JPH11111575A - 固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法Info
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- JPH11111575A JPH11111575A JP9275477A JP27547797A JPH11111575A JP H11111575 A JPH11111575 A JP H11111575A JP 9275477 A JP9275477 A JP 9275477A JP 27547797 A JP27547797 A JP 27547797A JP H11111575 A JPH11111575 A JP H11111575A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多孔質陽極体中の酸素濃度を低減させる効果
を十分に発揮できるとともに、誘電体酸化皮膜中の欠陥
部の減少も図れて漏れ電流を低減させることができ、こ
れにより、寿命特性試験の際の信頼性を高めることがで
きる固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 陽極リードを植設した状態でタンタル粉
末を加圧成形することにより成形体を形成し、かつこの
成形体を高温高真空中または不活性ガス中においてタン
タルと比べて酸素親和力の強い物質を共存させて焼結す
ることにより多孔質陽極体を構成し、さらにこの多孔質
陽極体を酸で洗浄するようにしたものである。
を十分に発揮できるとともに、誘電体酸化皮膜中の欠陥
部の減少も図れて漏れ電流を低減させることができ、こ
れにより、寿命特性試験の際の信頼性を高めることがで
きる固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 陽極リードを植設した状態でタンタル粉
末を加圧成形することにより成形体を形成し、かつこの
成形体を高温高真空中または不活性ガス中においてタン
タルと比べて酸素親和力の強い物質を共存させて焼結す
ることにより多孔質陽極体を構成し、さらにこの多孔質
陽極体を酸で洗浄するようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体電解コンデンサ
における多孔質陽極体の製造方法に関するものである。
における多孔質陽極体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、タンタル固体電解コンデンサ
は、弁作用金属からなる陽極導出線を植設した状態でタ
ンタル粉末を加圧成形することにより成形体を形成し、
かつこの成形体を高温高真空中で焼結することにより多
孔質陽極体を構成し、その後、この多孔質陽極体の表面
に誘電体酸化皮膜層、半導体層、カーボン層、銀ペイン
ト層を順次形成してコンデンサ素子を構成している。こ
の多孔質陽極体の固体電解コンデンサへの適用において
は多孔質陽極体中の不純物濃度、特に酸素濃度が特性に
及ぼす影響は非常に重要となるもので、つまり多孔質陽
極体中の全酸素濃度が３０００ｐｐｍ以上の場合、多孔
質陽極体を陽極酸化することにより形成した誘電体酸化
皮膜層中には、特に５０Ｖ以上の皮膜形成電圧において
は、皮膜欠陥が多数発生する。
は、弁作用金属からなる陽極導出線を植設した状態でタ
ンタル粉末を加圧成形することにより成形体を形成し、
かつこの成形体を高温高真空中で焼結することにより多
孔質陽極体を構成し、その後、この多孔質陽極体の表面
に誘電体酸化皮膜層、半導体層、カーボン層、銀ペイン
ト層を順次形成してコンデンサ素子を構成している。こ
の多孔質陽極体の固体電解コンデンサへの適用において
は多孔質陽極体中の不純物濃度、特に酸素濃度が特性に
及ぼす影響は非常に重要となるもので、つまり多孔質陽
極体中の全酸素濃度が３０００ｐｐｍ以上の場合、多孔
質陽極体を陽極酸化することにより形成した誘電体酸化
皮膜層中には、特に５０Ｖ以上の皮膜形成電圧において
は、皮膜欠陥が多数発生する。
【０００３】この欠陥数と漏れ電流の間には、図２に示
すような正の相関関係があり、欠陥数が多いほど漏れ電
流が多いもので、この結果、酸素濃度の増大は漏れ電流
の増大を招く。また、欠陥数が多いほど寿命特性も悪化
するもので、従来は多孔質陽極体の酸素濃度を低減させ
るために、タンタル粉末を加圧成形することにより形成
した成形体を真空中で焼結することにより多孔質陽極体
を構成した後、この多孔質陽極体を焼結炉から取り出
し、改めて、真空中または不活性ガス中で焼結した温度
より低い温度で、多孔質陽極体をマグネシウムの共存下
で熱処理することにより酸素を還元するようにしてい
た。
すような正の相関関係があり、欠陥数が多いほど漏れ電
流が多いもので、この結果、酸素濃度の増大は漏れ電流
の増大を招く。また、欠陥数が多いほど寿命特性も悪化
するもので、従来は多孔質陽極体の酸素濃度を低減させ
るために、タンタル粉末を加圧成形することにより形成
した成形体を真空中で焼結することにより多孔質陽極体
を構成した後、この多孔質陽極体を焼結炉から取り出
し、改めて、真空中または不活性ガス中で焼結した温度
より低い温度で、多孔質陽極体をマグネシウムの共存下
で熱処理することにより酸素を還元するようにしてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】タンタル粉末は、酸素
に対して大きな親和性を有するものであり、またタンタ
ル粉末を加圧成形することにより形成された成形体の焼
結および焼結後の大気への暴露は酸素濃度の増加を導く
ものである。近年、固体電解コンデンサの小型化、大容
量化のため、使用するタンタル粉末の高ＣＶ値化が進ん
でいる。高ＣＶ値粉末ほど粉末粒子径が小さいため、表
面積が大きい。タンタル粉末および焼結した多孔質陽極
体中の酸素量は暴露する多孔質陽極体の表面積に比例す
るため、使用するタンタル粉末が高ＣＶ値になるほど、
大気中の酸素が吸着されて、高い酸素濃度を示す。
に対して大きな親和性を有するものであり、またタンタ
ル粉末を加圧成形することにより形成された成形体の焼
結および焼結後の大気への暴露は酸素濃度の増加を導く
ものである。近年、固体電解コンデンサの小型化、大容
量化のため、使用するタンタル粉末の高ＣＶ値化が進ん
でいる。高ＣＶ値粉末ほど粉末粒子径が小さいため、表
面積が大きい。タンタル粉末および焼結した多孔質陽極
体中の酸素量は暴露する多孔質陽極体の表面積に比例す
るため、使用するタンタル粉末が高ＣＶ値になるほど、
大気中の酸素が吸着されて、高い酸素濃度を示す。
【０００５】また、従来の技術で示したように多孔質陽
極体の酸素濃度を低減させるために、真空中または不活
性ガス中で焼結した温度より低い温度で、多孔質陽極体
をマグネシウムの共存下で熱処理することにより酸素を
還元する方法は、焼結以外に熱処理工程が増えるため、
この熱処理工程の追加により、多孔質陽極体の熱処理後
の大気中への暴露回数が増えるために酸素濃度が増加す
るもので、これにより、酸素濃度低減効果は十分ではな
く、しかもコンデンサ素子の容量（ＣＶ値）が、高温の
熱履歴時間の増加に伴って減少するという問題点も有し
ていた。
極体の酸素濃度を低減させるために、真空中または不活
性ガス中で焼結した温度より低い温度で、多孔質陽極体
をマグネシウムの共存下で熱処理することにより酸素を
還元する方法は、焼結以外に熱処理工程が増えるため、
この熱処理工程の追加により、多孔質陽極体の熱処理後
の大気中への暴露回数が増えるために酸素濃度が増加す
るもので、これにより、酸素濃度低減効果は十分ではな
く、しかもコンデンサ素子の容量（ＣＶ値）が、高温の
熱履歴時間の増加に伴って減少するという問題点も有し
ていた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、多孔質陽極体中の酸素濃度を低減させる効果を十分
に発揮できるとともに、誘電体酸化皮膜中の欠陥部の減
少も図れて漏れ電流を低減させることができ、これによ
り、寿命特性試験の際の信頼性を高めることができる固
体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法を提
供することを目的とするものである。
で、多孔質陽極体中の酸素濃度を低減させる効果を十分
に発揮できるとともに、誘電体酸化皮膜中の欠陥部の減
少も図れて漏れ電流を低減させることができ、これによ
り、寿命特性試験の際の信頼性を高めることができる固
体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法を提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の
製造方法は、陽極リードを植設した状態でタンタル粉末
を加圧成形することにより成形体を形成し、かつこの成
形体を高温高真空中または不活性ガス中においてタンタ
ルと比べて酸素親和力の強い物質を共存させて焼結する
ことにより多孔質陽極体を構成し、さらにこの多孔質陽
極体を酸で洗浄するようにしたもので、この製造方法に
よれば、多孔質陽極体中の酸素濃度を低減させる効果を
十分に発揮できるとともに、誘電体酸化皮膜中の欠陥部
の減少も図れて漏れ電流を低減させることができ、これ
により、寿命特性試験の際の信頼性を高めることができ
るものである。
に本発明の固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の
製造方法は、陽極リードを植設した状態でタンタル粉末
を加圧成形することにより成形体を形成し、かつこの成
形体を高温高真空中または不活性ガス中においてタンタ
ルと比べて酸素親和力の強い物質を共存させて焼結する
ことにより多孔質陽極体を構成し、さらにこの多孔質陽
極体を酸で洗浄するようにしたもので、この製造方法に
よれば、多孔質陽極体中の酸素濃度を低減させる効果を
十分に発揮できるとともに、誘電体酸化皮膜中の欠陥部
の減少も図れて漏れ電流を低減させることができ、これ
により、寿命特性試験の際の信頼性を高めることができ
るものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、陽極リードを植設した状態でタンタル粉末を加圧成
形することにより成形体を形成し、かつこの成形体を高
温高真空中または不活性ガス中においてタンタルと比べ
て酸素親和力の強い物質を共存させて焼結することによ
り多孔質陽極体を構成し、さらにこの多孔質陽極体を酸
で洗浄するようにしたもので、この製造方法によれば、
焼結工程において、タンタル粉末を加圧成形することに
より形成された成形体の表面に吸着している酸素ならび
にタンタル粉末中に溶存している酸素は、酸素親和力の
強い共存物質と反応して脱酸素が行われるため、従来の
ように焼結後に改めて脱酸素熱処理を行う場合に比べ
て、酸素濃度の低い多孔質陽極体を得ることができ、か
つＣＶ値の減少も少ない。また、前記多孔質陽極体は酸
で洗浄して余分の残渣を除去するようにしているため、
共存物質残渣による誘電体酸化皮膜中の欠陥部は減少
し、これにより、漏れ電流特性の悪化を防止することが
できる。この結果、寿命特性面においても著しい向上が
図れるものである。
は、陽極リードを植設した状態でタンタル粉末を加圧成
形することにより成形体を形成し、かつこの成形体を高
温高真空中または不活性ガス中においてタンタルと比べ
て酸素親和力の強い物質を共存させて焼結することによ
り多孔質陽極体を構成し、さらにこの多孔質陽極体を酸
で洗浄するようにしたもので、この製造方法によれば、
焼結工程において、タンタル粉末を加圧成形することに
より形成された成形体の表面に吸着している酸素ならび
にタンタル粉末中に溶存している酸素は、酸素親和力の
強い共存物質と反応して脱酸素が行われるため、従来の
ように焼結後に改めて脱酸素熱処理を行う場合に比べ
て、酸素濃度の低い多孔質陽極体を得ることができ、か
つＣＶ値の減少も少ない。また、前記多孔質陽極体は酸
で洗浄して余分の残渣を除去するようにしているため、
共存物質残渣による誘電体酸化皮膜中の欠陥部は減少
し、これにより、漏れ電流特性の悪化を防止することが
できる。この結果、寿命特性面においても著しい向上が
図れるものである。
【０００９】請求項２に記載の発明は、成形体の焼結に
おいて共存させる物質を、バナジウム、ホウ素、リチウ
ム、カルシウム、バリウム、ランタンのうちのいずれか
の物質、またはリチウム、マグネシウム、アルミニウム
のうちのいずれかの物質と、バリウム、ホウ素、カルシ
ウム、ランタン、チタン、シリコン、炭素のうちのいず
れかの物質とを混合した物質に特定したもので、特に、
融点が７００度以下のリチウム、マグネシウム、アルミ
ニウムのうちのいずれかの物質と、融点が７００度を超
えるバリウム、ホウ素、カルシウム、ランタン、チタ
ン、シリコン、炭素のうちのいずれかの物質とを混合し
た場合、蒸発しやすい物質と、比較的融点が高く、蒸発
しにくい物質の２種類以上の融点温度域の異なる物質が
共存することになり、これにより、焼結工程中に効果的
に酸素除去能力が持続するため、酸素濃度の低い多孔質
陽極体を得ることができ、かつ焼結後に改めてマグネシ
ウムによる還元熱処理を行う場合に比べてＣＶ値の減少
も少ないものである。
おいて共存させる物質を、バナジウム、ホウ素、リチウ
ム、カルシウム、バリウム、ランタンのうちのいずれか
の物質、またはリチウム、マグネシウム、アルミニウム
のうちのいずれかの物質と、バリウム、ホウ素、カルシ
ウム、ランタン、チタン、シリコン、炭素のうちのいず
れかの物質とを混合した物質に特定したもので、特に、
融点が７００度以下のリチウム、マグネシウム、アルミ
ニウムのうちのいずれかの物質と、融点が７００度を超
えるバリウム、ホウ素、カルシウム、ランタン、チタ
ン、シリコン、炭素のうちのいずれかの物質とを混合し
た場合、蒸発しやすい物質と、比較的融点が高く、蒸発
しにくい物質の２種類以上の融点温度域の異なる物質が
共存することになり、これにより、焼結工程中に効果的
に酸素除去能力が持続するため、酸素濃度の低い多孔質
陽極体を得ることができ、かつ焼結後に改めてマグネシ
ウムによる還元熱処理を行う場合に比べてＣＶ値の減少
も少ないものである。
【００１０】次に本発明の具体的な実施の形態と従来例
１、従来例２について説明する。 （実施の形態）タンタル線からなる陽極リードを植設し
た状態でタンタル粉末１５０ｍｇをφ３．０×４．０mm
の円柱型に加圧成形することにより成形体を形成し、次
にこの成形体を炭素、マグネシウムを共存させて焼結す
ることにより多孔質陽極体を構成した。この場合、成形
体の焼結は温度と真空度を変えて２段階で行っていくも
ので、前段の焼結は温度が１０００度、真空度が１０-1
Ｐａの真空中において２０分間行い、かつ後段の焼結は
温度が１４００度の高温、真空度が１０-3Ｐａの高真空
中において２０分間行うことにより多孔質陽極体を構成
した。その後、この多孔質陽極体を塩酸で洗浄して、余
分の炭素、マグネシウムを除去した。
１、従来例２について説明する。 （実施の形態）タンタル線からなる陽極リードを植設し
た状態でタンタル粉末１５０ｍｇをφ３．０×４．０mm
の円柱型に加圧成形することにより成形体を形成し、次
にこの成形体を炭素、マグネシウムを共存させて焼結す
ることにより多孔質陽極体を構成した。この場合、成形
体の焼結は温度と真空度を変えて２段階で行っていくも
ので、前段の焼結は温度が１０００度、真空度が１０-1
Ｐａの真空中において２０分間行い、かつ後段の焼結は
温度が１４００度の高温、真空度が１０-3Ｐａの高真空
中において２０分間行うことにより多孔質陽極体を構成
した。その後、この多孔質陽極体を塩酸で洗浄して、余
分の炭素、マグネシウムを除去した。
【００１１】（従来例１）タンタル線からなる陽極リー
ドを植設した状態でタンタル粉末１５０ｍｇをφ３．０
×４．０mmの円柱型に加圧成形することにより成形体を
形成し、かつこの成形体を温度が１４００度の高温、真
空度が１０-3Ｐａの高真空中において２０分間焼結する
ことにより多孔質陽極体を構成した。
ドを植設した状態でタンタル粉末１５０ｍｇをφ３．０
×４．０mmの円柱型に加圧成形することにより成形体を
形成し、かつこの成形体を温度が１４００度の高温、真
空度が１０-3Ｐａの高真空中において２０分間焼結する
ことにより多孔質陽極体を構成した。
【００１２】（従来例２）タンタル線からなる陽極リー
ドを植設した状態でタンタル粉末１５０ｍｇをφ３．０
×４．０mmの円柱型に加圧成形することにより成形体を
形成し、かつこの成形体を温度が１４００度の高温、真
空度が１０-3Ｐａの高真空中において２０分間焼結する
ことにより多孔質陽極体を構成した。この後、多孔質陽
極体を焼結炉から取り出し、改めて真空度が１０-1Ｐａ
の真空中で焼結した温度より低い温度の１０００度で、
多孔質陽極体をマグネシウムの共存下で２０分間熱処理
した。その後、この多孔質陽極体を塩酸で洗浄して、余
分のマグネシウムを除去した。
ドを植設した状態でタンタル粉末１５０ｍｇをφ３．０
×４．０mmの円柱型に加圧成形することにより成形体を
形成し、かつこの成形体を温度が１４００度の高温、真
空度が１０-3Ｐａの高真空中において２０分間焼結する
ことにより多孔質陽極体を構成した。この後、多孔質陽
極体を焼結炉から取り出し、改めて真空度が１０-1Ｐａ
の真空中で焼結した温度より低い温度の１０００度で、
多孔質陽極体をマグネシウムの共存下で２０分間熱処理
した。その後、この多孔質陽極体を塩酸で洗浄して、余
分のマグネシウムを除去した。
【００１３】（表１）は、本発明の実施の形態と従来例
１，２で得られたそれぞれの多孔質陽極体に０．５ｗｔ
％のリン酸水溶液中で５０Ｖ、２時間の陽極酸化を実施
して、誘電体酸化皮膜を形成した後、この誘電体酸化皮
膜を形成した多孔質陽極体に０．０２ｗｔ％のリン酸水
溶液中で３５Ｖの電圧を印加して、２分間充電した後の
漏れ電流を測定した結果を示したものである。
１，２で得られたそれぞれの多孔質陽極体に０．５ｗｔ
％のリン酸水溶液中で５０Ｖ、２時間の陽極酸化を実施
して、誘電体酸化皮膜を形成した後、この誘電体酸化皮
膜を形成した多孔質陽極体に０．０２ｗｔ％のリン酸水
溶液中で３５Ｖの電圧を印加して、２分間充電した後の
漏れ電流を測定した結果を示したものである。
【００１４】
【表１】 （表１）から明らかなように、従来例１，２の多孔質陽
極体に比べて、本発明の実施の形態における多孔質陽極
体は共存物質による酸素除去効果を有するため、多孔質
陽極体における酸素濃度の低減が見られ、その結果、漏
れ電流値が低減することが確認できた。しかも、熱履歴
が少ないため、従来例２に見られるようなＣＶ値の大幅
な減少も見られなかった。
極体に比べて、本発明の実施の形態における多孔質陽極
体は共存物質による酸素除去効果を有するため、多孔質
陽極体における酸素濃度の低減が見られ、その結果、漏
れ電流値が低減することが確認できた。しかも、熱履歴
が少ないため、従来例２に見られるようなＣＶ値の大幅
な減少も見られなかった。
【００１５】この後、本発明の実施の形態と従来例１で
得られた多孔質陽極体の誘電体酸化皮膜表面に半導体
層、カーボン層、銀ペイント層を順次形成してコンデン
サ素子を構成した後、外部引き出し用の陰極リードおよ
び陽極リードを引き出し、その後、樹脂外装を施してタ
ンタル固体電解コンデンサを構成した。
得られた多孔質陽極体の誘電体酸化皮膜表面に半導体
層、カーボン層、銀ペイント層を順次形成してコンデン
サ素子を構成した後、外部引き出し用の陰極リードおよ
び陽極リードを引き出し、その後、樹脂外装を施してタ
ンタル固体電解コンデンサを構成した。
【００１６】そして、これらのタンタル固体電解コンデ
ンサについて８５℃１６Ｖ印加の高温負荷試験を１００
０時間実施した。この試験結果を図１に示す。この図１
から明らかなように１０００時間後においては、従来例
１の多孔質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデン
サの漏れ電流の増加に比べて、本発明の実施の形態のよ
うな焼結方法で焼結を行った多孔質陽極体を使用したタ
ンタル固体電解コンデンサは多孔質陽極体の酸素含有量
が低いため、漏れ電流の劣化度合いが少なく、この結果
からも高温負荷寿命試験の信頼性が改善されることが確
認できた。
ンサについて８５℃１６Ｖ印加の高温負荷試験を１００
０時間実施した。この試験結果を図１に示す。この図１
から明らかなように１０００時間後においては、従来例
１の多孔質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデン
サの漏れ電流の増加に比べて、本発明の実施の形態のよ
うな焼結方法で焼結を行った多孔質陽極体を使用したタ
ンタル固体電解コンデンサは多孔質陽極体の酸素含有量
が低いため、漏れ電流の劣化度合いが少なく、この結果
からも高温負荷寿命試験の信頼性が改善されることが確
認できた。
【００１７】なお、上記本発明の実施の形態において
は、タンタル粉末を加圧成形することにより形成した成
形体を焼結して多孔質陽極体を構成する場合、高温高真
空中において炭素、マグネシウムを共存させて焼結を行
ったものについて説明したが、この共存させる物質は、
これに限定されるものではなく、これ以外の例えば、バ
ナジウム、ホウ素、リチウム、カルシウム、バリウム、
ランタンのうちのいずれかの物質、またはリチウム、ア
ルミニウムのうちのいずれかの物質と、バリウム、ホウ
素、カルシウム、ランタン、チタン、シリコンのうちの
いずれかの物質とを混合した物質を用いてもよく、これ
らの物質はタンタルと比べて、酸素親和力の強い物質で
あるため、上記本発明の実施の形態と同様の効果が得ら
れるものである。
は、タンタル粉末を加圧成形することにより形成した成
形体を焼結して多孔質陽極体を構成する場合、高温高真
空中において炭素、マグネシウムを共存させて焼結を行
ったものについて説明したが、この共存させる物質は、
これに限定されるものではなく、これ以外の例えば、バ
ナジウム、ホウ素、リチウム、カルシウム、バリウム、
ランタンのうちのいずれかの物質、またはリチウム、ア
ルミニウムのうちのいずれかの物質と、バリウム、ホウ
素、カルシウム、ランタン、チタン、シリコンのうちの
いずれかの物質とを混合した物質を用いてもよく、これ
らの物質はタンタルと比べて、酸素親和力の強い物質で
あるため、上記本発明の実施の形態と同様の効果が得ら
れるものである。
【００１８】また、本発明の実施の形態においては、成
形体の焼結を高温高真空中で行ったものについて説明し
たが、不活性ガス中において成形体の焼結を行っても、
上記本発明の実施の形態と同様の効果が得られるもので
ある。
形体の焼結を高温高真空中で行ったものについて説明し
たが、不活性ガス中において成形体の焼結を行っても、
上記本発明の実施の形態と同様の効果が得られるもので
ある。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明の固体電解コンデン
サにおける多孔質陽極体の製造方法は、陽極リードを植
設した状態でタンタル粉末を加圧成形することにより成
形体を形成し、かつこの成形体を高温高真空中または不
活性ガス中においてタンタルと比べて酸素親和力の強い
物質を共存させて焼結することにより多孔質陽極体を構
成し、さらにこの多孔質陽極体を酸で洗浄するようにし
たもので、この製造方法によれば、焼結工程においてタ
ンタル粉末を加圧成形することにより形成された成形体
の表面に吸着している酸素ならびにタンタル粉末中に溶
存している酸素は、酸素親和力の強い共存物質と反応し
て脱酸素が行われるため、従来のように焼結後に改めて
脱酸素熱処理を行う場合に比べて、酸素濃度の低い多孔
質陽極体を得ることができ、かつＣＶ値の減少も少な
い。また、前記多孔質陽極体は酸で洗浄して余分の残渣
を除去するようにしているため、共存物質残渣による誘
電体酸化皮膜中の欠陥部は減少し、これにより、漏れ電
流特性の悪化を防止することができる。この結果、寿命
特性面においても著しい向上が図れるものである。
サにおける多孔質陽極体の製造方法は、陽極リードを植
設した状態でタンタル粉末を加圧成形することにより成
形体を形成し、かつこの成形体を高温高真空中または不
活性ガス中においてタンタルと比べて酸素親和力の強い
物質を共存させて焼結することにより多孔質陽極体を構
成し、さらにこの多孔質陽極体を酸で洗浄するようにし
たもので、この製造方法によれば、焼結工程においてタ
ンタル粉末を加圧成形することにより形成された成形体
の表面に吸着している酸素ならびにタンタル粉末中に溶
存している酸素は、酸素親和力の強い共存物質と反応し
て脱酸素が行われるため、従来のように焼結後に改めて
脱酸素熱処理を行う場合に比べて、酸素濃度の低い多孔
質陽極体を得ることができ、かつＣＶ値の減少も少な
い。また、前記多孔質陽極体は酸で洗浄して余分の残渣
を除去するようにしているため、共存物質残渣による誘
電体酸化皮膜中の欠陥部は減少し、これにより、漏れ電
流特性の悪化を防止することができる。この結果、寿命
特性面においても著しい向上が図れるものである。
【図１】本発明の実施の形態と従来例１で得られた多孔
質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデンサの高温
負荷試験における漏れ電流結果を比較した特性図
質陽極体を使用したタンタル固体電解コンデンサの高温
負荷試験における漏れ電流結果を比較した特性図
【図２】誘電体酸化皮膜層中の欠陥数と漏れ電流の関係
を示す特性図
を示す特性図
Claims (2)
- 【請求項１】 陽極リードを植設した状態でタンタル粉
末を加圧成形することにより成形体を形成し、かつこの
成形体を高温高真空中または不活性ガス中においてタン
タルと比べて酸素親和力の強い物質を共存させて焼結す
ることにより多孔質陽極体を構成し、さらにこの多孔質
陽極体を酸で洗浄するようにした固体電解コンデンサに
おける多孔質陽極体の製造方法。 - 【請求項２】 成形体の焼結において共存させる物質
が、バナジウム、ホウ素、リチウム、カルシウム、バリ
ウム、ランタンのうちのいずれかの物質、またはリチウ
ム、マグネシウム、アルミニウムのうちのいずれかの物
質と、バリウム、ホウ素、カルシウム、ランタン、チタ
ン、シリコン、炭素のうちのいずれかの物質とを混合し
た物質からなる請求項１に記載の固体電解コンデンサに
おける多孔質陽極体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9275477A JPH11111575A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9275477A JPH11111575A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111575A true JPH11111575A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17556082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9275477A Pending JPH11111575A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111575A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235897A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Avx Corp | 電解コンデンサに使用するためのアノード |
| US7594937B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-09-29 | Showa Denko K.K. | Porous anode body for solid electrolytic capacitor, production method thereof and solid electrolytic capacitor |
| WO2024203050A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
| WO2025204223A1 (ja) * | 2024-03-26 | 2025-10-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP9275477A patent/JPH11111575A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7594937B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-09-29 | Showa Denko K.K. | Porous anode body for solid electrolytic capacitor, production method thereof and solid electrolytic capacitor |
| JP2008235897A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Avx Corp | 電解コンデンサに使用するためのアノード |
| WO2024203050A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
| WO2025204223A1 (ja) * | 2024-03-26 | 2025-10-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
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