JPH11100439A - ポリカーボネート樹脂及びそれを用いた光学情報記録媒体用基板、並びに光学情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温成形における熱安定性が著しく向上し
て、低分子揮発物が少なく、着色の少ない成形品を得る
ことができ、特に光ディスク等の光学情報記録媒体の基
板に好適に用いられるポリカーボネート樹脂、及びそれ
を用いた光学情報記録媒体の基板、並びに光学情報記録
媒体の提供。 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂において、下記一
般式（１）で表される低分子化合物の含有量が、０．２
〜２重量％であり、かつ、真空下で加熱した時に揮発し
てくる上記低分子化合物の量を低減させる。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
樹脂（以下、「ＰＣ樹脂」ということがある。）に関
し、特に光ディスク等の光学情報記録媒体用の基板に好
適に用いられるポリカーボネート樹脂に関するものであ
る。さらに本発明は、上記ポリカーボネート樹脂を用い
た光学情報記録媒体用基板、及びそれを用いた光学情報
記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】非接触で記録、再生可能な光記録方式
は、従来の磁気記録方式に比較し傷や汚れに対して強い
特徴を有し、記憶容量の大容量化に大きく貢献してい
る。この方式の記録媒体は、ポリカーボネート樹脂等透
明基板上に情報記録層を形成することによって構成され
ている。ＰＣ樹脂は、溶融成形時の耐熱性に優れ成形後
の寸法変化が少ないこと及び機械的特性が優れているこ
とから、前記した情報記録媒体の基板材料として好適な
材料である。光記録媒体には、複屈折や機械特性等の基
板そのものの特性が問題となるのは勿論、基板を製造す
る際に生じるピットずれや離型ムラ等に成形欠陥が少な
いことも要求される。また、ＰＣ樹脂を基板とする場
合、その使途上、透明基板に残る複屈折を極端に嫌う為
に、より高温で成形するのが常である。その時、生成し
た低分子揮発物によるスタンパーやレプリカへの付着に
よるビットエラーが重要な問題を引き起こしており、こ
の揮発量低減は重要な命題となっている。

【０００３】これまで、このような用途に適したＰＣ樹
脂に関して、その中に含まれる低分子量体を論じた文献
も多い。例えば、重合法の改善から低分子化合物を低減
する方法が、特公平６−２３２４３号公報、特開平６−
３３６５２２号公報、特開平３−１０９４２０号公報等
に記載されている。また、生成ポリマーから低分子量体
を除去する手法として、特開昭６３−２７８９２９号公
報、特開昭６４−６０２０号公報、特開平４−３０６２
２７号公報等に低分子量成分をアセトン抽出する手法が
記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記の公知文献を始め
従来の技術では、低分子量体をＰＣ樹脂自体から如何に
して削減するかを論じたもので、低分子化合物の内どの
種の低分子揮発物がどの様な機構で揮発するのか考察し
た訳ではなく、この点に関して十分再考の余地があるこ
とは紛れもない事実であった。特に、低分子量成分の削
減のために必要なアセトン抽出等の手段は、その効果こ
そ比較的満足できるものであるが、その分アセトン抽出
等の煩雑な工程が必要となり、工業的には問題が多かっ
た。例えばアセトン抽出を行う場合には、抽出工程だけ
でなく、アセトンを分離する工程やアセトンを回収する
工程も必要となるため、工業的には極めて煩雑なプロセ
スとなってしまう。

【０００５】本発明者らは、光記録媒体の基板として好
適なＰＣ樹脂について鋭意検討した結果、ＰＣ樹脂中の
特定の化合物の存在が重要であること、また、その化合
物の存在の有無というよりもむしろ存在形態が重要であ
ることを見いだした。言い換えると、上記特定の低分子
化合物の溶融ＰＣ樹脂への溶解性（相溶性）と共に、Ｐ
Ｃ樹脂中の上記特定の低分子化合物の分解反応を抑制す
ること（即ち熱的に安定なＰＣ樹脂を得ること）も重要
であることを見いだした。即ち、ＰＣ樹脂の製造時に副
生する低分子化合物を熱的に安定なものにすることによ
り一定量の低分子化合物が含有されているにもかかわら
ず、揮発してくる割合を少なくすることができることを
知得し、この知見に基づいて本発明を完成した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の要
旨は、芳香族ジオール類とカーボネート形成性化合物と
をモノフェノール類を分子量調節剤として重合させて得
られるポリカーボネート樹脂であって、該ポリカーボネ
ート樹脂中の下記一般式（１）で表される低分子化合物
の含有量が、０．２〜２重量％であり、該ポリカーボネ
ート樹脂を３５０℃、１ｍｍＨｇの真空下で２０分間加
熱した時、揮発してくる上記低分子化合物の割合がポリ
カーボネート樹脂中に含有されている該低分子化合物の
０．２重量％以下であることを特徴とするポリカーボネ
ート樹脂、

【０００７】

【化２】 （但し、Ｒ¹ は芳香族ジオール類残基、Ｒ² はモノフェ
ノール類残基を表す。）に存する。

【０００８】また本発明の第２の要旨は、芳香族ジオー
ル類とカーボネート形成性化合物とをモノフェノール類
を分子量調節剤として重合させて得られるポリカーボネ
ート樹脂であって、該ポリカーボネート樹脂中の前記一
般式（１）で表される低分子化合物の含有量が、０．２
〜２重量％であり、該ポリカーボネート樹脂を４００
℃、１ｍｍＨｇの真空下で３０分間加熱した時、揮発し
てくる上記低分子化合物の割合がポリカーボネート樹脂
中に含有されている該低分子化合物の２重量％以下であ
ることを特徴とするポリカーボネート樹脂、に存する。

【０００９】さらに本発明の第３の要旨は、芳香族ジオ
ール類とカーボネート形成性化合物とをモノフェノール
類を分子量調節剤として重合させて得られるポリカーボ
ネート樹脂であって、該ポリカーボネート樹脂中の前記
一般式（１）で表される低分子化合物の含有量が、０．
２〜２重量％であり、かつ、１０ｇ／ショットのディス
クをシリンダー温度３５０℃にて５０００ショット射出
成形した後のスタンパーに付着した上記低分子化合物の
量が、成形に使用された全樹脂量の１ｐｐｂ以下である
ことを特徴とするポリカーボネート樹脂、に存する。

【００１０】さらに本発明の第４の要旨は、芳香族ジオ
ール類とカーボネート形成性化合物とをモノフェノール
類を分子量調節剤として重合させて得られるポリカーボ
ネート樹脂であって、該ポリカーボネート樹脂中の前記
一般式（１）で表される低分子化合物の含有量が、０．
２〜２重量％であり、かつ、１０ｇ／ショットのディス
クをシリンダー温度３８０℃にて５０００ショット射出
成形した後のスタンパーに付着した上記低分子化合物の
量が、成形に使用された全樹脂量の４ｐｐｂ以下である
ことを特徴とするポリカーボネート樹脂、に存する。

【００１１】本発明のさらに他の要旨は、前記ポリカー
ボネート樹脂からなる光学情報記録媒体用基板、及び、
その基板上に光学記録層が設けられてなる光学情報記録
媒体、に存する。本発明の技術的要点は、上記一般式
（１）で表される低分子化合物の揮発量の割合を特定割
合以下とすることにある。従来技術においては、この一
般式（１）で表される特定の低分子化合物の存在の認識
がなかったばかりでなく、一般的な低分子量体の絶対量
を論じるに止まっており、揮発量の割合こそが重要であ
るとの認識は全くなかった。例えば、アセトン抽出によ
って低分子成分を除去した場合、上記一般式（１）で表
される低分子化合物の絶対量は減少するものの、揮発す
る割合は下がらないのである。

【００１２】上記観点から問題を見つめ直すと、低分子
量物の揮発現象には勿論、低分子化合物の含有量の多い
少ないが関係しているのも事実であるが、それ以上に驚
くべきことに、低分子化合物の溶融ポリカーボネート樹
脂への溶解性（相溶性）及び低分子化合物の分解反応性
（即ちＰＣ樹脂の熱的な安定性）が、低分子化合物が揮
発したり、しなかったりする現象を支配していることが
判明した。

【００１３】即ち、ＰＣ樹脂の製造時に副生する低分子
化合物を熱的に安定なものにすることにより、ＰＣ樹脂
中に一定量の低分子化合物が含有されているにもかかわ
らず、揮発してくる割合を少なくすることができること
を知得して本発明に到達したのである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明において、前記一般式
（１）で表される化合物は、芳香族ジオール類の水酸基
末端がカーボネート形成性化合物を介してモノフェノー
ル類と反応して生成した化合物として位置づけられ、例
えば芳香族ジオール類としてビスフェノールＡを使用
し、カーボネート形成性化合物としてホスゲンを使用
し、モノフェノール類としてｐ−ｔ−ブチルフェノール
を使用した場合、前記低分子化合物は、下記式（２）で
表される化合物である。（以下、この化合物を「ＰＢ
Ｐ」と略記することがある。）

【００１５】

【化３】 （式中、ｔ−Ｂｕ：第３級ブチル基、 −Ｐｈ−：フェ
ニレン基、Ｏ−ＢＰＡ−Ｏ：ビスフェノールＡ残基
）

【００１６】本願発明では、ＰＣ樹脂中に存在する前記
低分子化合物の量が、０．２〜２重量％であることが必
須であり、好ましくは０．３〜２重量％、さらに好まし
くは０．３〜０．７重量％、最も好ましくは、０．３〜
０．５重量％である。前記範囲未満とするには、アセト
ン抽出等の特殊な操作が必要となり、また、前記範囲を
超過する場合は、光学情報記録媒体用基板としての特性
が得られない。前記低分子化合物量を低減する為には、
普通、製造後抽出等の特殊な操作が必要となるが、本発
明においては、このような操作は特段必要では無く、従
ってＰＣ樹脂中の前記低分子化合物量を特に必要以上に
下げる必要はない。

【００１７】さて、前記本発明の第１の要旨に従うＰＣ
樹脂は、３５０℃、１ｍｍＨｇの真空下で２０分間加熱
したときの揮発物としての前記一般式（１）で表される
低分子化合物の量が、加熱前の該低分子化合物の含有量
の０．２重量％以下であることが必須であり、好ましく
は０．１５重量％以下、さらに好ましくは０．１重量％
以下とするのが有利である。即ち、前記式（１）で表さ
れる低分子化合物のＰＣ樹脂中の割合は勿論であるが、
同時にその揮発量が問題となるのである。揮発物として
の前記低分子化合物の量が前記範囲を超過する場合は、
光学情報記録媒体用基板としての特性が得られない。従
来のアセトン抽出等による方法では、低分子化合物全般
の量は低減されるものの、存在する低分子化合物のうち
の揮発割合については全く効力がなかった。

【００１８】なお、上記の揮発量の試験においては、試
験温度を下げたり、あるいは試験時間を短縮すれば、揮
発してくる前記低分子化合物量は少なくなり、加熱前の
含有量に対する割合が低下することになる為、この試験
条件を厳密に再現することが判定する上で重要な因子と
なる。

【００１９】次に前記本発明の第２の要旨に従うＰＣ樹
脂は、４００℃、１ｍｍＨｇの真空下で３０分間加熱し
たときの揮発物としての前記一般式（１）で表される低
分子化合物の量が、加熱前の該低分子化合物の含有量の
２重量％以下であることが必須であり、好ましくは１．
５重量％以下、さらに好ましくは１．０重量％以下とす
るのが有利である。即ち、前記式（１）で表される低分
子化合物のＰＣ樹脂中の割合は勿論であるが、同時にそ
の揮発量も問題となるのである。揮発物としての前記低
分子化合物の量が前記範囲を超過する場合は、光学情報
記録媒体用基板としての特性が得られない。従来のアセ
トン抽出等による方法では、低分子化合物全般の量は低
減されるものの、存在する低分子化合物のうちの揮発割
合については全く効力がなかった。

【００２０】さらに前記本発明の第３または第４の要旨
に従うＰＣ樹脂は、１０ｇ／ショットのディスクをシリ
ンダー温度３５０℃にて５０００ショット射出成形した
後のスタンパーに付着した前記低分子化合物の量が、成
形に使用された全樹脂量の１ｐｐｂ以下であるか、シリ
ンダー温度３８０℃としたときに４ｐｐｂ以下であるこ
と、のいずれかが必須である。この範囲を超過する場合
は、光学情報記録媒体用の基板として好適なものとはな
らない。

【００２１】さて、本発明でＰＣ樹脂の原料として使用
される芳香族ジオール類は、一般式ＨＯ−Ｚ−ＯＨで表
され、ここで、Ｚは１個またはそれ以上の芳香核であ
り、核の炭素と結合する水素は、塩素、臭素等のハロゲ
ン原子、脂肪族の基または脂環式の基等の置換基で置換
することができる。複数の芳香核は、それぞれ異なった
置換基を有することもできる。また、複数の芳香核は、
架橋基で結合されていてもよい。この架橋基には、脂肪
族の基、脂環式の基、ヘテロ原子またはそれらの組合せ
が含まれる。

【００２２】具体的には、ヒドロキノン、レゾルシン、
ビフェノール、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、
ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド、ビス（ヒドロキシフェ
ニル）エーテル、ビス（ヒドロキシフェニル）ケトン、
ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（ヒドロキ
シフェニル）スルホキシド、ビス（ヒドロキシフェニ
ル）ジアルキルベンゼン、及び核にアルキルまたはハロ
ゲン置換基をもったこれらの誘導体が挙げられる。もち
ろん、これらの芳香族ジオール類の２種以上を併用する
ことも可能である。

【００２３】これらの芳香族ジオール類及び他の適当な
芳香族ジオール類は、例えば米国特許第４，９８２，０
１４号、同第３，０２８，３６５号、同第２，９９９，
８３５号、同第３，１４８，１７２号、同第３，２７
５，６０１号、同第２，９９１，２７３号、同第３，２
７１，３６７号、同第３，０６２，７８１号、２，９７
０，１３１号、及び同第２，９９９，８４６号の明細
書、ドイツ特許公開第１，５７０，７０３号、同第２，
０６３，０５０号、同第２，０６３，０５２号、及び同
第２，２１１，９５６号の明細書、並びにフランス特許
第１，５６１，５１８号の明細書等に記載されている。

【００２４】特に好適な芳香族ジオール類には、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェ
ノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサン（ビスフェノール
Ｚ）、及び１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンが含まれる。

【００２５】本発明でＰＣ樹脂の原料として使用される
カーボネート形成性化合物としては、芳香族ジオール類
と反応してカーボネート結合を生じるものであれば特に
制限はなく、ホスゲン、ジメチルカーボネート、ジフェ
ニルカーボネート等各種のものが採用できる。好ましく
は、ジフェニルカーボネート及びホスゲンであり、ホス
ゲンを原料とするのが特に好ましい。ここで、「ホスゲ
ンを原料とする」とは、ホスゲンをＰＣ樹脂の直接の原
料とする場合だけでなく、ホスゲンを原料として例えば
ジフェニルカーボネート等を製造しそれを用いてＰＣ樹
脂を製造する等の場合をも含む。

【００２６】本発明者らは、最終製品として得られるＰ
Ｃ樹脂中の低分子化合物の揮発性に関し鋭意検討した結
果、驚くべきことに、この揮発性と原料ホスゲン中に不
純物として含有される塩素とに相関がある事が判明し
た。すなわちホスゲン中に含有される不純物塩素はポリ
カーボネート製造工程における初期の芳香族ジオール類
のアルカリ金属塩水溶液とホスゲンとの反応段階で芳香
族ジオール類の特定箇所を何らかの形で塩素化し、最終
工程まで変化しないまま残存し、後の成形工程におい
て、通常より過酷な条件に置かれた場合、徐々に分解し
てくるような形態のものである事が判明した。

【００２７】しかしてこの原料ホスゲン中に含有される
不純物塩素を可能な限り少ない状態まで除去すればする
程、成形時の溶融熱安定性が向上し、結果的に低分子オ
リゴマーが揮発し難くなる事を知得した。例えばその手
段として使用される原料であるホスゲンの精製目的で一
旦液化したホスゲンを更に活性炭塔を通液させ、不純物
として微量含有されるＣｌ₂を吸着除去したホスゲンを
使用して製造したポリカーボネート樹脂は、やはり得ら
れる低分子化合物の含有量に変化は無いものの、同化合
物の熱安定性が異なり、結果として高温成形した際に揮
発し難いという現象として発現される。

【００２８】従来から、有機溶媒の存在下、芳香族ジオ
ール類のアルカリ金属塩水溶液とホスゲンとの反応によ
りポリカーボネートを得る二相界面縮合法において使用
されるホスゲン、及び有機溶媒の不存在下、芳香族ジオ
ール類とジアリールカーボネートとの反応によりポリカ
ーボネートを得る溶融法でジアリールカーボネートの原
料として使用されるホスゲン、中の不純物は多く研究さ
れ、ホスゲン中に含有される塩素量として数百ｐｐｍの
オーダーを数十ｐｐｍ迄低減する技術も紹介され、これ
がポリカーボネートにとって良い事も指摘されている。

【００２９】例えば、米国特許第３，２３０，２５３号
や同第３，３３１，８７３号の明細書には、ホスゲンの
製造後、フェノール類や活性炭を経由させ不純物として
含有される塩素を吸着除去しているが、含有される塩素
量として数百ｐｐｍのオーダーを数十ｐｐｍ迄低減する
技術として紹介されているだけで、具体的に同ホスゲン
をポリカーボネートの製造に利用した訳ではない。

【００３０】一方、特開昭６２−２９７３２０号や特開
昭６２−２９７３２１号の公報には、ホスゲン中の不純
物としてホスゲンより高沸点の四塩化炭素が挙げられ、
成形時に加熱した場合に塩酸を発生させる為、ホスゲン
中の四塩化炭素含有量を一定量以下とすることが記載さ
れている。さらにホスゲン製造反応は、一般に活性炭を
触媒にＣＯとＣｌ₂から実施する。しかもこの反応は、
最終段階で平衡状態に到達する為、ホスゲン中の含有Ｃ
ｌ ₂量を低減しようとすると、ＣＯ／Ｃｌ₂比をＣＯ過剰
の方向に振る事も可能である。しかしＣＯを大過剰とす
ると、ＣＯガスの損失になると同時にＣＯガスに同伴さ
れてオフガスとして排出されるホスゲン量が多く、原単
位を極端に悪化させる結果となる。従って多くのホスゲ
ンプラントでは、ホスゲン損失が抑えられるギリギリま
でＣＯ過剰量を抑えて運転するのが通常であり、結果と
して極微量のＣｌ₂に関しては、測定手段及び測定精度
の事もあり、無視されてきたのが現実である。

【００３１】本発明のＰＣ樹脂を製造するためには、
「ホスゲンを原料とする」場合、ホスゲンとして塩素含
有量が１５００ｐｐｂ以下、好ましくは１０００ｐｐｂ
以下、さらに好ましくは５００ｐｐｂ以下、最も好まし
くは１００ｐｐｂ以下のものを使用するのが好ましい。
しかして、上記のように原料ホスゲン中に含有される塩
素を十分に除去すれば、最終的に得られるＰＣ樹脂の成
形時の溶融熱安定性が向上し、結果的に、優れた特性を
有する光学情報記録媒体用の基板に好適なＰＣ樹脂とな
る。例えば、液体ホスゲンを活性炭処理して含有塩素量
を十分に低減させたホスゲンを使用してＰＣ樹脂を製造
した場合、ホスゲン量を低減させないホスゲンを使用し
たＰＣ樹脂に比べ、前記一般式（１）で表される化合物
の含有量に差がなくても、揮発試験時の低分子化合物の
揮発量或いは射出成形時にスタンパーに付着する量は極
めて少なくなる。

【００３２】本発明者らの知見によれば、例えば従来の
二相界面縮合法や溶融法でのＰＣ樹脂の製造において
は、ＰＣ樹脂中に存在しうる塩素の由来としてはホスゲ
ン中の塩素以外にも塩化メチレン等の反応溶媒に由来す
るものや洗浄に使用する塩酸に由来するもの等多種のも
のが考えられるが、ホスゲン中の塩素量が圧倒的に、Ｐ
Ｃ樹脂からの低分子化合物の揮発量或いはスタンパーに
付着する低分子化合物の量を左右するのであり、これは
実に驚くべき知見である。

【００３３】「ホスゲンを原料とする」場合、ホスゲン
は液状またはガス状で使用されるが、温度管理の面から
は液状であるのが好ましく、特に後述する塩素を吸着除
去する場合に有利である。ホスゲン中の塩素の濃度を上
記範囲にするための方法には特に制限はなく、はじめか
ら塩素の残存しないホスゲンの製造方法を採用する方法
や、通常の方法にて塩素を多量に含有するホスゲンを製
造し、それを精製して塩素を除去する方法が例示でき
る。工業的には後者の方法が好ましい。ホスゲン中の塩
素の除去方法は、活性炭等の吸着剤による吸着除去や沸
点差を利用した蒸留による分離除去等があり、いずれの
方法で除去してもかまわない。但し蒸留除去の場合、除
去オーダーが極めて低い数値であって相当の蒸留段数を
要すため、この点から吸着除去の方が有利である。

【００３４】ホスゲン中の塩素を吸着除去する場合に使
用する吸着剤としては、活性炭の外、フェノール類等各
種のものを使用できる。活性炭を使用する場合、活性炭
の種類としては、酸性ガス用、塩基性ガス用、一般ガス
用等各種のものが使用できるが、塩素の吸着能力の点か
ら好適な活性炭は、酸性ガス用活性炭である。好ましい
活性炭の特性は以下のようである。

【００３５】 粒度 ：２〜６０メッシュ、より好ましくは３０〜６
０メッシュ 真密度 ：１．９〜２．２ｇ／ｃｃ、より好ましくは
２．０〜２．１ｇ／ｃｃ 空隙率 ：３３〜７５％、より好ましくは４５〜７５％ 比表面積：７００〜１５００ｍ² ／ｇ、より好ましくは
９００〜１３００ｍ² ／ｇ 細孔容積：０．５〜１．４ｃｃ／ｇ、より好ましくは
０．７〜１．４ｃｃ／ｇ 平均孔径：１〜４０Å、さらに好ましくは１５〜４０Å 液状のホスゲンを活性炭にて処理する場合、活性炭への
通液条件としては、通常、空間速度（ＳＶ）＝２〜１０
程度、好ましくは２〜５程度、更に好ましくは、２〜４
程度で処理する。ＳＶ値が大きすぎると活性炭塔出口で
の吸着塩素の微量リークが認められる様になり、好まし
くない。また、通液温度は通常０〜５℃程度で１２０ｇ
−塩素／ｋｇ−活性炭程度の吸着容量を保持できる。

【００３６】本発明のＰＣ樹脂を製造するには、ＰＣ樹
脂の分子量調節剤（連鎖停止剤）としてモノフェノール
類を使用することが必須である。モノフェノール類は、
フェノール性水酸基の数以外、前記の芳香族ジオール類
と同様の構造のものを採用することができるが、その種
類によって、ＰＣ樹脂中の低分子化合物の生成量が若干
異なる場合がある。

【００３７】適当なモノフェノール類には、種々のフェ
ノール類、例えば、通常のフェノールのほか、ｐ−ｔ−
ブチルフェノール及びｐ−クレゾールのようなＣ1 〜Ｃ
10のアルキルフェノール、並びにｐ−クロロフェノール
及び２，４，６−トリブロモフェノールのようなハロゲ
ン化フェノールが含まれる。なかでも、フェノール、イ
ソプロピルフェノール、イソオクチルフェノール及びｐ
−ｔ−ブチルフェノール等アルキルフェノール類が、好
適である。モノフェノール類の使用量は、目的とする縮
合体の分子量によっても異なるが、通常、芳香族ジオー
ル類に対して、０．５〜１０重量％の量で使用される。

【００３８】モノフェノール類の使用時期（添加時期）
によっても、光学情報記録媒体としての特性は変化しう
るが、例えばカーボネート形成性化合物の共存下でモノ
フェノール類を添加すると、モノフェノール類同志の縮
合物（炭酸ジフェニル類）が多く生成し好ましくないこ
とがある。またモノフェノール類の添加を極端に遅らせ
た場合、分子量制御が困難となりあまり現実的ではな
い。結局、停止剤の添加は、カーボネート形成性化合物
の消費が終了した直後から、分子量伸長が始まる前での
間が好ましいと言える。

【００３９】本発明においては、任意の分岐剤もＰＣ樹
脂の原料とすることができる。使用される分岐剤は、３
個またはそれ以上の官能基を有する種々の化合物から選
ぶことができる。適当な分岐剤としては、３個またはそ
れ以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物が
挙げられ、例えば、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニルイソプロピル）フェノール、２，６−ビス（２−ヒ
ドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノー
ル、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−
ジヒドロキシフェニル）プロパン及び１，４−ビス
（４，４′−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼ
ンが挙げられる。また、３個の官能基を有する化合物で
ある、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、
塩化シアヌルも使用しうる。中でも、３個またはそれ以
上のフェノール性ヒドロキシ基を持つものが好適であ
る。分岐剤の使用量は、目的とする分岐度によっても異
なるが、通常、芳香族ジオール類に対し、０．０５〜２
モル％の量で使用される。

【００４０】本発明のＰＣ樹脂は、通常、１）ホスゲン
と芳香族ジオール類とを界面重縮合条件下もしくは溶液
重合条件下で反応させる方法、または、２）ホスゲンと
フェノールを反応させる等の方法によりジフェニルカー
ボネートを製造し、これと芳香族ジオール類とを溶融縮
合条件下で反応させる方法、で製造することができる。

【００４１】上記２）の典型的な反応としては、精製さ
れたジフェニルカーボネートと芳香族ジオール類とを溶
融条件下（〜３００℃）、高真空条件（≦５０ｍｍＨ
ｇ）でフェノールを蒸留しながらエステル交換により分
子量伸張させてゆく。この時、重縮合触媒として種々の
タイプのものが使用される。また蒸留されたフェノール
は、通常回収して再利用する。

【００４２】他方、上記１）の方法は、芳香族ジオール
類の金属塩水溶液とホスゲンとを有機溶媒の存在下で反
応させてカーボネートオリゴマーを得る方法が代表的で
あり、かつ、工業的に最もポピュラーな方法である。そ
こで、以下上記１）方法について詳細に説明する。上記
方法において、芳香族ジオール類は水及び水溶性の金属
水酸化物と共に水相を形成する。金属水酸化物として
は、通常水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカ
リ金属水酸化物が用いられる。水相中で芳香族ジオール
類は、上記水酸化物と反応して水溶性の金属塩を生じ
る。この場合、水相中の芳香族ジオール類とアルカリ金
属水酸化物のモル比は、１：１．８〜１：３．５が好ま
しく、更に１：２．０〜１：３．２が好ましい。水相に
は、ハイドロサルファイト等の還元剤を少量添加しても
よい。

【００４３】使用する有機溶媒としては、反応温度及び
反応圧力において、ホスゲン及びカーボネートオリゴマ
ー、ポリカーボネート等の反応生成物は溶解するが、水
を溶解しない（水と溶液をつくらないという意味で）任
意の不活性有機溶媒を含む。代表的な不活性有機溶媒に
は、ヘキサン及びｎ−ヘプタンのような脂肪族炭化水
素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロ
ロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、ジ
クロロプロパン及び１，２−ジクロロエチレンのような
塩素化脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン及びキシレ
ンのような芳香族炭化水素、クロロベンゼン、ｏ−ジク
ロロベンゼン及びクロロトルエンのような塩素化芳香族
炭化水素、その他ニトロベンゼン及びアセトフェノンの
ような置換芳香族炭化水素が含まれる。中でも、塩素化
された炭化水素、例えば塩化メチレンまたはクロロベン
ゼンが好適に使用される。これらの不活性有機溶媒は、
単独であるいは他の溶媒との混合物として使用すること
ができる。

【００４４】ホスゲンの好ましい使用量は、反応条件、
特に反応温度及び水相中の芳香族ジオール金属塩の濃度
によっても影響は受けるが、芳香族ジオール類１モルに
対するホスゲンのモル比で、通常１．０〜２．０、好ま
しくは１．０〜１．５、さらに好ましくは１．０〜１．
２、最も好ましくは１．０５〜１．１５である。この比
が大きすぎると、ホスゲンの損失が多く好ましくない。
一方、小さすぎると、ＣＯ基が不足し、適切な分子量伸
長が行われなくなり好ましくない。

【００４５】縮合触媒の供給は、ホスゲンとの接触に先
立って行うこともできるし、また好ましい。もちろん、
望むならば、縮合触媒の供給を、ホスゲンとの接触時に
行ってもよい。縮合触媒としては、二相界面縮合法に使
用されている多くの縮重合触媒の中から、任意に選択す
ることができる。中でも、トリアルキルアミン、Ｎ−エ
チルピロリドン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ−エチルモ
ルホリン、Ｎ−イソプロピルピペリジン及びＮ−イソプ
ロピルモルホリンが適しており、特にトリエチルアミン
及びＮ−エチルピペリジンが特に適している。

【００４６】得られるポリカーボネート樹脂中の低分子
化合物の揮発原因物質を出来るだけ低減させるという意
味で、ポリカーボネート樹脂自体の純度を可能な限り向
上させる事が、生成した低分子化合物の揮発を抑制する
重要な因子である事は説明したが、この意味での純度を
向上させる為の手段として、例えば１）先に示した様に
原料中の不純物を極力排除する事、及び２）ホスゲン化
反応を極力副生物を避けて実行する事等が挙げられる。

【００４７】後者の方法では、例えば有機相と水相を乳
化し、あらかじめ界面積を増加させた乳濁液を、ホスゲ
ンと接触させ、ホスゲンの溶媒への溶解を極力回避し、
その間でホスゲンを消費する方向でオリゴマーを得る。
このオリゴマーに停止剤を反応させた場合、得られる低
分子化合物の含有量に変化は無いものの、同化合物の熱
安定性が異なり、結果として高温成形した際に揮発し難
いという現象として発現されることが判った。

【００４８】有機相と水相との接触条件が、何故影響を
与えるかについてはおよそ以下のように考えられる。両
末端が停止剤で停止された化合物は、停止剤をフェノー
ルの状態で使用し、使用段階でホスゲンが残存していな
い環境下であると、その前駆体としては、ビスクロロフ
ォーメート体に限定され、このビスクロロフォーメート
体を製造する手法の相違が、高温成形した時の揮発現象
を支配し、上記の様な乳化条件下で製造したビスクロロ
フォーメート体は熱的に安定でポリカーボネート融体中
にも安定に存在し得る一方、乳化をしない条件下で製造
したビスクロロフォーメート体は、反応溶媒中に溶解し
たホスゲンによる交換反応を受け（ホスゲノリシス反
応）、基本的に同じ物質ではあるが、熱的に不安定で劣
化し易いものに変化し、この様なビスクロロフォーメー
ト体から両末端停止された化合物は、ポリカーボネート
融体中にも安定に存在し得ず、高温成形した際に容易に
揮発してくると推定される。

【００４９】さらにＣｌ₂等不純物を除去したホスゲン
を使用して製造したポリカーボネートオリゴマーと極微
量の不純物を含有したままのホスゲンを使用して製造し
たポリカーボネートオリゴマーは、やはり熱的な安定性
が異なり、前者のオリゴマーの方が後者のオリゴマーよ
り揮発し難い現象として現われる。すなわち、二相界面
縮合法において、使用される原料の純度を向上させるべ
く使用ホスゲン中の低沸点不純物であるフリー塩素を吸
着除去、精製した後、別の原料である塩化メチレン（有
機相）と芳香族ジオール類のアルカリ金属塩（水相）を
乳化し、あらかじめ界面積を増加させた乳濁液を、ホス
ゲンと接触させることによって、界面で生成するオリゴ
マーは、水相から芳香族ジオール類のアルカリ金属塩の
供給が潤沢であるので、ホスゲンの反応消費が加速さ
れ、ホスゲンの溶媒中に溶解する機会が激減し、結果的
にモノクロロホーメート体の生成が優勢となり、ビスク
ロロフォーメート体がホスゲンにより交換反応すること
は殆ど無くなり、結果熱的に安定なオリゴマーを得る事
ができるようになり、更に使用されるホスゲンもＣｌ₂
等不純物を殆ど含有しないものを使用する為、ポリマ
ー、オリゴマーが部分的に塩素化されて熱的に不安定の
なる事もなく、停止剤が両末端に付加した低分子化合物
も熱的に安定となることを知得した。

【００５０】上記のように、本発明においては二相界面
縮合法を採用した場合、ホスゲンとの接触に先立って有
機相と水相とを接触させ、乳濁液を形成させるのが特に
好ましい。乳濁液を形成させるためには、通常の撹拌翼
を有する撹拌機の外、ホモジナイザ、ホモミキサ、コロ
イドミル、フロージェットミキサ、超音波乳化機等の動
的ミキサや、静的ミキサ等の混合機を使用するのが好ま
しい。乳濁液は通常、０．０１から１０μｍの液滴径を
有し、乳化安定性を有する。

【００５１】乳化の状態は通常ウェーバー数或いはＰ／
ｑで表現できる。ウェーバー数としては、好ましくは１
００００以上、さらに好ましくは２００００以上、最も
好ましくは３５０００以上である。また、上限としては
１００００００以下程度で十分である。また、Ｐ／ｑと
しては、好ましくは２００ｋｇ・ｍ／リットル以上、さ
らに好ましくは５００ｋｇ・ｍ／リットル以上、最も好
ましくは１０００ｋｇ・ｍ／リットル以上である。

【００５２】乳濁液とホスゲンとの接触は、前記乳化条
件よりも弱い混合条件下で行うのがホスゲンの有機相へ
の溶解を抑制する意味で好ましく、ウェーバー数として
１００００未満、好ましくは５０００未満、さらに好ま
しくは２０００未満である。また、Ｐ／ｑとしては、２
００ｋｇ・ｍ／リットル未満、好ましくは１００ｋｇ・
ｍ／リットル未満、さらに好ましくは５０ｋｇ・ｍ／リ
ットル未満である。ホスゲンとの接触は、管型反応器や
槽型反応器にホスゲンを導入することによって達成する
ことができる。また、接触時の温度は、通常８０℃以
下、好ましくは７０℃以下、さらに好ましくは１０〜６
５℃である。

【００５３】ホスゲンとの接触によってオリゴマー化が
進行する。オリゴマーを得る段階での有機相中のオリゴ
マーの濃度は、得られるオリゴマーが可溶な範囲であれ
ばよく、具体的には、１０〜４０重量％程度である。ま
た、有機相の割合は、芳香族ジオール類のアルカリ金属
水酸化物水溶液、即ち水相に対して０．２〜１．０の容
積比であることが好ましい。このような縮合条件下で得
られるオリゴマーの平均分子量（Ｍｖ）は、通常５００
〜１０，０００程度、好ましくは１６００〜４５００で
あるが、この分子量に制限されない。

【００５４】このようにして得られたオリゴマーは、常
法に従い、重縮合条件下で、高分子のポリカーボネート
とする。好ましい実施態様においては、このオリゴマー
の溶存する有機相を水相から分離し、必要に応じ、前述
の不活性有機溶媒を追加し、該オリゴマーの濃度を調整
する。すなわち、重縮合によって得られる有機相中のポ
リカーボネートの濃度が５〜３０重量％となるように、
溶媒の量が調整される。しかる後、新たに水及びアルカ
リ金属水酸化物を含む水相を加え、さらに重縮合条件を
整えるために、好ましくは前述の縮合触媒を添加して、
二相界面縮合法に従い、所期の重縮合を完結させる。重
縮合時の有機相と水相の割合は、容積比で、有機相：水
相＝１：０．２〜１：１程度が好ましい。

【００５５】重縮合完結後は、残存するクロロフォーメ
ート基が０．１μｅｑ／ｇ以下になるまで、水酸化ナト
リウムのようなアルカリで洗浄処理する。その後は、電
解質が無くなるまで、有機相を洗浄し、最終的には有機
相から適宜不活性有機溶媒を除去、ポリカーボネートを
分離する。このようにして得られるポリカーボネートの
平均分子量（Ｍｖ）は、通常１０，０００〜１００，０
００程度である。

【００５６】上記の反応において、縮合触媒や分岐剤の
添加時期に特に制限はないが、ホスゲンの消費が終了し
た直後から、分子量伸長が始まる前までの間が好まし
い。なお、本願において、平均分子量（Ｍｖ）とは、オ
リゴマーまたはポリカーボネートの濃度（Ｃ）０．６ｇ
／ｄｌ塩化メチレン溶液を用いて、温度２０℃で測定し
た比粘度（ηｓｐ）から、下記の両式を用いて算出した
値である。

【００５７】 ηｓｐ／Ｃ＝［η］（１＋０．２８ηｓｐ） ［η］ ＝１．２３×１０^-5Ｍｖ^0.83 以上の方法で得られるＰＣ樹脂には、これを反応器から
分離する途中、またはこれを加工する前またはその間に
おいて、種々の添加剤、例えば安定剤、型抜き剤、燃焼
遅延剤、帯電防止剤、充填剤、繊維、衝撃強度向上剤等
の有効量を加えることができる。

【００５８】本発明のＰＣ樹脂を製造するための方法は
特に制限はなく、通常のＰＣ樹脂の製造法に上記好まし
い方法を組み合わせる等の手段により、当業者にとって
容易に実施できる。例えば、原料としてホスゲンを用い
る場合にはホスゲン中の塩素を測定値以下にする手段を
用いたり、二相界面縮合法を用いる場合に水相と有機相
とを乳化した後ホスゲンと接触させる手段を用いたり、
さらにはモノフェノール類の添加位置をホスゲンの消費
が終了した直後から分子量伸長が始まる前までの間とす
る等の手段を単独或いは組み合わせることが好ましい。
上記の方法等本発明のＰＣ樹脂を得るための方法のうち
いくつかの方法自体は、ＰＣ樹脂の製造法として公知で
あるが、これらの文献に具体的に記載されている方法自
体では本発明のＰＣ樹脂を得ることはできない。

【００５９】本発明のＰＣ樹脂は、射出成形、押出成形
などによって種々の成形品、例えばフィルム、糸、板等
に加工することもできるし、種々の技術的分野、例えば
電気部品または建築産業において、また照明器具用材料
及び光学的機器材料、特に灯火のハウジング、光学レン
ズ、光学ディスク及びオーディオディスク等に使用され
る。特に高温成形を余儀なくされる光学分野に好ましく
使用される。

【００６０】光学情報記録媒体は一般に、ポリカーボネ
ート樹脂層からなるディスク基板の部分と蒸着、スパッ
タリング等により形成されるＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属
類、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｄｙ等の希土類を組み合わせて
成る情報記録層、及び同記録層を保護するための保護層
としてシリコン系セラミック等が中間層として使用さ
れ、最後に表面にオーバーコート層として紫外線硬化樹
脂等を用いた層構成が一般的である。この様にして形成
した光学情報記録媒体は、主に追記及び書き換え型とし
て用いる。

【００６１】

【実施例】以下、実施例に従って、本発明をより具体的
に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、これ
らによって限定されるものではない。 実施例１〜５ ビスフェノールＡ（以下「ＢＰＡ」とも記す）１６．３
１ｋｇ／時、水酸化ナトリウム５．９３ｋｇ／時、及び
水１０１．１ｋｇ／時を、ハイドロサルファイト０．０
１８ｋｇ／時の存在下に、３５℃で溶解した後、２５℃
まで冷却した水相、並びに５℃に冷却した塩化メチレン
６８．０ｋｇ／時の有機相を、各々内径６ｍｍ、外径８
ｍｍのステンレス製配管に供給し、同配管内で混合し、
さらにホモミキサー（特殊機化株式会社製、製品名Ｔ．
ＫホモミックラインフローＬＦ−５００型）を用いて、
乳化し、乳濁液を調製した。

【００６２】このようにして得られた、ビスフェノール
Ａのナトリウム塩（以下「ＢＰＡ−Ｎａ」とも記す）水
溶液（水相）と塩化メチレン（有機相）の乳濁液を、ホ
モミキサーから分岐する内径６ｍｍ、外径８ｍｍの配管
で取出し、これに接続する内径６ｍｍ、長さ３４ｍのテ
フロン製パイプアクターにおいて、ここに別途導入され
る０℃に冷却したパイプより供給された液化ホスゲン
７．５ｋｇ／時と接触させた。この液化ホスゲンは、直
径：５５ｍｍ、高さ：５００ｍｍの円筒型容器に、粒度
３０〜６０メッシュ程度、真密度：２．１ｇ／ｃｃ、空
隙率：４０％、比表面積：１２００ｍ² ／ｇ、細孔容
積：０．８６ｃｃ／ｇの活性炭（ヤシコールＳ、大平化
学製）を充填し、−５℃、７．２ｋｇ／ｈｒ、ＳＶ＝３
で通液処理し、表−１に示す通りの塩素含有量の液化ホ
スゲンを、活性炭塔出口で、表−１に示す様な塩素含有
量まで低下させたものである。

【００６３】上記乳濁液はホスゲンとパイプリアクター
内を１．７ｍ／秒の線速にて２０秒間流通する間に、ホ
スゲン化、オリゴマー化反応を行った。この時、反応温
度は、それぞれ６０℃になるように調整しいずれも次の
オリゴマー化槽に入る前に３５℃まで外部冷却を行っ
た。このようにしてパイプリアクターより得られるオリ
ゴマー化された乳濁液を、さらに内容積５０リットルの
撹拌機付き反応槽に導き、窒素ガス雰囲気下３０℃で撹
拌し、オリゴマー化することで、水相中に存在する未反
応のＢＰＡ−Ｎａを完全に消費させた後、水相と有機相
を静置分離し、オリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。
オリゴマー化に際し、触媒トリエチルアミン０．００５
ｋｇ／時、及び分子量調節剤のｐ−ｔ−ブチルフェノー
ル０．６５ｋｇ／時を、各々、オリゴマー化槽に導入し
た。

【００６４】上記オリゴマーの塩化メチレン溶液のうち
２３ｋｇを、内容積７０リットルのファウドラー翼付き
反応槽に仕込み、これに希釈用塩化メチレン１０ｋｇを
追加し、さらに２５重量％水酸化ナトリウム水溶液２．
２ｋｇ、水６ｋｇ、及びトリエチルアミン２．２ｇを加
え、窒素ガス雰囲気下３０℃で撹拌し、６０分間重縮合
反応を行って、ポリカーボネートを得た。

【００６５】この反応液に、塩化メチレン３０ｋｇ及び
水７ｋｇを加え、２０分間撹拌した後、撹拌を停止し、
水相と有機相を分離した。分離した有機相に、０．１Ｎ
塩酸２０ｋｇを加え１５分間撹拌し、トリエチルアミン
及び小量残存するアルカリ成分を抽出した後、撹拌を停
止し、水相と有機相を分離した。さらに、分離した有機
相に、純水２０ｋｇを加え、１５分間撹拌した後、撹拌
を停止し、水相と有機相を分離した。この操作を抽出排
水中の塩素イオンが検出されなくなるまで（３回）繰り
返した。

【００６６】得られた精製ポリカーボネート溶液をニー
ダーで粉化し、乾燥後粒状粉末（フレーク）を得た。こ
のフレークを、３０ｍｍ二軸押出機（池貝鉄鋼製）、樹
脂温２９０℃にてＮ₂雰囲気下混練後、ペレット化した
（１５ｋｇ／ｈｒ）。この時、操作上不純物の混入が懸
念される点（人の手や汗及び冷却に使用するＨ₂０）に
関し、十分の注意を払いながら処理した。

【００６７】各実施例で得られたポリカーボネート樹脂
について、平均分子量（Ｍｖ）及び分子量分布（Ｍｗ／
Ｍｎ）、色調、低分子化合物含有量、及び射出成形時の
揮発低分子化合物量、並びに射出成形性及び成形品物性
等を、以下の方法によりそれぞれ測定、評価し、結果を
表１に示した。

【００６８】（１）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ） ＧＰＣ装置（東ソー株式会社製、製品名ＨＬＣ−８０２
０）を使用し、テトラヒドロフランを溶離液とし、４種
の高速ＧＰＣ用充填材（東ソー株式会社製、製品名ＴＳ
Ｋ ５０００ＨＬＸ、４０００ＨＬＸ、３０００ＨＬ
Ｘ、及び２０００ＨＬＸ）を充填した４本のカラムで分
離し、屈折率差により検出して得られたチャートより、
Ｍｗ及びＭｎをポリスチレン換算で求め、Ｍｗ／Ｍｎを
算出した。

【００６９】（２）色調（ＹＩ） フレークを、射出成形機（日精樹脂工業株式会社製、製
品名ＦＳ８０Ｓ−１２ＡＳＥ）を用い、２８０℃で可塑
化後、シリンダー内で１５秒滞留させ、厚さ３．２ｍ
ｍ、６０ｍｍ角の見本板を成形した。また、可塑化後、
シリンダー内での滞留時間を５分とした見本板も成形し
た。

【００７０】これらの見本板について、色差計（スガ試
験機株式会社製、製品名ＳＭ−４−ＣＨ）を用いて、色
調（ＹＩ値）を測定した。測定値のうち、１５秒滞留の
ＹＩ値が小さいのは、定常成形時の色調が良好であるこ
とを示し、１５秒滞留と５分滞留のＹＩ値の差（ΔＹ
Ｉ）が小さいのは、高温における熱安定性が良好である
ことを示す。

【００７１】（３）分解・揮発物測定 得られたポリカーボネートペレット２０ｇを、真空下
（１ｍｍＨｇ）にガラス封管し、ペレットの部分のみ３
５０℃で２０分間、または４００℃で３０分間、加熱
し、空冷されたガラス気相部（１５０℃〜５０℃）に付
着してきたもののみを全量、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）に溶解した。

【００７２】同溶液を液体クロマトグラフィにより測定
した（条件：ＴＨＦ／水（１／１）溶媒→ＴＨＦ１００
％へ変化、検出器：ＵＶ２７０ｎｍ、測定機種：シマズ
ＬＣ−９Ａ）。液体クロマトグラフにより展開された化
合物を、それぞれＬＣ−ＭＳ法により同定した。

【００７３】一方、同定された化合物の内、分解生成し
てくる化合物のうちＰＢＰ、下記式（３）で表される化
合物（Ｃ−ＰＴＢＰ）、及び下記式（４）で表わされる
化合物（ＰＢ）の量を比較した。

【００７４】

【化４】

【００７５】

【化５】 （式中、ｔ−Ｂｕ：第３級ブチル基、 −Ｐｈ−：フェ
ニレン基、Ｏ−ＢＰＡ−Ｏ：ビスフェノールＡ残基
）

【００７６】（４）ディスク成形時のスタンパー付着低
分子化合物量 住友重機械製 ＤＩＳＫ３成形機を使用し、シリンダー
温度：３５０℃、金型温度：１０３℃／９８℃、充填時
間：０．３４秒、冷却時間：４．５秒、圧縮力：２２．
５−１３．８−１０トン、ショット数：５０００（１０
ｇ−ＰＣ樹脂／ショット）の条件下で、３．５インチ基
板を成形した。スタンパーは２３０ＭＢ（ＩＳＯ／ＩＥ
Ｃ １３９６３規格）を使用した。

【００７７】この条件にて成形した後、スタンパーに付
着した低分子化合物をＴＨＦにて全量溶解、抽出し、上
記同様液体クロマトグラムにて測定、付着低分子化合物
量の比較を行った。付着低分子化合物は、測定チャート
上ＰＢＰが主成分と判ったので、ＰＢＰに関し絶対検量
線法により、抽出液中ＰＢＰ濃度を求め、昇華ＰＢＰ重
量に換算後、成形に使用した樹脂量当たりに計算し直し
た。

【００７８】さらに、シリンダー温度を３８０℃にする
以外、上記と同様条件にて成形し、同様にスタンパーに
付着した低分子化合物量を求めた。 （５）射出成形性、及び基板特性 ピットずれは１０００ショット毎に各３面、内外周のＳ
ＦＰ部、及び外周７，８，９バンドを光学顕微鏡で観察
した。

【００７９】離型ムラは１０００ショット毎に各２５
面、反射及び透過光で目視観察した。また、オーク製作
所製自動複屈折測定装置ＡＤＲ−１３０Ｎを使用し、面
内複屈折及び垂直複屈折を測定し、その最大値と最小値
を示した。基板の機械特性は、光ディスクの規格（ＩＳ
Ｏ／ＩＥＣ １３９６３）に従って評価し、十分余裕を
もってクリアするものを○、ぎりぎりであるがクリアす
るものを△で表した。

【００８０】比較例１ 実施例５において、ホスゲンを活性炭塔を通液処理しな
い以外は実施例５と同様の操作を行った。 比較例２ 実施例５において、ビスフェノールＡ、水酸化ナトリウ
ム、及び水の水相と、塩化メチレンの有機相とをホモミ
キサーを使用する代わりに、内径２ｍｍのオリフィスを
通過させることによって混合した後、ホスゲンと接触反
応させた以外は、実施例５と同様の操作を行った。

【００８１】比較例３ 比較例２の手法で分子量調節剤のｐ−ｔ−ブチルフェノ
ールをホスゲン添加と同時に添加した以外、比較例２と
同様の操作を行った。 比較例４ 比較例２の手法で分子量調節剤のｐ−ｔ−ブチルフェノ
ールを縮合工程後期、即ちオリゴマーの塩化メチレン溶
液のうち、２３ｋｇを、内容積７０リットルのファウド
ラー翼付き反応槽に仕込み、これに希釈用塩化メチレン
１０ｋｇを追加し、さらに２５重量％水酸化ナトリウム
水溶液２．２ｋｇ、水６ｋｇ、及びトリエチルアミン
２．２ｇを加え、窒素ガス雰囲気下３０℃で撹拌し、１
５分間重縮合反応を行って、分子量調節剤のｐ−ｔ−ブ
チルフェノールを添加し、更に１５分間撹拌を継続、ポ
リカーボネートを得た以外、比較例２と同様の操作を行
った。

【００８２】比較例５ 比較例２の手法で得られたポリカーボネート粉体５ｋｇ
を内容積７０リットルのファウドラー翼付き反応槽に仕
込み、２０Ｌのアセトンを用い、窒素ガス雰囲気下３０
℃で撹拌、１時間洗浄した。この粉体とアセトンを４８
メッシュの金網で分離後、乾燥し、以外比較例２と同様
操作を行った。

【００８３】比較例６ 実施例５において、高塩素含量のホスゲンを使用し、Ｓ
Ｖ＝２０で活性炭塔を通液処理した以外実施例５と同様
の操作を行った。これらの比較例についても、実施例１
〜５と同様に諸特性を評価し、その結果を表−２に示し
た。

【００８４】

【表１】

【００８５】

【表２】

【００８６】

【表３】

【００８７】

【表４】

【００８８】

【発明の効果】本発明によって得られるＰＣ樹脂は、Ｐ
Ｃ樹脂固有の優れた物性を有するだけでなく、高温成形
における熱安定性が著しく向上して、低分子揮発物が少
なく、着色の少ない成形品を得ることができるので、従
来品に比べ、その用途範囲を大きく拡大できる利点を有
する。特に、これを光学情報記録媒体の基板として用い
ると、特性に優れた光学情報記録媒体を得ることができ
る。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ジオール類とカーボネート形成性
   化合物とをモノフェノール類を分子量調節剤として重合
   させて得られるポリカーボネート樹脂であって、該ポリ
   カーボネート樹脂中の下記一般式（１）で表される低分
   子化合物の含有量が、０．２〜２重量％であり、該ポリ
   カーボネート樹脂を３５０℃、１ｍｍＨｇの真空下で２
   ０分間加熱した時、揮発してくる上記低分子化合物の割
   合がポリカーボネート樹脂中に含有されている該低分子
   化合物の０．２重量％以下であることを特徴とするポリ
   カーボネート樹脂。 【化１】 （但し、Ｒ¹ は芳香族ジオール類残基、Ｒ² はモノフェ
   ノール類残基を表す。）
2. 【請求項２】 芳香族ジオール類とカーボネート形成性
   化合物とをモノフェノール類を分子量調節剤として重合
   させて得られるポリカーボネート樹脂であって、該ポリ
   カーボネート樹脂中の前記一般式（１）で表される低分
   子化合物の含有量が、０．２〜２重量％であり、該ポリ
   カーボネート樹脂を４００℃、１ｍｍＨｇの真空下で３
   ０分間加熱した時、揮発してくる上記低分子化合物の割
   合がポリカーボネート樹脂中に含有されている該低分子
   化合物の２重量％以下であることを特徴とするポリカー
   ボネート樹脂。
3. 【請求項３】 芳香族ジオール類とカーボネート形成性
   化合物とをモノフェノール類を分子量調節剤として重合
   させて得られるポリカーボネート樹脂であって、該ポリ
   カーボネート樹脂中の前記一般式（１）で表される低分
   子化合物の含有量が、０．２〜２重量％であり、かつ、
   １０ｇ／ショットのディスクをシリンダー温度３５０℃
   にて５０００ショット射出成形した後のスタンパーに付
   着した上記低分子化合物の量が、成形に使用された全樹
   脂量の１ｐｐｂ以下であることを特徴とするポリカーボ
   ネート樹脂。
4. 【請求項４】 芳香族ジオール類とカーボネート形成性
   化合物とをモノフェノール類を分子量調節剤として重合
   させて得られるポリカーボネート樹脂であって、該ポリ
   カーボネート樹脂中の前記一般式（１）で表される低分
   子化合物の含有量が、０．２〜２重量％であり、かつ、
   １０ｇ／ショットのディスクをシリンダー温度３８０℃
   にて５０００ショット射出成形した後のスタンパーに付
   着した上記低分子化合物の量が、成形に使用された全樹
   脂量の４ｐｐｂ以下であることを特徴とするポリカーボ
   ネート樹脂。
5. 【請求項５】 カーボネート形成性化合物が、塩素含有
   量が１５００ｐｐｂ以下のホスゲン、又は該ホスゲンを
   原料としたカーボネート化合物である請求項１〜４のい
   ずれか１つに記載のポリカーボネート樹脂。
6. 【請求項６】 ホスゲンの塩素含有量が１０００ｐｐｂ
   以下である、請求項５に記載のポリカーボネート樹脂。
7. 【請求項７】 有機溶媒を含む有機相と、水及び芳香族
   ジオール類の金属塩を含む水相とを、乳化条件下で接触
   させて乳濁液を生成させた後、この乳濁液をホスゲン
   と、縮合反応条件下、上記乳化条件よりも弱い混合条件
   下で接触させてオリゴマーを得る工程を経て得られたも
   のである、請求項１〜６のいずれか１つに記載のポリカ
   ーボネート樹脂。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１つに記載のポ
   リカーボネート樹脂からなる光学情報記録媒体用基板。
9. 【請求項９】 請求項１〜７のいずれか１つに記載のポ
   リカーボネート樹脂からなる基板上に光学記録層が設け
   られてなる光学情報記録媒体。