JPH11111746A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその製造装置Info
- Publication number
- JPH11111746A JPH11111746A JP9274294A JP27429497A JPH11111746A JP H11111746 A JPH11111746 A JP H11111746A JP 9274294 A JP9274294 A JP 9274294A JP 27429497 A JP27429497 A JP 27429497A JP H11111746 A JPH11111746 A JP H11111746A
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- Japan
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- semiconductor device
- manufacturing
- die pad
- die
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止時の上下左右方向のリードフレーム
のダイパッドのシフトを十分に抑えることができる半導
体装置の製造方法及びその製造装置を提供する。 【解決手段】 樹脂注入時に発生するダイパッド４ａの
シフトを低減させるために、上型９、下型１０にそれぞ
れ上型可動ピン６、下型可動ピン７を取り付ける。その
場合、上下型可動ピン６，７を取り付ける位置として
は、ワイヤ配線の少ないダイパッドサポート８付近、言
い換えれば、ダイパッド４ａの４辺のコーナー部、つま
り、ダイパッド４ａの４隅とするのが、ワイヤへのダメ
ージ防止、支えの効果の点から有効である。
のダイパッドのシフトを十分に抑えることができる半導
体装置の製造方法及びその製造装置を提供する。 【解決手段】 樹脂注入時に発生するダイパッド４ａの
シフトを低減させるために、上型９、下型１０にそれぞ
れ上型可動ピン６、下型可動ピン７を取り付ける。その
場合、上下型可動ピン６，７を取り付ける位置として
は、ワイヤ配線の少ないダイパッドサポート８付近、言
い換えれば、ダイパッド４ａの４辺のコーナー部、つま
り、ダイパッド４ａの４隅とするのが、ワイヤへのダメ
ージ防止、支えの効果の点から有効である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
におけるモールド工程において、樹脂注入時のダイパッ
ドの移動を低減させる半導体装置の製造方法及びその製
造装置に関するものである。
におけるモールド工程において、樹脂注入時のダイパッ
ドの移動を低減させる半導体装置の製造方法及びその製
造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平３−９５３８号公報、特開平５−３２６
５８７号公報、特開平６−２９３４０号公報に開示され
るものがあった。これらの文献に開示されているよう
に、モールド金型に固定ピンまたは、上下型可動ピンを
設置し、チップを搭載するダイパッドやチップを単に挟
み込むことにより、樹脂注入時のダイパッドの移動（以
下、単にシフトという）を低減させるものであった。
例えば、特開平３−９５３８号公報、特開平５−３２６
５８７号公報、特開平６−２９３４０号公報に開示され
るものがあった。これらの文献に開示されているよう
に、モールド金型に固定ピンまたは、上下型可動ピンを
設置し、チップを搭載するダイパッドやチップを単に挟
み込むことにより、樹脂注入時のダイパッドの移動（以
下、単にシフトという）を低減させるものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来構成の装置では、チップを搭載するダイパッドや
チップを単に挟み込むだけなので、上下方向のシフトを
ある程度規制することはできるが、横方向のシフトの規
制ができず、また、正確さに欠けるという問題があっ
た。
た従来構成の装置では、チップを搭載するダイパッドや
チップを単に挟み込むだけなので、上下方向のシフトを
ある程度規制することはできるが、横方向のシフトの規
制ができず、また、正確さに欠けるという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、上記問題点を除去し、樹脂封止
時の上下左右方向のリードフレームのダイパッドのシフ
トを十分に抑えることができる半導体装置の製造方法及
びその製造装置を提供することを目的とする。
時の上下左右方向のリードフレームのダイパッドのシフ
トを十分に抑えることができる半導体装置の製造方法及
びその製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体装置の製造方法において、モールド金型内
にＩＣチップを搭載したリードフレームをセットし、前
記リードフレームのダイパッドサポートが位置するダイ
パッドの４隅部分を上下型可動ピンで押さえ、樹脂封止
を行うようにしたものである。
成するために、 〔１〕半導体装置の製造方法において、モールド金型内
にＩＣチップを搭載したリードフレームをセットし、前
記リードフレームのダイパッドサポートが位置するダイ
パッドの４隅部分を上下型可動ピンで押さえ、樹脂封止
を行うようにしたものである。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記上下型可動ピンが当接する前記ダイ
パッドの部分に係止部を設け、前記リードフレームの移
動を阻止するようにしたものである。 〔３〕上記〔２〕記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記上下型可動ピンが、前記ダイパッドに形成され
る凹部に当接し、係止するようにしたものである。
方法において、前記上下型可動ピンが当接する前記ダイ
パッドの部分に係止部を設け、前記リードフレームの移
動を阻止するようにしたものである。 〔３〕上記〔２〕記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記上下型可動ピンが、前記ダイパッドに形成され
る凹部に当接し、係止するようにしたものである。
【０００７】〔４〕上記〔２〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記上下型可動ピンが、前記ダイパッド
に形成される穴部に係止するようにしたものである。 〔５〕上記〔２〕記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記上下型可動ピンは、円筒内にバイアスされる押
圧子を備え、前記ダイパッドに形成される凸部を前記円
筒で覆うとともに、前記凸部を前記押圧子で押さえ、係
止するようにしたものである。
方法において、前記上下型可動ピンが、前記ダイパッド
に形成される穴部に係止するようにしたものである。 〔５〕上記〔２〕記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記上下型可動ピンは、円筒内にバイアスされる押
圧子を備え、前記ダイパッドに形成される凸部を前記円
筒で覆うとともに、前記凸部を前記押圧子で押さえ、係
止するようにしたものである。
【０００８】〔６〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記上下型可動ピンは、トランスファー
上昇時の変速点信号を受けて、引き抜いた後、キャビテ
ィの完全充填を行うようにしたものである。 〔７〕半導体装置の製造装置において、モールド金型の
上型と下型にＩＣチップを搭載したリードフレームダイ
パッドサポートが位置するダイパッドの４隅部分に配置
される上下型可動ピンを具備するようにしたものであ
る。
方法において、前記上下型可動ピンは、トランスファー
上昇時の変速点信号を受けて、引き抜いた後、キャビテ
ィの完全充填を行うようにしたものである。 〔７〕半導体装置の製造装置において、モールド金型の
上型と下型にＩＣチップを搭載したリードフレームダイ
パッドサポートが位置するダイパッドの４隅部分に配置
される上下型可動ピンを具備するようにしたものであ
る。
【０００９】〔８〕上記〔７〕記載の半導体装置の製造
装置において、前記上下型可動ピンは、前記ダイパッド
に形成される凹部に当接するように配置されるようにし
たものである。
装置において、前記上下型可動ピンは、前記ダイパッド
に形成される凹部に当接するように配置されるようにし
たものである。
〔９〕上記〔７〕記載の半導体装置の製造装置におい
て、前記上下型可動ピンは、前記ダイパッドに形成され
る穴部に係合するように配置されるようにしたものであ
る。
て、前記上下型可動ピンは、前記ダイパッドに形成され
る穴部に係合するように配置されるようにしたものであ
る。
【００１０】〔１０〕上記〔７〕記載の半導体装置の製
造装置において、前記上下型可動ピンは、円筒内にバイ
アスされる押圧子を備え、前記ダイパッドに形成される
凸部を前記円筒で覆うとともに、前記凸部を前記押圧子
で押さえるように配置するようにしたものである。
造装置において、前記上下型可動ピンは、円筒内にバイ
アスされる押圧子を備え、前記ダイパッドに形成される
凸部を前記円筒で覆うとともに、前記凸部を前記押圧子
で押さえるように配置するようにしたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半
導体装置の製造装置の断面図、図２はその半導体装置の
リードフレームのダイパッドの平面図である。これらの
図に示すように、ＩＣチップ１は導電性の接着剤にてリ
ードフレーム５ａのダイパッド４ａに接着されており、
ゲートと呼ばれる注入口よりモールド樹脂を上型９、下
型１０の上キャビティ２，下キャビティ３と呼ばれる部
分に注入することにより封止（パッケージング）され
る。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半
導体装置の製造装置の断面図、図２はその半導体装置の
リードフレームのダイパッドの平面図である。これらの
図に示すように、ＩＣチップ１は導電性の接着剤にてリ
ードフレーム５ａのダイパッド４ａに接着されており、
ゲートと呼ばれる注入口よりモールド樹脂を上型９、下
型１０の上キャビティ２，下キャビティ３と呼ばれる部
分に注入することにより封止（パッケージング）され
る。
【００１２】この実施例では、樹脂注入時に発生するダ
イパッド４ａのシフトを低減させるために、上型９、下
型１０にそれぞれ上型可動ピン６、下型可動ピン７を取
り付けている。その場合、上下型可動ピン６，７を取り
付ける位置としては、図２に示すように、ワイヤ配線の
少ないダイパッドサポート８付近、言い換えれば、ダイ
パッド４ａの４辺のコーナー部、つまり、ダイパッド４
ａの４隅とするのが、ワイヤへのダメージ防止、支えの
効果の点から有効である。なお、１１は後述するが、凹
部である。
イパッド４ａのシフトを低減させるために、上型９、下
型１０にそれぞれ上型可動ピン６、下型可動ピン７を取
り付けている。その場合、上下型可動ピン６，７を取り
付ける位置としては、図２に示すように、ワイヤ配線の
少ないダイパッドサポート８付近、言い換えれば、ダイ
パッド４ａの４辺のコーナー部、つまり、ダイパッド４
ａの４隅とするのが、ワイヤへのダメージ防止、支えの
効果の点から有効である。なお、１１は後述するが、凹
部である。
【００１３】そこで、上下型可動ピン６，７は通常状態
（樹脂注入しない状態）では、上型９と下型１０の各々
上下キャビティ２，３の底の面迄下がっている。次い
で、ＩＣチップ１を接着したリードフレーム５ａが下型
１０にセットされた後、上型９と合わさり、所定の圧力
まで達した時、ゲートより溶融したモールド樹脂が注入
される。
（樹脂注入しない状態）では、上型９と下型１０の各々
上下キャビティ２，３の底の面迄下がっている。次い
で、ＩＣチップ１を接着したリードフレーム５ａが下型
１０にセットされた後、上型９と合わさり、所定の圧力
まで達した時、ゲートより溶融したモールド樹脂が注入
される。
【００１４】この樹脂注入時の圧力や上キャビティ２と
下キャビティ３の充填バランスの差から発生するダイパ
ッド４ａのシフトを防ぐために、上下型可動ピン６，７
が上下キャビティ２，３より出て、ダイパッド４ａを挟
み込み、動かないように固定する。上下型可動ピン６，
７による固定位置としては、前述の様にワイヤダメージ
の少ない、また、支えの効果が大きいダイパッド４ａの
各コーナー部とする。
下キャビティ３の充填バランスの差から発生するダイパ
ッド４ａのシフトを防ぐために、上下型可動ピン６，７
が上下キャビティ２，３より出て、ダイパッド４ａを挟
み込み、動かないように固定する。上下型可動ピン６，
７による固定位置としては、前述の様にワイヤダメージ
の少ない、また、支えの効果が大きいダイパッド４ａの
各コーナー部とする。
【００１５】また、上下型可動ピン６，７が出たり、引
っ込む動作は金型を搭載するモールド装置（プレス）の
トランスファー上昇の変速点の信号を利用して行う。こ
のトランスファー上昇の変速点について述べると、図３
に示すように、トランスファー２１がある程度上昇して
モールド樹脂２３が大方キャビティに充填されると、変
速点２２に至る。ここで、上下型可動ピン６，７を抜い
て、上下キャビティ２，３を完全に充填してキャビティ
充填完了となる。
っ込む動作は金型を搭載するモールド装置（プレス）の
トランスファー上昇の変速点の信号を利用して行う。こ
のトランスファー上昇の変速点について述べると、図３
に示すように、トランスファー２１がある程度上昇して
モールド樹脂２３が大方キャビティに充填されると、変
速点２２に至る。ここで、上下型可動ピン６，７を抜い
て、上下キャビティ２，３を完全に充填してキャビティ
充填完了となる。
【００１６】したがって、上下型可動ピン６，７はパッ
ケージの形成には何ら支障をきたすことはない。更に、
図４に示すように、ダイパッド４ａの押さえる部分には
凹部１１を設けて、上下型可動ピン６，７が入るように
する。ここでは、上下型可動ピン４本で押さえた時の例
を示している。
ケージの形成には何ら支障をきたすことはない。更に、
図４に示すように、ダイパッド４ａの押さえる部分には
凹部１１を設けて、上下型可動ピン６，７が入るように
する。ここでは、上下型可動ピン４本で押さえた時の例
を示している。
【００１７】このように構成したので、第１実施例で
は、上下型可動ピン６，７で押さえるダイパッド４ａに
凹部１１を設けたことにより、ダイパッド４ａの上下方
向に加え、横方向のシフトを防ぐことができる。また、
上記実施例では、ダウンセットがない平板状のダイパッ
ドについて説明したが、図５に示すように、ダウンセッ
トがある場合についても実施することができる。
は、上下型可動ピン６，７で押さえるダイパッド４ａに
凹部１１を設けたことにより、ダイパッド４ａの上下方
向に加え、横方向のシフトを防ぐことができる。また、
上記実施例では、ダウンセットがない平板状のダイパッ
ドについて説明したが、図５に示すように、ダウンセッ
トがある場合についても実施することができる。
【００１８】すなわち、ダウンセットがあるリードフレ
ーム５ｂのダイパッド４ｂにＩＣチップ１が搭載されて
いる場合にも、同様に実施することができる。次に、本
発明の第２実施例について説明する。図６は本発明の第
２実施例を示す半導体装置の製造装置の要部拡大断面図
である。
ーム５ｂのダイパッド４ｂにＩＣチップ１が搭載されて
いる場合にも、同様に実施することができる。次に、本
発明の第２実施例について説明する。図６は本発明の第
２実施例を示す半導体装置の製造装置の要部拡大断面図
である。
【００１９】この図に示すように、この実施例では、ダ
イパッド４ａ，４ｂには、上型可動ピン６の先端のテー
パ部６Ａが係止する貫通穴１２Ａ、下型可動ピン７の先
端のテーパ部７Ａが係止する貫通穴１２Ｂをそれぞれ形
成する。このように構成したので、第２実施例では、上
型可動ピン６、下型可動ピン７のそれぞれがダイパッド
４ａ，４ｂに係止することにより、ダイパッド４ａ，４
ｂの上下方向に加え、横方向のシフトを防ぐことができ
る。
イパッド４ａ，４ｂには、上型可動ピン６の先端のテー
パ部６Ａが係止する貫通穴１２Ａ、下型可動ピン７の先
端のテーパ部７Ａが係止する貫通穴１２Ｂをそれぞれ形
成する。このように構成したので、第２実施例では、上
型可動ピン６、下型可動ピン７のそれぞれがダイパッド
４ａ，４ｂに係止することにより、ダイパッド４ａ，４
ｂの上下方向に加え、横方向のシフトを防ぐことができ
る。
【００２０】また、貫通穴１２Ａ，１２Ｂに上下型可動
ピン６，７が入り、ダイパッド４ａ，４ｂを固定するた
め、第１実施例より正確な位置決めを行うことができ
る。次に、本発明の第３実施例について説明する。図７
は本発明の第３実施例を示す半導体装置の製造装置の要
部拡大断面図である。
ピン６，７が入り、ダイパッド４ａ，４ｂを固定するた
め、第１実施例より正確な位置決めを行うことができ
る。次に、本発明の第３実施例について説明する。図７
は本発明の第３実施例を示す半導体装置の製造装置の要
部拡大断面図である。
【００２１】この図に示すように、この実施例では、上
型可動ピン６、下型可動ピン７のそれぞれの先端部は円
筒形状をなし、その円筒１３内に押圧子１４をスプリン
グ１５によりバイアスがかかるように装着する。一方、
ダイパッド４ａ，４ｂには、ダイパッドサポートが位置
するダイパッド４ａ，４ｂの４隅部分に凸部１６を形成
する。
型可動ピン６、下型可動ピン７のそれぞれの先端部は円
筒形状をなし、その円筒１３内に押圧子１４をスプリン
グ１５によりバイアスがかかるように装着する。一方、
ダイパッド４ａ，４ｂには、ダイパッドサポートが位置
するダイパッド４ａ，４ｂの４隅部分に凸部１６を形成
する。
【００２２】そこで、樹脂注入時には、ダイパッド４
ａ，４ｂの凸部１６を覆うように円筒１３が位置すると
ともに、押圧子１４が凸部１６を押圧する。このように
構成したので、第３実施例では、特に、ダイパッドの厚
みが無く、凹部を付けられないような場合に有効であ
る。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
ａ，４ｂの凸部１６を覆うように円筒１３が位置すると
ともに、押圧子１４が凸部１６を押圧する。このように
構成したので、第３実施例では、特に、ダイパッドの厚
みが無く、凹部を付けられないような場合に有効であ
る。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）樹脂封止時の上下左右方向のリードフレームのダ
イパッドのシフトを十分に抑えることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）樹脂封止時の上下左右方向のリードフレームのダ
イパッドのシフトを十分に抑えることができる。
【００２４】（Ｂ）上型可動ピン６、下型可動ピンのそ
れぞれをダイパッドに係止することにより、ダイパッド
の上下方向に加え、横方向のシフトを防ぐことができ
る。また、穴にピンが入り、ダイパッドを固定するた
め、第１実施例より正確な位置決めを行うこうとができ
る。 （Ｃ）ダイパッドの厚みが無く、凹部を付けられないよ
うな場合に有効である。
れぞれをダイパッドに係止することにより、ダイパッド
の上下方向に加え、横方向のシフトを防ぐことができ
る。また、穴にピンが入り、ダイパッドを固定するた
め、第１実施例より正確な位置決めを行うこうとができ
る。 （Ｃ）ダイパッドの厚みが無く、凹部を付けられないよ
うな場合に有効である。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体装置の製造装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す半導体装置のリード
フレームのダイパッドの平面図である。
フレームのダイパッドの平面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す半導体装置の製造に
おけるトランスファー上昇時の変速点の説明図である。
おけるトランスファー上昇時の変速点の説明図である。
【図４】本発明の第１実施例を示す半導体装置の製造装
置の要部断面図である。
置の要部断面図である。
【図５】本発明の第１実施例の変形例を示す半導体装置
の製造装置の断面図である。
の製造装置の断面図である。
【図６】本発明の第２実施例を示す半導体装置の製造装
置の要部拡大断面図である。
置の要部拡大断面図である。
【図７】本発明の第３実施例を示す半導体装置の製造装
置の要部拡大断面図である。
置の要部拡大断面図である。
１ ＩＣチップ ２ 上キャビティ ３ 下キャビティ ４ａ，４ｂ ダイパッド ５ａ，５ｂ リードフレーム ６ 上型可動ピン ６Ａ，７Ａ テーパ部 ７ 下型可動ピン ８ ダイパッドサポート ９ 上型 １０ 下型 １１ 凹部 １２Ａ，１２Ｂ 貫通穴 １３ 円筒 １４ 押圧子 １５ スプリング １６ 凸部 ２１ トランスファー ２２ 変速点 ２３ モールド樹脂
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体装置の製造方法において、（ａ）
モールド金型内にＩＣチップを搭載したリードフレーム
をセットし、（ｂ）前記リードフレームのダイパッドサ
ポートが位置するダイパッドの４隅部分を上下型可動ピ
ンで押さえ、樹脂封止を行うことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記上下型可動ピンが当接する前記ダイパッド
の部分に係止部を設け、前記リードフレームの移動を阻
止することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記上下型可動ピンが、前記ダイパッドに形成
される凹部に当接し、係止することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記上下型可動ピンが、前記ダイパッドに形成
される穴部に係止することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記上下型可動ピンは、円筒内にバイアスされ
る押圧子を備え、前記ダイパッドに形成される凸部を前
記円筒で覆うとともに、前記凸部を前記押圧子で押さ
え、係止することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記上下型可動ピンは、トランスファー上昇時
の変速点信号を受けて、引き抜いた後、キャビティの完
全充填を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体装置の製造装置において、 モールド金型の上型と下型にＩＣチップを搭載したリー
ドフレームダイパッドサポートが位置するダイパッドの
４隅部分に配置される上下型可動ピンを具備することを
特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造装置に
おいて、前記上下型可動ピンは、前記ダイパッドに形成
される凹部に当接するように配置されることを特徴とす
る半導体装置の製造装置。 - 【請求項９】 請求項７記載の半導体装置の製造装置に
おいて、前記上下型可動ピンは、前記ダイパッドに形成
される穴部に係合するように配置されることを特徴とす
る半導体装置の製造装置。 - 【請求項１０】 請求項７記載の半導体装置の製造装置
において、前記上下型可動ピンは、円筒内にバイアスさ
れる押圧子を備え、前記ダイパッドに形成される凸部を
前記円筒で覆うとともに、前記凸部を前記押圧子で押さ
えるように配置することを特徴とする半導体装置の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274294A JPH11111746A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274294A JPH11111746A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111746A true JPH11111746A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17539648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274294A Withdrawn JPH11111746A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111746A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2008111524A1 (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Omron Corporation | パッケージの製造方法、パッケージ、光モジュール、及び一体成型用金型 |
| CN102820288A (zh) * | 2011-06-10 | 2012-12-12 | 三菱电机株式会社 | 功率模块及其制造方法 |
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| CN109003906A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-14 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种基板双面塑封制程方法 |
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