JPH1110054A - 塗布液塗布装置 - Google Patents
塗布液塗布装置Info
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- JPH1110054A JPH1110054A JP9162726A JP16272697A JPH1110054A JP H1110054 A JPH1110054 A JP H1110054A JP 9162726 A JP9162726 A JP 9162726A JP 16272697 A JP16272697 A JP 16272697A JP H1110054 A JPH1110054 A JP H1110054A
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Abstract
ことによって、処理を正確に調整して各基板を均一に処
理することができる。 【解決手段】 基板Wの上方からレーザー光線を放射す
る投光部27及び反射光を上方で受光する受光部29を
含み、塗布液の供給状態に応じた電気信号を出力するレ
ーザ受信器33と、電気信号に含まれるノイズを除去し
て整形信号として出力する積分回路35と、整形信号を
タイミング信号に整形する微分回路37と、供給開始命
令を実行することで基板に塗布液の供給を開始し、供給
停止命令を実行することで供給を停止するとともに、タ
イミング信号に基づいて処理プログラムの命令の実行タ
イミングを調整する制御部20とを備えている。
Description
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など(以下、単に基板と称す
る)に対して、フォトレジスト液、SOG液(Spin On
Glass:シリカ系被膜形成材とも呼ばれる)、ポリイミド
樹脂などの塗布液を供給する塗布液塗布装置に関する。
開始する供給開始命令と、供給されている塗布液の供給
を停止するための供給停止命令とを含み、予め記憶され
ている一連の処理を規定する処理プログラムに基づい
て、例えば、基板を回転させつつ塗布液を供給して塗布
被膜を形成するようになっている。
により塗布液の供給を開始し、供給停止命令の実行によ
りその供給を停止するが、塗布液の供給に係る機構の一
部は、クリーンルーム内に設けられているユーティリテ
ィ(例えば、加圧空気源)を駆動源として利用している
ことが多い。このユーティリティは、他の装置などで共
有されていることもあって、その状態が時々刻々と変動
するのが一般的である。したがって、供給開始命令が実
行された時点からある遅れ時間(以下、開始遅れ時間と
称する)が経過して実際に塗布液の供給が開始され、供
給停止命令が実行された時点からある遅れ時間(以下、
停止遅れ時間と称する)が経過して実際に塗布液の供給
が停止され、さらにこれらの遅れ時間が変動することに
なる。その結果、基板を順次に処理してゆく際に、各基
板に対する処理が変動して均一に処理することができ
ず、高品質の塗布被膜を得ることができないという問題
点がある。
に、例えば、特開昭62−193252号公報に示すよ
うな塗布装置が提案されている。この装置は、レーザー
発信器から光ファイバーを介して接続された投光部と、
受光部を対向させて塗布液供給ノズルの先端部に備えて
いる。そして、実際に塗布液が基板に供給されたこと及
び実際に塗布液の供給が遮断されたことをレーザー光の
受光強度に基づいて検出し、基板の回転時間や回転速度
の調整を行うようにしている。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、投光部と受光部とが塗布液供給ノズル
の先端部に対向して配設されている関係上、先端部から
吐出して基板面で飛散した一部の塗布液の飛沫などが投
光部あるいは受光部に付着することがある。これにより
誤動作が生じるので、処理を正確には調整することがで
きず、塗布処理を安定して行うことができないという問
題点がある。
たものであって、塗布液の供給状態を安定して正確に検
出することによって、処理を正確に調整して各基板を均
一に処理することができる塗布液塗布装置を提供するこ
とを目的とする。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の塗布液塗布装置は、基板に対して
塗布液を供給して処理を施す塗布液塗布装置において、
基板を回転自在に支持する回転支持手段と、前記基板に
塗布液を供給する塗布液供給手段と、基板の上方から基
板表面にレーザー光線を放射する投光部と、反射光を基
板の上方で受光する受光部とを含み、前記塗布液供給手
段からの塗布液の供給状態に応じた電気信号を出力する
状態信号出力手段と、前記状態信号出力手段からの電気
信号に含まれるノイズを除去して整形信号として出力す
るノイズ除去手段と、前記整形信号を、前記塗布液供給
手段から塗布液が供給され始めた時点を示す開始パルス
と、供給が停止された時点を示す停止パルスを含むタイ
ミング信号に整形するパルス化手段と、供給開始命令お
よび供給停止命令を含む複数個の命令からなり、予め記
憶されている一連の処理を規定する処理プログラムに基
づいて、前記供給開始命令を実行することにより前記塗
布液供給手段から基板に塗布液の供給を開始し、前記供
給停止命令を実行することにより前記塗布液供給手段か
らの塗布液の供給を停止するとともに、前記タイミング
信号に基づいて前記処理プログラムの命令の実行タイミ
ングを調整する制御手段と、を備えていることを特徴と
するものである。
は、請求項1に記載の塗布液塗布装置において、前記制
御手段は、前記供給開始命令の実行タイミングと前記タ
イミング信号の開始パルスとに基づく開始遅れ時間と、
前記供給停止命令の実行タイミングと前記タイミング信
号の停止パルスとに基づく停止遅れ時間とを予め求め、
前記開始遅れ時間だけ前記供給開始命令の実行を早める
とともに、前記停止遅れ時間だけ前記供給停止命令の実
行を早めるようにしたことを特徴とするものである。
は、請求項1に記載の塗布液塗布装置において、前記制
御手段は、前記開始パルスに基づいて、前記供給開始命
令以後の命令の実行を開始するようにしたことを特徴と
するものである。
は、請求項1に記載の塗布液塗布装置において、前記制
御手段は、前記停止パルスに基づいて、前記供給停止命
令以後の命令の実行を開始するようにしたことを特徴と
するものである。
る。供給開始命令を実行することによって、回転支持手
段に支持されている基板に対して塗布液供給手段から塗
布液の供給が開始され、供給停止命令を実行することに
よって、その供給が停止される。命令が実行されてから
実際に塗布液の供給が開始されたこと、実際に塗布液の
供給が停止されたことは、塗布液の供給状態に応じた状
態信号出力手段からの電気信号に反映されている。この
状態信号出力手段は、基板の上方からレーザー光線を照
射し、基板表面からの反射光を受光しているので、塗布
液の飛沫に起因する誤動作を防止することができる一
方、基板の回転に伴う振動に起因して反射光強度がノイ
ズを含むものとなっている。そこで、まずノイズ除去手
段によりそのようなノイズを除去して整形信号とし、こ
れをパルス化手段によって開始パルスと停止パルスとを
含むタイミング信号に整形する。供給開始命令と開始パ
ルスの遅延および供給停止命令と停止パルスの遅延に基
づいて、命令の実行タイミングを調整することにより処
理を正確に調整することができる。
始遅れ時間と停止遅れ時間とを予め求めておき、開始遅
れ時間だけ供給開始命令の実行を早めるとともに、停止
遅れ時間だけ供給停止命令の実行を早めることにより、
遅れ時間を吸収することができて、処理を正確に調整す
ることができる。
際に塗布液が供給された時点を示す開始パルスに基づい
て、供給開始命令以後の命令の実行を開始することによ
って、供給開始命令以後の命令の実行タイミングを実際
に塗布液が供給された時点に依存させることができる。
際に塗布液の供給が遮断された時点を示す停止パルスに
基づいて、供給停止命令以後の命令の実行を開始するこ
とによって、供給停止命令以後の命令の実行タイミング
を実際に塗布液の供給が遮断された時点に依存させるこ
とができる。
実施例を説明する。図1は、本発明に係る塗布液塗布装
置の一例である回転式基板塗布装置(スピンコータとも
呼ばれる)の概略構成を示すブロック図である。
あり、基板Wをほぼ水平姿勢で吸着保持するものであ
る。この吸引式スピンチャック1は、回転軸2を介して
電動モータ3によって回転駆動されるようになってお
り、この回転により基板Wが回転中心P周りに回転駆動
される。なお、吸引式スピンチャック1と、回転軸2
と、電動モータ3は、本発明における回転支持手段に相
当する。また、上記のような吸引式スピンチャック1に
代えて、基板Wの下面周辺部および端縁を当接支持する
方式のスピンチャックを採用してもよい。
液の一例であるフォトレジスト液や基板Wの裏面を洗浄
する洗浄液などの飛散を防止するための飛散防止カップ
4aが配設されている。また、この飛散防止カップ4a
の上部開口には、ダウンフローを取り込むための複数個
の開口を上部に形成された上部蓋部材4bが、この装置
のフレームに固定されて位置固定の状態で配設されてい
る。また、図示しない搬送機構が未処理の基板Wを吸引
式スピンチャック1に載置、または、吸引式スピンチャ
ック1から処理済みの基板Wを受け取る際には、図示し
ない昇降機構が飛散防止カップ4aのみを下降させるこ
とによって、飛散防止カップ4aと上部蓋部材4bとを
分離し、吸引式スピンチャック1を飛散防止カップ4a
の上部開口から上方に突出させる。なお、飛散防止カッ
プ4aを位置固定とし、図示しない昇降機構により、上
部蓋部材4bと回転軸2とを飛散防止カップ4aに対し
て上昇させるような構成としてもよい。
対してフォトレジスト液を供給するための塗布液供給ノ
ズル5が配備されている。この塗布液供給ノズル5は、
その吐出孔5aが飛散防止カップ4aの側方にあたる待
機位置(図1中の点線)と、基板W面に近接した回転中
心Pの真上にあたる供給位置(図1中の実線)とにわた
って図示しないノズル移動機構により移動されるように
構成されている。なお、塗布液供給ノズル5は、本発明
の塗布液供給手段に相当するものである。
ば、4mm程度だけ基板Wの表面から上方に位置するよ
うになっている。この距離は、フォトレジスト液の粘度
や基板Wのサイズ、その表面状態により基板Wの表面に
滴下されたフォトレジスト液がその表面全体にわたって
拡げられる際にムラが発生しないように設定されている
ことが好ましい。
は、基板Wの裏面に回り込んだフォトレジスト液や付着
したミストを洗浄除去するために洗浄液を吐出するバッ
クリンスノズル11が配設されている。なお、後述する
塗布処理を示すタイムチャートでは省略しているが、フ
ォトレジスト液やミストが基板Wの裏面に付着すること
を未然に防止したり、基板Wの裏面に回り込んで付着し
たフォトレジスト液やそのミストを洗浄除去するため
に、このバックリンスノズル11から洗浄液を基板Wの
裏面に向けて供給することが好ましい。
2が接続されている。この塗布液供給機構12は、図示
省略しているが、供給管、フィルタ、サックバックバル
ブ、ベローズポンプ、逆止弁を介してフォトレジスト液
を貯留している塗布液タンクに連通接続されている。塗
布液供給機構12は、クリーンルーム内に導入されてい
るユーティリティの1つである加圧空気源により加圧空
気を送り込まれることにより動作され、排出されること
によって非動作とされる。なお、この動作/非動作は、
本発明の制御手段に相当する制御部20によって制御さ
れるようになっているが、図示しない速度制御弁の調整
度合いや加圧空気源の圧力により、電気信号を入力され
てからフォトレジスト液の引き戻し動作や解除動作とな
るまでの動作速度が変動する。
供給ノズル5の移動制御や、塗布液供給機構12からの
フォトレジスト液の供給などは、制御部20によって統
括制御されている。制御部20は、処理を規定するため
に予め作成された処理プログラム(レシピーとも呼ばれ
る)に基づいて各部の動作を制御するようになってい
る。なお、処理プログラムは、予め入力されて図示しな
いメモリに格納されている。
側に、レーザー発振器23で発生され、光ファイバー2
5を介して導かれた赤外線レーザー光を所定の位置に照
射する投光部27が取り付けられ、その右側に、照射位
置で反射した赤外線レーザー光の反射光を検出する受光
部29が取り付けられている。受光部29で検出された
反射光は、光ファイバー31を通してレーザー受信器3
3に伝達されて電気信号に変換されるようになってい
る。
その赤外線レーザー光ILの照射位置が基板W表面の回
転中心Pに設定されており、塗布液供給ノズル5の吐出
孔5aから吐出されたフォトレジスト液Rが、基板W表
面との間隙を経てその表面に到達した時点や到達し終わ
った時点を検出可能に設定されている。
光強度は、例えば、次のようになる。供給開始命令の実
行後、吐出孔5aから吐出されたフォトレジスト液が照
射位置に到達する以前は、赤外線レーザー光が減衰する
ことなくそのまま受光部29に入光して、ある一定の光
強度を示す一方、フォトレジスト液が照射位置に達する
と、赤外線レーザー光がほとんど吸収あるいは散乱さ
れ、光強度がほとんど『0』レベルにまで低下する。ま
た、その後、供給停止命令の実行後、吐出孔5aからフ
ォトレジスト液が完全に落下し終わると、赤外線レーザ
ー光の光路中に存在するフォトレジスト液の量が極めて
少なくなるので、赤外線レーザー光の光強度は、再びあ
る一定レベルにまで回復する。
ファイバー25と、投光部27と、受光部29と、光フ
ァイバー31と、レーザー受信器33とは、本発明にお
ける状態信号出力手段に相当する。
通してレーザー受信器33に伝達された反射光強度は、
基板Wの照射位置におけるフォトレジスト液の供給状態
を反映した電気信号にここで変換されるが、基板Wが回
転駆動されている関係上、反射面が微妙に上下動するた
め、図3(a)に示すように電気信号Saにはある程度
のノイズが含まれている。そこで、その電気信号Saを
積分回路35に入力し、図3(b)に示すようにノイズ
成分を除去して、電気信号Saを整形信号Sbとする。
次に、整形信号Sbを微分回路37に入力し、図3
(c)に示すように、供給されたフォトレジスト液が基
板面に到達した時点を立ち上がりエッジで示す開始パル
スPsと、フォトレジスト液の供給が停止されて、吐出
孔5aからのフォトレジスト液が全て基板面に落下し終
わった時点を立ち上がりエッジで示す停止パルスPeと
を含むタイミング信号Scに変換する。
ト液の供給を開始する供給開始命令の実行時点であり、
制御部20が処理プログラムに規定されている供給開始
命令を実行して、塗布液供給機構12を作動させ始める
時点を示す。したがって、供給開始命令の実行時点TS
から即座にフォトレジスト液が基板W面に達するわけで
はなく、塗布液供給機構12の駆動源である加圧空気源
の圧力状態に応じて変動する開始遅れ時間TDSを経過し
た時点にて初めてフォトレジスト液が基板W面に達す
る。当然のことながら、供給停止命令の実行時点
(TE )から吐出孔5aのフォトレジスト液が完全に基
板Wに落下し終わるまでにも停止遅れ時間(TDE)が存
在するが、この停止遅れ時間(TDE)は、塗布液供給機
構12の構造的な要因により開始遅れ時間TDSに比較す
ると極めて短いので、その遅れ時間を無視しても何らの
問題も起きない場合もある。
イズ除去手段に相当し、微分回路37が本発明のパルス
化手段に相当するものである。
のタイミング信号Scに基づいて、処理プログラムに含
まれている各命令の実行タイミングを調整するようにな
っている。したがって、上述した開始遅れ時間TDSや停
止遅れ時間TDEを吸収することができ、上記の開始遅れ
時間TDSや停止遅れ時間TDEに起因する処理不均一の問
題を回避して各基板に対して均一な処理を施すことがで
きるようになっている。しかも、タイミング信号Sc
は、基板Wの斜め上方に配設された投光部27より照射
された赤外線レーザー光を、同様に基板Wの斜め上方に
配設された受光部29により検出し、これにより得られ
る反射光強度に基づくものであるので、例えば、基板W
に吐出されたフォトレジスト液の飛沫が付着するような
事態を回避することができる。したがって、フォトレジ
スト液の供給状態を安定して正確に検出することがで
き、これに基づいて上述した実行タイミングの調整を正
確に実施することができる。その結果、正確にかつ安定
して各基板を均一に処理することができる。
5から吐出されて基板Wの回転中心Pに到達した時点を
検出するために、図2に示すように赤外線レーザー光I
Lの照射位置を回転中心Pとした。しかし、図2中に符
号(IL)で示すように、吐出孔5aの直下を通過し
て、回転中心Pからずれた位置に赤外線レーザー光(I
L)の照射位置を設定してもよい。この場合には、塗布
液供給ノズル5から吐出された時点のフォトレジスト液
Rを検出することになる。なお、以下の説明において
は、このようなフォトレジスト液の『到達』検出も『吐
出』検出も区別せず、単に『供給』検出として取り扱う
ことにする。
Scに基づいて行う実行タイミングの調整方法について
3つの例を挙げて説明する。
当) 図4のタイムチャートを参照する。このタイムチャート
は、第1の回転数R1で基板を低速回転させつつ、TS
時点で供給開始命令を実行する。この命令の実行によっ
てフォトレジスト液が塗布液供給機構12から送り出さ
れ、塗布液供給ノズル5から基板に向けて供給されよう
とするが、上述した理由により遅れが生じる。また、供
給開始命令を実行したTS 時点において、制御部20は
開始パルスPsを検出するまでは、他の命令の実行を規
制された状態となる。つまり、実際にフォトレジスト液
の供給(到達または吐出)が検出されるまでは、それ以
後の命令の実行が規制される。
おいて開始パルスPsを検出したとすると、命令実行の
規制が解除されるとともにタイマースタート命令が実行
される。このタイマースタート命令は、予め処理プログ
ラムに規定されているフォトレジスト液の供給時間TSU
を計時する命令である。したがって、開始パルスPsが
検出された時点t2 から供給時間TSUが経過した時点T
E において、供給停止命令が実行される。この場合、開
始遅れ時間TDS1 に相当する停止遅れ時間TDEが存在す
るが、上述したように塗布液供給機構12の構造上、停
止遅れ時間TDEを考慮しなくても何ら問題は生じない。
実行によって、回転数が高速の第2の回転数R2に上昇
される。この回転をt6 時点まで継続することにより基
板の表面に供給されたフォトレジスト液の余剰分を振り
切るとともに、溶媒を揮発させて一定膜厚のフォトレジ
スト被膜を形成するようになっている。
説明するが、この場合、開始遅れ時間TDSが上述した開
始遅れ時間TDS1 よりも長い開始遅れ時間(TDS2 )に
なったものとして説明する。なお、先の処理時とタイミ
ングが異なる命令などは、点線矢印および括弧書きで表
すことにする。
で行われて先の基板処理時と変わらないが、フォトレジ
スト液の供給が実際に検出されたことを示す開始パルス
Psの検出時点がt2 時点から(t3 )時点へと遅れ
る。したがって、タイマースタート命令の実行時点もそ
れに伴って遅れ、先の処理時と同じ供給時間TSUの経過
時点(TE )において供給停止命令が実行されることに
なる。その結果、回転上昇命令の実行時点もt4 時点か
ら(t5 )時点に遅れ、回転停止命令の実行時点もt6
時点からt7 時点に遅れる。そのため、開始遅れ時間T
DSが変動したとしても各処理における供給時間TSUを一
定に維持することができ、開始遅れ時間T DSの変動分を
吸収することができるので、各基板に対する処理を均一
に施すことができる。
当) 図5および図6のタイムチャートを参照する。この第2
の調整方法は、上述した第1の調整方法とは異なり、基
板の処理(以下、『本処理』と称する)に先立って図5
のタイムチャートに示すような『前処理』を行うように
なっている。
表面状態がほぼ同じダミー基板を吸引式スピンチャック
1にセットする。回転開始命令を実行して基板の回転数
が本処理と同じ第1の回転数R1に達した後、TS 時点
で供給開始命令を実行する。そして、実際にフォトレジ
スト液が供給されたことを示す開始パルスPsが検出さ
れた時点と、供給開始命令が実行された時点TS との差
分を、開始遅れ時間TDSとして計測し、同様に停止パル
スPeが検出された時点と、供給停止命令が実行された
時点TE との差分を停止遅れ時間TDEとして計測し、こ
れらを遅れ時間記憶部39(図1中に点線で示す)に格
納する。
ットし、図6のタイムチャートに示すような本処理を行
う。なお、このタイムチャート中における実供給開始命
令と実供給停止命令のように「実」が不可されている命
令は、回転開始命令や供給開始命令などとは異なり、実
際には処理プログラム中には記載されていない命令であ
る。
って処理プログラムが指定された時点で各命令の実行タ
イミングを知ることができるが、その中の供給開始命令
と供給停止命令の実行タイミングを予め調整する。
いる供給開始命令の実行時点はtSであるが、先に測定
した開始遅れ時間TDSだけその実行タイミングを早めて
TS時点で実行する。さらに、供給停止命令の実行時点
はtE であるが、先に測定した停止遅れ時間TDEだけそ
の実行タイミングを早めてTE 時点で実行する。すると
tS 時点で実行されるように規定されていた供給開始命
令と、tE 時点で実行されるように規定されていた供給
停止命令とは、実際には実行されることはないが、それ
らの命令が実行されるはずであった時点において開始パ
ルスPsと停止パルスPeとが検出されることになる。
つまり、供給開始命令の実行時点TS から予め測定した
開始遅れ時間TDSが経過した時点tS で実際にフォトレ
ジスト液が基板に供給され、供給停止命令の実行時点T
E から停止遅れ時間TDEが経過した時点tE で基板に対
して供給されていたフォトレジスト液が実際に遮断され
る。
DEに基づいて、各命令の実行タイミングを早めることに
より、処理プログラムで規定された供給開始命令の実行
時点tS においてフォトレジスト液が実際に供給され、
供給停止命令の実行時点tEにおいてフォトレジスト液
が実際に遮断されることになる。したがって、意図した
とおりに処理プログラムを実行することができ、しかも
予め測定した遅れ時間TDS,TDEに基づいて実行タイミ
ングを補正しているので、処理を正確に調整して各基板
を均一に処理することができる。
当) 図7のタイムチャートを参照する。なお、この場合に
は、上述した塗布液供給機構12が一定量のフォトレジ
スト液を供給したことを検出可能に構成されており、供
給開始命令の実行時点から一定量のフォトレジスト液を
供給した時点で制御部20に対して供給停止命令を実行
するように信号を出力するようになっている。
で基板を低速回転させつつ、TS 時点で供給開始命令を
実行する。この命令の実行によってフォトレジスト液が
塗布液供給ノズル5から基板に向けて供給され始める。
そして、一定量のフォトレジスト液を供給し終えた時点
TE で供給停止命令を実行するが、停止パルスPeを検
出するまでは他の命令の実行が規制された状態となる。
つまり、供給停止命令の実行後、実際にフォトレジスト
液の遮断(非到達/非吐出)が検出されるまでは、それ
以後の命令の実行が規制される。供給停止命令の実行時
点TE から停止遅れ時間TDEが経過したt2 時点におい
て停止パルスPeが検出されたとすると、供給開始命令
の実行時点TS から供給時間TSUを経過したこの時点t
2 でタイマによる計時を開始し、予め設定されている待
機時間TW を計時することになるt4 時点において回転
上昇命令を実行し、t8 時点において回転停止命令を実
行する。
るフィルタ(図示省略)が目詰まりを起こした等の理由
によって供給系に圧損が生じ、一定量のフォトレジスト
液を供給するために要する時間が、先の処理時の供給時
間TSUより長い供給時間(T SU1 )になったものとす
る。この場合には、供給開始命令の実行時点TS は不変
であるが、一定量のフォトレジスト液を供給するのに要
する時間が長くなって供給停止命令の実行時点がTE か
ら(TE )に遅れる。そして、供給開始命令の実行時点
TS から長い供給時間(TSU1 )を経た(t3 )時点で
停止パルスPeを検出することになり、この時点からタ
イマによる待機時間(TW )の計時が開始される。
理時と同じ待機時間(TW )を経過した(t6 )時点で
回転上昇命令が実行されることになり、供給されるフォ
トレジスト液の量を一定化することができるとともに、
停止パルスPe検出後の各命令の実行タイミングを同一
にすることができる。これにより基板に供給された一定
量のフォトレジスト液を第1の回転数R1でその表面全
体にわたって塗り拡げる処理を先の処理時と同じ時間
(待機時間TW )だけ施すことができ、第2の回転数R
2による処理も同じだけ施すことができる。
量のフォトレジスト液を供給するのに要する時間が変動
したとしても、処理プログラムにより意図した処理を施
すことができ、長期間にわたって安定して均一に処理を
施すことができる。なお、上述した説明では、停止遅れ
時間TDEを一定としたが、変動する場合もある。このよ
うな場合であっても、フォトレジスト液の供給遮断を示
す停止パルスPeに基づいて次の命令(タイマスター
ト)を実行することにより、その変動分をも自ずと吸収
することができ、処理プログラムによる処理を正確に施
すことができて各基板を均一に処理することができる。
させつつフォトレジスト液を供給する供給方法を例に採
って説明したが、本発明はこのような供給方法に限定さ
れるものではない。例えば、基板を静止させた状態でフ
ォトレジスト液の供給を行う供給方法を採ってもよい
し、基板を静止させた状態で供給開始し、基板を回転さ
せ始めた後に供給を停止する供給方法を採ってよい。
1に記載の発明によれば、基板の上方からレーザー光線
を照射し、基板表面からの反射光を受光しているので、
塗布液の飛沫に起因する誤動作を防止できる。したがっ
て、供給開始命令と開始パルスの遅延および供給停止命
令と停止パルスの遅延を正確に検出することができ、こ
れらに基づいて命令の実行タイミングを調整することに
より処理を正確に調整することができる。その結果、各
基板ごとに処理がばらつくようなことが防止でき、各基
板に均一に処理を施すことができる。
始遅れ時間だけ供給開始命令の実行を早めるとともに、
停止遅れ時間だけ供給停止命令の実行を早めることによ
り、処理を正確に調整することができて、各基板に対し
て均一に処理を施すことができる。
給開始命令以後の命令の実行タイミングを実際に塗布液
が供給された時点に依存させることができ、ユーティリ
ティの変動による影響を受けることなく塗布液の供給時
間を一定化することができる。また、基板の処理に先立
って予め遅れ時間などを計測する手間もなく、容易にか
つ正確に処理を調整することができて、各基板に対して
均一に処理を施すことができる。
停止命令以後の命令の実行タイミングを、実際に塗布液
の供給が遮断された時点に依存させることができ、ユー
ティリティの変動による影響を受けることなく供給停止
命令から次の命令までの実行間隔を一定化することがで
きる。したがって、供給停止命令の次に行われる塗布液
供給後の高速回転による振り切り乾燥などの処理に同じ
タイミングで切り換えることができる。その結果、各基
板に対して均一な処理を施すことが可能となる。
示すブロック図である。
である。
過程を示すグラフである。
ャートである。
ャートである。
ートである。
ャートである。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板に対して塗布液を供給して処理を施
す塗布液塗布装置において、 基板を回転自在に支持する回転支持手段と、 前記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、 基板の上方から基板表面にレーザー光線を放射する投光
部と、反射光を基板の上方で受光する受光部とを含み、
前記塗布液供給手段からの塗布液の供給状態に応じた電
気信号を出力する状態信号出力手段と、 前記状態信号出力手段からの電気信号に含まれるノイズ
を除去して整形信号として出力するノイズ除去手段と、 前記整形信号を、前記塗布液供給手段から塗布液が供給
され始めた時点を示す開始パルスと、供給が停止された
時点を示す停止パルスを含むタイミング信号に整形する
パルス化手段と、 供給開始命令および供給停止命令を含む複数個の命令か
らなり、予め記憶されている一連の処理を規定する処理
プログラムに基づいて、前記供給開始命令を実行するこ
とにより前記塗布液供給手段から基板に塗布液の供給を
開始し、前記供給停止命令を実行することにより前記塗
布液供給手段からの塗布液の供給を停止するとともに、
前記タイミング信号に基づいて前記処理プログラムの命
令の実行タイミングを調整する制御手段と、 を備えていることを特徴とする塗布液塗布装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の塗布液塗布装置におい
て、前記制御手段は、前記供給開始命令の実行タイミン
グと前記タイミング信号の開始パルスとに基づく開始遅
れ時間と、前記供給停止命令の実行タイミングと前記タ
イミング信号の停止パルスとに基づく停止遅れ時間とを
予め求め、前記開始遅れ時間だけ前記供給開始命令の実
行を早めるとともに、前記停止遅れ時間だけ前記供給停
止命令の実行を早めるようにしたことを特徴とする塗布
液塗布装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の塗布液塗布装置におい
て、前記制御手段は、前記開始パルスに基づいて、前記
供給開始命令以後の命令の実行を開始するようにしたこ
とを特徴とする塗布液塗布装置。 - 【請求項4】 請求項1に記載の塗布液塗布装置におい
て、前記制御手段は、前記停止パルスに基づいて、前記
供給停止命令以後の命令の実行を開始するようにしたこ
とを特徴とする塗布液塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16272697A JP3578594B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 塗布液塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16272697A JP3578594B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 塗布液塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110054A true JPH1110054A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3578594B2 JP3578594B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=15760115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16272697A Expired - Fee Related JP3578594B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 塗布液塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3578594B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258658A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 塗布液の吐出検知方法及びその装置並びに塗布液の吐出検知用プログラム |
| WO2009044524A1 (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Musashi Engineering, Inc. | 液体材料の塗布装置、塗布方法およびプログラム |
| WO2012086242A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 三菱電機株式会社 | 微結晶半導体薄膜製造方法 |
-
1997
- 1997-06-19 JP JP16272697A patent/JP3578594B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
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| WO2009044524A1 (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Musashi Engineering, Inc. | 液体材料の塗布装置、塗布方法およびプログラム |
| JP2009082859A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Musashi Eng Co Ltd | 液体材料の塗布装置、塗布方法およびプログラム |
| TWI473662B (zh) * | 2007-10-01 | 2015-02-21 | 武藏工業股份有限公司 | Liquid material coating device, coating method and memory of the program memory media |
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| CN103250233A (zh) * | 2010-12-24 | 2013-08-14 | 三菱电机株式会社 | 微晶半导体薄膜制造方法 |
| JP5502210B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-05-28 | 三菱電機株式会社 | 微結晶半導体薄膜製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3578594B2 (ja) | 2004-10-20 |
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