JPH1097990A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH1097990A JPH1097990A JP9273678A JP27367897A JPH1097990A JP H1097990 A JPH1097990 A JP H1097990A JP 9273678 A JP9273678 A JP 9273678A JP 27367897 A JP27367897 A JP 27367897A JP H1097990 A JPH1097990 A JP H1097990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- inert gas
- exposure
- light source
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少量の不活性ガスによって光学素子の汚染を
防止可能な露光装置を提供する。 【解決手段】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
源１からの露光光として利用してウエハ４を露光する露
光装置において、光源１からウエハ４に至る露光光路中
に配置されるレンズ２ａ，２ｂの少なくとも一方の面側
を窒素ガス雰囲気とするための容器２ｄと、容器２ｄの
光源側端壁近傍から容器２ｄ内に不活性ガスを給気する
給気ライン８ａと、容器２ｄの基板側端壁近傍から容器
２ｄ内の窒素ガスを排気する排気ライン８ｈを有する。
防止可能な露光装置を提供する。 【解決手段】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
源１からの露光光として利用してウエハ４を露光する露
光装置において、光源１からウエハ４に至る露光光路中
に配置されるレンズ２ａ，２ｂの少なくとも一方の面側
を窒素ガス雰囲気とするための容器２ｄと、容器２ｄの
光源側端壁近傍から容器２ｄ内に不活性ガスを給気する
給気ライン８ａと、容器２ｄの基板側端壁近傍から容器
２ｄ内の窒素ガスを排気する排気ライン８ｈを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、雰囲気ガスを活性
化しやすい遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を露光光
として利用して基板を露光する露光装置に関するもので
ある。
化しやすい遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を露光光
として利用して基板を露光する露光装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造用の露光装置において、
遠紫外線やエキシマレーザ光を露光用の照明光とするも
のは知られている。一般に、強力な遠紫外線やエキシマ
レーザ光は雰囲気ガスを活性化しやすいので、これらの
露光装置では、光源レンズ系や投影レンズ系等の光学系
の周囲の雰囲気ガスの酸素や有機物等が露光光によって
活性化され、その化学反応によって該光学系の光学素子
の表面が汚染されることがある。そこで、このような露
光装置では、光学系を収納する容器の空気を窒素ガス等
の不活性ガスで置換することにより各光学素子の汚染を
防ぐことが、例えば特開平２−２１０８１３号公報で提
案されている。
遠紫外線やエキシマレーザ光を露光用の照明光とするも
のは知られている。一般に、強力な遠紫外線やエキシマ
レーザ光は雰囲気ガスを活性化しやすいので、これらの
露光装置では、光源レンズ系や投影レンズ系等の光学系
の周囲の雰囲気ガスの酸素や有機物等が露光光によって
活性化され、その化学反応によって該光学系の光学素子
の表面が汚染されることがある。そこで、このような露
光装置では、光学系を収納する容器の空気を窒素ガス等
の不活性ガスで置換することにより各光学素子の汚染を
防ぐことが、例えば特開平２−２１０８１３号公報で提
案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は、光学系を収容する容器への不活性ガスの供給につい
ての充分な配慮がなされておらず、露光光が通過しても
問題のない程度まで容器内の酸素や不純物を除去するた
めに不活性ガスを大量に消費していた。
は、光学系を収容する容器への不活性ガスの供給につい
ての充分な配慮がなされておらず、露光光が通過しても
問題のない程度まで容器内の酸素や不純物を除去するた
めに不活性ガスを大量に消費していた。
【０００４】本発明は、このような従来技術の未解決の
課題に鑑みなされたものであり、その目的は、少量の不
活性ガスによって光学素子の汚染を防止可能な露光装置
を提供することにある。
課題に鑑みなされたものであり、その目的は、少量の不
活性ガスによって光学素子の汚染を防止可能な露光装置
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、遠紫外線もしくはエキシマレーザ光
（レーザ光Ｌ1 ，Ｌ2 ）を光源（光源１）からの露光光
として利用して基板（ウエハ４）を露光する露光装置に
おいて、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配置
される光学素子（レンズ２ａ，２ｂ）の少なくとも一方
の面側を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気とするための容
器（容器２ｄ）と、前記容器の前記光源側の端壁近傍か
ら前記容器内に不活性ガスを給気する不活性ガス給気ラ
イン（給気ライン８ａ）と、前記容器の前記基板側の端
壁近傍から前記容器内の不活性ガスを排気する不活性ガ
ス排気ライン（排気ライン８ｈ）を有することを特徴と
している。
めに、本発明は、遠紫外線もしくはエキシマレーザ光
（レーザ光Ｌ1 ，Ｌ2 ）を光源（光源１）からの露光光
として利用して基板（ウエハ４）を露光する露光装置に
おいて、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配置
される光学素子（レンズ２ａ，２ｂ）の少なくとも一方
の面側を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気とするための容
器（容器２ｄ）と、前記容器の前記光源側の端壁近傍か
ら前記容器内に不活性ガスを給気する不活性ガス給気ラ
イン（給気ライン８ａ）と、前記容器の前記基板側の端
壁近傍から前記容器内の不活性ガスを排気する不活性ガ
ス排気ライン（排気ライン８ｈ）を有することを特徴と
している。
【０００６】また、前記露光光路に沿って前記容器の前
記基板側の端壁と前記不活性ガス排気ラインの前記容器
からの排気口の間には、前記容器内にその両面が不活性
ガス雰囲気となるように収容されている光学素子（レン
ズ２ａ）が位置しないように、前記不活性ガス排気ライ
ンの前記容器からの排気口を前記容器に対して配置する
とよいし、前記露光光路に沿って前記容器の前記光源側
の端壁と前記不活性ガス給気ラインの前記容器への吸気
口の間にも、容器内にその両面が不活性ガス雰囲気とな
るように収容されている光学素子が位置しないように、
前記不活性ガス給気ラインの前記容器への吸気口を前記
容器に対して配置するとさらによい。
記基板側の端壁と前記不活性ガス排気ラインの前記容器
からの排気口の間には、前記容器内にその両面が不活性
ガス雰囲気となるように収容されている光学素子（レン
ズ２ａ）が位置しないように、前記不活性ガス排気ライ
ンの前記容器からの排気口を前記容器に対して配置する
とよいし、前記露光光路に沿って前記容器の前記光源側
の端壁と前記不活性ガス給気ラインの前記容器への吸気
口の間にも、容器内にその両面が不活性ガス雰囲気とな
るように収容されている光学素子が位置しないように、
前記不活性ガス給気ラインの前記容器への吸気口を前記
容器に対して配置するとさらによい。
【０００７】また、前記前記不活性ガス給気ラインに
は、前記容器に吸気される不活性ガスの流量を制御する
ための可変弁（可変弁８ｃ）が設けられたり、前記露光
光路に沿って前記不活性ガス給気ラインの前記容器への
吸気口と前記不活性ガス排気ラインの前記容器からの排
気口の間には、前記容器内の酸素濃度を検出する酸素濃
度検出器（センサ８ｆ）が配置されたりしてもよい。
は、前記容器に吸気される不活性ガスの流量を制御する
ための可変弁（可変弁８ｃ）が設けられたり、前記露光
光路に沿って前記不活性ガス給気ラインの前記容器への
吸気口と前記不活性ガス排気ラインの前記容器からの排
気口の間には、前記容器内の酸素濃度を検出する酸素濃
度検出器（センサ８ｆ）が配置されたりしてもよい。
【０００８】
【作用】本発明の露光装置では、不活性ガスは容器の光
源側端壁近傍から容器の基板側端壁近傍に向けて容器内
を流れることになる。このため、本発明の露光装置によ
れば、より効率的に光学素子の各面を不活性ガス雰囲気
に置くことができ、不活性ガスの消費量を低減すること
ができる。
源側端壁近傍から容器の基板側端壁近傍に向けて容器内
を流れることになる。このため、本発明の露光装置によ
れば、より効率的に光学素子の各面を不活性ガス雰囲気
に置くことができ、不活性ガスの消費量を低減すること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１０】図１は、第１実施例を説明する説明図であ
って、本実施例の露光装置Ｅ1 は一般にステッパと呼ば
れる縮小投影型の半導体露光装置である。この装置は、
エキシマレーザからなる光源１と、光源１から発せられ
た照明光（露光光）であるレーザ光Ｌ1 を所定の形状の
光束に成形する光学系である光源レンズ系２と、光源レ
ンズ系２によって所定の形状に成形されたレーザ光Ｌ1
で照明されたレチクル３上のパターンを基板であるウエ
ハ４に結像させる投影レンズ系５を有する。光源１はそ
のレーザ出力を制御するレーザ制御装置６を有し、レー
ザ制御装置６は制御手段であるコントローラ７によって
制御される。
って、本実施例の露光装置Ｅ1 は一般にステッパと呼ば
れる縮小投影型の半導体露光装置である。この装置は、
エキシマレーザからなる光源１と、光源１から発せられ
た照明光（露光光）であるレーザ光Ｌ1 を所定の形状の
光束に成形する光学系である光源レンズ系２と、光源レ
ンズ系２によって所定の形状に成形されたレーザ光Ｌ1
で照明されたレチクル３上のパターンを基板であるウエ
ハ４に結像させる投影レンズ系５を有する。光源１はそ
のレーザ出力を制御するレーザ制御装置６を有し、レー
ザ制御装置６は制御手段であるコントローラ７によって
制御される。
【００１１】光源レンズ系２は、レーザ光Ｌ1 の露光光
路に沿って光源１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ1 を
所定の光束に成形するためのレンズ２ａ，２ｂを有し、
これらは少なくとも一方のレンズ面が容器２ｄ内のガス
雰囲気側となるように容器２ｄに収容され、容器２ｄは
露光光路に沿って光源１に対向する側の端壁に窓２ｅ有
している。また、容器２ｄはレチクル３（ウエハ４）に
対向する側の端壁でレンズ２ｂを保持し、レンズ２ｂは
レチクル３に向ってレーザ光Ｌ1 を放出する第２の窓を
兼ねている。
路に沿って光源１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ1 を
所定の光束に成形するためのレンズ２ａ，２ｂを有し、
これらは少なくとも一方のレンズ面が容器２ｄ内のガス
雰囲気側となるように容器２ｄに収容され、容器２ｄは
露光光路に沿って光源１に対向する側の端壁に窓２ｅ有
している。また、容器２ｄはレチクル３（ウエハ４）に
対向する側の端壁でレンズ２ｂを保持し、レンズ２ｂは
レチクル３に向ってレーザ光Ｌ1 を放出する第２の窓を
兼ねている。
【００１２】容器２ｄの内部空間２ｆに不活性ガスであ
る窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置８は、図示しな
い窒素ガス供給源から容器２ｄの内部空間２ｆに窒素ガ
スを供給する給気ライン８ａと、該給気ライン８ａに直
列に設けられた開閉弁である第１の電磁弁８ｂおよび可
変弁８ｃと、容器２ｄの内部空間２ｆから雰囲気ガスを
排出する排気ライン８ｈと、これに設けられた第２の電
磁弁８ｇと、容器２ｄの内部空問２ｆの酸素濃度を検出
するセンサ８ｆを有している。
る窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置８は、図示しな
い窒素ガス供給源から容器２ｄの内部空間２ｆに窒素ガ
スを供給する給気ライン８ａと、該給気ライン８ａに直
列に設けられた開閉弁である第１の電磁弁８ｂおよび可
変弁８ｃと、容器２ｄの内部空間２ｆから雰囲気ガスを
排出する排気ライン８ｈと、これに設けられた第２の電
磁弁８ｇと、容器２ｄの内部空問２ｆの酸素濃度を検出
するセンサ８ｆを有している。
【００１３】給気ライン８ａはレーザ光Ｌ1 の露光光路
に沿って容器２ｄの光源側端壁とレンズ２ａの間から容
器２ｄ内に窒素ガスを供給し、排気ライン８ｈはレーザ
光Ｌ1 の露光光路に沿って容器２ｄのレチクル側端壁と
レンズ２ａの間から容器２ｄ内の窒素ガスを排気してい
る。このため、窒素ガスは容器２２ｄ内をレーザ光Ｌ2
の露光光路に沿って上流側（光源１側）から下流側（レ
チクル３側）に流れ、レンズ２ａの周囲を充分な窒素雰
囲気に維持する。
に沿って容器２ｄの光源側端壁とレンズ２ａの間から容
器２ｄ内に窒素ガスを供給し、排気ライン８ｈはレーザ
光Ｌ1 の露光光路に沿って容器２ｄのレチクル側端壁と
レンズ２ａの間から容器２ｄ内の窒素ガスを排気してい
る。このため、窒素ガスは容器２２ｄ内をレーザ光Ｌ2
の露光光路に沿って上流側（光源１側）から下流側（レ
チクル３側）に流れ、レンズ２ａの周囲を充分な窒素雰
囲気に維持する。
【００１４】図１から明らかなように、容器２ｄ内に完
全に収納されているレンズ（容器２ｄ内に完全に収納さ
れているレンズはレンズ２ａのみである）は、容器２ｄ
に対する給気ライン８ａの給気口より光源側にはなく、
容器２ｄに対する排気ライン８ｈの排気口よりレチクル
側にもない。また、センサ８ｆは露光光路に沿って給気
ライン８ａの容器２ｄへの吸気口と排気ライン８ｈの容
器２ｄからの排気口の間に配置されている。
全に収納されているレンズ（容器２ｄ内に完全に収納さ
れているレンズはレンズ２ａのみである）は、容器２ｄ
に対する給気ライン８ａの給気口より光源側にはなく、
容器２ｄに対する排気ライン８ｈの排気口よりレチクル
側にもない。また、センサ８ｆは露光光路に沿って給気
ライン８ａの容器２ｄへの吸気口と排気ライン８ｈの容
器２ｄからの排気口の間に配置されている。
【００１５】第１の電磁弁８ｂおよび可変弁８ｃは、光
源１の駆動開始と同時に開かれて容器２ｄの内部空間２
ｆに所定の大流量値の窒素ガスを供給し、センサ８ｆに
よって検出される酸素濃度が所定の値に減少したとき、
可変弁８ｃが切換えられて窒素ガスの供給量を所定の小
流量値（定常値）に減少させる。なお、光源１の駆動開
始と同時に、第２の電磁弁８ｇを開き、排気ライン８ｈ
から容器２ｄの内部空間２ｆの空気を排出すれば、窒素
ガスによる置換をより一層迅速に行うことができる。
源１の駆動開始と同時に開かれて容器２ｄの内部空間２
ｆに所定の大流量値の窒素ガスを供給し、センサ８ｆに
よって検出される酸素濃度が所定の値に減少したとき、
可変弁８ｃが切換えられて窒素ガスの供給量を所定の小
流量値（定常値）に減少させる。なお、光源１の駆動開
始と同時に、第２の電磁弁８ｇを開き、排気ライン８ｈ
から容器２ｄの内部空間２ｆの空気を排出すれば、窒素
ガスによる置換をより一層迅速に行うことができる。
【００１６】なお、可変弁８ｃはレーザ制御装置６の出
力によって光源１が駆動されると同時にコントローラ７
の出力信号によって開かれ、コントローラ７に設定され
たプログラムである窒素供給プログラムによって所定時
間を経た後に閉じられるものでもよい。本実施例では、
容器２ｄの密封状態に応じて可変弁８ｃを数段階に切換
えることによって補充用の窒素ガスの流量を変化させる
ことができる。
力によって光源１が駆動されると同時にコントローラ７
の出力信号によって開かれ、コントローラ７に設定され
たプログラムである窒素供給プログラムによって所定時
間を経た後に閉じられるものでもよい。本実施例では、
容器２ｄの密封状態に応じて可変弁８ｃを数段階に切換
えることによって補充用の窒素ガスの流量を変化させる
ことができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、紫外線もしくはエキシ
マレーザ光を光源からの露光光として利用して基板を露
光する露光装置において、容器内の雰囲気を少量の不活
性ガスによって維持することができ、光学素子の汚染を
防止するための不活性ガスを大量に消費することがな
い。
マレーザ光を光源からの露光光として利用して基板を露
光する露光装置において、容器内の雰囲気を少量の不活
性ガスによって維持することができ、光学素子の汚染を
防止するための不活性ガスを大量に消費することがな
い。
【図１】第１実施例を説明する説明図である。
Ｌ1 レーザ光 １ 光源 ２ 光源レンズ系 ２ｄ 容器 ３ レチクル ４ ウエハ ５ 投影レンズ系 ６ レーザ制御装置 ７ コントローラ ８ 窒素ガス供給装置 ８ａ 給気ライン ８ｂ 第１の電磁弁 ８ｇ 第２の電磁弁 ８ｄ バイパスライン ８ｃ 可変弁 ８ｆ センサ ８ｈ 排気ライン
Claims (5)
- 【請求項１】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
源からの露光光として利用して基板を露光する露光装置
において、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配
置される光学素子の少なくとも一方の面側を不活性ガス
雰囲気とするための容器と、前記容器の前記光源側の端
壁近傍から前記容器内に不活性ガスを給気する不活性ガ
ス給気ラインと、前記容器の前記基板側の端壁近傍から
前記容器内の不活性ガスを排気する不活性ガス排気ライ
ンを有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記露光光路に沿って前記容器の前記基
板側の端壁と前記不活性ガス排気ラインの前記容器から
の排気口の間には、前記容器内にその両面が不活性ガス
雰囲気となるように収容されている光学素子が位置しな
いように、前記不活性ガス排気ラインの前記容器からの
排気口を前記容器に対して配置したことを特徴とする請
求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記露光光路に沿って前記容器の前記光
源側の端壁と前記不活性ガス給気ラインの前記容器への
吸気口の間には、前記容器内にその両面が不活性ガス雰
囲気となるように収容されている光学素子が位置しない
ように、前記不活性ガス給気ラインの前記容器への吸気
口を前記容器に対して配置したことを特徴とする請求項
２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記前記不活性ガス給気ラインには、前
記容器に吸気される不活性ガスの流量を制御するための
可変弁が設けられていることを特徴とする請求項１記載
の露光装置。 - 【請求項５】 前記露光光路に沿って前記不活性ガス給
気ラインの前記容器への吸気口と前記不活性ガス排気ラ
インの前記容器からの排気口の間には、前記容器内の酸
素濃度を検出する酸素濃度検出器が配置されていること
を特徴とする請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9273678A JPH1097990A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9273678A JPH1097990A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 露光装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05023564A Division JP3084332B2 (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097990A true JPH1097990A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17531036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9273678A Pending JPH1097990A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1097990A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031780A1 (en) * | 1998-11-19 | 2000-06-02 | Nikon Corporation | Optical device, exposure system, and laser beam source, and gas feed method, exposure method, and device manufacturing method |
| WO2001006548A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| KR100572250B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2006-04-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된디바이스 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP9273678A patent/JPH1097990A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031780A1 (en) * | 1998-11-19 | 2000-06-02 | Nikon Corporation | Optical device, exposure system, and laser beam source, and gas feed method, exposure method, and device manufacturing method |
| WO2001006548A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| US6970228B1 (en) | 1999-07-16 | 2005-11-29 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| KR100572250B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2006-04-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된디바이스 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6571057B2 (en) | Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices | |
| TW490734B (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP3084332B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2008252117A (ja) | リソグラフィ装置 | |
| JP2001297972A (ja) | 光学装置および光学装置の汚染防止方法 | |
| JP4035510B2 (ja) | ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置 | |
| EP1075017A1 (en) | Optical device and exposure system equipped with optical device | |
| US20030047692A1 (en) | Measuring method and measuring apparatus, exposure method and exposure apparatus | |
| KR20000022789A (ko) | 노광장치 | |
| US20030164929A1 (en) | Environmental-control method and apparatus for an exposure system | |
| JP2005064210A (ja) | 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置 | |
| JPH1097990A (ja) | 露光装置 | |
| JP2000208407A (ja) | 露光装置 | |
| JP6872385B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
| US20050175497A1 (en) | Temperature control method and apparatus and exposure method and apparatus | |
| JP3072277B2 (ja) | 露光装置 | |
| US7030960B2 (en) | Exposure apparatus and purging method for the same | |
| JP3126328B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2001345264A (ja) | 露光装置及び露光方法並びにデバイスの製造方法 | |
| JP4391352B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| JPWO2003036695A1 (ja) | 露光装置にパージガスを供給する方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
| JP7002262B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法 | |
| JP2003163159A (ja) | パージガスの供給方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
| US7130015B2 (en) | Inert-gas purge method, exposure apparatus, device fabrication method and devices | |
| JPH11191525A (ja) | 投影露光装置 |