JPH11111593A - 環境制御装置 - Google Patents
環境制御装置Info
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- JPH11111593A JPH11111593A JP9268659A JP26865997A JPH11111593A JP H11111593 A JPH11111593 A JP H11111593A JP 9268659 A JP9268659 A JP 9268659A JP 26865997 A JP26865997 A JP 26865997A JP H11111593 A JPH11111593 A JP H11111593A
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- JP
- Japan
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- environment control
- gas
- chamber
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- Catalysts (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置用の環境制御装置において、従来の
有機ガス除去フィルタは性能が低く、装置が大型化して
いた。 【解決手段】 露光装置本体を収納する環境チャンバ１
と、環境チャンバ１内に気体を流通させる送風装置３
と、酸化チタンを備えた不純物除去フィルタ（４，Ｆ
１，Ｆ２のうち少なくとも１つ）とを有し、送風装置３
によって流通させられた気体が不純物除去フィルタを通
過する際、酸化チタンの光触媒作用によって、不純物除
去フィルタを通過する気体中の不純物を除去する。
有機ガス除去フィルタは性能が低く、装置が大型化して
いた。 【解決手段】 露光装置本体を収納する環境チャンバ１
と、環境チャンバ１内に気体を流通させる送風装置３
と、酸化チタンを備えた不純物除去フィルタ（４，Ｆ
１，Ｆ２のうち少なくとも１つ）とを有し、送風装置３
によって流通させられた気体が不純物除去フィルタを通
過する際、酸化チタンの光触媒作用によって、不純物除
去フィルタを通過する気体中の不純物を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデバイス製造装置、
特にレジスト塗布・現像装置や露光装置等の周囲の環境
（温度、湿度、塵埃、不純物等）を制御するための環境
制御装置に関するものである。
特にレジスト塗布・現像装置や露光装置等の周囲の環境
（温度、湿度、塵埃、不純物等）を制御するための環境
制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路線幅の微細化に伴い露光
光の短波長化が進み、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザや、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザがこ
れからの露光装置に用いられる光源の主流になりつつあ
る。
光の短波長化が進み、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザや、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザがこ
れからの露光装置に用いられる光源の主流になりつつあ
る。
【０００３】一方、露光光の短波長化に伴い、使用され
るレジスト（感光性樹脂）は化学増幅型が主流となって
きた。化学増幅型レジストは、露光部分から発生する酸
の触媒作用によりアルカリ不溶性ベースの保護基を切
り、その部分をアルカリ可溶型に変えることでパターン
形成がおこなわれる。
るレジスト（感光性樹脂）は化学増幅型が主流となって
きた。化学増幅型レジストは、露光部分から発生する酸
の触媒作用によりアルカリ不溶性ベースの保護基を切
り、その部分をアルカリ可溶型に変えることでパターン
形成がおこなわれる。
【０００４】このようなパターン形成のメカニズム故
に、化学増幅型レジストは環境雰囲気中のアミン・アミ
ドなどの塩基性ガスに対して非常に敏感である。すなわ
ち、露光により発生した酸が、レジスト表面において雰
囲気中の塩基性ガスにより失活し、表面難溶化（Ｔ−ｔ
ｏｐ）現象が発生する問題がある。また酸の触媒作用は
露光後のベーク（ＰＥＢ）により促進・終焉するため、
雰囲気中の塩基性ガスによるパターン表面の難溶化はウ
エハへのレジスト塗布から露光を経てベーク（ＰＥＢ）
に至るまでが問題となる。
に、化学増幅型レジストは環境雰囲気中のアミン・アミ
ドなどの塩基性ガスに対して非常に敏感である。すなわ
ち、露光により発生した酸が、レジスト表面において雰
囲気中の塩基性ガスにより失活し、表面難溶化（Ｔ−ｔ
ｏｐ）現象が発生する問題がある。また酸の触媒作用は
露光後のベーク（ＰＥＢ）により促進・終焉するため、
雰囲気中の塩基性ガスによるパターン表面の難溶化はウ
エハへのレジスト塗布から露光を経てベーク（ＰＥＢ）
に至るまでが問題となる。
【０００５】一方、露光装置には、光源から出射した光
をレチクル面に照射する照明光学系を初めとして、レン
ズやミラー等種々の光学部材が使用されている。露光波
長の短波長化に伴い、この露光光が透過・照射する光学
部材に曇りが発生し、ウエハー面に到達する露光量が減
少するという問題があった。この曇り物質は有機化合物
や硫安（ＮＨ4）2ＳＯ4であり、その原因は、空気中に
存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン
（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは有機ガス
が、露光光の照射により光化学反応的に光学部材に付着
することにあると考えられる。
をレチクル面に照射する照明光学系を初めとして、レン
ズやミラー等種々の光学部材が使用されている。露光波
長の短波長化に伴い、この露光光が透過・照射する光学
部材に曇りが発生し、ウエハー面に到達する露光量が減
少するという問題があった。この曇り物質は有機化合物
や硫安（ＮＨ4）2ＳＯ4であり、その原因は、空気中に
存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン
（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは有機ガス
が、露光光の照射により光化学反応的に光学部材に付着
することにあると考えられる。
【０００６】これら化学増幅型レジストの表面難溶化現
象や光学部材の曇りという問題に対して、露光装置本体
を取り巻く周囲環境の温度や湿度あるいは塵埃を制御す
る環境チャンバに不純物除去フィルタを搭載し、この雰
囲気中に存在する塩基性ガス、硫酸ガス、有機化合ガス
等の物質を除去することが従来から行われてきた。
象や光学部材の曇りという問題に対して、露光装置本体
を取り巻く周囲環境の温度や湿度あるいは塵埃を制御す
る環境チャンバに不純物除去フィルタを搭載し、この雰
囲気中に存在する塩基性ガス、硫酸ガス、有機化合ガス
等の物質を除去することが従来から行われてきた。
【０００７】不純物除去フィルタには、例えば、イオン
交換繊維を使用したケミカルフィルタ、活性炭粒子や活
性炭素繊維を使用した活性炭フィルタ、さらにはこれら
活性炭に酸性物質やアルカリ物質を添着したケミカルフ
ィルタなどが用いられるが、除去するガスの種類やフィ
ルタの特性を考慮して、最適なフィルタを選択すること
が望ましい。また複数種のガスを除去する場合には、各
々のガスに最適なフィルタを重ね合わせて使用する場合
もある。
交換繊維を使用したケミカルフィルタ、活性炭粒子や活
性炭素繊維を使用した活性炭フィルタ、さらにはこれら
活性炭に酸性物質やアルカリ物質を添着したケミカルフ
ィルタなどが用いられるが、除去するガスの種類やフィ
ルタの特性を考慮して、最適なフィルタを選択すること
が望ましい。また複数種のガスを除去する場合には、各
々のガスに最適なフィルタを重ね合わせて使用する場合
もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体工場クリーンル
ーム内の有機化合ガス濃度は、種々の有機溶剤を使用す
る関係上、数百〜数千μｇ／ｍ3にも達する。反面、有
機化合ガスを除去するための活性炭フィルタは、活性炭
自身の有機物保持力（活性炭単位重量当たりの有機物最
大吸着量）が０．数％〜数％と非常に少ない。
ーム内の有機化合ガス濃度は、種々の有機溶剤を使用す
る関係上、数百〜数千μｇ／ｍ3にも達する。反面、有
機化合ガスを除去するための活性炭フィルタは、活性炭
自身の有機物保持力（活性炭単位重量当たりの有機物最
大吸着量）が０．数％〜数％と非常に少ない。
【０００９】一方、アンモニアガスや硫酸ガスなどの無
機イオンガス濃度は数十〜数百μｇ／ｍ3である。この
無機イオンガスを除去するためのイオン交換フィルタ
は、例えばフィルタ濾材面積１ｍ2当たり４〜６ｇのア
ンモニアを除去することが可能である。
機イオンガス濃度は数十〜数百μｇ／ｍ3である。この
無機イオンガスを除去するためのイオン交換フィルタ
は、例えばフィルタ濾材面積１ｍ2当たり４〜６ｇのア
ンモニアを除去することが可能である。
【００１０】例えば、有機物保持力４％の活性炭とアン
モニアガス用イオン交換の両者のフィルタを、それぞれ
厚さ１５０ｍｍ、５００ｍｍ角の大きさで、圧力損失が
１００Ｐａ以下にして制作した場合、各々で除去できる
物質の重量はほぼ８０ｇ程度である。このフィルタの処
理空気量を１０ｍ3／ｍｉｎとし、アンモニアガス濃度
が２０μｇ／ｍ3、有機化合ガス濃度が２００μｇ／ｍ3
の環境で使用した場合のそれぞれのフィルタの寿命を算
出すると、アンモニアガスに対するイオン交換フィルタ
の寿命が２７８日であるのに対して、活性炭フィルタの
寿命はその１０分の１の２８日となる。
モニアガス用イオン交換の両者のフィルタを、それぞれ
厚さ１５０ｍｍ、５００ｍｍ角の大きさで、圧力損失が
１００Ｐａ以下にして制作した場合、各々で除去できる
物質の重量はほぼ８０ｇ程度である。このフィルタの処
理空気量を１０ｍ3／ｍｉｎとし、アンモニアガス濃度
が２０μｇ／ｍ3、有機化合ガス濃度が２００μｇ／ｍ3
の環境で使用した場合のそれぞれのフィルタの寿命を算
出すると、アンモニアガスに対するイオン交換フィルタ
の寿命が２７８日であるのに対して、活性炭フィルタの
寿命はその１０分の１の２８日となる。
【００１１】したがって、イオン交換フィルタと同程度
の寿命で有機化合ガスを除去するためには、イオン交換
フィルタの１０倍程度の容積を持った活性炭フィルタを
用意するか、圧力損失の増加を許容してより大きな動力
を持つ送風機を使用し、より多くの活性炭を詰め込んだ
フィルタを用意する必要がある。その結果、不純物を除
去するための装置が大型化するといった問題があった。
の寿命で有機化合ガスを除去するためには、イオン交換
フィルタの１０倍程度の容積を持った活性炭フィルタを
用意するか、圧力損失の増加を許容してより大きな動力
を持つ送風機を使用し、より多くの活性炭を詰め込んだ
フィルタを用意する必要がある。その結果、不純物を除
去するための装置が大型化するといった問題があった。
【００１２】本発明は、装置を大型化することなく、良
好に不純物除去効果を得ることができるデバイス製造装
置用の環境制御装置を提供することを目的とする。
好に不純物除去効果を得ることができるデバイス製造装
置用の環境制御装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の環境制御装置は、デバイス製造装置の少な
くとも一部を収納するチャンバと、該チャンバ内に気体
を流通させる空調手段と、酸化チタンを備えた不純物除
去フィルタとを有し、前記空調手段によって流通させら
れた気体が前記不純物除去フィルタを通過する際、前記
酸化チタンの光触媒作用によって、前記不純物除去フィ
ルタを通過する気体中の不純物を除去することを特徴と
している。
め、本発明の環境制御装置は、デバイス製造装置の少な
くとも一部を収納するチャンバと、該チャンバ内に気体
を流通させる空調手段と、酸化チタンを備えた不純物除
去フィルタとを有し、前記空調手段によって流通させら
れた気体が前記不純物除去フィルタを通過する際、前記
酸化チタンの光触媒作用によって、前記不純物除去フィ
ルタを通過する気体中の不純物を除去することを特徴と
している。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の環境制御装置を
備えた投影露光装置の概略構成図である。なおレジスト
塗布・現像装置（コータ・デベロッパ）等のほかのデバ
イス製造装置に対して、本発明の環境制御装置を適用す
ることもできるが、ここでは一実施形態として露光装置
に適用した場合を例に説明を行っている。
備えた投影露光装置の概略構成図である。なおレジスト
塗布・現像装置（コータ・デベロッパ）等のほかのデバ
イス製造装置に対して、本発明の環境制御装置を適用す
ることもできるが、ここでは一実施形態として露光装置
に適用した場合を例に説明を行っている。
【００１５】図１において、露光装置本体Ｅは環境チャ
ンバ１の中に設置されており、露光装置を取り巻く周囲
環境は一定に保たれている。露光装置本体Ｅ上では、不
図示の露光光源から出射された露光光が照明光学系Ｉで
所要の光束に形成された後、レチクルＲを照明する。照
明されたレチクルＲ上の回路パターンは投影レンズＬに
よりステージＳ上に載置されたウエハＷ上に結像され、
ウエハＷ表面に塗布されたレジストを感光させる。
ンバ１の中に設置されており、露光装置を取り巻く周囲
環境は一定に保たれている。露光装置本体Ｅ上では、不
図示の露光光源から出射された露光光が照明光学系Ｉで
所要の光束に形成された後、レチクルＲを照明する。照
明されたレチクルＲ上の回路パターンは投影レンズＬに
よりステージＳ上に載置されたウエハＷ上に結像され、
ウエハＷ表面に塗布されたレジストを感光させる。
【００１６】一方、環境チャンバ１内において、冷却器
や加熱器で構成された温度調節装置２により一定温度に
保たれた空気は、送風機３で吸い上げられ、除塵フィル
タ４により塵埃が除去された後に、露光装置本体Ｅが置
かれた空間５に供給される。この空間５に供給された空
気は、再度リターン口６より取り込まれ、環境チャンバ
１内を循環する。通常、環境チャンバ１は、空間５を環
境チャンバ１がおかれている外部環境の気圧より僅かな
がら加圧状態に保つため、循環空気量の約１割の空気を
外気導入口７よりさらに取り込んでいる。
や加熱器で構成された温度調節装置２により一定温度に
保たれた空気は、送風機３で吸い上げられ、除塵フィル
タ４により塵埃が除去された後に、露光装置本体Ｅが置
かれた空間５に供給される。この空間５に供給された空
気は、再度リターン口６より取り込まれ、環境チャンバ
１内を循環する。通常、環境チャンバ１は、空間５を環
境チャンバ１がおかれている外部環境の気圧より僅かな
がら加圧状態に保つため、循環空気量の約１割の空気を
外気導入口７よりさらに取り込んでいる。
【００１７】空間５内をクリーンに保つための不純物除
去フィルタとして、外気用不純物除去フィルタＦ１と循
環空気用不純物除去フィルタＦ２の２種類が、図示のよ
うに環境チャンバ１内に設けられている。外気導入口７
より取り込まれた空気は、まず外気用不純物除去フィル
タＦ１により不純物が取り除かれる。不純物が取り除か
れた外気は、リターン口６より取り込まれた循環空気と
一緒に温度調節装置２を経て、循環空気用不純物除去フ
ィルタＦ２によりさらに不純物が取り除かれる。
去フィルタとして、外気用不純物除去フィルタＦ１と循
環空気用不純物除去フィルタＦ２の２種類が、図示のよ
うに環境チャンバ１内に設けられている。外気導入口７
より取り込まれた空気は、まず外気用不純物除去フィル
タＦ１により不純物が取り除かれる。不純物が取り除か
れた外気は、リターン口６より取り込まれた循環空気と
一緒に温度調節装置２を経て、循環空気用不純物除去フ
ィルタＦ２によりさらに不純物が取り除かれる。
【００１８】このように外気導入口７より取り込まれる
空気だけでなく、空気の循環経路中にも不純物除去フィ
ルタを設けることにより、空間５は絶えず塩基性ガス、
硫酸ガス、有機化合ガス等の物質を十分に除去した空気
で満たすことが可能になる。
空気だけでなく、空気の循環経路中にも不純物除去フィ
ルタを設けることにより、空間５は絶えず塩基性ガス、
硫酸ガス、有機化合ガス等の物質を十分に除去した空気
で満たすことが可能になる。
【００１９】本実施形態においては、除塵フィルタ４、
不純物除去フィルタＦ１，Ｆ２いずれか少なくとも１つ
のフィルタ濾材の表面に酸化チタン（ＴｉＯ2）膜をコ
ーティングしたものを用いている。
不純物除去フィルタＦ１，Ｆ２いずれか少なくとも１つ
のフィルタ濾材の表面に酸化チタン（ＴｉＯ2）膜をコ
ーティングしたものを用いている。
【００２０】酸化チタンは紫外線下で触媒作用を発揮す
る光触媒機能を持つことが知られている。例えば、石英
ガラス表面に数十ｎｍ〜数μｍの酸化チタン薄膜を形成
し、そこに紫外光を照射すると、酸化チタン表面の有機
物は酸化反応を起こし二酸化炭素と水に分解される。こ
の反応は光が存在する限り半永久的に持続する。つま
り、酸化チタン膜を表面に設けたフィルタ濾材に紫外光
を照射することで、フィルタを通過する空気中の有機化
合物を半永久的に分解・除去することが可能になる。
る光触媒機能を持つことが知られている。例えば、石英
ガラス表面に数十ｎｍ〜数μｍの酸化チタン薄膜を形成
し、そこに紫外光を照射すると、酸化チタン表面の有機
物は酸化反応を起こし二酸化炭素と水に分解される。こ
の反応は光が存在する限り半永久的に持続する。つま
り、酸化チタン膜を表面に設けたフィルタ濾材に紫外光
を照射することで、フィルタを通過する空気中の有機化
合物を半永久的に分解・除去することが可能になる。
【００２１】図２は本発明における有機物除去用フィル
タ（以下本発明のフィルタとも言う）を示す図であり、
図１のＦ１、Ｆ２または４の位置に配置されることにな
る。
タ（以下本発明のフィルタとも言う）を示す図であり、
図１のＦ１、Ｆ２または４の位置に配置されることにな
る。
【００２２】図２において、８は酸化チタン膜をコーテ
ィングしたフィルタ濾材、９はフィルタケース、１０は
ガラスなどの紫外線透過部材である。フィルタ入口から
入った有機ガスを含む空気はフィルタ濾材８を通過し、
このとき、紫外線透過部材１０を透過してフィルタ濾材
８に照射される紫外光を受けて、酸化チタン膜の光触媒
効果が励起され、フィルタ濾材８に接触している空気中
の有機ガスが分解される。そして、フィルタ出口より有
機ガスが除去された空気が供給される。
ィングしたフィルタ濾材、９はフィルタケース、１０は
ガラスなどの紫外線透過部材である。フィルタ入口から
入った有機ガスを含む空気はフィルタ濾材８を通過し、
このとき、紫外線透過部材１０を透過してフィルタ濾材
８に照射される紫外光を受けて、酸化チタン膜の光触媒
効果が励起され、フィルタ濾材８に接触している空気中
の有機ガスが分解される。そして、フィルタ出口より有
機ガスが除去された空気が供給される。
【００２３】このようにフィルタ濾材に酸化チタン膜を
コーティングすることにより、半永久的に効果を発揮す
る有機ガス除去フィルタを実現できる。このため、フィ
ルタの寿命に合わせた十分に大きいフィルタを使用する
必要がなくなり、装置寸法を小型化できる。さらにフィ
ルタの維持費を非常に低減できるとともに、常に安定し
た有機ガス除去効果が得られる。
コーティングすることにより、半永久的に効果を発揮す
る有機ガス除去フィルタを実現できる。このため、フィ
ルタの寿命に合わせた十分に大きいフィルタを使用する
必要がなくなり、装置寸法を小型化できる。さらにフィ
ルタの維持費を非常に低減できるとともに、常に安定し
た有機ガス除去効果が得られる。
【００２４】紫外光は環境チャンバ１の外部に設けられ
た蛍光灯を利用しても良いし、水銀灯やエキシマレーザ
などの紫外線・遠紫外線用光源を別途設け、フィルタ濾
材８を照射するよう導光しても良い。もちろん、露光装
置の露光用光源から、露光光の一部（露光に使用しない
帯域の紫外光）をダイクロイックミラー等で分割して利
用しても良い。
た蛍光灯を利用しても良いし、水銀灯やエキシマレーザ
などの紫外線・遠紫外線用光源を別途設け、フィルタ濾
材８を照射するよう導光しても良い。もちろん、露光装
置の露光用光源から、露光光の一部（露光に使用しない
帯域の紫外光）をダイクロイックミラー等で分割して利
用しても良い。
【００２５】また、酸化チタン膜をコーティングする基
材としては、ガラス平板や金属平板の他に、除塵フィル
タやケミカルフィルタに使用されるガラス繊維、金属繊
維、炭素繊維または高分子素材を布状や綿状に形成した
のものが利用できる。除塵フィルタ（ＵＬＰＡやＨＥＰ
Ａ等）の濾材表面に、酸化チタン膜をコーティングする
ことにより、除塵フィルタと有機ガス除去フィルタの機
能を兼ね備えることが可能になる。
材としては、ガラス平板や金属平板の他に、除塵フィル
タやケミカルフィルタに使用されるガラス繊維、金属繊
維、炭素繊維または高分子素材を布状や綿状に形成した
のものが利用できる。除塵フィルタ（ＵＬＰＡやＨＥＰ
Ａ等）の濾材表面に、酸化チタン膜をコーティングする
ことにより、除塵フィルタと有機ガス除去フィルタの機
能を兼ね備えることが可能になる。
【００２６】フィルタ濾材８への酸化チタンの成膜方法
として、蒸着法、アルキルチタネートを予めコートした
後、加熱による加水分解を行って形成する方法等が適用
できる。
として、蒸着法、アルキルチタネートを予めコートした
後、加熱による加水分解を行って形成する方法等が適用
できる。
【００２７】フィルタ形状としては、濾材を平板として
等間隔に複数枚重ね、平板と平行に空気が流通するよう
に構成したもの、繊維状の濾材をフエルト状にして複数
枚重ね合わせ、この濾材に対し空気流が直交するように
構成したもの、さらに繊維状の濾材をプリーツ折りし、
ＵＬＰＡやＨＥＰＡ等の除塵フィルタと同様の形状に形
成したもの等が考えられる。
等間隔に複数枚重ね、平板と平行に空気が流通するよう
に構成したもの、繊維状の濾材をフエルト状にして複数
枚重ね合わせ、この濾材に対し空気流が直交するように
構成したもの、さらに繊維状の濾材をプリーツ折りし、
ＵＬＰＡやＨＥＰＡ等の除塵フィルタと同様の形状に形
成したもの等が考えられる。
【００２８】このとき、基材自身に紫外光が透過し易い
ガラス板やガラス繊維を使用するか、逆にこの基材表面
に紫外光に対して反射率の高い膜をコーティングしたの
ち酸化チタン薄膜を形成するか、基材自身に反射率の高
い金属を使用すると、照射される紫外光が、透過または
反射・散乱によって濾材内に十分に到達することができ
る。この結果、酸化チタンの光触媒作用をより活性化さ
せることができ、本発明のフィルタの有機ガス除去作用
をさらに高められる。
ガラス板やガラス繊維を使用するか、逆にこの基材表面
に紫外光に対して反射率の高い膜をコーティングしたの
ち酸化チタン薄膜を形成するか、基材自身に反射率の高
い金属を使用すると、照射される紫外光が、透過または
反射・散乱によって濾材内に十分に到達することができ
る。この結果、酸化チタンの光触媒作用をより活性化さ
せることができ、本発明のフィルタの有機ガス除去作用
をさらに高められる。
【００２９】また、酸化チタンの光触媒作用により除去
できないアミン系等の無機ガス除去用にイオン交換フィ
ルタを重ねて使用すれば、より効果的にチャンバ内の雰
囲気中の不純物を除去できる。
できないアミン系等の無機ガス除去用にイオン交換フィ
ルタを重ねて使用すれば、より効果的にチャンバ内の雰
囲気中の不純物を除去できる。
【００３０】さらに、不図示の露光光源から照明光学系
Ｉの間の導光経路中や照明光学系Ｉや投影光学系Ｌに本
発明のフィルタで有機ガスを除去した空気を導入してパ
ージするか、常に流通させることにより光学部材の曇り
を防止することが可能である。ところで、ここまでは空
調空気を例に取って説明してきたが、フィルタケース９
を耐圧容器とし、圧縮空気や窒素ガスまたはヘリウムガ
ス等の不活性ガスを使用しても良い。
Ｉの間の導光経路中や照明光学系Ｉや投影光学系Ｌに本
発明のフィルタで有機ガスを除去した空気を導入してパ
ージするか、常に流通させることにより光学部材の曇り
を防止することが可能である。ところで、ここまでは空
調空気を例に取って説明してきたが、フィルタケース９
を耐圧容器とし、圧縮空気や窒素ガスまたはヘリウムガ
ス等の不活性ガスを使用しても良い。
【００３１】次に図１の環境制御装置を備えた露光装置
を利用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明
する。
を利用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明
する。
【００３２】図３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク制作）では設計した回
路パターンを形成したマスク（レチクルＲ）を制作す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハ（ウエハＷ）を製造する。ステップ
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。
半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク制作）では設計した回
路パターンを形成したマスク（レチクルＲ）を制作す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハ（ウエハＷ）を製造する。ステップ
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。
【００３３】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハＷ）
の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエ
ハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
ト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上記
露光装置によってマスク（レチクルＲ）の回路パターン
の像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露
光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）
では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行
うことによりウエハ上に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハＷ）
の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエ
ハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
ト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上記
露光装置によってマスク（レチクルＲ）の回路パターン
の像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露
光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）
では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行
うことによりウエハ上に回路パターンが形成される。
【００３４】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが
可能になる。
難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが
可能になる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
装置を大型化することなく、良好に不純物除去効果が得
られる環境制御装置を提供できる。
装置を大型化することなく、良好に不純物除去効果が得
られる環境制御装置を提供できる。
【図１】本発明の環境制御装置を投影露光装置に適用し
た概略構成図である。
た概略構成図である。
【図２】本発明の有機物除去用フィルタを示す図であ
る。
る。
【図３】半導体デバイスの製造工程を示す図である。
【図４】図３の工程中のウエハプロセスの詳細を示す図
である。
である。
１ 環境チャンバ ２ 温度調節装置 ３ 送風機 ４ 除塵フィルタ ５ 露光装置が置かれる空間 ６ リターン口 ７ 外気導入口 ８ フィルタ濾材 ９ フィルタケース １０ 紫外線透過部材 Ｆ１ 不純物除去フィルタ Ｆ２ 不純物除去フィルタ Ｉ 照明光学系 Ｌ 投影レンズ Ｒ レチクル Ｓ ウエハステージ Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１
Claims (12)
- 【請求項１】 デバイス製造装置の少なくとも一部を収
納するチャンバと、該チャンバ内に気体を流通させる空
調手段と、酸化チタンを備えた不純物除去フィルタとを
有し、前記空調手段によって流通させられた気体が前記
不純物除去フィルタを通過する際、前記酸化チタンの光
触媒作用によって、前記不純物除去フィルタを通過する
気体中の不純物を除去することを特徴とする環境制御装
置。 - 【請求項２】 前記不純物除去フィルタが、前記チャン
バの外気取り込み口に配されることを特徴とする請求項
１記載の環境制御装置。 - 【請求項３】 前記不純物除去フィルタが、前記チャン
バ内の気体循環経路中に配されることを特徴とする請求
項１記載の環境制御装置。 - 【請求項４】 前記不純物除去フィルタは、フィルタ濾
材表面に酸化チタン膜を形成したものであることを特徴
とする請求項１記載の環境制御装置。 - 【請求項５】 前記フィルタ濾材は、塵埃を除去する機
能を備えることを特徴とする請求項４記載の環境制御装
置。 - 【請求項６】 前記不純物除去フィルタは、表面に酸化
チタン膜が形成されたフィルタ濾材と、該フィルタ濾材
を保持する保持部材とを有し、前記フィルタ濾材に対し
て光が照射されるよう該保持部材には透過部が設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載の環境制御装置。 - 【請求項７】 前記フィルタ濾材に対して照射される光
は、前記チャンバ外の光源から供給される光であること
を特徴とする請求項６記載の環境制御装置。 - 【請求項８】 前記デバイス製造装置は、マスクに形成
されたパターンをレジストが塗布されたウエハに露光転
写する露光装置であって、前記フィルタ濾材に対して照
射される光は、前記露光装置の光源から供給される光で
あることを特徴とする請求項６記載の環境制御装置。 - 【請求項９】 前記デバイス製造装置は、マスクに形成
されたパターンをレジストが塗布されたウエハに露光転
写する露光装置であることを特徴とする請求項１記載の
環境制御装置。 - 【請求項１０】 前記チャンバは、前記露光装置の光源
及び光学部材の少なくとも一部を収納し、前記空調手段
によって、前記チャンバ内に前記不純物除去フィルタを
通過した不活性ガスを流通させることを特徴とする請求
項９記載の環境制御装置。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０記載の環境制御装置
を有することを特徴とするデバイス製造装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のデバイス製造装置を
用いて、デバイスを製造することを特徴とするデバイス
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9268659A JPH11111593A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 環境制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9268659A JPH11111593A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 環境制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111593A true JPH11111593A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17461631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9268659A Withdrawn JPH11111593A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 環境制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111593A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6307620B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding apparatus, substrate transfer system, exposure apparatus, coating apparatus, method for making a device, and method for cleaning a substrate holding section |
| WO2002053267A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Element de filtre de ventilateur, dispositif d'exposition et leur procede de fabrication |
| JP2002535703A (ja) * | 1999-01-15 | 2002-10-22 | ドナルドソン カンパニー，インコーポレイティド | 気体の光透過率を最適化するための化学的フィルタリング |
| JP2004239690A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Takenaka Komuten Co Ltd | 化学物質放散量測定用の実験装置 |
| US6819396B1 (en) | 1999-11-16 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US6924877B2 (en) | 2001-11-19 | 2005-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical filter arrangement for a semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2006196632A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Nec Electronics Corp | 露光装置 |
-
1997
- 1997-10-01 JP JP9268659A patent/JPH11111593A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002535703A (ja) * | 1999-01-15 | 2002-10-22 | ドナルドソン カンパニー，インコーポレイティド | 気体の光透過率を最適化するための化学的フィルタリング |
| US6307620B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding apparatus, substrate transfer system, exposure apparatus, coating apparatus, method for making a device, and method for cleaning a substrate holding section |
| US6819396B1 (en) | 1999-11-16 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2002053267A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Element de filtre de ventilateur, dispositif d'exposition et leur procede de fabrication |
| US6924877B2 (en) | 2001-11-19 | 2005-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical filter arrangement for a semiconductor manufacturing apparatus |
| US7186285B2 (en) | 2001-11-19 | 2007-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical filter arrangement for a semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2004239690A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Takenaka Komuten Co Ltd | 化学物質放散量測定用の実験装置 |
| JP2006196632A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Nec Electronics Corp | 露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |