トエレベ−タやウエハ移載ア−ムの調整などを行うと
きに、オペレ−タがメンテナンスル−ムMRから装置本
体2内に出入りできるように構成されている。
【0019】前記ユ−ティリティボックス3とポンプボ
ックス4とは用力設備をなすものであり、これらは装置
本体2が設けられた第1の部屋S1とは隔離された第2
の部屋に設けられている。この第2の部屋S2は第1の
部屋S1の床部5の例えば下方側領域に形成されてお
り、清浄設備は付設されてなくクリ−ンル−ムとしては
構成されていない。
【0020】前記ユ−ティリティボックス3は内部に、
熱処理炉29内に処理ガスやパ−ジ用の非酸化ガスを供
給するためのバルブ、流量計などを備えたガス供給部を
なすガス供給ユニット31と、装置全体の動力を供給す
る電力供給部及び搬送系やヒ−タの制御回路等の電気系
統部品を備えた電気系統設備をなす電気系ユニット32
と、熱処理炉29内を冷却するための冷却水ユニット3
3等を備えている。またポンプボックス4はガス排気設
備をなすものであり、熱処理炉29内を真空排気するた
めの真空ポンプ等を備えている。
【0021】前記用力設備と装置本体2とは、排気管、
ガス供給管群、ケ−ブル群及び冷却水通水管等の用力ラ
インで接続されるが、この例では第1の部屋S1と第2
の部屋S2とを区画する区画壁である床部5(第2の部
屋S2からみると天井部)に用力ラインの中継部である
中継ユニット6を設け、第1の部屋S1側の用力ライン
即ち排気管41b、ガス供給管群31b,ケ−ブル群3
2b、冷却水通水管33bと第2の部屋S2側の用力ラ
イン(排気管41a、ガス供給管群31a,ケ−ブル群
32a、冷却水通水管33a)とを、中継ユニット6に
対して着脱自在に接続している。
【0022】前記中継ユニット6はユニット本体60内
に中継用の用力ライン(排気管61、ガス供給管群6
2、ケ−ブル群63、冷却水通水管64)を上下方向に
貫通させ、ユニット本体60の上下両端部から前記用力
ラインの両端部が突出するように設けて構成されてい
る。前記ユニット本体60は例えば左右両端にフランジ
部65a,65bを備え、床板5に形成された開口部5
2に着脱自在に挿入されて、第2の部屋S2の空気が第
1の部屋S1に流れ込まないように構成されている。
【0023】そして上述の装置本体2を複数備えた処理
システムは例えば図6に示すように構成され、例えば複
数の装置本体2が同一フロアの第1の部屋S1内に横に
並べて配設されており、各装置本体2に対応するユ−テ
ィリティボックス3等が例えば地下室である第2の部屋
S2に並べて配設されている。
【0024】次に上述の実施の形態の作用について説明
する。中継ユニット6では、図5に示すように、中継用
の用力ラインの上部側の接続端部に、第1の部屋S1に
おいて装置本体2側の用力ラインが接続され、同様に中
継用の用力ラインの下部側の接続端部に、第2の部屋S
2において用力設備側の用力ラインが接続される。こう
して第1の部屋S1に置かれた装置本体2の各機構と第
2の部屋S2に置かれた用力設備とが用力ラインにより
接続される。
【0025】そして装置本体2の各機構は電気系ユニッ
ト32により電力が供給されて駆動され、また電気系ユ
ニット32との間で信号の授受が行われる。そして所定
のプロセス条件に基づいて熱処理炉29内がポンプボッ
クス4内の真空ポンプにより所定の圧力まで排気され、
熱処理炉29内にガス供給ユニット31により所定の処
理ガスやパ−ジガスが所定の流量で供給される。
【0026】熱処理装置の動作については先ずウエハW
が収納されたウエハカセットCが外部からカセットステ
−ジ21に搬入され、カセット搬送機構22により中間
ステ−ジ24に搬送される。その後ウエハ移載手段25
によりウエハカセットC内からウエハWがウエハボ−ト
26に移載され、ウエハボ−ト26に所定枚数例えば1
00枚搭載された後ボ−トエレベ−タ27によりウエハ
ボ−ト26が熱処理炉29内に搬入される。熱処理炉2
9内ではプロセス条件に基づいて所定の熱処理が行われ
る。
【0027】このような熱処理装置では、第1の部屋S
1をクリ−ン度が高い部屋とすると共に第2の部屋S2
を第1の部屋S1とは隔離して地下に設け、クリ−ン度
の高い部屋に置かれる必要のある装置本体2のみを第1
の部屋S1に設置し、クリ−ン度が高い部屋に置かれる
必要のないユ−ティリティボックス3やポンプボックス
4は地下室である第2の部屋S2に設置している。
【0028】このため用力設備(ユ−ティリティボック
ス3やポンプボックス4)も装置本体2と同一フロアの
クリ−ン度が高い部屋に設けられていた従来の熱処理装
置に比べて、用力設備の設置分、熱処理装置の設置に必
要なクリ−ン度の高い部屋を小さくすることができ、こ
れによりクリ−ン度の高い部屋の設置コストや維持管理
のためのランニングコストを低くすることができる。
【0029】またクリ−ン度の高い部屋が予め区画され
ている場合には、この部屋に設置される装置台数を多く
することができるので、クリ−ン度の高い部屋を有効利
用することができ、これによりこの部屋のランニングコ
ストをも含めた熱処理装置1台当たりの運転コストを低
減することができる。このことは設置台数が同じであれ
ば、従来のシステムに比べてクリ−ンル−ムのスペ−ス
を狭くできることを意味する。
【0030】さらに中継ユニット60を介して各部屋S
1、S2の用力ラインが互いに着脱自在に接続されてい
るので、装置本体2及び用力設備各々のメンテナンスを
容易に行なうことができる。
【0031】続いて本発明の第2の実施の形態について
説明する。本実施の形態の形態が上述の第1の実施の形
態と異なる点は、ウエハカセットを図7に示すようなク
ロ−ズ型カセット7(以下カセット7という)としたこ
とにある。このカセット7について簡単に説明すると、
このカセット7は例えば13枚のウエハW1を棚状に保
持するようにウエハ保持部70が多段に形成されたカセ
ット本体71と、このカセット本体71のウエハ取り出
し口である開口部72を気密に塞ぐための蓋体73とを
備えている。
【0032】前記蓋体73はカセット本体71の開口部
72の内側に入り込むように設けられており、また蓋体
73には例えば2か所に鍵穴74が設けられていて、こ
の鍵穴74にキ−75を挿入して回すことにより、蓋体
73の上端と下端とから例えば4本のロックピン76が
突出してカセット本体71に蓋体73が固定されるよう
に構成されている。
【0033】このようなカセット7を用いる場合には、
装置本体8は例えば図8及び図9に示すように構成され
る。この装置本体8はクリ−ン度の高い部屋である第1
の部屋S1に設けられるが、第1の部屋S1はクリ−ン
ル−ムCRとメンテナンスル−ムMRとに区画されおら
ず、従来のオ−プン型カセットを用いていた場合のクリ
−ン度よりは低い、いわば中程度のクリ−ン度に維持さ
れている。
【0034】このような構成の熱処理装置では、装置本
体8の常時は蓋体で閉じられている受け渡し口81aに
外部からカセット7が装着され、カセット7の蓋体73
と受け渡し口81aの蓋体とを図示しない開閉機構によ
り開き、この後カセット7内のウエハがウエハ移載手段
85によりウエハボ−ト83、84に移載され、このウ
エハボ−ト83、84がボ−トエレベ−タ83a,84
aにより熱処理炉82内に交互に搬入されて所定の熱処
理が行われる。
【0035】本実施の形態においては、装置本体8内の
移載領域(ウエハ移載手段85の移載領域及びウエハボ
−ト83、84の移動領域)を外部から区画すると共
に、カセット7自体を蓋体を設けたクロ−ズ型とし、装
置本体8内やカセット7内にパーティクルが入り込まな
いようにしているため、装置本体8内はクリ−ン度が高
くなければならないが、第1の部屋S1自体は上述のよ
うに中程度のクリ−ン度でよい。従って高度のクリ−ン
度が必要である場合に比べて、第1の部屋S1の設置コ
ストやランニングコストが低いため、ユ−ティリティボ
ックス3やポンプボックス4を第2の部屋S2に設ける
ことにより第1の部屋S1を小さくすることができれ
ば、第1の部屋S1の設置コストやランニングコストを
より低減することができる。
【0036】以上において本発明では、クリ−ン度の高
い第1の部屋の上部に前記部屋とは区画された第2の部
屋を設け、第1の部屋に処理装置本体を設置し、第2の
部屋に用力設備を設置するようにしてもよいし、第2の
部屋は第1の部屋と同一フロアに設けられていてもよ
い。また第1の部屋に複数の処理装置本体を設置する場
合に、2体あるいは3体の処理装置本体に共通の用力設
備を第2の部屋に設置するようにしてもよい。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、クリ−ン度の高い部屋
の有効利用を図ることができる。また中継部を設けるこ
とにより処理装置本体側の用力ラインと用力設備側の用
力ラインとを容易に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を熱処理装置に適用した場合の実施の形
態に係る熱処理装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る熱処理装置を示す側
面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る熱処理装置の装置本
体を示す側面図である。
【図4】中継ユニットを示す斜視図である。
【図5】中継ユニットを示す断面図である。
【図6】本発明の熱処理システムを示す斜視図である。
【図7】クロ−ズ型カセットを示す斜視図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態に係る熱処理装置を
示す斜視図である。
【図9】本発明の第2の実施の形態に係る熱処理装置を
示す平面図である。
【図10】従来の熱処理装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
2、8 装置本体 29 熱処理炉 3 ユ−ティリティボックス 31 ガス供給ユニット 32 電気系ユニット 33 冷却水ユニット 4 ポンプボックス 5 床部 6 中継ユニット 7 クロ−ズ型カセット S1 第1の部屋 S2 第2の部屋

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を処理するための処理部とこの
    処理部に対して被処理体の移載が行われる移載領域とを
    含み、クリ−ン度の高い部屋に設けられた処理装置本体
    と、この処理装置本体に用力ラインを介して接続された
    用力設備と、を備えた処理装置において、 前記用力設備を、前記部屋から隔離された部屋に設けた
    ことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 被処理体を処理するための処理部とこの
    処理部に対して被処理体の移載が行われる移載領域とを
    含み、クリ−ン度の高い部屋に設けられた処理装置本体
    と、この処理装置本体に用力ラインを介して接続された
    用力設備と、を備えた処理装置において、 前記用力設備を、前記部屋に対して上方側又は下方側に
    区画された部屋に設けたことを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項3】 用力設備は、ガス供給設備、ガス排気設
    備及び電気系統設備を含むことを特徴とする請求項1又
    は2記載の処理装置。
  4. 【請求項4】 処理装置本体が置かれる部屋と、用力設
    備が置かれる部屋とを区画する壁部に用力ラインの中継
    部を設け、処理装置本体側の用力ラインと用力設備側の
    用力ラインとを前記中継部に対して着脱自在に接続した
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
  5. 【請求項5】 クリ−ン度の高い第1の部屋と、 被処理体を処理するための処理部とこの処理部に対して
    被処理体の移載が行われる移載領域とを含み、前記第1
    の部屋に設けられた複数の処理装置本体と、 前記第1の部屋に対して上方側又は下方側に区画された
    第2の部屋と、 この第2の部屋に設けられ、前記処理装置本体に用力ラ
    インを介して接続された用力設備と、を備えたことを特
    徴とする処理システム。
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