JPH1098021A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1098021A JPH1098021A JP24808196A JP24808196A JPH1098021A JP H1098021 A JPH1098021 A JP H1098021A JP 24808196 A JP24808196 A JP 24808196A JP 24808196 A JP24808196 A JP 24808196A JP H1098021 A JPH1098021 A JP H1098021A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】酸化シリコンに微細な接続孔を開口する際、高
選択で精度の良い半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数
を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素にＡ
ｒガスのような不活性ガスを混合し、プラズマ化してエ
ッチングすることにより、酸化シリコン膜に微細な接続
孔を開口する。また、酸化シリコン膜のエッチングを下
地材料層が露出する直前までのパーシャルエッチング工
程とそれ以降のオーバーエッチング工程の２工程に分
け、オーバーエッチング工程においてエッチングガスの
組成における不活性ガスの含量比を減ずることにより、
酸化シリコン膜に微細な接続孔を開口する。
選択で精度の良い半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数
を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素にＡ
ｒガスのような不活性ガスを混合し、プラズマ化してエ
ッチングすることにより、酸化シリコン膜に微細な接続
孔を開口する。また、酸化シリコン膜のエッチングを下
地材料層が露出する直前までのパーシャルエッチング工
程とそれ以降のオーバーエッチング工程の２工程に分
け、オーバーエッチング工程においてエッチングガスの
組成における不活性ガスの含量比を減ずることにより、
酸化シリコン膜に微細な接続孔を開口する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法において、特に酸化シリコン膜のエッチング方法に関
するものである。
法において、特に酸化シリコン膜のエッチング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置における微細化に伴い、特に
酸化シリコン膜の穴加工においてはデバイスの高速化や
微細化を図るために不純物拡散領域の接合深さが浅くな
り、また各種材料層も薄くなっているため、対下地選択
性に優れたダメージの少ないエッチング技術が要求され
てきている。また、レジストの後退によるわずかな寸法
変換差も許容されなくなってきており、対レジスト選択
比の向上も重要となってきている。従来の高選択な加工
技術として特開平６−２０８９７４等がある。これは、
Ｃ４Ｆ８ガスに対する酸素含有ガスの容積比が１／８〜
１である混合ガスをＥＣＲによりプラズマ化してエッチ
ングを行うことにより、フォトレジスト及び多結晶シリ
コンのエッチング速度より酸化シリコンのエッチング速
度比を充分大きくすることができるので選択的に酸化シ
リコンのエッチングを行うことが可能であるというもの
である。
酸化シリコン膜の穴加工においてはデバイスの高速化や
微細化を図るために不純物拡散領域の接合深さが浅くな
り、また各種材料層も薄くなっているため、対下地選択
性に優れたダメージの少ないエッチング技術が要求され
てきている。また、レジストの後退によるわずかな寸法
変換差も許容されなくなってきており、対レジスト選択
比の向上も重要となってきている。従来の高選択な加工
技術として特開平６−２０８９７４等がある。これは、
Ｃ４Ｆ８ガスに対する酸素含有ガスの容積比が１／８〜
１である混合ガスをＥＣＲによりプラズマ化してエッチ
ングを行うことにより、フォトレジスト及び多結晶シリ
コンのエッチング速度より酸化シリコンのエッチング速
度比を充分大きくすることができるので選択的に酸化シ
リコンのエッチングを行うことが可能であるというもの
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれらの
方法では下地選択性に関しては良好な結果が得られる
が、今後のアスペクト比の大きい深い穴加工を行う際、
エッチング速度が５００ｎｍ程度と低く、フォトレジス
トとの選択比も３．８程度でフォトレジストの後退量が
大きくなる。酸化シリコン膜１５００ｎｍの基板をエッ
チングする場合には、オーバーエッチ量を５０％とする
とエッチング時間は約２７０秒となり、その結果図４に
示すように穴の開口部が大きくなり、寸法変換差も０．
５０μｍのフォトレジスト寸法に対して０．６５μｍと
０．１５μｍ程度大きくなってしまう。よって、今後の
微細加工には対応できないという課題を有していた。
方法では下地選択性に関しては良好な結果が得られる
が、今後のアスペクト比の大きい深い穴加工を行う際、
エッチング速度が５００ｎｍ程度と低く、フォトレジス
トとの選択比も３．８程度でフォトレジストの後退量が
大きくなる。酸化シリコン膜１５００ｎｍの基板をエッ
チングする場合には、オーバーエッチ量を５０％とする
とエッチング時間は約２７０秒となり、その結果図４に
示すように穴の開口部が大きくなり、寸法変換差も０．
５０μｍのフォトレジスト寸法に対して０．６５μｍと
０．１５μｍ程度大きくなってしまう。よって、今後の
微細加工には対応できないという課題を有していた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数を
示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素と不
活性ガスを含むエッチングガスを用いてシリコン化合物
層をエッチングすることを特徴とする。
造方法は、一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数を
示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素と不
活性ガスを含むエッチングガスを用いてシリコン化合物
層をエッチングすることを特徴とする。
【０００５】本発明の半導体装置の製造方法は、一般式
がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数を示す自然数であ
り、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足する。）で表される
フルオロカーボン化合物と、酸素と不活性ガスを含むエ
ッチングガスを用いてシリコン化合物層を実質的にその
層厚を越えない深さまでエッチングするパーシャルエッ
チング工程と、前記不活性ガスを前記パーシャルエッチ
ング工程におけるよりも減じてなるエッチングガスを用
いて前記シリコン化合物層の残余部をエッチングするオ
ーバーエッチング工程とを有することを特徴とする。
がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数を示す自然数であ
り、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足する。）で表される
フルオロカーボン化合物と、酸素と不活性ガスを含むエ
ッチングガスを用いてシリコン化合物層を実質的にその
層厚を越えない深さまでエッチングするパーシャルエッ
チング工程と、前記不活性ガスを前記パーシャルエッチ
ング工程におけるよりも減じてなるエッチングガスを用
いて前記シリコン化合物層の残余部をエッチングするオ
ーバーエッチング工程とを有することを特徴とする。
【０００６】本発明の半導体装置の製造方法は、請求項
１、２記載の一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数
を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物としてＣ４Ｆ
８を用いることを特徴とする。
１、２記載の一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数
を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物としてＣ４Ｆ
８を用いることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明の方法は、一般式がＣｍＦｎ（ただし
ｍ、ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍ
の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合
物と、酸素にＡｒガスのような不活性ガスを混合し、プ
ラズマ化してエッチングすることにより、不活性ガスの
イオンのスパッタ効果によりウエハーに対して垂直方向
のエッチング量が多くなる。これにより酸化シリコン膜
のエッチング速度を増大させ、フォトレジストの後退量
を減少させる作用を有する。
ｍ、ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍ
の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合
物と、酸素にＡｒガスのような不活性ガスを混合し、プ
ラズマ化してエッチングすることにより、不活性ガスの
イオンのスパッタ効果によりウエハーに対して垂直方向
のエッチング量が多くなる。これにより酸化シリコン膜
のエッチング速度を増大させ、フォトレジストの後退量
を減少させる作用を有する。
【０００８】本発明は、以上のような考え方を基本とし
ているが、さらに一層の高選択化、低ダメージ化、低汚
染化を目指す方法も提案する。それは酸化シリコン膜の
エッチングを下地材料層が露出する直前までのパーシャ
ルエッチング工程とそれ以降のオーバーエッチング工程
の２工程に分け、オーバーエッチング工程においてエッ
チングガスの組成における不活性ガスの含量比を減ずる
方法である。この方法によれば酸化シリコン膜のうち下
地との界面付近において不活性ガスのスパッタ効果がパ
ーシャルエッチング工程に比べて低下するため、より一
層の高選択化と低ダメージ化が実現できる作用を有す
る。
ているが、さらに一層の高選択化、低ダメージ化、低汚
染化を目指す方法も提案する。それは酸化シリコン膜の
エッチングを下地材料層が露出する直前までのパーシャ
ルエッチング工程とそれ以降のオーバーエッチング工程
の２工程に分け、オーバーエッチング工程においてエッ
チングガスの組成における不活性ガスの含量比を減ずる
方法である。この方法によれば酸化シリコン膜のうち下
地との界面付近において不活性ガスのスパッタ効果がパ
ーシャルエッチング工程に比べて低下するため、より一
層の高選択化と低ダメージ化が実現できる作用を有す
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について実施例に基
づき詳細に説明する。また、本実施例は穴加工に適用
し、Ｃ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ混合ガスを用いて酸化シリコ
ン膜をエッチングした例である。図３は本実施例におい
て用いたＥＣＲ型プラズマエッチング装置を示す模式的
断面図である。図中３０１はステンレス鋼製のプラズマ
生成室であり、プラズマ生成室３０１の上壁中央には石
英ガラス板からなるマイクロ波導入窓３０２が閉鎖状態
で備えられている。そしてこのマイクロ波導入窓３０２
の上側には導波管３０３が配設されており、導波管３０
３の他端側はマイクロ波発振器３０４に接続されてい
る。
づき詳細に説明する。また、本実施例は穴加工に適用
し、Ｃ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ混合ガスを用いて酸化シリコ
ン膜をエッチングした例である。図３は本実施例におい
て用いたＥＣＲ型プラズマエッチング装置を示す模式的
断面図である。図中３０１はステンレス鋼製のプラズマ
生成室であり、プラズマ生成室３０１の上壁中央には石
英ガラス板からなるマイクロ波導入窓３０２が閉鎖状態
で備えられている。そしてこのマイクロ波導入窓３０２
の上側には導波管３０３が配設されており、導波管３０
３の他端側はマイクロ波発振器３０４に接続されてい
る。
【００１０】一方プラズマ生成室３０１の下側には反応
室３０５が連設されており、プラズマ生成室３０１と反
応室３０５との間にはプラズマ引出窓３０６が取り付け
られている。反応室３０５底部にはプラズマ引出窓３０
６と対向する位置に試料台３０７が配設されており、こ
の試料台３０７の上面に電極３０８が埋設されている。
そしてこの試料台３０７上に試料である半導体基板３０
９が静電吸着等の手段により着脱可能に装着されてい
る。前記電極３０８は高周波電源３１０に接続されてお
り、この高周波電源３１０には直流電源３１１が接続さ
れている。さらに反応室３０５にはガス導入管３１２及
び真空ポンプ３１３が配設されている。
室３０５が連設されており、プラズマ生成室３０１と反
応室３０５との間にはプラズマ引出窓３０６が取り付け
られている。反応室３０５底部にはプラズマ引出窓３０
６と対向する位置に試料台３０７が配設されており、こ
の試料台３０７の上面に電極３０８が埋設されている。
そしてこの試料台３０７上に試料である半導体基板３０
９が静電吸着等の手段により着脱可能に装着されてい
る。前記電極３０８は高周波電源３１０に接続されてお
り、この高周波電源３１０には直流電源３１１が接続さ
れている。さらに反応室３０５にはガス導入管３１２及
び真空ポンプ３１３が配設されている。
【００１１】またプラズマ生成室３０１及び導波管３０
３の一部の外周側に励磁コイル３１４が周設されてお
り、反応室３０５上部の外周側に励磁コイル３１５が周
設されている。試料台３０７下部の外周側に励磁コイル
３１６が周設されており、これら励磁コイル３１４,３
１５,３１６は図示しない直流電源に接続されている。
３の一部の外周側に励磁コイル３１４が周設されてお
り、反応室３０５上部の外周側に励磁コイル３１５が周
設されている。試料台３０７下部の外周側に励磁コイル
３１６が周設されており、これら励磁コイル３１４,３
１５,３１６は図示しない直流電源に接続されている。
【００１２】次に以上の如く構成されたECR型プラズマ
エッチング装置の動作について説明する。マイクロ波発
振器３０４により発せられたマイクロ波は導入管３０３
を通りマイクロ波導入窓３０２を経てプラズマ生成室３
０１へ導入される。マイクロ波に対して空洞共振器とし
て働くこのプラズマ生成室３０１ではマイクロ波放電に
より生成された電子が励磁コイル３１４による磁界によ
り螺旋運動を行い、マイクロ波周波数(2.45GHz)に対し
て875Gaussの磁界が形成されていると電子はサイクロト
ロン共鳴し、多くの気体分子は電離してプラズマを生成
する。励磁コイル３１４,３１５,３１６により反応室３
０５へ向けて磁束密度が低くなる発散磁界を形成してあ
り、これにより前記プラズマは反応室３０５へ導入され
る。反応室３０５は真空ポンプ３１３により排気を行い
ガス導入管３１２より所望のガス雰囲気としておく。
エッチング装置の動作について説明する。マイクロ波発
振器３０４により発せられたマイクロ波は導入管３０３
を通りマイクロ波導入窓３０２を経てプラズマ生成室３
０１へ導入される。マイクロ波に対して空洞共振器とし
て働くこのプラズマ生成室３０１ではマイクロ波放電に
より生成された電子が励磁コイル３１４による磁界によ
り螺旋運動を行い、マイクロ波周波数(2.45GHz)に対し
て875Gaussの磁界が形成されていると電子はサイクロト
ロン共鳴し、多くの気体分子は電離してプラズマを生成
する。励磁コイル３１４,３１５,３１６により反応室３
０５へ向けて磁束密度が低くなる発散磁界を形成してあ
り、これにより前記プラズマは反応室３０５へ導入され
る。反応室３０５は真空ポンプ３１３により排気を行い
ガス導入管３１２より所望のガス雰囲気としておく。
【００１３】一方電極３０８は高周波電源３１０により
誘起されるバイアス電界を半導体基板３０９表面に作用
させ、イオンの運動エネルギー,運動方向を制御する。
また直流電源３１１により半導体基板３０９は電極３０
８に静電吸着させてある。
誘起されるバイアス電界を半導体基板３０９表面に作用
させ、イオンの運動エネルギー,運動方向を制御する。
また直流電源３１１により半導体基板３０９は電極３０
８に静電吸着させてある。
【００１４】次にこの装置を用いた第１実施例及びその
結果について説明する。試料である半導体基板としては
図１の（ａ）に示す、基板シリコン上に酸化シリコン膜
を約１５００ｎｍ形成し、その一部にフォトレジスト膜
を形成したものを用いた。先ず真空ポンプ３１３により
反応室３０５のガス圧力を１×10-6Torr以下にした後、
Ｃ４Ｆ８ガス４５sccmとＯ２ガス１４sccmに対してＡｒ
ガスを２５０sccmの各々の割合で混合したガスを別々に
ガス導入管３１２より導入し、いずれの場合もガス圧力
を５ｍTorr程度の圧力に調整した。次いで前述の如く励
磁コイル３１４,３１５,３１６のより磁界を形成し、マ
イクロ波発振器３０４から約１．７５ｋＷのマイクロ波
をプラズマ生成室３０１へ導入し混合ガスをプラズマ化
した。更に高周波電源３１０により電極３０８に高周波
電力を約７００Ｗ印加し、静電吸着により固定された半
導体基板３０９上のバイアス電界を作用させてエッチン
グを行った。
結果について説明する。試料である半導体基板としては
図１の（ａ）に示す、基板シリコン上に酸化シリコン膜
を約１５００ｎｍ形成し、その一部にフォトレジスト膜
を形成したものを用いた。先ず真空ポンプ３１３により
反応室３０５のガス圧力を１×10-6Torr以下にした後、
Ｃ４Ｆ８ガス４５sccmとＯ２ガス１４sccmに対してＡｒ
ガスを２５０sccmの各々の割合で混合したガスを別々に
ガス導入管３１２より導入し、いずれの場合もガス圧力
を５ｍTorr程度の圧力に調整した。次いで前述の如く励
磁コイル３１４,３１５,３１６のより磁界を形成し、マ
イクロ波発振器３０４から約１．７５ｋＷのマイクロ波
をプラズマ生成室３０１へ導入し混合ガスをプラズマ化
した。更に高周波電源３１０により電極３０８に高周波
電力を約７００Ｗ印加し、静電吸着により固定された半
導体基板３０９上のバイアス電界を作用させてエッチン
グを行った。
【００１５】その結果、酸化シリコン膜のエッチングレ
ートは８３０ｎｍと従来技術のエッチングレートに比べ
約１．６倍も高くなった。このためフォトレジストとの
選択比も６．４程度となり、図１の（ｂ）に示すように
フォトレジストの後退も少なくなり、寸法変換差として
は０．５０μｍのフォトレジスト寸法に対して０．０２
μｍ程度大きくなっただけであった。この時下地選択性
は約４０であった。
ートは８３０ｎｍと従来技術のエッチングレートに比べ
約１．６倍も高くなった。このためフォトレジストとの
選択比も６．４程度となり、図１の（ｂ）に示すように
フォトレジストの後退も少なくなり、寸法変換差として
は０．５０μｍのフォトレジスト寸法に対して０．０２
μｍ程度大きくなっただけであった。この時下地選択性
は約４０であった。
【００１６】次に第２の実施例として、同じく穴加工に
おいて、Ｃ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ混合ガスを用いた酸化シ
リコン膜のエッチングをパーシャルエッチング工程とオ
ーバーエッチング工程の２段階に分け、後者の工程でＡ
ｒの含量比を相対的に減じて選択性をより一層向上させ
た例である。このプロセスを図２（ａ），（ｂ），
（ｃ）を参照しながら説明する。
おいて、Ｃ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ混合ガスを用いた酸化シ
リコン膜のエッチングをパーシャルエッチング工程とオ
ーバーエッチング工程の２段階に分け、後者の工程でＡ
ｒの含量比を相対的に減じて選択性をより一層向上させ
た例である。このプロセスを図２（ａ），（ｂ），
（ｃ）を参照しながら説明する。
【００１７】まず、図２（ａ）に示すウエハーを電極３
０８にセットし、Ｃ４Ｆ８ガス４５sccmとＯ２ガス１４
sccmに対してＡｒガスを２５０sccmの各々の割合で混合
したガスを別々にガス導入管３１２より導入し、いずれ
の場合もガス圧力を５ｍTorr程度の圧力に調整した。次
いで前述の如く励磁コイル３１４,３１５,３１６のより
磁界を形成し、マイクロ波発振器３０４から約１．７５
ｋＷのマイクロ波をプラズマ生成室３０１へ導入し混合
ガスをプラズマ化した。更に高周波電源３１０により電
極３０８に高周波電力を約７００Ｗ印加し、静電吸着に
より固定された半導体基板３０９上のバイアス電界を作
用させてパーシャルエッチングを行った。パーシャルエ
ッチングは図２（ｂ）に示すように酸化シリコン膜を約
１２００ｎｍエッチングしたところであり、エッチング
時間で約８７秒のところでエッチングを終えた状態であ
る。
０８にセットし、Ｃ４Ｆ８ガス４５sccmとＯ２ガス１４
sccmに対してＡｒガスを２５０sccmの各々の割合で混合
したガスを別々にガス導入管３１２より導入し、いずれ
の場合もガス圧力を５ｍTorr程度の圧力に調整した。次
いで前述の如く励磁コイル３１４,３１５,３１６のより
磁界を形成し、マイクロ波発振器３０４から約１．７５
ｋＷのマイクロ波をプラズマ生成室３０１へ導入し混合
ガスをプラズマ化した。更に高周波電源３１０により電
極３０８に高周波電力を約７００Ｗ印加し、静電吸着に
より固定された半導体基板３０９上のバイアス電界を作
用させてパーシャルエッチングを行った。パーシャルエ
ッチングは図２（ｂ）に示すように酸化シリコン膜を約
１２００ｎｍエッチングしたところであり、エッチング
時間で約８７秒のところでエッチングを終えた状態であ
る。
【００１８】そこで、エッチング条件としてＣ４Ｆ８ガ
ス４５sccmとＯ２ガス１４sccmに対してＡｒガスを０sc
cmとし、ガス圧力を３ｍTorr、マイクロ波パワーは約
１．７５ｋＷ、高周波電力を約５００Ｗに切り替え、残
余部を除去するためのオーバーエッチングを９５秒行っ
た。このオーバーエッチング工程ではＡｒガスを無く
し、高周波電源パワーを低下させることによりＡｒイオ
ンによる入射イオンエネルギーを低減させた。これによ
り、図２（ｃ）に示されるように下地基板シリコン２０
３に対する選択性を高め、ダメージを低下させた条件で
残余部を除去することができた。この結果、図２（ｃ）
に示すようにフォトレジストの後退も少なくなり、寸法
変換差としては０．５０μｍのフォトレジスト寸法に対
して０．０５μｍ程度大きくなっただけであった。この
時下地選択性は約７０であった。このように２段階エッ
チングにより良好な高異方性、高選択性エッチングを行
うことができた。
ス４５sccmとＯ２ガス１４sccmに対してＡｒガスを０sc
cmとし、ガス圧力を３ｍTorr、マイクロ波パワーは約
１．７５ｋＷ、高周波電力を約５００Ｗに切り替え、残
余部を除去するためのオーバーエッチングを９５秒行っ
た。このオーバーエッチング工程ではＡｒガスを無く
し、高周波電源パワーを低下させることによりＡｒイオ
ンによる入射イオンエネルギーを低減させた。これによ
り、図２（ｃ）に示されるように下地基板シリコン２０
３に対する選択性を高め、ダメージを低下させた条件で
残余部を除去することができた。この結果、図２（ｃ）
に示すようにフォトレジストの後退も少なくなり、寸法
変換差としては０．５０μｍのフォトレジスト寸法に対
して０．０５μｍ程度大きくなっただけであった。この
時下地選択性は約７０であった。このように２段階エッ
チングにより良好な高異方性、高選択性エッチングを行
うことができた。
【００１９】以上、本発明の実施例を図面に基づいて例
を示したが、本発明は以上に述べたエッチング条件や装
置などは当然これに限るものではない。
を示したが、本発明は以上に述べたエッチング条件や装
置などは当然これに限るものではない。
【００２０】
【発明の効果】本発明の方法は、一般式がＣｍＦｎ（た
だしｍ、ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦
２ｍの条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン
化合物と、酸素にＡｒガスのような不活性ガスを混合
し、プラズマ化してエッチングすることにより、不活性
ガスのイオンのスパッタ効果によりウエハーに対して垂
直方向のエッチング量が多くなる。これにより酸化シリ
コン膜のエッチング速度を増大させ、フォトレジストの
後退量を減少させる効果を有する。
だしｍ、ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦
２ｍの条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン
化合物と、酸素にＡｒガスのような不活性ガスを混合
し、プラズマ化してエッチングすることにより、不活性
ガスのイオンのスパッタ効果によりウエハーに対して垂
直方向のエッチング量が多くなる。これにより酸化シリ
コン膜のエッチング速度を増大させ、フォトレジストの
後退量を減少させる効果を有する。
【００２１】本発明は、以上のような考え方を基本とし
ているが、さらに一層の高選択化、低ダメージ化、低汚
染化を目指す方法も提案する。それは酸化シリコン膜の
エッチングを下地材料層が露出する直前までのパーシャ
ルエッチング工程とそれ以降のオーバーエッチング工程
の２工程に分け、オーバーエッチング工程においてエッ
チングガスの組成における不活性ガスの含量比を減ずる
方法である。この方法によれば酸化シリコン膜のうち下
地との界面付近において不活性ガスのスパッタ効果がパ
ーシャルエッチング工程に比べて低下するため、より一
層の高選択化と低ダメージ化が実現できる効果を有す
る。
ているが、さらに一層の高選択化、低ダメージ化、低汚
染化を目指す方法も提案する。それは酸化シリコン膜の
エッチングを下地材料層が露出する直前までのパーシャ
ルエッチング工程とそれ以降のオーバーエッチング工程
の２工程に分け、オーバーエッチング工程においてエッ
チングガスの組成における不活性ガスの含量比を減ずる
方法である。この方法によれば酸化シリコン膜のうち下
地との界面付近において不活性ガスのスパッタ効果がパ
ーシャルエッチング工程に比べて低下するため、より一
層の高選択化と低ダメージ化が実現できる効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施例における工程の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第２の実施例における工程の断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１、２の実施例において使用したド
ライエッチング装置の概略図である。
ライエッチング装置の概略図である。
【図４】従来技術における工程の断面図である。
１０１・・・・・・フォトレジスト １０２・・・・・・酸化シリコン膜 １０３・・・・・・基板シリコン ２０１・・・・・・フォトレジスト ２０２・・・・・・酸化シリコン膜 ２０３・・・・・・基板シリコン ３０１・・・・・・プラズマ生成室 ３０２・・・・・・マイクロ波導入窓 ３０３・・・・・・導波管 ３０４・・・・・・マイクロ波発振器 ３０５・・・・・・反応室 ３０６・・・・・・プラズマ引出窓 ３０７・・・・・・試料台 ３０８・・・・・・電極 ３０９・・・・・・半導体基板 ３１０・・・・・・高周波電源 ３１１・・・・・・直流電源 ３１２・・・・・・ガス導入管 ３１３・・・・・・真空ポンプ ３１４、３１５、３１６・・・・・・励磁コイル ４０１・・・・・・フォトレジスト ４０２・・・・・・酸化シリコン膜 ４０３・・・・・・基板シリコン
Claims (4)
- 【請求項１】一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数
を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素と不
活性ガスを含むエッチングガスを用いてシリコン化合物
層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】一般式がＣｍＦｎ（ただしｍ、ｎは原子数
を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦２ｍの条件を満足す
る。）で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素と不
活性ガスを含むエッチングガスを用いてシリコン化合物
層を実質的にその層厚を越えない深さまでエッチングす
るパーシャルエッチング工程と、前記不活性ガスを前記
パーシャルエッチング工程におけるよりも減じてなるエ
ッチングガスを用いて前記シリコン化合物層の残余部を
エッチングするオーバーエッチング工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１、２記載の一般式がＣｍＦｎ（た
だしｍ、ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２、ｎ≦
２ｍの条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン
化合物としてＣ４Ｆ８を用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４】請求項１、２記載の不活性ガスとしてアル
ゴンを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24808196A JPH1098021A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24808196A JPH1098021A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098021A true JPH1098021A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17172933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24808196A Withdrawn JPH1098021A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1098021A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002514012A (ja) * | 1998-05-05 | 2002-05-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 炭化フッ素ガスケミストリーを用いた二酸化珪素をエッチングする方法 |
| JP2017518646A (ja) * | 2014-06-04 | 2017-07-06 | ユニバーシティ ド エクス‐マルセイユ | 半導体基板をランダムにテクスチャリングするための方法 |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP24808196A patent/JPH1098021A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002514012A (ja) * | 1998-05-05 | 2002-05-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 炭化フッ素ガスケミストリーを用いた二酸化珪素をエッチングする方法 |
| JP4758002B2 (ja) * | 1998-05-05 | 2011-08-24 | ラム リサーチ コーポレーション | 炭化フッ素ガスケミストリーを用いた二酸化珪素をエッチングする方法 |
| JP2017518646A (ja) * | 2014-06-04 | 2017-07-06 | ユニバーシティ ド エクス‐マルセイユ | 半導体基板をランダムにテクスチャリングするための方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |