JPH11112207A - 高周波回路 - Google Patents
高周波回路Info
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- JPH11112207A JPH11112207A JP9269722A JP26972297A JPH11112207A JP H11112207 A JPH11112207 A JP H11112207A JP 9269722 A JP9269722 A JP 9269722A JP 26972297 A JP26972297 A JP 26972297A JP H11112207 A JPH11112207 A JP H11112207A
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- Japan
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- tem
- resonator
- frequency
- tem resonator
- circuit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 デュアルバンド用携帯電話機に関し、Ｃ／Ｎ
の劣化、損失の改善を図ることを目的とする。 【解決手段】 第１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ共振
器を切替手段を介して接続し、切替手段に印加する切替
制御信号の状態に対応して、第１のＴＥＭ共振器、また
は、相互接続された第１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ
共振器に切替えできるように構成する。
の劣化、損失の改善を図ることを目的とする。 【解決手段】 第１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ共振
器を切替手段を介して接続し、切替手段に印加する切替
制御信号の状態に対応して、第１のＴＥＭ共振器、また
は、相互接続された第１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ
共振器に切替えできるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デュアルバンド用
携帯電話機に関するものである。移動無線端末、例え
ば、携帯電話機は利用者の増加に伴い、使用できる周波
数が不足していると云う問題がある。
携帯電話機に関するものである。移動無線端末、例え
ば、携帯電話機は利用者の増加に伴い、使用できる周波
数が不足していると云う問題がある。
【０００２】この対策として、携帯電話機に複数の周波
数帯域を送受信できる機能を持たせ、一方の周波数帯域
で空きチャンネルがなくなった時、もう一方の周波数帯
域のチャンネルを利用できる様にする方法がある。
数帯域を送受信できる機能を持たせ、一方の周波数帯域
で空きチャンネルがなくなった時、もう一方の周波数帯
域のチャンネルを利用できる様にする方法がある。
【０００３】この時、デュアルバンド用携帯電話機の高
周波回路としては、キャリア／雑音比（以下、Ｃ／Ｎと
省略する）の劣化や通過損失の改善を図ることが必要で
ある
周波回路としては、キャリア／雑音比（以下、Ｃ／Ｎと
省略する）の劣化や通過損失の改善を図ることが必要で
ある
【０００４】。
【従来の技術】携帯電話機は利用者の増加に伴って使用
できる周波数が不足していると云う問題があるが、この
対策として携帯電話機のデュアルバンド化がある。
できる周波数が不足していると云う問題があるが、この
対策として携帯電話機のデュアルバンド化がある。
【０００５】デュアルバンド化とは、複数の周波数帯域
を送受信できる機能を携帯電話機に持たせることであ
る。即ち、一方の周波数帯域のチャンネル（例えば、８
１０ＭＨｚ〜８２８ＭＨｚ）が全て使用中になった場
合、もう一方の周波数帯域のチャンネル（例えば、８７
０ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚ）を利用する方法である。
を送受信できる機能を携帯電話機に持たせることであ
る。即ち、一方の周波数帯域のチャンネル（例えば、８
１０ＭＨｚ〜８２８ＭＨｚ）が全て使用中になった場
合、もう一方の周波数帯域のチャンネル（例えば、８７
０ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚ）を利用する方法である。
【０００６】そこで、デュアルバンド化に対応する為の
対策として、携帯電話機の高周波部が８１０ＭＨｚ〜８
８５ＭＨｚの全帯域をカバーする様に広帯域化すること
が最も一般的な対策であった。
対策として、携帯電話機の高周波部が８１０ＭＨｚ〜８
８５ＭＨｚの全帯域をカバーする様に広帯域化すること
が最も一般的な対策であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の様に、高周波部
を広帯域化する為には、高周波部を構成している部品の
広帯域化を行わなければならない。
を広帯域化する為には、高周波部を構成している部品の
広帯域化を行わなければならない。
【０００８】しかし、部品の広帯域化を行う場合、下記
の問題点が発生する。 １．Ｃ／Ｎの劣化 例えば、電圧制御発振器などでは、制御する周波数範囲
が広い程、Ｃ／Ｎが劣化する（Ｃ／Ｎは無線の通信品質
に影響が大きいファクターである）。 ２．損失の増大 例えば、フィルタの場合、通過させる周波数と通過させ
ない周波数の減衰比は、通過帯域が広い程、低くなる
が、実際の設計ではある減衰量を得る為にフィルタの段
数を増やして必要な減衰量を得ている。
の問題点が発生する。 １．Ｃ／Ｎの劣化 例えば、電圧制御発振器などでは、制御する周波数範囲
が広い程、Ｃ／Ｎが劣化する（Ｃ／Ｎは無線の通信品質
に影響が大きいファクターである）。 ２．損失の増大 例えば、フィルタの場合、通過させる周波数と通過させ
ない周波数の減衰比は、通過帯域が広い程、低くなる
が、実際の設計ではある減衰量を得る為にフィルタの段
数を増やして必要な減衰量を得ている。
【０００９】この場合、フィルタの段数分だけ挿入損失
が増える。上記の問題点を解決する為には、使用する帯
域のみの部品に分け、それらを複数、組み合わせて使用
すれば良いが、この時は部品点数が倍になり、携帯電話
機の小型化にはならない。
が増える。上記の問題点を解決する為には、使用する帯
域のみの部品に分け、それらを複数、組み合わせて使用
すれば良いが、この時は部品点数が倍になり、携帯電話
機の小型化にはならない。
【００１０】本発明は、Ｃ／Ｎの劣化、損失の改善を図
ることを目的とする。
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は第１、第２の本発
明の原理説明図（その１）、図２は第１、第２の本発明
の原理説明図（その２）を示す。
明の原理説明図（その１）、図２は第１、第２の本発明
の原理説明図（その２）を示す。
【００１２】第１の本発明は、第１のＴＥＭ共振器と第
２のＴＥＭ共振器を切替手段を介して接続する。そし
て、該切替手段に印加する切替制御信号の状態に対応し
て、第１のＴＥＭ共振器、または、相互接続された該第
１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ共振器に切替可能な構
成にした。
２のＴＥＭ共振器を切替手段を介して接続する。そし
て、該切替手段に印加する切替制御信号の状態に対応し
て、第１のＴＥＭ共振器、または、相互接続された該第
１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ共振器に切替可能な構
成にした。
【００１３】第２の本発明は、第１のＴＥＭ共振器と第
２のＴＥＭ共振器を、両端開放のＴＥＭ共振器と片端短
絡のＴＥＭ共振器で構成する様にした。第３の本発明
は、上記両端開放のＴＥＭ共振器と片端短絡のＴＥＭ共
振器を切替手段を介して接続した回路を、少なくとも２
つ結合して多段の帯域通過フィルタを形成する。
２のＴＥＭ共振器を、両端開放のＴＥＭ共振器と片端短
絡のＴＥＭ共振器で構成する様にした。第３の本発明
は、上記両端開放のＴＥＭ共振器と片端短絡のＴＥＭ共
振器を切替手段を介して接続した回路を、少なくとも２
つ結合して多段の帯域通過フィルタを形成する。
【００１４】そして、切替手段を用いて、２つの周波数
帯域をそれぞれカバーできる様にした。ここで、ＴＥＭ
共振器の場合、共振周波数を決定するものは共振器自身
の長さで、この長さを機械的に変化させることは難し
い。
帯域をそれぞれカバーできる様にした。ここで、ＴＥＭ
共振器の場合、共振周波数を決定するものは共振器自身
の長さで、この長さを機械的に変化させることは難し
い。
【００１５】この為、ＴＥＭ共振器をインダクタンス成
分として動作させ、コンデンサと共振させる構成にす
る。また、本発明ではＴＥＭ共振器を組み合わせ、それ
らの間に高周波スィッチ用ダイオードを最低１つ使用
し、ダイオードをオン／オフ動作させて共振周波数を制
御することにより、部品の形状を大きくせず、複数の周
波数帯域に対応できる様にしたものである。
分として動作させ、コンデンサと共振させる構成にす
る。また、本発明ではＴＥＭ共振器を組み合わせ、それ
らの間に高周波スィッチ用ダイオードを最低１つ使用
し、ダイオードをオン／オフ動作させて共振周波数を制
御することにより、部品の形状を大きくせず、複数の周
波数帯域に対応できる様にしたものである。
【００１６】以下、図１、図２を用いて、第１、第２の
本発明の原理を説明する。なお、図１、図２中の共振回
路は、両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１、片端短絡ＴＥＭ共
振器ＤＲ２、高周波スイッチ用ダイオードＤ１、Ｄ２及
びコンデンサＣ0で構成されている。また、高周波スイ
ッチ用ダイオードＤ１、Ｄ２が切替手段である。
本発明の原理を説明する。なお、図１、図２中の共振回
路は、両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１、片端短絡ＴＥＭ共
振器ＤＲ２、高周波スイッチ用ダイオードＤ１、Ｄ２及
びコンデンサＣ0で構成されている。また、高周波スイ
ッチ用ダイオードＤ１、Ｄ２が切替手段である。
【００１７】先ず、ＴＥＭ共振器を使用する場合、この
共振器が共振する領域、または、誘導性を呈する領域で
使用する。この為、両端開放の場合は、（λg ／２）Ｔ
ＥＭ長≦λg ／２の範囲で、片端短絡の場合は、（λg
／４）ＴＥＭ長≦λg ／４の範囲で使用する。なお、λ
g ：同軸線路内波長である。
共振器が共振する領域、または、誘導性を呈する領域で
使用する。この為、両端開放の場合は、（λg ／２）Ｔ
ＥＭ長≦λg ／２の範囲で、片端短絡の場合は、（λg
／４）ＴＥＭ長≦λg ／４の範囲で使用する。なお、λ
g ：同軸線路内波長である。
【００１８】このＴＥＭ共振器ＤＲ１にコンデンサＣ0
を接続すると、周波数Ｆ0 で共振し、インピーダンスは
最小となるが、周波数Ｆ0 より離れた周波数に対しては
インピーダンスは大きくなる（図１（ａ）- ，図１
（ｂ）- 参照) 。
を接続すると、周波数Ｆ0 で共振し、インピーダンスは
最小となるが、周波数Ｆ0 より離れた周波数に対しては
インピーダンスは大きくなる（図１（ａ）- ，図１
（ｂ）- 参照) 。
【００１９】また、このＴＥＭ共振器ＤＲ１の右端を高
周波スイッチ用ダイオードＤ１を介して接地し、このダ
イオードＤ１を短絡状態にすると、この共振器ＤＲ１は
Ｆ0／２の周波数で共振し、共振周波数ではインピーダ
ンスが最小になる（図１（ａ）- , 図１（ｂ）参
照）。
周波スイッチ用ダイオードＤ１を介して接地し、このダ
イオードＤ１を短絡状態にすると、この共振器ＤＲ１は
Ｆ0／２の周波数で共振し、共振周波数ではインピーダ
ンスが最小になる（図１（ａ）- , 図１（ｂ）参
照）。
【００２０】これは高周波スイッチ用ダイオードＤ１の
スイッチング動作により、ＴＥＭ共振器ＤＲ１が両端開
放状態から片端短絡状態に変化した為である。更に、図
１（ａ）- に示すＴＥＭ共振器ＤＲ１に、高周波スイ
ッチ用ダイオードＤ２を介して片端短絡のＴＥＭ共振器
ＤＲ２を直列に接続する（図２（ａ）- 参照）。
スイッチング動作により、ＴＥＭ共振器ＤＲ１が両端開
放状態から片端短絡状態に変化した為である。更に、図
１（ａ）- に示すＴＥＭ共振器ＤＲ１に、高周波スイ
ッチ用ダイオードＤ２を介して片端短絡のＴＥＭ共振器
ＤＲ２を直列に接続する（図２（ａ）- 参照）。
【００２１】そして、高周波スイッチ用ダイオードＤ１
を短絡状態、高周波スイッチ用ダイオードＤ２を開放状
態にすると図２（ａ）- の構成になり、周波数Ｆ1 で
共振し、周波数Ｆ1 におけるインピーダンスは最小とな
る（図２（ｂ）- 参照）。
を短絡状態、高周波スイッチ用ダイオードＤ２を開放状
態にすると図２（ａ）- の構成になり、周波数Ｆ1 で
共振し、周波数Ｆ1 におけるインピーダンスは最小とな
る（図２（ｂ）- 参照）。
【００２２】逆に、高周波スイッチ用ダイオードＤ１を
開放状態、高周波スイッチ用ダイオードＤ２を短絡状態
にすると、図２（ａ）- の構成になり、図２- の構
成の時と比べ共振周波数は、片端短絡したＴＥＭ共振器
ＤＲ２を追加した分（例えば、Δｆ）だけ共振周波数が
下がる（図２（ｂ）- 参照) 。
開放状態、高周波スイッチ用ダイオードＤ２を短絡状態
にすると、図２（ａ）- の構成になり、図２- の構
成の時と比べ共振周波数は、片端短絡したＴＥＭ共振器
ＤＲ２を追加した分（例えば、Δｆ）だけ共振周波数が
下がる（図２（ｂ）- 参照) 。
【００２３】つまり、図２の回路構成において、高周波
スイッチ用ダイオードＤ１、Ｄ２を短絡状態／開放状態
にすることにより、2 つの共振周波数のうち、何れか一
方の共振周波数を実現することができる。
スイッチ用ダイオードＤ１、Ｄ２を短絡状態／開放状態
にすることにより、2 つの共振周波数のうち、何れか一
方の共振周波数を実現することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図３は第３の本発明の実施例の説
明図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は周波数：損失特性
図、図４は図３（ａ）中の点線部分の実装説明図で、
（ａ）は要部斜視図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。
明図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は周波数：損失特性
図、図４は図３（ａ）中の点線部分の実装説明図で、
（ａ）は要部斜視図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。
【００２５】また、図５は第３の本発明の別の実施例の
説明図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は周波数：損失特性
図である。以下、図３〜図５の説明をする。
説明図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は周波数：損失特性
図である。以下、図３〜図５の説明をする。
【００２６】なお、上記で詳細説明した部分については
概略説明し、本発明の部分については詳細説明するが、
本発明を実施することにより効果が大きいと思われる帯
域通過フィルタを用いて説明する。
概略説明し、本発明の部分については詳細説明するが、
本発明を実施することにより効果が大きいと思われる帯
域通過フィルタを用いて説明する。
【００２７】また、本発明はセクション数に依存しない
為、簡単な構成である２段構成で、且つ、ＴＥＭ長＜λ
g ／２、ＴＥＭ長＜λg ／４の場合で説明する説明す
る。更に、全図を通じて同一符号は同一対象物である。
為、簡単な構成である２段構成で、且つ、ＴＥＭ長＜λ
g ／２、ＴＥＭ長＜λg ／４の場合で説明する説明す
る。更に、全図を通じて同一符号は同一対象物である。
【００２８】さて、図３（ａ）中の Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５：結合用コンデンサであり、この値は
装置側が要求する仕様によって決定される。 Ｃ１、Ｃ３：帯域通過フィルタの特性を左右する共振用
のコンデンサであり、この値は装置側が要求する仕様に
よって決定される。
装置側が要求する仕様によって決定される。 Ｃ１、Ｃ３：帯域通過フィルタの特性を左右する共振用
のコンデンサであり、この値は装置側が要求する仕様に
よって決定される。
【００２９】なお、本コンデンサは、ＴＥＭ長＝λg ／
２、ＴＥＭ長＝λg ／４の場合は必要ない。 Ｃ６：高周波成分がバイアイ回路に回り込まない様にす
る為のコンデンサ Ｄ１〜Ｄ４：高周波スイッチ用ダイオード（ＰＩＮダイ
オード） ＤＲ１、ＤＲ２：両端開放ＴＥＭ共振器 ＤＲ３、ＤＲ４：片端短絡ＴＥＭ共振器 ｃｈ１、ｃｈ２：高周波分がバイアス回路に回り込まな
い様にする為のチョークコイル である。
２、ＴＥＭ長＝λg ／４の場合は必要ない。 Ｃ６：高周波成分がバイアイ回路に回り込まない様にす
る為のコンデンサ Ｄ１〜Ｄ４：高周波スイッチ用ダイオード（ＰＩＮダイ
オード） ＤＲ１、ＤＲ２：両端開放ＴＥＭ共振器 ＤＲ３、ＤＲ４：片端短絡ＴＥＭ共振器 ｃｈ１、ｃｈ２：高周波分がバイアス回路に回り込まな
い様にする為のチョークコイル である。
【００３０】ここで、制御端子に正電圧を印加すると、
高周波スイッチ用ダイオードＤ３とＤ４は短絡状態にな
り、高周波スイッチ用ダイオードＤ１とＤ２は開放状態
となる。
高周波スイッチ用ダイオードＤ３とＤ４は短絡状態にな
り、高周波スイッチ用ダイオードＤ１とＤ２は開放状態
となる。
【００３１】そこで、両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１と片
端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ３及び両端開放ＴＥＭ共振器Ｄ
Ｒ２と片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ４が、それぞれ接続さ
れた状態となる。
端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ３及び両端開放ＴＥＭ共振器Ｄ
Ｒ２と片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ４が、それぞれ接続さ
れた状態となる。
【００３２】この時の周波数：損失特性は、図３（ｂ）
- に示す様に周波数ｆ1 ±Δｆで通過損失が最小とな
り、周波数ｆ1 ±Δｆから離れるに従って損失が大きく
なる。 つまり、コンデンサＣ１の容量値と、直列接続
された両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１のインダクタンス成
分Ｌ１と、片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ３のインダクタン
ス成分Ｌ３の合計インダクタンス成分Ｌ１３で決まる共
振周波数を持つ第１の共振回路と、コンデンサＣ３の容
量値と、直列接続された両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ２の
インダクタンス成分Ｌ２と、片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ
４のインダクタンス成分Ｌ４の合計インダクタンス成分
Ｌ２４で決まる共振周波数を持つ第２の共振回路とが、
結合コンデンサＣ２によって結合された構成になる。
- に示す様に周波数ｆ1 ±Δｆで通過損失が最小とな
り、周波数ｆ1 ±Δｆから離れるに従って損失が大きく
なる。 つまり、コンデンサＣ１の容量値と、直列接続
された両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１のインダクタンス成
分Ｌ１と、片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ３のインダクタン
ス成分Ｌ３の合計インダクタンス成分Ｌ１３で決まる共
振周波数を持つ第１の共振回路と、コンデンサＣ３の容
量値と、直列接続された両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ２の
インダクタンス成分Ｌ２と、片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ
４のインダクタンス成分Ｌ４の合計インダクタンス成分
Ｌ２４で決まる共振周波数を持つ第２の共振回路とが、
結合コンデンサＣ２によって結合された構成になる。
【００３３】これにより、図３（ｂ）- に示す様な周
波数選択性を持つ回路が得られる。次に、制御端子に負
電圧を印加すると、高周波スイッチ用ダイオードＤ３と
Ｄ４は開放状態になるが、高周波スイッチ用ダイオード
Ｄ１とＤ２は短絡状態になる。
波数選択性を持つ回路が得られる。次に、制御端子に負
電圧を印加すると、高周波スイッチ用ダイオードＤ３と
Ｄ４は開放状態になるが、高周波スイッチ用ダイオード
Ｄ１とＤ２は短絡状態になる。
【００３４】これにより、片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ３
と片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ４が、それぞれ対応する両
端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１と両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ
２から電気的に切り離された状態になると共に、コンデ
ンサＣ１と接続されたＴＥＭ共振器ＤＲ１の他端、及び
コンデンサＣ３と接続されたＴＥＲ共振器ＤＲ２の他端
がそれぞれ短絡状態となる。
と片端短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ４が、それぞれ対応する両
端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１と両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ
２から電気的に切り離された状態になると共に、コンデ
ンサＣ１と接続されたＴＥＭ共振器ＤＲ１の他端、及び
コンデンサＣ３と接続されたＴＥＲ共振器ＤＲ２の他端
がそれぞれ短絡状態となる。
【００３５】つまり、コンデンサＣ１の容量値と片端短
絡状態となったＴＥＭ共振器ＤＲ１のインダクタンス成
分Ｌ１とで決まる共振周波数を持つ第１の共振回路と、
コンデンサＣ３の容量値と片端短絡状態となったＴＥＭ
共振器ＤＲ２のインダクタンス成分Ｌ２によって決まる
共振周波数を持つ第２の共振回路とが、結合コンデンサ
Ｃ２によって結合された構成になる。
絡状態となったＴＥＭ共振器ＤＲ１のインダクタンス成
分Ｌ１とで決まる共振周波数を持つ第１の共振回路と、
コンデンサＣ３の容量値と片端短絡状態となったＴＥＭ
共振器ＤＲ２のインダクタンス成分Ｌ２によって決まる
共振周波数を持つ第２の共振回路とが、結合コンデンサ
Ｃ２によって結合された構成になる。
【００３６】これにより、図３（ｂ）- に示す様な周
波数選択性を持つ回路が得られる。なお、第１、第２の
共振回路の共振周波数は、２つの回路を構成する素子の
特性偏差により多少ずれている。
波数選択性を持つ回路が得られる。なお、第１、第２の
共振回路の共振周波数は、２つの回路を構成する素子の
特性偏差により多少ずれている。
【００３７】図４は、図３中の点線部分の実装説明図
で、１は裏面が全面アースになっている誘電体基板、
２、６は誘電体基板の表面に形成されたアース面、３は
マイクロストリップ線路、４1,４2,５は接続端子であ
る。
で、１は裏面が全面アースになっている誘電体基板、
２、６は誘電体基板の表面に形成されたアース面、３は
マイクロストリップ線路、４1,４2,５は接続端子であ
る。
【００３８】また、７、８は導体部分、ＤＲ１は両端開
放ＴＥＭ共振器、ＤＲ３は片端短絡ＴＥＭ共振器、Ｄ
１、Ｄ３は高周波スイッチ用ダイオード、Ｃ１、Ｃ４は
コンデンサである。
放ＴＥＭ共振器、ＤＲ３は片端短絡ＴＥＭ共振器、Ｄ
１、Ｄ３は高周波スイッチ用ダイオード、Ｃ１、Ｃ４は
コンデンサである。
【００３９】更に、両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１と片端
短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ３は、接続端子４1,４2,５が設け
られた面は誘電体材料そのままであるが、それ以外の上
面、側面及び接続端子が挿入される穴９の内面は、例え
ば、金属膜で覆われている。
短絡ＴＥＭ共振器ＤＲ３は、接続端子４1,４2,５が設け
られた面は誘電体材料そのままであるが、それ以外の上
面、側面及び接続端子が挿入される穴９の内面は、例え
ば、金属膜で覆われている。
【００４０】ここで、高周波スイッチ用ダイオードＤ１
がオフ状態で、高周波スイッチ用ダイオードＤ３がオン
状態の時、マイクロストリップ線路３、コンデンサＣ４
を介して入力した周波数ｆ1 の信号は、殆ど損失を与え
ずに矢印の方向に進行する。
がオフ状態で、高周波スイッチ用ダイオードＤ３がオン
状態の時、マイクロストリップ線路３、コンデンサＣ４
を介して入力した周波数ｆ1 の信号は、殆ど損失を与え
ずに矢印の方向に進行する。
【００４１】しかし、周波数ｆ1 よりも高い周波数ｆ2
の信号に対しては損失が与えられ、ここで阻止される。
逆に、高周波スイッチ用ダイオードＤ１がオン状態で、
高周波スイッチ用ダイオードＤ３がオフ状態の時は、周
波数ｆ2 よりも低い周波数ｆ1 の信号は損失が与えら
れ、ここで阻止される。（図３（ｂ）参照）。
の信号に対しては損失が与えられ、ここで阻止される。
逆に、高周波スイッチ用ダイオードＤ１がオン状態で、
高周波スイッチ用ダイオードＤ３がオフ状態の時は、周
波数ｆ2 よりも低い周波数ｆ1 の信号は損失が与えら
れ、ここで阻止される。（図３（ｂ）参照）。
【００４２】図５（ａ）に示す様に、高周波スイッチ用
ダイオードＤ１、Ｄ３からなる切替手段を介して、相互
に接続された両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１と片端短絡Ｔ
ＥＭ共振器ＤＲ３に対して、コンデンサＣ１が直列に接
続されている場合、コンデンサＣ１とＴＥＭ共振器は直
列共振回路として動作し、図５（ｂ）に示す様に、例え
ば、周波数ｆ0 の近傍の周波数成分の通過を阻止する。
ダイオードＤ１、Ｄ３からなる切替手段を介して、相互
に接続された両端開放ＴＥＭ共振器ＤＲ１と片端短絡Ｔ
ＥＭ共振器ＤＲ３に対して、コンデンサＣ１が直列に接
続されている場合、コンデンサＣ１とＴＥＭ共振器は直
列共振回路として動作し、図５（ｂ）に示す様に、例え
ば、周波数ｆ0 の近傍の周波数成分の通過を阻止する。
【００４３】そこで、図３（ａ）に示す帯域通過フィル
タと、図５（ａ）に示す帯域阻止フィルタを組み合わせ
ることにより、図３（ｂ）の周波数：損失特性のうち、
通過帯域外に極を持たせることができる。
タと、図５（ａ）に示す帯域阻止フィルタを組み合わせ
ることにより、図３（ｂ）の周波数：損失特性のうち、
通過帯域外に極を持たせることができる。
【００４４】即ち、本発明を実施することにより、一つ
の部品で複数の周波数を扱うことができ、しかも、部品
の基本性能を損なわない構成を実現することができる。
の部品で複数の周波数を扱うことができ、しかも、部品
の基本性能を損なわない構成を実現することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、デュアルバン
ド用携帯電話機に関し、Ｃ／Ｎの劣化、損失の改善を図
ることができると云う効果がある。
ド用携帯電話機に関し、Ｃ／Ｎの劣化、損失の改善を図
ることができると云う効果がある。
【図１】第１、第２の本発明の原理説明図（その１）で
ある。
ある。
【図２】第１、第２の本発明の原理説明図（その２）で
ある。
ある。
【図３】第３の本発明の実施例の説明図である。
【図４】図３（ａ）中の点線部分の実装説明図である。
【図５】第３の本発明の別の実施例の説明図である。
１ 誘電体基板 ２、６ アース面 ３ マイクロストリップ線路 ４1, 42,５ 接続端子 ７、８ 導体部分 ＤＲ１、ＤＲ２ 両端開放ＴＥＭ共振器 ＤＲ３、ＤＲ４ 片端短絡ＴＥＭ共振器 Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４ 高周波スイッチ用ダイオード Ｃ0 、Ｃ１〜Ｃ６ コンデンサ Ｃｈ1,Ｃｈ2 インダクタンス
Claims (3)
- 【請求項１】 第１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ共振
器を切替手段を介して接続し、該切替手段に印加する切
替制御信号の状態に対応して、該第１のＴＥＭ共振器、
または、相互接続された該第１のＴＥＭ共振器と第２の
ＴＥＭ共振器に切替可能な構成にしたことを特徴とする
高周波回路。 - 【請求項２】 上記第１のＴＥＭ共振器と第２のＴＥＭ
共振器を、両端開放のＴＥＭ共振器と片端短絡のＴＥＭ
共振器で構成したことを特徴とする請求項１の高周波回
路。 - 【請求項３】 上記両端開放のＴＥＭ共振器と片端短絡
のＴＥＭ共振器を切替手段を介して接続した回路を、少
なくとも２つ結合して多段の帯域通過フィルタを形成
し、 上記切替手段を用いて、２つの周波数帯域をそれぞれカ
バーできる構成にしたことを特徴とする請求項１及び請
求項２の高周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9269722A JPH11112207A (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9269722A JPH11112207A (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 高周波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112207A true JPH11112207A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17476262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9269722A Withdrawn JPH11112207A (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112207A (ja) |
-
1997
- 1997-10-02 JP JP9269722A patent/JPH11112207A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |