JPH1098231A - 半導体光集積素子とその製造方法 - Google Patents
半導体光集積素子とその製造方法Info
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- JPH1098231A JPH1098231A JP24952696A JP24952696A JPH1098231A JP H1098231 A JPH1098231 A JP H1098231A JP 24952696 A JP24952696 A JP 24952696A JP 24952696 A JP24952696 A JP 24952696A JP H1098231 A JPH1098231 A JP H1098231A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 100
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009036 growth inhibition Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 活性領域と光ビームのスポットサイズ変換領
域からなる半導体レーザにおいて、スポットサイズ変換
領域の光閉じ込め層と活性層の層厚が光導波路方向に徐
々に薄くされる構造では、しきい値電流の上昇、効率の
低下等が生じる。 【解決手段】 活性領域Ａと光ビームのスポットサイズ
変換領域Ｂを備える半導体レーザにおいて、スポットサ
イズ変換領域では、光導波層の層厚が光導波方向にテー
パ状に薄くなる一方で、そのテーパ部の層厚変化率は、
量子井戸層（ＭＱＷ層）３よりも上下の光閉じ込め層
２，４の方が大きくされる。スポットサイズ変換領域Ｂ
に活性領域Ａと同じ層厚の活性層３があるため、全領域
に電流を流すことにより、光学的損失をもたらす領域の
ない半導体レーザが実現でき、しきい値電流の低減、効
率の向上が可能となる。
域からなる半導体レーザにおいて、スポットサイズ変換
領域の光閉じ込め層と活性層の層厚が光導波路方向に徐
々に薄くされる構造では、しきい値電流の上昇、効率の
低下等が生じる。 【解決手段】 活性領域Ａと光ビームのスポットサイズ
変換領域Ｂを備える半導体レーザにおいて、スポットサ
イズ変換領域では、光導波層の層厚が光導波方向にテー
パ状に薄くなる一方で、そのテーパ部の層厚変化率は、
量子井戸層（ＭＱＷ層）３よりも上下の光閉じ込め層
２，４の方が大きくされる。スポットサイズ変換領域Ｂ
に活性領域Ａと同じ層厚の活性層３があるため、全領域
に電流を流すことにより、光学的損失をもたらす領域の
ない半導体レーザが実現でき、しきい値電流の低減、効
率の向上が可能となる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に異
なる機能の複数の光機能素子を集積化した半導体光集積
素子、及びその製造方法に関するものである。
なる機能の複数の光機能素子を集積化した半導体光集積
素子、及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）にお
ける選択成長は、同一基板上に組成や層厚の異なる半導
体結晶を同時に形成できるため、光集積素子等を作製す
る基本技術として研究が盛んに行われている。図２は、
この種選択成長で用いる誘電体マスク２０のパターンの
模式図である。この選択成長法では、ＩｎＰ等の半導体
基板上に、幅１．５μｍの成長領域２１を挟んで対向す
る一対のストライプ状誘電体膜のマスク２０を形成し、
ＭＯＶＰＥを用いて、ＩｎＧａＡｓＰ等の四元結晶を成
長領域２１に選択的に成長させる。この時、成長される
結晶の組成波長、及び結晶層厚は、前記誘電体マスク２
０の幅を変えることで制御でき、半導体レーザ、光変調
器、光増幅器等の光素子を集積した光集積素子を一括形
成できるため、光集積素子の作製法として非常に有望で
ある。参考文献としては、例えば、（報告例１）ジャー
ナルオブクリスタルグロース（ＪＣＧ），第１３２巻，
第４３５頁〜第４４３頁，１９９３年が挙げられる。
ける選択成長は、同一基板上に組成や層厚の異なる半導
体結晶を同時に形成できるため、光集積素子等を作製す
る基本技術として研究が盛んに行われている。図２は、
この種選択成長で用いる誘電体マスク２０のパターンの
模式図である。この選択成長法では、ＩｎＰ等の半導体
基板上に、幅１．５μｍの成長領域２１を挟んで対向す
る一対のストライプ状誘電体膜のマスク２０を形成し、
ＭＯＶＰＥを用いて、ＩｎＧａＡｓＰ等の四元結晶を成
長領域２１に選択的に成長させる。この時、成長される
結晶の組成波長、及び結晶層厚は、前記誘電体マスク２
０の幅を変えることで制御でき、半導体レーザ、光変調
器、光増幅器等の光素子を集積した光集積素子を一括形
成できるため、光集積素子の作製法として非常に有望で
ある。参考文献としては、例えば、（報告例１）ジャー
ナルオブクリスタルグロース（ＪＣＧ），第１３２巻，
第４３５頁〜第４４３頁，１９９３年が挙げられる。
【０００３】このような選択成長において、図２のマス
クパターンで多重量子井戸（ＭＱＷ）層を成長すると、
誘電体マスク２０の幅が広い場合に、成長領域２１では
ウエル層の層厚が厚くなるため、そこに成長されるＭＱ
Ｗ層のバンドギャップ波長が、より長波長側にシフトす
る。例えば、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰのＭＱＷ層を選択成長すると、マスク幅の広い領
域ａのＭＱＷ層のバンドギャップ波長を１．５５μｍと
し、マスク幅の狭い領域ｂのＭＱＷ層のバンドギャップ
波長を１．４８μｍとすることができ、領域ａを半導体
レーザに、領域ｂを光変調器とすることで、簡単に半導
体レーザ／光変調器集積化光源が作製できる。
クパターンで多重量子井戸（ＭＱＷ）層を成長すると、
誘電体マスク２０の幅が広い場合に、成長領域２１では
ウエル層の層厚が厚くなるため、そこに成長されるＭＱ
Ｗ層のバンドギャップ波長が、より長波長側にシフトす
る。例えば、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰのＭＱＷ層を選択成長すると、マスク幅の広い領
域ａのＭＱＷ層のバンドギャップ波長を１．５５μｍと
し、マスク幅の狭い領域ｂのＭＱＷ層のバンドギャップ
波長を１．４８μｍとすることができ、領域ａを半導体
レーザに、領域ｂを光変調器とすることで、簡単に半導
体レーザ／光変調器集積化光源が作製できる。
【０００４】選択成長を用いて作製される代表的な光デ
バイスとしてスポットサイズ変換器を集積した半導体レ
ーザ（Spot-size Converted Laser Diodes：ＳＣ−ＬＤ
ｓ）がある。ＳＣ−ＬＤｓの模式図を図７に示す。ＳＣ
−ＬＤｓは、活性領域とスポットサイズ変換領域からな
り、ＩｎＰ基板１上に下部光閉じ込め層２、ＭＱＷ活性
層３、上部光閉じ込め層４、上部ＩｎＰクラッド層５が
積層形成されている。従来の選択成長でＳＣ−ＬＤｓを
作製する場合、スポットサイズ変換領域は、光導波路で
の光閉じ込めを弱くするため、縦方向に活性層３と光閉
じ込め層２，４の層厚が変化するテーパ構造を有する。
バイスとしてスポットサイズ変換器を集積した半導体レ
ーザ（Spot-size Converted Laser Diodes：ＳＣ−ＬＤ
ｓ）がある。ＳＣ−ＬＤｓの模式図を図７に示す。ＳＣ
−ＬＤｓは、活性領域とスポットサイズ変換領域からな
り、ＩｎＰ基板１上に下部光閉じ込め層２、ＭＱＷ活性
層３、上部光閉じ込め層４、上部ＩｎＰクラッド層５が
積層形成されている。従来の選択成長でＳＣ−ＬＤｓを
作製する場合、スポットサイズ変換領域は、光導波路で
の光閉じ込めを弱くするため、縦方向に活性層３と光閉
じ込め層２，４の層厚が変化するテーパ構造を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、活性層３
と光閉じ込め層２，４の層厚が縦方向にテーパ状に変化
されると、活性層ＡであるＭＱＷ層３の発光波長は、活
性領域端からスポットサイズ変換領域Ｂの出力端へ向け
てだんだん短波長化する構造となる。この場合、スポッ
トサイズ変換領域Ｂの途中の層厚が緩やかに変化してい
るテーパ構造部では、ＭＱＷ層３の発光波長が十分短波
長化できておらず、電流を活性領域Ａにのみ流す場合、
この部分が光損失層となり、レーザのしきい値電流の上
昇、効率の低下といったレーザ特性の劣化を招いてい
る。これを防ぐために、遷移領域部分にも電流を流す方
法が試みられているが、この場合には、遷移領域のＭＱ
Ｗ層は活性層として機能させるためには、発光波長が短
波長化しており、利得特性が悪いため、効率の低下を招
くという問題が生じる。
と光閉じ込め層２，４の層厚が縦方向にテーパ状に変化
されると、活性層ＡであるＭＱＷ層３の発光波長は、活
性領域端からスポットサイズ変換領域Ｂの出力端へ向け
てだんだん短波長化する構造となる。この場合、スポッ
トサイズ変換領域Ｂの途中の層厚が緩やかに変化してい
るテーパ構造部では、ＭＱＷ層３の発光波長が十分短波
長化できておらず、電流を活性領域Ａにのみ流す場合、
この部分が光損失層となり、レーザのしきい値電流の上
昇、効率の低下といったレーザ特性の劣化を招いてい
る。これを防ぐために、遷移領域部分にも電流を流す方
法が試みられているが、この場合には、遷移領域のＭＱ
Ｗ層は活性層として機能させるためには、発光波長が短
波長化しており、利得特性が悪いため、効率の低下を招
くという問題が生じる。
【０００６】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、低しきい値で高効率のス
ポットサイズ変換器付き半導体レーザ、及びその構造を
実現するための光集積素子の製造方法を提供することに
ある。
たものであって、その目的は、低しきい値で高効率のス
ポットサイズ変換器付き半導体レーザ、及びその構造を
実現するための光集積素子の製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、光導波路方向
に連続する少なくとも２つの光機能領域からなり、各光
機能領域は単層または多層の量子井戸層とそれを挟む光
閉じ込め層からなる多層構造の光導波層を有する半導体
光集積素子において、少なくとも１つの光機能領域にお
ける前記光導波層は層厚が光導波方向にテーパ状に薄く
なる光ビームのスポットサイズ変換構造をなしており、
かつそのテーパ部の層厚変化率は、前記量子井戸層より
も前記光閉じ込め層の方が大きいことを特徴とする。あ
るいは、少なくとも１つの光機能領域における前記光導
波層は、前記光閉じ込め層の組成波長が光導波方向に向
かって短波長化する光ビームのスポットサイズ変換構造
をなしていることを特徴とする。
に連続する少なくとも２つの光機能領域からなり、各光
機能領域は単層または多層の量子井戸層とそれを挟む光
閉じ込め層からなる多層構造の光導波層を有する半導体
光集積素子において、少なくとも１つの光機能領域にお
ける前記光導波層は層厚が光導波方向にテーパ状に薄く
なる光ビームのスポットサイズ変換構造をなしており、
かつそのテーパ部の層厚変化率は、前記量子井戸層より
も前記光閉じ込め層の方が大きいことを特徴とする。あ
るいは、少なくとも１つの光機能領域における前記光導
波層は、前記光閉じ込め層の組成波長が光導波方向に向
かって短波長化する光ビームのスポットサイズ変換構造
をなしていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の製造方法では、半導体基板
上に形成されたストライプ状誘電体薄膜に挟まれた光導
波路領域へ、光閉じ込め層、半導体多重量子井戸層等の
多層の半導体結晶を選択的に有機金属気相成長法により
結晶成長する工程を含む半導体光集積素子の製造方法に
おいて、該多層の半導体結晶を選択的に結晶成長する
際、各層でＶ族とIII 族の原料比であるＶ／III 比を変
えることを特徴とする。あるいは、多層の半導体結晶を
選択的に結晶成長する際、各層で成長圧力を変えること
を特徴とする。
上に形成されたストライプ状誘電体薄膜に挟まれた光導
波路領域へ、光閉じ込め層、半導体多重量子井戸層等の
多層の半導体結晶を選択的に有機金属気相成長法により
結晶成長する工程を含む半導体光集積素子の製造方法に
おいて、該多層の半導体結晶を選択的に結晶成長する
際、各層でＶ族とIII 族の原料比であるＶ／III 比を変
えることを特徴とする。あるいは、多層の半導体結晶を
選択的に結晶成長する際、各層で成長圧力を変えること
を特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の光集積素子として、
スポットサイズ変換器付き半導体レーザ（ＳＣ−ＬＤ
ｓ）に適用した場合の基本構成を示す断面図であり、活
性領域Ａとスポットサイズ変換領域Ｂとで構成される。
すなわち、ＩｎＰ基板１上に、下部光閉じ込め層２，Ｍ
ＱＲ活性層３、上部光閉じ込め層４、上部ＩｎＰクラッ
ド層５を積層形成した構成とされており、スポットサイ
ズ変換領域では、上下の各光閉じ込め層２，４が光導波
路方向にその層厚が徐々に薄くされ、その一方でＭＱＷ
活性層３はその層厚が殆ど変化されない状態とされてい
る。また、スポットサイズ変換領域では、上下の各光閉
じ込め層２，４は光導波路方向に短波長化する組成構造
として構成されている。
参照して説明する。図１は本発明の光集積素子として、
スポットサイズ変換器付き半導体レーザ（ＳＣ−ＬＤ
ｓ）に適用した場合の基本構成を示す断面図であり、活
性領域Ａとスポットサイズ変換領域Ｂとで構成される。
すなわち、ＩｎＰ基板１上に、下部光閉じ込め層２，Ｍ
ＱＲ活性層３、上部光閉じ込め層４、上部ＩｎＰクラッ
ド層５を積層形成した構成とされており、スポットサイ
ズ変換領域では、上下の各光閉じ込め層２，４が光導波
路方向にその層厚が徐々に薄くされ、その一方でＭＱＷ
活性層３はその層厚が殆ど変化されない状態とされてい
る。また、スポットサイズ変換領域では、上下の各光閉
じ込め層２，４は光導波路方向に短波長化する組成構造
として構成されている。
【００１０】すなわち、光ビームのスポットサイズ変換
機能は、（１）スポットサイズ変換領域の光閉じ込め層
の層厚を薄くし、光閉じ込めを弱くする構成を用いる
か、（２）スポットサイズ変換領域の光閉じ込め層の組
成波長を活性領域の光閉じ込め層の組成波長より短波長
化し、光閉じ込めを弱くする構成を用いることで実現す
る。また、活性領域及びスポットサイズ変換領域のＭＱ
Ｗ活性層は、層厚及び組成が同じで、同じ発光波長を有
する構成となっている。
機能は、（１）スポットサイズ変換領域の光閉じ込め層
の層厚を薄くし、光閉じ込めを弱くする構成を用いる
か、（２）スポットサイズ変換領域の光閉じ込め層の組
成波長を活性領域の光閉じ込め層の組成波長より短波長
化し、光閉じ込めを弱くする構成を用いることで実現す
る。また、活性領域及びスポットサイズ変換領域のＭＱ
Ｗ活性層は、層厚及び組成が同じで、同じ発光波長を有
する構成となっている。
【００１１】したがって、この構成を採用することで、
この実施形態のＳＣ−ＬＤｓでは、スポットサイズ変換
領域にも活性領域と同じ活性層があるため、全領域に電
流を流すことにより、光学的損失をもたらす領域のない
ＳＣ−ＬＤｓを実現でき、しきい値電流の低減、効率の
向上が可能となる。
この実施形態のＳＣ−ＬＤｓでは、スポットサイズ変換
領域にも活性領域と同じ活性層があるため、全領域に電
流を流すことにより、光学的損失をもたらす領域のない
ＳＣ−ＬＤｓを実現でき、しきい値電流の低減、効率の
向上が可能となる。
【００１２】次に、図１に示したＳＣ−ＬＤｓの製造方
法を説明する。この実施形態においては、図２に示すよ
うに、半導体基板上に対向するストライプ状の誘電体マ
スク２０を形成する。マスク２０の幅は、領域Ａで
Ｗm1、領域ＢでＷm2と、領域Ａ側で幅広となっており、
開口幅は両領域に共通にＷg となっている。ここで、Ｓ
Ｃ−ＬＤｓを作製する場合は、例えば活性領域ＡでＷm1
＝５０μｍ、スポットサイズ変換領域ＢでＷm2＝４μ
ｍ、Ｗg ＝１．５μｍに設定される。このマスク２０を
介して、ＩｎＰ基板１上にＭＯＶＰＥを用いて光導波層
（下部光閉じ込め層２、ＭＱＷ層３、上部光閉じ込め層
４）を構成するＩｎＧａＡｓＰ等の混晶半導体層を順次
選択成長させると、領域Ａ，Ｂの開口部にマスク幅に応
じた成長層厚及び組成の異なった四元半導体層が形成さ
れる。この際に、反応管圧力、又は、成長時の原料Ｖ／
III 比を変えることにより、マスク幅に対する結晶層厚
変化率、結晶組成変化率を制御することができる。
法を説明する。この実施形態においては、図２に示すよ
うに、半導体基板上に対向するストライプ状の誘電体マ
スク２０を形成する。マスク２０の幅は、領域Ａで
Ｗm1、領域ＢでＷm2と、領域Ａ側で幅広となっており、
開口幅は両領域に共通にＷg となっている。ここで、Ｓ
Ｃ−ＬＤｓを作製する場合は、例えば活性領域ＡでＷm1
＝５０μｍ、スポットサイズ変換領域ＢでＷm2＝４μ
ｍ、Ｗg ＝１．５μｍに設定される。このマスク２０を
介して、ＩｎＰ基板１上にＭＯＶＰＥを用いて光導波層
（下部光閉じ込め層２、ＭＱＷ層３、上部光閉じ込め層
４）を構成するＩｎＧａＡｓＰ等の混晶半導体層を順次
選択成長させると、領域Ａ，Ｂの開口部にマスク幅に応
じた成長層厚及び組成の異なった四元半導体層が形成さ
れる。この際に、反応管圧力、又は、成長時の原料Ｖ／
III 比を変えることにより、マスク幅に対する結晶層厚
変化率、結晶組成変化率を制御することができる。
【００１３】まず、成長圧力変化を用いた結晶組成変化
率、及び結晶層厚変化率の制御について説明する。図３
（ａ），（ｂ）に、成長圧力を２通り（２０ｔｏｒｒ及
び１５０ｔｏｒｒ）に変えて、ＩｎＰ基板上に組成波長
１．２７μｍのＩｎＧａＡｓＰ四元混晶を成長した時の
マスク幅に対する結晶組成波長の変化、及び結晶層厚の
変化を測定した結果をそれぞれ示す。この実験では、Ｖ
／III 比は１００、成長温度は６３５度を用いた。成長
圧力２０ｔｏｒｒの場合よりも、成長圧力１５０ｔｏｒ
ｒの場合のほうが、マスク幅に対する結晶組成変化率、
及び結晶層厚変化率が大きくなることが見出された。す
なわち、成長圧力が大きい条件で選択成長すると、マス
ク幅に対する結晶組成変化率、結晶層厚変化率を大きく
することができ、成長圧力が小さい成長条件で選択成長
すると、マスク幅に対する結晶組成変化率、結晶層厚変
化率を小さくすることができる。この原理を利用する
と、例えば、光閉じ込め層を高い圧力で、ＭＱＷ層を低
い圧力で選択成長することで、前述したような光閉じ込
め層の層厚だけがスポットサイズ変換領域で変化する理
想的なＳＣ−ＬＤｓが作製できる。
率、及び結晶層厚変化率の制御について説明する。図３
（ａ），（ｂ）に、成長圧力を２通り（２０ｔｏｒｒ及
び１５０ｔｏｒｒ）に変えて、ＩｎＰ基板上に組成波長
１．２７μｍのＩｎＧａＡｓＰ四元混晶を成長した時の
マスク幅に対する結晶組成波長の変化、及び結晶層厚の
変化を測定した結果をそれぞれ示す。この実験では、Ｖ
／III 比は１００、成長温度は６３５度を用いた。成長
圧力２０ｔｏｒｒの場合よりも、成長圧力１５０ｔｏｒ
ｒの場合のほうが、マスク幅に対する結晶組成変化率、
及び結晶層厚変化率が大きくなることが見出された。す
なわち、成長圧力が大きい条件で選択成長すると、マス
ク幅に対する結晶組成変化率、結晶層厚変化率を大きく
することができ、成長圧力が小さい成長条件で選択成長
すると、マスク幅に対する結晶組成変化率、結晶層厚変
化率を小さくすることができる。この原理を利用する
と、例えば、光閉じ込め層を高い圧力で、ＭＱＷ層を低
い圧力で選択成長することで、前述したような光閉じ込
め層の層厚だけがスポットサイズ変換領域で変化する理
想的なＳＣ−ＬＤｓが作製できる。
【００１４】次に、原料Ｖ／III 比の変化を用いた結晶
組成変化率の制御について説明する。図４は、ＩｎＰ基
板上に成長させた組成波長１．２７μｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶のマスク幅に対する組成波長変化量のＶ／II
I 比依存性を調べた結果である。この実験では、成長温
度６３５度、成長圧力１５０ｔｏｒｒを用いている。こ
の過程において、Ｖ／III 比が１５００の条件で成長し
た場合よりも、Ｖ／III 比が１００の条件で成長した方
がマスク幅に対するる結晶組成変化率が大きいことが見
出された。この時、結晶層厚変化率には大きな違いは見
られなかった。このＶ／III 比の違いに伴う組成波長変
化率の違いの原因は、次のように考えられる。
組成変化率の制御について説明する。図４は、ＩｎＰ基
板上に成長させた組成波長１．２７μｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶のマスク幅に対する組成波長変化量のＶ／II
I 比依存性を調べた結果である。この実験では、成長温
度６３５度、成長圧力１５０ｔｏｒｒを用いている。こ
の過程において、Ｖ／III 比が１５００の条件で成長し
た場合よりも、Ｖ／III 比が１００の条件で成長した方
がマスク幅に対するる結晶組成変化率が大きいことが見
出された。この時、結晶層厚変化率には大きな違いは見
られなかった。このＶ／III 比の違いに伴う組成波長変
化率の違いの原因は、次のように考えられる。
【００１５】ＩｎＧａＡｓＰの四元系の選択成長におい
て、誘電体マスク２０の幅に対する結晶層厚変化は、主
として反応管内の気相中のＧａ、Ｉｎ等の III族原料種
の横方向拡散によって生じる。つまり、誘電体マスク２
０上では原料種が消費（成長）されないため高濃度とな
り、誘電体マスク２０に挟まれた成長領域２１では原料
種が消費（成長）されるため低濃度となる。これによ
り、横方向に原料種の濃度勾配ができ、横方向拡散が生
じる。この時、誘電体マスク２０の幅が広いほど、横方
向拡散によって成長領域に供給される III族原料種の量
が大きくなるため、結晶層厚が厚くなる。一方、結晶組
成は、マスク幅が広くなるにつれてＩｎ組成が増加する
ため、結晶組成成長は長波長側へシフトする。これは、
Ｉｎ原料の拡散長の方が、Ｇａ原料の拡散長よりも短い
ために、横方向Ｉｎの濃度勾配が大きくなり、より多く
のＩｎが成長領域に取り込まれるために生じる。ところ
が、Ｖ／III 比が大きい条件で成長を行うと、Ｖ族が触
媒の役割をはたして、III 族の分解が促進される。その
結果、ＩｎとＧａの取り込まれの相対的な差が小さくな
り、選択成長におけるマスク幅に対する組成変化量の増
大を抑制する働きをするのである。
て、誘電体マスク２０の幅に対する結晶層厚変化は、主
として反応管内の気相中のＧａ、Ｉｎ等の III族原料種
の横方向拡散によって生じる。つまり、誘電体マスク２
０上では原料種が消費（成長）されないため高濃度とな
り、誘電体マスク２０に挟まれた成長領域２１では原料
種が消費（成長）されるため低濃度となる。これによ
り、横方向に原料種の濃度勾配ができ、横方向拡散が生
じる。この時、誘電体マスク２０の幅が広いほど、横方
向拡散によって成長領域に供給される III族原料種の量
が大きくなるため、結晶層厚が厚くなる。一方、結晶組
成は、マスク幅が広くなるにつれてＩｎ組成が増加する
ため、結晶組成成長は長波長側へシフトする。これは、
Ｉｎ原料の拡散長の方が、Ｇａ原料の拡散長よりも短い
ために、横方向Ｉｎの濃度勾配が大きくなり、より多く
のＩｎが成長領域に取り込まれるために生じる。ところ
が、Ｖ／III 比が大きい条件で成長を行うと、Ｖ族が触
媒の役割をはたして、III 族の分解が促進される。その
結果、ＩｎとＧａの取り込まれの相対的な差が小さくな
り、選択成長におけるマスク幅に対する組成変化量の増
大を抑制する働きをするのである。
【００１６】このように、Ｖ／III 比が大きい成長条件
で選択成長すると、マスク幅に対する結晶組成波長の変
化率を小さくすることができ、Ｖ／III 比が小さい成長
条件で選択成長すると、マスク幅に対する結晶組成波長
の変化率を大きくすることができる。この原理を利用す
ると、例えば、光閉じ込め層を高いＶ／III 比で、ＭＱ
Ｗ層を低いＶ／III 比で選択成長することで、前述した
ような光閉じ込め層の組成だけがスポットサイズ変換領
域で短波長側へ変化する理想的なＳＣ−ＬＤｓが作製で
きる。
で選択成長すると、マスク幅に対する結晶組成波長の変
化率を小さくすることができ、Ｖ／III 比が小さい成長
条件で選択成長すると、マスク幅に対する結晶組成波長
の変化率を大きくすることができる。この原理を利用す
ると、例えば、光閉じ込め層を高いＶ／III 比で、ＭＱ
Ｗ層を低いＶ／III 比で選択成長することで、前述した
ような光閉じ込め層の組成だけがスポットサイズ変換領
域で短波長側へ変化する理想的なＳＣ−ＬＤｓが作製で
きる。
【００１７】図５は本発明の第１の実施形態を示す図で
あり、本発明をスポットサイズ変換器付き半導体レーザ
に適用した例である。同図（ｂ）はその共振器方向の断
面図、同図（ａ）はその製造に用いる選択成長用のマス
クパターンである。まず、〈０１１〉方向に、ＳｉＯ2
成長阻止マスク２０を、マスク幅が活性領域Ａで５０μ
ｍ、スポットサイズ変換領域Ｂで４μｍとなるようにパ
ターン化し、１．５μｍ幅の成長領域２１を挟んで対向
するように形成する。次に、このマスクが形成された基
板１上に、本発明の圧力変化による結晶組成、層厚制御
法を用いて、次の工程で各層を選択成長する。まず、ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ下部光閉じ込め層２を成長圧力１５０
ｔｏｒｒの条件で、次いでＩｎＧａＡｓＰウエル／Ｉｎ
ＧａＡｓＰバリアの５層ＭＱＷ層３を成長圧力１５ｔｏ
ｒｒの条件で、さらにｉ−ＩｎＧａＡｓＰ上部光閉じ込
め層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を成長圧力１５０ｔｏ
ｒｒの条件で選択成長する。この時、ＭＱＷ層３のバン
ドギャップ波長は、活性領域Ａで１．３μｍとなるよう
に設定されている。
あり、本発明をスポットサイズ変換器付き半導体レーザ
に適用した例である。同図（ｂ）はその共振器方向の断
面図、同図（ａ）はその製造に用いる選択成長用のマス
クパターンである。まず、〈０１１〉方向に、ＳｉＯ2
成長阻止マスク２０を、マスク幅が活性領域Ａで５０μ
ｍ、スポットサイズ変換領域Ｂで４μｍとなるようにパ
ターン化し、１．５μｍ幅の成長領域２１を挟んで対向
するように形成する。次に、このマスクが形成された基
板１上に、本発明の圧力変化による結晶組成、層厚制御
法を用いて、次の工程で各層を選択成長する。まず、ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ下部光閉じ込め層２を成長圧力１５０
ｔｏｒｒの条件で、次いでＩｎＧａＡｓＰウエル／Ｉｎ
ＧａＡｓＰバリアの５層ＭＱＷ層３を成長圧力１５ｔｏ
ｒｒの条件で、さらにｉ−ＩｎＧａＡｓＰ上部光閉じ込
め層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を成長圧力１５０ｔｏ
ｒｒの条件で選択成長する。この時、ＭＱＷ層３のバン
ドギャップ波長は、活性領域Ａで１．３μｍとなるよう
に設定されている。
【００１８】この製造工程では、ＭＱＷ層３を選択成長
する時の成長圧力は、１５ｔｏｒｒと十分に低いため、
マスク幅に対する結晶組成変化、結晶層厚変化がほとん
ど無く、スポットサイズ変換領域ＢのＭＱＷ層も活性領
域ＡのＭＱＷ層とほぼ同じ組成、層厚となり、バンドギ
ャップ波長を１．３μｍとすることができた。一方、上
下光閉じ込め層２，４は、高い成長圧力で成長されたた
め、層厚は、活性領域Ａで各５０ｎｍであるのに対し、
スポットサイズ変換領域Ｂの光出射端では各１０ｎｍ
と、スポットサイズ変換機能を果たすに十分な層厚にま
で低減することができた。次に、フォトリソグラフィ等
を用いて、成長領域２１の開口幅を６μｍに広げ、成長
阻止マスク２０のマスク幅を全領域で２μｍになるよう
に再度形成し、このマスクを用いてｐ−ＩｎＰ埋め込み
クラッド層５（層厚３μｍ）を選択成長する。その後、
上部電極７、下部電極８を通常のスパッタ法等により形
成する。
する時の成長圧力は、１５ｔｏｒｒと十分に低いため、
マスク幅に対する結晶組成変化、結晶層厚変化がほとん
ど無く、スポットサイズ変換領域ＢのＭＱＷ層も活性領
域ＡのＭＱＷ層とほぼ同じ組成、層厚となり、バンドギ
ャップ波長を１．３μｍとすることができた。一方、上
下光閉じ込め層２，４は、高い成長圧力で成長されたた
め、層厚は、活性領域Ａで各５０ｎｍであるのに対し、
スポットサイズ変換領域Ｂの光出射端では各１０ｎｍ
と、スポットサイズ変換機能を果たすに十分な層厚にま
で低減することができた。次に、フォトリソグラフィ等
を用いて、成長領域２１の開口幅を６μｍに広げ、成長
阻止マスク２０のマスク幅を全領域で２μｍになるよう
に再度形成し、このマスクを用いてｐ−ＩｎＰ埋め込み
クラッド層５（層厚３μｍ）を選択成長する。その後、
上部電極７、下部電極８を通常のスパッタ法等により形
成する。
【００１９】こうして作製した素子長４００μｍのスポ
ットサイズ変換器付き半導体レーザ（活性領域３００μ
ｍ、スポットサイズ変換領域１００μｍ）は、全領域の
ＭＱＷ層を活性層として用いることができ、全領域（活
性領域とスポットサイズ変換領域の両方）に電流を注入
することにより、従来の遷移領域でＭＱＷ構造の層厚が
テーパ状に薄くなっていたレーザに比べ、発振しきい値
電流で１／２、効率は１．３倍に改善された。また、前
方端面に低反射率、後方端面に高反射率のコーティング
を施した素子では室温２５℃での最高出力は従来の６０
ｍＷからの１００ｍＷまで向上した。
ットサイズ変換器付き半導体レーザ（活性領域３００μ
ｍ、スポットサイズ変換領域１００μｍ）は、全領域の
ＭＱＷ層を活性層として用いることができ、全領域（活
性領域とスポットサイズ変換領域の両方）に電流を注入
することにより、従来の遷移領域でＭＱＷ構造の層厚が
テーパ状に薄くなっていたレーザに比べ、発振しきい値
電流で１／２、効率は１．３倍に改善された。また、前
方端面に低反射率、後方端面に高反射率のコーティング
を施した素子では室温２５℃での最高出力は従来の６０
ｍＷからの１００ｍＷまで向上した。
【００２０】なお、この実施形態では、スポットサイズ
変換領域Ｂの上下光閉じ込め層２，４の層厚が、スポッ
トサイズ変換領域Ｂの光出射端へ向けてテーパ状に薄く
なり、光閉じ込めが弱くなる構成をとったが、本発明
は、スポットサイズ変換領域Ｂの上下光閉じ込め層の組
成波長が、スポットサイズ変換領域の光出射端へ向けて
短波長化し、光閉じ込めが弱くなる構造に対しても有効
である。
変換領域Ｂの上下光閉じ込め層２，４の層厚が、スポッ
トサイズ変換領域Ｂの光出射端へ向けてテーパ状に薄く
なり、光閉じ込めが弱くなる構成をとったが、本発明
は、スポットサイズ変換領域Ｂの上下光閉じ込め層の組
成波長が、スポットサイズ変換領域の光出射端へ向けて
短波長化し、光閉じ込めが弱くなる構造に対しても有効
である。
【００２１】図６はＶ／III 比の変化を利用した選択成
長による光集積素子として、本発明を波長可変階段型導
波路構造ＤＢＲレーザと呼ばれる波長可変レーザに適用
したものであり、同図（ｂ）はその共振器方向の断面
図、同図（ａ）はこれを製造する際に用いられる選択成
長用マスクパターンを示す。まずｎ−ＩｎＰ基板１上へ
〈０１１〉方向に活性領域Ａ、位相調整（ＰＣ）領域
Ｃ、ＤＢＲ領域Ｄを設け、ＤＢＲ領域Ｄにのみピッチ約
２４０ｎｍの回折格子３０を形成する。次に、同図
（ａ）のＳｉＯ2 成長阻止マスク２０を、１．５μｍ開
口部（成長領域１１）を挟んで対向するように形成す
る。この時、マスク２０の幅は、活性領域Ａで３０μ
ｍ、ＰＣ領域Ｃで２０μｍ、ＤＢＲ領域Ｄで４μｍとし
ている。
長による光集積素子として、本発明を波長可変階段型導
波路構造ＤＢＲレーザと呼ばれる波長可変レーザに適用
したものであり、同図（ｂ）はその共振器方向の断面
図、同図（ａ）はこれを製造する際に用いられる選択成
長用マスクパターンを示す。まずｎ−ＩｎＰ基板１上へ
〈０１１〉方向に活性領域Ａ、位相調整（ＰＣ）領域
Ｃ、ＤＢＲ領域Ｄを設け、ＤＢＲ領域Ｄにのみピッチ約
２４０ｎｍの回折格子３０を形成する。次に、同図
（ａ）のＳｉＯ2 成長阻止マスク２０を、１．５μｍ開
口部（成長領域１１）を挟んで対向するように形成す
る。この時、マスク２０の幅は、活性領域Ａで３０μ
ｍ、ＰＣ領域Ｃで２０μｍ、ＤＢＲ領域Ｄで４μｍとし
ている。
【００２２】このマスク２０が形成された基板１上に、
本発明のＶ／III 比変化による結晶組成制御法を用い
て、次の工程で各層を選択成長する。まず、ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ下部光閉じ込め層２をＶ／III ＝１５００の条
件で、次いでｎ−ＩｎＰスペーサ層９、ＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ層３（活性領域のＩｎＧａＡｓ
Ｐ量子井戸の組成波長１．６μｍ、層厚７ｎｍ／ＩｎＧ
ａＡｓＰバリアの組成波長１．３μｍ、層厚１０ｎｍ）
をＶ／III ＝１００の条件で、さらにｉ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ上部光閉じ込め層４をＶ／III ＝１５００の条件で、
最後にｐ−ＩｎＰクラッド層８をＶ／III ＝１００の条
件で選択成長する。この時、開口部（成長領域１１）に
成長される下部、及び上部のＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め
層２，４の組成は、Ｖ／III 比を１５００と大きくとっ
ているため、図３の実験結果に示したようにマスク幅に
対する組成変化量を小さくすることができ、ＤＢＲ領域
Ｄで１．２７μｍ、活性領域Ａで１．３μｍとなった。
本発明のＶ／III 比変化による結晶組成制御法を用い
て、次の工程で各層を選択成長する。まず、ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ下部光閉じ込め層２をＶ／III ＝１５００の条
件で、次いでｎ−ＩｎＰスペーサ層９、ＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ層３（活性領域のＩｎＧａＡｓ
Ｐ量子井戸の組成波長１．６μｍ、層厚７ｎｍ／ＩｎＧ
ａＡｓＰバリアの組成波長１．３μｍ、層厚１０ｎｍ）
をＶ／III ＝１００の条件で、さらにｉ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ上部光閉じ込め層４をＶ／III ＝１５００の条件で、
最後にｐ−ＩｎＰクラッド層８をＶ／III ＝１００の条
件で選択成長する。この時、開口部（成長領域１１）に
成長される下部、及び上部のＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め
層２，４の組成は、Ｖ／III 比を１５００と大きくとっ
ているため、図３の実験結果に示したようにマスク幅に
対する組成変化量を小さくすることができ、ＤＢＲ領域
Ｄで１．２７μｍ、活性領域Ａで１．３μｍとなった。
【００２３】従来の選択成長では、光閉じ込め層もＭＱ
Ｗ層と同じＶ／III ＝１００の条件で成長していたた
め、ＤＢＲ領域の上下光閉じ込め層２，４の組成波長を
１．２７μｍとすると、活性領域の光閉じ込め層の組成
波長は１．３７μｍ程度に長波長化し、電流注入効率の
低下、光出力の飽和といったレーザ特性の劣化を生じて
いたが、本発明によって、活性領域の光閉じ込め層の組
成成長の過剰な長波長化を抑制する事ができた。また、
層厚は２，４の両層ともＤＢＲ領域Ｄで０．１μｍ、活
性領域Ａで０．２５μｍである。一方、ＭＱＷ層３は、
Ｖ／III 比が小さい条件で成長しているため、その発光
波長は、活性領域Ａで１．５５μｍ、ＤＢＲ領域Ｄで、
１．５５μｍの光に対して光損失を生じない程度に十分
短波長である１．３８μｍに設定することができた。
Ｗ層と同じＶ／III ＝１００の条件で成長していたた
め、ＤＢＲ領域の上下光閉じ込め層２，４の組成波長を
１．２７μｍとすると、活性領域の光閉じ込め層の組成
波長は１．３７μｍ程度に長波長化し、電流注入効率の
低下、光出力の飽和といったレーザ特性の劣化を生じて
いたが、本発明によって、活性領域の光閉じ込め層の組
成成長の過剰な長波長化を抑制する事ができた。また、
層厚は２，４の両層ともＤＢＲ領域Ｄで０．１μｍ、活
性領域Ａで０．２５μｍである。一方、ＭＱＷ層３は、
Ｖ／III 比が小さい条件で成長しているため、その発光
波長は、活性領域Ａで１．５５μｍ、ＤＢＲ領域Ｄで、
１．５５μｍの光に対して光損失を生じない程度に十分
短波長である１．３８μｍに設定することができた。
【００２４】このようにして、各半導体層を形成した
後、成長阻止マスク２０のマスク開口幅を全領域（活性
領域、ＰＣ領域、ＤＢＲ領域）で６μｍに広げ、成長阻
止マスク２０の幅を全領域で２μｍになるように再度形
成し、このマスクを用いて、ｐ−ＩｎＰ埋め込みクラッ
ド層５（層厚１．５μｍ）をＭＯＶＰＥで結晶成長す
る。その後、ＳｉＯ2 膜１０を形成し、上部電極７、下
部電極８を通常のスパッタ法等により形成して波長可変
階段型導波路構造ＤＢＲレーザを得ることができた。素
子長７００μｍ（活性領域長３００μｍ、位相調整領域
長２００μｍ、ＤＢＲ領域長２００μｍ）の素子を作製
したところ、従来、発振しきい値電流１０ｍＡであった
ものが、しきい値電流６ｍＡでレーザ発振を示し、最大
光出力は従来の１．５倍の２５ｍＷ、位相調整領域及び
ＤＢＲ領域への単一電流注入連続波長可変幅は従来の
１．７倍の６．８ｎｍが得られた。
後、成長阻止マスク２０のマスク開口幅を全領域（活性
領域、ＰＣ領域、ＤＢＲ領域）で６μｍに広げ、成長阻
止マスク２０の幅を全領域で２μｍになるように再度形
成し、このマスクを用いて、ｐ−ＩｎＰ埋め込みクラッ
ド層５（層厚１．５μｍ）をＭＯＶＰＥで結晶成長す
る。その後、ＳｉＯ2 膜１０を形成し、上部電極７、下
部電極８を通常のスパッタ法等により形成して波長可変
階段型導波路構造ＤＢＲレーザを得ることができた。素
子長７００μｍ（活性領域長３００μｍ、位相調整領域
長２００μｍ、ＤＢＲ領域長２００μｍ）の素子を作製
したところ、従来、発振しきい値電流１０ｍＡであった
ものが、しきい値電流６ｍＡでレーザ発振を示し、最大
光出力は従来の１．５倍の２５ｍＷ、位相調整領域及び
ＤＢＲ領域への単一電流注入連続波長可変幅は従来の
１．７倍の６．８ｎｍが得られた。
【００２５】ここで、本発明は、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐ系以外の材料、例えばＩｎＧａＡｓＮ／ＧａＡｓ系、
ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ系等の材料を用いた
光集積素子及び、それを実現する選択成長においても有
効である。また、実施形態例では、成長領域の幅が１．
５μｍの場合について述べたが、成長領域の幅が１．５
μｍに限定されることはない。成長領域の幅が１０μｍ
を超えると、マスク幅に対する結晶組成変化率、層厚変
化率の変化量が小さくなるため、本発明は選択成長領域
幅が１０μｍ以下の時に特に有効である。
Ｐ系以外の材料、例えばＩｎＧａＡｓＮ／ＧａＡｓ系、
ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ系等の材料を用いた
光集積素子及び、それを実現する選択成長においても有
効である。また、実施形態例では、成長領域の幅が１．
５μｍの場合について述べたが、成長領域の幅が１．５
μｍに限定されることはない。成長領域の幅が１０μｍ
を超えると、マスク幅に対する結晶組成変化率、層厚変
化率の変化量が小さくなるため、本発明は選択成長領域
幅が１０μｍ以下の時に特に有効である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体光集積素子によれば、光ビームのスポットサイズ変換
領域では、光導波層の層厚が光導波方向にテーパ状に薄
くなる一方で、そのテーパ部の層厚変化率は、量子井戸
層よりも光閉じ込め層の方が大きくされ、あるいは光閉
じ込め層の組成波長が光導波方向に向かって短波長化す
る構成とされているので、スポットサイズ変換器付き半
導体レーザの低しきい値電流化、高効率化が可能とな
る。更に、スポットサイズ変換領域も活性領域として機
能しているため、従来のＳＣ−ＬＤｓに比べて全共振器
長を短くでき、２インチでの収量の増加、歩留まりの向
上も可能なる。したがって、この光集積素子を用いた光
アクセス系システムの光ネットワークユニットの高性能
化や低価格化が可能となる。
体光集積素子によれば、光ビームのスポットサイズ変換
領域では、光導波層の層厚が光導波方向にテーパ状に薄
くなる一方で、そのテーパ部の層厚変化率は、量子井戸
層よりも光閉じ込め層の方が大きくされ、あるいは光閉
じ込め層の組成波長が光導波方向に向かって短波長化す
る構成とされているので、スポットサイズ変換器付き半
導体レーザの低しきい値電流化、高効率化が可能とな
る。更に、スポットサイズ変換領域も活性領域として機
能しているため、従来のＳＣ−ＬＤｓに比べて全共振器
長を短くでき、２インチでの収量の増加、歩留まりの向
上も可能なる。したがって、この光集積素子を用いた光
アクセス系システムの光ネットワークユニットの高性能
化や低価格化が可能となる。
【００２７】また、本発明の光集積素子の製造方法によ
れば、選択成長においてマスク幅に対する結晶組成変化
率、結晶層厚変化率を自由に制御できるという利点があ
る。つまり、個々の機能素子を集積した光集積素子を作
製する場合に、各機能素子に最も適した設計の構造を複
雑なプロセスを採用することなく、選択成長によって一
括形成することができる。
れば、選択成長においてマスク幅に対する結晶組成変化
率、結晶層厚変化率を自由に制御できるという利点があ
る。つまり、個々の機能素子を集積した光集積素子を作
製する場合に、各機能素子に最も適した設計の構造を複
雑なプロセスを採用することなく、選択成長によって一
括形成することができる。
【図１】本発明をＳＣ−ＬＤｓに適用した場合のその基
本構成の模式断面図である。
本構成の模式断面図である。
【図２】図１のＳＣ−ＬＤｓを製造するためのマスクパ
ターン図である。
ターン図である。
【図３】本発明におけるマスク幅に対する結晶組成変化
特性と結晶層変化特性を示す図である。
特性と結晶層変化特性を示す図である。
【図４】本発明におけるマスク幅に対するIII/Ｖ組成変
化特性を示す図である。
化特性を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の断面図とそのマスク
パターン図である。
パターン図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の断面図とそのマスク
パターン図である。
パターン図である。
【図７】従来のＳＣ−ＬＤｓの基本構成の模式断面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ ＩｎＰ半導体基板 ２ 下部光閉じ込め層 ３ ＭＱＷ層 ４ 上部光閉じ込め層 ５ 埋め込みクラッド層 ６ クラッド層 ７ 上部電極 ８ 下部電極 ９ スペーサ層 １０ ＳｉＯ2 膜 ２０ 誘電体マスク ２１ 成長領域 ３０ 回折格子
Claims (8)
- 【請求項１】 光導波路方向に連続する少なくとも２つ
の光機能領域からなり、各光機能領域は単層または多層
の量子井戸層とそれを挟む光閉じ込め層からなる多層構
造の光導波層を有する半導体光集積素子において、少な
くとも１つの光機能領域における前記光導波層は層厚が
光導波方向にテーパ状に薄くなる光ビームのスポットサ
イズ変換構造をなしており、かつそのテーパ部の層厚変
化率は、前記量子井戸層よりも前記光閉じ込め層の方が
大きいことを特徴とする半導体光集積素子。 - 【請求項２】 光導波路方向に連続する少なくとも２つ
の光機能領域からなり、各光機能領域は単層または多層
の量子井戸層とそれを挟む光閉じ込め層からなる多層構
造の光導波層を有する半導体光集積素子において、少な
くとも１つの光機能領域における前記光導波層は、前記
光閉じ込め層の組成波長が光導波方向に向かって短波長
化する光ビームのスポットサイズ変換構造をなしている
ことを特徴とする半導体光集積素子。 - 【請求項３】 半導体基板上に形成されたストライプ状
誘電体薄膜に挟まれた光導波路領域へ、光閉じ込め層、
半導体多重量子井戸層等の多層の半導体結晶を選択的に
有機金属気相成長法により結晶成長する工程を含む半導
体光集積素子の製造方法において、該多層の半導体結晶
を選択的に結晶成長する際、各層でＶ族とIII 族の原料
比であるＶ／III 比を変えることを特徴とする半導体光
集積素子の製造方法。 - 【請求項４】 光閉じ込め層の成長時のＶ／III 比が、
多重量子井戸層の成長時のＶ／III 比よりも大きいこと
を特徴とする請求項３に記載の半導体光集積素子の製造
方法。 - 【請求項５】 半導体基板上に形成されたストライプ状
誘電体膜に挟まれた光導波路領域へ、光閉じ込め層、半
導体多重量子井戸層等の多層の半導体結晶を選択的に有
機金属気相成長法により結晶成長する工程を含む半導体
光集積素子の製造方法において、該多層の半導体結晶を
選択的に結晶成長する際、各層で成長圧力を変えること
を特徴とする半導体光集積素子の製造方法。 - 【請求項６】 光閉じ込め層の成長時の成長圧力が、多
重量子井戸層の成長時の成長圧力よりも大きいことを特
徴とする請求項５に記載の半導体光集積素子の製造方
法。 - 【請求項７】 光導波路領域幅が１０μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項３ないし６のいずれかに記載の半
導体光集積素子の製造方法。 - 【請求項８】 半導体基板がＩｎＰであり、結晶成長時
に用いるIII 族原料が、Ｇａ、Ｉｎ、またはＡｌを含む
有機金属であり、Ｖ族原料がＡｓ、Ｐ、またはＮを含ん
でいることを特徴とする請求項３ないし７のいずれかに
記載の半導体光集積素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24952696A JP2924811B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体光集積素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24952696A JP2924811B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体光集積素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098231A true JPH1098231A (ja) | 1998-04-14 |
| JP2924811B2 JP2924811B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=17194302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24952696A Expired - Fee Related JP2924811B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体光集積素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924811B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846967A3 (en) * | 1996-12-05 | 2000-06-07 | Nec Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7046435B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-05-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Reflective semiconductor optical amplifier |
| KR100842277B1 (ko) | 2006-12-07 | 2008-06-30 | 한국전자통신연구원 | 반사형 반도체 광증폭기 및 수퍼 루미네센스 다이오드 |
| US9052449B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-06-09 | Hitachi, Ltd. | Light emitting device, manufacturing method thereof, and optical transceiver |
| US9188953B2 (en) | 2011-08-24 | 2015-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Acousto-optic device having nanostructure, and optical scanner, optical modulator, and display apparatus using the acousto-optic device |
| CN110088995A (zh) * | 2016-12-19 | 2019-08-02 | 古河电气工业株式会社 | 光集成元件以及光发送机模块 |
| JPWO2020255565A1 (ja) * | 2019-06-19 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP24952696A patent/JP2924811B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9052449B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-06-09 | Hitachi, Ltd. | Light emitting device, manufacturing method thereof, and optical transceiver |
| CN110088995A (zh) * | 2016-12-19 | 2019-08-02 | 古河电气工业株式会社 | 光集成元件以及光发送机模块 |
| US11002909B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Furukawa Electric Co,. Ltd. | Optical integrated device and optical transmitter module |
| JPWO2020255565A1 (ja) * | 2019-06-19 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
| CN114008879A (zh) * | 2019-06-19 | 2022-02-01 | 三菱电机株式会社 | 半导体光元件 |
| US12107391B2 (en) | 2019-06-19 | 2024-10-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor optical element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2924811B2 (ja) | 1999-07-26 |
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