JPH1099855A - 限外濾過機能を備える超純水供給プラント、および超純水の供給方法 - Google Patents
限外濾過機能を備える超純水供給プラント、および超純水の供給方法Info
- Publication number
- JPH1099855A JPH1099855A JP1227997A JP1227997A JPH1099855A JP H1099855 A JPH1099855 A JP H1099855A JP 1227997 A JP1227997 A JP 1227997A JP 1227997 A JP1227997 A JP 1227997A JP H1099855 A JPH1099855 A JP H1099855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrapure water
- ultrafiltration
- water supply
- piping system
- supply plant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 末端からの出力水の純度が極めて高く、しか
も安定した超純水の供給が可能な上、再稼働時での生産
性の高い調整作業が可能な超純水供給プラントと、超純
水供給方法を提供する。 【解決手段】 超純水生成装置２と、超純水生成装置２
の二次側に接続されて、生成された超純水を半導体洗浄
工程８まで運ぶ配管系統３とからなる超純水供給プラン
ト１において、配管系統３の末端あるいは最下流部に限
外濾過装置４を接続設置し、配管系統３中を通過して末
端に至った超純水を限外濾過装置４にて限外濾過処理
し、限外濾過処理後の超純水５を半導体洗浄工程８に供
給する。
も安定した超純水の供給が可能な上、再稼働時での生産
性の高い調整作業が可能な超純水供給プラントと、超純
水供給方法を提供する。 【解決手段】 超純水生成装置２と、超純水生成装置２
の二次側に接続されて、生成された超純水を半導体洗浄
工程８まで運ぶ配管系統３とからなる超純水供給プラン
ト１において、配管系統３の末端あるいは最下流部に限
外濾過装置４を接続設置し、配管系統３中を通過して末
端に至った超純水を限外濾過装置４にて限外濾過処理
し、限外濾過処理後の超純水５を半導体洗浄工程８に供
給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、限外濾過機能を備
える超純水供給プラントに関し、とりわけ半導体製造過
程で使用されるもので、ウルトラフィルトレーション機
能を備え、限外濾過処理を施した超純水を半導体洗浄工
程に供給する超純水供給プラントに関するものである。
える超純水供給プラントに関し、とりわけ半導体製造過
程で使用されるもので、ウルトラフィルトレーション機
能を備え、限外濾過処理を施した超純水を半導体洗浄工
程に供給する超純水供給プラントに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程では、流水によって工
程途上の半導体ウエーハを洗浄する工程が不可欠である
が、こうした流水洗浄において洗浄水中に含まれる微粒
子等の付着による逆汚染を回避するために純度の極めて
高い純水が使用されている。従来、こうした純水は、ユ
ースポイント（用役施設）と称せられる、純水生成装置
等が備えられた純水供給プラントから、半導体洗浄工程
に供給される構成となっている。
程途上の半導体ウエーハを洗浄する工程が不可欠である
が、こうした流水洗浄において洗浄水中に含まれる微粒
子等の付着による逆汚染を回避するために純度の極めて
高い純水が使用されている。従来、こうした純水は、ユ
ースポイント（用役施設）と称せられる、純水生成装置
等が備えられた純水供給プラントから、半導体洗浄工程
に供給される構成となっている。
【０００３】従来のこのような純水供給プラントのプロ
セスフローシートを図６に示す。同図で、純水供給プラ
ント１００は、超純水生成装置２と、生成された超純水
をユースポイント下流側まで導く配管系統３と、配管系
統３末端に接続された精密濾過フィルター１０４とから
構成されている。あるいは、精密濾過フィルター１０４
を割愛した構成が適用されている。
セスフローシートを図６に示す。同図で、純水供給プラ
ント１００は、超純水生成装置２と、生成された超純水
をユースポイント下流側まで導く配管系統３と、配管系
統３末端に接続された精密濾過フィルター１０４とから
構成されている。あるいは、精密濾過フィルター１０４
を割愛した構成が適用されている。
【０００４】超純水生成装置２は、逆浸透膜（ＲＯ膜）
からなる逆浸透膜ユニット２１と、生成された超純水中
に含まれる、主としてコロイド物質を分離精製する限外
濾過膜（ＵＦ膜：ウルトラフィルトレーション膜）から
構成される限外濾過モジュール（ウルトラフィルトレー
ションモジュール：以下、ＵＦモジュールと記載する）
２２から成っている。
からなる逆浸透膜ユニット２１と、生成された超純水中
に含まれる、主としてコロイド物質を分離精製する限外
濾過膜（ＵＦ膜：ウルトラフィルトレーション膜）から
構成される限外濾過モジュール（ウルトラフィルトレー
ションモジュール：以下、ＵＦモジュールと記載する）
２２から成っている。
【０００５】ＵＦモジュールは、例えば除粒子性能０．
０１μｍ以上の機能を備えたユニットであり、精密濾過
フィルターには例えば除粒子性能０．５μｍ以上の機能
のものが適用されている。
０１μｍ以上の機能を備えたユニットであり、精密濾過
フィルターには例えば除粒子性能０．５μｍ以上の機能
のものが適用されている。
【０００６】この純水供給プラント１００の動作を説明
すると、まず原水１０は所定の高圧に加圧されて逆浸透
膜ユニット２１に導入され、逆浸透膜による逆浸透作用
で生成した純水が二次側に出力される。この純水はＵＦ
モジュール２２によって含有するコロイド物質等が分離
除去され、超純水として超純水生成装置２から送出され
る。
すると、まず原水１０は所定の高圧に加圧されて逆浸透
膜ユニット２１に導入され、逆浸透膜による逆浸透作用
で生成した純水が二次側に出力される。この純水はＵＦ
モジュール２２によって含有するコロイド物質等が分離
除去され、超純水として超純水生成装置２から送出され
る。
【０００７】この超純水は配管系統３に導入され、配管
系統３内を移動するが、ここで例えば途中に施された配
管工事による配管切削時の切り粉が超純水中に混入する
ことがあれば、こうした夾雑物は配管系統３の末端に接
続設置された精密濾過フィルター１０４によって捕捉さ
れ、除去される。このようにして、夾雑物が除去された
純水１０５が純水供給プラント１００から半導体洗浄工
程８に供給される。
系統３内を移動するが、ここで例えば途中に施された配
管工事による配管切削時の切り粉が超純水中に混入する
ことがあれば、こうした夾雑物は配管系統３の末端に接
続設置された精密濾過フィルター１０４によって捕捉さ
れ、除去される。このようにして、夾雑物が除去された
純水１０５が純水供給プラント１００から半導体洗浄工
程８に供給される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来の構成では、工場休暇などで操業が一時停止する
場合に、取り付けられている精密濾過フィルター１０４
への通水が途切れて内部に水が溜まり、この溜水にバク
テリアが繁殖するという問題があった。
な従来の構成では、工場休暇などで操業が一時停止する
場合に、取り付けられている精密濾過フィルター１０４
への通水が途切れて内部に水が溜まり、この溜水にバク
テリアが繁殖するという問題があった。
【０００９】一般にバクテリアは、小型のウイルスであ
れば約０．０１μｍ〜０．０５μｍ（１００〜５００オ
ングストローム）の平均径であり、あるいはインフルエ
ンザウイルスでは約０．１μｍの平均径、緑膿菌や赤痢
菌では約０．１μｍ〜０．５μｍの平均径、大腸菌では
約１μｍの平均径を呈する。
れば約０．０１μｍ〜０．０５μｍ（１００〜５００オ
ングストローム）の平均径であり、あるいはインフルエ
ンザウイルスでは約０．１μｍの平均径、緑膿菌や赤痢
菌では約０．１μｍ〜０．５μｍの平均径、大腸菌では
約１μｍの平均径を呈する。
【００１０】よって、こうしたバクテリアが精密濾過フ
ィルター１０４内に発生した場合、プラントの再稼働時
の初期通水に混入したバクテリアが精密濾過フィルター
１０４を通過してしまい、バクテリアが混入した純水が
洗浄水として半導体洗浄工程に供給される不都合があっ
た。
ィルター１０４内に発生した場合、プラントの再稼働時
の初期通水に混入したバクテリアが精密濾過フィルター
１０４を通過してしまい、バクテリアが混入した純水が
洗浄水として半導体洗浄工程に供給される不都合があっ
た。
【００１１】また、バクテリア発生を避けるための殺菌
あるいは除菌剤の注入は、再稼働時のこうした薬剤分の
完全除去のために長い通水時間（リードタイム）を必要
とし、さらにバクテリアが発生していた場合には、殺菌
された残渣分（死骸）がメンブラン等に付着し、長時間
の使用中に徐々に剥離、離脱して出力水中に混入すると
いう不具合があった。
あるいは除菌剤の注入は、再稼働時のこうした薬剤分の
完全除去のために長い通水時間（リードタイム）を必要
とし、さらにバクテリアが発生していた場合には、殺菌
された残渣分（死骸）がメンブラン等に付着し、長時間
の使用中に徐々に剥離、離脱して出力水中に混入すると
いう不具合があった。
【００１２】さらに、こうした主としてプラントシャッ
トダウン中に起きるバクテリアの発生は、精密濾過フィ
ルターのみならず、例えば配管系統３をはじめ、配管系
統３に接続されている各種の弁や計器、オリフィス中の
液滞留部分などにおいても生じるおそれがあり、いずれ
も出力水の純度を低下させる負の原因となっていた。
トダウン中に起きるバクテリアの発生は、精密濾過フィ
ルターのみならず、例えば配管系統３をはじめ、配管系
統３に接続されている各種の弁や計器、オリフィス中の
液滞留部分などにおいても生じるおそれがあり、いずれ
も出力水の純度を低下させる負の原因となっていた。
【００１３】前記のように、従来の純水供給プラントで
は、高性能の超純水生成装置を備えるにも拘わらず、そ
の下流部分が有する不具合のため、極めて純度の高い超
純水を安定して出力するには問題があり、よってそれよ
りも純度ならびに安定度が低い純水供給プラントにとど
まるという欠点があった。
は、高性能の超純水生成装置を備えるにも拘わらず、そ
の下流部分が有する不具合のため、極めて純度の高い超
純水を安定して出力するには問題があり、よってそれよ
りも純度ならびに安定度が低い純水供給プラントにとど
まるという欠点があった。
【００１４】さらに加えて、前記のようにバクテリア類
の発生を回避する目的でプラント各部分が外部雰囲気と
の接触を極力回避する構成となっていたため、メンテナ
ンス後のプラント立ち上げ時の気液のベント処理が低効
率になるという欠点もあった。
の発生を回避する目的でプラント各部分が外部雰囲気と
の接触を極力回避する構成となっていたため、メンテナ
ンス後のプラント立ち上げ時の気液のベント処理が低効
率になるという欠点もあった。
【００１５】本発明は、前記のような従来技術にかかる
課題や欠点を解決するためなされたもので、その目的は
末端からの出力水の純度が極めて高く、しかも安定した
超純水の供給が可能な上、再稼働時での生産性の高い調
整作業が可能な超純水供給プラントと、超純水供給方法
を提供することにある。
課題や欠点を解決するためなされたもので、その目的は
末端からの出力水の純度が極めて高く、しかも安定した
超純水の供給が可能な上、再稼働時での生産性の高い調
整作業が可能な超純水供給プラントと、超純水供給方法
を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明に係る超純水供給プラントは、超純水生成装置
と、前記超純水生成装置の二次側に接続されて、生成さ
れた超純水を半導体洗浄工程まで運ぶ配管系統とからな
る超純水供給プラントにおいて、前記配管系統の末端あ
るいは最下流部に限外濾過装置を接続設置し、前記配管
系統中を通過して末端に至った超純水を前記限外濾過装
置によって限外濾過処理し、限外濾過処理後の超純水を
半導体洗浄工程に供給する構成とされる。
本発明に係る超純水供給プラントは、超純水生成装置
と、前記超純水生成装置の二次側に接続されて、生成さ
れた超純水を半導体洗浄工程まで運ぶ配管系統とからな
る超純水供給プラントにおいて、前記配管系統の末端あ
るいは最下流部に限外濾過装置を接続設置し、前記配管
系統中を通過して末端に至った超純水を前記限外濾過装
置によって限外濾過処理し、限外濾過処理後の超純水を
半導体洗浄工程に供給する構成とされる。
【００１７】前記の構成によれば、最末端すなわち最下
流において出力水が限外濾過処理されるから、超純水供
給プラントの上流で生じたコンタミネーション分や粒状
形成分が最末端で捕捉されることになり、よって極めて
高純度の超純水が供給されることになる。
流において出力水が限外濾過処理されるから、超純水供
給プラントの上流で生じたコンタミネーション分や粒状
形成分が最末端で捕捉されることになり、よって極めて
高純度の超純水が供給されることになる。
【００１８】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トが、限外濾過装置の二次側配管部にエア抜き手段を設
けた構成とされる場合は、限外濾過膜の保全作業や交換
作業後のプラント再稼働時に、装置内に残留する空気や
気体分がエア抜き手段によって迅速除去され、この結果
プラント再稼働時での調整作業の生産性が改善されて、
早期立ち上げがなされる。
トが、限外濾過装置の二次側配管部にエア抜き手段を設
けた構成とされる場合は、限外濾過膜の保全作業や交換
作業後のプラント再稼働時に、装置内に残留する空気や
気体分がエア抜き手段によって迅速除去され、この結果
プラント再稼働時での調整作業の生産性が改善されて、
早期立ち上げがなされる。
【００１９】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トが、限外濾過装置の二次側配管部に開閉自在の液体排
出流路を設けた構成とされる場合は、超純水の通水の一
旦停止後の再立ち上げ時に発生する初期通水分のバイパ
ス排水がなされ、よって不安定な初期通水分の洗浄工程
への流入が阻止され、安定した定常状態への円滑な移行
が可能になる。
トが、限外濾過装置の二次側配管部に開閉自在の液体排
出流路を設けた構成とされる場合は、超純水の通水の一
旦停止後の再立ち上げ時に発生する初期通水分のバイパ
ス排水がなされ、よって不安定な初期通水分の洗浄工程
への流入が阻止され、安定した定常状態への円滑な移行
が可能になる。
【００２０】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トの限外濾過装置が、一次側ならびに二次側がそれぞれ
並列に接続された複数基の限外濾過装置から構成され、
前記並列に接続された限外濾過装置の基数は必要とされ
る超純水の量に応じて増設自在あるいは減数自在に構成
される場合は、超純水供給プラントの規模を半導体洗浄
工程の処理能力に最適の規模に調整することが容易とな
り、よってコスト効果に優れ、かつ柔軟性のあるプラン
トが実現される。
トの限外濾過装置が、一次側ならびに二次側がそれぞれ
並列に接続された複数基の限外濾過装置から構成され、
前記並列に接続された限外濾過装置の基数は必要とされ
る超純水の量に応じて増設自在あるいは減数自在に構成
される場合は、超純水供給プラントの規模を半導体洗浄
工程の処理能力に最適の規模に調整することが容易とな
り、よってコスト効果に優れ、かつ柔軟性のあるプラン
トが実現される。
【００２１】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トが、複数基の限外濾過装置を備え、前記複数基の限外
濾過装置の各一次側を前記配管系統の末端に並列に接続
し、かつ各二次側を少なくとも単独に、複数系統の半導
体洗浄工程のそれぞれに個別に供給する構成される場合
は、半導体洗浄工程毎の管理を容易にし、他の限外濾過
装置を稼働させたままでのメンテナンスが可能になっ
て、管理コスト削減が可能になる。
トが、複数基の限外濾過装置を備え、前記複数基の限外
濾過装置の各一次側を前記配管系統の末端に並列に接続
し、かつ各二次側を少なくとも単独に、複数系統の半導
体洗浄工程のそれぞれに個別に供給する構成される場合
は、半導体洗浄工程毎の管理を容易にし、他の限外濾過
装置を稼働させたままでのメンテナンスが可能になっ
て、管理コスト削減が可能になる。
【００２２】本発明に係る超純水の供給方法は、超純水
生成装置の生成した超純水を、配管系統を経て供給地点
まで運び、ついで前記配管系統末端に接続した限外濾過
装置にて限外濾過処理を施したのち、半導体洗浄工程に
供給する構成としたことを特徴とする。
生成装置の生成した超純水を、配管系統を経て供給地点
まで運び、ついで前記配管系統末端に接続した限外濾過
装置にて限外濾過処理を施したのち、半導体洗浄工程に
供給する構成としたことを特徴とする。
【００２３】前記構成の超純水供給方法によれば、配管
系統を移動中に液中に混入された不純物等が最下流側に
おいて効果的に除去され、よって半導体洗浄工程に供給
される超純水中の純度を高くし、半導体製造工程の歩留
りを向上させることが可能になる。
系統を移動中に液中に混入された不純物等が最下流側に
おいて効果的に除去され、よって半導体洗浄工程に供給
される超純水中の純度を高くし、半導体製造工程の歩留
りを向上させることが可能になる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る超純水
供給プラントの一実施形態のプロセスフローシートであ
る。図１に示されるように、本発明に係る超純水供給プ
ラント１は、原水１０から超純水を生成させる超純水生
成装置２と、超純水生成装置２の二次側に接続されて、
生成された超純水をこのプラントの末端まで運ぶ配管系
統３と、配管系統３の末端（あるいは最下流部）に接続
設置され、配管系統３から流入する超純水を限外濾過処
理した超純水５を半導体洗浄工程８に供給する限外濾過
装置４から構成される。
付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る超純水
供給プラントの一実施形態のプロセスフローシートであ
る。図１に示されるように、本発明に係る超純水供給プ
ラント１は、原水１０から超純水を生成させる超純水生
成装置２と、超純水生成装置２の二次側に接続されて、
生成された超純水をこのプラントの末端まで運ぶ配管系
統３と、配管系統３の末端（あるいは最下流部）に接続
設置され、配管系統３から流入する超純水を限外濾過処
理した超純水５を半導体洗浄工程８に供給する限外濾過
装置４から構成される。
【００２５】超純水生成装置２は、逆浸透膜（ＲＯ膜）
からなる逆浸透膜ユニット２１と、生成された超純水中
に含まれる、主としてコロイド物質を分離精製する限外
濾過膜から構成される限外濾過モジュール２２から成っ
ている。また、限外濾過装置４は、限外濾過膜（ＵＦ
膜）から構成される。
からなる逆浸透膜ユニット２１と、生成された超純水中
に含まれる、主としてコロイド物質を分離精製する限外
濾過膜から構成される限外濾過モジュール２２から成っ
ている。また、限外濾過装置４は、限外濾過膜（ＵＦ
膜）から構成される。
【００２６】この超純水供給プラント１の動作を説明す
る。原水１０は所定の高圧に加圧されて逆浸透膜ユニッ
ト２１に導入され、逆浸透膜による逆浸透作用で純水が
二次側に出力される。この純水は限外濾過モジュール２
２によってコロイド物質等が分離除去され、超純水とし
て超純水生成装置２から送出される。
る。原水１０は所定の高圧に加圧されて逆浸透膜ユニッ
ト２１に導入され、逆浸透膜による逆浸透作用で純水が
二次側に出力される。この純水は限外濾過モジュール２
２によってコロイド物質等が分離除去され、超純水とし
て超純水生成装置２から送出される。
【００２７】この超純水は配管系統３に導入され、配管
系統３内を移動するが、このとき配管系統３の内壁に付
着していた微粒子が内壁から離脱して超純水中に混入す
るといったような事態が生じたとしても、水分子以外の
こうした不純物は配管系統３の末端に接続設置された限
外濾過装置４の、限外濾過膜（ＵＦ膜）によって確実に
捕捉され、除去される。このようにして、常に不純物の
除去された超純水５が半導体洗浄工程８に供給される。
系統３内を移動するが、このとき配管系統３の内壁に付
着していた微粒子が内壁から離脱して超純水中に混入す
るといったような事態が生じたとしても、水分子以外の
こうした不純物は配管系統３の末端に接続設置された限
外濾過装置４の、限外濾過膜（ＵＦ膜）によって確実に
捕捉され、除去される。このようにして、常に不純物の
除去された超純水５が半導体洗浄工程８に供給される。
【００２８】前記のように、本発明では半導体洗浄工程
に用いる超純水の生成時に、主としてコロイド物質を分
離除去して超純水を精製する目的で用いられている限外
濾過（ＵＦ）モジュールをユースポイントに取り付ける
ことにより、例えばゲート酸化膜耐圧処理における歩留
まりの向上をはじめ、ＣＣＤ素子製造の歩留り向上が可
能となった。
に用いる超純水の生成時に、主としてコロイド物質を分
離除去して超純水を精製する目的で用いられている限外
濾過（ＵＦ）モジュールをユースポイントに取り付ける
ことにより、例えばゲート酸化膜耐圧処理における歩留
まりの向上をはじめ、ＣＣＤ素子製造の歩留り向上が可
能となった。
【００２９】図２は、前述した限外濾過装置の一実施形
態の構成を示すプロセスフローシートである。同図で、
限外濾過装置４１は、一次側ならびに二次側がそれぞれ
並列に接続された３基の限外濾過装置４２Ａ〜４２Ｃか
ら構成される。配管系統３から流入する純水３ａは、図
示されない手段で限外濾過圧まで加圧され、３基の限外
濾過装置４２Ａ〜４２Ｃのすべてに供給されて、それぞ
れの装置内で限外濾過処理がなされる。
態の構成を示すプロセスフローシートである。同図で、
限外濾過装置４１は、一次側ならびに二次側がそれぞれ
並列に接続された３基の限外濾過装置４２Ａ〜４２Ｃか
ら構成される。配管系統３から流入する純水３ａは、図
示されない手段で限外濾過圧まで加圧され、３基の限外
濾過装置４２Ａ〜４２Ｃのすべてに供給されて、それぞ
れの装置内で限外濾過処理がなされる。
【００３０】ここで、並列に接続された限外濾過装置の
基数（この例では３基）は、必要とされる超純水の量に
応じて増設自在あるいは減数自在に構成される。図２の
構成では、３基の限外濾過装置４２Ａ〜４２Ｃの処理量
を総和した量の超純水４３が洗浄工程に供給される。さ
らに大流量を必要とする場合、さらに多くの基の限外濾
過装置を並列に追加接続して対応する。
基数（この例では３基）は、必要とされる超純水の量に
応じて増設自在あるいは減数自在に構成される。図２の
構成では、３基の限外濾過装置４２Ａ〜４２Ｃの処理量
を総和した量の超純水４３が洗浄工程に供給される。さ
らに大流量を必要とする場合、さらに多くの基の限外濾
過装置を並列に追加接続して対応する。
【００３１】また、限外濾過装置４１の二次側配管部に
は、初期通水時のエア溜まりをなくす為、エア抜き弁４
４がエア抜き手段として設けられている。また、フィル
ター交換時、エア抜き時の純水処理を簡単にする為、限
外濾過装置４１の二次側に開閉自在の液体排出流路４５
と、ドレンパン４６を設け、常時排水可能としている。
は、初期通水時のエア溜まりをなくす為、エア抜き弁４
４がエア抜き手段として設けられている。また、フィル
ター交換時、エア抜き時の純水処理を簡単にする為、限
外濾過装置４１の二次側に開閉自在の液体排出流路４５
と、ドレンパン４６を設け、常時排水可能としている。
【００３２】前記のように構成したことで、メンテナン
ス完了後のエア抜き作業がエア抜き弁４４の操作だけで
簡単迅速に実行でき、またその結果として装置内に残留
するエア分が効果的に排出除去される。
ス完了後のエア抜き作業がエア抜き弁４４の操作だけで
簡単迅速に実行でき、またその結果として装置内に残留
するエア分が効果的に排出除去される。
【００３３】また、純度の不安定な、再開直後の初期通
水分も、液体排出流路４５の操作だけで簡単迅速にバイ
パス排水でき、よって安定した純度の出力水を供給する
までの調整作業が簡素化され、生産性が向上する。
水分も、液体排出流路４５の操作だけで簡単迅速にバイ
パス排水でき、よって安定した純度の出力水を供給する
までの調整作業が簡素化され、生産性が向上する。
【００３４】図３は、限外濾過装置の別の実施形態の構
成を示すプロセスフローシートである。同図で、限外濾
過装置５１は、３基の限外濾過装置５２Ａ、５２Ｂ、５
２Ｃを備え、これら限外濾過装置の各一次側は配管系統
の末端に並列に接続され、配管系統３から流入する純水
３ａは、図示されない手段で限外濾過圧まで加圧され、
３基の限外濾過装置５２Ａ〜５２Ｃのすべてに供給され
て、それぞれの装置内で限外濾過処理がなされる。
成を示すプロセスフローシートである。同図で、限外濾
過装置５１は、３基の限外濾過装置５２Ａ、５２Ｂ、５
２Ｃを備え、これら限外濾過装置の各一次側は配管系統
の末端に並列に接続され、配管系統３から流入する純水
３ａは、図示されない手段で限外濾過圧まで加圧され、
３基の限外濾過装置５２Ａ〜５２Ｃのすべてに供給され
て、それぞれの装置内で限外濾過処理がなされる。
【００３５】限外濾過装置５２Ａ〜５２Ｃの二次側は、
３系統の半導体洗浄工程６０Ａ〜６０Ｃのそれぞれに接
続され、超純水は個別に供給される。例えば限外濾過装
置５２Ａの二次側５３ａは、半導体洗浄工程６０Ａに接
続されて、半導体洗浄工程６０Ａ専用に超純水を供給す
る。同様に、限外濾過装置５２Ｂの二次側５３ｂは、半
導体洗浄工程６０Ｂに接続されて、半導体洗浄工程６０
Ｂ専用に超純水を供給し、また限外濾過装置５２Ｃの二
次側５３ｃは、半導体洗浄工程６０Ｃに接続されて、半
導体洗浄工程６０Ｃ専用に超純水を供給する。
３系統の半導体洗浄工程６０Ａ〜６０Ｃのそれぞれに接
続され、超純水は個別に供給される。例えば限外濾過装
置５２Ａの二次側５３ａは、半導体洗浄工程６０Ａに接
続されて、半導体洗浄工程６０Ａ専用に超純水を供給す
る。同様に、限外濾過装置５２Ｂの二次側５３ｂは、半
導体洗浄工程６０Ｂに接続されて、半導体洗浄工程６０
Ｂ専用に超純水を供給し、また限外濾過装置５２Ｃの二
次側５３ｃは、半導体洗浄工程６０Ｃに接続されて、半
導体洗浄工程６０Ｃ専用に超純水を供給する。
【００３６】各二次側５３ａ〜５３ｃには、エア抜き弁
５４Ａ〜５４Ｃならびに、開閉自在の液体排出流路５５
Ａ〜５５Ｃと、ドレンパン５６Ａ〜５６Ｃが夫々接続さ
れている。
５４Ａ〜５４Ｃならびに、開閉自在の液体排出流路５５
Ａ〜５５Ｃと、ドレンパン５６Ａ〜５６Ｃが夫々接続さ
れている。
【００３７】この構成により、半導体洗浄工程毎の超純
水供給側の管理が容易になり、他の限外濾過装置を稼働
させたままでのメンテナンスが可能になって、管理コス
トを削減することができる。
水供給側の管理が容易になり、他の限外濾過装置を稼働
させたままでのメンテナンスが可能になって、管理コス
トを削減することができる。
【００３８】前記各実施形態において、ＵＦモジュール
の目詰まり状態を管理する目的で、１次側あるいは２次
側のいずれかに、あるいは両側に、圧力計を設ける構成
も有効である。
の目詰まり状態を管理する目的で、１次側あるいは２次
側のいずれかに、あるいは両側に、圧力計を設ける構成
も有効である。
【００３９】また、ＵＦモジュール２次側配管はできる
限る短く構成することが好ましい。すなわち、半導体洗
浄工程に極めて近い位置まで配管系統を伸ばし、その末
端にＵＦモジュールを設置する構成が好ましい。
限る短く構成することが好ましい。すなわち、半導体洗
浄工程に極めて近い位置まで配管系統を伸ばし、その末
端にＵＦモジュールを設置する構成が好ましい。
【００４０】このように本発明は、ＵＦモジュールを超
純水供給プラントの最下流側に設けることによって、例
えば配管系統を移動中に液中に混入された不純物あるい
は途中過程で形成された粒状形成物を、最下流側におい
て効果的に捕捉除去することができ、よって半導体洗浄
工程に供給する超純水中のコンタミネーション分や粒状
分の個数を低減し、半導体製造工程の歩留り向上を実現
するものである。
純水供給プラントの最下流側に設けることによって、例
えば配管系統を移動中に液中に混入された不純物あるい
は途中過程で形成された粒状形成物を、最下流側におい
て効果的に捕捉除去することができ、よって半導体洗浄
工程に供給する超純水中のコンタミネーション分や粒状
分の個数を低減し、半導体製造工程の歩留り向上を実現
するものである。
【００４１】この効果を図４の液中ダスト推移グラフに
示す。同図から明らかなように、本発明に係る超純水供
給プラントの適用によって、液中ダスト個数を従来技術
における場合に比べて、大幅に低減させることができ
た。
示す。同図から明らかなように、本発明に係る超純水供
給プラントの適用によって、液中ダスト個数を従来技術
における場合に比べて、大幅に低減させることができ
た。
【００４２】この結果、本発明に係る超純水供給プラン
トから供給される超純水を用いた半導体デバイス洗浄時
の不良発生率が、図５に示すゲート酸化膜耐圧換算で従
来の２２％から現在の０％に顕著に改善され、よって安
定化された、しかも高水準の歩留りの達成が可能となっ
た。
トから供給される超純水を用いた半導体デバイス洗浄時
の不良発生率が、図５に示すゲート酸化膜耐圧換算で従
来の２２％から現在の０％に顕著に改善され、よって安
定化された、しかも高水準の歩留りの達成が可能となっ
た。
【００４３】また前記実施形態は、洗浄水あるいは流水
として超純水を用いる工程に適用される例を示したが、
本発明はこれに限ることなく、超純水と薬液の混合液を
洗浄水に用いる際の超純水にも、効果的に適用すること
が可能である。
として超純水を用いる工程に適用される例を示したが、
本発明はこれに限ることなく、超純水と薬液の混合液を
洗浄水に用いる際の超純水にも、効果的に適用すること
が可能である。
【００４４】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る超純水供給プラ
ントは、超純水生成装置の二次側に接続された、超純水
を半導体洗浄工程まで運ぶ配管系統の末端に、限外濾過
装置を接続設置して、配管系統の末端に至った超純水を
限外濾過処理し、処理後の超純水を半導体洗浄工程に供
給する構成であるから、このようにＵＦモジュールを超
純水供給プラントの最下流側に設けることによって、例
えば配管系統を移動中に液中に混入された不純物を最下
流側において効果的に捕捉除去することができ、よって
半導体洗浄工程に供給する超純水中のコンタミネーショ
ン分や粒状形成分の個数を低減し、かつ、安定した超純
水の供給を行うことにより、半導体製造工程の歩留りを
向上させることができる。
ントは、超純水生成装置の二次側に接続された、超純水
を半導体洗浄工程まで運ぶ配管系統の末端に、限外濾過
装置を接続設置して、配管系統の末端に至った超純水を
限外濾過処理し、処理後の超純水を半導体洗浄工程に供
給する構成であるから、このようにＵＦモジュールを超
純水供給プラントの最下流側に設けることによって、例
えば配管系統を移動中に液中に混入された不純物を最下
流側において効果的に捕捉除去することができ、よって
半導体洗浄工程に供給する超純水中のコンタミネーショ
ン分や粒状形成分の個数を低減し、かつ、安定した超純
水の供給を行うことにより、半導体製造工程の歩留りを
向上させることができる。
【００４５】本発明の請求項２に係る超純水供給プラン
トは、前記の限外濾過装置の二次側配管部にエア抜き手
段を設ける構成であるから、限外濾過膜の保全作業や交
換作業ののちのプラント再稼働時に、装置内に残留する
空気や気体分をエア抜き手段によって効果的且つ迅速に
除去することができ、これによってプラント再稼働時で
の生産性の高い調整作業を可能にし、早期立ち上げを可
能にする。
トは、前記の限外濾過装置の二次側配管部にエア抜き手
段を設ける構成であるから、限外濾過膜の保全作業や交
換作業ののちのプラント再稼働時に、装置内に残留する
空気や気体分をエア抜き手段によって効果的且つ迅速に
除去することができ、これによってプラント再稼働時で
の生産性の高い調整作業を可能にし、早期立ち上げを可
能にする。
【００４６】本発明の請求項３に係る超純水供給プラン
トは、前記の限外濾過装置の二次側配管部に開閉自在の
液体排出流路を設ける構成であるから、超純水の通水を
一旦停止した後の再立ち上げ時に発生する初期通水分を
バイパスさせて排水でき、よって不安定初期通水分の洗
浄工程への流入を阻止して、定常な安定した状態に至っ
たのちに洗浄工程への供給を開始することができる。し
かもこれによってプラント再稼働時の調整作業の生産性
を向上し、早期立ち上げを可能にするという効果があ
る。
トは、前記の限外濾過装置の二次側配管部に開閉自在の
液体排出流路を設ける構成であるから、超純水の通水を
一旦停止した後の再立ち上げ時に発生する初期通水分を
バイパスさせて排水でき、よって不安定初期通水分の洗
浄工程への流入を阻止して、定常な安定した状態に至っ
たのちに洗浄工程への供給を開始することができる。し
かもこれによってプラント再稼働時の調整作業の生産性
を向上し、早期立ち上げを可能にするという効果があ
る。
【００４７】本発明の請求項４に係る超純水供給プラン
トは、限外濾過装置を複数基の限外濾過装置で構成し、
これら限外濾過装置の一次側ならびに二次側をそれぞれ
並列に接続するものとし、しかも並列に接続する限外濾
過装置の基数を、必要とされる超純水の量に応じて自在
に増設あるいは減数するものであるから、超純水供給プ
ラントの規模を半導体洗浄工程の処理能力に最適の規模
に調整することが容易であり、よってコストパフォーマ
ンスの優れた、フレキシビリティに富んだプラントを実
現することができる。
トは、限外濾過装置を複数基の限外濾過装置で構成し、
これら限外濾過装置の一次側ならびに二次側をそれぞれ
並列に接続するものとし、しかも並列に接続する限外濾
過装置の基数を、必要とされる超純水の量に応じて自在
に増設あるいは減数するものであるから、超純水供給プ
ラントの規模を半導体洗浄工程の処理能力に最適の規模
に調整することが容易であり、よってコストパフォーマ
ンスの優れた、フレキシビリティに富んだプラントを実
現することができる。
【００４８】本発明の請求項５に係る超純水供給プラン
トは、複数基の限外濾過装置の各一次側を配管系統の末
端に並列に接続し、かつ各二次側を少なくとも単独に、
複数系統の半導体洗浄工程のそれぞれに個別に供給する
構成としたものであるから、半導体洗浄工程毎の管理が
容易になり、他の限外濾過装置を稼働させたままでのメ
ンテナンスが可能になって、管理コストを削減すること
ができるという効果がある。
トは、複数基の限外濾過装置の各一次側を配管系統の末
端に並列に接続し、かつ各二次側を少なくとも単独に、
複数系統の半導体洗浄工程のそれぞれに個別に供給する
構成としたものであるから、半導体洗浄工程毎の管理が
容易になり、他の限外濾過装置を稼働させたままでのメ
ンテナンスが可能になって、管理コストを削減すること
ができるという効果がある。
【００４９】本発明の請求項６に係る超純水の供給方法
は、超純水生成装置の生成した超純水を、配管系統を経
て供給地点まで運び、ついで前記配管系統末端に接続し
た限外濾過装置にて限外濾過処理を施したのち、半導体
洗浄工程に供給する構成としたものであるから、例えば
配管系統を移動中に液中に混入された不純物を最下流側
において効果的に除去することができ、よって半導体洗
浄工程に供給する超純水中の不純物を少なくし、半導体
製造工程の歩留りを向上させることができる。
は、超純水生成装置の生成した超純水を、配管系統を経
て供給地点まで運び、ついで前記配管系統末端に接続し
た限外濾過装置にて限外濾過処理を施したのち、半導体
洗浄工程に供給する構成としたものであるから、例えば
配管系統を移動中に液中に混入された不純物を最下流側
において効果的に除去することができ、よって半導体洗
浄工程に供給する超純水中の不純物を少なくし、半導体
製造工程の歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明に係る超純水供給プラントの一実施形態
のプロセスフローシートである。
のプロセスフローシートである。
【図２】限外濾過装置の構成の一例を示すプロセスフロ
ーシートである。
ーシートである。
【図３】限外濾過装置の他の構成例を示すプロセスフロ
ーシートである。
ーシートである。
【図４】本発明に係る超純水供給プラントによる液中ダ
ストの捕捉効果を示すグラフである。
ストの捕捉効果を示すグラフである。
【図５】ＵＦモジュール導入によるゲート酸化膜耐圧収
率の推移を示す線図である。
率の推移を示す線図である。
【図６】従来の超純水供給プラントのプロセスフローシ
ートである。
ートである。
１……超純水供給プラント、２……超純水生成装置、３
……配管系統、４……限外濾過装置、５……超純水、８
……半導体洗浄工程、１０……原水、２１……逆浸透膜
ユニット、２２……限外濾過モジュール。
……配管系統、４……限外濾過装置、５……超純水、８
……半導体洗浄工程、１０……原水、２１……逆浸透膜
ユニット、２２……限外濾過モジュール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｚ
Claims (6)
- 【請求項１】 超純水生成装置と、前記超純水生成装置
の二次側に接続されて、生成された超純水を半導体洗浄
工程まで運ぶ配管系統とからなる超純水供給プラントに
おいて、 前記配管系統の末端あるいは最下流部に限外濾過装置を
接続設置し、前記配管系統中を通過して末端に至った超
純水を前記限外濾過装置にて限外濾過処理し、限外濾過
処理後の超純水を半導体洗浄工程に供給する構成とした
ことを特徴とする超純水供給プラント。 - 【請求項２】 前記請求項１記載の限外濾過装置の二次
側にエア抜き手段を設けたことを特徴とする請求項１記
載の超純水供給プラント。 - 【請求項３】 前記請求項１記載の限外濾過装置の二次
側に開閉自在の液体排出流路を設けたことを特徴とする
請求項１記載の超純水供給プラント。 - 【請求項４】 前記限外濾過装置は、一次側ならびに二
次側がそれぞれ並列に接続された複数基の限外濾過装置
から構成され、前記並列に接続された限外濾過装置の基
数は必要とされる超純水の量に応じて増設自在あるいは
減数自在に構成されたことを特徴とする請求項１記載の
超純水供給プラント。 - 【請求項５】 複数基の限外濾過装置を備え、前記複数
基の限外濾過装置の各一次側を前記配管系統の末端に並
列に接続し、かつ各二次側が少なくとも単独に超純水
を、複数系統の半導体洗浄工程のそれぞれに個別に供給
する構成としたことを特徴とする請求項１記載の超純水
供給プラント。 - 【請求項６】 超純水生成装置の生成した超純水を、配
管系統を経て供給地点まで運び、ついで前記配管系統末
端に接続した限外濾過装置によって限外濾過処理を施し
たのち、半導体洗浄工程に供給する構成としたことを特
徴とする超純水の供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227997A JPH1099855A (ja) | 1996-08-05 | 1997-01-27 | 限外濾過機能を備える超純水供給プラント、および超純水の供給方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-206119 | 1996-08-05 | ||
| JP20611996 | 1996-08-05 | ||
| JP1227997A JPH1099855A (ja) | 1996-08-05 | 1997-01-27 | 限外濾過機能を備える超純水供給プラント、および超純水の供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1099855A true JPH1099855A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=26347857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1227997A Abandoned JPH1099855A (ja) | 1996-08-05 | 1997-01-27 | 限外濾過機能を備える超純水供給プラント、および超純水の供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1099855A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009224065A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 燃料電池発電装置の起動方法及び燃料電池発電装置 |
| WO2015050125A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造装置 |
| WO2015146724A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 株式会社 荏原製作所 | 基板処理装置、および基板処理装置の配管洗浄方法 |
| JP2016064342A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | オルガノ株式会社 | 超純水製造装置 |
| KR20180125595A (ko) * | 2016-08-24 | 2018-11-23 | 오르가노 코포레이션 | 초순수 제조장치 |
| KR20200135314A (ko) | 2018-03-27 | 2020-12-02 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 초순수 제조 시스템 및 초순수 제조 방법 |
| KR20200138181A (ko) | 2018-03-27 | 2020-12-09 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 초순수 제조 시스템 및 초순수 제조 방법 |
-
1997
- 1997-01-27 JP JP1227997A patent/JPH1099855A/ja not_active Abandoned
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009224065A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 燃料電池発電装置の起動方法及び燃料電池発電装置 |
| JPWO2015050125A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-03-09 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造装置 |
| KR20160065813A (ko) * | 2013-10-04 | 2016-06-09 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 초순수 제조 장치 |
| WO2015050125A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造装置 |
| CN105517960A (zh) * | 2013-10-04 | 2016-04-20 | 栗田工业株式会社 | 超纯水制造装置 |
| TWI649780B (zh) * | 2014-03-27 | 2019-02-01 | Ebara Corporation | 基板處理裝置及基板處理裝置之配管洗淨方法 |
| CN106165067A (zh) * | 2014-03-27 | 2016-11-23 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置以及基板处理装置的配管清洗方法 |
| KR20160138145A (ko) * | 2014-03-27 | 2016-12-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 및 기판 처리 장치의 배관 세정 방법 |
| JP2015191972A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、および基板処理装置の配管洗浄方法 |
| WO2015146724A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 株式会社 荏原製作所 | 基板処理装置、および基板処理装置の配管洗浄方法 |
| US10438818B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-10-08 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and pipe cleaning method for substrate processing apparatus |
| JP2016064342A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | オルガノ株式会社 | 超純水製造装置 |
| KR20180125595A (ko) * | 2016-08-24 | 2018-11-23 | 오르가노 코포레이션 | 초순수 제조장치 |
| KR20200135314A (ko) | 2018-03-27 | 2020-12-02 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 초순수 제조 시스템 및 초순수 제조 방법 |
| KR20200138181A (ko) | 2018-03-27 | 2020-12-09 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 초순수 제조 시스템 및 초순수 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4384310B2 (ja) | 膜の洗浄方法 | |
| US6001189A (en) | Method for reducing gaseous species of contamination in wet processes | |
| CN109562964B (zh) | 超纯水生产设备 | |
| CN110168705B (zh) | 半导体基板的清洗装置及半导体基板的清洗方法 | |
| CN102648160A (zh) | 再循环从半导体处理工艺、特别是从化学机械抛光工艺中产生的含浆料的废水的再循环方法和装置 | |
| TW201641150A (zh) | 處理液過濾裝置、藥液供給裝置及處理液過濾方法和記憶媒體 | |
| JPH1099855A (ja) | 限外濾過機能を備える超純水供給プラント、および超純水の供給方法 | |
| JP4034668B2 (ja) | 超純水製造システムおよびその運転方法 | |
| JP2574781B2 (ja) | 超臨界ガス又は液化ガスによる基板の洗浄方法 | |
| JPS5811090A (ja) | 純水製造用逆浸透装置又は限外「ろ」過装置 | |
| WO2017191829A1 (ja) | 超純水製造装置の立ち上げ方法 | |
| JP3985500B2 (ja) | 超純水供給方法 | |
| JPH0584474A (ja) | 溶存酸素の除去方法及び装置 | |
| JP2000354857A (ja) | 機能水製造方法及び装置 | |
| JP4661009B2 (ja) | 超純水製造システム | |
| KR19980018343A (ko) | 한외 여과막을 구비한 초순수 공급기의 플랜트 및 초순수의 공급 방법 | |
| JPH11176794A (ja) | 電子材料用ウェット洗浄装置 | |
| JPS63141694A (ja) | 超純水の製造方法 | |
| JP2004130205A (ja) | オゾン含有水を用いたろ過膜の逆洗方法および逆洗装置 | |
| JP2005046801A (ja) | 水処理方法および装置 | |
| JP3101642B2 (ja) | 超純水の製造方法 | |
| JPH0615264A (ja) | 超純水製造装置 | |
| JPH01132126A (ja) | 集積回路製作方法 | |
| JPS62140423A (ja) | 半導体集積回路装置の製造装置 | |
| JP2005347575A (ja) | 流体供給装置、洗浄装置および洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040817 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050726 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20050912 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |