JPH11102952A - 半導体製造方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】外部とロードロック室との間の基板ホルダの搬
送の自動化を図り、スループット及び製品の品質の向上
を図る。 【解決手段】基板ホルダ１８が装填されたカセットと被
処理基板７が装填されたカセットが個別に搬入、搬出さ
れ、前記カセットから前記基板ホルダ、前記被処理基板
を個別にロードロック室に搬送し、該ロードロック室内
で前記基板ホルダに前記被処理基板を乗載し、或は両者
を分離し、前記ロードロック室と反応室間では前記被処
理基板を保持した前記基板ホルダを搬送し、半導体製造
装置へ手作業で行う非処理基板ホルダの搬入、実装、搬
出を省略する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に熱処
理、或は成膜処理をして半導体を製造する半導体製造方
法及びその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置はウェーハ或はガラス基
板等被処理基板に種々の薄膜を生成し、或はエッチング
等各種処理を行い、被処理基板表面に多数の半導体素子
を形成する反応室を具備している。

【０００３】外部と半導体製造装置との間の被処理基板
の搬送は基板カセットに装填した状態で行われ、前記反
応室内部への被処理基板の搬入、搬出は基板移載機の搬
送プレート上に前記被処理基板を１枚ずつ載置し行われ
る。然し、処理直後の被処理基板は高温となっており、
常温の前記搬送プレートが高温の被処理基板に接すると
前記搬送プレートと被処理基板との温度差により被処理
基板が前記搬送プレートにより局部的に冷却され、熱応
力が発生し、被処理基板にスリップが発生する。スリッ
プは製品品質の低下の要因となる。

【０００４】従って、被処理基板を基板ホルダに保持
し、前記搬送プレート上に該基板ホルダを介して被処理
基板を載置し、前記反応室への搬入、搬出及び該反応室
内での処理を一貫して行い、搬入、搬出時に基板移載機
の前記搬送プレートが直接被処理基板に接触しない様に
している。

【０００５】先ず、図６、図７に於いてウェーハカセッ
ト１を説明する。

【０００６】該ウェーハカセット１は箱状のウェーハ収
納ケース本体２と、該収納ケース本体２の正面３に水平
に固着された取手部４と、前記収納ケース本体２の下面
に形成された脚部５とで構成されている。

【０００７】前記ウェーハ収納ケース本体２は上面に開
口部６を有し、前記ウェーハ収納ケース本体２の両側内
壁には被処理基板であるウェーハ７が装入される溝が形
成されている。前記正面３に平行な方向の前記開口部６
の幅はウェーハ７の外径より僅かに大きく、前記開口部
６を通して前記ウェーハ７が前記溝に沿って装入、取出
し可能となっている。又、下面にも開口部８を有し前記
正面３に平行な方向の前記開口部８の幅は前記ウェーハ
７の外径より小さくなっている。

【０００８】次に、図８〜図１１に於いて従来の半導体
製造装置の内、被処理基板を１枚又は複数枚ずつ処理す
る枚葉式半導体製造装置について説明する。

【０００９】搬送室９の一方の側面には内部にウェーハ
台（図示せず）を有する２つの反応室１０，１０がそれ
ぞれ図示しない第１ゲートバルブを介して上下２段に気
密に連設され、前記一方の側面に対向する前記搬送室９
の他方の側面には２つのロードロック室１１，１１がそ
れぞれ図示しない第２ゲートバルブを介して上下２段に
気密に連設されている。

【００１０】前記搬送室９の内部には第１基板移載機１
２が設けられ、該第１基板移載機１２は昇降可能且回転
可能な第１進退機構部１３を有し、該第１進退機構部１
３は水平方向に進退可能な第１チャッキングヘッド１４
を有し、該第１チャッキングヘッド１４は水平方向に延
出する第１搬送プレート１５を具備している。

【００１１】該第１搬送プレート１５は２股の先端部１
６，１６と基端部１７により２股フォーク状に形成さ
れ、前記反応室１０内の前記ウェーハ台と後述するウェ
ーハ棚２２と干渉しない形状となっている。前記先端部
１６は前記ウェーハ７を保持したウェーハホルダ１８を
受載し、前記基端部１７は前記第１チャッキングヘッド
１４に把持される様になっている。

【００１２】前記ウェーハホルダ１８は内径が前記ウェ
ーハ７の外径より大きい円環部１９と、該円環部１９の
内周面より中心側に突出する爪部２０と、前記円環部１
９の外周面に反中心方向に突設した２対の搬送用腕部２
１で構成されている。

【００１３】前記爪部２０は前記円環部１９の内周を等
分（図示では３等分）する位置に中心方向に突設され、
前記ウェーハ７の外周部分を支持可能となっている。前
記搬送用腕部２１は前記第１搬送プレート１５に対して
直交する方向に左右各一対突設され、前記先端部１６に
受載可能となっている。

【００１４】前記ロードロック室１１の内部には鉛直方
向に所要段数、例えば前記ウェーハカセット１のウェー
ハ収納枚数に相当する枚数のウェーハを収納可能なウェ
ーハ棚２２が形成されており、該各ウェーハ棚２２は前
記ロードロック室１１両側壁内面に固着された棚板２
３，２３により構成されている。該棚板２３は平面がＬ
字状の帯板であり、該棚板２３の前記ウェーハホルダ１
８の受載部２４は前記側壁と平行であり、対峙する前記
受載部２４，２４の間隔は後述する第２搬送プレート３
１の載置部３３の幅より大きい。前記各受載部２４の上
面には突起部２５がそれぞれ２個ずつ突設され、該突起
部２５は前記ウェーハ７の裏面に当接可能であり、前記
突起部２５の高さは前記円環部１９の厚さと後述する第
２搬送プレート３１の厚さを加えた厚さより高くなって
いる。

【００１５】前記ロードロック室１１の反搬送室９側側
面には図示しない第３ゲートバルブが設けられ、該第３
ゲートバルブの前方には第２基板移載機２６が設けられ
ている。

【００１６】該第２基板移載機２６は昇降可能、回転可
能且前記ロードロック室１１に対して進退可能な第２進
退機構部２７を有し、該第２進退機構部２７はカセット
受載部２８を有すると共に該カセット受載部２８に対し
て相対的に進退可能な第２チャッキングヘッド２９を有
する。前記カセット受載部２８には該カセット受載部２
８の上面と同一平面を形成する様、カセット受載プレー
ト３０が水平に設けられ、前記カセット受載部２８の上
面と前記カセット受載プレート３０の上面により前記ウ
ェーハカセット１の載置面が形成される。前記第２チャ
ッキングヘッド２９には水平方向に延びる第２搬送プレ
ート３１が複数段（図示では３段）設けられている。

【００１７】前記第２搬送プレート３１は図９に示され
る様に前記第２チャッキングヘッド２９に把持される把
持部３２と、前記ウェーハ７を載置する載置部３３で構
成され、前記把持部３２の幅が前記載置部３３の幅より
小さい短冊状を成している。

【００１８】該載置部３３の先端部には前記爪部２０と
の干渉を避ける矩形状の切欠部３４が形成され、先端側
外周縁部に沿って先端側凸部３５が隆起形成されてい
る。前記載置部３３の基端部には前記先端側凸部３５と
同一平面を成す基端側凸部３６が形成され、該基端側凸
部３６と前記先端側凸部３５により中央部分に凹面３７
が形成される。該凹面３７の長手方向の長さは前記ウェ
ーハ７の外径より僅かに長く、又、前記凹面３７の四隅
には段差部３８が形成され、該段差部３８は前記凹面３
７より高く且前記先端側凸部３５及び基端側凸部３６よ
り低く、前記段差部３８により前記ウェーハ７の外周縁
部を支持可能となっている。

【００１９】前記第２基板移載機２６の近傍にはカセッ
ト棚３９が上下２段に設けられ、該カセット棚３９の下
方には外部と半導体製造装置内部との間での前記ウェー
ハカセット１の授受を行うカセットステージ４０が設け
られ、該カセットステージ４０上には反転可能にカセッ
トローダポート４１が設けられている。

【００２０】前記ウェーハ７を垂直姿勢で収納した前記
ウェーハカセット１は外部搬送装置（図示せず）により
外部から前記カセットステージ４０に搬送され、該カセ
ットステージ４０の前記カセットローダポート４１に載
置される。該カセットローダポート４１は反転し、前記
ウェーハカセット１に収納された前記ウェーハ７を水平
姿勢にする。

【００２１】前記第２基板移載機２６の前記カセット受
載部２８及び前記第２チャッキングヘッド２９を後退さ
せ、前記カセット受載プレート３０及び前記第２搬送プ
レート３１が前記第２進退機構部２７より突出しない状
態として該第２進退機構部２７を回転させると共に下降
させ、前記カセット受載部２８を前記カセットローダポ
ート４１に対峙させる。前記カセット受載部２８を前進
させ、前記カセット受載プレート３０を前記ウェーハカ
セット１の下方に挿入し、前記第２進退機構部２７を若
干上昇させ、前記ウェーハカセット１を前記カセット受
載プレート３０上に受載する。

【００２２】前記カセット受載部２８を後退させ、前記
カセット受載プレート３０が前記第２進退機構部２７よ
り突出しない状態として該第２進退機構部２７を回転さ
せると共に上昇させ、前記カセット棚３９の所要位置に
対峙させる。前記カセット受載部２８を前進させ、前記
第２進退機構部２７を若干下降させ、前記ウェーハカセ
ット１を前記カセット棚３９に移載する。

【００２３】前記カセット受載部２８及び第２チャッキ
ングヘッド２９を後退させ、前記カセット受載プレート
３０及び第２搬送プレート３１が前記第２進退機構部２
７より突出しない状態として、該第２進退機構部２７を
昇降させ、前記カセット棚３９の所要位置に対峙させ
る。前記第２チャッキングヘッド２９を前進させ、前記
第２搬送プレート３１を前記カセット棚３９に挿入し、
前記第２進退機構部２７を若干上昇させ、前記ウェーハ
７を前記第２搬送プレート３１に受載する。

【００２４】前記第２チャッキングヘッド２９を後退さ
せ、前記第２搬送プレート３１が前記第２進退機構部２
７より突出しない状態として該第２進退機構部２７を回
転させると共に昇降させ、前記ロードロック室１１の所
要段の前記受載部２４上の前記ウェーハホルダ１８の上
面より前記第２搬送プレート３１の下面が若干高くなる
様に前記第２チャッキングヘッド２９を前記ウェーハホ
ルダ１８に対峙させる。該ウェーハホルダ１８は予め作
業者の手作業により前記搬送用腕部２１が前記ウェーハ
７の搬送方向と直交する様、前記棚板２３の前記受載部
２４上に載置しておく。前記第２チャッキングヘッド２
９を前進させ、前記ゲートバルブ（図示せず）を通して
前記第２搬送プレート３１を前記ウェーハ棚２２内に挿
入し、前記第２進退機構部２７を若干下降させ、前記ウ
ェーハ７を前記棚板２３の前記突起部２５上に移載す
る。

【００２５】前記第１チャッキングヘッド１４を後退さ
せ、前記第１搬送プレート１５が前記進退機構部１３よ
り突出しない状態として該第１進退機構部１３を回転さ
せると共に昇降させ、前記ウェーハ棚２２の所要段の前
記受載部２４上の前記ウェーハホルダ１８の下面より前
記第１搬送プレート１５の上面が若干低くなる様、前記
第１チャッキングヘッド１４を前記ウェーハ棚２２に対
峙させる。前記第１チャッキングヘッド１４を前進さ
せ、前記第２ゲートバルブ（図示せず）を通して、前記
第１搬送プレート１５を前記ウェーハ棚２２内に挿入す
る。前記第１進退機構部１３を若干上昇させ、前記搬送
用腕部２１を介して前記ウェーハホルダ１８を前記第１
搬送プレート１５上に受載し、更に、前記第１進退機構
部１３を上昇させ、前記爪部２０を介して前記ウェーハ
ホルダ１８上に前記ウェーハ７を保持する。而して、該
ウェーハ７は前記ウェーハホルダ１８に保持されて前記
第１搬送プレート１５上に移載される。

【００２６】前記第１チャッキングヘッド１４を後退さ
せ、前記第１搬送プレート１５が前記第１進退機構部１
３より突出しない状態として該第１進退機構部１３を回
転させると共に昇降させ、所要の前記反応室１０の前記
第１ゲートバルブ（図示せず）に対峙させる。前記第１
チャッキングヘッド１４を前進させ、前記第１ゲートバ
ルブを通して前記ウェーハ７を保持した前記ウェーハホ
ルダ１８を前記ウェーハ台（図示せず）上に移載する。

【００２７】前記第１ゲートバルブ（図示せず）を閉塞
し、前記反応室１０内で前記ウェーハ７が前記ウェーハ
ホルダ１８に保持された状態で成膜処理等所要の処理が
行われる。処理完了後、前記第１ゲートバルブ（図示せ
ず）を開放し、処理された前記ウェーハ７は前記ウェー
ハホルダ１８に保持された状態で該ウェーハホルダ１８
と共に前記反応室１０から外部へ搬送される。

【００２８】前記反応室１０から外部への前記ウェーハ
７の搬送は前述した手順と逆の手順で行われる。

【００２９】前記ウェーハホルダ１８はウェーハ７処理
の過程で反応副生成物が付着堆積するので定期的に、或
は所定稼働時間毎に作業者の手作業により前記ウェーハ
棚２２から取出され、洗浄等保守が行われる。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のウェー
ハカセット及び半導体製造装置では、ロードロック室に
対するウェーハホルダの装填、取出しは作業者による手
作業で行っていた。従って、ウェーハホルダのメンテナ
ンスには半導体製造装置を休止させなければならず、又
多大な時間が掛り、スループットの向上を図ることが困
難であった。更に、作業者を介してメンテナンスエリア
からパーティクルが半導体製造装置内部へ浸入し、製品
の品質の向上が図れないという問題があった。

【００３１】本発明は斯かる実情に鑑み、外部とロード
ロック室との間のウェーハホルダの搬送の自動化を図
り、スループット及び製品の品質の向上を図ろうとする
ものである。

【００３２】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板ホルダが
装填されたカセットと被処理基板が装填されたカセット
が個別に搬入、搬出され、前記カセットから前記基板ホ
ルダ、前記被処理基板を個別にロードロック室に搬送
し、該ロードロック室内で前記基板ホルダに前記被処理
基板を乗載し、或は両者を分離し、前記ロードロック室
と反応室間では前記被処理基板を保持した前記基板ホル
ダを搬送する半導体製造方法に係り、又、基板ホルダに
保持された被処理基板に各種処理を行う反応室と、前記
被処理基板と前記基板ホルダを収納するロードロック室
と、該ロードロック室と前記反応室間で前記被処理基板
を保持した前記基板ホルダの搬送を行う第１基板移載機
と、前記被処理基板が装填された基板カセット及び前記
基板ホルダが装填された基板ホルダカセットを収納する
カセット棚と、該カセット棚と前記ロードロック室との
間で前記被処理基板及び前記基板ホルダの搬送を行う第
２基板移載機とを具備し、該第２基板移載機が前記被処
理基板と前記基板ホルダを受載可能な搬送プレートを有
する半導体製造装置に係り、前記被処理基板を装填した
前記基板カセットと前記基板ホルダを装填した前記基板
ホルダカセットを外部と前記カセット棚との間で搬送す
る。又、前記カセット棚と前記ロードロック室との間で
前記搬送プレート上に前記被処理基板又は前記基板ホル
ダを受載し搬送する。更に、前記ロードロック室と前記
反応室との間で前記被処理基板を前記基板ホルダ上に保
持した状態で搬送すると共に前記反応室内で前記被処理
基板に各種処理を施す。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を参照しつつ本
発明の実施の形態を説明する。

【００３４】尚、図１〜図５中、図６〜図１１と同等の
ものには同符号を付し、説明は省略する。

【００３５】先ず、図１、図２に於いてウェーハホルダ
カセット５１を説明する。

【００３６】該ウェーハホルダカセット５１は箱状のウ
ェーハ収納ケース本体５２と、該収納ケース本体５２の
正面５３に水平に固着された取手部５４と、前記収納ケ
ース本体５２の下面に形成された脚部５５とで構成され
ている。

【００３７】前記収納ケース本体５２は上面に開口部５
６を有し、前記正面５３に平行な方向の前記開口部５６
の幅はウェーハホルダ１８の円環部１９の外径より大き
く、又、下面にも開口部５７を有し、前記正面５３に平
行な方向の前記開口部５７の幅は前記円環部１９の外径
より小さくなっている。

【００３８】前記正面５３は、中央が下方に湾曲した円
弧状を成す上辺５８と、中央が上方に湾曲した半長円形
状を成す下辺５９と、垂直な直線部６０の下端に下部が
中心線６１の方向に湾曲した円弧部６２が連続した両側
辺とで形成される形状を成し、前記中心線６１に対して
左右対称形となっている。又、前記正面５３に対向する
対向面６３は前記正面５３と同一形状を成している。

【００３９】該正面５３と直角を成す他の２側面６４，
６４は平面部６５と、該平面部６５に連続し下端が内側
に湾曲する曲面部６６から成り、該曲面部６６の内面に
は前記正面５３と平行な方向に多数の溝（図示せず）が
等間隔で形成されると共に前記２側面６４，６４には前
記溝の延長上に上面から該溝と同幅のスリット６７が形
成されている。而して、前記ウェーハホルダ１８は前記
開口部５６を通して前記正面５３に平行に前記ウェーハ
ホルダカセット５１に装入、取出しされ、前記円環部１
９は前記溝に挿脱されると共に搬送用腕部２１は前記ス
リット６７に挿脱される。

【００４０】前記脚部５５は断面が縦長の帯板状を成
し、前記正面５３と直交する方向に平行に２列で形成さ
れている。

【００４１】次に、図３に於いて第２搬送プレート６８
を説明する。

【００４２】該第２搬送プレート６８は第２チャッキン
グヘッド２９に把持される把持部６９と、前記ウェーハ
７を載置する載置部７０で構成され、前記把持部６９の
幅が前記載置部７０の幅より小さい短冊状を成してい
る。

【００４３】該載置部７０の先端部には前記爪部２０と
の干渉を避ける矩形状の切欠部７１が形成され、先端側
外周縁部に沿って先端側凸部７２が隆起形成されてい
る。前記載置部７０の基端部には前記先端側凸部７２と
同一平面を成す第１段差面７３が形成され、該第１段差
面７３は前記載置部７０の基端側上面７４より一段低く
なっている。前記先端側凸部７２の外周及び前記第１段
差面７３の外周はそれぞれ前記円環部１９の外周円より
僅かに大きい円の弧の一部を成し、前記先端側凸部７２
の内周及び前記第１段差面７３の内周はそれぞれ前記円
環部１９の外周円より小さく且該円環部１９の内周円よ
り大きい円の弧の一部を成す様形成されている。

【００４４】前記載置部７０の中央部分には凹面７５が
形成され、該凹面７５の長手方向の長さは前記ウェーハ
７の外径より僅かに長く、前記凹面７５と前記先端側凸
部７２の間には第２段差面７６が形成され、前記凹面７
５と前記第１段差面７３の間には前記第２段差面７６と
同一平面を成す第３段差面７７が形成されている。前記
第２段差面７６及び第３段差面７７は前記凹面７５より
一段高く、前記第１段差面７３より一段低くなってい
る。前記凹面７５の四隅には段差部７８が隆起形成さ
れ、該段差部７８の上面は前記第２段差面７６より低く
なっている。

【００４５】以下、作動を説明する。

【００４６】前記ウェーハホルダ１８は搬送用腕部２１
がスリット６７に挿入され、中心線６１に対して左右対
称となる様垂直姿勢で前記ウェーハホルダカセット５１
に装填される。該ウェーハホルダカセット５１は外部搬
送装置（図示せず）により、外部からカセットステージ
４０に搬送され、該カセットステージ４０の前記カセッ
トローダポート４１に載置される。該カセットローダポ
ート４１は反転し、前記ウェーハホルダカセット５１に
装填された前記ウェーハホルダ１８を水平姿勢にする。

【００４７】前記第２基板移載機２６の前記第２チャッ
キングヘッド２９を後退させ、カセット受載プレート３
０及び前記第２搬送プレート６８が前記第２進退機構部
２７より突出しない状態として該第２進退機構部２７を
回転させると共に下降させ、前記カセット受載部２８を
前記カセットローダポート４１に対峙させる。前記カセ
ット受載部２８を前進させ、前記カセット受載プレート
３０を前記ウェーハホルダカセット５１の下方に挿入
し、前記第２進退機構部２７を若干上昇させ、前記ウェ
ーハホルダカセット５１を前記カセット受載プレート３
０上に受載する。

【００４８】前記カセット受載部２８を後退させ、前記
カセット受載プレート３０が前記第２進退機構部２７よ
り突出しない状態として該第２進退機構部２７を回転さ
せると共に上昇させ、前記カセット棚３９の所要位置に
対峙させる。前記カセット受載部２８を前進させ、前記
第２進退機構部２７を若干下降させ、前記ウェーハホル
ダカセット５１を前記カセット棚３９に移載する。

【００４９】前記カセット受載部２８及び第２チャッキ
ングヘッド２９を後退させ、前記カセット受載プレート
３０及び第２搬送プレート６８が前記第２進退機構部２
７より突出しない状態として、該第２進退機構部２７を
昇降させ、前記カセット棚３９の所要位置に対峙させ
る。前記第２チャッキングヘッド２９を前進させ、前記
第２搬送プレート６８を前記カセット棚３９に挿入し、
前記第２進退機構部２７を若干上昇させ、前記ウェーハ
ホルダ１８を前記第２搬送プレート６８に受載する。

【００５０】前記第２チャッキングヘッド２９を後退さ
せ、前記第２搬送プレート６８が前記第２進退機構部２
７より突出しない状態として該第２進退機構部２７を回
転させると共に昇降させ、前記ロードロック室１１の所
要段の前記受載部２４に対峙させる。前記第２チャッキ
ングヘッド２９を前進させ、前記ゲートバルブ（図示せ
ず）を通して前記第２搬送プレート６８を前記ウェーハ
棚２２内に挿入し、前記第２進退機構部２７を若干下降
させ、前記ウェーハホルダ１８を前記受載部２４上に移
載する。

【００５１】前記ウェーハ７を装填したウェーハカセッ
ト１は従来と同様の手順で外部搬送装置（図示せず）に
より外部からカセット棚（図示せず）に収納され、又、
該カセット棚から前記ロードロック室１１へ搬送され
る。

【００５２】更に、従来と同様の手順で、前記ウェーハ
７は前記ウェーハホルダ１８に保持された状態で前記ロ
ードロック室１１から反応室（図示せず）内のウェーハ
台７９に移載され、該反応室内で所定の処理が施され
る。

【００５３】処理後、処理された前記ウェーハ７は上記
した手順と逆の手順で外部に搬出される。

【００５４】前記ウェーハホルダ１８は定期的に、或は
所定稼働時間毎に洗浄等メンテナンスをする為、上記し
た手順と逆の手順で外部へ搬出される。

【００５５】尚、上記実施の形態に於いては、前記正面
５３に平行な方向の前記開口部５６の幅はウェーハホル
ダ１８の円環部１９の外径より広くなっているが、該円
環部１９の外径より狭くてもよい。又、前記第２搬送プ
レート６８の形状は短冊状となっているが、２股フォー
ク状等他の形状であってもよい。

【００５６】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、半導体
製造装置へ手作業で行う被処理基板ホルダの搬入、実
装、搬出を省略できるので、被処理基板、被処理基板ホ
ルダの搬送を一貫して機械化でき作業効率が大幅に向上
し、スループットの向上及び省力化を図ることが可能と
なる。又、作業者を介してメンテナンスエリア等外部か
らパーティクルが半導体製造装置内部へ浸入することが
なく、製品の品質の向上を図ることが可能となる等種々
の優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に於けるウェーハホルダカセット
の立面図である。

【図２】該ウェーハホルダカセットの平面図である。

【図３】本実施の形態に於ける第２搬送プレートを示す
平面図である。

【図４】該実施の形態に於ける反応室内にウェーハを保
持したウェーハホルダを移載する動作を示す平面図であ
る。

【図５】図４のＡ−Ａ矢視図である。

【図６】ウェーハカセットを示す平面図である。

【図７】該ウェーハカセットの立面図である。

【図８】従来例を示す概略説明図である。

【図９】従来例に於ける第２搬送プレートの平面図であ
る。

【図１０】ロードロック室のウェーハ棚の正面図であ
る。

【図１１】従来例に於けるウェーハ棚内でのウェーハの
移載動作を示す平面図である。

【符号の説明】

９ 搬送室 １０ 反応室 １１ ロードロック室 １２ 第１基板移載機 １５ 第１搬送プレート ２６ 第２基板移載機 ３１ 第２搬送プレート ３９ カセット棚 ４０ カセットステージ ５１ ウェーハホルダカセット ６７ スリット ６８ 第２搬送プレート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 祐治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 綿引 真一郎 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板ホルダが装填されたカセットと被処
   理基板が装填されたカセットが個別に搬入、搬出され、
   前記カセットから前記基板ホルダ、前記被処理基板を個
   別にロードロック室に搬送し、該ロードロック室内で前
   記基板ホルダに前記被処理基板を乗載し、或は両者を分
   離し、前記ロードロック室と反応室間では前記被処理基
   板を保持した前記基板ホルダを搬送することを特徴とす
   る半導体製造方法。
2. 【請求項２】 基板ホルダに保持された被処理基板に各
   種処理を行う反応室と、前記被処理基板と前記基板ホル
   ダを収納するロードロック室と、該ロードロック室と前
   記反応室間で前記被処理基板を保持した前記基板ホルダ
   の搬送を行う第１基板移載機と、前記被処理基板が装填
   された基板カセット及び前記基板ホルダが装填された基
   板ホルダカセットを収納するカセット棚と、該カセット
   棚と前記ロードロック室との間で前記被処理基板及び前
   記基板ホルダの搬送を行う第２基板移載機とを具備し、
   該第２基板移載機が前記被処理基板と前記基板ホルダを
   受載可能な搬送プレートを有することを特徴とする半導
   体製造装置。