JPH11111628A - シリコン製発熱体及びこれを用いた半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 エッチングガスやプラズマに侵され難く、パ
ーティクルやコンタミネーションを発生することがない
と共に、寿命が長く、強度の高い発熱体とこの発熱体を
配備した半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも反応室内に半導体シリコンウ
エーハを配置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体
製造装置に用いられる半導体シリコンウエーハを加熱す
る発熱体において、該発熱体の材質をシリコンとしたシ
リコン製発熱体、および該シリコン製発熱体を用いた半
導体製造装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程におけるＣＶＤ装置やスパッタ装置、又は、生
成薄膜をエッチングするエッチング装置等に使用され
る、被加熱物である半導体シリコンウエーハを加熱する
発熱体および該発熱体を配備した半導体製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体用のデバイスを作製する際
には、半導体シリコンウエーハ上にポリシリコン膜や酸
化シリコン膜、導体膜、誘電体膜等をＣＶＤ装置やスパ
ッタ装置で形成したり、逆にエッチング装置により、こ
れらの薄膜をエッチングしたりする技術はよく知られて
いる。そして、これらの装置において、被処理物である
シリコンウエーハを所望の温度に一定に保持すること
は、上記の薄膜の形成やエッチングの品質保持には必要
であり、この温度調節を行うにはシリコンウエーハを加
熱する発熱体を備えたヒータユニットが必要とされる。

【０００３】従来よりこの発熱体を備えたヒータユニッ
トについては、その材質、方式において各種の提案がな
されていた。例えば、赤外線ランプによるウエーハの上
部方向からの輻射加熱が先ず挙げられる。これは、ウエ
ーハに発熱体である赤外線ランプが直接接触することが
ないため、不純物の拡散による半導体デバイスの歩留り
低下ということは殆ど考慮しなくても良いと言う利点を
持つ。しかし、ランプ１つで加熱するとウエーハの均熱
状態が悪く、均熱を保つためには複数のランプが必要と
なる点、また、単位面積当たりの発熱量が小さく急速加
熱するためにも複数のランプが必要であり、発熱体であ
るランプの占める体積が非常に大きいという欠点を持っ
ていた。

【０００４】また、この改良のために、シリコンウエー
ハの下面より抵抗加熱方式を採用したヒータユニットの
提案も種々なされている。この抵抗加熱方式であれば、
発熱体に流す電流及び電圧を調整することにより、温度
調節を行うことができ、一般的にランプ方式よりも均熱
性に優れるという特徴を持っている。しかしながら、発
熱体の材質としては、いわゆるニクロム線と称される金
属線や二珪化モリブデン等のセラミックスを使用するこ
とが多く、これらには金属不純物が多く含まれているた
め、高温にするとこれら不純物の拡散が起こり、処理さ
れる半導体ウエーハを汚染してデバイスの歩留りを低下
させるという欠点を持っていた。

【０００５】さらに、金属不純物を発生させないように
発熱体としてカーボンやグラファイトを用いる提案もな
されている。しかし、これらは金属汚染の心配はなくな
るが、カーボン汚染を生じる危険がある上に、強度的に
他の発熱体に比較して弱いため、支持板等の治具が必要
になる。高温まで変形せずに支持できる治具としては、
やはりセラミックスを選択することになり、不純物拡散
の問題が生じるという欠点を持っていた。

【０００６】一方、前述したＣＶＤ装置やスパッタ装置
においては、被加熱物を囲うようにチャンバを近接させ
て配置している装置もあるが、このチャンバ内壁にプロ
セスガスが分解して発生する堆積物が生じ、この堆積物
を取り除かないとパーティクルの原因となるという問題
もあった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点を解決するためになされたもので、エッチングガ
スやプラズマに侵され難く、パーティクルやコンタミネ
ーションを発生することがないと共に、寿命が長く、強
度の高い発熱体とこの発熱体を配備した半導体製造装置
を提供することを主目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に記載した発明は、少なくとも反
応室内に半導体シリコンウエーハを配置し、これを加熱
しつつ処理を加える半導体製造装置に用いられる半導体
シリコンウエーハを加熱する発熱体において、該発熱体
の材質をシリコンとしたことを特徴とするシリコン製発
熱体である。

【０００９】このように、半導体シリコンウエーハを加
熱する発熱体の材質を、被処理物であるシリコンウエー
ハと同じ材質とすることにより、エッチングガスやプラ
ズマに曝されてもパーティクルを発生したり、コンタミ
ネーションとなることは殆どなく、シリコンウエーハの
薄膜工程における歩留りを向上させることができる。

【００１０】そして、請求項２では、シリコンの抵抗値
を、０．００１〜５０Ω・ｃｍのものとし、請求項３で
は、シリコンを単結晶シリコンとした。ここで、シリコ
ンの抵抗値を、０．００１〜５０Ω・ｃｍの範囲のもの
とすると、発熱体として適切な値であると共に、発熱体
作製用の素材として入手し易くなり、経済的に有利であ
る。さらに素材を単結晶シリコンとすると、抵抗率調整
用に添加するドープ材料である不純物含有量や機械的強
度の点からも、品質管理上も多結晶シリコンより優れて
おり、発熱体作製用素材として有利に使用される。

【００１１】次に、本発明の請求項４に記載した発明
は、少なくとも反応室内に半導体シリコンウエーハを配
置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体製造装置に
おいて、半導体シリコンウエーハを加熱する発熱体とし
て、シリコン製発熱体を用いたことを特徴とする半導体
製造装置である。

【００１２】このように、半導体製造装置を構成する
と、被処理物である半導体シリコンウエーハを加熱する
発熱体の材質がシリコンウエーハと同じ材質になるた
め、エッチングガスやプラズマに曝されてもパーティク
ルを発生したり、不純物を発生してコンタミネーション
となることは殆どなく、シリコンウエーハの歩留りを向
上させることができるようになる。

【００１３】そして、請求項５では、シリコン製発熱体
を、被加熱物であるシリコンウエーハの被処理面の裏面
側に配置するようにし、請求項６では、シリコン製発熱
体を、被加熱物であるシリコンウエーハの被処理面の裏
面側に、均熱体を介して配置するようにした。

【００１４】このように、半導体製造装置を構成する
と、シリコンウエーハの被処理面が上向きの場合には、
通常、処理ガスは対面する上部から流すので、ウエーハ
の加熱はウエーハ裏面から行う伝熱加熱が有効であり、
加熱電力の節減になる。また、均熱体を設けることによ
って、ウエーハに温度分布ができないように発熱体の温
度分布を修正したり、発熱体の交換が容易にできるよう
になる。

【００１５】本発明の請求項７に記載した発明は、シリ
コン製発熱体を、被加熱物であるシリコンウエーハの被
処理面である表面側に配置するようにした。この構成に
よれは、従来の赤外線ランプ方式のランプによる輻射加
熱に比較してシリコン製発熱体は体積が小さく、コンパ
クトで熱効率の高い輻射加熱装置にすることができる。

【００１６】そして、請求項８では、複数のシリコン製
発熱体を、被加熱物であるシリコンウエーハの被処理面
である表面側および／または裏面側に、並べて配置する
ようにした。このようにすれば、均一に加熱するための
発熱体の形状やその配置は、大直径のシリコンウエーハ
に対しても適宜対応することができ、また、単一発熱体
と比較して設計にも自由度が増すので、コンパクトで熱
効率の高い輻射・伝熱加熱装置を作製することができ
る。

【００１７】本発明の請求項９に記載した発明は、被加
熱物であるシリコンウエーハの外周を囲うように複数の
シリコン製発熱体とセラミックス板を交互に接合して配
置し、チャンバを形成するようにした。このように構成
すれば、セラミックス板は、電気絶縁体であると同時に
熱伝導の点から均熱体となって均熱加熱が可能となり、
また、反応によって生成し、壁面に堆積する堆積物が、
本発明のチャンバでは全内壁面が均熱化しているので殆
ど堆積することがない。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は本発明のシリコン製発
熱体（ヒータ）の主な例で（ａ）は円板状発熱体であ
り、（ｂ）は長方形板状発熱体である。図２は本発明の
シリコン製発熱体をシリコンウエーハの裏側に配備した
半導体装置の一例を示す説明図であり、図３は本発明の
シリコン製発熱体をシリコンウエーハの表側に配備した
半導体装置の別の例を示す説明図である。また、図４
は、本発明の複数のシリコン製発熱体をシリコンウエー
ハの裏側および／または表側に配備した半導体装置の一
例を示す説明図であり、図５は本発明のシリコン製発熱
体とセラミックス板とを接合して作ったヒータチャンバ
を配備した半導体装置の一例を示す説明図である。

【００１９】本発明者等は、特に半導体デバイス製造用
装置に使用されるヒータの腐食防止について種々検討し
た結果、これにはヒータの材質に、主な被処理物である
シリコンウエーハと同素材を使用すればよいことに想到
し、本発明を完成させたものである。

【００２０】先ず、本発明では、少なくとも反応室内に
半導体シリコンウエーハを配置し、これを加熱しつつ処
理を加える半導体製造装置に用いられる半導体シリコン
ウエーハを加熱する発熱体の材質をシリコンとした。

【００２１】このように、半導体シリコンウエーハを加
熱する発熱体の材質をシリコンウエーハと同じ材質とす
ることにより、エッチングガスやプラズマに曝されても
パーティクルを発生したり、コンタミネーションとなる
ことは殆どなく、シリコンウエーハの歩留りを向上させ
ることができる。従来の発熱体の材質の場合は、不純物
を多く含み、その拡散量が非常に多くなり被処理物を汚
染したが、本発明では、同一材質としたので不純物の拡
散もなく従ってシリコンウエーハの汚染も殆どない優れ
た発熱体である。

【００２２】そして、このシリコン製発熱体の抵抗値
を、０．００１〜５０Ω・ｃｍのものとし、シリコンの
種類を単結晶シリコンとした。ここで、シリコンの抵抗
値を、０．００１〜５０Ω・ｃｍの範囲のものとする
と、発熱体として適切な値であり、発熱体作製用の素材
として入手し易くなり、経済的に有利である。さらに素
材を単結晶シリコンとすると、抵抗率調整用に添加する
ドープ材料である不純物含有量や機械的強度の点から
も、品質管理上も多結晶シリコンより優れており、発熱
体作製用素材として有利に使用される。

【００２３】このシリコンの製造は、通常チョクラルス
キー法で作製すればよく、この方法によれば単結晶シリ
コンが容易に作製される。この単結晶シリコンをヒータ
材料として使用すれば被処理物であるシリコンウエーハ
と全く同一の素材となり、最も好ましい。

【００２４】そして、この単結晶シリコンの電気抵抗率
の調整は、原料として使用するいわゆるテンナインやイ
レブンナインと称される高純度多結晶シリコンにドープ
剤を添加することで行われる。このドープ剤としては、
ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）等が例示され
る。抵抗率を低くするにはドープ剤の添加量を増やし、
抵抗率を高くするにはドープ剤の添加量を減らせば良
い。

【００２５】本発明では、シリコンの抵抗率が１ミリΩ
・ｃｍ〜５０Ω・ｃｍのものが発熱体として使用するの
に適している。この抵抗率が１ミリΩ・ｃｍ未満では、
ドープ剤の添加量が著しく多くなってしまい、ヒータと
して発熱した場合に、ドープ剤が不純物として拡散し、
シリコンウエーハを汚染する恐れがある。また５０Ω・
ｃｍを越えると、ヒータとして使用する際に、抵抗が高
くなり過ぎて高電圧をかけないと電流が流れず、発熱し
なくなってしまう。

【００２６】ここで、シリコン製発熱体の具体的な形状
を図１に基づいて説明すると、（ａ）は、円板状シリコ
ン製発熱体１０で、所望の抵抗率を持つ単結晶インゴッ
トをスライス加工して円板とし、全体の抵抗が所定の抵
抗になるようにうず巻き状のヒータパターン１３を溝に
よって形成し、パターンの両端に端子部１２を設けてシ
リコン製発熱体１０としたものである。

【００２７】この場合、円板状シリコンの両端に端子部
を設けて、そのままヒータとして使用することもできる
が、それではヒータ全体の抵抗の制御が難しいと共に、
電流は端子間の最短距離で流れ、発熱部は端子間を最短
で結ぶ直線状部となり、発熱体全体の一様な発熱ができ
難いのでパターンを設けるのが望ましい。

【００２８】パターンは溝加工を行うことによって、簡
単かつ目的に応じていかようにも作製することが出来
る。上記（ａ）のうず巻き状にしたのは、黒色部が厚く
（発熱体の板の厚さ）、白色部が溝加工によって薄く仕
上げてある。よって端子間に電圧を印加すると、電流は
抵抗の低い厚い部分を通って流れ、発熱体全体で一様に
発熱する。もし、円板状でない場合は、図１（ｂ）のよ
うな長方形板状シリコン製発熱体１１で、ジグザグ状の
ヒータパターン１３を設けることも出来る。

【００２９】そして、抵抗の都合上、溝を深くする必要
のある時は、強度上の問題が生じる場合があり、その時
は例えば、図１（ｂ）のように使用したシリコン製発熱
体とほぼ同形状のセラミックス板２９で補強することが
出来る。しかもこのセラミックス板２９は、後述する均
熱体２２と兼用して作用させることもできる。

【００３０】セラミックス板の材質としては、酸化けい
素、窒化けい素、炭化けい素等のシリコン化合物系のセ
ラミックスを使用すれば、被処理物であるシリコンウエ
ーハとほぼ同等の組成であるので有効に使用される。窒
化アルミニウムや酸化アルミニウム等のセラミックスを
用いてもよいが、被処理物を汚染しないように発熱体用
シリコンよりも高抵抗のシリコン、酸化けい素、窒化け
い素、炭化けい素等でセラミックス表面を被覆する処理
を施こすことが望ましい。

【００３１】図１（ｂ）は、本発明の別の実施形態の一
例として長方形板状シリコン製発熱体１１でジグザグ状
のヒータパターン１３を形成したものを示している。こ
の場合もヒータパターンの作製方法、セラミックス板の
使用の有無は上記円板状シリコン製発熱体１０の場合と
同様である。

【００３２】次に、上記シリコン製発熱体を装着してヒ
ータとして使用する半導体装置について説明する。この
シリコン製発熱体は、被処理物である半導体シリコンウ
エーハを直接加熱するように配置したり、チャンバを介
して間接的に加熱するように配置したり、チャンバ自身
をこのシリコン製発熱体で構成して輻射加熱が可能なよ
うに配置することができる。また、これら配置方法を適
宜組合せて被処理物の加熱温度、温度分布、ヒートサイ
クル等を目的とする範囲に設定することができる。

【００３３】ここで、本発明のシリコン製発熱体が使用
される半導体装置の一例としてドライエッチング装置を
図２に基づいて説明する。このドライエッチング装置２
０は、シリコンウエーハ２３の被処理面の裏側にシリコ
ン製発熱体１０と均熱体２２を配置しており、一方、エ
ッチングガスは、ガス供給系２６から内部ガス容器２５
に入り、多孔整流板２１の小径孔で整流され、ウエーハ
２３に向けて噴出し、シリコン製発熱体１０で加熱され
たシリコンウエーハ２３の表面をエッチング処理してガ
ス排出系２７から排気するようになっている。

【００３４】このシリコン製発熱体１０をシリコンウエ
ーハ２３の裏面に直接接触して配置する場合は（図２に
おいて、均熱体２２がない場合）、熱伝導加熱の効率が
良く、熱ロスが少なくなり、電力量が節減できる。従来
の発熱体の材質の場合は、不純物を多く含み、その拡散
量が非常に多くなり被処理物を汚染したが、本発明で
は、被処理物と同一材質としたので不純物の拡散もなく
従ってシリコンウエーハの汚染も殆どない優れた発熱体
である。

【００３５】このシリコン製発熱体１０の裏面側に均熱
体２２を配置する場合もある。均熱体は電気絶縁性、耐
熱性に優れ、熱伝導率の高いものが好ましく、発熱体面
内の温度分布を出来るだけ均一化しようとするものであ
り、発熱体の形状、特性等を考慮して均熱体の厚さに分
布を付ける、溝を付ける等の加工を施すこともある。均
熱体の材質としては、高抵抗シリコンを採用するのが、
発熱体と同材質であり、汚染がない点で、また熱伝導率
が高い点で最も望ましい。酸化けい素、窒化けい素、炭
化けい素等のシリコン化合物系のセラミックスを使用す
れば、被処理物であるシリコンウエーハとほぼ同等の組
成であるので有効に使用される。窒化アルミニウムや酸
化アルミニウム等のセラミックスを用いてもよいが、被
処理物を汚染しないように発熱体用シリコンよりも高抵
抗のシリコン、酸化けい素、窒化けい素、炭化けい素等
でセラミックス表面を被覆する処理を施こすことが望ま
しい。

【００３６】本発明の別の実施形態として図３に、長方
形板状シリコン製発熱体１１（図１（ｂ）参照）をシリ
コンウエーハ２３の被処理面側に配置した例を示した。
この例は、従来の赤外線ランプ加熱方式と同じ輻射熱で
加熱する配置方法であるが、ランプに較べて本発明のよ
うな発熱体では、その体積が小さく、装置を小型にでき
るという利点を持っている。

【００３７】図４は、長方形板板状シリコン製発熱体１
１をウエーハ２３の上下両面に配置した例で、より均一
な温度分布が得られる。

【００３８】そして、図５は、本発明の長方形板状シリ
コン製発熱体１１とセラミックス板２９とを交互に配置
して接合し、角筒状ヒータチャンバ２８を構成してその
中心にウエーハホルダ３０にセットした複数のシリコン
ウエーハ２３を配置した例である。このように被処理物
が大口径化してくると、ウエーハの外周全体を包囲して
加熱する方式が均一加熱の点で有利である。ここで、セ
ラミックス板２９を使用するのは、ヒータ回路の絶縁
体、均熱体、輻射熱反射板等としての効果を挙げるため
である。また、チャンバ自体を加熱する方式なので、プ
ロセスガスが分解してチャンバ内壁に付着するデポジッ
ト（堆積物）の量を低減することができると共に堆積物
を熱分解することも容易になるのでパーティクルの低減
に有効である。

【００３９】本発明の発熱体への給電は、発熱体回路の
両端に端子部１２を設け、その接続孔で給電電線とボル
ト・ナットで接続する構造にすれば良い。この際、接触
抵抗を減らすために発熱体の端子部１２に導電体のメッ
キ処理やスパッタ処理等を施しても良いし、導電性のワ
ッシャ等を挿入することが好ましい。このボルト・ナッ
トの締め付けには、トルクレンチを用いて所望のトルク
で締め付けるように管理を行わないと、発熱体が熱膨張
した際に端子部が破損する恐れがある。そこで、このボ
ルト・ナットをシリコン製のものを使用すれば熱膨張係
数が全く同一となり、熱応力の低減が可能となって破損
の恐れは殆どなくなるという効果が得られる。

【００４０】

【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１）外径３００ｍｍで抵抗率０．１Ω・ｃｍの
単結晶シリコンのインゴットを用意した。これから、全
体の抵抗が１０Ωとなるように溝加工を施した円板状の
発熱体（図１（ａ）参照）をスライス加工及び溝加工に
より作製した。そしてこの端子部の周辺に金メッキを施
した。その後、この端子部にシリコン製のボルトとナッ
トを介して電源からの給電電線を配線した。このように
構成した円板状の発熱体を直径３００ｍｍのシリコンウ
エーハの下面に直接接触するように配置した。

【００４１】このように構成したシリコン製発熱体及び
シリコンウエーハをスパッタ装置にセットし、２００℃
にて導電膜のスパッタ成膜を行った。このスパッタ成膜
では、２００℃までの昇温は３０秒と非常に短時間に昇
温ができ、ウエーハの中心部と外周部の温度差も４℃と
小さく、成膜された導電膜の膜厚のバラツキも１％以内
であった。また、被処理物の不純物も検出されなかっ
た。

【００４２】（比較例１、比較例２）実施例１と比較す
るために、被加熱物の上方からのランプ加熱を行う赤外
線ランプ加熱方式のスパッタ装置（比較例１）と、均熱
体として酸化アルミニウム板を採用し、この均熱体中に
ニクロム線を配した発熱体を使用するスパッタ装置（比
較例２）を用意し、実施例１と同条件でスパッタ成膜を
行った。

【００４３】その結果、比較例１のランプ加熱方式のス
パッタ装置は、２００℃までの昇温に２分間かかり、ま
た、ウエーハ上の温度も、中心部と外周部で２５℃の温
度差があり、成膜された導電膜の膜厚のバラツキも５％
と非常に大きい結果となった。また、比較例２のニクロ
ム線使用のスパッタ装置では、ウエーハの中心部と外周
部とでの温度差は５℃と小さく、成膜された導電膜の膜
厚のバラツキも１％と小さい値であったが、２００℃ま
での昇温に３分間かかり、そして、被処理物を分析した
所、ＮｉおよびＡｌの不純物が検出された。

【００４４】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００４５】例えば、上記では本発明の実施例として、
スパッタにより導電膜をシリコンウエーハ上に形成する
スパッタ装置に本発明のシリコン製発熱体を使用した例
を示したが、本発明はこのような例に限定されるもので
はなく、半導体シリコンウエーハ上に、ポリシリコン
膜、酸化シリコン膜、導電膜、誘電体膜等を形成するＣ
ＶＤ装置やスパッタ装置、または上記各膜をエッチング
する装置等種々の半導体デバイス製造用装置に使用する
ことが出来ることは言うまでもない。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、半導体デバイス製造用
装置の被処理物である半導体シリコンウエーハを加熱す
るヒータやヒータチャンバとして、ウエーハと同材質の
シリコン製発熱体を採用したことにより、発熱体からの
不純物の拡散がなくなり、またエッチングガスやプラズ
マに曝されてもパーティクルやコンタミネーションを発
生することはなく、被処理物であるシリコンウエーハに
与えるダメージは、他の素材からなる発熱体を使用した
場合と比較して格段に小さくすることができる。また、
発熱体をシリコン製としたことにより半導体製造工程に
おいて長期間安定して使用することができ、プロセスの
安定操業が可能になると共に反応処理時のウエーハの歩
留り低下を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のシリコン製発熱体の主な例を示す平面
図である。 （ａ）円板状シリコン製発熱体、 （ｂ）長方形板状
シリコン製発熱体。

【図２】本発明のシリコン製発熱体を半導体ウエーハの
裏面に配置したドライエッチング装置の説明図である。

【図３】本発明のシリコン製発熱体を半導体ウエーハの
被処理面上部に配置したドライエッチング装置の説明図
である。

【図４】本発明の複数のシリコン製発熱体を半導体ウエ
ーハの被処理面上部および裏面に配置したドライエッチ
ング装置の説明図である。

【図５】本発明の複数のシリコン製発熱体とセラミック
ス板（均熱体）で形成したヒータチャンバを設置したド
ライエッチング装置の説明図である。 （ａ）ヒータチャンバを設置したドライエッチング装置
の説明図、（ｂ）ヒータチャンバの平面図。

【符号の説明】

１０…円板状シリコン製発熱体、 １１…長方形板状シリコン製発熱体、 １２…端子部、 １３…ヒータパターン、 ２０…ドライエッチング装置、 ２１…多孔整流板、 ２２…均熱体、 ２３…半導体ウエーハ、 ２４…反応室、 ２５…内部ガス容器、 ２６…ガス供給系、 ２７…ガス排出系、 ２８…ヒータチャンバ、 ２９…セラミックス板、 ３０…ウエーハホルダ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 圭一 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも反応室内に半導体シリコンウ
   エーハを配置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体
   製造装置に用いられる半導体シリコンウエーハを加熱す
   る発熱体において、該発熱体の材質をシリコンとしたこ
   とを特徴とするシリコン製発熱体。
2. 【請求項２】 前記シリコンの抵抗値が、０．００１〜
   ５０Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載し
   たシリコン製発熱体。
3. 【請求項３】 前記シリコンが単結晶シリコンであるこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２に記載したシリ
   コン製発熱体。
4. 【請求項４】 少なくとも反応室内に半導体シリコンウ
   エーハを配置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体
   製造装置において、半導体シリコンウエーハを加熱する
   発熱体として、シリコン製発熱体を用いたことを特徴と
   する半導体製造装置。
5. 【請求項５】 シリコン製発熱体が、被加熱物であるシ
   リコンウエーハの被処理面の裏面側に、配置されること
   を特徴とする請求項４に記載した半導体製造装置。
6. 【請求項６】 シリコン製発熱体が、被加熱物であるシ
   リコンウエーハの被処理面の裏面側に、均熱体を介して
   配置されることを特徴とする請求項４に記載した半導体
   製造装置。
7. 【請求項７】 シリコン製発熱体が、被加熱物であるシ
   リコンウエーハの被処理面である表面側に、配置される
   ことを特徴とする請求項４に記載した半導体製造装置。
8. 【請求項８】 複数のシリコン製発熱体を、被加熱物で
   あるシリコンウエーハの被処理面である表面側および／
   または裏面側に、並べて配置したことを特徴とする請求
   項４に記載した半導体製造装置。
9. 【請求項９】 被加熱物であるシリコンウエーハを囲う
   ように複数のシリコン製発熱体とセラミックス板を交互
   に接合して配置し、ヒータチャンバを形成することを特
   徴とする請求項４に記載した半導体製造装置。