JPH11111621A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH11111621A JPH11111621A JP27113397A JP27113397A JPH11111621A JP H11111621 A JPH11111621 A JP H11111621A JP 27113397 A JP27113397 A JP 27113397A JP 27113397 A JP27113397 A JP 27113397A JP H11111621 A JPH11111621 A JP H11111621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- gas
- film
- gas nozzle
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、複数の半導体基板面に同時にＣＶＤ
膜を成膜させる縦型ＣＶＤ装置において、各半導体基板
に対して、高品質のＣＶＤ膜をばらつきなく成膜できる
ようにすることを最も主要な特徴とする。 【解決手段】たとえば、複数枚の半導体基板上に同時に
ＣＶＤ膜を成膜させる場合、まず、半導体基板がそれぞ
れに支持されたボート架台を石英製反応管内に挿入す
る。そして、キャップによってシールした状態におい
て、石英製ガスノズル１４内に供給される成膜用ガスを
石英フィルタ２１より噴出させて、各半導体基板上にそ
れぞれ到達させる。こうして、成膜用ガスを石英フィル
タ２１を介して噴出させることにより、石英製ガスノズ
ル１４の高さ方向Ｈに対する成膜用ガスの流量のばらつ
きを解消するとともに、石英製ガスノズル１４からパー
ティクルが放出されるのを阻止する構成となっている。
膜を成膜させる縦型ＣＶＤ装置において、各半導体基板
に対して、高品質のＣＶＤ膜をばらつきなく成膜できる
ようにすることを最も主要な特徴とする。 【解決手段】たとえば、複数枚の半導体基板上に同時に
ＣＶＤ膜を成膜させる場合、まず、半導体基板がそれぞ
れに支持されたボート架台を石英製反応管内に挿入す
る。そして、キャップによってシールした状態におい
て、石英製ガスノズル１４内に供給される成膜用ガスを
石英フィルタ２１より噴出させて、各半導体基板上にそ
れぞれ到達させる。こうして、成膜用ガスを石英フィル
タ２１を介して噴出させることにより、石英製ガスノズ
ル１４の高さ方向Ｈに対する成膜用ガスの流量のばらつ
きを解消するとともに、石英製ガスノズル１４からパー
ティクルが放出されるのを阻止する構成となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
に関するもので、特に、複数の半導体基板面に同時にＣ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）膜を成膜させる縦
型ＣＶＤ装置に用いられるものである。
に関するもので、特に、複数の半導体基板面に同時にＣ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）膜を成膜させる縦
型ＣＶＤ装置に用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、複数の半導体基板面に同
時にＣＶＤ膜を成膜させる縦型ＣＶＤ装置において、各
半導体基板に対する成膜用ガスの供給量を精度よく制御
することは、膜厚制御や添加不純物濃度制御にとって必
須の要件となっている。また、成膜用ガスを供給する際
に、パーティクルの放出をいかに防ぐかが重要になって
くる。
時にＣＶＤ膜を成膜させる縦型ＣＶＤ装置において、各
半導体基板に対する成膜用ガスの供給量を精度よく制御
することは、膜厚制御や添加不純物濃度制御にとって必
須の要件となっている。また、成膜用ガスを供給する際
に、パーティクルの放出をいかに防ぐかが重要になって
くる。
【０００３】図７は、従来の縦型ＣＶＤ装置の一構成例
を示すものである。この縦型ＣＶＤ装置は、たとえば、
複数枚の半導体基板１を支持するボート架台２を石英製
反応管３内に挿入し、キャップ４によってシールした状
態において、石英製ガスノズル５から成膜用ガスを噴出
させ、各半導体基板１上にガスを到達させることによっ
てＣＶＤ膜を成膜させるように構成されている。なお、
成膜後のガスは、石英製反応管３のガス排出口６より排
気されるようになっている。
を示すものである。この縦型ＣＶＤ装置は、たとえば、
複数枚の半導体基板１を支持するボート架台２を石英製
反応管３内に挿入し、キャップ４によってシールした状
態において、石英製ガスノズル５から成膜用ガスを噴出
させ、各半導体基板１上にガスを到達させることによっ
てＣＶＤ膜を成膜させるように構成されている。なお、
成膜後のガスは、石英製反応管３のガス排出口６より排
気されるようになっている。
【０００４】石英製ガスノズル５は、たとえば図８に示
すように、石英管５ａにいくつかのガス噴出用の孔５ｂ
が形成されており、それぞれの孔５ｂから成膜用ガスを
噴出・拡散させるようになっている。
すように、石英管５ａにいくつかのガス噴出用の孔５ｂ
が形成されており、それぞれの孔５ｂから成膜用ガスを
噴出・拡散させるようになっている。
【０００５】しかしながら、上記した従来の縦型ＣＶＤ
装置の場合、石英管５ａを加工していくつかの孔５ｂを
形成したものを、石英製ガスノズル５として使用してい
たため、以下のような問題があった。
装置の場合、石英管５ａを加工していくつかの孔５ｂを
形成したものを、石英製ガスノズル５として使用してい
たため、以下のような問題があった。
【０００６】たとえば、孔５ｂの加工精度のばらつき
（孔径の個体差）により、各孔５ｂから噴出されるガス
の流量にばらつきが生じ、各孔５ｂから実際に噴出され
るガスの流量が設計値からずれる。また、孔５ｂの位置
に依存して、各半導体基板１に対するガス供給量（濃
度）に差がでる。この結果、半導体基板１ごとの、成膜
されるＣＶＤ膜の膜質（膜厚や添加不純物濃度など）が
不均一になりやすい。
（孔径の個体差）により、各孔５ｂから噴出されるガス
の流量にばらつきが生じ、各孔５ｂから実際に噴出され
るガスの流量が設計値からずれる。また、孔５ｂの位置
に依存して、各半導体基板１に対するガス供給量（濃
度）に差がでる。この結果、半導体基板１ごとの、成膜
されるＣＶＤ膜の膜質（膜厚や添加不純物濃度など）が
不均一になりやすい。
【０００７】さらには、石英製反応管３内で発生し、石
英製ガスノズル５内に取り込まれたパーティクル、また
は、石英製ガスノズル５内で発生したパーティクル（副
生成物）が、成膜用ガスといっしょに石英製ガスノズル
５の孔５ｂから放出されることにより、半導体基板１を
汚染する。
英製ガスノズル５内に取り込まれたパーティクル、また
は、石英製ガスノズル５内で発生したパーティクル（副
生成物）が、成膜用ガスといっしょに石英製ガスノズル
５の孔５ｂから放出されることにより、半導体基板１を
汚染する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、石英管にいくつかの孔を形成したものを、
石英製ガスノズルとして使用していたため、高品質のＣ
ＶＤ膜を、各半導体基板に対してばらつきなく成膜する
のが難しいという問題があった。
においては、石英管にいくつかの孔を形成したものを、
石英製ガスノズルとして使用していたため、高品質のＣ
ＶＤ膜を、各半導体基板に対してばらつきなく成膜する
のが難しいという問題があった。
【０００９】そこで、この発明は、各半導体基板に対し
て、高品質の半導体膜をばらつきなく成膜でき、高い生
産性を容易に確保することが可能な半導体製造装置を提
供することを目的としている。
て、高品質の半導体膜をばらつきなく成膜でき、高い生
産性を容易に確保することが可能な半導体製造装置を提
供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体製造装置にあっては、複数枚の
半導体基板を収納する収納部と、この収納部内に、前記
半導体基板上にそれぞれ半導体膜を成膜させるための反
応ガスを供給するガスノズルと、このガスノズルの少な
くとも一部に設けられた石英製フィルタとから構成され
ている。
めに、この発明の半導体製造装置にあっては、複数枚の
半導体基板を収納する収納部と、この収納部内に、前記
半導体基板上にそれぞれ半導体膜を成膜させるための反
応ガスを供給するガスノズルと、このガスノズルの少な
くとも一部に設けられた石英製フィルタとから構成され
ている。
【００１１】この発明の半導体製造装置によれば、ガス
ノズルより噴出される反応ガスの流量のばらつきを解消
できるとともに、ガスノズルからパーティクルが放出さ
れるのを阻止できるようになる。これにより、各半導体
基板に対する成膜用ガスの供給量を精度よく制御でき、
かつ、パーティクルによる汚染を防ぐことが可能となる
ものである。
ノズルより噴出される反応ガスの流量のばらつきを解消
できるとともに、ガスノズルからパーティクルが放出さ
れるのを阻止できるようになる。これにより、各半導体
基板に対する成膜用ガスの供給量を精度よく制御でき、
かつ、パーティクルによる汚染を防ぐことが可能となる
ものである。
【００１２】特に、石英製フィルタの石英粒径または石
英製フィルタの厚さを変えることによって、もしくは、
石英製フィルタの面積を局所的に変えることによって、
各半導体基板上に到達する反応ガスの供給量を任意に変
化させることが容易に可能となっている。
英製フィルタの厚さを変えることによって、もしくは、
石英製フィルタの面積を局所的に変えることによって、
各半導体基板上に到達する反応ガスの供給量を任意に変
化させることが容易に可能となっている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる半導体製造装置の概略を、縦型ＣＶＤ装
置に適用した場合を例に示すものである。
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる半導体製造装置の概略を、縦型ＣＶＤ装
置に適用した場合を例に示すものである。
【００１４】この縦型ＣＶＤ装置は、たとえば、複数枚
の半導体基板１を縦方向にそれぞれ支持する基板支持用
のボート架台１１、このボート架台１１が挿入される石
英製反応管１２、この石英製反応管１２の挿入口をシー
ルするためのキャップ１３、および、上記石英製反応管
１２内に成膜用ガス（反応ガス）を供給するための、石
英フィルタ（詳細については後述する）を備える石英製
ガスノズル１４などを有して構成されている。
の半導体基板１を縦方向にそれぞれ支持する基板支持用
のボート架台１１、このボート架台１１が挿入される石
英製反応管１２、この石英製反応管１２の挿入口をシー
ルするためのキャップ１３、および、上記石英製反応管
１２内に成膜用ガス（反応ガス）を供給するための、石
英フィルタ（詳細については後述する）を備える石英製
ガスノズル１４などを有して構成されている。
【００１５】石英製反応管１２には、上記石英製ガスノ
ズル１４を取り付けるためのガス供給口１２ａと、この
石英製反応管１２内のガスを排気するためのガス排出口
１２ｂとが、それぞれ設けられている。
ズル１４を取り付けるためのガス供給口１２ａと、この
石英製反応管１２内のガスを排気するためのガス排出口
１２ｂとが、それぞれ設けられている。
【００１６】また、石英製反応管１２の外周面には、た
とえば、上記ボート架台１１によって支持された半導体
基板１をそれぞれ加熱するためのヒータ（図示していな
い）が配置されている。
とえば、上記ボート架台１１によって支持された半導体
基板１をそれぞれ加熱するためのヒータ（図示していな
い）が配置されている。
【００１７】図２は、上記石英製ガスノズル１４の概略
構成を示すものである。なお、同図（ａ）は石英製ガス
ノズル１４の側断面図であり、同図（ｂ）は石英製ガス
ノズル１４のＡ−Ａ線方向に沿う断面図である。
構成を示すものである。なお、同図（ａ）は石英製ガス
ノズル１４の側断面図であり、同図（ｂ）は石英製ガス
ノズル１４のＡ−Ａ線方向に沿う断面図である。
【００１８】石英製ガスノズル１４は、たとえば、石英
管１４ａのガス噴出面に対応する、上記石英製ガスノズ
ル１４のほぼ全面に石英フィルタ（図示斜線部分）２１
が設けられた構成となっている。そして、この石英フィ
ルタ２１を介して、上記成膜用ガスを噴出・拡散させる
ようになっている。
管１４ａのガス噴出面に対応する、上記石英製ガスノズ
ル１４のほぼ全面に石英フィルタ（図示斜線部分）２１
が設けられた構成となっている。そして、この石英フィ
ルタ２１を介して、上記成膜用ガスを噴出・拡散させる
ようになっている。
【００１９】石英フィルタ２１は、たとえば図３に示す
ように、無数の石英粒２１ａを集めて焼結させたもので
あり、その石英粒径を変えることによって、上記石英製
ガスノズル１４より噴出される上記成膜用ガスＧの流量
を制御できるようになっている。
ように、無数の石英粒２１ａを集めて焼結させたもので
あり、その石英粒径を変えることによって、上記石英製
ガスノズル１４より噴出される上記成膜用ガスＧの流量
を制御できるようになっている。
【００２０】また、この石英フィルタ２１の場合、その
石英粒径を小さくすることによって、上記成膜用ガスＧ
中に含まれるパーティクル、および、上記石英製ガスノ
ズル１４内で発生したパーティクル（副生成物）が、上
記成膜用ガスＧといっしょに石英製ガスノズル１４から
放出されるのを阻止することも可能となっている。
石英粒径を小さくすることによって、上記成膜用ガスＧ
中に含まれるパーティクル、および、上記石英製ガスノ
ズル１４内で発生したパーティクル（副生成物）が、上
記成膜用ガスＧといっしょに石英製ガスノズル１４から
放出されるのを阻止することも可能となっている。
【００２１】図４は、上記した石英製ガスノズル１４の
高さ方向Ｈに対する成膜用ガスの濃度を、従来技術と比
較して示すものである。この図からも明らかなように、
従来（図８参照）は図示実線３１で示す如く、石英製ガ
スノズル５の各孔５ｂの位置に依存して、半導体基板１
上にそれぞれ到達するガス供給量（濃度）にばらつきが
でるのに対し、石英フィルタ２１を用いた本発明におい
ては、図示破線４１で示す如く、石英製ガスノズル１４
より噴出されて、半導体基板１上にそれぞれ到達するガ
ス供給量はほとんど一定となる。
高さ方向Ｈに対する成膜用ガスの濃度を、従来技術と比
較して示すものである。この図からも明らかなように、
従来（図８参照）は図示実線３１で示す如く、石英製ガ
スノズル５の各孔５ｂの位置に依存して、半導体基板１
上にそれぞれ到達するガス供給量（濃度）にばらつきが
でるのに対し、石英フィルタ２１を用いた本発明におい
ては、図示破線４１で示す如く、石英製ガスノズル１４
より噴出されて、半導体基板１上にそれぞれ到達するガ
ス供給量はほとんど一定となる。
【００２２】このように、石英フィルタ２１は無数の石
英粒２１ａの集合体であるため、フィルタ自身の加工精
度がガスの流量におよぼす影響は極めて小さい。したが
って、石英製ガスノズル１４の高さ方向Ｈに対する、成
膜用ガスの濃度のばらつきを解消することが可能とな
る。
英粒２１ａの集合体であるため、フィルタ自身の加工精
度がガスの流量におよぼす影響は極めて小さい。したが
って、石英製ガスノズル１４の高さ方向Ｈに対する、成
膜用ガスの濃度のばらつきを解消することが可能とな
る。
【００２３】さて、複数枚の半導体基板１上に同時にＣ
ＶＤ膜（半導体膜）を成膜させる場合、まず、半導体基
板１がそれぞれに支持されたボート架台１１を石英製反
応管１２内に挿入する。そして、石英製反応管１２の挿
入口をキャップ１３によってシールした状態において、
石英製ガスノズル１４内に供給される成膜用ガスを石英
フィルタ２１より噴出させて、各半導体基板１上にそれ
ぞれ到達させる。その際、図示していないヒータによっ
て各半導体基板１を加熱することにより、半導体基板１
の基板面にそれぞれ所望のＣＶＤ膜が同時に成膜され
る。
ＶＤ膜（半導体膜）を成膜させる場合、まず、半導体基
板１がそれぞれに支持されたボート架台１１を石英製反
応管１２内に挿入する。そして、石英製反応管１２の挿
入口をキャップ１３によってシールした状態において、
石英製ガスノズル１４内に供給される成膜用ガスを石英
フィルタ２１より噴出させて、各半導体基板１上にそれ
ぞれ到達させる。その際、図示していないヒータによっ
て各半導体基板１を加熱することにより、半導体基板１
の基板面にそれぞれ所望のＣＶＤ膜が同時に成膜され
る。
【００２４】このとき、成膜用ガスは、石英製ガスノズ
ル１４の高さ方向Ｈに対して、ほぼ均等な流量により噴
出されることによって、各半導体基板１上に到達する濃
度を略一定とすることができる。この結果、半導体基板
１のそれぞれに、ほぼ均一な膜質（膜厚や添加不純物濃
度など）のＣＶＤ膜を成膜させることが可能となる。
ル１４の高さ方向Ｈに対して、ほぼ均等な流量により噴
出されることによって、各半導体基板１上に到達する濃
度を略一定とすることができる。この結果、半導体基板
１のそれぞれに、ほぼ均一な膜質（膜厚や添加不純物濃
度など）のＣＶＤ膜を成膜させることが可能となる。
【００２５】しかも、石英製ガスノズル１４からパーテ
ィクルが放出されるのを阻止できるようになるため、そ
れぞれ高品質なＣＶＤ膜の成膜が可能である。上記した
ように、ガスノズルより噴出される成膜用ガスの流量の
ばらつきを解消できるとともに、ガスノズルからパーテ
ィクルが放出されるのを阻止できるようにしている。
ィクルが放出されるのを阻止できるようになるため、そ
れぞれ高品質なＣＶＤ膜の成膜が可能である。上記した
ように、ガスノズルより噴出される成膜用ガスの流量の
ばらつきを解消できるとともに、ガスノズルからパーテ
ィクルが放出されるのを阻止できるようにしている。
【００２６】すなわち、半導体基板上にＣＶＤ膜を成膜
させる際に、石英製ガスノズルの少なくとも一部に設け
られた石英フィルタを介して、成膜用ガスの供給を行う
ようにしている。これにより、石英製ガスノズルの高さ
方向Ｈに対する、成膜用ガスの流量のばらつきを解消で
きるようになるため、各半導体基板１上に到達する成膜
用ガスの濃度を略一定とすることが可能となる。また、
石英フィルタによって、パーティクルを確保できるよう
になる。したがって、各半導体基板に対する成膜用ガス
の供給量を精度よく制御でき、かつ、パーティクルによ
る汚染を防ぐことが可能となる結果、各半導体基板に対
して、高品質の半導体膜をばらつきなく成膜できるよう
になるものである。
させる際に、石英製ガスノズルの少なくとも一部に設け
られた石英フィルタを介して、成膜用ガスの供給を行う
ようにしている。これにより、石英製ガスノズルの高さ
方向Ｈに対する、成膜用ガスの流量のばらつきを解消で
きるようになるため、各半導体基板１上に到達する成膜
用ガスの濃度を略一定とすることが可能となる。また、
石英フィルタによって、パーティクルを確保できるよう
になる。したがって、各半導体基板に対する成膜用ガス
の供給量を精度よく制御でき、かつ、パーティクルによ
る汚染を防ぐことが可能となる結果、各半導体基板に対
して、高品質の半導体膜をばらつきなく成膜できるよう
になるものである。
【００２７】なお、上記した本発明の実施の一形態にお
いては、石英製ガスノズルの高さ方向に対する成膜用ガ
スの流量のばらつきを改善し、各半導体基板上でのガス
供給量がほぼ一定となるようにした場合について説明し
たが、これに限らず、たとえば半導体基板上にそれぞれ
到達するガス供給量を、石英製ガスノズルの高さ方向に
より任意に変化させるようにすることも容易に可能であ
る。
いては、石英製ガスノズルの高さ方向に対する成膜用ガ
スの流量のばらつきを改善し、各半導体基板上でのガス
供給量がほぼ一定となるようにした場合について説明し
たが、これに限らず、たとえば半導体基板上にそれぞれ
到達するガス供給量を、石英製ガスノズルの高さ方向に
より任意に変化させるようにすることも容易に可能であ
る。
【００２８】図５に示すように、たとえば、石英製ガス
ノズルの高さ方向Ｈが大きくなるにつれて、成膜用ガス
の半導体基板上での濃度が増加するようにするために
は、石英製ガスノズルの高さ方向Ｈの変化に応じて、石
英フィルタの石英粒径を大きくすることにより、容易に
実現できる。
ノズルの高さ方向Ｈが大きくなるにつれて、成膜用ガス
の半導体基板上での濃度が増加するようにするために
は、石英製ガスノズルの高さ方向Ｈの変化に応じて、石
英フィルタの石英粒径を大きくすることにより、容易に
実現できる。
【００２９】または、石英製ガスノズルの高さ方向Ｈの
変化に応じて、石英フィルタの厚さを小さくすることに
よっても、同様に、実現可能である。さらには、たとえ
ば図６に示すように、石英製ガスノズル１４の高さ方向
Ｈの変化に応じて、石英製ガスノズル１４のガス噴出部
にそれぞれ設けられる石英フィルタ（図示斜線部分）２
１の面積を大きくすることによっても、同様に、石英製
ガスノズル１４の高さ方向Ｈが大きくなるにつれて、成
膜用ガスの半導体基板上での濃度を増加させることが可
能である。
変化に応じて、石英フィルタの厚さを小さくすることに
よっても、同様に、実現可能である。さらには、たとえ
ば図６に示すように、石英製ガスノズル１４の高さ方向
Ｈの変化に応じて、石英製ガスノズル１４のガス噴出部
にそれぞれ設けられる石英フィルタ（図示斜線部分）２
１の面積を大きくすることによっても、同様に、石英製
ガスノズル１４の高さ方向Ｈが大きくなるにつれて、成
膜用ガスの半導体基板上での濃度を増加させることが可
能である。
【００３０】このように、石英フィルタ２１の、石英粒
径または厚さもしくは面積を局所的に変えることによっ
て、成膜用ガスの半導体基板上での濃度を任意に変化さ
せることが容易に可能なため、たとえば、石英製ガスノ
ズル１４の高さ方向Ｈが大きくなるにつれて、成膜用ガ
スの流量が低下するような場合にもこれを容易に改善で
きるものである。
径または厚さもしくは面積を局所的に変えることによっ
て、成膜用ガスの半導体基板上での濃度を任意に変化さ
せることが容易に可能なため、たとえば、石英製ガスノ
ズル１４の高さ方向Ｈが大きくなるにつれて、成膜用ガ
スの流量が低下するような場合にもこれを容易に改善で
きるものである。
【００３１】また、縦型ＣＶＤ装置に適用する場合に限
らず、たとえば、枚葉式のＨＯＴ−ＣＶＤ装置やプラズ
マＣＶＤ装置などにも適用可能である。その他、この発
明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能な
ことは勿論である。
らず、たとえば、枚葉式のＨＯＴ−ＣＶＤ装置やプラズ
マＣＶＤ装置などにも適用可能である。その他、この発
明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能な
ことは勿論である。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、各半導体基板に対して、高品質の半導体膜をばらつ
きなく成膜でき、高い生産性を容易に確保することが可
能な半導体製造装置を提供できる。
ば、各半導体基板に対して、高品質の半導体膜をばらつ
きなく成膜でき、高い生産性を容易に確保することが可
能な半導体製造装置を提供できる。
【図１】この発明の実施の一形態にかかる半導体製造装
置の要部を示す概略構成図。
置の要部を示す概略構成図。
【図２】同じく、石英製ガスノズルの構成例を示す概略
断面図。
断面図。
【図３】同じく、石英フィルタの構成を示す概略図。
【図４】同じく、石英製ガスノズルの高さ方向に対する
成膜用ガスの濃度を、従来技術と比較して示す概略図。
成膜用ガスの濃度を、従来技術と比較して示す概略図。
【図５】この発明の実施の他の形態にかかる、石英製ガ
スノズルの高さ方向に対する成膜用ガスの濃度と石英フ
ィルタの石英粒径との関係を説明するために示す概略
図。
スノズルの高さ方向に対する成膜用ガスの濃度と石英フ
ィルタの石英粒径との関係を説明するために示す概略
図。
【図６】同じく、石英製ガスノズルの他の構成例を示す
概略断面図。
概略断面図。
【図７】従来技術とその問題点を説明するために示す半
導体製造装置の概略構成図。
導体製造装置の概略構成図。
【図８】同じく、石英製ガスノズルの構成を示す概略断
面図。
面図。
１…半導体基板 １１…ボート架台 １２…石英製反応管 １２ａ…ガス供給口 １２ｂ…ガス排出口 １３…キャップ １４…石英製ガスノズル １４ａ…石英管 ２１…石英フィルタ ２１ａ…石英粒 ３１…実線（従来技術） ４１…破線（本発明）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若宮 幹夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内
Claims (7)
- 【請求項１】 複数枚の半導体基板を収納する収納部
と、 この収納部内に、前記半導体基板上にそれぞれ半導体膜
を成膜させるための反応ガスを供給するガスノズルと、 このガスノズルの少なくとも一部に設けられた石英製フ
ィルタとを具備したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記石英製フィルタは、無数の石英粒を
集めて焼結させたものであることを特徴とする請求項１
に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記石英製フィルタは、前記ガスノズル
のガス噴出部に対応して設けられることを特徴とする請
求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記石英製フィルタは、前記ガスノズル
のガス噴出面に対応して設けられることを特徴とする請
求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記石英製フィルタは、その石英粒径に
より前記反応ガスの流量を制御するものであることを特
徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記石英製フィルタは、その厚さにより
前記反応ガスの流量を制御するものであることを特徴と
する請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記石英製フィルタは、その面積により
前記反応ガスの流量を制御するものであることを特徴と
する請求項１に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27113397A JPH11111621A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27113397A JPH11111621A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111621A true JPH11111621A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17495789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27113397A Pending JPH11111621A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111621A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020189176A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | ガス供給部、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27113397A patent/JPH11111621A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020189176A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | ガス供給部、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| TWI733342B (zh) * | 2019-03-20 | 2021-07-11 | 日商國際電氣股份有限公司 | 氣體供給部，基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 |
| JPWO2020189176A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2021-10-28 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | ガス供給部、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US12497696B2 (en) | 2019-03-20 | 2025-12-16 | Kokusai Electric Corporation | Gas supply structure and substrate processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4986216A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| US5851589A (en) | Method for thermal chemical vapor deposition | |
| US5885356A (en) | Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining | |
| US6737812B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| EP1505172B9 (en) | Device and method for manufacturing thin films | |
| KR940009945B1 (ko) | 화학기상 성장장치 | |
| US6120605A (en) | Semiconductor processing system | |
| JP2760717B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| US20070272154A1 (en) | Shower Head and Film-Forming Device Using the Same | |
| US20050211167A1 (en) | Processing device and processing method | |
| JP2002518601A (ja) | パージガスチャネル及びポンプシステムを有する基板支持装置 | |
| EP1475824A1 (en) | Plasma film forming system | |
| KR20010081936A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| JPH02101169A (ja) | 円板形工作物を気相加工するための装置 | |
| JPS61232613A (ja) | プラズマ気相反応装置 | |
| KR101290738B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JPH11111621A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04224680A (ja) | シートプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0610352B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH0684851A (ja) | プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置 | |
| JPH06120146A (ja) | 成膜処理方法及びその装置 | |
| JP2001140077A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US20250354258A1 (en) | Dry clean module for cleaning gas distribution plates | |
| JP3015710B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2943407B2 (ja) | 化学気相成長装置 |