JPH11111680A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH11111680A JPH11111680A JP9282688A JP28268897A JPH11111680A JP H11111680 A JPH11111680 A JP H11111680A JP 9282688 A JP9282688 A JP 9282688A JP 28268897 A JP28268897 A JP 28268897A JP H11111680 A JPH11111680 A JP H11111680A
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- etching
- fluorocarbon
- plasma
- gas
- etching method
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
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- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチ・ストップを抑制しつつ、マスク用レ
ジストのエッチング化学種への耐久性を増大させる。 【解決手段】 フルオロカーボンと、有機シラン化合物
とを少なくとも含むエッチングガスをプラズマ化して、
該イオン化により生じたイオンを酸化シリコン層に照射
して、該酸化シリコン層のエッチングを行う。
ジストのエッチング化学種への耐久性を増大させる。 【解決手段】 フルオロカーボンと、有機シラン化合物
とを少なくとも含むエッチングガスをプラズマ化して、
該イオン化により生じたイオンを酸化シリコン層に照射
して、該酸化シリコン層のエッチングを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化シリコン層の
エッチング方法に関し、より詳しくは、エッチングによ
る加工形状を損なうことなくレジストに対する選択比を
向上させたエッチング方法に関する。
エッチング方法に関し、より詳しくは、エッチングによ
る加工形状を損なうことなくレジストに対する選択比を
向上させたエッチング方法に関する。
【０００２】本発明のエッチング方法によれば、エッチ
ング・プロセスの途中で該エッチングがストップする現
象（いわゆるエッチ・ストップ）を抑制しつつ、エッチ
ング・マスク用のレジストのエッチング化学種への耐久
性を増大させることが可能となる。
ング・プロセスの途中で該エッチングがストップする現
象（いわゆるエッチ・ストップ）を抑制しつつ、エッチ
ング・マスク用のレジストのエッチング化学種への耐久
性を増大させることが可能となる。
【０００３】
【従来の技術】近年ますます高度化するＬＳＩの集積化
に伴い、２層以上の多層にわたる配線の重要性は、増大
の一途を辿っている。このような多層配線においては、
該多層配線を接続するために、酸化シリコン等からなる
絶縁膜（層間絶縁膜）にコンタクトホール（ないしスル
ーホール）を形成することが必須となる。
に伴い、２層以上の多層にわたる配線の重要性は、増大
の一途を辿っている。このような多層配線においては、
該多層配線を接続するために、酸化シリコン等からなる
絶縁膜（層間絶縁膜）にコンタクトホール（ないしスル
ーホール）を形成することが必須となる。
【０００４】上記したＬＳＩの更なる集積化（レジスト
からなるマスクパターンの微細化）に伴い、このような
コンタクトホールの寸法（径）の微細化が、当然に要求
される。加えて、高集積化ＬＳＩ形成のためには、ＣＭ
Ｐ（chemical mechanical polishing）等を用いる平坦
化工程の採用がほぼ必須となるため、該平坦化の以前の
層間絶縁膜の厚さは、むしろ増大する傾向にある。これ
により、上記コンタクトホールに対して、より「間口の
狭い深いホール（孔）」であることが要求される傾向が
顕著となって来ている。
からなるマスクパターンの微細化）に伴い、このような
コンタクトホールの寸法（径）の微細化が、当然に要求
される。加えて、高集積化ＬＳＩ形成のためには、ＣＭ
Ｐ（chemical mechanical polishing）等を用いる平坦
化工程の採用がほぼ必須となるため、該平坦化の以前の
層間絶縁膜の厚さは、むしろ増大する傾向にある。これ
により、上記コンタクトホールに対して、より「間口の
狭い深いホール（孔）」であることが要求される傾向が
顕著となって来ている。
【０００５】換言すれば、ＬＳＩの集積化（上記したパ
ターンの微細化と、層間絶縁膜の厚さ増大との両方）に
より、従来よりも極めて高いアスペクト比（深さ／ホ−
ル径比）を実現するようなエッチングが要求され、しか
も、該ホールの底部と上部の寸法の差を出来る限り小さ
くするために、より「垂直」な加工形状が要求される。
ターンの微細化と、層間絶縁膜の厚さ増大との両方）に
より、従来よりも極めて高いアスペクト比（深さ／ホ−
ル径比）を実現するようなエッチングが要求され、しか
も、該ホールの底部と上部の寸法の差を出来る限り小さ
くするために、より「垂直」な加工形状が要求される。
【０００６】また、エッチングプロセスの途中（例え
ば、酸化シリコン層の途中）でエッチングが停止する現
象（エッチ・ストップ）が生じたのでは、コンタクトホ
ールの形成が不可能となるため、該エッチ・ストップの
防止が、上記とともに極めて重要であることは言うまで
もない。
ば、酸化シリコン層の途中）でエッチングが停止する現
象（エッチ・ストップ）が生じたのでは、コンタクトホ
ールの形成が不可能となるため、該エッチ・ストップの
防止が、上記とともに極めて重要であることは言うまで
もない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記エッチ・ストップ
の原因は、エッチング中にホ−ル内に正電荷が蓄積し、
入射正イオンのエネルギ−が減少し、ホ−ル内に入った
フルオロカ−ボンラジカルによって堆積したポリマ−膜
を除去ができなくなった時に起こると考えられている。
この防止には、エッチングに寄与する化学種（イオン
等）を、より高エネルギーのものとするか、あるいはエ
ッチング・ガスたるフロロカーボンに酸素を含むガスを
添加し、重合膜を酸化して除去することが行われて来
た。
の原因は、エッチング中にホ−ル内に正電荷が蓄積し、
入射正イオンのエネルギ−が減少し、ホ−ル内に入った
フルオロカ−ボンラジカルによって堆積したポリマ−膜
を除去ができなくなった時に起こると考えられている。
この防止には、エッチングに寄与する化学種（イオン
等）を、より高エネルギーのものとするか、あるいはエ
ッチング・ガスたるフロロカーボンに酸素を含むガスを
添加し、重合膜を酸化して除去することが行われて来
た。
【０００８】しかしながら、単に、より高エネルギーの
化学種を用いたり、あるいは酸素を添加することは、エ
ッチ・ストップの防止には有効であるが、高エネルギ−
のエッチング化学種や酸素原子が、酸化シリコン層上の
マスク材料たるレジスト層をも激しく侵食して（削っ
て）しまい、このようなレジスト層のパターン開口部の
水平方向（平面方向）への侵食により、平面的なマスク
・パターンが変化してしまう危険性が大きくなる。
化学種を用いたり、あるいは酸素を添加することは、エ
ッチ・ストップの防止には有効であるが、高エネルギ−
のエッチング化学種や酸素原子が、酸化シリコン層上の
マスク材料たるレジスト層をも激しく侵食して（削っ
て）しまい、このようなレジスト層のパターン開口部の
水平方向（平面方向）への侵食により、平面的なマスク
・パターンが変化してしまう危険性が大きくなる。
【０００９】他方、マスク材料として酸化シリコン層上
に配置されるレジスト層は、ＬＳＩ集積度の向上に必要
な高い「解像度」を得るために、むしろ薄くすることが
強く要請されている。このような「レジスト層の薄層化
の要請」が相まって、エッチング・プロセスにおけるレ
ジスト層の侵食は、極めて深刻な問題となっている。
に配置されるレジスト層は、ＬＳＩ集積度の向上に必要
な高い「解像度」を得るために、むしろ薄くすることが
強く要請されている。このような「レジスト層の薄層化
の要請」が相まって、エッチング・プロセスにおけるレ
ジスト層の侵食は、極めて深刻な問題となっている。
【００１０】本発明の目的は、上記した従来の問題点を
解消したエッチング方法を提供することにある。
解消したエッチング方法を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、加工形状を損なうこ
となくレジストに対する選択比を向上させたエッチング
方法を提供することにある。
となくレジストに対する選択比を向上させたエッチング
方法を提供することにある。
【００１２】本発明の更に他の目的は、エッチ・ストッ
プを抑制しつつ、マスク用レジストのエッチング化学種
への耐久性を増大させるエッチング方法を提供すること
にある。
プを抑制しつつ、マスク用レジストのエッチング化学種
への耐久性を増大させるエッチング方法を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究の結
果、フルオロカーボンに対して、（従来堆積用ガスとし
て使用されて来た）有機シランを添加してなるエッチン
グ・ガスを用いることが、上記課題の解決に極めて効果
的なことを見出した。
果、フルオロカーボンに対して、（従来堆積用ガスとし
て使用されて来た）有機シランを添加してなるエッチン
グ・ガスを用いることが、上記課題の解決に極めて効果
的なことを見出した。
【００１４】本発明のエッチング方法は上記知見に基づ
くものであり、より詳しくは、フルオロカーボンと、有
機シラン化合物とを少なくとも含むエッチングガスをプ
ラズマ化して、酸化シリコン層に照射することを特徴と
するものである。
くものであり、より詳しくは、フルオロカーボンと、有
機シラン化合物とを少なくとも含むエッチングガスをプ
ラズマ化して、酸化シリコン層に照射することを特徴と
するものである。
【００１５】本発明者の知見によれば、上記構成を有す
る本発明の酸化膜エッチング方法においては、Ｓｉ原子
と、Ｃ原子と、Ｈ原子とを共に有する分子である有機シ
ランのフルオロカーボンからなるエッチング・ガスへの
添加により、エッチング・プロセス途中においてレジス
ト上に、有機シラン由来のＳｉ原子やＣ原子が堆積し
て、該レジストのエッチング化学種への抵抗性を向上さ
せると推定される（このようなレジスト上へのＳｉやＣ
原子の堆積は、例えば、Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）等に
よって確認可能である）。
る本発明の酸化膜エッチング方法においては、Ｓｉ原子
と、Ｃ原子と、Ｈ原子とを共に有する分子である有機シ
ランのフルオロカーボンからなるエッチング・ガスへの
添加により、エッチング・プロセス途中においてレジス
ト上に、有機シラン由来のＳｉ原子やＣ原子が堆積し
て、該レジストのエッチング化学種への抵抗性を向上さ
せると推定される（このようなレジスト上へのＳｉやＣ
原子の堆積は、例えば、Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）等に
よって確認可能である）。
【００１６】本発明者の知見によれば、上記の作用と組
み合わされて、有機シラン由来のＣ原子がエッチング・
ガス中の好適なＣ／Ｆ比（エッチングにより形成中のホ
ール内への、炭素リッチなポリマーを堆積させて下地Ｓ
ｉとの選択比を向上させる）を与え、しかも、有機シラ
ン由来のＨ原子が（フルオロカーボン由来の）Ｆ原子と
反応して、ＨＦ分子としてＦ原子を除去するスキャベン
ジャーとして機能するために、高アスペクト比のエッチ
ングが可能となると推定される。
み合わされて、有機シラン由来のＣ原子がエッチング・
ガス中の好適なＣ／Ｆ比（エッチングにより形成中のホ
ール内への、炭素リッチなポリマーを堆積させて下地Ｓ
ｉとの選択比を向上させる）を与え、しかも、有機シラ
ン由来のＨ原子が（フルオロカーボン由来の）Ｆ原子と
反応して、ＨＦ分子としてＦ原子を除去するスキャベン
ジャーとして機能するために、高アスペクト比のエッチ
ングが可能となると推定される。
【００１７】換言すれば、上記有機シランを構成する３
種類の原子による有機的な協同作用が組み合わされて、
ホールの加工形状を損なうことなくレジストに対する選
択比が向上するのみならず、エッチ・ストップを抑制し
つつ、エッチング・マスク用のレジストのエッチング化
学種への抵抗性が増大するものと推定される（上記した
ようなエッチ・ストップの推定メカニズム等について
は、例えば、堀池靖浩「ＵＳＬＩ高アスペクト比エッチ
ング技術の現状と展望」電学論Ａ、第１１７巻第１０
号、第１０１頁（１９９７年）を参照することができ
る）。
種類の原子による有機的な協同作用が組み合わされて、
ホールの加工形状を損なうことなくレジストに対する選
択比が向上するのみならず、エッチ・ストップを抑制し
つつ、エッチング・マスク用のレジストのエッチング化
学種への抵抗性が増大するものと推定される（上記した
ようなエッチ・ストップの推定メカニズム等について
は、例えば、堀池靖浩「ＵＳＬＩ高アスペクト比エッチ
ング技術の現状と展望」電学論Ａ、第１１７巻第１０
号、第１０１頁（１９９７年）を参照することができ
る）。
【００１８】ここに、上記「アスペクト比」とは、エッ
チングにより形成されたパターン（例えば、コンタクト
・ホール）の（深さ／ホ−ル径）の比をいう。
チングにより形成されたパターン（例えば、コンタクト
・ホール）の（深さ／ホ−ル径）の比をいう。
【００１９】これに対して、フルオロカーボンをエッチ
ングガスとして用いる従来のエッチング方法において
は、上記した「３つの効果の組み合わせ」（特に、Ｆ原
子の除去と、好適なＣ／Ｆ比）がないことに基づく、ホ
ール内へのＦ原子含有ポリマーの堆積ないしはエッチン
グ・ストップによる加工形状の精度低下、および／又
は、該「３つの効果の組み合わせ」（特に、Ｆ原子のト
ラップと、Ｓｉ原子の堆積によるレジストの保護）がな
いことに基づく、レジスト層の極端な侵食が生じていた
ものと推定される。
ングガスとして用いる従来のエッチング方法において
は、上記した「３つの効果の組み合わせ」（特に、Ｆ原
子の除去と、好適なＣ／Ｆ比）がないことに基づく、ホ
ール内へのＦ原子含有ポリマーの堆積ないしはエッチン
グ・ストップによる加工形状の精度低下、および／又
は、該「３つの効果の組み合わせ」（特に、Ｆ原子のト
ラップと、Ｓｉ原子の堆積によるレジストの保護）がな
いことに基づく、レジスト層の極端な侵食が生じていた
ものと推定される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、必要に応じて図面を参照し
つつ本発明を更に具体的に説明する。以下の記載におい
て量比を表す「部」および「％」は、特に断らない限り
重量基準とする。
つつ本発明を更に具体的に説明する。以下の記載におい
て量比を表す「部」および「％」は、特に断らない限り
重量基準とする。
【００２１】（エッチング方法）本発明のエッチング方
法においては、フルオロカーボンと、有機シラン化合物
とを少なくとも含むエッチングガスをプラズマ化し、該
プラズマ化により生じたイオンを（通常は、その上に所
定のパターンのレジストからなるマスク層が配置されて
なる）酸化シリコン層に照射することににより、該酸化
シリコンをエッチングする。
法においては、フルオロカーボンと、有機シラン化合物
とを少なくとも含むエッチングガスをプラズマ化し、該
プラズマ化により生じたイオンを（通常は、その上に所
定のパターンのレジストからなるマスク層が配置されて
なる）酸化シリコン層に照射することににより、該酸化
シリコンをエッチングする。
【００２２】（フルオロカーボン）本発明において使用
可能なフルオロカーボンは、所定のエッチング条件下で
気体状となり、且つ、後述するような所定のＣ／Ｆ比を
与えることが可能なフッ素含有化合物（ないし混合物）
である限り特に制限されず、公知のフルオロカーボンか
ら適宜１種類以上を選択して用いることが可能である。
可能なフルオロカーボンは、所定のエッチング条件下で
気体状となり、且つ、後述するような所定のＣ／Ｆ比を
与えることが可能なフッ素含有化合物（ないし混合物）
である限り特に制限されず、公知のフルオロカーボンか
ら適宜１種類以上を選択して用いることが可能である。
【００２３】該フルオロカーボンは飽和化合物、不飽和
化合物、又はその環状、鎖状であってもよいが、プラズ
マ内の適当な電子エネルギ−によりエッチング率の高い
ＣＦ2+、ＣＦ3+、Ｃ2Ｆ4+などのイオンを生成する点か
らは、ＣＦ2、ＣＦ3、Ｃ2Ｆ4などを生じ易い化学結合を
有する鎖状飽和化合物の方が好ましい。また、Ｈ／Ｆが
１／３以下（好ましくは１／８ 以下）の範囲である限
り、該フルオロカーボンは水素原子をも含有していても
よい。ポリマ−堆積の抑制の点からは、フルオロカーボ
ンの炭素数は、５以下（更には４以下）であることが好
ましい。
化合物、又はその環状、鎖状であってもよいが、プラズ
マ内の適当な電子エネルギ−によりエッチング率の高い
ＣＦ2+、ＣＦ3+、Ｃ2Ｆ4+などのイオンを生成する点か
らは、ＣＦ2、ＣＦ3、Ｃ2Ｆ4などを生じ易い化学結合を
有する鎖状飽和化合物の方が好ましい。また、Ｈ／Ｆが
１／３以下（好ましくは１／８ 以下）の範囲である限
り、該フルオロカーボンは水素原子をも含有していても
よい。ポリマ−堆積の抑制の点からは、フルオロカーボ
ンの炭素数は、５以下（更には４以下）であることが好
ましい。
【００２４】上記フルオロカーボンは、必要に応じて、
他の原子（例えば、Ｏ原子）をも含有していてもよい。
Ｏ原子を含有する場合には、ＣＦ2、ＣＦ3、Ｃ2Ｆ4など
を生じ易い化学結合を必要とする点から、該Ｏ原子は分
子の末端（アルコール酸素）よりも分子の内部（エーテ
ル酸素）であることが好ましい。この場合、ＣＦ2、Ｃ
Ｆ3、Ｃ2Ｆ4を酸化しＦ原子が発生することを抑制する
点からは、Ｏ／Ｃ比は６以下（更には４以下）であるこ
とが好ましい。本発明者の知見によれば、このような態
様において、Ｏ原子は、フルオロカーボンのＣ−Ｆ結合
に作用して、Ｃ原子に結合してこれをＣＯ、ＣＯ２等と
して除去するため、結果として、フルオロカーボン由来
のポリマー堆積（エッチングによるシリコン酸化膜への
開口ないしホール形成を阻害しうる）を抑制するものと
推定される。
他の原子（例えば、Ｏ原子）をも含有していてもよい。
Ｏ原子を含有する場合には、ＣＦ2、ＣＦ3、Ｃ2Ｆ4など
を生じ易い化学結合を必要とする点から、該Ｏ原子は分
子の末端（アルコール酸素）よりも分子の内部（エーテ
ル酸素）であることが好ましい。この場合、ＣＦ2、Ｃ
Ｆ3、Ｃ2Ｆ4を酸化しＦ原子が発生することを抑制する
点からは、Ｏ／Ｃ比は６以下（更には４以下）であるこ
とが好ましい。本発明者の知見によれば、このような態
様において、Ｏ原子は、フルオロカーボンのＣ−Ｆ結合
に作用して、Ｃ原子に結合してこれをＣＯ、ＣＯ２等と
して除去するため、結果として、フルオロカーボン由来
のポリマー堆積（エッチングによるシリコン酸化膜への
開口ないしホール形成を阻害しうる）を抑制するものと
推定される。
【００２５】上記フルオロカーボンとしては、具体的に
は例えば、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ３Ｆ８等の飽和パーフル
オロカーボン； Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８等の環状飽和フル
オロカーボンやＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ
２Ｈ２Ｆ４等の水素含有フルオロカーボンが挙げられ
る。中でも、ポリマ−堆積を生じるＣＦ１の発生を抑制
する点からは、ＣＦ4やＣＨＦ３が好ましい。
は例えば、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ３Ｆ８等の飽和パーフル
オロカーボン； Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８等の環状飽和フル
オロカーボンやＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ
２Ｈ２Ｆ４等の水素含有フルオロカーボンが挙げられ
る。中でも、ポリマ−堆積を生じるＣＦ１の発生を抑制
する点からは、ＣＦ4やＣＨＦ３が好ましい。
【００２６】（有機シラン化合物）本発明において使用
可能な有機シラン化合物は、シランＳｉＨ４分子の水素
原子の１個以上を有機基で置換した形の化合物である限
り特に制限されず、公知の化合物から適宜１種類以上を
選択して用いることが可能である。該有機基は、飽和基
（アルキル基、アルキルオキシ基等）、不飽和基（アル
ケニル基等）のいずれであってもよいが、安全性の点か
らは、アルキル基やアルキルオキシ基等の方が好まし
い。ポリマ−堆積を抑制する点からは、該有機シラン化
合物の炭素数は、８以下（更には４〜１）であることが
好ましい。
可能な有機シラン化合物は、シランＳｉＨ４分子の水素
原子の１個以上を有機基で置換した形の化合物である限
り特に制限されず、公知の化合物から適宜１種類以上を
選択して用いることが可能である。該有機基は、飽和基
（アルキル基、アルキルオキシ基等）、不飽和基（アル
ケニル基等）のいずれであってもよいが、安全性の点か
らは、アルキル基やアルキルオキシ基等の方が好まし
い。ポリマ−堆積を抑制する点からは、該有機シラン化
合物の炭素数は、８以下（更には４〜１）であることが
好ましい。
【００２７】このような有機シラン化合物としては、例
えば、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）たるＳｉ（ＣＨ
３）４、トリメチルシランたるＳｉＨ（ＣＨ３）３、お
よびジメチルシランたるＳｉＨ２（ＣＨ３）２、モノメ
チルシランたるＳｉＨ３（ＣＨ３）、アルキルオキシシ
ランたるＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４等が挙げられる。中で
も、安全性の点からは、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
たるＳｉ（ＣＨ３）４、トリメチルシランたるＳｉＨ
（ＣＨ３）３、およびジメチルシランたるＳｉＨ２（Ｃ
Ｈ３）２からなる群から選ばれた１種以上が、特に好適
に使用可能である。
えば、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）たるＳｉ（ＣＨ
３）４、トリメチルシランたるＳｉＨ（ＣＨ３）３、お
よびジメチルシランたるＳｉＨ２（ＣＨ３）２、モノメ
チルシランたるＳｉＨ３（ＣＨ３）、アルキルオキシシ
ランたるＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４等が挙げられる。中で
も、安全性の点からは、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
たるＳｉ（ＣＨ３）４、トリメチルシランたるＳｉＨ
（ＣＨ３）３、およびジメチルシランたるＳｉＨ２（Ｃ
Ｈ３）２からなる群から選ばれた１種以上が、特に好適
に使用可能である。
【００２８】ポリマ−堆積を抑制する点からは、本発明
に用いるエッチングガスにおいては、上記有機シラン化
合物が、フルオロカーボンに対して３〜３０％（更には
７〜１５％）添加されていることが好ましい。ＣＦ２や
ＣＦ３やＣ２Ｆ４を多く生じさせる点からは、本発明に
用いるエッチングガスにおいては、Ｃ／Ｆ比が１／４〜
１／１（更には１／３〜１／２）であることが好まし
い。
に用いるエッチングガスにおいては、上記有機シラン化
合物が、フルオロカーボンに対して３〜３０％（更には
７〜１５％）添加されていることが好ましい。ＣＦ２や
ＣＦ３やＣ２Ｆ４を多く生じさせる点からは、本発明に
用いるエッチングガスにおいては、Ｃ／Ｆ比が１／４〜
１／１（更には１／３〜１／２）であることが好まし
い。
【００２９】（酸化シリコン層）本発明においては、エ
ッチングすべき酸化シリコン層の種類、位置等は特に制
限されないが、通常は、下地（シリコン層や窒化シリコ
ン層）上に該酸化シリコン層が配置され、更に、該酸化
シリコン層上に、所定の平面パターン（例えば、コンタ
クト・ホールに対応する平面パターン）を有するマスク
層（通常、レジスト層からなる）が配置されていること
が好ましい。
ッチングすべき酸化シリコン層の種類、位置等は特に制
限されないが、通常は、下地（シリコン層や窒化シリコ
ン層）上に該酸化シリコン層が配置され、更に、該酸化
シリコン層上に、所定の平面パターン（例えば、コンタ
クト・ホールに対応する平面パターン）を有するマスク
層（通常、レジスト層からなる）が配置されていること
が好ましい。
【００３０】上記酸化シリコン層の厚さは、通常は０．
１〜７００μｍ程度（更には０．３〜６００μｍ程度）
であることが好ましい。前述したように、該酸化シリコ
ン層が比較的厚い（例えば、厚さ２μｍ以上の）場合で
あっても、本発明のエッチング方法によれば好適な高ア
スペクト比のホールの形成が可能である。
１〜７００μｍ程度（更には０．３〜６００μｍ程度）
であることが好ましい。前述したように、該酸化シリコ
ン層が比較的厚い（例えば、厚さ２μｍ以上の）場合で
あっても、本発明のエッチング方法によれば好適な高ア
スペクト比のホールの形成が可能である。
【００３１】（マスク層）上記酸化シリコン層上に配置
されるべきマスク層は、通常はレジスト層からなる。該
レジストの種類等は特に制限されず、公知ものから１種
類以上を適宜選択して使用可能である。解像度と耐プラ
ズマ性の点からは、該レジストはエキシマ・レーザ用の
もの（特にＫｒＦエキシマ・レーザ用のもの；例えば、
東京応化工業社製、商品名：ＴＤＵＲＰ−００７）が好
適に使用可能である。
されるべきマスク層は、通常はレジスト層からなる。該
レジストの種類等は特に制限されず、公知ものから１種
類以上を適宜選択して使用可能である。解像度と耐プラ
ズマ性の点からは、該レジストはエキシマ・レーザ用の
もの（特にＫｒＦエキシマ・レーザ用のもの；例えば、
東京応化工業社製、商品名：ＴＤＵＲＰ−００７）が好
適に使用可能である。
【００３２】上記レジスト層の厚さも、特に制限されな
いが、高集積化ＬＳＩを形成容易な点からは、１μｍ以
下（更には、０．５μｍ以下）であることが好ましい。
本発明によれば、前述したように、該レジスト層が比較
的薄い（例えば、厚さ０．３μｍ以下の）場合であって
も、レジストのエッチング化学種への耐久性を増大させ
ることにより、精密な加工形状が容易に得られる。
いが、高集積化ＬＳＩを形成容易な点からは、１μｍ以
下（更には、０．５μｍ以下）であることが好ましい。
本発明によれば、前述したように、該レジスト層が比較
的薄い（例えば、厚さ０．３μｍ以下の）場合であって
も、レジストのエッチング化学種への耐久性を増大させ
ることにより、精密な加工形状が容易に得られる。
【００３３】（エッチング速度の比）本発明のエッチン
グ方法によれば、以下に示すようなエッチング速度ない
し該速度の比が容易に得られる。
グ方法によれば、以下に示すようなエッチング速度ない
し該速度の比が容易に得られる。
【００３４】＜好適なエッチング速度＞ （μｍ／ｍｉ
ｎ） Ｓｉ：０．３〜∞（更には０．０１〜∞） ＳｉＯ２：０．２〜０．２５（更には０．２５〜０．
４） レジスト：０．２〜∞（更には０．０１〜∞） ＜好適なエッチング速度の比＞ ＳｉＯ２／Ｓｉ：４〜∞ （更には１０〜∞） レジスト／ＳｉＯ２：１／２〜∞（更には８〜∞）
ｎ） Ｓｉ：０．３〜∞（更には０．０１〜∞） ＳｉＯ２：０．２〜０．２５（更には０．２５〜０．
４） レジスト：０．２〜∞（更には０．０１〜∞） ＜好適なエッチング速度の比＞ ＳｉＯ２／Ｓｉ：４〜∞ （更には１０〜∞） レジスト／ＳｉＯ２：１／２〜∞（更には８〜∞）
【００３５】（反応性イオン発生方法）本発明において
は、酸化シリコン層のエッチングに用いる反応性イオン
を与える限り、該イオンを生じるプラズマ発生方法は特
に制限されず、公知のプラズマ発生方法から適宜選択し
て用いることが可能である。
は、酸化シリコン層のエッチングに用いる反応性イオン
を与える限り、該イオンを生じるプラズマ発生方法は特
に制限されず、公知のプラズマ発生方法から適宜選択し
て用いることが可能である。
【００３６】高アスペクト比を実現するための高密度反
応性プラズマを利用してイオン化することが有利であ
る。中でも、前記エッチングガスを誘導結合プラズマ
（ＩＣＰ）、ヘリコン波プラズマ（ＨＷＰ）、電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）、中性磁気ル−プ放電（ＮＬ
Ｄ）、表面波プラズマ（ＳＷＰ）などの高密度プラズマ
生成法によりプラズマ化する時、大口径均一性、容易に
プラズマ生成が可能、無磁場の点からは、ＩＣＰ法が特
に好ましい。
応性プラズマを利用してイオン化することが有利であ
る。中でも、前記エッチングガスを誘導結合プラズマ
（ＩＣＰ）、ヘリコン波プラズマ（ＨＷＰ）、電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）、中性磁気ル−プ放電（ＮＬ
Ｄ）、表面波プラズマ（ＳＷＰ）などの高密度プラズマ
生成法によりプラズマ化する時、大口径均一性、容易に
プラズマ生成が可能、無磁場の点からは、ＩＣＰ法が特
に好ましい。
【００３７】本発明のエッチング方法に使用可能な反応
装置については、基板を収容する反応容器と、フルオロ
カーボンと、有機シラン化合物とを少なくとも含むエッ
チングガスをこの反応容器に導入可能な導入系と、これ
らのガスに高い周波数を印加する電極とを有する反応装
置である限り特に制限されないが、例えば、図１に模式
断面図として示されるようなプラズマ（ＩＣＰ）イオン
化装置が好ましく用いられる。
装置については、基板を収容する反応容器と、フルオロ
カーボンと、有機シラン化合物とを少なくとも含むエッ
チングガスをこの反応容器に導入可能な導入系と、これ
らのガスに高い周波数を印加する電極とを有する反応装
置である限り特に制限されないが、例えば、図１に模式
断面図として示されるようなプラズマ（ＩＣＰ）イオン
化装置が好ましく用いられる。
【００３８】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。
する。
【００３９】実施例１ 本実施例においては、図１に示す装置ＩＣＰプラズマ装
置を用いた。
置を用いた。
【００４０】図１を参照して、この装置においては、２
６０ｍｍφのＳＵＳ（ステンレススチール）製反応容器
に直径２３０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの石英板を設置して、
ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を整合器、１巻ループア
ンテナを介して印加した。該石英は、直径３１４ｍｍ、
高さ１７０ｍｍのＳＵＳ製リアクタの上部に取り付け
た。ＡＮＥＬＶＡ製３６０ＱＭＳ（四重極質量分析計）
を改造したＡＭＳ（出現電圧質量分析計）は、ウェハー
のエッチング位置の中央に０．５ｍｍφのオリフィスを
空けたＳＵＳ板を設け、その下差圧で取り付けた。上記
石英板とオリフィス板との距離は１００ｍｍに固定し
た。
６０ｍｍφのＳＵＳ（ステンレススチール）製反応容器
に直径２３０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの石英板を設置して、
ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を整合器、１巻ループア
ンテナを介して印加した。該石英は、直径３１４ｍｍ、
高さ１７０ｍｍのＳＵＳ製リアクタの上部に取り付け
た。ＡＮＥＬＶＡ製３６０ＱＭＳ（四重極質量分析計）
を改造したＡＭＳ（出現電圧質量分析計）は、ウェハー
のエッチング位置の中央に０．５ｍｍφのオリフィスを
空けたＳＵＳ板を設け、その下差圧で取り付けた。上記
石英板とオリフィス板との距離は１００ｍｍに固定し
た。
【００４１】イオン種は浮遊電位でオリフィスに導入さ
れ、オリフィス直下に設けた２００μｍＮｉメッシュに
−５０Ｖのみを印加して測定した。発光分光測定（ＯＥ
Ｓ）は反応容器に３ｍｍφの石英棒を挿入することによ
って測定した。石英管の先端は重合膜の堆積を防ぐため
にシーズヒーターで２００℃に温めた。ラングミュアプ
ローブを用いて、電子密度（ｎｅ）、電子温度（Ｔ
ｅ）、プラズマ空間電位（Ｖｓ）、イオン飽和電流（Ｉ
ｓ）を測定した。
れ、オリフィス直下に設けた２００μｍＮｉメッシュに
−５０Ｖのみを印加して測定した。発光分光測定（ＯＥ
Ｓ）は反応容器に３ｍｍφの石英棒を挿入することによ
って測定した。石英管の先端は重合膜の堆積を防ぐため
にシーズヒーターで２００℃に温めた。ラングミュアプ
ローブを用いて、電子密度（ｎｅ）、電子温度（Ｔ
ｅ）、プラズマ空間電位（Ｖｓ）、イオン飽和電流（Ｉ
ｓ）を測定した。
【００４２】ＳＵＳ円筒（２１０ｍｍφ）内壁の重合膜
堆積を防ぐため、シーズヒーターで２００℃に温めたＳ
ＵＳ円筒（２１０ｍｍφ）を反応容器の中に設置し、内
壁への重合膜の堆積を防いだ。全ての実験毎に、石英
窓、エッチングステージ、内壁表面に堆積した重合膜を
酸素灰化により除去した。
堆積を防ぐため、シーズヒーターで２００℃に温めたＳ
ＵＳ円筒（２１０ｍｍφ）を反応容器の中に設置し、内
壁への重合膜の堆積を防いだ。全ての実験毎に、石英
窓、エッチングステージ、内壁表面に堆積した重合膜を
酸素灰化により除去した。
【００４３】エッチング実験では、自己バイアス（Ｖｄ
ｃ）を発生させる１００ｋＨｚのＲＦ電源をステージを
接続し、温度制御されたステージにウエハを取り付けて
エッチングした。エッチング圧力は１０ｍＴｏｒｒ、バ
イアス電圧は５００Ｖとした。また、Ｓｉ０２エッチン
グにはエキシマレ−ザ露光用レジストマスクを使用し
た。ＩＣＰ装置とＱＭＳの最終到達圧力は、それぞれ５
×１０−７Ｔｏｒｒと、４×１０−８Ｔｏｒｒであっ
た。
ｃ）を発生させる１００ｋＨｚのＲＦ電源をステージを
接続し、温度制御されたステージにウエハを取り付けて
エッチングした。エッチング圧力は１０ｍＴｏｒｒ、バ
イアス電圧は５００Ｖとした。また、Ｓｉ０２エッチン
グにはエキシマレ−ザ露光用レジストマスクを使用し
た。ＩＣＰ装置とＱＭＳの最終到達圧力は、それぞれ５
×１０−７Ｔｏｒｒと、４×１０−８Ｔｏｒｒであっ
た。
【００４４】エッチングガスとしては、７０ｓｃｃｍの
ＣＦ４に（該ＣＦ４の重量を基準＝１００％として）０
％、１０％、２０％および３０％のトリメチルシランＳ
ｉＨ（ＣＨ３）３を加えてなる混合ガスを用いた。
ＣＦ４に（該ＣＦ４の重量を基準＝１００％として）０
％、１０％、２０％および３０％のトリメチルシランＳ
ｉＨ（ＣＨ３）３を加えてなる混合ガスを用いた。
【００４５】排気速度３６００リットル／ｓｅｃのター
ボ分子ポンプを用いたが、実効排気速度は９５０リット
ル／ｓｅｃであった。滞在時間は実効体積を排気速度で
割った値で測定した。
ボ分子ポンプを用いたが、実効排気速度は９５０リット
ル／ｓｅｃであった。滞在時間は実効体積を排気速度で
割った値で測定した。
【００４６】被エッチング物としては、シリコン層（厚
さ：５００μｍ）上に、エッチングすべき酸化シリコン
層（厚さ：２μｍ）が配置され、該酸化シリコン層上
に、レジスト（ＫｒＦエキシマレーザ用のレジスト、東
京応化社製、商品名：ＴＤＵＲＰ-００７）からなるマ
スク層（厚さ：０．７μｍ）が配置されたものを用い
た。
さ：５００μｍ）上に、エッチングすべき酸化シリコン
層（厚さ：２μｍ）が配置され、該酸化シリコン層上
に、レジスト（ＫｒＦエキシマレーザ用のレジスト、東
京応化社製、商品名：ＴＤＵＲＰ-００７）からなるマ
スク層（厚さ：０．７μｍ）が配置されたものを用い
た。
【００４７】上記により、図２のグラフに示す結果が得
られた。図２に示すように、酸化シリコンに対するエッ
チング速度はトリメチルシラン１０％で最大となった後
に減少した。Ｓｉに対するエッチング速度は、単調に減
少した一方で、レジストに対するエッチング速度は激減
した。
られた。図２に示すように、酸化シリコンに対するエッ
チング速度はトリメチルシラン１０％で最大となった後
に減少した。Ｓｉに対するエッチング速度は、単調に減
少した一方で、レジストに対するエッチング速度は激減
した。
【００４８】図３は、ＣＦ４にトリメチルシランを添加
したときのイオン種（上図）とラジカル種（下図）の密
度変化を示す。トリメチルシランの添加と共にＨＦ+イ
オンが生成している。これはＣＦ４から生じたＦ原子が
ＨＦとして除去された結果であり、図２におけるＳｉの
エッチング速度が低下した原因である。またエッチング
種のＣＦ+は減少しないが、ＣＦ３ラジカルが低下して
いる。このためホ−ル内のポリマ−の堆積が抑制され、
エッチ・ストップが起こらなくなったと考えられる。
したときのイオン種（上図）とラジカル種（下図）の密
度変化を示す。トリメチルシランの添加と共にＨＦ+イ
オンが生成している。これはＣＦ４から生じたＦ原子が
ＨＦとして除去された結果であり、図２におけるＳｉの
エッチング速度が低下した原因である。またエッチング
種のＣＦ+は減少しないが、ＣＦ３ラジカルが低下して
いる。このためホ−ル内のポリマ−の堆積が抑制され、
エッチ・ストップが起こらなくなったと考えられる。
【００４９】本実施例で得られたコンタクト・ホール形
状のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡；日立製作所社製、商品
名：Ｓ−５０００Ｈ）写真像を図４（トリメチルシラン
ガス＝０％）および図５（トリメチルシランガス＝１５
％）に示す。
状のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡；日立製作所社製、商品
名：Ｓ−５０００Ｈ）写真像を図４（トリメチルシラン
ガス＝０％）および図５（トリメチルシランガス＝１５
％）に示す。
【００５０】上記図４（トリメチルシランガス＝０％）
ではレジスト層が無くなり、しかも見られるのに対し
て、図５（トリメチルシランガス＝１５％）ではレジス
ト層の実質的な残存が見られ、しかもホールの開口部分
の広がりが実質的に抑制され、精密な加工形状が得られ
ていることが、容易に理解できよう。
ではレジスト層が無くなり、しかも見られるのに対し
て、図５（トリメチルシランガス＝１５％）ではレジス
ト層の実質的な残存が見られ、しかもホールの開口部分
の広がりが実質的に抑制され、精密な加工形状が得られ
ていることが、容易に理解できよう。
【００５１】実施例２ 実施例１で用いた有機シランガスたるトリメチルシラン
ＳｉＨ（ＣＨ３）３を、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
Ｓｉ（ＣＨ３）４に代えた以外は実施例１と同様にエッ
チングを行ったところ、実施例１とほぼ同様の結果が得
られた。
ＳｉＨ（ＣＨ３）３を、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
Ｓｉ（ＣＨ３）４に代えた以外は実施例１と同様にエッ
チングを行ったところ、実施例１とほぼ同様の結果が得
られた。
【００５２】実施例３ 実施例１で用いたフルオロカーボンガスたるＣＦ４を、
Ｃ４Ｆ８に代えた以外は実施例１と同様にエッチングを
行ったところ、実施例１とほぼ同様の結果が得られた。
Ｃ４Ｆ８に代えた以外は実施例１と同様にエッチングを
行ったところ、実施例１とほぼ同様の結果が得られた。
【００５３】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、フルオ
ロカーボンと、有機シラン化合物とを少なくとも含むエ
ッチングガスをプラズマ化して、酸化シリコン層に照射
することを特徴とするエッチング方法が提供される。
ロカーボンと、有機シラン化合物とを少なくとも含むエ
ッチングガスをプラズマ化して、酸化シリコン層に照射
することを特徴とするエッチング方法が提供される。
【００５４】本発明のエッチングによれば、加工形状を
損なうことなくレジストに対する選択比を向上させるこ
とが可能となる。更には、エッチ・ストップを抑制しつ
つ、エッチング・マスク用のレジストのエッチング化学
種への耐久性を増大させることが可能となる。
損なうことなくレジストに対する選択比を向上させるこ
とが可能となる。更には、エッチ・ストップを抑制しつ
つ、エッチング・マスク用のレジストのエッチング化学
種への耐久性を増大させることが可能となる。
【図１】本発明のエッチングに使用可能なＩＣＰ（誘導
プラズマ結合）型のエッチング装置の一例を示す模式断
面図である。
プラズマ結合）型のエッチング装置の一例を示す模式断
面図である。
【図２】実施例１で得られた有機シランガスの添加量
と、各材料に対するエッチング速度との関係を示すグラ
フである。
と、各材料に対するエッチング速度との関係を示すグラ
フである。
【図３】実施例１で得られたＣＦ４に有機シランガスの
添加量イオン種（上図）とラジカル種（下図）の密度変
化の関係を示す。グラフである。
添加量イオン種（上図）とラジカル種（下図）の密度変
化の関係を示す。グラフである。
【図４】実施例１（有機シランガスの添加なし）で得ら
れたコンタクト・ホールの断面形状を示すＳＥＭ写真像
である。
れたコンタクト・ホールの断面形状を示すＳＥＭ写真像
である。
【図５】実施例１（有機シランガスを１５％の添加）で
得られたコンタクト・ホールの断面形状を示すＳＥＭ写
真像である。
得られたコンタクト・ホールの断面形状を示すＳＥＭ写
真像である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 吉夫 東京都新宿区西新宿２丁目７番１号 アプ ライド マテリアルズ ジャパン株式会社 内
Claims (9)
- 【請求項１】 フルオロカーボンと、有機シラン化合物
とを少なくとも含むエッチングガスをプラズマ化して、
酸化シリコン層に照射することを特徴とするエッチング
方法。 - 【請求項２】 前記有機シラン化合物が、テトラメチル
シラン（ＴＭＳ）Ｓｉ（ＣＨ３）４、トリメチルシラン
ＳｉＨ（ＣＨ３）３、およびジメチルシランＳｉＨ２
（ＣＨ３）２からなる群から選ばれた１種以上からなる
請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記フルオロカーボンがＣＦ４からなる
請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項４】 前記エッチングガスが、前記フルオロカ
ーボンと、７〜１５％（フルオロカーボンを基準）の前
記有機シラン化合物とからなる請求項１記載のエッチン
グ方法。 - 【請求項５】 前記エッチングガスが、前記フルオロカ
ーボンが酸素結合を含有するガスか、又は前記有機シラ
ン化合物が酸素を含有するガス、又は両方のガスとから
なる請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項６】 前記エッチングガスのプラズマからイオ
ンを照射する請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項７】 前記エッチングガスを誘導結合プラズマ
（ＩＣＰ）、ヘリコン波プラズマ（ＨＷＰ）、電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）、中性磁気ル−プ放電（ＮＬ
Ｄ）、表面波プラズマ（ＳＷＰ）などの高密度プラズマ
生成法によりプラズマ化する請求項５記載のエッチング
方法。 - 【請求項８】 エッチング速度の比（ＳｉＯ２／Ｓｉ）
が、２０以上である請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項９】 エッチング速度の比（レジスト／ＳｉＯ
２）が、１／４以下である請求項１記載のエッチング方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282688A JPH11111680A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | エッチング方法 |
| US09/090,476 US6461533B1 (en) | 1997-09-30 | 1998-06-04 | Etchant for silicon oxide and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282688A JPH11111680A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111680A true JPH11111680A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17655772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9282688A Pending JPH11111680A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | エッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6461533B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11111680A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003107410A3 (en) * | 2002-06-14 | 2004-04-15 | Lam Res Corp | Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics |
| WO2006137342A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | パターン被覆材料およびパターン形成方法 |
| WO2010050337A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 日本電気株式会社 | エッチング方法及び薄膜デバイス |
| JP2021057523A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、半導体デバイスの製造方法、及び、プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7183201B2 (en) * | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
| KR20070009729A (ko) * | 2004-05-11 | 2007-01-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 불화탄소 에칭 화학반응에서 Ｈ2 첨가를 이용한탄소-도핑-Ｓｉ 산화물 에칭 |
| US20060075968A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Applied Materials, Inc. | Leak detector and process gas monitor |
| US8025811B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-09-27 | Intel Corporation | Composition for etching a metal hard mask material in semiconductor processing |
| DE102006051550B4 (de) * | 2006-10-30 | 2012-02-02 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Strukturieren von Bauteilen unter Verwendung eines Werkstoffs auf der Basis von Siliziumoxid |
| TWI612182B (zh) * | 2013-09-09 | 2018-01-21 | 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 用蝕刻氣體蝕刻半導體結構的方法 |
| US12106971B2 (en) * | 2020-12-28 | 2024-10-01 | American Air Liquide, Inc. | High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5000113A (en) | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| JPH03130368A (ja) | 1989-09-22 | 1991-06-04 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハプロセス装置の洗浄方法 |
| US5556501A (en) | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
| JP3116569B2 (ja) * | 1992-06-29 | 2000-12-11 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US5571571A (en) * | 1993-06-16 | 1996-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a thin film for a semiconductor device |
| US5423942A (en) * | 1994-06-20 | 1995-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for reducing etching erosion in a plasma containment tube |
| US5965463A (en) * | 1997-07-03 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Silane etching process |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9282688A patent/JPH11111680A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-04 US US09/090,476 patent/US6461533B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003107410A3 (en) * | 2002-06-14 | 2004-04-15 | Lam Res Corp | Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics |
| US7547635B2 (en) | 2002-06-14 | 2009-06-16 | Lam Research Corporation | Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics |
| SG155043A1 (en) * | 2002-06-14 | 2009-09-30 | Lam Res Corp | Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics using etch gas with fluorocarbon and hydrocarbon gas |
| WO2006137342A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | パターン被覆材料およびパターン形成方法 |
| US7932013B2 (en) | 2005-06-24 | 2011-04-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Pattern coating material and pattern forming method |
| WO2010050337A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 日本電気株式会社 | エッチング方法及び薄膜デバイス |
| JPWO2010050337A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | 日本電気株式会社 | エッチング方法及び薄膜デバイス |
| JP2021057523A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、半導体デバイスの製造方法、及び、プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6461533B1 (en) | 2002-10-08 |
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