JPH11111889A

JPH11111889A - バーンインソケット

Info

Publication number: JPH11111889A
Application number: JP9279707A
Authority: JP
Inventors: Tatsu Maeda; 龍前田
Original assignee: Molex LLC
Current assignee: Molex LLC
Priority date: 1997-09-26
Filing date: 1997-09-26
Publication date: 1999-04-23
Anticipated expiration: 2017-09-26
Also published as: EP0905521A3; KR19990030098A; SG97766A1; EP0905521A2; JP4000638B2

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化が可能なバーンインソケットを提供す
ることを目的としている。【解決手段】少なくとも片面に導体回路５が形成さ
れ、この導体回路５に導通している第１の導電バンプ３
が半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップのチップ
スケールエリア（ＣＳＡ）内に形成された外部端子と当
接して電気的に接続可能にした絶縁性フィルム１を備え
ているバーンインソケット１０である。絶縁性フィルム
１が、回路基板２上に重ねる構成とされて、絶縁性フィ
ルム１の第１の導電バンプ３が形成されている面と反対
の面の外周部に、導体回路５を介して第１の導電バンプ
３と導通している第２の導電バンプ４が形成され、この
第２の導電バンプ４が回路基板２の外周部に設けた導電
ランド７と１対１に対応して、電気的に接続するように
構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスをバーン
イン検査する際に使用するバーンインソケットに係り、
特に、多極の外部端子がボールグリッドアレイ（ＢＧ
Ａ）の形態で、チップスケールエリア内に設けられた半
導体パッケージ（ＢＧＡ・ＣＳＰ、ボールグリッドアレ
イ・チップスケールパッケージ）および半導体ベアチッ
プに対応させた小型のバーンインソケットに関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、高速化、高密度集積
化が進むに従って、プリント回路基板への実装が容易で
あることから、多ピンで小型化ができるＢＧＡ・ＣＳＰ
形式の半導体パッケージの使用が拡がりつつある。この
ＢＧＡ・ＣＳＰでは、半導体パッケージの下面エリア内
に半田ボールや金メッキバンプの形態の外部端子が形成
され、他の電子部品と共に、プリント回路基板に一括実
装される。このような半導体パッケージの外部端子のピ
ッチは、年々狭ピッチ化しており、従来の金属ばねをコ
ンタクトとしたバーンインソケットでは製造限界に達し
ており、新たな機構のバーンインソケットの開発が必要
になってきている。

【０００３】また、近年、液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）、携帯電話、ディジタルビデオカメラ等の小型化さ
れた電子機器の分野では、半導体ベアチップをそのまま
プリント回路基板に実装する手法（ＭＣＭ・マルチチッ
プモジュール）の採用が進んでおり、半導体素子レベル
のバーンインソケットが開発、提案されるに至ってい
る。例えば、絶縁性フィルムに導体回路を形成し、この
導体回路に導通させた導電バンプを半導体ベアーチップ
の外部端子と対応する位置にメッキにより形成し、この
絶縁性フィルムをバーンインソケット内に位置合わせし
て設置すると共に、半導体ベアーチップを、外部端子と
前記導電バンプが圧接するようにセットする構造とされ
ている。前記絶縁性フィルムの周縁部には導体回路と導
通した導電パッドが形成され、ソケット内に設けた金属
コンタクトと接続するようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記のような半導体パ
ッケージ用のバーンインソケットは、バーンインボード
上に複数個のバーンインソケットが実装されて、複数個
の半導体パッケージを同時にバーンイン検査できるよう
にされる。従って、バーンインボード上に実装できるバ
ーンインソケットの個数によってバーンイン検査のコス
トが大きく変化する。即ち、一つのバーンインボードに
なるべく多数個のバーンインソケットを実装できるよう
にすることが重要になる。然しながら、従来のＢＧＡ・
ＣＳＰに対応させたバーンインソケットでは小型化に限
界があった。また、半導体ベアーチップ用のバーンイン
ソケットは、前記の如く、絶縁性フィルムの周縁に形成
した導電パッドに金属コンタクトを接続する構造であっ
たので、バーンインソケットのサイズが大きくなってい
た。この為、一つのバーンインボードに実装できるバー
ンインソケットの数が少なくなり、半導体パッケージ或
は半導体ベアーチップの１個当たりのバーンイン検査の
コストが高くなるという問題点があった。

【０００５】本発明は斯かる問題点に鑑みてなされたも
ので、小型化が可能なバーンインソケットを提供するこ
とを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の目的のもとになさ
れた本発明のバーンインソケットは、半導体パッケージ
若しくは半導体ベアチップの外部端子と当接するように
した第１の導電バンプが片面に形成された絶縁性フィル
ムの他面に、導体回路を介して導通する第２の導電バン
プを形成し、この第２の導電バンプを、絶縁性フィルム
を重ねるソケット基板の導電ランドと１対１で対向して
電気的に接続するようにした。

【０００７】図１に示した概念図を参照して本発明を具
体的に説明すると、バーンインソケットに、図１（ａ）
に示したような、略同一の外形とされた方形の絶縁性フ
ィルム１とソケット基板２を備える。絶縁性フィルム１
の表面には、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチッ
プのチップスケールエリア内に形成された、ＢＧＡ等の
外部端子と当接して電気的に接続可能にした第１の導電
バンプ３を形成する。同じく、絶縁性フィルム１の裏面
の外周部にも、第２の導電バンプ４をＢＧＡの構成で形
成する。そして、前記第１の導電バンプ３と第２の導電
バンプ４を、絶縁性フィルム１の面に沿って形成した導
体回路５で、１対１の関係で電気的に導通させる。

【０００８】絶縁性フィルム１に形成した導体回路５
は、通常のフォトリソグラフィー法によって形成するも
ので、場合によっては、両面回路形成の構造や、多層回
路構造とし、かつ、グランドラインプレーンを設けてイ
ンピーダンスマッチングさせた導体回路５とすることも
できる。

【０００９】また、第１、第２の導電バンプ３、４は、
電解メッキ、無電解メッキ等のメッキ法で形成するもの
で、直径を０．０１〜１ｍｍ、絶縁性フィルム面からの
高さを０．０１〜１ｍｍの大きさとする。メッキに用い
る金属は、金、銀、ニッケル、パラジウム、銅、クロム
等の金属のうち、何れかの金属を選択することができ
る。メッキ法によって形成した導電バンプの表面は、
金、白金、パラジウム、ロジウム等の金属で被覆するの
が望ましい。

【００１０】ソケット基板２は、ガラスエポキシ又はセ
ラミックの何れの板体でも良く、外周部に、前記絶縁性
フィルム１に形成した第２の導電バンプ４と１対１で対
応する導電スルーホール６を設け、ソケット基板２の表
面の導電スルーホール６の開口部周囲に導電ランド７を
形成すると共に、ソケット基板２の裏面にも、導電スル
ーホール６の開口部周囲に導電ランド８を形成する。各
導電ランド７、８の表面は、前記第１、第２の導電バン
プ３、４の表面と同様の、金、白金、パラジウム、ロジ
ウム等の貴金属メッキで被覆する。また、ソケット基板
２の表面中央部は、絶縁性フィルム１の第１の導電バン
プ３のエリアに対応させて、シリコン樹脂等による樹脂
弾性体層９を設けるのが望ましい。

【００１１】上記のような絶縁性フィルム１とソケット
基板２を、図１の（ｂ）又は（ｃ）に示したように重ね
てバーンインソケット１０を構成する。絶縁性フィルム
１とソケット基板２を重ねるに当たり、接着剤を用いる
構造と、弾性樹脂シートを用いる構造がある。図１
（ｂ）は接着剤を用いた構造で、絶縁性フィルム１とソ
ケット基板２を有機接着剤１１で接着すると共に、絶縁
性フィルム１に形成した第２の導電バンプ４と、ソケッ
ト基板２の外周部表面に形成した導電ランド７は、導電
ランド７の表面に予め半田コートを施して、金属合金接
合させる。図１（ｃ）は弾性樹脂シート１２を用いた構
造で、絶縁性フィルム１の上に重ねた弾性樹脂シート１
２の弾力によって第２の導電バンプ４と導電ランド７を
圧接接続させる。

【００１２】ソケット基板２の下面に形成した導電ラン
ド８には、実施例で説明するように、金属ボールを半田
結合させてＢＧＡ構造としたり、金属ピンをろう付けし
てピングリッドアレイ（ＰＧＡ）構造として、バーンイ
ンボード（図示していない）へ実装可能とされる。

【００１３】

【作用】上記の如くに構成した本発明のバーンインソケ
ット１０は、絶縁性フィルム１の中央の第１の導電バン
プ３を形成した位置に半導体パッケージ若しくは半導体
ベアチップを位置合わせしてセットし、上蓋で半導体パ
ッケージ若しくは半導体ベアチップを絶縁性フィルム１
側へ押し付けて、半導体パッケージ若しくは半導体ベア
チップの外部端子と第１の導電バンプ３を接触状態とす
る。このようなバーンインソケット１０をバーンインボ
ード上に実装してバーンイン検査に供する。絶縁性フィ
ルム１の外周部に第２の導電バンプ４を形成して、この
第２の導電バンプ４をソケット基板２の外周部に形成し
た導電ランド７と電気的に接続する構成としたので、金
属バネコンタクト等の介在を無くしてバーンインソケッ
ト１０全体が小型化される。従って、バーンインボード
に実装するバーンインソケット１０の数を増大させるこ
とができる。

【００１４】絶縁性フィルム１とソケット基板２は、有
機接着剤１１や弾性樹脂シート１２の弾力によって一体
化されており、絶縁性フィルム１側の第２の導電バンプ
４とソケット基板２側の導電ランド７との接続の信頼性
を、高い状態で維持することができる。第２の導電バン
プ４と導電ランド７を金属合金接合させることで、特に
接続の信頼性を高めることができる。また、弾性樹脂シ
ート１２で圧接させた接続構造では、絶縁性フィルム１
の交換が可能である。

【００１５】ソケット基板２とバーンインボードは、ソ
ケット基板２の導電スルーホール６に導通させた裏面側
の導電ランド８に設けた金属ピン又は金属ボールを介し
て電気的に接続することで、バーンインソケット１０の
実装をすることができる。金属ピンによる場合は、バー
ンインボード側にはピングリッドアレイ（ＰＧＡ）と対
応する既成のＰＧＡソケットを使用することが可能で、
実装を容易にすることができる。また、金属ボールの場
合は、バーンインボード側にＢＧＡ構造の金属ボールに
対応させた導電ランドを形成し、金属ボールと導電ラン
ドを当接させることで電気的な接続が可能であり、実装
を容易にすると共に、半導体パッケージ若しくは半導体
ベアチップの外部端子が多極となっても、確実な小型化
が可能である。

【００１６】ソケット基板２の表面中央部に樹脂弾性体
層９を設けた構成では、半導体パッケージ若しくは半導
体ベアチップと上蓋の間に、ばね部材の弾性力で付勢さ
れる押圧部材を介在させて、半導体パッケージ若しくは
半導体ベアチップを絶縁性フィルム１側に押し付けて外
部端子と第１の導電バンプ３の接触圧を所定の圧力にす
ることができる。ばね部材のばね定数は、半導体パッケ
ージ若しくは半導体ベアチップの外部端子の数と、各外
部端子に必要な接触圧に基づいて決定する。半導体パッ
ケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子が形成され
た面（底面）のコプラナリティー及び絶縁性フィルム１
の第１の導電バンプ３のコプラナリティーの差を樹脂弾
性体層９で吸収しながら、各外部端子に必要な接触圧を
付与し、信頼性のある接続構造が形成される。

【００１７】

【実施例１】図２、３は、実施例１のソケット基板２を
模式的に表したものである。厚さ０．５ｍｍ、３０ｍｍ
角のアルミナセラミック板を用い、外周部に既成のＰＧ
Ａソケットに対応させて穴あけして導電スルーホール６
を形成した後、表面側には、導電スルーホール６の回り
に金メッキした直径１ｍｍの導電ランド７を形成し、裏
面側には、導電スルーホール６の回りに金メッキした直
径１ｍｍの導電ランド８を形成し、この裏面側の導電ラ
ンド８にはコバール製の金属ピン１３を金−錫によるろ
う付けで接合した。ソケット基板２の４隅には、位置合
わせ用孔１４を形成した。

【００１８】図４、５は、実施例１の絶縁性フィルム１
を模式的に表したものである。厚さ５０μｍのポリイミ
ドフィルムを用いた。一方の面の中央部に、半導体パッ
ケージの外部端子と１対１で対応させて、直径５０μ
ｍ、高さ２０μｍの金メッキした第１の導電バンプ３を
形成し、もう一方の面に、第１の導電バンプ３と導通さ
せた導体回路５をファーンアウトして出して、この導体
回路５と導通する第２の導電バンプ４を絶縁性フィルム
１の外周部に、前記導電ランド７と１対１で対応するよ
うに形成した。第２の導電バンプ４は、直径３００μ
ｍ、高さ５０μｍとし、表面は金メッキした。絶縁性フ
ィルム１には、第１の導電バンプ３の外側に、フォトリ
ソ法によって、半導体パッケージに対する位置合わせ用
ストッパ１５を設け（図６参照）、また、４隅には、ソ
ケット基板２の位置合わせ用孔１４と同一の位置に位置
合わせ用孔１６を形成してソケット基板２との位置合わ
せができるようにした。

【００１９】図６は、上記の絶縁性フィルム１とソケッ
ト基板２を備えたバーンインソケット１０に半導体パッ
ケージ１７をセットした状態の模式的に表した断面図で
ある。ソッケト基板２の中央部に、厚さ０．２ｍｍ、大
きさ１０ｍｍ角のシリコーン樹脂シート１８を載置し、
この上に絶縁性フィルム１を載せ、更に絶縁性フィルム
１の上に、厚さ０．５ｍｍのシリコーン樹脂シート１９
を載せると共に、位置合わせ用孔１４、１６に結合ねじ
２０を挿通した。そして、絶縁性フィルム１の中央部
に、半導体パッケージ１７を位置合わせ用ストッパ１５
を介してセットし、半導体パッケージ１７の外部端子２
１と第１の導電バンプ３を対向させた。この半導体パッ
ケージ１７の上に前記シリコーン樹脂シート１８と同様
のシリコーン樹脂シート２２を載せると共に、全体に上
蓋２３を被せ、結合ねじ２０を介して締め付けて、半導
体パッケージ１７の外部端子２１と第１の導電バンプ３
を圧接させると共に、絶縁性フィルム１の第２の導電バ
ンプ４とソケット基板２の導電ランド７を圧接させた。

【００２０】バーンインボード（図示していない）側に
は、既成のＰＧＡソケットを半田実装しておき、このＰ
ＧＡソケットに、ソケット基板２に取り付けた金属ピン
１３を挿入するようにして、バーンインソケット１０を
バーンインボードに装着し、その後、バーンイン検査を
行った。

【００２１】

【実施例２】実施例１と同様のソケット基板２を使用
し、導電スルーホール６と導通させた上面の導電ランド
７は、更に、半田メッキを施した。下面側の導電ランド
８には、直径０．７ｍｍの金メッキ銅ボール２４を金−
錫によりろう付け接合した（図７参照）。

【００２２】絶縁性フィルム１も、実施例１と同様のも
のを使用した。第１の導電バンプ３は、直径５０μｍ、
高さ２０μｍとし、表面に金メッキを施した。第２の導
電バンプ４は、直径０．５ｍｍ、高さを０．３ｍｍと
し、表面は金メッキした。

【００２３】図７が実施例２のバーンインソケット１０
に、半導体パッケージ１７をセットした状態の模式的に
表した断面図である。絶縁性フィルム１とソケット基板
２は、有機接着剤１１で接着して一体化すると共に、半
田メッキした導電ランド７と金メッキした第２の導電バ
ンプ４は、加熱によって金属合金結合させた。絶縁性フ
ィルム１の中央部下側には、前記と同様のシリコーン樹
脂シート１８を配置し、上側にはシリコーン樹脂シート
１９を重ねた。そして、絶縁性フィルム１の中央部に半
導体パッケージ１７をセットし、この半導体パッケージ
１７の上にシリコーン樹脂シート２２を載せると共に、
全体に上蓋２３を被せ、結合ねじ２０で全体を一体化さ
せた。

【００２４】バーンインボード側には、ソケット基板２
に設けた金メッキ銅ボール２４と対応させて導電ランド
を形成し、この導電ランドに金メッキ銅ボール２４を半
田付けしてバーンインソケット１０をバーンインボード
上に実装し、バーンイン検査を行った。

【００２５】

【実施例３】ソケット基板２には、厚さ１．５ｍｍで３
０ｍｍ角のガラスエポキシ板を使用した。このソケット
基板２の中央部に、深さ０．５ｍｍで１０ｍｍ角の凹入
部２５を形成し、この凹入部２５にシリコーン樹脂シー
トを接着して樹脂弾性体層９を形成した。ソケット基板
２の外周部には、導電スルーホール６を形成して、上面
には、導電スルーホール６の回りに金メッキした直径１
ｍｍの導電ランド７を形成し、表面は半田メッキした。
ソケット基板２の下面側は、導電スルーホール６の回り
に同様の導電ランド８を形成し、この導電ランド８に、
直径０．７ｍｍの金メッキ銅ボール２６を高温半田で接
合した。

【００２６】絶縁性フィルム１は、実施例１、２と同様
で、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを使用し、直径
２００μｍ、高さ６０μｍの金メッキした第１の導電バ
ンプ３、直径５００μｍ、高さ５０μｍの金メッキした
第２の導電バンプ４、並びに第１の導電バンプ３と第２
の導電バンプ４を導通させる導体回路５を設けた。

【００２７】上記のソケット基板２と絶縁性フィルム１
を有機接着剤１１で接合すると共に、半田メッキした導
電ランド７と第２の導電バンプ４を加熱して金属合金結
合させた。

【００２８】図８は、実施例３のバーンインソケット１
０に半導体パッケージ１７をセットした状態の模式的に
表した断面図である。半導体パッケージ１７を保持枠２
７を介してセットし、半導体パッケージ１７のＢＧＡ構
造とした外部端子２１と絶縁性フィルム１の第１の導電
バンプ３を１対１に対向させて当接させ、上蓋２３で固
定してある。上蓋２３の中央部には、コイルばね２８で
付勢された押圧部材２９が設けてあり、押圧部材２９が
半導体パッケージ１７を絶縁性フィルム１側に押し付け
るようにしてあり、外部端子２１と第１の導電バンプ３
が所定の当接圧で接合するようにしてある。図中、３０
は上蓋２３に設けた固定金具で、ソケット基板２側に係
止できるようになっている。

【００２９】バーンインボード側には、実施例２と同様
に、ソケット基板２に設けた金メッキ銅ボール２６と対
応させて導電ランドを形成し、この導電ランドに金メッ
キ銅ボール２６を半田付けしてバーンインソケット１０
をバーンインボード上に実装し、バーンイン検査を行っ
た。

【００３０】尚、上記の各実施例では、半導体パッケー
ジ１７をバーンイン検査しているが、半導体パッケージ
１７を半導体ベアチップとしても、同様に実施すること
が可能である。

【００３１】

【発明の効果】以上に説明の通り、本発明によれば、小
型化が可能なバーンインソケットを提供できる効果があ
る。従って、バーンインボード上に実装するバーンイン
ソケットの数を多くすることができ、バーンイン検査の
コストを低減することができる。このことにより、新規
の半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの信頼性
保証が可能になり、電子機器の小型軽量化、高性能化が
達成できるようになるのである。

【００３２】請求項２の本発明によれば、絶縁性フィル
ムの第２の導電バンプとソケット基板の導電ランドが金
属合金結合されるので、電気的接続の信頼性を特に向上
することができる。

【００３３】請求項３の本発明によれば、絶縁性フィル
ムとソケット基板を、必要に応じて分離することができ
る構造であるので、絶縁性フィルムの交換ができるばか
りでなく、絶縁性フィルム上に半導体パッケージ若しく
は半導体ベアチップをセットした後、ソケット基板に結
合するような手順でバーンイン検査を行うことも可能に
できる。

【００３４】請求項４の本発明によれば、ソケット基板
とバーンインボードをＢＧＡ構造で接合できるので、一
層の小型化が可能である。

【００３５】請求項５の本発明によれば、ソケット基板
とバーンインボードが、ＰＧＡ構造の金属ピントＰＧＡ
ソケットを介して接続できるので、バーンインボードに
対するバーンインソケットの実装を簡単にすることがで
きる。

【００３６】更に、請求項６の本発明によれば、半導体
パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と第１
の導電バンプを、必要な当接圧で当接できるばかりでな
く、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップ側のコ
プラナリティーと第１の導電バンプ側のコプラナリティ
ーの差を吸収できるので、外部端子と第１の導電バンプ
の電気的接続部分の信頼性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の概念図であり、（ａ）は分解斜視
図、（ｂ）、（ｃ）は断面図である。

【図２】本発明の実施例のソケット基板を模式的に表
した斜視図である。

【図３】同じく実施例のソケット基板を模式的に表し
た断面図である。

【図４】同じく実施例の絶縁性フィルムを模式的に表
した斜視図である。

【図５】同じく実施例の絶縁性フィルムを模式的に表
した断面図である。

【図６】本発明の実施例１のバーンインソケットの概
略断面図である。

【図７】本発明の実施例２のバーンインソケットの概
略断面図である。

【図８】本発明の実施例３のバーンインソケットの概
略断面図である。

【符号の説明】

１絶縁性フィルム２ソケット基板３第１の導電バンプ４第２の導電バンプ５導体回路６導電スルーホール７、８導電ランド９樹脂弾性体層１０バーンインソケット１１有機接着剤１２弾性樹脂シート１３金属ピン１４、１６位置合わせ用孔１５位置合わせ用ストッパ１７半導体パッケージ１８、１９、２２シリコーン樹脂シート２０結合ねじ２１半導体パッケージの外部端子２３上蓋２４、２６金メッキ銅ボール２５凹入部２７保持枠２８コイルばね２９押圧部材３０固定金具

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも片面に導体回路５が形成さ
れ、この導体回路５に導通している第１の導電バンプ３
が半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップのチップ
スケールエリア（ＣＳＡ）内に形成された外部端子と当
接して電気的に接続可能にした絶縁性フィルム１を備え
ているバーンインソケット１０において、前記絶縁性フィルム１が、ソケット基板２上に重ねる構
成とされて、絶縁性フィルム１の前記第１の導電バンプ
３が形成されている面と反対の面の外周部に、前記導体
回路５を介して前記第１の導電バンプ３と導通している
第２の導電バンプ４が形成され、この第２の導電バンプ
４が前記ソケット基板２の外周部に設けた導電ランド７
と１対１に対応して、電気的に接続するように構成され
ていることを特徴とするバーンインソケット。
【請求項２】絶縁性フィルム１の第２の導電バンプ
４とソケット基板２の導電ランド７の電気的接続が、絶
縁性フィルム１とソケット基板２の有機接着剤１１によ
る接着と、第２の導電バンプ４と導電ランド７の金属合
金結合で構成されている請求項１に記載のバーンインソ
ケット。
【請求項３】絶縁性フィルム１の第２の導電バンプ
４とソケット基板２の導電ランド７の電気的接続が、絶
縁性フィルム１に重ねた弾性樹脂シート１２の弾性力を
介した圧接で構成されている請求項１に記載のバーンイ
ンソケット。
【請求項４】ソケット基板２は、導電ランド７が形
成された面と反対の面に導電スルーホール６を介して導
電ランド７と導通する金属ボール２４、２６が設けてあ
る請求項１に記載のバーンインソケット。
【請求項５】ソケット基板２は、導電ランド７が形
成された面と反対の面に導電スルーホール６を介して導
電ランド７と導通する金属ピン１３が設けてある請求項
１に記載のバーンインソケット。
【請求項６】絶縁性フィルム１の第１の導電バンプ
３と反対の面に樹脂弾性体層９が設けられ、かつ、半導
体パッケージ若しくは半導体ベアチップが、ばね部材２
８の弾性力を介して前記第１の導電バンプ３に向けて押
圧される構造を更に備えている請求項１に記載のバーン
インソケット。