JPH11111138A - 基板型温度ヒュ−ズ及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ並びにそれらの製造方法 - Google Patents
基板型温度ヒュ−ズ及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ並びにそれらの製造方法Info
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- JPH11111138A JPH11111138A JP28795597A JP28795597A JPH11111138A JP H11111138 A JPH11111138 A JP H11111138A JP 28795597 A JP28795597 A JP 28795597A JP 28795597 A JP28795597 A JP 28795597A JP H11111138 A JPH11111138 A JP H11111138A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板型温度ヒュ−ズ等を絶縁カバ−板と樹脂を
用いて封止するにもかかわらず、樹脂を実質的に基板型
温度ヒュ−ズ等の厚みに関与させずに基板型温度ヒュ−
ズ等の全体の厚みを充分に薄くできる基板型温度ヒュ−
ズ等を提供する。 【解決手段】絶縁基板１の片面にヒュ−ズ取付用膜電極
２１，２２を形成し、その膜電極間に低融点可溶合金片
４を橋設し、該低融点可溶合金片にフラックス５を塗布
し、前記絶縁基板よりも小なる外郭の絶縁カバ−板６を
同絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カバ−板の周囲端
部と絶縁基板の周囲端部との間隙に封止樹脂７を充填
し、その封止樹脂の絶縁カバ−板周囲縁端と絶縁基板周
囲縁端との間の外面を凹曲傾斜面または直線傾斜面とし
た。
用いて封止するにもかかわらず、樹脂を実質的に基板型
温度ヒュ−ズ等の厚みに関与させずに基板型温度ヒュ−
ズ等の全体の厚みを充分に薄くできる基板型温度ヒュ−
ズ等を提供する。 【解決手段】絶縁基板１の片面にヒュ−ズ取付用膜電極
２１，２２を形成し、その膜電極間に低融点可溶合金片
４を橋設し、該低融点可溶合金片にフラックス５を塗布
し、前記絶縁基板よりも小なる外郭の絶縁カバ−板６を
同絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カバ−板の周囲端
部と絶縁基板の周囲端部との間隙に封止樹脂７を充填
し、その封止樹脂の絶縁カバ−板周囲縁端と絶縁基板周
囲縁端との間の外面を凹曲傾斜面または直線傾斜面とし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板型温度ヒュ−ズ
及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ並びにそれらの製
造方法に関するものである。
及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ並びにそれらの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】合金型の温度ヒュ−ズにおいては、ヒュ
−ズエレメントに低融点可溶合金片を用いており、電機
機器に取付けて使用され、電機機器が過電流のために発
熱すると、その発生熱で低融点可溶合金片が溶融され、
この溶融金属が界面エネルギ−に基づく球状化で分断さ
れ、この分断による機器の電源からの遮断で機器の異常
発熱、ひいては火災の発生を未然に防止している。近
来、機器特に携帯機器の小型化が著しく、これらに取付
けて使用する温度ヒュ−ズや抵抗体付き・温度ヒュ−ズ
においても、一層の小型化が要求されている。
−ズエレメントに低融点可溶合金片を用いており、電機
機器に取付けて使用され、電機機器が過電流のために発
熱すると、その発生熱で低融点可溶合金片が溶融され、
この溶融金属が界面エネルギ−に基づく球状化で分断さ
れ、この分断による機器の電源からの遮断で機器の異常
発熱、ひいては火災の発生を未然に防止している。近
来、機器特に携帯機器の小型化が著しく、これらに取付
けて使用する温度ヒュ−ズや抵抗体付き・温度ヒュ−ズ
においても、一層の小型化が要求されている。
【０００３】上記温度ヒュ−ズや抵抗体付き・温度ヒュ
−ズとしては基板型が開発されている。この基板型の温
度ヒュ−ズにおいては、図６の（イ）及び図６の（ロ）
〔図６の（イ）におけるロ−ロ断面図）に示すように、
絶縁基板１’の片面にヒュ−ズ取付用膜電極２１’，２
２’を形成し、各膜電極２１’，２２’にリ−ド線３
１’，３２’を接続し、その膜電極２１’，２２’間に
低融点可溶合金片４’を橋設し、該低融点可溶合金片
４’にフラックス５’を塗布し、絶縁基板１’の片面上
に封止樹脂７’を滴下塗装している。また、基板型の抵
抗体付き・温度ヒュ−ズにおいては、絶縁基板の片面に
ヒュ−ズ取付用膜電極及び抵抗取付用膜電極を形成し、
それらの各膜電極にリ−ド線を接続し、その膜電極間に
低融点可溶合金片を、その抵抗取付用膜電極間に膜抵抗
をそれぞれ橋設し、その低融点可溶合金片にフラックス
を塗布し、絶縁基板片面上に封止樹脂を滴下塗装してい
る。
−ズとしては基板型が開発されている。この基板型の温
度ヒュ−ズにおいては、図６の（イ）及び図６の（ロ）
〔図６の（イ）におけるロ−ロ断面図）に示すように、
絶縁基板１’の片面にヒュ−ズ取付用膜電極２１’，２
２’を形成し、各膜電極２１’，２２’にリ−ド線３
１’，３２’を接続し、その膜電極２１’，２２’間に
低融点可溶合金片４’を橋設し、該低融点可溶合金片
４’にフラックス５’を塗布し、絶縁基板１’の片面上
に封止樹脂７’を滴下塗装している。また、基板型の抵
抗体付き・温度ヒュ−ズにおいては、絶縁基板の片面に
ヒュ−ズ取付用膜電極及び抵抗取付用膜電極を形成し、
それらの各膜電極にリ−ド線を接続し、その膜電極間に
低融点可溶合金片を、その抵抗取付用膜電極間に膜抵抗
をそれぞれ橋設し、その低融点可溶合金片にフラックス
を塗布し、絶縁基板片面上に封止樹脂を滴下塗装してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記において、樹脂封
止は、フラックスを塗布した低融点可溶合金片等を外部
に対して封止し、かつ機械的に保護することを目的とし
ている。而るに、フラックス塗布低融点可溶合金片の直
上や角では表面張力のために樹脂厚が薄くなり易く、こ
れらの箇所での厚みを所定厚さとするよう相当に高粘度
の樹脂液を使用しており、滴下樹脂が盛り上がり、樹脂
厚みが全体としての厚肉化が避けられない。かかる不具
合は、上記基板型の抵抗体付き・温度ヒュ−ズにおいて
も同様に生じる問題である。例えば、絶縁基板に厚さ
０．５ｍｍ、縦横６ｍｍ×８ｍｍのものを、低融点可溶
合金片に直径０．５ｍｍのものを使用した基板型温度ヒ
ュ−ズの封止樹脂層の厚みは２．０ｍｍにも達し、基板
型温度ヒュ−ズの厚みは約２．８ｍｍで相当に厚くなっ
ている。従って、基板型温度ヒュ−ズの温度ヒュ−ズの
厚み中、封止樹脂層が占める厚みは著しく大きく、基板
型温度ヒュ−ズの一層の薄型化には、封止構造の薄肉化
が必要である。
止は、フラックスを塗布した低融点可溶合金片等を外部
に対して封止し、かつ機械的に保護することを目的とし
ている。而るに、フラックス塗布低融点可溶合金片の直
上や角では表面張力のために樹脂厚が薄くなり易く、こ
れらの箇所での厚みを所定厚さとするよう相当に高粘度
の樹脂液を使用しており、滴下樹脂が盛り上がり、樹脂
厚みが全体としての厚肉化が避けられない。かかる不具
合は、上記基板型の抵抗体付き・温度ヒュ−ズにおいて
も同様に生じる問題である。例えば、絶縁基板に厚さ
０．５ｍｍ、縦横６ｍｍ×８ｍｍのものを、低融点可溶
合金片に直径０．５ｍｍのものを使用した基板型温度ヒ
ュ−ズの封止樹脂層の厚みは２．０ｍｍにも達し、基板
型温度ヒュ−ズの厚みは約２．８ｍｍで相当に厚くなっ
ている。従って、基板型温度ヒュ−ズの温度ヒュ−ズの
厚み中、封止樹脂層が占める厚みは著しく大きく、基板
型温度ヒュ−ズの一層の薄型化には、封止構造の薄肉化
が必要である。
【０００５】従来、基板型温度ヒュ−ズにおいて、フラ
ックス塗布低融点可溶合金片を覆うように絶縁基板上に
絶縁カバ−板を載置し、その絶縁カバ−板の周囲と絶縁
基板の周囲とを樹脂で封止することが公知であるが、こ
の場合もかなりの高粘度樹脂を使用しており、周囲が封
止樹脂で盛り上がり、温度ヒュ−ズを隙間に挾み込んで
使用する場合、その周囲の封止樹脂の盛り上りがつかえ
て基板型温度ヒュ−ズの実質上の厚肉化を招来してい
る。
ックス塗布低融点可溶合金片を覆うように絶縁基板上に
絶縁カバ−板を載置し、その絶縁カバ−板の周囲と絶縁
基板の周囲とを樹脂で封止することが公知であるが、こ
の場合もかなりの高粘度樹脂を使用しており、周囲が封
止樹脂で盛り上がり、温度ヒュ−ズを隙間に挾み込んで
使用する場合、その周囲の封止樹脂の盛り上りがつかえ
て基板型温度ヒュ−ズの実質上の厚肉化を招来してい
る。
【０００６】本発明の目的は、基板型温度ヒュ−ズや基
板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズを絶縁カバ−板と樹脂を
用いて封止するにもかかわらず、樹脂を実質的に基板型
温度ヒュ−ズや基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの厚み
に関与させずに基板型温度ヒュ−ズや基板型抵抗体付き
・温度ヒュ−ズの全体の厚みを充分に薄くできる基板型
温度ヒュ−ズ及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ並び
にそれらの製造方法を提供することにある。
板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズを絶縁カバ−板と樹脂を
用いて封止するにもかかわらず、樹脂を実質的に基板型
温度ヒュ−ズや基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの厚み
に関与させずに基板型温度ヒュ−ズや基板型抵抗体付き
・温度ヒュ−ズの全体の厚みを充分に薄くできる基板型
温度ヒュ−ズ及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ並び
にそれらの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板型温度
ヒュ−ズは、絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極を
形成し、その膜電極間に低融点可溶合金片を橋設し、該
低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、前記絶縁基板
よりも小なる外郭の絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上
に配し、この絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基板の周囲
端部との間隙に封止樹脂を充填し、その封止樹脂の絶縁
カバ−板周囲縁端と絶縁基板周囲縁端との間の外面を凹
曲傾斜面または直線傾斜面としたことを特徴とする構成
であり、その基板型温度ヒュ−ズの製造方法は、絶縁基
板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極を形成し、その膜電極
間に低融点可溶合金片を橋設し、該低融点可溶合金片に
フラックスを塗布し、前記絶縁基板よりも小なる外郭の
絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カ
バ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との間に封止樹
脂液を塗布して絶縁基板と絶縁カバ−板との間隙に封止
樹脂液を浸透させることを特徴とする構成である。
ヒュ−ズは、絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極を
形成し、その膜電極間に低融点可溶合金片を橋設し、該
低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、前記絶縁基板
よりも小なる外郭の絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上
に配し、この絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基板の周囲
端部との間隙に封止樹脂を充填し、その封止樹脂の絶縁
カバ−板周囲縁端と絶縁基板周囲縁端との間の外面を凹
曲傾斜面または直線傾斜面としたことを特徴とする構成
であり、その基板型温度ヒュ−ズの製造方法は、絶縁基
板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極を形成し、その膜電極
間に低融点可溶合金片を橋設し、該低融点可溶合金片に
フラックスを塗布し、前記絶縁基板よりも小なる外郭の
絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カ
バ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との間に封止樹
脂液を塗布して絶縁基板と絶縁カバ−板との間隙に封止
樹脂液を浸透させることを特徴とする構成である。
【０００８】本発明に係る基板型抵抗体付き・温度ヒュ
−ズは絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極及び抵抗
取付用膜電極を形成し、膜電極間に低融点可溶合金片
を、抵抗取付用膜電極間に膜抵抗をそれぞれ橋設し、そ
の低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、前記絶縁基
板よりも小なる外郭の絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面
上に配し、この絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基板の周
囲端部との間隙に封止樹脂を充填し、その封止樹脂の絶
縁カバ−板周囲縁端と絶縁基板周囲縁端との間の外面を
凹曲傾斜面または直線傾斜面としたことを特徴とする構
成であり、その製造方法は絶縁基板の片面にヒュ−ズ取
付用膜電極及び抵抗取付用膜電極を形成し、ヒュ−ズ取
付用膜電極間に低融点可溶合金片を、抵抗取付用膜電極
間に膜抵抗をそれぞれ橋設し、その低融点可溶合金片に
フラックスを塗布し、前記絶縁基板よりも小なる外郭の
絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カ
バ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との間に封止樹
脂液を塗布して絶縁基板と絶縁カバ−板との間隙に封止
樹脂液を浸透させることを特徴とする構成である。
−ズは絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極及び抵抗
取付用膜電極を形成し、膜電極間に低融点可溶合金片
を、抵抗取付用膜電極間に膜抵抗をそれぞれ橋設し、そ
の低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、前記絶縁基
板よりも小なる外郭の絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面
上に配し、この絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基板の周
囲端部との間隙に封止樹脂を充填し、その封止樹脂の絶
縁カバ−板周囲縁端と絶縁基板周囲縁端との間の外面を
凹曲傾斜面または直線傾斜面としたことを特徴とする構
成であり、その製造方法は絶縁基板の片面にヒュ−ズ取
付用膜電極及び抵抗取付用膜電極を形成し、ヒュ−ズ取
付用膜電極間に低融点可溶合金片を、抵抗取付用膜電極
間に膜抵抗をそれぞれ橋設し、その低融点可溶合金片に
フラックスを塗布し、前記絶縁基板よりも小なる外郭の
絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カ
バ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との間に封止樹
脂液を塗布して絶縁基板と絶縁カバ−板との間隙に封止
樹脂液を浸透させることを特徴とする構成である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）及び図１の
（ロ）〔図１の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明
により製造した基板型温度ヒュ−ズを示している。図１
において、１は耐熱性・熱良伝導性の絶縁基板であり、
セラミックス板、樹脂板、ガラス板、絶縁処理金属板等
を使用できる。２１，２２は絶縁基板の片面に設けたヒ
ュ−ズ取付用膜電極、３１，３２はこれらの各膜電極２
１，２２に接続したリ−ド線であり、扁平加工線、丸線
（通常、先端部が扁平加工される）を使用できる。４は
これらの膜電極２１，２２間に接続した低融点可溶合金
片であり、融点を所定の作動温度に設定した低融点合金
の丸線、扁平加工線等を使用できる。５は低融点可溶合
金片４上に塗布したフラックスである。６は外郭が絶縁
基板１の外郭よりも小とし、かつ、厚みを絶縁基板１に
較べて充分に薄くした絶縁カバ−板であり、セラミック
ス板、ガラス板、プラスチックフィルム等を使用でき
る。７は絶縁基板１と絶縁カバ−板６との間を封止した
封止樹脂層である。
実施の形態について説明する。図１の（イ）及び図１の
（ロ）〔図１の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明
により製造した基板型温度ヒュ−ズを示している。図１
において、１は耐熱性・熱良伝導性の絶縁基板であり、
セラミックス板、樹脂板、ガラス板、絶縁処理金属板等
を使用できる。２１，２２は絶縁基板の片面に設けたヒ
ュ−ズ取付用膜電極、３１，３２はこれらの各膜電極２
１，２２に接続したリ−ド線であり、扁平加工線、丸線
（通常、先端部が扁平加工される）を使用できる。４は
これらの膜電極２１，２２間に接続した低融点可溶合金
片であり、融点を所定の作動温度に設定した低融点合金
の丸線、扁平加工線等を使用できる。５は低融点可溶合
金片４上に塗布したフラックスである。６は外郭が絶縁
基板１の外郭よりも小とし、かつ、厚みを絶縁基板１に
較べて充分に薄くした絶縁カバ−板であり、セラミック
ス板、ガラス板、プラスチックフィルム等を使用でき
る。７は絶縁基板１と絶縁カバ−板６との間を封止した
封止樹脂層である。
【００１０】この基板型温度ヒュ−ズを本発明に係る方
法で製造するには、絶縁基板１の片面にヒュ−ズ取付用
膜電極２１，２２を導電ぺ−スト（例えば、Ａｇペ−ス
ト、Ａｇ−Ｐｄペ−スト、Ａｇ−Ｐｔペ−スト等の銀系
ペ−スト、銅ペ−スト、金系ぺ−スト等）の印刷・焼付
けにより形成し、各膜電極２１，２２にリ−ド線３１，
３２を溶接またははんだ付け等により接続し、更に、ヒ
ュ−ズ取付用膜電極２１，２２間に低融点可溶合金片４
を溶接等により橋設し、この橋設低融点可溶合金片上に
フラックス５を塗布し、而るのち、前記絶縁基板１の片
面上に絶縁カバ−板６を載置する。次いで、絶縁基板１
の周囲縁端と絶縁カバ−板６の周囲縁端との間に常温硬
化性の封止樹脂液、例えばエポキシ樹脂系液をディスペ
ンサ−等で塗布し、この塗布液を絶縁基板と絶縁カバ−
板との隙間に表面張力で浸透させていく。この樹脂液の
浸透により絶縁基板の周囲縁端と絶縁カバ−板の周囲縁
端との間の塗布液が前記隙間に吸い込まれていき、この
部分の樹脂液の外面が凹曲傾斜面または直線傾斜面とさ
れ、樹脂の常温硬化をまって封止が完結される。このよ
うにして製造した本発明に係る基板型温度ヒュ−ズは、
リ−ド線を機器にはんだ付け等で接続して使用される。
このはんだ付け時の熱で温度ヒュ−ズの低融点可溶合金
片が損傷することのないように、リ−ド線には、熱伝導
性は低いが充分な電気導電性を保証できる銅メッキ鉄線
等を使用することもできる。
法で製造するには、絶縁基板１の片面にヒュ−ズ取付用
膜電極２１，２２を導電ぺ−スト（例えば、Ａｇペ−ス
ト、Ａｇ−Ｐｄペ−スト、Ａｇ−Ｐｔペ−スト等の銀系
ペ−スト、銅ペ−スト、金系ぺ−スト等）の印刷・焼付
けにより形成し、各膜電極２１，２２にリ−ド線３１，
３２を溶接またははんだ付け等により接続し、更に、ヒ
ュ−ズ取付用膜電極２１，２２間に低融点可溶合金片４
を溶接等により橋設し、この橋設低融点可溶合金片上に
フラックス５を塗布し、而るのち、前記絶縁基板１の片
面上に絶縁カバ−板６を載置する。次いで、絶縁基板１
の周囲縁端と絶縁カバ−板６の周囲縁端との間に常温硬
化性の封止樹脂液、例えばエポキシ樹脂系液をディスペ
ンサ−等で塗布し、この塗布液を絶縁基板と絶縁カバ−
板との隙間に表面張力で浸透させていく。この樹脂液の
浸透により絶縁基板の周囲縁端と絶縁カバ−板の周囲縁
端との間の塗布液が前記隙間に吸い込まれていき、この
部分の樹脂液の外面が凹曲傾斜面または直線傾斜面とさ
れ、樹脂の常温硬化をまって封止が完結される。このよ
うにして製造した本発明に係る基板型温度ヒュ−ズは、
リ−ド線を機器にはんだ付け等で接続して使用される。
このはんだ付け時の熱で温度ヒュ−ズの低融点可溶合金
片が損傷することのないように、リ−ド線には、熱伝導
性は低いが充分な電気導電性を保証できる銅メッキ鉄線
等を使用することもできる。
【００１１】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズにおいて
は、絶縁カバ−板に機械的に強靱なものを使用すること
によって、その厚みを充分に薄くでき、かつ、周囲の封
止樹脂の絶縁カバ−板上面側への盛り上がりや絶縁基板
下面側への食み出しがなく封止樹脂層が基板型温度ヒュ
−ズの厚みに実質的に関与することがないから、基板型
温度ヒュ−ズの厚みを全体的に充分に薄くできる。
は、絶縁カバ−板に機械的に強靱なものを使用すること
によって、その厚みを充分に薄くでき、かつ、周囲の封
止樹脂の絶縁カバ−板上面側への盛り上がりや絶縁基板
下面側への食み出しがなく封止樹脂層が基板型温度ヒュ
−ズの厚みに実質的に関与することがないから、基板型
温度ヒュ−ズの厚みを全体的に充分に薄くできる。
【００１２】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズは、上記
のラジアル型に対し図２に示すようなアキシャル型の形
式で実施することもできる。図２において、図１と同一
の符号は同一の構成要素を示している。
のラジアル型に対し図２に示すようなアキシャル型の形
式で実施することもできる。図２において、図１と同一
の符号は同一の構成要素を示している。
【００１３】図３の（イ）及び図３の（ロ）〔図３の
（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明により製造した
基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズを示している。図３に
おいて、１は耐熱性・熱良伝導性の絶縁基板、２１，２
２は絶縁基板１の片面に設けたヒュ−ズ取付用膜電極、
８１，８２は抵抗取付用膜電極、９１，９２はこれらの
各膜電極８１，８２に接続したリ−ド線である。８０は
抵抗取付用膜電極８１，８２間に設けた膜抵抗であり、
必要に応じガラスや樹脂の保護皮膜をコ−トすることが
できる。４は膜電極２１，２２間に接続した低融点可溶
合金片、５は低融点可溶合金片４上に塗布したフラック
スである。６は外郭が絶縁基板１の外郭よりも小とし、
かつ、厚みを絶縁基板１に較べて充分に薄くした絶縁カ
バ−板、７は絶縁基板１と絶縁カバ−板６との間を封止
した封止樹脂層である。
（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明により製造した
基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズを示している。図３に
おいて、１は耐熱性・熱良伝導性の絶縁基板、２１，２
２は絶縁基板１の片面に設けたヒュ−ズ取付用膜電極、
８１，８２は抵抗取付用膜電極、９１，９２はこれらの
各膜電極８１，８２に接続したリ−ド線である。８０は
抵抗取付用膜電極８１，８２間に設けた膜抵抗であり、
必要に応じガラスや樹脂の保護皮膜をコ−トすることが
できる。４は膜電極２１，２２間に接続した低融点可溶
合金片、５は低融点可溶合金片４上に塗布したフラック
スである。６は外郭が絶縁基板１の外郭よりも小とし、
かつ、厚みを絶縁基板１に較べて充分に薄くした絶縁カ
バ−板、７は絶縁基板１と絶縁カバ−板６との間を封止
した封止樹脂層である。
【００１４】この基板型温度ヒュ−ズを本発明に係る方
法で製造するには、絶縁基板１の片面にヒュ−ズ取付用
膜電極２１，２２及び抵抗取付用膜電極８１，８２を上
記と同様にして導電ぺ−ストの印刷・焼付けにより形成
し、各膜電極にリ−ド線３１，３２及び９１，９２を溶
接またははんだ付け等により接続し、また、抵抗取付用
膜電極８１，８２間に抵抗ぺ−スト（例えば、酸化ルテ
ニウム等の酸化金属粉末のペ−スト）の印刷・焼き付け
により膜抵抗８０を形成し、更に、ヒュ−ズ取付用膜電
極２１，２２間に低融点可溶合金片４を溶接等により橋
設し、この橋設低融点可溶合金片４上にフラックス５を
塗布し、而るのち、前記絶縁基板１の片面上に絶縁カバ
−板６を載置する。次いで、絶縁基板１の周囲縁端と絶
縁カバ−板６の周囲縁端との間に例えばエポキシ樹脂系
液をディスペンサ−等で塗布し、この塗布液を絶縁基板
１と絶縁カバ−板６との隙間に表面張力で浸透させ、絶
縁基板１の周囲縁端と絶縁カバ−板６の周囲縁端との間
の部分の樹脂液の外面を凹曲傾斜面または直線傾斜面と
させて樹脂の常温硬化をまって封止を完結させる。
法で製造するには、絶縁基板１の片面にヒュ−ズ取付用
膜電極２１，２２及び抵抗取付用膜電極８１，８２を上
記と同様にして導電ぺ−ストの印刷・焼付けにより形成
し、各膜電極にリ−ド線３１，３２及び９１，９２を溶
接またははんだ付け等により接続し、また、抵抗取付用
膜電極８１，８２間に抵抗ぺ−スト（例えば、酸化ルテ
ニウム等の酸化金属粉末のペ−スト）の印刷・焼き付け
により膜抵抗８０を形成し、更に、ヒュ−ズ取付用膜電
極２１，２２間に低融点可溶合金片４を溶接等により橋
設し、この橋設低融点可溶合金片４上にフラックス５を
塗布し、而るのち、前記絶縁基板１の片面上に絶縁カバ
−板６を載置する。次いで、絶縁基板１の周囲縁端と絶
縁カバ−板６の周囲縁端との間に例えばエポキシ樹脂系
液をディスペンサ−等で塗布し、この塗布液を絶縁基板
１と絶縁カバ−板６との隙間に表面張力で浸透させ、絶
縁基板１の周囲縁端と絶縁カバ−板６の周囲縁端との間
の部分の樹脂液の外面を凹曲傾斜面または直線傾斜面と
させて樹脂の常温硬化をまって封止を完結させる。
【００１５】このようにして製造した本発明に係る基板
型抵抗体付き・温度ヒュ−ズは、リ−ド線を機器にはん
だ付け等で接続して使用される。このはんだ付け時の熱
で温度ヒュ−ズの低融点可溶合金片が損傷することのな
いように、リ−ド線には、銅メッキ鉄線等を使用でき
る。
型抵抗体付き・温度ヒュ−ズは、リ−ド線を機器にはん
だ付け等で接続して使用される。このはんだ付け時の熱
で温度ヒュ−ズの低融点可溶合金片が損傷することのな
いように、リ−ド線には、銅メッキ鉄線等を使用でき
る。
【００１６】本発明に係る基板型抵抗体付き・温度ヒュ
−ズにおいては、上記本発明に係る基板型温度ヒュ−ズ
と同様、絶縁カバ−板に機械的に強靱なものを使用する
ことによって、その厚みを充分に薄くでき、かつ、周囲
の封止樹脂の絶縁カバ−板上面側への盛り上がりや絶縁
基板下面側への食み出しがなく封止樹脂層が基板型抵抗
体付き・温度ヒュ−ズの厚みに実質的に関与することが
ないから、基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの厚みを全
体的に充分に薄くできる。
−ズにおいては、上記本発明に係る基板型温度ヒュ−ズ
と同様、絶縁カバ−板に機械的に強靱なものを使用する
ことによって、その厚みを充分に薄くでき、かつ、周囲
の封止樹脂の絶縁カバ−板上面側への盛り上がりや絶縁
基板下面側への食み出しがなく封止樹脂層が基板型抵抗
体付き・温度ヒュ−ズの厚みに実質的に関与することが
ないから、基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの厚みを全
体的に充分に薄くできる。
【００１７】本発明において、絶縁カバ−板の外郭を小
さくし過ぎるとフラックス低融点可溶合金片を絶縁カバ
−板で覆うことができずその低融点可溶合金片の気密封
止や機械的保護に支障を来し、他方大きくし過ぎると絶
縁カバ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との巾が狭
くなって塗布樹脂が絶縁基板の周囲から垂れ易く、かつ
塗布樹脂量が少なくなって絶縁基板と絶縁カバ−板との
隙間を充分な深さで充填し難く、その結果封止性の不足
が招来される。従って、絶縁カバ−板の縦横寸法は、絶
縁カバ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との巾を
０．３〜２．０ｍｍとするように設定することが好まし
い。
さくし過ぎるとフラックス低融点可溶合金片を絶縁カバ
−板で覆うことができずその低融点可溶合金片の気密封
止や機械的保護に支障を来し、他方大きくし過ぎると絶
縁カバ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との巾が狭
くなって塗布樹脂が絶縁基板の周囲から垂れ易く、かつ
塗布樹脂量が少なくなって絶縁基板と絶縁カバ−板との
隙間を充分な深さで充填し難く、その結果封止性の不足
が招来される。従って、絶縁カバ−板の縦横寸法は、絶
縁カバ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲縁端との巾を
０．３〜２．０ｍｍとするように設定することが好まし
い。
【００１８】本発明において、封止用樹脂液の粘度は、
樹脂液の絶縁基板と絶縁カバ−板との隙間への浸透を容
易に行い得るように、常温で１００〜２００，０００ｃ
ｐｓとすることが好ましい。なお、これより高粘度の場
合は、塗布量の調整で前記要件を充たすことが可能であ
る。この封止樹脂には、常温硬化エポキシ樹脂液、紫外
線硬化エポキシ樹脂液のほか、熱硬化エポキシ樹脂液も
使用できる。基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズにおいて
は、抵抗取付用膜電極及び膜抵抗の厚さが薄く、これら
の部分では樹脂封止上の厚肉の問題が生じないから、絶
縁カバ−板をヒュ−ズ取付用膜電極及びフラックス塗布
低融点可溶合金片を覆い得るに足る外郭寸法とし（例え
ば、図３の（イ）において、２点鎖線より上の絶縁カバ
−部分とし）、絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基板との
間隙を封止樹脂液の浸透で封止し（例えば、図３の
（イ）において、２点鎖線より上の絶縁カバ−部分）、
抵抗取付用膜電極及び膜抵抗は封止樹脂液の塗布膜でコ
−トすることもできる。
樹脂液の絶縁基板と絶縁カバ−板との隙間への浸透を容
易に行い得るように、常温で１００〜２００，０００ｃ
ｐｓとすることが好ましい。なお、これより高粘度の場
合は、塗布量の調整で前記要件を充たすことが可能であ
る。この封止樹脂には、常温硬化エポキシ樹脂液、紫外
線硬化エポキシ樹脂液のほか、熱硬化エポキシ樹脂液も
使用できる。基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズにおいて
は、抵抗取付用膜電極及び膜抵抗の厚さが薄く、これら
の部分では樹脂封止上の厚肉の問題が生じないから、絶
縁カバ−板をヒュ−ズ取付用膜電極及びフラックス塗布
低融点可溶合金片を覆い得るに足る外郭寸法とし（例え
ば、図３の（イ）において、２点鎖線より上の絶縁カバ
−部分とし）、絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基板との
間隙を封止樹脂液の浸透で封止し（例えば、図３の
（イ）において、２点鎖線より上の絶縁カバ−部分）、
抵抗取付用膜電極及び膜抵抗は封止樹脂液の塗布膜でコ
−トすることもできる。
【００１９】図４は上記基板型抵抗体付き・温度ヒュ−
ズの一使用形態を示している。図４において、Ａは本発
明に係る基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズを、３は低融
点可溶合金片を、８０は膜抵抗を、３１，３２，８１，
８２は膜電極をそれぞれ示し、回路（例えば、リチウム
イオン二次電池）ｚと電源ｓとの間に当該抵抗体付き・
温度ヒュ−ズＡと過電圧検出通電回路Ｆ（トランジスタ
−Ｔｒのベ−ス側にツエナダイオ−ドＤを接続）とを挿
入し、回路ｚにツエナダイオ−ド封止樹脂液の降伏電圧
以上の逆電圧が作用すると、ベ−ス電流が流れ、このベ
−ス電流に応じてコレクタ電流が流れて膜抵抗８０が通
電発熱し、この発生熱が低融点可溶合金片３に伝達され
て低融点可溶合金片３が溶断され回路ｚが電源ｓから遮
断される。この膜抵抗の発熱量がリ−ド線を伝って漏洩
するのを抑制して膜抵抗の温度上昇速度を速めて作動速
度の迅速化を図るために、抵抗取付用膜電極に接続する
リ−ド線には、銅メッキ鉄線等を使用することが好まし
い。
ズの一使用形態を示している。図４において、Ａは本発
明に係る基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズを、３は低融
点可溶合金片を、８０は膜抵抗を、３１，３２，８１，
８２は膜電極をそれぞれ示し、回路（例えば、リチウム
イオン二次電池）ｚと電源ｓとの間に当該抵抗体付き・
温度ヒュ−ズＡと過電圧検出通電回路Ｆ（トランジスタ
−Ｔｒのベ−ス側にツエナダイオ−ドＤを接続）とを挿
入し、回路ｚにツエナダイオ−ド封止樹脂液の降伏電圧
以上の逆電圧が作用すると、ベ−ス電流が流れ、このベ
−ス電流に応じてコレクタ電流が流れて膜抵抗８０が通
電発熱し、この発生熱が低融点可溶合金片３に伝達され
て低融点可溶合金片３が溶断され回路ｚが電源ｓから遮
断される。この膜抵抗の発熱量がリ−ド線を伝って漏洩
するのを抑制して膜抵抗の温度上昇速度を速めて作動速
度の迅速化を図るために、抵抗取付用膜電極に接続する
リ−ド線には、銅メッキ鉄線等を使用することが好まし
い。
【００２０】この基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズにお
いては、回路との結線状態に応じリ−ド線とそれに伴う
膜電極の配置を適宜に選定でき、例えば、図５に示すよ
うな構成とすることもできる。図５において、電極２８
はヒュ−ズ取付用膜電極と抵抗取付用膜電極との共用膜
電極を、３９はこの膜電極２８に接続した共用リ−ド線
をそれぞれ示している。また、図３と同一の符号は同一
の構成要素を示している。
いては、回路との結線状態に応じリ−ド線とそれに伴う
膜電極の配置を適宜に選定でき、例えば、図５に示すよ
うな構成とすることもできる。図５において、電極２８
はヒュ−ズ取付用膜電極と抵抗取付用膜電極との共用膜
電極を、３９はこの膜電極２８に接続した共用リ−ド線
をそれぞれ示している。また、図３と同一の符号は同一
の構成要素を示している。
【００２１】
〔実施例１〕図１において、絶縁基板に厚さ０．５ｍ
ｍ、横（リ−ド線方向の長さ）８ｍｍ、縦６ｍｍのセラ
ミックス板を、低融点可溶合金片には線径０．３ｍｍφ
を圧延して０．４５ｍｍ×．１５ｍｍにした融点１１０
℃のものを、リ−ド線には１．０ｍｍ×．３ｍｍのはん
だメッキ扁平導線を、フラックスにはロジン系を、絶縁
カバ−板に厚さ０．３ｍｍ、横６ｍｍ、縦４ｍｍのセラ
ミックス板をそれぞれ使用し、封止樹脂液には低粘度
（常温で５０，０００ｃｐｓ）の常温硬化型エポキシ系
樹脂液を使用した。 〔実施例２〕絶縁カバ−板に厚み０．０５ｍｍ、横６ｍ
ｍ、縦４ｍｍのポリエチレンテレフタレ−トフィルムを
使用した以外、実施例１に同じとした。 〔比較例〕実施例１の絶縁カバ−板と低粘度封止樹脂液
による封止に代え、絶縁基板の片面上を低融点可溶合金
片の形が現れないように高粘度の常温硬化型エポキシ系
樹脂で封止した以外、実施例１に同じとした、
ｍ、横（リ−ド線方向の長さ）８ｍｍ、縦６ｍｍのセラ
ミックス板を、低融点可溶合金片には線径０．３ｍｍφ
を圧延して０．４５ｍｍ×．１５ｍｍにした融点１１０
℃のものを、リ−ド線には１．０ｍｍ×．３ｍｍのはん
だメッキ扁平導線を、フラックスにはロジン系を、絶縁
カバ−板に厚さ０．３ｍｍ、横６ｍｍ、縦４ｍｍのセラ
ミックス板をそれぞれ使用し、封止樹脂液には低粘度
（常温で５０，０００ｃｐｓ）の常温硬化型エポキシ系
樹脂液を使用した。 〔実施例２〕絶縁カバ−板に厚み０．０５ｍｍ、横６ｍ
ｍ、縦４ｍｍのポリエチレンテレフタレ−トフィルムを
使用した以外、実施例１に同じとした。 〔比較例〕実施例１の絶縁カバ−板と低粘度封止樹脂液
による封止に代え、絶縁基板の片面上を低融点可溶合金
片の形が現れないように高粘度の常温硬化型エポキシ系
樹脂で封止した以外、実施例１に同じとした、
【００２２】これらの実施例品及び比較例品につき厚み
を測定したところ（各試料数５０個）、比較例品の平均
厚さ２．７６ｍｍに対し、実施例品１の平均厚さは１．
８２ｍｍ、実施例品２の平均厚さは１．６１ｍｍであ
り、実施例品厚さの６６％〜５８％にできた。
を測定したところ（各試料数５０個）、比較例品の平均
厚さ２．７６ｍｍに対し、実施例品１の平均厚さは１．
８２ｍｍ、実施例品２の平均厚さは１．６１ｍｍであ
り、実施例品厚さの６６％〜５８％にできた。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、基板型温度ヒュ−ズま
たは基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズにおいて、絶縁カ
バ−板と樹脂とを用いて封止しているが、樹脂が基板型
温度ヒュ−ズまたは基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの
厚みに実質的に関与しないようにしてあるから、絶縁カ
バ−板に絶縁基板に較べて充分に薄いものを使用するこ
とにより基板型温度ヒュ−ズまたは基板型抵抗体付き・
温度ヒュ−ズの厚さを全体的に薄くできる。
たは基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズにおいて、絶縁カ
バ−板と樹脂とを用いて封止しているが、樹脂が基板型
温度ヒュ−ズまたは基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの
厚みに実質的に関与しないようにしてあるから、絶縁カ
バ−板に絶縁基板に較べて充分に薄いものを使用するこ
とにより基板型温度ヒュ−ズまたは基板型抵抗体付き・
温度ヒュ−ズの厚さを全体的に薄くできる。
【図１】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズを示す図面で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズの別実施例を
示す図面である。
示す図面である。
【図３】本発明に係る基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ
を示す図面である。
を示す図面である。
【図４】図３に示す基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの
使用状態を示す図面である。
使用状態を示す図面である。
【図５】本発明に係る基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ
の別実施例を示す図面である。
の別実施例を示す図面である。
【図６】従来の基板型温度ヒュ−ズを示す図面である。
１ 絶縁基板 ２１，２２ ヒュ−ズ取付用膜電極 ３１，３２ リ−ド線 ４ 低融点可溶合金片 ５ フラックス ６ 絶縁カバ−板 ７ 封止樹脂 ８０ 膜抵抗 ８１，８２ 抵抗取付用膜電極 ９１，９２ リ−ド線 ２８ 共用膜電極 ３９ 共用リ−ド線
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極を
形成し、その膜電極間に低融点可溶合金片を橋設し、該
低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、前記絶縁基板
よりも小なる外郭の絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上
に配し、この絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基板の周囲
端部との間隙に封止樹脂を充填し、その封止樹脂の絶縁
カバ−板周囲縁端と絶縁基板周囲縁端との間の外面を凹
曲傾斜面または直線傾斜面としたことを特徴とする基板
型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項２】絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極及
び抵抗取付用膜電極を形成し、膜電極間に低融点可溶合
金片を、抵抗取付用膜電極間に膜抵抗をそれぞれ橋設
し、その低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、前記
絶縁基板よりも小なる外郭の絶縁カバ−板を同絶縁基板
の片面上に配し、この絶縁カバ−板の周囲端部と絶縁基
板の周囲端部との間隙に封止樹脂を充填し、その封止樹
脂の絶縁カバ−板周囲縁端と絶縁基板周囲縁端との間の
外面を凹曲傾斜面または直線傾斜面としたことを特徴と
する基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズ。 - 【請求項３】絶縁カバ−板がヒュ−ズ取付用膜電極及び
フラックス塗布低融点可溶合金片を覆い得るに足る外郭
寸法である請求項２記載の基板型抵抗体付き・温度ヒュ
−ズ。 - 【請求項４】絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極を
形成し、その膜電極間に低融点可溶合金片を橋設し、該
低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、前記絶縁基板
よりも小なる外郭の絶縁カバ−板を同絶縁基板の片面上
に配し、この絶縁カバ−板の周囲縁端と絶縁基板の周囲
縁端との間に封止樹脂液を塗布して絶縁基板と絶縁カバ
−板との間隙に封止樹脂液を浸透させることを特徴とす
る基板型温度ヒュ−ズの製造方法。 - 【請求項５】絶縁基板の片面にヒュ−ズ取付用膜電極及
び抵抗取付用膜電極を形成し、ヒュ−ズ取付用膜電極間
に低融点可溶合金片を、抵抗取付用膜電極間に膜抵抗を
それぞれ橋設し、その低融点可溶合金片にフラックスを
塗布し、前記絶縁基板よりも小なる外郭の絶縁カバ−板
を同絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カバ−板の周囲
縁端と絶縁基板の周囲縁端との間に封止樹脂液を塗布し
て絶縁基板と絶縁カバ−板との間隙に封止樹脂液を浸透
させることを特徴とする基板型抵抗体付き・温度ヒュ−
ズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28795597A JP4015240B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 基板型温度ヒュ−ズの製造方法及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28795597A JP4015240B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 基板型温度ヒュ−ズの製造方法及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111138A true JPH11111138A (ja) | 1999-04-23 |
| JP4015240B2 JP4015240B2 (ja) | 2007-11-28 |
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ID=17723915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28795597A Expired - Fee Related JP4015240B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 基板型温度ヒュ−ズの製造方法及び基板型抵抗体付き・温度ヒュ−ズの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4015240B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020047722A (ko) * | 2000-12-14 | 2002-06-22 | 홍정표 | 피코퓨즈 및 그 제조방법 |
| WO2004070758A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Sony Chemicals Corp. | 保護素子 |
| US7088216B2 (en) | 2003-02-05 | 2006-08-08 | Sony Chemicals Corp. | Protective device |
| KR101058946B1 (ko) | 2010-09-07 | 2011-08-26 | 에스씨테크닉스 주식회사 | 다층 구조의 몰딩층이 형성된 시간지연 마이크로 퓨즈 및 그 제조방법 |
| CN115136303A (zh) * | 2020-03-30 | 2022-09-30 | 华为技术有限公司 | 埋入式基板、电路板组件及电子设备 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP28795597A patent/JP4015240B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020047722A (ko) * | 2000-12-14 | 2002-06-22 | 홍정표 | 피코퓨즈 및 그 제조방법 |
| WO2004070758A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Sony Chemicals Corp. | 保護素子 |
| US7088216B2 (en) | 2003-02-05 | 2006-08-08 | Sony Chemicals Corp. | Protective device |
| KR101058946B1 (ko) | 2010-09-07 | 2011-08-26 | 에스씨테크닉스 주식회사 | 다층 구조의 몰딩층이 형성된 시간지연 마이크로 퓨즈 및 그 제조방법 |
| CN115136303A (zh) * | 2020-03-30 | 2022-09-30 | 华为技术有限公司 | 埋入式基板、电路板组件及电子设备 |
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|---|---|
| JP4015240B2 (ja) | 2007-11-28 |
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