JPH1110521A - ウェーハ研磨装置 - Google Patents
ウェーハ研磨装置Info
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- JPH1110521A JPH1110521A JP15964897A JP15964897A JPH1110521A JP H1110521 A JPH1110521 A JP H1110521A JP 15964897 A JP15964897 A JP 15964897A JP 15964897 A JP15964897 A JP 15964897A JP H1110521 A JPH1110521 A JP H1110521A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨パッドを平坦に保って目立てを行ない、
ウェーハを高精度で均一に研磨することが可能なウェー
ハ研磨装置を提供する。 【解決手段】 研磨パッド１を上面に設けた回転可能な
研磨定盤２と、研磨すべきウェーハ３を保持した回転可
能な研磨ヘッド４と、研磨スラリー５を前記研磨パッド
に供給するための供給装置６と、前記研磨パッド１の目
立てを行なうための回転可能なドレッサー１７を備えた
ウェーハ研磨装置において、前記ドレッサー１７の前記
研磨パッド１との接触部が直線上にあるようにした。
ウェーハを高精度で均一に研磨することが可能なウェー
ハ研磨装置を提供する。 【解決手段】 研磨パッド１を上面に設けた回転可能な
研磨定盤２と、研磨すべきウェーハ３を保持した回転可
能な研磨ヘッド４と、研磨スラリー５を前記研磨パッド
に供給するための供給装置６と、前記研磨パッド１の目
立てを行なうための回転可能なドレッサー１７を備えた
ウェーハ研磨装置において、前記ドレッサー１７の前記
研磨パッド１との接触部が直線上にあるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造プロセス
で使用するウェーハ研磨装置に関する。より詳細には、
ウェーハ研磨用の研磨パッドを目立てするための改良さ
れたドレッサーを備え、ウェーハを均一に研磨すること
が可能なウェーハ研磨装置に関するものである。
で使用するウェーハ研磨装置に関する。より詳細には、
ウェーハ研磨用の研磨パッドを目立てするための改良さ
れたドレッサーを備え、ウェーハを均一に研磨すること
が可能なウェーハ研磨装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造方法では、回路パター
ンが形成される半導体ウェーハの主面を機械的化学的研
磨（ＣＭＰ）することによって高精度な平坦度に仕上げ
る研磨が行なわれている。
ンが形成される半導体ウェーハの主面を機械的化学的研
磨（ＣＭＰ）することによって高精度な平坦度に仕上げ
る研磨が行なわれている。
【０００３】図４は従来のドレッサーを備えた従来のウ
ェーハ研磨装置の概略図であり、研磨パッドを実際にド
レッサーで目立てしている時の状態を示す。図４に示す
ように従来の研磨装置は、研磨パッド１を上面に貼着し
た回転可能な研磨定盤２と、研磨すべきウェーハ３を吸
着保持した回転可能な研磨ヘッド４と、研磨スラリー５
を研磨パッド１に供給するためのスラリー供給装置の一
部であるノズル６と、研磨パッド１の目立てを行なうた
めの回転可能なリング形ドレッサー７を備えている。
ェーハ研磨装置の概略図であり、研磨パッドを実際にド
レッサーで目立てしている時の状態を示す。図４に示す
ように従来の研磨装置は、研磨パッド１を上面に貼着し
た回転可能な研磨定盤２と、研磨すべきウェーハ３を吸
着保持した回転可能な研磨ヘッド４と、研磨スラリー５
を研磨パッド１に供給するためのスラリー供給装置の一
部であるノズル６と、研磨パッド１の目立てを行なうた
めの回転可能なリング形ドレッサー７を備えている。
【０００４】ウェーハ３を研磨する際には、研磨パッド
１の目立てを完了したリング形ドレッサー７（回転方
向、矢印Ｃ）を図示の位置から移動させ、所定の回転数
で研磨定盤２（従って研磨パッド１も）と研磨ヘッド４
（従ってウェーハ３も）をそれぞれ矢印Ａ方向及びＢ方
向に回転した状態で、研磨スラリー５を研磨パッド１に
滴下しながらウェーハ３を研磨パッド１に圧接させる。
研磨定盤２の回転による研磨パッド１の回転により、研
磨スラリー５がウェーハ３に到達することによってウェ
ーハ３の研磨が行なわれる。このような研磨方法では、
ウェーハ３の中心部においてもウェーハ３の外周部と同
様に研磨されるために、研磨スラリー５がウェーハ３の
中心部に到達するように研磨パッド１を上記ドレッサー
７で目立てを行ない、研磨パッド１が研磨スラリー５を
保持できるようにしている。
１の目立てを完了したリング形ドレッサー７（回転方
向、矢印Ｃ）を図示の位置から移動させ、所定の回転数
で研磨定盤２（従って研磨パッド１も）と研磨ヘッド４
（従ってウェーハ３も）をそれぞれ矢印Ａ方向及びＢ方
向に回転した状態で、研磨スラリー５を研磨パッド１に
滴下しながらウェーハ３を研磨パッド１に圧接させる。
研磨定盤２の回転による研磨パッド１の回転により、研
磨スラリー５がウェーハ３に到達することによってウェ
ーハ３の研磨が行なわれる。このような研磨方法では、
ウェーハ３の中心部においてもウェーハ３の外周部と同
様に研磨されるために、研磨スラリー５がウェーハ３の
中心部に到達するように研磨パッド１を上記ドレッサー
７で目立てを行ない、研磨パッド１が研磨スラリー５を
保持できるようにしている。
【０００５】図５（Ａ）と図５（Ｂ）はドレッサーの研
磨パッドへの当たり具合を説明するための断面図であ
り、特に、図５（Ａ）はドレッサーを研磨パッドに静止
させた状態（静止時）、図５（Ｂ）は研磨パッドを目立
てしている時（目立て時）の状態を示す。図４と図５か
らわかるように、従来のリング形ドレッサー７は、主要
作用部がリング状であり、支持円板１０に切れ刃として
のダイヤモンドを電着させたリング状の歯９からなる構
造になっている。リング形ドレッサー７の直径は、目立
てをする領域がウェーハ３より大きくなるように、例え
ば、８インチウェーハ用では２５０ｍｍ程度のものが使
用される。
磨パッドへの当たり具合を説明するための断面図であ
り、特に、図５（Ａ）はドレッサーを研磨パッドに静止
させた状態（静止時）、図５（Ｂ）は研磨パッドを目立
てしている時（目立て時）の状態を示す。図４と図５か
らわかるように、従来のリング形ドレッサー７は、主要
作用部がリング状であり、支持円板１０に切れ刃として
のダイヤモンドを電着させたリング状の歯９からなる構
造になっている。リング形ドレッサー７の直径は、目立
てをする領域がウェーハ３より大きくなるように、例え
ば、８インチウェーハ用では２５０ｍｍ程度のものが使
用される。
【０００６】またドレッサー７の支持円板１０に対する
回転軸１１の取付け部分にはフレキシブルジョイント１
２を設けて、固定ジョイントによる場合のように著しい
偏研磨がないように構成されている。すなわち、ドレッ
サーが回転軸に対して固定取付けされていると、組立て
誤差等により研磨パッド１に対しドレッサー７や回転軸
が斜めに組込まれて設置された場合、研磨パッドを偏研
磨することがあり、これを避けるためである。
回転軸１１の取付け部分にはフレキシブルジョイント１
２を設けて、固定ジョイントによる場合のように著しい
偏研磨がないように構成されている。すなわち、ドレッ
サーが回転軸に対して固定取付けされていると、組立て
誤差等により研磨パッド１に対しドレッサー７や回転軸
が斜めに組込まれて設置された場合、研磨パッドを偏研
磨することがあり、これを避けるためである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにフレキシブルジョイント１２により研磨パッド１
の偏研磨は解消できたものの、以下のような問題が生じ
る。すなわち、図５（Ａ）に示すように静止時にはドレ
ッサー／研磨布間で均一に荷重が加えられている。一方
目立て時（Ｂ）においては、ドレッサー７が研磨布（パ
ッド）１を新たに目立てを開始する領域（図５（Ｂ）の
矢印Ｋの上流方向Ｐ部）ではドレッサーやウェーハの押
し付けから解放されているため非圧縮状態となってい
る。このためこの上流側のドレッサーでは、目立てのた
めにドレッサーが研磨布を押し付けている力のうちの幾
分かが研磨布の圧縮のために費やされている。しかし矢
印Ｋ方向（Ｑ部）の下流側のドレッサーによる研磨布の
目立て領域では、先の領域で圧縮された状態の研磨布が
目立てされるようになるため、ドレッサーの押し付け圧
力がほとんどすべて目立てのために費やされることとな
る。
ようにフレキシブルジョイント１２により研磨パッド１
の偏研磨は解消できたものの、以下のような問題が生じ
る。すなわち、図５（Ａ）に示すように静止時にはドレ
ッサー／研磨布間で均一に荷重が加えられている。一方
目立て時（Ｂ）においては、ドレッサー７が研磨布（パ
ッド）１を新たに目立てを開始する領域（図５（Ｂ）の
矢印Ｋの上流方向Ｐ部）ではドレッサーやウェーハの押
し付けから解放されているため非圧縮状態となってい
る。このためこの上流側のドレッサーでは、目立てのた
めにドレッサーが研磨布を押し付けている力のうちの幾
分かが研磨布の圧縮のために費やされている。しかし矢
印Ｋ方向（Ｑ部）の下流側のドレッサーによる研磨布の
目立て領域では、先の領域で圧縮された状態の研磨布が
目立てされるようになるため、ドレッサーの押し付け圧
力がほとんどすべて目立てのために費やされることとな
る。
【０００８】このため、角速度的に（研磨布の位置とド
レッサーの回転速度の積と考えてよい）リング状ドレッ
サー７の研磨布の内、中、外で同じように目立てされる
理論的ドレッシング条件での設定において、研磨布の中
が特に研磨されるということが起きている。これを側面
（研磨布外周から中心部方向に）からみると、図５
（Ｂ）のように、Ｐ部近くでは押付け圧力が小さくＱ部
近くでは圧力が大きくなって、見かけ上ドレッサーの重
心が静止時とは異なりずれたように見受けられるように
なる。
レッサーの回転速度の積と考えてよい）リング状ドレッ
サー７の研磨布の内、中、外で同じように目立てされる
理論的ドレッシング条件での設定において、研磨布の中
が特に研磨されるということが起きている。これを側面
（研磨布外周から中心部方向に）からみると、図５
（Ｂ）のように、Ｐ部近くでは押付け圧力が小さくＱ部
近くでは圧力が大きくなって、見かけ上ドレッサーの重
心が静止時とは異なりずれたように見受けられるように
なる。
【０００９】このため、目立てを行なうに従い研磨パッ
ドの目立て断面プロファイルは、図６に示すように、目
立て領域のドレッサーの回転中心部分が最も深い凹状プ
ロファイル１４となる。なお平面的にみれば凹部は研磨
パッド１と同心のド−ナツ状である。
ドの目立て断面プロファイルは、図６に示すように、目
立て領域のドレッサーの回転中心部分が最も深い凹状プ
ロファイル１４となる。なお平面的にみれば凹部は研磨
パッド１と同心のド−ナツ状である。
【００１０】このように研磨パッド１の表面プロファイ
ルが変化すると、ウェーハ３の研磨時に、ウェーハ３の
中心部の圧力が外周部と比較して低下するため、ウェー
ハ３の中心部の研磨レ−トが遅くなる。その結果、ウェ
ーハ３の中心部が外周部より研磨されなくなる。
ルが変化すると、ウェーハ３の研磨時に、ウェーハ３の
中心部の圧力が外周部と比較して低下するため、ウェー
ハ３の中心部の研磨レ−トが遅くなる。その結果、ウェ
ーハ３の中心部が外周部より研磨されなくなる。
【００１１】以下具体的な例を示しながら従来の問題を
詳細に具体的に説明する。
詳細に具体的に説明する。
【００１２】従来のリング形ドレッサーで研磨パッドの
目立てを行ない、以下の条件で機械的化学研磨（ＣＭ
Ｐ）を行なった場合の研磨量を測定した。
目立てを行ない、以下の条件で機械的化学研磨（ＣＭ
Ｐ）を行なった場合の研磨量を測定した。
【００１３】 研磨パッド材質： 硬質ポリウレタン 研磨スラリー： シリカ粒子＋ＫＯＨ 研磨定盤回転数： ２０rpm 研磨ヘッド回転数： ２０rpm ドレッサー回転数： ２０rpm ウェーハ押付け圧： ５００gf/cm2 ドレッサー押付け圧： ２３０gf/cm2 ウェーハ研磨面： ＳｉＯ2 膜 研磨パッドの凹量（ウェーハ周辺部に対しウェーハ中心
部の研磨パッドのへこみ量） 研磨前：
０μｍ ５０枚研磨後： ５０μｍ 結果は、１枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が４
８０ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研
磨量が５００ｎｍであった。そしてウェーハ研磨を続
け、５０枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が４５
０ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研磨
量が５１０ｎｍであった。
部の研磨パッドのへこみ量） 研磨前：
０μｍ ５０枚研磨後： ５０μｍ 結果は、１枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が４
８０ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研
磨量が５００ｎｍであった。そしてウェーハ研磨を続
け、５０枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が４５
０ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研磨
量が５１０ｎｍであった。
【００１４】この研磨前のＳｉＯ2 膜の成膜ではＳｉＯ
2 膜の面内成膜厚バラツキは研磨量と比較して小さいた
め、研磨後のウェーハ中心部にはＳｉＯ2 膜が厚く残る
ことになる。
2 膜の面内成膜厚バラツキは研磨量と比較して小さいた
め、研磨後のウェーハ中心部にはＳｉＯ2 膜が厚く残る
ことになる。
【００１５】このようなウェーハの加工を行なうと、例
えば、ＳｉＯ2 膜下の配線パターンとその上に形成され
る配線パターンとをつなぐコンタクトホールのエッチン
グ工程において、ＳｉＯ2 膜が厚くなるとエッチングが
下層配線まで届かなくなる不良が発生する。一方、Ｓｉ
Ｏ2 膜が薄くなると中心部と比較して過剰のエッチング
がなされることになり、所定の下層配線上でエッチング
を停止させることができず、ショート不良等を発生する
原因にもなる。さらに下層の配線までエッチングが到達
し、上層−下層配線とその下の配線がショート不良を発
生させる原因にもなる。
えば、ＳｉＯ2 膜下の配線パターンとその上に形成され
る配線パターンとをつなぐコンタクトホールのエッチン
グ工程において、ＳｉＯ2 膜が厚くなるとエッチングが
下層配線まで届かなくなる不良が発生する。一方、Ｓｉ
Ｏ2 膜が薄くなると中心部と比較して過剰のエッチング
がなされることになり、所定の下層配線上でエッチング
を停止させることができず、ショート不良等を発生する
原因にもなる。さらに下層の配線までエッチングが到達
し、上層−下層配線とその下の配線がショート不良を発
生させる原因にもなる。
【００１６】本発明は上記従来技術を考慮してなされた
ものであって、研磨パッドの目立て手段の改良により、
研磨パッド表面の平坦性を維持して目立てを行ない、ウ
ェーハを高精度で均一に研磨することが可能なウェーハ
研磨装置を提供することを目的とする。
ものであって、研磨パッドの目立て手段の改良により、
研磨パッド表面の平坦性を維持して目立てを行ない、ウ
ェーハを高精度で均一に研磨することが可能なウェーハ
研磨装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明では、研磨パッドを上面に設けた回転可能な
研磨定盤と、研磨すべきウェーハを保持した回転可能な
研磨ヘッドと、研磨スラリーを前記研磨パッドに供給す
るための供給装置と、前記研磨パッドの目立てを行なう
ための回転可能なドレッサーを備えたウェーハ研磨装置
において、前記ドレッサーの前記研磨パッドとの接触部
が直線上にあるようにした。
め、本発明では、研磨パッドを上面に設けた回転可能な
研磨定盤と、研磨すべきウェーハを保持した回転可能な
研磨ヘッドと、研磨スラリーを前記研磨パッドに供給す
るための供給装置と、前記研磨パッドの目立てを行なう
ための回転可能なドレッサーを備えたウェーハ研磨装置
において、前記ドレッサーの前記研磨パッドとの接触部
が直線上にあるようにした。
【００１８】この構成によれば、ドレッサーの重心（パ
ッドに対する圧力作用位置）が研磨パッドに対して一直
線上にあって変化しないため研磨パッドを均一に目立て
することができる。即ち、ドレッサーが研磨パッドに対
し直線状に接触するため、この直線接触部分で一定の力
で目立てが行なわれ、従来のように凹部を形成すること
なく、パッド表面に対し均一に平坦形状を保って目立て
が行なわれる。その結果、この平坦研磨面の研磨パッド
によりウェーハ研磨面の全面にわたり均一に研磨するこ
とができる。
ッドに対する圧力作用位置）が研磨パッドに対して一直
線上にあって変化しないため研磨パッドを均一に目立て
することができる。即ち、ドレッサーが研磨パッドに対
し直線状に接触するため、この直線接触部分で一定の力
で目立てが行なわれ、従来のように凹部を形成すること
なく、パッド表面に対し均一に平坦形状を保って目立て
が行なわれる。その結果、この平坦研磨面の研磨パッド
によりウェーハ研磨面の全面にわたり均一に研磨するこ
とができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】好ましい実施の形態においては、
ドレッサーが円筒形であり、目立て用刃部分が円筒体表
面にリング状に複数配設され、この円筒体の母線（円筒
側面の軸方向の直線）を前記研磨パッド表面に接触させ
るように構成した。
ドレッサーが円筒形であり、目立て用刃部分が円筒体表
面にリング状に複数配設され、この円筒体の母線（円筒
側面の軸方向の直線）を前記研磨パッド表面に接触させ
るように構成した。
【００２０】この構成によれば、簡単な構造で信頼性の
高い直線接触のドレッサーが得られ、コンパクトな構造
でドレッサーの重心を研磨パッドに対し変化しないよう
に構成して研磨パッドを均一に目立てすることができ、
その結果、ウェーハ研磨面の全面にわたり均一に研磨す
ることができる。
高い直線接触のドレッサーが得られ、コンパクトな構造
でドレッサーの重心を研磨パッドに対し変化しないよう
に構成して研磨パッドを均一に目立てすることができ、
その結果、ウェーハ研磨面の全面にわたり均一に研磨す
ることができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について、図
面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例に係
るウェーハ研磨装置の概略斜視図である。
面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例に係
るウェーハ研磨装置の概略斜視図である。
【００２２】図１に示した構成要素の内、前述の図４に
示した構成要素と同様の構成要素については同一の参照
符号を付す。図１に示した本実施例のウェーハ研磨装置
は図４のリング形ドレッサー７の代わりに円筒形のドレ
ッサー１７を備えている以外は図４に示した構成と同様
である。すなわち、本実施例のウェーハ研磨装置は、研
磨パッド１を上面に貼着した回転可能な研磨定盤２と、
研磨すべきウェーハ３を吸着保持した回転可能な研磨ヘ
ッド４と、研磨スラリー５を研磨パッド１に供給するた
めのノズル６と上記円筒形ドレッサー１７を備えてい
る。
示した構成要素と同様の構成要素については同一の参照
符号を付す。図１に示した本実施例のウェーハ研磨装置
は図４のリング形ドレッサー７の代わりに円筒形のドレ
ッサー１７を備えている以外は図４に示した構成と同様
である。すなわち、本実施例のウェーハ研磨装置は、研
磨パッド１を上面に貼着した回転可能な研磨定盤２と、
研磨すべきウェーハ３を吸着保持した回転可能な研磨ヘ
ッド４と、研磨スラリー５を研磨パッド１に供給するた
めのノズル６と上記円筒形ドレッサー１７を備えてい
る。
【００２３】図２及び図３は本実施例の円筒形ドレッサ
ー１７を説明するためのそれぞれ側面図及び上面図であ
る。なお図１から図３の各図ではドレッサー１７の要部
のみを図示してあり、回転機構については通常の円筒体
をその軸廻りに回転させる回転機構が使用できるため省
略してある。
ー１７を説明するためのそれぞれ側面図及び上面図であ
る。なお図１から図３の各図ではドレッサー１７の要部
のみを図示してあり、回転機構については通常の円筒体
をその軸廻りに回転させる回転機構が使用できるため省
略してある。
【００２４】図１及び図２に示すようにドレッサー１７
は、基体となる円筒体１８の表面にダイヤモンドを電着
した目立て用のリング状の歯１９が多数並列して形成さ
れたものである。この円筒形ドレッサー１７は、その円
筒体１８の軸を研磨パッド１の表面と平行にして、目立
て時に円筒側面の母線が研磨パッド１の表面と直線接触
するように横置きに配設される。円筒体１８の回転（矢
印Ｃ）によりダイヤモンド電着の歯１９が回転して研磨
パッド１の目立てが行なわれる。このドレッサー１７の
円筒体１８の長さはウェーハ３の直径より長くすること
がウェーハ研磨を均一にするために望ましい。従って、
８インチウェーハの場合は２５０ｍｍ程度の長さでよ
く、また円筒体１８の直径は４０ｍｍ程度でよい。円筒
体１８表面に電着されるダイヤモンドの歯１９は幅が１
０ｍｍ程度で約１０ｍｍ間隔でリング状に複数設けられ
る。
は、基体となる円筒体１８の表面にダイヤモンドを電着
した目立て用のリング状の歯１９が多数並列して形成さ
れたものである。この円筒形ドレッサー１７は、その円
筒体１８の軸を研磨パッド１の表面と平行にして、目立
て時に円筒側面の母線が研磨パッド１の表面と直線接触
するように横置きに配設される。円筒体１８の回転（矢
印Ｃ）によりダイヤモンド電着の歯１９が回転して研磨
パッド１の目立てが行なわれる。このドレッサー１７の
円筒体１８の長さはウェーハ３の直径より長くすること
がウェーハ研磨を均一にするために望ましい。従って、
８インチウェーハの場合は２５０ｍｍ程度の長さでよ
く、また円筒体１８の直径は４０ｍｍ程度でよい。円筒
体１８表面に電着されるダイヤモンドの歯１９は幅が１
０ｍｍ程度で約１０ｍｍ間隔でリング状に複数設けられ
る。
【００２５】この円筒形ドレッサー１７は目立て時は特
に図３の平面図に示すように、研磨パッド１の半径方向
（放射状）に直線的に配置される。従って研磨パッド１
とドレッサー１７のダイヤモンドの歯１９との接触部分
は接触点が複数直線的に並んだ状態となる。
に図３の平面図に示すように、研磨パッド１の半径方向
（放射状）に直線的に配置される。従って研磨パッド１
とドレッサー１７のダイヤモンドの歯１９との接触部分
は接触点が複数直線的に並んだ状態となる。
【００２６】以下具体的な例を示しながら本実施例をさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００２７】本実施例の円筒形ドレッサー１７で研磨パ
ッド１の目立てを行ない、以下の条件で機械的化学研磨
（ＣＭＰ）を行なった場合の研磨量を測定した。
ッド１の目立てを行ない、以下の条件で機械的化学研磨
（ＣＭＰ）を行なった場合の研磨量を測定した。
【００２８】 研磨パッド材質： 硬質ポリウレタン 研磨スラリー： シリカ粒子＋ＫＯＨ 研磨定盤回転数： ２０rpm 研磨ヘッド回転数： ２０rpm ドレッサー回転数： ２０rpm ウェーハ押付け圧： ５００gf/cm2 ドレッサー押付け圧： ２３０gf/cm2 ウェーハ研磨面： ＳｉＯ2 膜 研磨パッドの凹量（ウェーハ周辺部に対しウェーハ中心
部の研磨パッドのへこみ量） 研磨前：
０μｍ ５０枚研磨後： ５μｍ 結果は、１枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が５
００ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研
磨量が５２０ｎｍであった。そしてウェーハ研磨を続
け、５０枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が５１
０ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研磨
量が５２３ｎｍであった。このように従来のドレッサー
より研磨パッドのプロファイルを平坦に保って目立てを
行なうことができ、高精度で均一にウェーハを研磨する
ことができた。
部の研磨パッドのへこみ量） 研磨前：
０μｍ ５０枚研磨後： ５μｍ 結果は、１枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が５
００ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研
磨量が５２０ｎｍであった。そしてウェーハ研磨を続
け、５０枚目の研磨ウェーハ中心部の平均研磨量が５１
０ｎｍであったのに対して、ウェーハ周辺部の平均研磨
量が５２３ｎｍであった。このように従来のドレッサー
より研磨パッドのプロファイルを平坦に保って目立てを
行なうことができ、高精度で均一にウェーハを研磨する
ことができた。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェーハ
研磨装置によれば、ドレッサーが研磨パッドに対し直線
状に接触するため、この直線接触部分で一定の力で目立
てが行なわれ、従来のように凹部を形成することなく、
パッド表面に対し均一に平坦形状を保って目立てが行な
われる。したがって、この平坦に目立てされた研磨パッ
ドによりウェーハ全面にわたり均一に研磨することがで
きる。その結果、半導体装置の製造プロセスにおいて、
エッチング不良等の加工不良を低減することができると
ともに、研磨パッドのプロファイル修正のための装置ダ
ウンタイムを無くすことができ生産性を向上させること
ができる。
研磨装置によれば、ドレッサーが研磨パッドに対し直線
状に接触するため、この直線接触部分で一定の力で目立
てが行なわれ、従来のように凹部を形成することなく、
パッド表面に対し均一に平坦形状を保って目立てが行な
われる。したがって、この平坦に目立てされた研磨パッ
ドによりウェーハ全面にわたり均一に研磨することがで
きる。その結果、半導体装置の製造プロセスにおいて、
エッチング不良等の加工不良を低減することができると
ともに、研磨パッドのプロファイル修正のための装置ダ
ウンタイムを無くすことができ生産性を向上させること
ができる。
【００３０】また研磨パッドの減り具合が均一になるた
め、研磨パッドを無駄なく有効に利用することができ、
研磨パッド１枚当たりのウェーハ処理枚数を増加させる
ことができる。
め、研磨パッドを無駄なく有効に利用することができ、
研磨パッド１枚当たりのウェーハ処理枚数を増加させる
ことができる。
【図１】 本発明の１実施例のウェーハ研磨装置の概略
斜視図。
斜視図。
【図２】 本実施例の円筒形ドレッサーを説明するため
の側面図。
の側面図。
【図３】 本実施例の円筒形ドレッサーを説明するため
の平面図。
の平面図。
【図４】 従来のウェーハ研磨装置の概略斜視図。
【図５】 従来のドレッサーの研磨パッドへの当たり具
合を説明するための断面図であり、（Ａ）はドレッサー
を研磨パッドに静止させた状態、（Ｂ）は研磨パッドを
目立てしている時の状態を示す。
合を説明するための断面図であり、（Ａ）はドレッサー
を研磨パッドに静止させた状態、（Ｂ）は研磨パッドを
目立てしている時の状態を示す。
【図６】 従来のドレッサーを使用して目立てをした場
合の研磨パッドのプロファイルを説明するための概略断
面図。
合の研磨パッドのプロファイルを説明するための概略断
面図。
１：研磨パッド、２：研磨定盤、３：ウェーハ、４：研
磨ヘッド、５：研磨スラリー、６：ノズル、７：ドレッ
サー、９：リング状の歯、１０：支持円板、１１：回転
軸、１２：フレキシブルジョイント、１４：凹状プロフ
ァイル、１７：円筒形ドレッサー、１８：円筒体、１
９：ダイヤモンド電着歯。
磨ヘッド、５：研磨スラリー、６：ノズル、７：ドレッ
サー、９：リング状の歯、１０：支持円板、１１：回転
軸、１２：フレキシブルジョイント、１４：凹状プロフ
ァイル、１７：円筒形ドレッサー、１８：円筒体、１
９：ダイヤモンド電着歯。
Claims (2)
- 【請求項１】研磨パッドを上面に設けた回転可能な研磨
定盤と、 研磨すべきウェーハを保持する回転可能な研磨ヘッド
と、 研磨スラリーを前記研磨パッドに供給するための供給装
置と、 前記研磨パッドの目立てを行なうための回転可能なドレ
ッサーを備えたウェーハ研磨装置において、 前記ドレッサーの前記研磨パッドとの接触部が直線上に
あることを特徴とするウェーハ研磨装置。 - 【請求項２】前記ドレッサーが円筒形であり、 目立て用刃部分が円筒体表面にリング状に複数配設さ
れ、 前記円筒体の母線を研磨パッド表面に接触させるように
構成したことを特徴とする請求項１に記載のウェーハ研
磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15964897A JPH1110521A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | ウェーハ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15964897A JPH1110521A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | ウェーハ研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110521A true JPH1110521A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=15698312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15964897A Pending JPH1110521A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | ウェーハ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1110521A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002529924A (ja) * | 1998-11-09 | 2002-09-10 | ラム リサーチ コーポレイション | 化学機械平坦化法に用いられる研磨パッドをコンディショニングする方法及び装置 |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP15964897A patent/JPH1110521A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002529924A (ja) * | 1998-11-09 | 2002-09-10 | ラム リサーチ コーポレイション | 化学機械平坦化法に用いられる研磨パッドをコンディショニングする方法及び装置 |
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