JPH109981A - Apparatus for measuring semiconductor pressure sensor chip - Google Patents
Apparatus for measuring semiconductor pressure sensor chipInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
チップの計測装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor pressure sensor chip measuring device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体マイクロ加工センサとは、シリコ
ンの異方性エッチングや薄膜形成技術等を利用して加工
された微小センサのことで、圧力センサや加速度センサ
等があり、これらのセンサは、ピエゾ効果を利用してい
る。2. Description of the Related Art Semiconductor microfabricated sensors are microsensors processed using silicon anisotropic etching or thin film forming technology, and include a pressure sensor, an acceleration sensor, and the like. Utilizes the piezo effect.
【０００３】図３は、半導体圧力センサチップ４の一例
を示す略断面図である。この半導体圧力センサチップ４
の製造工程としては、先ず、単結晶シリコン基板５の両
面にシリコン酸化膜等のフィールド酸化膜６を形成し、
フィールド酸化膜６上に窒化シリコン膜７を形成する。
なお、シリコン酸化膜の形成方法の一例としては、熱酸
化や、原料ガスにシラン（ＳｉＨ4）を用いたプラズマ
ＣＶＤ法により形成する方法があり、窒化シリコン膜の
形成方法の一例としては、原料ガスにシラン（Ｓｉ
Ｈ4）とアンモニア（ＮＨ4）を用いたプラズマＣＶＤ法
により形成する方法がある。FIG. 3 is a schematic sectional view showing an example of the semiconductor pressure sensor chip 4. This semiconductor pressure sensor chip 4
First, a field oxide film 6 such as a silicon oxide film is formed on both surfaces of a single crystal silicon substrate 5,
A silicon nitride film is formed on the field oxide film.
Note that examples of a method of forming a silicon oxide film include a method of forming the silicon oxide film by thermal oxidation or a plasma CVD method using silane (SiH 4 ) as a source gas. Silane (Si
H 4) and a method of forming by plasma CVD method using ammonia (NH 4).
【０００４】続いて、単結晶シリコン基板５の裏面に形
成された窒化シリコン膜７上にフォトレジスト（図示せ
ず）を塗布した後、露光，現像を行うことにより中央部
分に開口部を形成し、プラズマアッシング等によりフォ
トレジストを除去し、開口部が形成されたフォトレジス
トをマスクとして窒化シリコン膜７，フィールド酸化膜
６のエッチングを行い、プラズマアッシング等によりフ
ォトレジストを除去する。なお、窒化シリコン膜７及び
フィールド酸化膜６のエッチング方法の一例としては、
ＣＦ4−Ｈ2のガスプラズマ中でフッ素ラジカルでエッチ
ングする方法がある。Subsequently, after a photoresist (not shown) is applied on the silicon nitride film 7 formed on the back surface of the single crystal silicon substrate 5, an opening is formed at the center by performing exposure and development. The photoresist is removed by plasma ashing or the like, the silicon nitride film 7 and the field oxide film 6 are etched using the photoresist in which the opening is formed as a mask, and the photoresist is removed by plasma ashing or the like. In addition, as an example of the etching method of the silicon nitride film 7 and the field oxide film 6,
There is a method of etching with fluorine radicals in CF 4 —H 2 gas plasma.
【０００５】そして、窒化シリコン膜７をマスクとし
て、単結晶シリコン基板５を、水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）水溶液等のアルカリ系のエッチャントを用いて異方
性エッチングを行うことにより、単結晶シリコン基板５
の中央部分に厚さ約２０μｍ〜５０μｍの薄肉部を形成
して、ダイヤフラム８を形成する。Then, using the silicon nitride film 7 as a mask, the single crystal silicon substrate 5 is
H) By performing anisotropic etching using an alkaline etchant such as an aqueous solution, the single-crystal silicon substrate 5
A thin portion having a thickness of about 20 μm to 50 μm is formed in the central portion of the diaphragm 8 to form the diaphragm 8.
【０００６】次に、単結晶シリコン基板５の一主表面に
形成された窒化シリコン膜３上にフォトレジスト（図示
せず）を塗布した後、露光，現像を行うことにより開口
部９を形成し、プラズマアッシング等によりフォトレジ
ストを除去する。Next, after a photoresist (not shown) is applied on the silicon nitride film 3 formed on one main surface of the single crystal silicon substrate 5, an opening 9 is formed by performing exposure and development. The photoresist is removed by plasma ashing or the like.
【０００７】そして、窒化シリコン膜７をマスクとし
て、ボロン（Ｂ）等の不純物をイオン注入及び熱拡散を
行うことによりピエゾ抵抗１０を形成し、最後に、開口
部９を埋め込むように電極配線１１を形成する。なお、
電極配線１１の形成方法の一例としては、ターゲットに
アルミニウム（Ａｌ）を用いてスパッタリングを行うこ
とによりアルミニウム層を形成し、所定形状にパターニ
ングすることにより形成する方法がある。Using the silicon nitride film 7 as a mask, an impurity such as boron (B) is ion-implanted and thermally diffused to form a piezoresistor 10, and finally, an electrode wiring 11 is buried in the opening 9. To form In addition,
As an example of a method for forming the electrode wiring 11, there is a method in which an aluminum layer is formed by performing sputtering using aluminum (Al) as a target and then patterned into a predetermined shape.
【０００８】半導体圧力センサチップ４の特徴として
は、基板にシリコンを用いているため、従来のブルドン
管式等に比べて小型で高感度であるとともに、再現性が
良く、また、信頼性も高いという利点がある。The features of the semiconductor pressure sensor chip 4 are that, since silicon is used for the substrate, it is small in size and high in sensitivity as compared with the conventional Bourdon tube type and the like, has good reproducibility, and has high reliability. There is an advantage.
【０００９】上記構成の半導体圧力センサチップ４で
は、ダイヤフラム８に圧力が印加されると、ダイヤフラ
ム４が歪むので、その圧力に応じた歪みをダイヤフラム
８の表面に形成されたピエゾ抵抗１０によって抵抗値の
変化に変換し、それを電気的信号の変動として検知す
る。In the semiconductor pressure sensor chip 4 having the above-described structure, when a pressure is applied to the diaphragm 8, the diaphragm 4 is distorted, and a distortion corresponding to the pressure is generated by a piezo resistor 10 formed on the surface of the diaphragm 8. And changes are detected as changes in the electrical signal.
【００１０】この半導体圧力センサチップ４の基本的な
評価項目として、常温常圧で計測するピエゾ抵抗値以外
に、高温・低温環境下で評価するオフセット電圧温度特
性，圧力を印加した状態で計測する出力電圧・非直線性
・圧力ヒステリシス，両者のストレス下での出力電圧温
度特性・感度温度特性等がある。これらの中で、圧力を
印加して計測する項目は、実際の圧力を印加した状態の
動作を確認する意味で重要な評価項目である。As basic evaluation items of the semiconductor pressure sensor chip 4, in addition to the piezoresistance value measured at normal temperature and normal pressure, offset voltage-temperature characteristics evaluated under high-temperature and low-temperature environments and measurement are performed with pressure applied. There are output voltage, non-linearity, pressure hysteresis, output voltage temperature characteristics and sensitivity temperature characteristics under both stresses. Among these, the items that are measured by applying pressure are important evaluation items in the sense of confirming the operation in the state where the actual pressure is applied.
【００１１】通常のＩＣ等の半導体素子の場合、特性計
測としては電気的特性を計測し、信頼性試験では電気的
ストレスを印加し、高温度・高湿度等の環境下で試験を
行っている。In the case of a normal semiconductor device such as an IC, an electrical characteristic is measured as a characteristic measurement, an electric stress is applied in a reliability test, and a test is performed in an environment such as high temperature and high humidity. .
【００１２】しかし、半導体圧力センサチップ４の評価
や試験には、通常の半導体素子と異なり、電気的ストレ
ス，高温・高湿環境以外に圧力といった物理量を印加す
ることが必要不可欠となる。一方、拡散工程が終了した
段階のウェハ状態で、圧力を印加して特性を計測する技
術や圧力を印加した環境下での信頼性評価技術は一般に
なく、圧力ストレスの印加が必要な評価・試験はウェハ
状態では不可能で、このような評価・試験は組立後に実
施されていた。However, in the evaluation and test of the semiconductor pressure sensor chip 4, it is indispensable to apply a physical quantity such as a pressure in addition to an electric stress and a high-temperature and high-humidity environment, unlike an ordinary semiconductor element. On the other hand, there is no general technology for applying pressure and measuring characteristics in the wafer state at the stage where the diffusion process has been completed, or for reliability evaluation in an environment where pressure has been applied. Cannot be performed in a wafer state, and such evaluations and tests have been performed after assembly.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に、組立後に圧力を印加したときの特性計測や信頼性試
験を実施すると、不具合が発生した場合、原因のある工
程の特定に長時間を要するという問題があった。即ち、
組立後の評価では工程全体を評価することになるため、
拡散工程に原因があるのか、または組立工程に原因があ
るのか解析を実施しなければ明らかにならず、このため
に長時間を要するのである。However, as described above, when characteristics are measured or reliability tests are performed when pressure is applied after assembling, if a failure occurs, it takes a long time to identify the process that caused the problem. There was a problem of cost. That is,
In the evaluation after assembly, the entire process is evaluated,
An analysis must be performed to determine whether the cause is the diffusion process or the assembly process, which takes a long time.
【００１４】また、上記の不具合点を解決するために
は、原因を素子設計や工程設計にフィードバックさせる
必要がある。In order to solve the above problems, it is necessary to feed back the cause to element design and process design.
【００１５】しかし、原因が組立後にしか判明しないた
め、組立に要する時間分フィードバックするタイミング
が遅れるという問題点があった。However, since the cause is found only after assembling, there is a problem that the timing of feedback is delayed by the time required for assembling.
【００１６】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、半導体圧力センサチ
ップの不具合点を早期に発見することのできる半導体圧
力センサチップの計測装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor chip measuring device capable of detecting a defect of a semiconductor pressure sensor chip at an early stage. To provide.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
耐熱性樹脂で形成され、ダイヤフラムと該ダイヤフラム
上に形成されたピエゾ抵抗と該ピエゾ抵抗と電気的に接
続された電極配線とを有する半導体圧力センサチップを
収納する凹部を有するソケット本体と、前記凹部を塞ぐ
ように形成された圧力導入孔を有する蓋と、前記配線電
極を前記ソケット本体の外部に引き出す外部引出用部と
を有して成り、前記凹部に、前記半導体圧力センサチッ
プを収納した際に、前記電極配線が前記外部引出部に電
気的に接続されるとともに、前記蓋により前記半導体圧
力センサチップが固定されるようにし、前記圧力導入孔
より圧力を印加した状態で前記半導体圧力センサチップ
の特性を計測するようにしたことを特徴とするものであ
る。According to the first aspect of the present invention,
A socket body formed of a heat-resistant resin and having a recess for accommodating a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm, a piezoresistor formed on the diaphragm, and electrode wiring electrically connected to the piezoresistor; When the semiconductor pressure sensor chip is housed in the recess, the cover having a pressure introducing hole formed so as to close the socket, and an external lead-out part for drawing the wiring electrode out of the socket body. The semiconductor pressure sensor chip is configured such that the electrode wiring is electrically connected to the external lead-out portion, the semiconductor pressure sensor chip is fixed by the lid, and pressure is applied from the pressure introduction hole. Is measured.
【００１８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサチップの計測装置において、前記外部引
出部が、前記凹部底面を挿通するように設けられた外部
引出用端子であることを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor chip measuring device according to the first aspect, the external lead-out portion is an external lead-out terminal provided so as to pass through the bottom surface of the concave portion. It is a feature.
【００１９】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサチップの計測装置において、前記外部引
出部が、前記凹部から前記ソケット本体外部に挿通する
ように設けられた挿通端子と、前記凹部内に配置され、
バンプ電極と該バンプ電極と前記挿通端子とを電気的に
接続する配線パターンとを有する基板とから成ることを
特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, in the measuring device for a semiconductor pressure sensor chip according to the first aspect, an insertion terminal provided so that the external lead-out portion is inserted from the concave portion to the outside of the socket body; Disposed in the recess,
It is characterized by comprising a substrate having a bump electrode and a wiring pattern for electrically connecting the bump electrode and the insertion terminal.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る半導体圧力センサチップ４の計測装置を示す模式
図である。本実施形態に係る半導体圧力センサチップ４
の計測装置は、耐熱性樹脂で形成された凹部１ａを有す
るソケット本体１と、圧力導入孔２ａを有する蓋２とを
有し、ソケット本体１における凹部１ａの底面には、半
導体圧力センサチップ４の電極配線を外部に引き出すた
めの外部引出用端子３が挿通するように設けられてい
る。ここで、外部引出用端子３は、半導体圧力センサチ
ップ４を凹部１ａ内に収納した際に、半導体圧力センサ
チップ４の電極配線と電気的に接続するように配置され
ている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a measuring device of a semiconductor pressure sensor chip 4 according to one embodiment of the present invention. Semiconductor pressure sensor chip 4 according to the present embodiment
Has a socket body 1 having a concave portion 1a formed of a heat-resistant resin, and a lid 2 having a pressure introducing hole 2a. A semiconductor pressure sensor chip 4 is provided on the bottom surface of the concave portion 1a in the socket main body 1. An external lead-out terminal 3 for drawing out the electrode wiring is provided so as to pass therethrough. Here, the external lead-out terminal 3 is arranged so as to be electrically connected to the electrode wiring of the semiconductor pressure sensor chip 4 when the semiconductor pressure sensor chip 4 is housed in the recess 1a.
【００２１】以下、本発明の圧力特性の計測方法につい
て説明する。先ず、ソケット本体１の凹部１ａに、図３
に示す半導体圧力センサチップ４の配線電極を、外部引
出用端子３に接触するように収納する。Hereinafter, a method for measuring pressure characteristics according to the present invention will be described. First, in the concave portion 1a of the socket body 1, FIG.
Are housed so as to be in contact with the external lead-out terminals 3.
【００２２】続いて、凹部１ａを塞ぐようにソケット本
体１に蓋２を被せ、圧力導入孔２ａより圧力発生器（図
示せず）等によって所定の圧力を印加する。そして、外
部引出用端子３間に所定の定電流源（図示せず）及び電
圧計（図示せず）を接続し、外部引出用端子３間に定電
流を流すことにより圧力印加時の出力電圧を計測する。
このとき、本発明に係る計測装置をプリント基板に実装
するようにすれば、半導体圧力センサチップ４の様々な
特性計測が可能となり、また、そのプリント基板を恒温
槽に投入するようにすれば、半導体圧力センサチップ４
の温度特性を同時に計測することが可能である。Subsequently, a cover 2 is placed on the socket body 1 so as to cover the recess 1a, and a predetermined pressure is applied from the pressure introducing hole 2a by a pressure generator (not shown) or the like. Then, a predetermined constant current source (not shown) and a voltmeter (not shown) are connected between the external drawing terminals 3, and a constant current flows between the external drawing terminals 3, whereby the output voltage at the time of pressure application is increased. Is measured.
At this time, if the measuring device according to the present invention is mounted on a printed board, various characteristics of the semiconductor pressure sensor chip 4 can be measured, and if the printed board is put into a thermostat, Semiconductor pressure sensor chip 4
Can be measured simultaneously.
【００２３】なお、本実施形態においては、外部引出用
端子３により半導体圧力センサチップ４の電極配線をソ
ケット本体１の外部に引き出すようにしたが、これに限
定される必要はなく、例えば、図２に示すように、凹部
１ａからソケット本体１の外部に挿通する挿通端子１２
をソケット本体１に設け、凹部１ａ内に、半導体圧力セ
ンサチップ４の電極配線と接触するバンプ電極１３と、
バンプ電極１３と挿通端子１２とを電気的に接続する配
線パターン１４とを有して成る基板１５を設けるように
すれば、半導体圧力センサチップ４の配線電極とバンプ
電極１３との位置合わせ精度を向上させることができ
る。In this embodiment, the electrode wiring of the semiconductor pressure sensor chip 4 is drawn out of the socket body 1 by the external drawing terminal 3, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 2, an insertion terminal 12 inserted from the recess 1a to the outside of the socket body 1
Is provided in the socket body 1, and a bump electrode 13 in contact with the electrode wiring of the semiconductor pressure sensor chip 4 is provided in the recess 1 a.
By providing a substrate 15 having a wiring pattern 14 for electrically connecting the bump electrode 13 and the insertion terminal 12, the alignment accuracy between the wiring electrode of the semiconductor pressure sensor chip 4 and the bump electrode 13 can be improved. Can be improved.
【００２４】[0024]
【発明の効果】請求項１または請求項２記載の発明は、
耐熱性樹脂で形成され、ダイヤフラムとダイヤフラム上
に形成されたピエゾ抵抗とピエゾ抵抗と電気的に接続さ
れた電極配線とを有する半導体圧力センサチップを収納
する凹部を有するソケット本体と、凹部を塞ぐように形
成された圧力導入孔を有する蓋と、配線電極をソケット
本体の外部に引き出す外部引出用部とを有して成り、凹
部に半導体圧力センサチップを収納した際に、電極配線
が外部引出部に電気的に接続されるとともに、蓋により
半導体圧力センサチップが固定されるようにし、圧力導
入孔より圧力を印加した状態で半導体圧力センサチップ
の特性を計測するようにしたので、チップの状態で様々
な環境下での圧力特性の計測が可能であり、組立の要因
が含まれない状態で信頼性評価ができ、問題工程の絞り
込みが容易になり、また、組立をする必要がないため、
評価の効率化が図れ、問題点のフィードバックが早期に
実施でき、半導体圧力センサチップの不具合点を早期に
発見することのできる半導体圧力センサチップの計測装
置を提供することができた。According to the first or second aspect of the present invention,
A socket body having a recess for accommodating a semiconductor pressure sensor chip formed of a heat-resistant resin and having a diaphragm and a piezoresistor formed on the diaphragm and an electrode wiring electrically connected to the piezoresistor; A lid having a pressure introduction hole formed therein, and an external lead-out part for drawing out the wiring electrode to the outside of the socket body. When the semiconductor pressure sensor chip is housed in the recess, the electrode wiring is formed in the external lead-out part. The semiconductor pressure sensor chip is fixed electrically by the lid, and the characteristics of the semiconductor pressure sensor chip are measured with the pressure applied from the pressure introducing hole. Pressure characteristics can be measured in various environments, reliability can be evaluated without assembling factors, and problem processes can be narrowed down easily. In addition, since it is not necessary to the assembly,
The efficiency of the evaluation can be improved, the feedback of the problem can be carried out at an early stage, and the semiconductor pressure sensor chip measuring device can be provided which can find the defect of the semiconductor pressure sensor chip at an early stage.
【００２５】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサチップの計測装置において、外部引出部
が、凹部からソケット本体外部に挿通するように設けら
れた挿通端子と、凹部内に配置され、バンプ電極と、バ
ンプ電極と挿通端子とを電気的に接続する配線パターン
とを有する基板とから成るので、半導体圧力センサチッ
プの配線電極とバンプ電極との位置合わせ精度を向上さ
せることができる。According to a third aspect of the present invention, in the measuring device for a semiconductor pressure sensor chip according to the first aspect, the external lead-out portion is provided with an insertion terminal provided so as to be inserted from the concave portion to the outside of the socket main body, and an inside of the concave portion. Since the substrate is disposed and has a bump electrode and a wiring pattern that electrically connects the bump electrode and the insertion terminal, the positioning accuracy of the wiring electrode and the bump electrode of the semiconductor pressure sensor chip can be improved. it can.
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサチ
ップの計測装置を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a measuring device of a semiconductor pressure sensor chip according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
チップの計測装置を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a measuring device for a semiconductor pressure sensor chip according to another embodiment of the present invention.
【図３】半導体圧力センサチップの一例を示す略断面図
である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing an example of a semiconductor pressure sensor chip.
１ ソケット本体 １ａ 凹部 ２ 蓋 ２ａ 圧力導入孔 ３ 外部引出用端子 ４ 半導体圧力センサチップ ５ 単結晶シリコン基板 ６ フィールド酸化膜 ７ 窒化シリコン膜 ８ ダイヤフラム ９ 開口部 １０ ピエゾ抵抗 １１ 電極配線 １２ 挿通端子 １３ バンプ電極 １４ 配線パターン １５ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Socket main body 1a Depression 2 Lid 2a Pressure introduction hole 3 External lead-out terminal 4 Semiconductor pressure sensor chip 5 Single crystal silicon substrate 6 Field oxide film 7 Silicon nitride film 8 Diaphragm 9 Opening 10 Piezo resistor 11 Electrode wiring 12 Insertion terminal 13 Bump Electrode 14 Wiring pattern 15 Substrate
Claims (3)
該ダイヤフラム上に形成されたピエゾ抵抗と該ピエゾ抵
抗と電気的に接続された電極配線とを有する半導体圧力
センサチップを収納する凹部を有するソケット本体と、
前記凹部を塞ぐように形成された圧力導入孔を有する蓋
と、前記配線電極を前記ソケット本体の外部に引き出す
外部引出用部とを有して成り、前記凹部に、前記半導体
圧力センサチップを収納した際に、前記電極配線が前記
外部引出部に電気的に接続されるとともに、前記蓋によ
り前記半導体圧力センサチップが固定されるようにし、
前記圧力導入孔より圧力を印加した状態で前記半導体圧
力センサチップの特性を計測するようにしたことを特徴
とする半導体圧力センサチップの計測装置。1. A socket formed of a heat-resistant resin and having a recess for accommodating a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm, a piezoresistor formed on the diaphragm, and electrode wiring electrically connected to the piezoresistor. Body and
A lid having a pressure introduction hole formed so as to cover the recess, and an external lead-out part for leading the wiring electrode to the outside of the socket body, wherein the semiconductor pressure sensor chip is housed in the recess. In doing so, the electrode wiring is electrically connected to the external lead-out portion, and the semiconductor pressure sensor chip is fixed by the lid,
A semiconductor pressure sensor chip measuring device, wherein characteristics of the semiconductor pressure sensor chip are measured in a state where pressure is applied from the pressure introducing hole.
するように設けられた外部引出用端子であることを特徴
とする請求項１記載の半導体圧力センサチップの計測装
置。2. The measuring device for a semiconductor pressure sensor chip according to claim 1, wherein the external lead-out portion is an external lead-out terminal provided so as to pass through the bottom surface of the concave portion.
ケット本体外部に挿通するように設けられた挿通端子
と、前記凹部内に配置され、バンプ電極と該バンプ電極
と前記挿通端子とを電気的に接続する配線パターンとを
有する基板とから成ることを特徴とする請求項１記載の
半導体圧力センサチップの計測装置。3. An insertion terminal provided so that the external lead-out portion is inserted from the concave portion to the outside of the socket main body, and is disposed in the concave portion, and electrically connects the bump electrode and the bump electrode and the insertion terminal. 2. A measuring device for a semiconductor pressure sensor chip according to claim 1, comprising a substrate having a wiring pattern to be electrically connected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16542396A JPH109981A (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Apparatus for measuring semiconductor pressure sensor chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16542396A JPH109981A (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Apparatus for measuring semiconductor pressure sensor chip |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH109981A true JPH109981A (en) | 1998-01-16 |
Family
ID=15812150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16542396A Pending JPH109981A (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Apparatus for measuring semiconductor pressure sensor chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH109981A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006029944A (en) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Toyoda Mach Works Ltd | Electric trimming system |
| JP2013525766A (en) * | 2010-04-21 | 2013-06-20 | ▲無▼▲錫▼▲藜▼頓▲電▼子有限公司 | Silicon pressure sensor package structure |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP16542396A patent/JPH109981A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006029944A (en) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Toyoda Mach Works Ltd | Electric trimming system |
| JP2013525766A (en) * | 2010-04-21 | 2013-06-20 | ▲無▼▲錫▼▲藜▼頓▲電▼子有限公司 | Silicon pressure sensor package structure |
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